CN1530743B - 光掩膜及漫反射板 - Google Patents

光掩膜及漫反射板 Download PDF

Info

Publication number
CN1530743B
CN1530743B CN2004100399304A CN200410039930A CN1530743B CN 1530743 B CN1530743 B CN 1530743B CN 2004100399304 A CN2004100399304 A CN 2004100399304A CN 200410039930 A CN200410039930 A CN 200410039930A CN 1530743 B CN1530743 B CN 1530743B
Authority
CN
China
Prior art keywords
triangle
central point
area
many sieve
leg
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2004100399304A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1530743A (zh
Inventor
藤井幸男
六原行一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Publication of CN1530743A publication Critical patent/CN1530743A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1530743B publication Critical patent/CN1530743B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • AHUMAN NECESSITIES
    • A43FOOTWEAR
    • A43BCHARACTERISTIC FEATURES OF FOOTWEAR; PARTS OF FOOTWEAR
    • A43B17/00Insoles for insertion, e.g. footbeds or inlays, for attachment to the shoe after the upper has been joined
    • A43B17/14Insoles for insertion, e.g. footbeds or inlays, for attachment to the shoe after the upper has been joined made of sponge, rubber, or plastic materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C44/00Shaping by internal pressure generated in the material, e.g. swelling or foaming ; Producing porous or cellular expanded plastics articles
    • B29C44/02Shaping by internal pressure generated in the material, e.g. swelling or foaming ; Producing porous or cellular expanded plastics articles for articles of definite length, i.e. discrete articles

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

对于本发明的光掩膜,是在由中心点11-19、31、34、37、21、22、23构成的多罗耐三角形群中,配置单位区域R1内的中心点11-19,使多罗耐三角形的面积的平均值A及标准偏差B为规定的数值范围内。这样一来,得到具有即使在边界线Bd2、Bd3附近在单位区域间也没有接缝的图形配置的光掩膜,能够在不产生干涉条纹和不均匀的状态下制造反射辉度高的漫反射板。

Description

光掩膜及漫反射板
发明领域
本发明涉及光掩膜及漫反射板。
背景技术
不需要背光等光源的反射型显示元件例如反射型液晶显示元件,是一种将反射板与控制入射到显示元件的光及用反射板反射的光的光量的光控制手段(液晶显示元件等)加以组合进行显示的器件,由于耗电少,经常用于便携用设备中。
反射型显示元件中必须有反射外来光的漫反射板,漫反射板将偏离漫反射板法线方向的10~30°角入射的外来光进行散射,将散射光反射到观察者侧。
作为这种漫反射板的制造方法,有对玻璃或金属板进行喷砂加工并通过化学液体进行光滑处理的方法,或利用通过层叠膜的热应力而产生的凹凸的方法等,是利用作为自然现象产生的结构的方法。用这些方法的优点是,可形成完全随机配置的散射结构,不发生因散射结构引起的干涉,但由于不能高精度地形成特定的散射结构,故难以获得高的反射辉度。此外,由于其配置是基于自然现象的配置,故重复性差,质量管理较难。
另一方面,在滤色板等液晶部件的情况下,漫反射板形成于滤色板之下。这时,由于生产率高,故采用使用大面积光掩膜的接近曝光(批量曝光)的光刻技术。
接近曝光中,由于使用价格昂贵的大面积光掩膜,故从避免光掩膜的破损和污染的意义上,光掩膜与感光性树脂(抗蚀膜)表面的间隙(曝光间隙)通常保持在数十~数百μm,达到10μm左右的清晰度。曝光间隙由配置于光掩膜的弧立图形的外径与形成光掩膜和漫反射板的玻璃基板的厚度所决定。
又,通过在光掩膜上配置与所希望的光像对应的弧立图形,能够在大面积基板上以很好的重复性制造漫反射板。
光掩膜有由完全透光的透光部分与完全遮光的遮光部分构成的图形区域,并以形成比较清晰的曝光图像为前提,所以为了以批量曝光稳定地形成漫反射板所要求的光滑的散射结构,有两种方法,一种是有效地利用光掩膜中的衍射的方法,另一种是利用吸光性抗蚀膜的方法。
作为这一技术领域的以往技术,已知已凹部或凸部的顶点间距离的分布宽度为平均值的30~90%那样不规则配置的漫反射板(例如,参照专利公报第2912176号)。
又,已知有利用数列并将图形螺旋状地配置的光掩膜及扩散扩射板(例如,参照特开2002-14211号公报)。
发明内容
但是,凹部或凸部的顶点间距离的分布宽度为平均值的30~90%那样不规则配置的漫反射板,由于对散射无用处的平坦部分较多,故反射辉度低。
因此,为了提高反射辉度而提高凹凸部的规则性时,就产生干涉条纹。另一方面,为了抑制干涉条纹而使规则性降低时,例如利用数列螺旋状地配置图形时,由于是螺旋状,故越是在单位区域的周边部,剩下的空隙区域越多。因此,为了制成具有大面积散射结构的漫反射板,考虑通过相邻连接配置小面积的单位区域来形成大面积。
但是,以往的图形配置的情况下,由于在相邻连接的单位区域的边界线处存在空隙区域,故不连续,对反射辉度产生不均匀。
本发明是鉴于这样的问题而提出的,其目的在于提供能在不产生干涉条纹和不均匀的状态下制造反射辉度高的扩散反射板的光掩膜及漫反射板。
为解决上述问题,本发明的光掩膜,具有将配置了多个孤立图形的中心点的长方形、平行四边形、或六边形的单位区域相邻连接并重复配置而成的图形区域,在该光掩膜中,设定由单位区域内的中心点构成的多个多罗耐三角形、与横跨单位区域跟相邻连接的其他单位区域的边界线而构成的多个多罗耐三角形的面积总和与单位区域的面积相同的多罗耐三角形群,假设构成该三角形群的多个多罗耐三角形的面积的平均值为A、标准偏差为B时,配置中心点使得满足以下条件(1)和(2):
(1)70μm2≤A≤120μm2
(2)0.05≤B/A≤0.25
本发明的光掩膜的图形区域由无间隙地重复具有规定形状(长方形、平行四边形、或六边形)的单位区域而成。该单位区域内配置孤立图形的中心点。这时,中心点的配置由以多罗耐三角形(X)作为总体的上述平均值A、标准偏差B所规定。该多罗耐三角形群(X)由单位区域内的中心点构成的多个多罗耐三角形(Y)与横跨该单位区域跟相邻连接的其他单位区域的边界线构成的多个多罗耐三角形(Z)所组成。而且,设定多罗耐三角形(Y)和多罗耐三角形(Z),使多罗耐三角形(Y)总面积与多罗耐三角形(Z)的总面积的和,与单位区域的面积相同。因此,多罗耐三角形群(X)的三角形的总面积与单位区域的面积相同。此外,这时利用多罗耐三角形群(X)形成的多边形能够与上述的单位面积同样无间隙重复。这样,决定中心点的配置,使得设定的多罗耐三角形群(X)满足上述条件(1)和(2)。由此,得到在全部图形区域中无接缝(边界线)的、连续的孤立图形的中心点配置。
这里,在由光掩膜中的孤立图形的中心点所规定的平均值A小于70μm2时,光掩膜的孤立图形相互间由于接近,在接近曝光时要受到影响,不能稳定地形成漫反射板的散射结构,并不理想。另一方面,平均值A大于120μm2时,由于用该光掩膜的接近曝光而制造的漫反射板的散射结构的间隙变大,对散射无用处的平坦部分的面积增大,因此降低了散射产生的反射辉度。此外,由于正反射引起的明显的背景映入,也不理想。
又,在由光掩膜中的孤立图形的中心点所规定的A/B值小于0.05时,通过用该光掩膜的接近曝光制造的漫反射板的散射结构中,由于散射光的相位一致而使干涉增强,并不理想。另一方面,A/B值大于0.25时,由于散射引起的反射辉度降低,而且,制造时的光散射性能的变动大,稳定性不足,而并不理想。
另一方面,如采用具有由本发明的数值范围规定的图形区域的光掩膜,则利用接近曝光的光刻技术,能在不产生干涉条纹和不均匀的状态下制造反射辉度高的漫反射板。
又,本发明的漫反射板,是将配置了多个凹凸部的中心点的长方形、平行四边形、或六边形的单位区域相邻连接并重复配置而成,在该慢反射板中,设定由单位区域内的中心点构成的多个多罗耐三角形、与横跨单位区域跟相邻连接的其他单位区域的边界线而构成的多个多罗耐三角形的面积总和与单位区域的面积相同的多罗耐三角形群,假设构成该三角形群的多个多罗耐三角形的面积的平均值为A、标准偏差为B时,配置中心点使得满足以下条件(1)和(2):
(1)70μm2≤A≤120μm2
(2)0.05≤B/A≤0.25
所谓凹凸是圆锥形或圆锥梯形等的凹部或凸部,在各单位区域内配置凹部时,着眼于凹部的中心点间的间隔距离,在各单位区域内配置凸部时,着眼于凸部的中心点间的间隔距离。
在漫反射板中的凹凸部的中心点所规定的平均值A小于70μm2时,漫反射板的散射结构不稳定,并不理想。另一方面,平均值A大于120μm2时,漫反射板的散射结构的间隙加大,增大了对散射无用的平坦部的面积,故降低了反射辉度,而且,由于正反射引起明显的背景映入,也不理想。
在漫反射板中的凹凸部的中心点所规定的A/B值小于0.05时,由于反射光的相位一致而使干涉增强,故不理想。另一方面,A/B值大于0.25时,由于降低了散射引起的反射辉度,而且光散射性能的变动大,稳定性不足,而并不理想。
另一方面,本发明的漫反射板由于满足上述条件,故在不产生干涉条纹和不均匀的状态下提高了反射辉度。
附图说明
图1为实施形态有关的光掩膜的平面图。
图2为实施形态有关的光掩膜的图形配置的说明图。
图3为实施形态有关的漫反射板的图形配置的说明图。
图4为实施形态有关的带漫反射板的滤色板的剖面图。
图5A、图5B、图5C、图5D、图5E为实施形态有关的带漫反射板的滤色板的制造方法说明图。
图6所示为漫反射板及滤色板的评价结果表。
图7为根据以往技术的光掩膜的平面图。
图8为漫反射板的图形的显微照片。
具体实施方式
以下说明实施形态有关的光掩膜及漫反射板。对同一要素采用同一符号并省略重复的说明。
图1为实施形态有关的光掩膜的平面图。
光掩膜M具有对角线大于500mm的尺寸K。即,该光掩膜M用于接近曝光。又,光掩膜M包括漫反射区域形成用的图形区域PR。图形区域PR是将与配置了多个孤立图形P1的单位区域R1相同的区域矩阵状相互连接并重复配置而成。
单位区域R1只要具有利用相同形状进行重复并能填满平面的形状就行,不限于长方形,也可以为平行四边形或六边形。
这里,多个孤立图形P1由透光部或遮光部构成。孤立图形P1的形状的外形尺寸可以是15μm以下的圆形、环形、椭圆形或者事实上与它们对应的六边形以上的多边形,在环形情况下,孤立图形P1的宽度最好为小于4μm。所谓外形尺寸,在孤立图形P1为圆形或环形时是指外径尺寸(直径),在椭圆形或多边形时是指从成为中心点的重心位置至外周的平均距离的2倍。
这样,通过用光掩膜M的接近曝光实现的光刻技术,能够形成有微小凹凸面的漫反射板。
图2为实施形态有关的光掩膜的图形配置的说明图。
在长方形的单位区域R1内,存在透光部C1~C9(多个孤立图形P1),各自具有中心点11~19(中心点01)。此外,在通过边界线Bd2与单位区域R1相邻连接的单位区域R2内,存在与单位区域R1相同配置的具有中心点21~29的透光部C21~29。再在通过边界线Bd3与单位区域R1相邻连接的单位区域R3内,也存在与单位区域R1相同配置的具有中心点31~39的透光部C31~39。
这里,单位区域R1内的中心点11~19构成的多个多罗耐三角形(Y),与横跨单位区域R1跟相邻连接的其他单位区域R2、R3的边界线Bd2、Bd3的、由中心点13、16、19、21~23、31、34、37构成的多个多罗耐三角形(Z)的面积的总和,和单位区域R1的面积相同。由此,合并这些多罗耐三角形(Y)和(Z),设定为多罗耐三角形群(X)(图中的斜线部分)。假设构成该多罗耐三角形群(X)的多个多罗耐三角形的面积的平均值为A、标准偏差为B时,则中心点01配置成满足以下条件(1)、(2):
(1)70μm2≤A≤120μm2
(2)0.05≤B/A≤0.25
由具有这种图形配置的单位区域构成的图形区域内的单位区域相互间成为无接缝地连续。因而,若采用本实施形态有关的光掩膜,则利用接近曝光的光刻技术,能够在不产生干涉条纹和不均匀的状态下制造反射辉度高的漫反射板。
孤立图形P1的中心点01的配置由如下决定。这里,在平面上配置几个点时,在根据最接近哪一点来分割该平面的点产生的图(伏洛诺依(Voronoi)图)中,该分割的区域称为伏洛诺依区域。将连接该相邻连接的伏洛诺依区域的母点相互之间产生的三角形称为多罗耐三角形,可以用作表示点群的连接关系的方法。
首先,决定单位区域R1内存在的孤立图形P1的中心点01的数N,利用计算机,以x,y作为随机数,决定N个坐标(x,y),将中心点01配置于所决定的坐标中(随机配置(1))。例如,设长方形的单位区域的左下角的坐标为原点(0,0),位于通过原点的长方形的对角线上的长方形右上角的坐标为(XMAX,YMAX),则XMAX例如为132,YMAX例如为396,将从0至132中选出的随机数x、从0至396中选出的随机数y的1组作为1个坐标,通过产生N次该随机数,可得到N个坐标(x,y)。具体来说,N例如为63个。再设定坐标(0,0)与坐标(0,1)间的间隔在光掩膜上为0.5μm。这时,单位区域R1的形状成为各边为66μm×198μm的长方形。例如成矩阵形地相邻连接并重复配置这个单位区域R1。
其次,在对由此得到的随机配置(1)的上述多罗耐三角形群(X)中,得到多罗耐三角形的面积的平均值A及面积分布的标准偏差B。如果设相邻连接的3个中心点01的坐标为(a,b)、(c,d)、(e,f),则各三角形的面积S表示如下:
S=(ad+cf+eb-bc-de-fa)/2
这里,面积比A+B大的多罗耐三角形将中心点01沿缩小的方向移动,面积比A-B小的多罗耐三角形将中心点01沿扩大的方向移动。详述如下。
1个多罗耐三角形以相邻连接的3个中心点01作为顶点而构成,设多罗耐三角形群(X)的三角形数为K个。多罗耐三角形的面积的平均值A与第K个(k=1~K)的多罗耐三角形的面积S(k)的差分为Δ(Δ=S(k)-A),将该差分Δ绝对值|Δ|与标准偏差B作比较,确定具有面积大于标准偏差B的多罗耐三角形的编号。由于确定的多罗耐三角形由3个中心点01组成,故将其中1个中心点01的坐标例如按照以下那样移动。
构成确定的三角形的三个中心点中,选择与不包含在该三角形内的相邻连接的中心点的距离最短的中心点01,将其坐标(x,y)移至坐标(x+1,y),再计算与上述的平均值A、面积S(k)相对应的移动后的平均值A’与多罗耐三角形的面积S(k’),计算其差分Δ’(Δ’=S(k’)-A’)的绝对值|Δ’|。在|Δ’|<|Δ|时移动中心点01至坐标(x+1,y),在|Δ’|>|Δ|时,移动至坐标(x-1,y)。在|Δ’|=|Δ|时,不移动。同样地进行y坐标的移动。这样,制成随机配置(2)。
对全部确定的多罗耐三角形进行该移动操作,并重复进行直至平均值A、标准偏差B满足上述(1)及(2)的条件,确定中心点01的坐标。例如,移动操作的次数为数次。这样一来,孤立图形P1的中心点01的配置被决定。即,依次执行以下的程序。
(i)对K个多罗耐三角形群,计算三角形的平均值A及标准偏差B。
(ii)计算第k个(k=1~K)多罗耐三角形的面积S(k)。
(iii)计算S(k)与A的差分Δ(Δ=S(k)-A)的绝对值|Δ|。
(iv)确定|Δ|>B的多罗耐三角形的编号。
(v)从被确定的多罗耐三角形中选择一个三角形,并在三角形的三个中心点中选择与该三角形不包含的相邻连接的中心点的距离为最短的中心点。
(vi)将所选的中心点的坐标(x,y)移至(x+1,y)。
(vii)计算在步骤(vi)中移动后的平均值A’与多罗耐三角形的面积S(k’)的差分Δ’(Δ’=S(k’)-A’)的绝对值|Δ’|。
(viii)在|Δ’|<|Δ|时,将中心点01移至坐标(x+1,y),在|Δ’|>|Δ|时,移动至坐标(x-1,y),在|Δ’|=|Δ|时,不作移动。
(ix)再次确定|Δ|>B的多罗耐三角形的编号。
(x)从被确定的多罗耐三角形中选择一个三角形,并在三角形的三个中心点中选择与该三角形不包含的相邻连接的中心点的距离为最短的中心点。
(xi)将所选的中心点的坐标(x,y)移至(x,y+1)。
(xii)计算在步骤(xi)中移动后的平均值A″与多罗耐三角形的面积S(k″)的差分Δ″(Δ″=S(k″)-A″)的绝对值|Δ″|。
(xiii)在|Δ″|<|Δ’|时,将中心点01移至坐标(x+1,y),在|Δ″|>|Δ’|时,移动至坐标(x,y-1),在|Δ″|=|Δ’|时,不作移动。
(xiv)对全部被确定的多罗耐三角形执行(v)~(xiii),重复进行到最终的平均值A、标准偏差B满足上述条件(1)及(2)为止。此外,A’、A″是表示运算次数第2次、第3次的平均值A,上述中为了明确起见,对A用A’及A″。
由计算机执行上述程序,配置孤立图形,使孤立图形的重心与决定的中心点相一致。
图3为实施形态有关的漫反射的图形配置的说明图。该漫反射板具备由上述光掩膜M形成图形的光致抗蚀膜,光致抗蚀膜的种类有感光部分对显影液呈不溶性的负型与呈可溶性的正型。这时,所谓凹凸部D1是凹部或者凸部,在光致抗蚀膜是负型或正型情况下,其形状不同。也就是说可考虑以下①~④的情况。
①孤立图形是透光部且使用正型光致抗蚀膜的情况,与孤立图形相对的位置的光致抗蚀膜溶解,在与透光部相对的位置形成凹部。
②孤立图形是遮光部且使用正型光致抗蚀膜的情况,与孤立图形的周边部相对的位置的光致抗蚀膜溶解,在与遮光部相对的位置形成凸部。
③孤立图形是透光部且使用负型光致抗蚀膜的情况,与孤立图形的周边部相对的位置的光致抗蚀膜溶解,在与透光部相对的位置形成凸部。
④孤立图形是遮光部且使用负型光致抗蚀膜的情况,与孤立图形相对的位置的光致抗蚀膜溶解,在与透光部相对的位置形成凹部。
此外,在对漫反射板中的凹凸部D1的中心点01进行说明时,用上述的①和④的方法在各单位区域R1、R2及R3内配置凹部的情况下,意味着是凹部的中心点,用上述的②和③的方法在各单位区域R1、R2及R3内配置凸部的情况下,意味着是凸部的中心点。
本发明的实施形态有关的漫反射板,用具有图2中说明的图形配置的图形区域的光掩膜制成。因此,位于图3中单位区域R1内的凹凸部D1的中心点01的配置与图2中的多个孤立图形P1的中心点01相同。这样一来,能在不产生干涉条纹和不均匀的状态下提供反射辉度高的漫反射板。
另一方面,图7为根据现有技术制成的光掩膜的平面图。这种情况与图1中说明的实施形态有关的光掩膜相比较,由于例如在单位区域R1跟相邻连接的单位区域R2的边界线Bd的附近留下空隙区域,故不连续,不可能提供具有单位区域间无接缝的图形区域的光掩膜及漫反射板。这时产生反射辉度的不均匀。
图4为实施形态有关的带漫反射板的滤色板的剖面图。
在透明基板1的表面上设置具有用图3说明的配置进行图形配置的多个凹凸部D1的凹凸层2。在凹凸层2的表面上用蒸镀等方法形成含铝等高反射率的金属膜的反射膜3。
凹凸层2由感光性树脂等有机材料构成,例如可用酚醛树脂系、(偏)丙烯酸树脂系正型抗蚀剂。更好的是可以采用添加碳黑或色素、对曝光的光带有吸光性的正型抗蚀膜。感光性树脂具有在曝光步骤、显影步骤后的加热步骤中硬化的性质。
在滤色板基板上形成并使用光散射层时,在光散射层上设置着色树脂区域4R、4G、4B。在着色树脂区域上根据需要设置透明保护膜6,形成驱动液晶用的透明电极5。透明电极5例如可用ITO(氧化铟-氧化锡)等。
着色树脂区域4R、4G、4B若不溶解析出成为液晶中显示不良的原因的杂质,则什么材质也可以。作为具体的材质,有仅使任意光透过而经膜厚控制的无机膜和染色、染料分散或颜色分散的树脂等。
这种树脂的种类无特殊限制,可使用丙烯基、聚乙烯醇、聚酰亚胺等。此外,从制造工艺简便和耐气候性方面看,着色树脂区域4R、4G、4B中使用颜色分散的树脂为好。
又,在使用光散射层作为元件基板时,也可在光散射层上形成布线和驱动元件。
图5A、图5B、图5C、图5D、图5E为图4所示的滤色板的制造方法的说明图,依次实行步骤(a)~步骤(e)。
涂布步骤(a)
将正型光致抗蚀膜(感光性树脂)涂布于透明基板1上,形成光致抗蚀膜层(凹凸层2的中间体)2(图5A)。
曝光步骤(b)
通过光掩膜M进行批量曝光(接近曝光)(图5B)。这里,光掩膜M上用图2说明的配置来配置多个孤立图形P1的中心点01。通过用该光掩膜M的曝光,在光致抗蚀膜内形成潜像浓度分布2a。而且,孤立图形P1的外形尺寸D小于15μm为好。
显影、热处理步骤(c)
通过光致抗蚀膜的现像来形成图形(图5C)。显影只要选择适合于光致抗蚀膜的条件就行,使用钠、钾的氢氧化物、碳酸盐、碳酸氢盐的无机碱性溶液、有机胺等的有机碱性溶液作为显影液。通过在20℃至40℃下浸渍或喷啉显影液进行显影。显影后的基板在纯水中充分洗净后,进行热处理。
热处理步骤中,光致抗蚀膜的图形加热硬化,形成光滑的凹凸部。热处理温度在120~250℃为好,更好是在150℃~230℃范围内。另外,热处理时间最好为10~60分钟。
反射膜形成步骤(d)
形成含有金属膜的反射膜3(图5D)。该形成中可用蒸镀法或溅射法,构成反射膜3的材料可以是纯铝、铝合金(Al-Nd合金等)或银含金(Ag-Pd-Cu合金)等。反射膜3的厚度,比较合适的是在0.1~0.3μm范围内,最好是在0.15~0.25范围。对反射膜3也可以用介质多层膜。
又,反射膜3含金属膜时,可达到高反射率。该金属膜最好含有金属铝、铝合金或银合金,当然也可含有不对特性带来不好影响的其他元素。反射膜3根据需要利用刻蚀来除去不要的部分,形成透光部分或标记之类。
着色层形成步骤(e)
根据需要形成红、绿、蓝的着色层4R、4G、4B,接着,在形成物之上淀积透明保护膜6及透明电极5,完成带漫反射板的滤色板(图5E)。
实施例
以下通过实施例来说明本发明,但本发明不只限定于以下的实施例。
(实验条件)
(实施例1)
在光掩膜的构成图形区域的长方形的单位区域(66μm×198μm)内,以规定的配置来配置外径9μm的圆形透光部的中心点(73个)。该配置通过用随机数的上述方法决定。在得到的配置中,由多罗耐三角形群(X)规定的平均值A为90μm2,B/A的值为0.2。利用由用该光掩膜的接近曝光实现的光刻技术,制造带漫反射板的滤波板。此外,光掩膜上的单位区域及透光部与滤色板的单位像素及凹凸部相对应。
首先,在洗净的370×470×0.7mm的玻璃基板(康宁1737)上,涂布膜厚1.1μm的添加碳黑的吸光性抗蚀膜(透射率0.2/μm)。所得的抗蚀膜在热板上预烘100℃×110秒后,通过上述光掩膜以曝光间隙130μm、曝光量300mJ/cm2的条件进行曝光。
曝光后的基板用0.5%KOH溶液以23℃、80秒的条件显影后,在净化炉中以200℃×20分钟进行热处理。
在得到的基板表面上形成凹凸部,同时完全剥离去除周边部不要的抗蚀膜,处于能形成滤色板或TFT、TFD等元件基板的状态。
对制成的经加热处理后的基板,利用溅射法形成0.2μm厚的铝合金(Al-Nd合金)反射膜,做成漫反射板。
从得到的漫反射板上切出面积5×5cm2的一部分,利用甘油粘贴5×5cm2的玻璃基板(康宁1737),做成光散射性能评价用模块单元。
将制成的漫反射板经水洗,并用旋涂机涂布感光性红色抗蚀膜CR-8960(富士胶片公司制造)。预烘后,通过具有条状透光部的光掩膜曝光,之后,用无机碱性水溶液显影,水洗后,在净化炉内进行220℃×20分钟的热处理,制成条状红色透明树脂图形(厚度1.0μm)。
进而通过在该基板上同样地分别涂布感光性绿色抗蚀膜CG-8960(富士胶片公司制造)、感光性蓝色抗蚀膜CB-8960(富士胶片公司制造),重复曝光、显影、热处理,制成红色、绿色、蓝色的透明树脂图形配置。
在形成透明树脂图形的基板上,作为保护膜材料涂布NN-525(JSR公司制造),通过曝光、显影、热处理,形成2.0μm厚的透明保护膜层,做成滤色板。
(实施例2)~(实施例5)
在满足上述条件(1)及(2)范围内,改变长方形的单位区域的面积、透光部的数目、平均值A及B/A,制成具有根据本发明的图形区域的光掩膜,用该光掩膜以与实施例1相同的工艺制成漫反射板。
(比较例)~(比较例4)
制作具有改变长方形的单位区域的面积、透光部的数目、平均值A及B/A而使其不满足上述条件(1)及(2)的图形区域的光掩膜,用该光掩膜以与实施例1相同工艺制成漫反射板。
(评价及结果)
图6为表示实施例1~实施例5、比较例1~比较例4有关的光掩膜构成要素的参数及得到的漫反射板及滤色板的特性表。
将各实施例及比较例的模块单元置于外径为5.7cm的环形光源的正下方6.2cm处,用配置于环形光源的中央处的辉度计测定反射辉度,对于相对于标准白色板的反射辉度的相对辉度(增益)进行评价。此外,目视观察同一模块单元,评价有无由光的干涉而引起的干涉条纹(干涉色)。
对于实施例1~实施例5有关的漫反射板,即使最小增益也能够得到155%以上,而且没有观察到干涉色或不均匀。
此外,测定实施例1~实施例5有关的滤色板的表面凹凸,因散射结构引起的凹凸为0.2μm以下,不对显示性能造成任何问题。
另一方面,对于比较例1有关的漫反射板,观察到因干涉引起的干涉色。此外,对于比较例2~比较例4,即使最大增益也只能得到128%。
图8示出漫反射板图形的显微照片。该漫反射板用设定单位区域的一边长度为127μm而制成的光掩膜,经曝光后的光致抗蚀膜构成。此外,在光致抗蚀膜上蒸镀金属膜。这样,可在图形区域整个面中无接缝(边界线)地得到连续的孤立图形的中心点配置。
若采用本发明的光掩膜,则可在不产生干涉条纹和不均匀的状态下制造反射辉度高的漫反射板。

Claims (6)

1.一种光掩膜,具有将长方形、平行四边形、或六边形的单位区域相邻连接并重复配置而形成的图形区域,所述单位区域中配置有多个孤立图形,每个所述孤立图形都具有中心点,该光掩膜的特征在于,
设定由所述单位区域内的所述中心点构成的多个多罗耐三角形、与横跨所述单位区域跟相邻连接的其他单位区域的边界线而构成的多个多罗耐三角形的面积的总和与所述单位区域的面积相同的多罗耐三角形群,假设构成该三角形群的多个多罗耐三角形的面积的平均值为A、标准偏差为B时,配置所述中心点使得满足以下条件:
(1)70μm2≤A≤120μm2
(2)0.05≤B/A≤0.25。
2.一种通过将长方形、平行四边形、或六边形的单位区域相邻连接并重复配置而形成的漫反射板,所述单位区域中配置有多个凹凸部,每个所述凹凸部都具有中心点,该漫反射板的特征在于,
设定由所述单位区域内的所述中心点构成的多个多罗耐三角形、与横跨所述单位区域跟相邻连接的其他单位区域的边界线而构成的多个多罗耐三角形的面积的总和与所述单位区域的面积相同的多罗耐三角形群,假设构成该三角形群的多个多罗耐三角形的面积的平均值为A、标准偏差为B时,配置所述中心点使得满足以下条件:
(1)70μm2≤A≤120μm2
(2)0.05≤B/A≤0.25。
3.一种滤色板,其特征在于,
在权利要求2所述的漫反射板上具备反射膜,并在该反射膜上设置着色树脂而成。
4.一种光掩膜的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
(i)对相邻连接的K个多罗耐三角形群计算三角形面积的平均值A及标准偏差B的步骤,
(ii)计算第k个,多罗耐三角形的面积S(k)的步骤,k=1~K,
(iii)计算S(k)与A的差分Δ的绝对值|Δ|的步骤,Δ=S(k)-A,
(iv)确定|Δ|>B的多罗耐三角形的编号的步骤,
(v)从被确定的多罗耐三角形中选择一个三角形、并在三角形的三个中心点中选择与该三角形不包含的相邻连接的中心点的距离为最短的中心点的步骤,
(vi)将所选的中心点的坐标(x,y)移至(x+1,y)的步骤,
(vii)计算在步骤(vi)中移动后的平均值A与多罗耐三角形的面积S(k’)的差分Δ’的绝对值|Δ’|的步骤,Δ’=S(k’)-A,
(viii)在|Δ’|<|Δ|时将中心点01移至坐标(x+1,y)、在|Δ’|>|Δ|时移动至坐标(x-1,y)、在|Δ’|=|Δ|时不作移动的步骤,
(ix)再次确定|Δ|>B的多罗耐三角形的编号的步骤,
(x)从被确定的多罗耐三角形中选择一个三角形、并在三角形的三个中心点中选择与该三角形不包含的相邻连接的中心点的距离为最短的中心点的步骤,
(xi)将所选的中心点的坐标(x,y)移至(x,y+1)的步骤,
(xii)计算在步骤(xi)中移动后的平均值A与多罗耐三角形的面积S(k″)的差分Δ″的绝对值|Δ″|的步骤,Δ″=S(k″)-A,
(xiii)在|Δ″|<|Δ’|时将中心点01移至坐标(x+1,y)、在|Δ″|>|Δ’|时移动至坐标(x,y-1)、在|Δ″|=|Δ’|时不作移动的步骤,
(xiv)对全部被确定的多罗耐三角形执行(v)~(xii i)重复到最终的平均值A、标准偏差B满足下面条件(1)及(2)为止的步骤,
(1)70μm2≤A≤120μm2
(2)0.05≤B/A≤0.25
并包括将孤立图形配置于所决定的中心点的步骤。
5.一种漫反射板的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
通过权利要求4所述的光掩膜对光致抗蚀膜进行曝光的步骤,对曝光后的光致抗蚀膜进行显影的步骤,以及将反射膜形成于显影后的光致抗蚀膜上的步骤。
6.一种滤色板的制造方法,其特征在于,
将着色树脂设置于权利要求5所述的漫反射板上。
CN2004100399304A 2003-03-12 2004-03-12 光掩膜及漫反射板 Expired - Fee Related CN1530743B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003067029 2003-03-12
JP2003-067029 2003-03-12
JP2003067029A JP4223840B2 (ja) 2003-03-12 2003-03-12 フォトマスク及び拡散反射板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1530743A CN1530743A (zh) 2004-09-22
CN1530743B true CN1530743B (zh) 2013-03-06

Family

ID=33284763

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2004100399304A Expired - Fee Related CN1530743B (zh) 2003-03-12 2004-03-12 光掩膜及漫反射板

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4223840B2 (zh)
KR (1) KR101008860B1 (zh)
CN (1) CN1530743B (zh)
TW (1) TWI356211B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101689215B (zh) * 2008-01-19 2015-12-16 新思科技有限公司 用于多边形断裂的基于斯坦纳树的方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200818981A (en) 2006-08-30 2008-04-16 Sumitomo Chemical Co Organic electroluminescence device
JP4907456B2 (ja) * 2006-08-30 2012-03-28 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI444674B (zh) 2008-05-28 2014-07-11 Toppan Printing Co Ltd 彩色濾光片之製法、附圖案之基板之製法及小型光罩
EP2284134B1 (en) * 2008-06-13 2012-11-28 LG Chem, Ltd. Heating element and manufacturing method thereof
KR20090129927A (ko) * 2008-06-13 2009-12-17 주식회사 엘지화학 발열체 및 이의 제조방법
JP5196352B2 (ja) * 2009-06-09 2013-05-15 住友化学株式会社 防眩フィルムの製造方法、防眩フィルムおよび金型の製造方法
WO2013095078A1 (ko) * 2011-12-23 2013-06-27 주식회사 엘지화학 전도성 기판 및 이를 포함하는 전자소자
CN106502044B (zh) * 2017-01-10 2020-01-24 昆山国显光电有限公司 掩膜板及其制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1164673A (zh) * 1995-06-15 1997-11-12 现代电子产业株式会社 光掩模的图形结构
US6096460A (en) * 1996-07-03 2000-08-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Attenuating phase shift photomasks
WO2001029615A1 (fr) * 1999-10-20 2001-04-26 Sineisha Co., Ltd. Forme originale de photomasque avec couche pour la protection de la surface de film et procede de preparation de cette forme, et liquide de formation de couche protectrice pour forme originale de photomasque
EP1229385A2 (en) * 2001-02-05 2002-08-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of correcting a photomask and method of manufacturing a semiconductor device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100640203B1 (ko) 2004-12-29 2006-10-31 동부일렉트로닉스 주식회사 산란 방지 패턴을 갖는 웨이퍼 노광용 마스크
KR20080102655A (ko) * 2007-05-21 2008-11-26 주식회사 하이닉스반도체 듀얼 콘택홀 형성 방법 및 이에 사용된 포토마스크
KR20090044534A (ko) * 2007-10-31 2009-05-07 주식회사 하이닉스반도체 노광 마스크, 노광 마스크 제조 방법 및 이를 이용한반도체 소자의 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1164673A (zh) * 1995-06-15 1997-11-12 现代电子产业株式会社 光掩模的图形结构
US6096460A (en) * 1996-07-03 2000-08-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Attenuating phase shift photomasks
WO2001029615A1 (fr) * 1999-10-20 2001-04-26 Sineisha Co., Ltd. Forme originale de photomasque avec couche pour la protection de la surface de film et procede de preparation de cette forme, et liquide de formation de couche protectrice pour forme originale de photomasque
EP1229385A2 (en) * 2001-02-05 2002-08-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of correcting a photomask and method of manufacturing a semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101689215B (zh) * 2008-01-19 2015-12-16 新思科技有限公司 用于多边形断裂的基于斯坦纳树的方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI356211B (en) 2012-01-11
KR20040081351A (ko) 2004-09-21
TW200424598A (en) 2004-11-16
JP4223840B2 (ja) 2009-02-12
KR101008860B1 (ko) 2011-01-19
CN1530743A (zh) 2004-09-22
JP2004279473A (ja) 2004-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101196645B (zh) Rgbw彩色滤光片的结构及其制作方法
CN104656306A (zh) 设置有黑矩阵的基板及其制造方法、显示装置
CN1530743B (zh) 光掩膜及漫反射板
CN1982924A (zh) 彩色滤光板及其制造方法
US20190265544A1 (en) Mask plate, display substrate and method for manufacturing the same, display panel and display device
TW200422725A (en) Substrate for electro-optical device, method of manufacturing substrate for electro-optical device, electro-optical device and electronic apparatus
CN105182679A (zh) 掩膜板及其制作方法、利用掩膜板构图的方法、滤光片
CN100405167C (zh) 彩色滤光基板及其制造方法
CN108196421A (zh) 灰阶掩膜版制作方法
US20070148565A1 (en) Method for manufacturing a color filter
JP4055453B2 (ja) 半透過型カラー液晶表示装置用カラーフィルタの製造方法
CN102315167B (zh) 广视角液晶显示器阵列基板制作方法
JP4918827B2 (ja) カラーフィルタの製造方法
US20070141484A1 (en) Color filter and manufacture method thereof
CN101702041A (zh) 彩色滤光片及其制造方法
JP4706374B2 (ja) カラーフィルタ基板の製造方法
JP4968429B2 (ja) 液晶表示装置用のカラーフィルタ形成基板の製造方法
CN100397107C (zh) 彩色滤光板的制作方法
CN101702040A (zh) 一种彩色滤光片及其制造方法
JPH09197117A (ja) カラーフィルタの製造方法
JP4645629B2 (ja) 半透過型カラー液晶表示装置用カラーフィルタワーク基板
KR950008936B1 (ko) 칼라필터 및 그 제조방법
US20070236633A1 (en) Color filter, method for manufacturing color filter having low reflection and liquid crystal display incorporating same
KR960014295B1 (ko) 액정표시소자용 칼라필터 제조방법
JP2005215642A (ja) フォトマスク及び拡散反射板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SUMITOMO CHEMICAL CO.

Free format text: FORMER OWNER: IROTERU SCIENCE AND TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20060811

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20060811

Address after: Tokyo, Japan

Applicant after: Sumitomo Chemical Co., Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Applicant before: Saiteru Science & Tech Co., Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130306

Termination date: 20180312