CN1527140A - 用于操纵和传送计量光束的器件和方法 - Google Patents
用于操纵和传送计量光束的器件和方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1527140A CN1527140A CNA2004100080163A CN200410008016A CN1527140A CN 1527140 A CN1527140 A CN 1527140A CN A2004100080163 A CNA2004100080163 A CN A2004100080163A CN 200410008016 A CN200410008016 A CN 200410008016A CN 1527140 A CN1527140 A CN 1527140A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wedge
- wedges
- metrology beam
- relative position
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 53
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 35
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 17
- 238000007514 turning Methods 0.000 claims description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 206010034719 Personality change Diseases 0.000 description 1
- -1 as bottoming Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
一种光刻投影装置，配有一种用于操纵和传送至少一部分辐射的计量光束的器件。该器件包括第一和第二光楔，其中第二光楔和第一光楔具有相对于彼此的相对位置。至少一部分计量光束沿入射光轴在第一光楔的第一主要表面处进入该器件，穿过第一和第二光楔，并在第二光楔的第二主要表面处射出。第一和第二光楔安排为通过改变第一和第二光楔的相对位置使至少一部分计量光束相对于入射光轴旋转如/或平移。
Description
技术领域
本发明涉及如权利要求1前序部分限定的一种光刻投影装置。本发明还涉及如权利要求12前序部分所述的一种用于操纵和传送至少一部分辐射的计量光束的器件。另外，本发明涉及如权利要求14前序部分提出的一种器件制造方法。
背景技术
本发明发现一种光刻投影装置领域中的优选应用，该光刻投影装置包括：用于提供辐射投射光束的辐射系统，用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据所需的图案对投射光束进行构图，用于保持基底的基底台，用于将带图案的光束投射到基底的目标部分上的投射系统。
这里使用的术语“构图装置”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的装置，其中所述图案与要在基底的目标部分上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在目标部分中形成的器件如集成电路或者其它器件的特定功能层相对应(如下文)。这种构图装置的示例包括：
■掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性地被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射辐射束中的所需位置，并且如果需要该台会相对光束移动。
■可编程反射镜阵列。这种装置的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的理论基础是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而非寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。可编程反射镜阵列的另一实施例利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此已寻址反射镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到未寻址反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵定址。在上述两种情况中，构图装置可包括一个或者多个可编程反射镜阵列。关于如这里提到的反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在可编程反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
■可编程LCD阵列，例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图装置。
光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置可产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅晶片)的目标部分上(例如包括一个或者多个管芯(die))。一般的，单一的晶片将包含相邻目标部分的整个网格，该相邻目标部分由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投影装置是，通过将全部掩模图案一次曝光在目标部分上而辐射每一目标部分；这种装置通常称作晶片步进器或步进重复装置。另一种装置(通常称作步进-扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一目标部分；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。关于如这里描述的光刻装置的更多信息可以从例如美国专利US6,046,792中获得，该文献这里作为参考引入。
在用光刻投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底进行各种处理，如打底，涂敷抗蚀剂和弱烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，强烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学-机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯割技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些处理的进一步信息可从例如Peter van Zant的
“微芯片制造： 半导体加工实践入门(Microchip Fabrication：A Practical Guide toSemiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。
为了简单起见，投影系统在下文称为“镜头”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。照射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于引导、成形或者控制辐射投射光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级充刻装置，这里作为参考引入。
在光刻投影装置中，各种干涉仪(通常)共用相同的光源，如激光器，所述激光器产生激光投射束。应该注意，为了将构图装置的图案投射到基底上，这种共用的激光投射束并没有涉及如上所述的投射束。共用的激光投射束在这里进一步称为计量光束。为了在整个光刻投影装置中共用计量光束，将计量光束传送通过该装置到达每个干涉仪。为了防止二阶测量误差和干涉仪范围内的损失(以及因此导致在使用光刻投影装置时的不精确性)，使计量光束与测量物体(例如，工作台)精确对准(以μrad(弧度)的数量级)是很重要的。在光束对准之后，校准干涉仪系统。确定所有相关参数(涉及光束的角位置和横向位置)，并认为其是很稳定的。
在两次校准之间，用于传送能够影响对准参数的计量光束的部件(特别是光束折弯操纵器)的稳定性是非常重要的。例如，如果在操作过程中对准参数改变(例如，因漂移而引起)，那么可能影响光刻投影装置的精度。因此，传送部件的稳定性是与干涉仪系统的测量精度有关的一个重要问题。
计量光束的传送和操纵通常由包括可调节反射镜的装置来进行，所述可调节反射镜能够改变入射到其上的计量光束的指向。利用这种可调节反射镜具有因如下事实引起的缺陷，所述事实为反射镜的旋转和/或倾斜(这两个操作具有固有的不稳定性)会导致光束的不精确定向。因此光束的对准容易产生与旋转误差和倾斜误差有关的不确定性。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种用于操纵和传送计量光束的器件，该器件具有优于先有技术中用于操纵和传送计量光束的器件的改进的稳定性。
根据本发明，这一目的在如权利要求1前序部分限定的光刻投影装置中实现，其特征在于该装置包括用于操纵和传送至少一部分辐射的计量光束的器件，该器件包括第一和第二光楔，第二光楔和第一光楔具有相对于彼此的相对位置，至少一部分计量光束沿入射光轴在第一光楔的第一主要表面处进入该器件，穿过第一和第二光楔，并在第二光楔的第二主要表面处射出，第一和第二光楔设置为通过改变第一和第二光楔的相对位置使至少一部分计量光束相对于所述入射光轴旋转和/或平移。
操纵器件中进行的机械调节与它们对光束的角位置和横向位置的影响之间的大比率，导致很高的调节分辨率以及对于机械变化和/或不稳定性的低灵敏度。沿该器件的主轴进行用于对准光束的器件的对准，这导致改进的对准稳定性。作为一个优点，这使指向的校准在需要再次校准之前的较长时期内保持精确。由于用于操纵和传送计量光束的器件的长期稳定性，光刻投影装置中的精度改进能够高达2-3nm/3个月。当然，该器件可以用在其他应用中，如机械加工。
另外，改进的调节分辨率能减少制造过程中的周期时间，因为调节能够按照比先有技术相对更简单和更省时的方式进行。
本发明还涉及如权利要求6前序部分限定的一种光刻投影装置，其特征在于，该装置包括用于操纵和传送至少一部分辐射的计量光束的器件，该器件包括第一和第二光楔，第二光楔的第一和第二主要表面中至少一个配有反射涂层，第二光楔和第一光楔具有相对于彼此的相对位置，至少一部分计量光束沿入射光轴在第一光楔的第一主要表面处进入该器件，穿过第一光楔，在第二光楔的第一和第二主要表面之一处进入，并在第二光楔的第一和第二主要表面之一处反射，第一和第二光楔设置为通过改变第一和第二光楔的相对位置使至少一部分计量光束相对于入射光轴旋转和/或平移。
另外，本发明涉及一种用于操纵和传送至少一部分辐射的计量光束的器件，其特征在于，该器件包括第一和第二光楔，第二光楔和第一光楔具有相对于彼此的相对位置，至少一部分计量光束沿入射光轴在第一光楔的第一主要表面处进入该器件，穿过第一和第二光楔，并在第二光楔的第二主要表面处射出，第一和第二光楔设置为通过改变第一和第二光楔的相对位置使至少一部分计量光束相对于入射光轴旋转和/或平移。
根据本发明的另一方面，提供一种器件制造方法，包括以下步骤：-利用辐射系统提供辐射的计量光束，
其特征在于
-使至少一部分计量光束沿入射光轴在第一光楔的第一主要表面处进入，
-使至少一部分计量光束穿过第一光楔和第二光楔，第二光楔和第一光楔具有相对于彼此的相对位置，
-使至少一部分计量光束在第二光楔的第二主要表面处射出，以及
-通过改变第一和第二光楔的相对位置使至少一部分计量光束相对于入射光轴旋转和/或平移。
本发明可以应用在将操纵和传送计量光束的器件与固定反射镜结合起来的光束控制装置中。先有技术的光束折弯操纵器由于以下事实而具有较低的稳定性，所述事实为先有技术的光束折弯操纵器的折弯作用发生在基本上与操纵器调节轴平行的直线附近。在本发明中，光束控制装置具有基本上与弯曲线垂直的调节轴，由此产生对于该装置的设置的较高稳定性。
另外，本发明提供一种光束控制装置，该装置省略了固定反射镜，仅仅包括用于操纵和传送的两个光楔。在这种情况下能够进一步提高设置的稳定性。
在本申请中，本发明的装置具体用于制造IC，但是应该明确理解这些装置可能具有其它应用。例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示板、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“分划板”，“晶片”或者“管芯”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”，“基底”和“目标部分”代替。
在本文件中，使用的术语“辐射”和“投射光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波长)和远紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm的波长范围)。
附图说明
下面参照附图描述本发明，这些附图仅仅用于说明而不是限定如随附的权利要求书的保护范围。
图1表示一种光刻投影装置；
图2示意性地示出根据本发明一个实施方式的用于操纵和传送计量光束的器件以及该器件的第一操作；
图3示意性地示出通过根据本发明一个实施方式的器件操纵计量光束的第二操作；
图4示意性地示出通过根据本发明一个实施方式的装置操纵计量光束的第三操作；
图5示意性地示出通过根据本发明一个实施方式的装置操纵计量光束的第四操作；
图6a和6b分别示意性地示出根据通常的布置和根据本发明一个实施方式将计量光束传送到干涉仪的示例；
图7示意性示出根据本发明的器件的另一个实施方式。
具体实施方式
图1示意性地表示了本发明一具体实施方案的一光刻投影装置1。该装置包括：
辐射系统IL，Ex，用于提供辐射投射光束PB(例如EUV辐射)。在这种具体的情况下，辐射系统还包括辐射源LA；
第一目标台(掩模台)MT，设有用于保持掩模MA(例如分划板)的掩模保持器，并与用于将该掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM连接；
第二目标台(基底台)WT，设有用于保持基底W(例如涂敷抗/蚀剂的硅晶片)的基底保持器，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW连接；
投射系统(“镜头”)PL，用于将掩模MA的辐射部分成像在基底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上。
如这里指出的，该装置属于反射型(例如具有反射掩模)。可是，一般来说，它还可以是例如透射型(例如具有透射掩模)。另外，该装置可以利用其它种类的构图装置，如上述涉及的可编程反射镜阵列型。
辐射源LA(例如汞灯或准分子激光器)产生辐射光束。该光束直接或在横穿过如扩束器Ex等调节装置后，馈送到照射系统(照射器)IL上。照射器IL包括调节装置AM，用于设定光束强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外，它一般包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。按照这种方式，照射到掩模MA上的光束PB在其横截面具有所需的均匀度和强度分布。
应该注意，图1中的辐射源LA可以置于光刻投射装置的壳体中(例如当辐射源LA是汞灯时经常是这种情况)，但也可以远离光刻投射装置，其产生的辐射光束被(例如通过合适的定向反射镜的帮助)引导至该装置中；当光源LA是准分子激光器时通常是后面的那种情况。本发明和权利要求包含这两种方案。
光束PB然后与保持在掩模台MT上的掩模MA相交。横向穿过掩模MA后，光束PB通过镜头PL，该镜头将光束PB聚焦在基底W的目标部分C上。在第二定位装置PW和干涉测量装置IF的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的目标部分C。类似的，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。一般地，用图1中未明确显示的长冲程模块(粗略定位)和短冲程模块(精确定位)，可以实现目标台MT、WT的移动。可是，在晶片步进器中(与步进-扫描装置相对)，掩模台MT可与短冲程致动装置连接，或者固定。掩膜MA与基底W可以使用掩膜对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2进行对准。
所示的装置可以按照二种不同模式使用：
1.在步进模式中，掩模台MT基本保持不动，整个掩模图像被一次投射(即单“闪”)到目标部分C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的目标部分C能够由光束PB照射；
2.在扫描模式中，基本为相同的情况，但是给定的目标部分C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是，掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向”，例如Y方向)以速度v移动，以使投射光束PB在掩模图像上扫描；同时，基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是镜头PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在这种方式中，可以曝光相当大的目标部分C，而没有牺牲分辨率。
干涉测量装置通常可包括光源，如激光器(未示出)，以及一个或多个干涉仪，所述干涉仪用于确定有关如基底或工作台等的待测物体的一些信息(例如，位置，对准等)。图1中例如示意性地表示出两个干涉仪IF1和IF2。光源(激光器)产生计量光束(metrology beam)MB，该光束经一个或多个光束操纵器传送到干涉仪IF1，IF2。如果存在多于一个干涉仪，那么通过利用将计量光束分成用于每个干涉仪的各个分离光束的光学系统而在这些干涉仪之间共用计量光束。在图1中，例如示出分成两个光束的计量光束。图中没有示出分离器光学系统。光束操纵器也可以用于干涉仪本身。
图2示意性地示出根据本发明一个实施例的用于操纵和传送计量光束的器件的横截面，以及该器件的第一操作。
用于操纵和传送计量光束MB的器件100包括第一和第二光学元件，称为光楔2，3。第一和第二光楔2，3的每一个分别包括两个次要表面2c，2d和3c，3d。在每一个光楔中，两个次要表面基本上平行，2d和3d分别是与另一个次要表面2c和3c相比面积相对较大的次要表面。每个光楔分别进一步包括两个主要表面2a，2b和3a，3b。每个主要表面从一个次要表面延伸到另一个次要表面，两个主要表面彼此不平行。在图2示出的实施方式中，主要表面2a，3a分别沿着基本上垂直于两个次要表面2c，2d和3c，3d的方向延伸。另一个主要表面2b，3b分别相对于表面2a，2c，2d和3a，3c，3d倾斜。装置100进一步包括光轴OA，该光轴基本上垂直于第一光楔2的主要表面2a和第二光楔3的主要表面3a。
应该注意，使用每个光楔2，3时其各自的主要倾斜表面2b，3b分别朝向入射光束和出射光束。
在操作过程中，计量光束，如激光束沿着基本上平行于光轴OA的方向传播，在主要表面2a处进入第一光楔2，并且在主要表面2a处相对于入射光束的光轴OA以第一面内角α1折射。接着，光束穿过第一光楔2，在倾斜的主要表面2b处射出，并再次相对于入射光束的光轴OA以第二面内角α2折射。由于在这种情况下例如计量光束MB以基本上垂直入射进入主要表面2a，因此第一面内角α1相对于光轴OA基本上等于0°。然后计量光束MB进入第二光楔3的倾斜的主要表面3b，又相对于入射光束的光轴OA以第三面内角α3折射。当光束穿过主要表面3a时再次发生折射，计量光束相对于入射光束的光轴OA以第四面内角α4射出。
在图2中，由于所有的表面2a，2b和3a，3b基本上垂直于图2中横截面所在平面，因此射出第二光楔的计量光束基本上平行于该平面。
通过将第二光楔3的角位置绕光轴OA改变一个轴角β(未示出)，按照表面3b不垂直于图2中横截面所在平面的方式改变第二光楔3的表面定向。因此，计量光束的光程包括在图2中横截面所在平面之外的方向上的一个角。另外，第一光楔2可以绕光轴OA旋转，来产生包括在图2中横截面所在平面之外的方向上的一个角的计量光束。在旋转第一光楔2或第二光楔3的每种情况下，另一个光楔，分别是第二光楔3或第一光楔2，不被族转。在另一种可选择的情况下，可以旋转第一光楔和第二光楔来影响计量光束在图2横截面所在平面之外的角度。
改变光楔绕光轴OA的角位置是装置100的第一操作。
图3示意性地示出利用根据本发明一个实施方式的器件操纵计量光束MB的第一操作的特殊情况。
当第二光楔3相对于图2所示初始位置旋转180°轴角β时发生第一操作的特殊情况。当第一和第二光楔2，3的主要表面的几何形状基本上相同时，图3中示出的相对位置产生基本上平行于入射光束的出射计量光束，但是相对于光轴OA平移距离T。(该图中第四面内角α4等于零。)另外，第一光楔2可以相对于图2中示出的初始位置旋转180°轴角β。
图4示意性地示出利用根据本发明一个实施方式的器件操纵计量光束MB的第二操作。
在如图3中示出的第一和第二光楔2，3的角位置的情况下，改变第一和第二光楔2，3之间的距离D时发生第二操作。如图4的图解示出的结构，光楔2，3之间横向位置的移动(D2-D1)改变计量光束MB相对于光轴的平移(T2-T1)。光楔2，3之间的较短距离导致计量光束相对于光轴OA的较小平移，较大距离导致较大的平移。
当全部器件即光楔2，3的整体绕光轴OA旋转，且第一和第二光楔的位置彼此固定(即，该器件包括每个光楔的恒定轴角β以及光楔2，3之间的恒定距离D的组合)时，发生第三操作。具有面内角α4的出射计量光束绕光轴OA旋转，产生绕光轴OA投射的环形路线。因此，例如全部器件绕光轴OA旋转180°将产生相对于光轴OA面内角为-α4的全部计量光束。
图5示意性地示出利用根据本发明一个实施方式的器件操纵计量光束的第四操作。
当该器件绕着垂直于光轴OA的旋转轴转动，且第一和第二光楔2，3的位置彼此固定时发生第四操作。选取的旋转轴垂直于图2(和图5)的截面所在平面，如旋转轴符号RA所示。在图5中，示出该器件100位于虚线所画的初始位置和实线所画的第二旋转位置。初始光程也由虚线示出。绕旋转轴RA旋转之后的第二光程也由实线MB示出。如从图5中推导得出，绕轴RA的旋转导致计量光束的平移与图2(和图5)截面所在的平面平行。
如本领域的技术人员所知，第一，第二，第三和第四操作的各种可能的组合允许在计量光束的位置和方向上进行角度和平移控制。
另外，由于第一，第二和第三操作相对于光轴OA发生，因此垂直于该方向的光束的移动对计量光束MB的方向基本上没有影响。这与先有技术的器件相比有助于这种器件的相对较高的稳定性。此外，由于第四操作仅仅改变计量光束在平行于截面的平面中的计量光束方向，因此第四操作不会使计量光束在截面之外的方向上引起任何不重合。因此，用于操纵和传送计量光束的所公开的器件的设计相对稳定，紧凑和节省成本。
应该注意两个光楔2，3优选是一个匹配的对，以达到最大的操纵范围。如果光楔2，3稍有不同，那么就不能获得入射和出射光束之间的零度角。
在下面的图中示出用于例如光刻投影装置的光束操纵器的一些实施例，该操纵器基于如上述图2-5中的器件。
图6a和6b分别示意性地示出根据典型的实施方式和根据本发明的实施方式将计量光束传送到一个干涉仪的示例。
在图6a中，激光源产生计量光束MB，该光束入射到固定的分束器BS上。固定的分束器BS将光束MB分为通过干涉探测器IFM测量的第一部分和用于投射到如基底或工作台等的待测物体上的另一部分。第一部分入射到用于将第一光束部分导向干涉探测器IFM的光束折弯操纵器BM。光束折弯操纵器BM通常包括具有垂直于附图平面的旋转轴的可旋转反射镜。旋转反射镜以这种方式设置，以获得干涉探测器IFM上的最佳信号。这种设置程序在本领域是众所周知的。如图6a中由指向干涉探测器IFM的三条线示意性示出，光束的对准受光束操纵器BM设置的稳定性的影响。
图6b中示出采用用于操纵和传送计量光束的器件100的另一种布置。在图6b中，与图6a中示出的相同的标记表示相同的元件。
在这种可选择的布置中，光束操纵器BM由用于操纵和传送计量光束的器件100结合固定反射镜M来代替。在分束器BS分光之后，光束MB的第一部分入射到固定反射镜M上，并沿着器件100的方向反射。在穿过器件100之后，光束MB的第一部分到达干涉探测器IFM。可以将器件100设置为通过参考图2至5的上述四个操作的任何组合来操纵光束MB的第一部分。在图6b中，第四操作由实线画出的位置和虚线画出的另一位置来示意性地说明。
根据图6b的布置比图6a中的布置具有更高的稳定性，这是因为反射镜M具有固定对准的固定位置。另外，器件100的设计如上所述提供了相对较高的稳定性。
在图6b中，示出“三部件配置”，包括固定的反射镜M和两个光楔2，3。还可以得到省略固定的反射镜M的另一个可选实施方式。
图7示意性地示出根据本发明的器件100’的另一个实施方式。
固定的反射镜M和用于操纵和传送计量光束的器件100的组合可由根据本发明一个实施方式的单一器件100’来代替。
在该实施方式中，将第一光楔2和第二光楔3安排为在它们各自的主要表面2a和3a之间具有角度α5。计量光束MB以垂直入射的方式入射到第一光楔2倾斜的主要表面2b上。然后，在射出倾斜的主要表面2b时，光束折射并入射到第二光楔3倾斜的主要表面上。由于入射光束和第二光楔3倾斜的主要表面之间的入射角小于临界角，因此光束部分在倾斜的主要表面3b上反射并沿另一个方向引导。在器件100’的这一实施方式中，可通过绕光轴OA和绕基本上垂直于附图平面的第二旋转轴旋转来调节第一光楔2，第二旋转轴如轴标记RA2所示。第二光楔3可以绕基本上在附图平面中且基本上与第二光楔3的主要表面3a垂直的第三旋转轴RA3旋转。
绕第一光楔2的第二旋转轴RA2的调节是最有可能导致机械不稳定性的操作。由于旋转轴RA2垂直于基本上在附图平面内出现的弯曲，因此仍然能够保证关于光束方向的设置的稳定性。
如本领域的技术人员所知，该实施方式的器件100’能够执行类似于参考图2至5的上述器件100的操作。
应该注意，第二光楔3可包括在其主要表面3a，3b中至少一个上的反射涂层，以获得计量光束在倾斜的主要表面3b处的反射。在这种情况下，光束的入射角可以大于临界角。
本领域的技术人员知道，可以设想和实施不背离本发明的实际精神的其他可选择的实施方式和等效实施方式，本发明的范围仅受附加的权利要求书的限制。
Claims (15)
1.一种光刻投影装置(1)，其特征在于，所述装置包括用于操纵和传送至少一部分辐射的计量光束(MB)的器件(100)，所述器件(100)包括第一光楔(2)和第二光楔(3)，所述第二光楔(3)和所述第一光楔(2)具有相对于彼此的相对位置，所述至少一部分计量光束(MB)沿入射光轴(OA)在所述第一光楔(2)的第一主要表面(2a)处进入所述器件(100)，穿过所述第一(2)和第二光楔(3)，并在所述第二光楔(3)的第二主要表面(3a)处射出，第一和第二光楔(2，3)设置为通过改变所述第一和所述第二光楔(2，3)的所述相对位置使所述至少一部分计量光束(MB)相对于所述入射光轴(OA)旋转和/或平移。
2.根据权利要求1的光刻投影装置，其特征在于，所述器件(100)设置为通过绕所述光轴(OA)将所述第一和第二光楔(2，3)中至少一个旋转一个轴角(β)来完成第一操作。
3.根据权利要求1或2的光刻投影装置，其特征在于，
所述器件(100)设置为通过沿所述光轴(OA)移动所述第一和第二光楔(2，3)中至少一个来改变它们之间的距离(D)从而完成第二操作。
4.根据权利要求1至3中任一项的光刻投影装置，其特征在于，
所述器件(100)设置为完成第三操作，
其中所述第一和第二光楔(2，3)具有带固定轴角(β)和固定距离(D)的固定的相对位置，
所述第一和第二光楔(2，3)作为一个整体绕所述光轴(OA)旋转。
5.根据权利要求1至4中任一项的光刻投影装置，其特征在于，
所述器件(100)设置为完成第四操作，
其中所述第一和第二光楔(2，3)具有带固定轴角(β)和固定距离(D)的固定的相对位置，所述第一和第二光楔(2，3)作为一个整体绕垂直于所述光轴(OA)的旋转轴(RA)旋转。
6.一种光刻投影装置(1)，其特征在于，所述装置包括用于操纵和传送至少一部分辐射的计量光束(MB)的器件(100’)，所述器件(100’)包括第一光楔(2)和第二光楔(3)，所述第二光楔(3)的第一和第二主要表面(3a，3b)之一配有反射涂层，所述第二光楔(3)和所述第一光楔(2)具有相对于彼此的相对位置，所述至少一部分计量光束(MB)沿入射光轴(OA)在所述第一光楔(2)的第一主要表面(2a)处进入所述器件(100’)，穿过所述第一光楔(2)，并在所述第二光楔(3)的所述第一和第二主要表面(3a，3b)之一处反射，所述第一和第二光楔(2，3)设置为通过改变所述第一和所述第二光楔(2，3)的所述相对位置使所述至少一部分计量光束(MB)相对于所述入射光轴(OA)旋转和/或平移。
7.根据权利要求6的光刻投影装置，其特征在于，所述器件(100’)设置为使所述第一和第二光楔(2，3)中至少一个绕所述光轴(OA)旋转一个轴角(β)。
8.根据权利要求6的光刻投影装置，其特征在于所述器件(100’)设置为使所述第二光楔(3)绕基本上与所述第二光楔(3)的所述第一主要表面(3a)垂直的旋转轴(RA3)旋转一个角度(β)。
9.根据权利要求6至8中任一项的光刻投影装置，其特征在于，
所述器件(100’)设置为沿所述光轴(OA)移动所述第一和第二光楔(2，3)中至少一个来改变它们之间的距离(D)。
10.根据权利要求6至9中任一项的光刻投影装置，其特征在于，
所述第一和第二光楔(2，3)具有带固定轴角(β)和固定距离(D)的固定的相对位置，所述器件(100’)设置为使所述第一和第二光楔(2，3)作为一个整体绕所述光轴(OA)旋转。
11.根据权利要求6至10中任一项的光刻投影装置，其特征在于，
所述第一和第二光楔(2，3)具有带固定轴角(β)和固定距离(D)的固定的相对位置，所述器件(100’)设置为使所述第一和第二光楔(2，3)作为一个整体绕垂直于所述光轴(OA)的旋转轴(RA2)旋转。
12.一种用于操纵和传送至少一部分辐射的计量光束(MB)的器件(100)，其特征在于，所述器件(100)包括第一光楔(2)和第二光楔(3)，所述第二光楔(3)和所述第一光楔(2)具有相对于彼此的相对位置，所述至少一部分计量光束(MB)沿入射光轴(OA)在所述第一光楔(2)的第一主要表面(2a)处进入所述器件(100)，穿过所述第一光楔(2)和所述第二光楔(3)，并在所述第二光楔(3)的第二主要表面(3a)处射出，所述第一和第二光楔(2，3)设置为通过改变所述第一和所述第二光楔(2，3)的所述相对位置使所述至少一部分所述计量光束(MB)相对于所述入射光轴(OA)旋转和/或平移。
13.一种用于操纵和传送至少一部分辐射的计量光束(MB)的器件(100’)，所述器件(100’)包括第一光楔(2)和第二光楔(3)，所述第二光楔(3)的第一和第二主要表面(3a，3b)之一配有反射涂层，所述第二光楔(3)和所述第一光楔(2)具有相对于彼此的相对位置，所述至少一部分计量光束(MB)沿入射光轴(OA)在所述第一光楔(2)的第一主要表面(2a)处进入所述器件(100’)，穿过所述第一光楔(2)，并在所述第二光楔(3)的所述第一和第二主要表面(3a，3b)之一处反射，所述第一和第二光楔(2，3)设置为通过改变所述第一和第二光楔(2，3)的所述相对位置使所述至少一部分所述计量光束(MB)相对于所述入射光轴(OA)旋转和/或平移。
14.一种器件制造方法，包括以下步骤：
-利用辐射系统提供辐射的计量光束(MB)；
其特征在于，
-使至少一部分计量光束(MB)沿入射光轴(OA)在第一光楔(2)的第一主要表面(2a)处进入，
-使所述至少一部分所述计量光束(MB)穿过所述第一光楔(2)和所述第二光楔(3)，所述第二光楔(3)和所述第一光楔(2)具有相对于彼此的相对位置，
-使所述至少一部分所述计量光束(MB)在所述第二光楔(3)的第二主要表面(3a)处射出，以及
-通过改变所述第一和所述第二光楔(2，3)的所述相对位置使所述至少一部分所述计量光束(MB)相对于所述入射光轴(OA)旋转和/或平移。
15.一种器件制造方法，包括以下步骤：
-利用辐射系统提供辐射的计量光束(MB)；
其特征在于，
-使至少一部分所述计量光束(MB)沿入射光轴(OA)在第一光楔(2)的第一主要表面(2a)处进入，
-使所述至少一部分所述计量光束(MB)穿过所述第一光楔(2)和所述第二光楔(3)，
-在所述第二光楔(3)的第一和第二主要表面(3a，3b)中之一处反射所述至少一部分计量光束(MB)，所述第二光楔(3)和所述第一光楔(2)具有相对于彼此的相对位置，以及
-通过改变所述第一和第二光楔(2，3)的所述相对位置使所述至少一部分所述计量光束(MB)相对于所述入射光轴(OA)旋转和/或平移。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP03075659 | 2003-03-06 | ||
| EP03075659.7 | 2003-03-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1527140A true CN1527140A (zh) | 2004-09-08 |
| CN100524027C CN100524027C (zh) | 2009-08-05 |
Family
ID=33442798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2004100080163A Expired - Lifetime CN100524027C (zh) | 2003-03-06 | 2004-03-05 | 用于操纵和传送计量光束的器件和方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7177059B2 (zh) |
| JP (1) | JP2004343058A (zh) |
| KR (1) | KR20040078902A (zh) |
| CN (1) | CN100524027C (zh) |
| SG (1) | SG115641A1 (zh) |
| TW (1) | TWI285794B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100471246C (zh) * | 2005-08-01 | 2009-03-18 | 深圳市欧曼特微显示科技有限公司 | 一种用于投影系统的光学结构 |
| CN101526746A (zh) * | 2009-01-07 | 2009-09-09 | 上海微电子装备有限公司 | 可调整零平面位置的垂向测量系统 |
| CN102353389A (zh) * | 2011-07-22 | 2012-02-15 | Tcl集团股份有限公司 | 提高阵列探测器成像分辨率的系统及其实现方法 |
| CN109212887A (zh) * | 2017-06-30 | 2019-01-15 | 日亚化学工业株式会社 | 图案化基板的制造方法及半导体装置的制造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101259327B1 (ko) | 2012-04-09 | 2013-05-06 | 포항공과대학교 산학협력단 | 자체상관기 |
Family Cites Families (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3885797A (en) * | 1973-10-03 | 1975-05-27 | Lca Corp | Phonograph |
| US3907431A (en) * | 1973-11-19 | 1975-09-23 | John A Mcdougal | Magnetic heading reference |
| US4505537A (en) * | 1982-06-24 | 1985-03-19 | Ricoh Company, Ltd. | Light scanning apparatus |
| US4556278A (en) * | 1984-02-21 | 1985-12-03 | Xerox Corporation | Holographic disc mount |
| US5523193A (en) * | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
| JP2938568B2 (ja) * | 1990-05-02 | 1999-08-23 | フラウンホファー・ゲゼルシャフト・ツール・フォルデルング・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン | 照明装置 |
| FR2669441B1 (fr) * | 1990-11-16 | 1993-01-22 | Thomson Csf | Dispositif de stabilisation de la reflectivite de miroirs a conjugaison de phase par diffusion brillouin stimulee a haute cadence de repetition d'impulsions. |
| JP2949377B2 (ja) * | 1991-04-05 | 1999-09-13 | コニカ株式会社 | 分岐プリズムとそれを用いた干渉真直度計 |
| US5229872A (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
| US5309212A (en) * | 1992-09-04 | 1994-05-03 | Yaskawa Electric Corporation | Scanning rangefinder with range to frequency conversion |
| US5291337A (en) * | 1992-10-21 | 1994-03-01 | Zenith Products Corp. | Device for adjusting the magnification of a flexible mirror and a method of making the same |
| JPH07106230A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-04-21 | Nikon Corp | プロキシミティ露光装置 |
| JPH08122036A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Olympus Optical Co Ltd | 走査型近接場光学顕微鏡 |
| US5715059A (en) * | 1996-06-28 | 1998-02-03 | Polaroid Corporation | Dark field, photon tunneling imaging systems and methods |
| US5796487A (en) * | 1996-06-28 | 1998-08-18 | Polaroid Corporation | Dark field, photon tunneling imaging systems and methods for optical recording and retrieval |
| JPH10111471A (ja) * | 1996-08-09 | 1998-04-28 | Toyota Motor Corp | レーザ光学系およびレーザ溶接装置 |
| DE69735016T2 (de) * | 1996-12-24 | 2006-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern |
| EP0956516B1 (en) | 1997-01-29 | 2002-04-10 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate |
| SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
| USRE40043E1 (en) | 1997-03-10 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Positioning device having two object holders |
| US6154326A (en) * | 1998-03-19 | 2000-11-28 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical head, disk apparatus, method for manufacturing optical head, and optical element |
| US6252667B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-06-26 | Zygo Corporation | Interferometer having a dynamic beam steering assembly |
| JP2000314609A (ja) | 1999-05-06 | 2000-11-14 | Nikon Corp | レーザ干渉測長装置 |
| JP2001042223A (ja) | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Nikon Corp | 高精度微調整機能を備えた光学装置 |
| US6330059B1 (en) * | 1999-10-27 | 2001-12-11 | Hitachi, Ltd. | Optical system for detecting surface defects, a disk tester and a disk testing method |
| US6312142B1 (en) * | 2000-01-13 | 2001-11-06 | Albert N. Dorsa | Lamp assembly with diffraction grating reflector |
| EP1259841A4 (en) * | 2000-02-01 | 2005-09-07 | Soquel Technology Inc | FIBER OPTIC SINGLE CHANNEL M x N SWITCH |
| US6574024B1 (en) * | 2000-03-31 | 2003-06-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser beam homogenization by scanning a beam onto a mask |
| DE10017884C2 (de) * | 2000-04-11 | 2003-12-24 | Toptica Photonics Ag | Vorrichtung zur geometrischen Strahlformung eines Lichtstrahlprofils |
| US6416195B1 (en) * | 2000-08-16 | 2002-07-09 | Superstar Lighting Company Limited | Stage lamp |
| JP4616983B2 (ja) | 2000-11-22 | 2011-01-19 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、該検出装置を用いた投影露光装置及びデバイス製造方法 |
| US6584713B2 (en) * | 2001-04-24 | 2003-07-01 | Line-Yao Huang | Decorative lamp simulating the effect of an aquarium |
| US6778280B2 (en) * | 2001-07-06 | 2004-08-17 | Zygo Corporation | Interferometry system and method employing an angular difference in propagation between orthogonally polarized input beam components |
| US6880961B2 (en) * | 2003-05-13 | 2005-04-19 | Cheng-Fu Lin | Color separation disc assembly combinable with lightning ball and article formed of optical fibers |
-
2004
- 2004-02-27 SG SG200401492A patent/SG115641A1/en unknown
- 2004-03-02 TW TW093105425A patent/TWI285794B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-03-05 US US10/793,420 patent/US7177059B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-05 KR KR1020040014861A patent/KR20040078902A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-03-05 CN CNB2004100080163A patent/CN100524027C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-05 JP JP2004062604A patent/JP2004343058A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100471246C (zh) * | 2005-08-01 | 2009-03-18 | 深圳市欧曼特微显示科技有限公司 | 一种用于投影系统的光学结构 |
| CN101526746A (zh) * | 2009-01-07 | 2009-09-09 | 上海微电子装备有限公司 | 可调整零平面位置的垂向测量系统 |
| CN102353389A (zh) * | 2011-07-22 | 2012-02-15 | Tcl集团股份有限公司 | 提高阵列探测器成像分辨率的系统及其实现方法 |
| CN109212887A (zh) * | 2017-06-30 | 2019-01-15 | 日亚化学工业株式会社 | 图案化基板的制造方法及半导体装置的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20040233494A1 (en) | 2004-11-25 |
| CN100524027C (zh) | 2009-08-05 |
| TWI285794B (en) | 2007-08-21 |
| TW200426530A (en) | 2004-12-01 |
| KR20040078902A (ko) | 2004-09-13 |
| US7177059B2 (en) | 2007-02-13 |
| SG115641A1 (en) | 2005-10-28 |
| JP2004343058A (ja) | 2004-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102027417B (zh) | 可移动体系统、可移动体驱动方法、图案形成设备、图案形成方法、曝光设备、曝光方法以及器件制造方法 | |
| CN102017072B (zh) | 载置台装置、图案形成装置、曝光装置、载置台驱动方法、曝光方法、以及器件制造方法 | |
| US6894261B2 (en) | Position measuring system for use in lithographic apparatus | |
| CN101680783B (zh) | 移动体系统、图案形成装置、曝光装置及测量装置、以及器件制造方法 | |
| CN101398634B (zh) | 光刻设备和器件制造方法以及测量系统 | |
| US20220317581A1 (en) | Measurement device and measurement method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method | |
| KR102556125B1 (ko) | 레이아웃 방법, 마크 검출 방법, 노광 방법, 계측 장치, 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 | |
| CN1550904A (zh) | 光刻装置及器件制造方法 | |
| CN1504830A (zh) | 光刻设备和器件制造方法 | |
| CN1641484A (zh) | 测量方法、用于提供对准标记的方法和器件制造方法 | |
| CN1725112A (zh) | 对准方法和装置，光刻装置，器件制造方法和对准工具 | |
| CN100470368C (zh) | 具有包括凹面镜和凸面镜的聚光器的光刻投影装置 | |
| CN1527139A (zh) | 光刻装置及器件制造方法 | |
| KR100606493B1 (ko) | 리소그래피 장치용 아베 아암 캘리브레이션 시스템 | |
| CN1251026C (zh) | 平版印刷投影装置 | |
| CN1538243A (zh) | 投影系统及利用该投影系统的方法 | |
| CN100362431C (zh) | 光刻装置、器件制造方法及其制造出的器件 | |
| CN1542552A (zh) | 光刻设备及装置制造方法 | |
| CN1453646A (zh) | 平版印刷设备、器件制造方法以及由此制造的器件 | |
| CN1445605A (zh) | 一种制造器件的方法，所制造的器件及平版印刷装置 | |
| CN1521568A (zh) | 用于倾斜灵敏度降低的晶片对准的设备和方法 | |
| CN1918516A (zh) | 光刻装置和校准方法 | |
| CN1527140A (zh) | 用于操纵和传送计量光束的器件和方法 | |
| CN1510517A (zh) | 光刻装置和器件制造方法 | |
| CN100538522C (zh) | 光刻装置及集成电路制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20090805 |