KR100606493B1

KR100606493B1 - 리소그래피 장치용 아베 아암 캘리브레이션 시스템

Info

Publication number: KR100606493B1
Application number: KR1020010001862A
Authority: KR
Inventors: 그뢰네펠트로기어헤르만마티스; 루프스트라에릭로엘로프; 부르크호른야코부스; 네바지어레온마르틴; 스트라예르알렉산더
Original assignee: 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date: 2000-01-14
Filing date: 2001-01-12
Publication date: 2006-08-01
Also published as: US20040184018A1; DE60120000D1; US20010008273A1; US6730920B2; JP3851780B2; KR20010088316A; DE60120000T2; TW522287B; JP2001244194A

Abstract

리소그래피 장치에 있어서, 웨이퍼 테이블(WT)에 탑재된 기준 격자(11)는 웨이퍼 테이블 경사에 독립적인 방향으로 입사되는 측정 빔(20)으로 조명된다. 회절 차수는 검출기(30)에 의해 검출되어 비제로 아베 아암으로 인한 웨이퍼 테이블의 수평 쉬프트 및 이에 따른 캘리브레이션을 위한 아베 아암을 결정하는 데 사용된다. 검출기(30)는 웨이퍼와 웨이퍼 테이블의 오프-액시스 정렬용으로도 사용되는 검출기일 수 있다.

Description

리소그래피 장치용 아베 아암 캘리브레이션 시스템{ABBE ARM CALIBRATION SYSTEM FOR USE IN LITHOGRAPHIC APPARATUS}

도 1은 본 발명의 제 1실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 나타내는 도면,

도 2는 비제로 아베 아암(non-zero Abbe arm)의 효과를 나타내는 도면,

도 3은 도 1의 실시예의 웨이퍼(기판) 테이블의 평면도,

도 4는 본 발명의 제 1실시예에 따른 아베 아암 측정장치의 측면도,

도 5는 투과 회절격자(transmission diffraction grating)의 회절 차수의 회절 각도에 따른 경사의 효과를 나타내는 도면,

도 6은 본 발명의 제 1실시예에서 회절격자의 위치를 측정하는 데 사용되는 정렬 센서를 나타내는 도면,

도 7은 본 발명의 제 2실시예에서 사용되는 격자 및 역반사기(retro-reflector)의 측면도.

본 발명은 리소그래피 장치에서의 아베 아암의 캘리브레이션에 관한 것이다. 특히, 본 발명은,

방사선 투영 빔을 공급하는 조명 시스템(illumination system);

상기 투영 빔을 소정 패턴에 따라 패터닝할 수 있는 패터닝 수단을 고정시키는 제 1대물테이블;

기판을 고정시키는 제 2대물테이블;

상기 기판의 목표영역에 상기 패터닝된 빔을 묘화시키는 투영 시스템; 및

상기 투영시스템이 상기 기판상에 상기 마스크부를 묘화시킬 수 있는 노광위치와 측정위치의 사이에서 상기 제 2대물테이블을 이동시키는 위치결정 시스템을 포함하여 이루어진 리소그래피 투영장치에서의 아베 아암의 캘리브레이션을 위한 시스템에 관한 것이다.

"패터닝 수단(patterning means)"이라는 용어는 기판의 목표영역에 형성될 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사 빔에 부여하는데 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로서 광범위하게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용된다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 상기 목표영역에 형성될 디바이스내의 특정 기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝 수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.

- 상기 제 1대물테이블에 의해 고정된 마스크. 마스크의 개념은 리소그래피 분야에서 이미 잘 알려져 있고, 여기서의 마스크에는 바이너리형, 교번 위상-쉬프트형 및 감쇠 위상-쉬프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크 유형까지도 포함된다. 그러한 마스크를 투영 빔 영역내에 배치함으로써, 마스크의 패턴에 따라 마스크에 부딪치는 방사선의 선택적인 투과(투과형 마스크의 경우) 또는 반사(반사형 마스크의 경우)가 이루어진다. 상기 제 1대물테이블은 마스크가 입사하는 투영 빔 영역내의 소정 위치에 고정될 수 있는 것을 보장하며, 필요한 경우에는 마스크를 상기 빔에 대하여 상대적으로 이동시킬 수 있도록 한다.

- 구조체(제 1대물테이블)에 의해 고정된 프로그래밍 가능한 거울 배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성 제어층(viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본 원리는, (예를 들어) 반사면의 어드레스된 영역은 입사광을 회절광으로서 반사하는 반면에 어드레스되지 않은 영역은 입사광을 비회절광으로서 반사하는 것이다. 적당한 필터를 사용하면, 반사된 빔 중에서 상기 비회절광은 필터링되어 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어드레싱은 적당한 전자적 수단을 사용하여 수행될 수 있다. 이러한 거울 배열에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 참고자료로 활용되고 있는 미국 특허 US 5,296,891호 및 US 5,523,193호로부터 얻을 수 있다.

- 구조체(제 1대물테이블)에 의해 고정된 프로그래밍 가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참고자료로 활용되고 있는 미국 특허 US 5,229,872호에 있다.

설명을 간단히 하려는 목적에서, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크를 포함하는 예시적인 용어로서 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러 한 예시의 일반적인 의미는 상기 서술된 패터닝 수단의 확장된 개념이라는 것을 알 수 있다.

상기 투영 시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 것이다. 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절 광학기, 반사 광학기 및 카타디옵트릭 시스템을 포함한 다양한 형태의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한, 상기 조명 시스템은 방사선의 투영 빔을 지향, 성형 또는 제어하기 위한 설계 유형 중 어느 것에 따라 동작하는 구성요소를 포함할 수 있으며, 이하에서는 그러한 구성요소를 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 칭할 수도 있다. 덧붙여, 상기 제 1 및 제 2대물테이블은 각각 "마스크 테이블" 및 "기판 테이블"이라고 언급될 수 있다.

리소그래피 투영장치는 예를 들어, 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 패터닝 수단은 집적회로의 개별 층에 대응하는 회로패턴을 생성할 것이며, 이 패턴은 이후에 방사선 감지재료(레지스트)층으로 코팅된 기판(실리콘 웨이퍼) 상의 목표영역(1이상의 다이로 구성)상에 묘화(imaging)될 수 있다. 일반적으로 단일 웨이퍼는 투영 시스템을 통해 한번에 하나씩 연속적으로 조사되는 인접하는 목표영역들의 전체적인 연결망을 갖는다. 마스크 테이블상의 마스크에 의한 패터닝 방법을 사용하는 근래의 장치는 두 가지 서로 다른 유형의 장치로 구분할 수 있다. 리소그래피 투영장치의 일 형태에서는 목표영역상에 마스크 패턴 전체를 한번에 노광함으로써 각 목표영역이 조사되는데, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라 칭한다. 이와 달리, 통상 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)로 불리워지는 대체장치에서는 투영 빔 하에서 소정의 기준방향("스캐닝" 방향)으로 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하면서, 동시에 상기 스캐닝 방향과 같은 방향 또는 반대 방향으로 기판 테이블을 스캐닝함으로써 각 목표영역이 조사되는데, 일반적으로 투영 시스템은 배율인자(magnification factor:Ｍ)(대개 <1)를 가지므로 기판 테이블이 스캐닝되는 속도(V)는 마스크 테이블이 스캐닝되는 속도의 Ｍ배가 된다. 여기에 서술된 리소그래피 디바이스에 관한 보다 상세한 정보는, 예를 들어 본 명세에서 참고자료로 활용되고 있는 US 6,046,792호에서 찾을 수 있다.

일반적으로, 이러한 유형의 장치는 하나의 제 1대물(마스크)테이블과 하나의 제 2대물(기판)테이블을 구비하였다. 하지만, 적어도 두 개의 독립적으로 이동가능한 기판 테이블을 구비하는 장치들이 유용해지고 있다. 참고로, 예를 들어 US 5,969,441호 및, 1998년 2월 27일자로 미국 출원된 제 09/180,011호(WO 98/40791)에 다중-스테이지장치가 개시되어 있으며, 본 명세서에서 참고자료로 활용된다. 이러한 다중-스테이지장치의 기본 작동원리는, 제 1 기판 테이블이 투영 시스템하에서 그 테이블 상에 놓인 제 1기판을 노광할 수 있게 하는 동시에, 제 1기판의 노광이 완료된 직후 제 2 기판 테이블은 로딩 위치(loading position)로 이동하여 노광된 기판을 반출하고, 다시 새 기판을 집어들어서 그 새 기판에 대한 초기 측정단계를 수행한 다음, 이 새 기판을 투영 시스템하의 노광 위치로 이송하여 대기시키는 순환과정을 반복하는 것이다. 이러한 방식으로, 장치의 쓰루풋이 실질적으로 증가될 수 있어서 장치의 소유비용이 개선된다.

기판상의 측정위치에서 수행되는 측정은, 예를 들어 기판(다이, 영역들)상의 예정된 여러 목표영역과 기판영역 밖의 제 2대물테이블상에 위치된 기준 마커(예를 들어, 기점(fiducial))와의 공간 관계(X 및 Y 방향으로)에 대한 결정을 포함한다. 그러한 정보는 노광위치에서 투영 빔에 대하여 목표영역의 빠르고 정확한 레벨링(leveling)을 수행할 수 있도록 사용된다. 예를 들어, WO 99/32940(P-0079)를 참조하면 더 많은 정보를 얻을 수 있다. 이 문헌에서는 측정위치에 있어서 점들의 배열(array of points)로 된 기판 표면의 Z 위치를 제 2대물테이블의 기준 평면에 관련시키는 고도 맵(height map)을 작성하는 것에 대하여도 서술한다. 하지만, 기준 평면은 측정위치에서 하나의 Z-간섭계(Z-interferometer)에 의해 정의되고, 노광위치에는 다른 Z-간섭계가 사용된다. 따라서, 두 개의 Z-간섭계들간의 관계를 정확히 알아야 한다.

리소그래피 디바이스에서 소위 아베 아암(AAx, AAy)이란, 제 2대물테이블에 탑재된 때의 기판의 표면과 상기 제 2대물테이블의 Rx 및 Ry 방향으로의 회전축간의 거리이다(상기 문헌에서, Ri는 XY 평면이 경사도 0인 기판표면과 평행하게 되는 직교 XYZ 좌표계에서 I 방향과 평행한 축 주위로의 회전을 의미한다). 상기 축들은 가상적인 것이며 소프트웨어에 의해 결정되는데, 그 이유는 일반적으로 X 및 Y 축에 대한 제 2대물테이블의 경사도(tilt)는 물리적인 선회축(pivot)을 중심으로 그것을 회전시킴에 의해서라기 보다는 이격되어 있는 Z 엑추에이터들에 의해서 제어되기 때문이다.

노광위치에서 비제로(non-zero) 아베 아암이 미치는 영향은 첨부된 도면의 도 2에 도시되어 있다. 도시된 바와 같이, 예를 들어 아베 아암(AAy)이 비제로인 경우에, 기판(W)이 Y축 중심으로 회전한 양이 dRy이면 투영 렌즈 시스템(PL)의 기판상의 중심 초점(central focal point)(P)이 dX 만큼 쉬프트한다. 마찬가지로, 회전량이 dRx이면 쉬프트량은 dY가 된다. 미소한 회전 각도에 대하여 다음의 수학식이 성립한다.

아베 아암(AAx, AAy)은 편의상 (Zw-Za)의 형태로 표현될 수도 있는데, 여기서 Zw는 장치의 기준 시스템에서 기판 표면의 높이이고 Za는 그러한 시스템에서 관련 회전축의 높이이다.

제 2대물테이블의 회전-불변점은 제 2대물테이블의 위치를 측정하는 간섭계 시스템에 적용되는 소프트웨어에 의해서 결정되므로, 아베 아암을 제로로 설정하는 것이 그리 어려운 일은 아니라고 여길 수도 있다. 하지만, 아베 아암에 요구되는 고도의 정밀성과 간섭계 시스템들간에 존재하는 불규칙성으로 인하여 초기 설정시에 매우 높은 정밀도로 아베 아암을 캘리브레이션(calibration)하는 것이 필요하다. 설정후 편차(drift)의 발생으로 인하여 캘리브레이션을 반복해야만 할 수도 있다.

캘리브레이션의 목적으로 노광위치에서의 아베 아암을 결정하는 기존의 방법은 제 2대물테이블의 경사를 바꾸어 가면서 일련의 기준 마크를 가진 기판을 노광하는 것이다. 기판의 현상후, 서로 다른 경사도에 대하여 X 및 Y 방향으로 마크가 병진 이동한 것을 측정하면 아베 아암을 결정할 수 있다. 아베 아암은 간섭계 시스템에 사실상 의존하기 때문에, 캘리브레이션은 측정위치 및 노광위치 모두에서 행 해져야 한다. 하지만, 기존의 방법은 측정위치에서 이용할 수 있는 노광장치가 없으므로 측정위치에서는 사용될 수 없다. 또한 기판을 현상하려면 시간 소모가 많아진다.

본 발명의 목적은 종래 기술의 문제점을 완화하거나 방지하도록 리소그래피 투영장치에서 아베 아암을 캘리브레이션하는 시스템을 제공하는 것이다.

본 발명에 따라 제공되는 리소그래피 투영장치는,

방사선 투영 빔을 공급하는 조명 시스템;

노광될 표면을 가지며 그 테이블에 고정되면 상기 표면이 기준 평면에 놓이게 되는 기판을 고정시키는 제 2대물테이블;

상기 투영 시스템이 상기 기판에 상기 패터닝된 빔을 묘화시킬 수 있는 노광위치와 측정위치의 사이에서 상기 제 2대물테이블을 이동시키는 위치결정 시스템을 포함하여 이루어지며,

상기 측정위치에서 상기 제 2대물테이블의 평면내에 있는 기준점의 수평 변위를 경사도의 함수로서 측정하는 캘리브레이션 시스템을 더욱 포함하고, 상기 캘리브레이션 시스템은,

상기 제 2대물테이블에 장착된 회절격자;

방사선 측정 빔을 발생시켜 그것이 상기 회절격자에 입사되어 회절되도록 하는 조명 수단; 및

상기 회절격자의 위치를 검출하는 검출기를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치가 제공된다.

제 2대물테이블의 평면내에 있는 기준점(reference point)의 수평 변위를 경사도의 함수로서 측정하는 캘리브레이션 시스템을 사용함으로써, 측정위치에서의 아베 아암을 측정할 수 있게 된다. 일단 아베 아암이 측정되면, 아베 아암을 제 2대물테이블의 기준 평면으로부터 소정 거리로 캘리브레이션할 수 있다. 이 소정의 수직 거리를 제로로 설정해 주면 제 2대물테이블이 기울어졌을 때 상기 기준 평면내에 있는 기준점의 수평 변위가 발생되지 않아서 유리하다.

바람직하기로는, 상기 회절격자는 적어도 부분적으로는 투과형 회절 격자이고, 상기 캘리브레이션 시스템은 상기 제 2대물테이블의 경사에 실질적으로 독립된 방향으로 상기 회절격자에 입사되도록 상기 측정 빔을 지향시키는 광 가이드(light guide)를 포함하여 이루어진다.

제 2대물테이블의 경사에 독립적인 입사각을 갖는 측정 빔을 사용함으로써, 비제로 아베 아암을 가진 기준 격자의 수평 쉬프트가 기준 격자로부터 회절된 빔의 경사 의존성에 독립하여 측정되거나 또는 상기 경사 의존성으로부터 분리될 수도 있다. 이것이 필요한 이유는, 셋업하는 동안에는 회절격자의 위치를 측정하는 데 사용되는 검출기가 포커싱되지 않으므로 격자의 위치 측정이 회절된 빔의 각도에 의존할 것이라는 데에 있다. 제 2대물테이블의 경사에 독립적인 입사각을 갖는 측정 빔을 사용하면 이러한 문제가 해결된다.

본 발명의 또 다른 형태에 따르면,

방사선 투영 빔을 공급하는 조명 시스템;

상기 투영 시스템이 상기 기판에 상기 패터닝된 빔을 묘화시킬 수 있는 노광위치와 측정위치의 사이에서 상기 제 2대물테이블을 이동시키며, 상기 제 2대물테이블의 회전-불변점을 정의하는 파라미터를 갖는 전자 제어 수단이 포함되는 위치결정 시스템을 포함하여 이루어진 리소그래피 투영장치를 캘리브레이션하는 방법으로서,

서로 다른 경사에서 상기 제 2대물테이블의 표면상에 있는 기준점의 위치를 측정하는 단계;

상기 제 2대물테이블의 표면과 상기 제 2대물테이블의 회전-불변점간의 거리를 계산하는 단계;

상기 회전-불변점이 상기 제 2대물테이블의 기준면으로부터 소정의 수직 거리에 있도록 상기 위치 결정 시스템에 포함되는 상기 전자 제어 수단의 파라미터를 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법이 제공된다.

본 발명의 또 다른 형태에 따르면,

방사선 투영 빔을 공급하는 조명 시스템;

상기 기판의 목표영역에 상기 패터닝된 빔을 묘화시키는 투영 시스템을 포함하여 이루어진 리소그래피 투영장치를 사용하여 디바이스를 제조하는 방법으로서,

방사선감지층이 형성된 기판을 상기 제 2대물테이블에 제공하는 단계;

상기 조명시스템을 사용하여 방사선 투영 빔을 제공하는 단계;

상기 패터닝 수단을 사용하여 상기 투영 빔에 단면 패턴을 부여하는 단계; 및

상기 제 2대물테이블을 노광위치로 이동시키고, 상기 기판의 목표영역에 상기 패터닝된 방사 빔을 투영시키는 단계를 포함하며,

상기 제 2대물테이블의 기준점이 상기 측정위치에 오면 여러 각도의 경사에서 상기 기준점의 변위를 검출하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법이 제공된다.

본 발명에 따른 리소그래피 투영장치를 사용하는 제조 공정에서, 마스크의 패턴은 방사선 감지 재료(레지스트)층이 부분적으로나마 도포된 기판상에 묘화된다. 이 묘화단계(imaging step)에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 코팅 및 소프트 베이크와 같은 다양한 절차를 거친다. 노광후에, 기판은 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 묘화된 피처(imaged feature)의 측정/검사와 같은 또 다른 절차를 거칠 것이다. 이러한 일련의 절차는 예를 들어 IC와 같은 디바이스의 개별 층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온 주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 연마 등과 같이 개별 층을 마무리하기 위한 다양한 모든 공정을 거친다. 여러 층이 요구된다면, 전체 공정 또는 그 변형 공정은 새로운 층마다 반복되어질 것이다. 종국에는, 디바이스의 배열이 기판(웨이퍼) 상에 존재할 것이다. 이들 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의해 서로에 대해 분리되어, 각각의 디바이스가 운반 장치에 탑재되고 핀에 접속될 수 있다. 그와 같은 공정에 관한 추가 정보는 예를 들어, "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing"(3판, Peter van Zant 저, 맥그로힐출판사, 1997, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있다.

본 발명에 따른 방법 및 장치를 사용함에 있어 본 명세서에서는 집적회로의 제조에 대해서만 언급하였으나, 이러한 장치가 다른 여러 응용례를 가지고 있음은 명백히 이해될 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학 시스템, 자기영역 메모리용 유도 및 검출 패턴, 액정표시패널, 박막 자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 전술한 기타 응용분야들을 고려할 때, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어가 "마스크", "기판" 및 "목표영역" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 각각 대체될 수 있음이 이해될 것이다.

본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"은 모든 형태의 전자기 방사선 또는 입자 플럭스를 내포하는 것으로 사용되는 용어이며, (예를 들어 365㎚, 248㎚, 193㎚, 157㎚ 또는 126㎚의 파장을 갖는) 자외선 방사선, 극자외선(EUV), X-레이, 전자 및 이온 등으로 한정되는 것은 아니다.

이하, 첨부된 개략적인 도면과 예시적인 실시예와 관련하여 본 발명이 더욱 상세히 서술될 것이다.

제 1실시예

도 1은 본 발명에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 나타낸다. 상기 장치는,

ㆍ방사선(예를 들어, UV 또는 EUV 방사선) 투영 빔(PB)을 공급하는 방사선 시스템(LA, Ex, IN, CO);

ㆍ마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 고정시키는 마스크 홀더가 제공되며, 아이템 PL에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제 1위치결정 수단에 연결된 제 1대물테이블(마스크 테이블)(MT);

ㆍ기판(W)(예를 들어, 레지스트 도포된 실리콘 웨이퍼)을 고정시키는 기판 홀더가 제공되며, 아이템 PL에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제 2위치결정 수단에 연결된 제 2대물 테이블(기판 테이블)(WT); 및

ㆍ기판(W)의 목표영역(C)상에 마스크(MA)의 조사된 부분을 묘화시키는 투영 시스템("렌즈")(PL)(예를 들어, 회절 또는 카타디옵트릭 시스템, 거울 그룹 또는 필드 디플렉터의 배열)을 포함하여 이루어진다.

도시된 바와 같이, 상기 장치는 투과형(transmissive type)(즉, 투과마스크를 구비한 형태)이다. 하지만, 일반적으로는, 예를 들어 반사형일 수도 있다.

예시적으로 도시된 도면에서, 방사선 시스템은 방사선 빔을 생성하는 방사선원(LA)(예를 들어 Hg 램프, 엑시머 레이저, 스토리지 링(storage ring)이나 싱크로트론에서 전자빔의 경로 주위에 제공된 언듈레이터(undulator) 또는 전자나 이온 빔 소스)를 포함한다. 상기 빔은 조명 시스템에 포함된 다양한 광학기기(예를 들어, 빔 성형 광학기(Ex), 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO))를 따라 진행하여, 최종 빔(PB)은 그 단면에 소정의 형상 및 강도 분포를 갖는다.

상기 빔(PB)은 마스크 테이블(MT)상의 마스크 홀더에 잡혀있는 마스크(MA)를 거친다. 마스크(MA)를 통과한 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 목표영역(C)에 포커싱한다. 간섭계 변위 측정 수단(IF)의 도움을 받아, 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로가 다른 목표영역(C)을 향하도록 정밀하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 제 1위치결정 수단을 사용하여 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시킬 수 있다. 일반적으로 대물 테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정 모듈(long stroke module)(진로 위치결정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치결정)의 도움을 받아 행해질 것이다.

상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.

1. 스텝모드에 있어서, 마스크 테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크 이미지는 한 번에(즉, 단일 "섬광")으로 목표 영역(C)으로 투영된다. 이후 기판 테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 쉬프트되어 빔(PB)에 의해 다른 목표 영역(C)이 조사될 수 있다.

2. 스캔 모드에 있어서, 주요 시나리오는 스텝 모드와 동일하나, 소정 목표 영역(C)이 단일 "섬광"으로 노광되는 것은 아니다. 그 대신에, 마스크 테이블(MT)이 ν의 속도로 소정 방향(소위 "스캐닝 방향", 예를 들어 x 방향)으로 이동 가능해서, 투영 빔(PB)이 마스크 이미지 전체를 스캐닝하게 된다. 동시에, 기판 테이블(WT)은 V=Mν(여기서 M은 렌즈(PL)의 배율로서 통상 M=1/4 또는 M=1/5)의 속도로 동일한 방향 또는 그 반대 방향으로 동시에 이동된다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고도 상대적으로 넓은 목표 영역(C)이 노광될 수 있다.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2대물(웨이퍼)테이블(WT)에는 웨이퍼(W)에 의해 도포된 영역의 외부 영역에 있는 상부 표면상에 아베 기준 격자(11)라 불리는 기준 격자가 제공된다. 아베 기준 격자(11)는 웨이퍼 테이블상에서 웨이퍼에 대해 상대적인 기지의 위치에, 특히 웨이퍼의 상부면에 대한 기지의 높이에 놓인다. 후자의 것은 기존 유형의 고도 센서(도시되지 않음)에 의해 결정될 수 있다. 아베 기준 격자(11)의 뒤에(즉, 밑에)는 광 가이드(12)가 제공된다. 도 4에 도시된 바와 같이, 광 가이드(12)는 광원(조명 수단)(21)으로부터 방출되어 입구(13)를 지나온 측정 빔(20)을 받아 그것을 세 번 반사하여 그 입사방향과 평행한 경로를 따라 아베 기준 격자(11)를 통해 상기 빔을 복귀시킨다. 임의의 적당한 형태의 정렬 격자가 아베 기준 격자로서 사용될 수도 있다. 광 가이드(12)는 측정 빔(20)의 복귀 경로가 광원(21)에 대한 웨이퍼 테이블의 임의의(작은) 경사에도 관계없이 입사 경로와 평행하게 되도록 배치되는 것이 중요하다. 본 실시예에서는, 광 가이드(12)는 측정 빔을 반사시키는 세 개의 서로 수직인 끝단 표면(12a, 12b, 12c)을 갖는 코너 큐브(corner cube)로 구성된다. 이들 표면은 빔의 반사가 잘 이루어지도록 코팅될 수 있다.

복귀하는 측정 빔(20)은 아베 기준 격자(11)에 의해 회절되며 회절 차수(22(0), 22(-1), 22(+1) 등)가 발생된다. 모든 회절 차수 또는 그 중에서 선택된 것들이 검출기(30)에 의해 (소정 경사에서의) 아베 회절 격자(11)의 쉬프트를 결정하는 데 사용될 수 있다. 여러 개의 서로 다른 웨이퍼 테이블의 경사에 대한 아베 기준 격자(11)의 쉬프트를 측정하여 아베 아암을 결정할 수 있고, 테이블 위치제어 소프트웨어의 관련 파라미터들이 제로 아베 아암을 나타낼 때까지 즉, 경사에 따른 어떤 쉬프트도 관찰되지 않을 때까지 조정될 수 있다.

도 5는 회절 차수에 따른 웨이퍼 테이블 경사의 효과를 나타낸다. 회절 격자 방정식(the grating equation)에 따르면,

이고, 여기서 β는 입사각, β'은 회절된 빔의 각도이며, m은 회절 차수이다. m=0 으로 두면, 0차 빔은 경사에 따른 영향을 받지 않는다는 것을 바로 알 수 있다. 하지만, 차수가 높아질수록 그 정도는 증가할 것이다. 비제로 아베 아암으로 인하여 모든 차수가 아베 기준 격자의 수평 쉬프트에 의한 영향을 받는다.

적당한 형태의 검출기(30)(도 4 참조)가 도 6에 도시되어 있다. 상기 검출기는 주로 오프-액시스 정렬 유닛(off-axis alignment unit)내의 웨이퍼 및 웨이퍼 테이블 기준 마크의 위치를 정밀하게 측정하기 위해 설계되었지만, 본 발명에서 사용되어도 유리하다. 상기 검출기에 관하여는 WO 98/39689호에 더욱 상세히 개시되어 있으며, 본 명세서에는 그 기능에 대한 개요만 포함되어 있다.

아베 기준 격자(11)의 회절 차수(22)는 제 1 렌즈 시스템(L1)에 의해 포획(capture)된다. 명확히 하기 위해서 몇 개의 회절 차수(22(-7), 22(-5), 22(-1), 22(+1), 22(+5), 22(+7))만이 도시되었지만, 실제에서는 0차를 제외한 모든 차수들이 사용될 수 있다. 0차는 상기한 바와 같이 설계된 검출기를 위한 응용례에서는 사용되지 않는 대신에 그 공간은 정면 조명 빔(frontal illumination beam)을 그 위치가 측정될 격자로 향하게 하는 데 사용되는 작은 코너 프리즘을 위해 사용된다. 특히 아베 캘리브레이션용으로 사용된 검출기에서는, 실제로 0차가 사용된다. 이와 유사하게, 렌즈 시스템(L1)은 단일 콘덴싱 렌즈로서 도시되었지만, 실제에서는 더욱 복잡한 렌즈 시스템이 될 수도 있다.

아베 기준 격자(11)를 떠나는 서로 다른 회절 차수(22)는 격자식에 의해 결정되는 각각 상이한 각도 위치를 갖는다. 렌즈 시스템(L1)은 서로 다른 빔을 시준(collimating)하며 그들 각각의 각도를 평면(P)내에 있는 서로 다른 위치로 변환시켜, 그 평면내에서 서로 다른 차수가 분리된다. 상기 평면에는 차수 격막(order diaphragm)(31)이 배치된다. 차수 격막(31)은 단순히 선택된 차수를 차단한다기 보다는, 적어도 수 개의 차수 어퍼처(order aperture)내에 있는 광학 쐐기(optical wedge)(32, 33, 34, 35)를 구비하여 각각의 차수 빔에 소정의 편향(deflection)을 부여한다. 그 다음에 상기 차수 빔은 고정된 기준 격자(36, 37, 38)에 포커싱되며 이들 격자 뒤에는 각각 광 검출기(39, 40, 41)가 배치된다. 광학 쐐기는 대응하는 홀수 및 짝수 차수가 고정된 기준 격자(36, 37, 38) 중의 동일한 하나에 모이도록 배치된다. 예를 들어, 두 개의 7차(22(+7), 22(-7)) 모두가 기준 격자(36)에 모이게 된다. 각각의 광 검출기(39, 40, 41)의 출력은 아베 기준 격자(11)의 이미지가 각각의 기준 격자(36, 37, 38)와 일치하는 정도에 따라 다르다. 도 6에 도시된 빔과 검출기의 배치는 매우 단순화된 것임을 유의하여야 한다. 실제로는 광학 쐐기가 (그와 다르게 놓일 수도 있지만) 평면에 수직 방향으로 서로 다른 차수 빔을 편향시켜 각각의 쌍을 이루는 +ve 및 -ve 차수가 동일한 경로 길이 및 간섭을 갖도록 한다.

비제로 아베 아암(AAy 또는 AAx)으로 인한 아베 기준 격자(11)의 수평 쉬프트(lateral shift)(dX 또는 dY)는 서로 다른 회절 차수에 의해 전해지는 격자의 이미지로 반사되고 검출기(30)내의 기준 격자(36, 37, 38)에 투영될 것이다. 따라서, 광 검출기(39, 40, 41)의 출력은 아베 기준 격자(11)의 위치에서 아베 아암(AAy 또는 AAx)을 결정하는 데 사용될 수 있다. 웨이퍼가 탑재된 웨이퍼 테이블의 나머지 영역에 대한 아베 기준 격자(11)의 Z 위치는 기존 유형의 Z-센서(레벨 센서)를 사용함으로써 결정될 수 있다(예컨데, WO 99/32940호 참조). 이 값을 통해 테이블 위치결정 소프트웨어가 적합하게 캘리브레이션되게 한다.

정렬 유닛(30)은 렌즈 시스템(L1)의 초점면이 아베 기준 격자(11)와 정확히 일치되면 다양한 검출기들에서의 이미지 위치가 아베 기준 격자의 경사에 의존하지 않도록 배치된다. 하지만, 정렬 유닛은 아베 아암이 알려지고 위치결정 및 조정 시스템의 좌표계가 정렬되기 전까지는 적합하게 포커싱될 수 없다. 검출기가 포커싱될 때까지, 경사에 따른 각도 의존성은 기준 격자(36, 37, 38)상의 이미지의 위치에 영향을 줄 것이며 이에 따라 아베 아암이 결정되는 신호에 에러를 만들어 낸다. 하지만, 회절 차수가 더 높은 경우라 해도 실제로 이러한 에러는 작다. 따라서, 본 발명에서는 검출기가 포커싱되기 전에는 아베 아암을 초기에 빠르게 측정할 수 있으며 검출기가 포커싱된 후에는 그것을 향상시킬 수 있다.

도 4에 도시된 광원(21)은 아베 캘리브레이션 과정에 전용되는 레이저 다이오드와 같은 개별의 광원이거나, 검출기(30)를 제공하는 정렬 시스템의 광원일 수도 있다. 이 경우, 수행될 기능에 대하여 적당한 격자를 조명하도록 조명광의 루트(route)를 선택적으로 결정해 주는 수단이 제공되어야 한다. 만일 아베 아암 캘리브레이션이 그다지 자주 수행될 필요가 없다면, 이것은 예를 들어, 섬유 결합판(fiber connection plate)내에서 교환가능한 플러그(interchangeable plug)를 사용함으로써 성취될 수 있다. 아베 아암 캘리브레이션을 더욱 자주 요하는 경우에는, 종래의 빔 스플리터 및 셔터나 기계적으로 이동 가능한 거울이 시준기(collimator)와 조합되어 사용됨으로써, 적당한 격자를 조명하도록 광의 루트를 결정하는 데 사용되는 섬유를 통해 조명광이 출입하도록 할 수 있다.

제 2실시예

아래에 서술되는 것 외에는 제 1실시예와 유사한 본 발명의 제 2실시예에 있어서, 광 가이드(12)를 대신하여 아베 기준 격자(11')의 바로 뒤에 역반사기(retro-reflector)(12')가 놓인다. 도 7에 도시된 바와 같이, 측정 빔(20)은 종전처럼 투과형 회절 격자인 아베 기준 격자(11')의 정면을 향하게 된다. 0차 빔은 다른 대상을 향하지 않고(undiverted) 역반사기(12')에 의해 입사 경로와 평행한 복귀 경로를 따라 복귀한다. 복귀 빔은 아베 기준 격자(11')에 의해 다시 회절되고, 상술한 바와 같이 아베 아암을 측정하기 위한 검출기(30)(도 7에는 도시되지 않음)에 의해 소정의 회절 차수가 모인다.

역반사기(12')는, 렌즈(121)와 이 렌즈(121)로부터 그 초점거리(f)만큼 떨어진 거리에 놓인 거울(122)로 구성된 소위 '캣츠-아이'를 포함하여 이루어질 수 있다. 통상적으로, 거울(122)을 형성하도록 선택적으로 은 도금된 평탄한 후면을 갖는 단일 투명체(123)의 만곡된 전면(curved front surface)에 렌즈(121)가 구현된다.

도 7에는 바람직하지 않게 회절되고 반사된 빔의 제거를 도시한다. 첫 번째 불필요한 성분은 아베 기준 격자(11')의 전면에서의 반사를 포함한다. 이러한 것들은 r0로 지향되거나 r1로 회절될 수 있으며, 격자(11')의 전면을 반사방지 코팅(anti-reflection coating)함으로써 최소화된다. 그 다음의 것은, r2a로 도시된 회절 차수들(이것은 r2b로 회절될 수도 있다) 또는 r4로 도시된 0차의, 격자(11')의 후면으로부터 반사인데, 이러한 부분은 미약할 것이며 마찬가지로 적절한 반사방지 코팅에 의해 최소화 될 것이다. 빔(r0, r4)은 입사광 빔(20)의 경로를 따라 복귀하겠지만 구분하기 위해서 도 7에서는 그것들의 방향을 조금 어긋나게 나타내었다.

측정 빔(20)에 의해 기준 격자(11')를 처음으로 통과하면서 발생된 0차 이외의 차수(r3로 도시됨)는 렌즈(121)에 의해 단일 투명체(123)의 후면(124)에 포커싱된 후 r9와 같이 복귀할 것이다. 이러한 차수들의 반사를 최소화하기 위해서는 소정의 0차가 도달되는 은 도금 영역(122)의 바깥 쪽에 있는 후면(124)을 흑화(blackening)할 수 있다. 렌즈(121)의 유리-공기 계면에서의 원치 않는 반사(r3', r7, r8)도 추가적인 반사방지 코팅을 통해 방지될 수 있다. 두 번째로 기준 격자(11')를 통과하는 0차는 필요에 따라 검출기(30)에 의해 차단되거나 사용될 수 있다.

제 3실시예

도시되지는 않았지만, 제 3실시예에서는 측정 빔(20)이 웨이퍼 테이블의 긴 행정 구동 모듈에 고정된 광원(조명 수단)에 의해 제공될 수 있다. 웨이퍼 테이블 경사는 짧은 행정 구동 모듈에 의해서 제어되므로, 측정 빔의 입사 방향은 여전히 웨이퍼 테이블 경사에 독립적이다. 긴 행정 구동 모듈에 고정된 광원은, 검출기(30)용으로 사용되는 정렬 센서에 제공되는 등 그 밖의 다른 곳에 위치되고 섬유 광학기(fiber-optics)를 통해 긴 행정 구동 모듈에 고정된 방출점(emission point)에 연결되는 레이저 또는 기타의 광 생성기를 포함할 수 있다. 측정 빔(20)은 웨이퍼 테이블을 통과하도록 지향되고 아래 쪽으로부터 아베 아암 기준 마크를 조명할 수 있다.

제 4실시예

본 발명의 제 4실시예(도시되지 않음)는 아베 기준 격자(11) 뒤의 웨이퍼 테이블에 고정된 광원을 사용한다. 이렇게 하면, 측정 빔의 편광 상태가 뚜렷해질 수 있도록 격자가 직접 조명된다는 점에서 유리하다. 측정 빔의 반사에 따른 p-성분 및 s-성분 사이에 생기는 위상차로 인한 편광 쉬프트(polarization shift)가 방지된다. 측정 빔의 편광 상태가 더 뚜렷해지면 검출기(30)의 정확도를 향상시킬 수 있다. 본 실시예에서는, 측정 빔의 입사 방향이 웨이퍼 테이블의 경사에 독립적이지 않기 때문에, 검출기(30)에 의해 검출된 측정값은 그 검출기의 초점면의 Z-위치에 더욱 큰 정도로 의존하므로, 아베 아암을 완전히 결정하려면 검출기를 완전히 캘리브레이션할 것이 필요하다.

제 5실시예

본 발명의 제 5실시예(도시되지 않음)에서는, 포커싱된 정렬 시스템을 사용하여 아베 아암 캘리브레이션이 결정된다. 정렬 신호의 콘트라스트를 고려하여 정렬 시스템이 포커싱될 수 있는데, 상기 시스템이 초점이 맞춰져 있지 않을 때는 콘트라스트가 최적 초점에서의 최대값으로부터 감소할 것이다. 대안적으로는 정렬 신호의 경사 의존성을 고려하여 정렬 시스템이 포커싱될 수 있는데, 정렬 신호가 경사에 의존하지 않는 때에 정렬 시스템은 최적 초점에 있다. 일단 정렬 센서가 정확히 포커싱되었다면, 웨이퍼 테이블 고도 및 경사의 함수로서 상기 제 2대물테이블의 평면내에 있는 기준점의 수평 변위(lateral displacement)를 직접 측정함으로써 아베 아암이 캘리브레이션될 수 있다. 상기 기준점은 상기 제 2대물테이블상에 탑재된 기준 격자의 형태를 취할 수 있다.

제 6실시예

제 6실시예(도시되지 않음)에서는, 이중 스테이지 리소그래피 장치의 측정위치에 전용 노광장치가 제공된다. 상기 전용 노광장치는 그것이 단지 비교적 작은 고정 기준 패턴을 노광하는 데에만 필요하기 때문에 리소그래피 장치의 주 노광 시스템보다는 상당히 단순한 것일 수 있다. 최소한 상기 전용 노광장치는 조명 방사선을 제공하는 수단, 고정된 기준 패턴 및 투영 시스템을 포함한다. 상기 조명 방사선이 주 노광 시스템에 의해 노광될 레지스트와 동일한 레지스트를 노광시킬 수 있도록 하여, 그러한 레지스트를 현상하는 장비를 공유할 수 있게 하는 것이 바람직하다.

비록 본 명세서에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여만 서술되었지만, 본 발명이 서술된 것 이외의 방식으로 실현될 수 있다는 것은 명확하다. 본 발명이 본 명세서의 내용에만 한정되는 것은 아니다.

본 발명에 따르면 리소그래피 투영장치에서 아베 아암을 캘리브레이션하는 시스템을 개선할 수 있다.

Claims

리소그래피 투영장치에 있어서,

방사선 투영 빔을 공급하는 조명 시스템;

상기 투영 빔을 원하는 패턴에 따라 패터닝할 수 있는 패터닝 수단을 고정시키는 제 1대물테이블;

노광될 표면을 가지며 그 테이블에 고정되면 상기 표면이 기준 평면에 놓이게 되는 기판을 고정시키는 제 2대물테이블;

상기 기판의 목표영역에 상기 패터닝된 빔을 묘화시키는 투영 시스템; 및

상기 투영 시스템이 상기 기판에 상기 패터닝된 빔을 묘화시킬 수 있는 노광위치와 측정위치의 사이에서 상기 제 2대물테이블을 이동시키는 위치결정 시스템을 포함하여 이루어지며,

상기 측정위치에서 상기 제 2대물테이블의 평면내에 있는 기준점의 수평 변위를 경사도의 함수로서 측정하는 캘리브레이션 시스템을 더욱 포함하고, 상기 캘리브레이션 시스템은,

상기 제 2대물테이블에 장착된 회절격자;

방사선 측정 빔을 발생시키고 그것이 상기 회절격자에 입사되어 회절되도록 지향시키는 조명 수단; 및

상기 회절격자의 위치를 검출하는 검출기를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
제 1항에 있어서,

상기 회절격자는 적어도 부분적으로는 투과형 회절격자이고, 상기 캘리브레이션 시스템은 상기 측정빔을 상기 제 2대물테이블의 경사에 실질적으로 독립적인 방향으로 상기 회절격자에 입사되도록 방향을 지향시키는 광 가이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,

상기 캘리브레이션 시스템은 상기 기준 평면내에 있는 기준점의 변위를 측정하도록 구성 및 배치되며, 상기 회절격자는 상기 제 2대물테이블상에 상기 기준 평면과 대략 평행하게 탑재되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
제 2항에 있어서,

상기 조명 수단은, 상기 회절격자로부터 이격되고 그에 대하여 대략 수직인 입사 경로를 따라 상기 측정 빔을 방출시키도록 배치되며,

상기 광 가이드는, 상기 조명 수단에 대하여 상기 회절격자 뒤의 상기 제 2대물테이블에 탑재되고 상기 측정 빔을 상기 입사 경로와 평행하고 상기 입사 경로의 반대 방향으로 상기 회절격자를 통과하는 복귀 경로로 반사하도록 위치되는 복수의 반사기를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
제 4항에 있어서,

상기 복수의 반사기는 상기 측정 빔을 반사하는 세 개의 서로 수직인 면을 갖는 투명체를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,

상기 조명 수단은, 상기 회절격자에 대략 수직이고 상기 회절격자를 통과하는 입사 경로를 따라 상기 측정 빔을 방출시키도록 배치되며,

상기 광 가이드는, 상기 조명 수단에 대하여 상기 회절격자 뒤의 상기 제 2대물테이블에 탑재되어 상기 입사 경로와 대략 평행하고 상기 회절격자를 다시 통과하는 복귀 경로를 따라 상기 측정 빔을 반사시키는 역반사기를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
제 6항에 있어서,

상기 역반사기는 평면 반사기 및 상기 평면 반사기로부터 그 초점거리와 대략 같은 거리를 두고 탑재된 콘덴싱 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
제 7항에 있어서,

상기 역반사기는 상기 콘덴싱 렌즈를 형성하도록 만곡된 전면과, 상기 평면 반사기를 형성하도록 부분적으로 반사형인 평평한 후면을 갖는 투명 재료의 고형의 본체(solid body)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
제 7항에 있어서,

상기 평면 반사기는 상기 회절격자를 처음으로 통과하면서 회절된 상기 측정 빔의 0차 회절 차수만을 실질적으로 반사시키도록 크기와 위치가 정해지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
제 9항에 있어서,

상기 평면 반사기의 반사영역의 바깥 쪽 평면에는 흡수성 또는 확산성 표면을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
제 6항에 있어서,

상기 역반사기는 코너 큐브를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
제 6항에 있어서,

상기 회절격자의 1 이상의 표면은 반사방지 코팅된 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
제 1항, 제 2항, 제 4항 및 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,

복수의 축에 대하여 경사진 상기 제 2대물테이블의 변위를 측정하는 복수의 캘리브레이션 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
방사선 투영 빔을 공급하는 조명 시스템;

상기 투영 빔을 원하는 패턴에 따라 패터닝할 수 있는 패터닝 수단을 고정시키는 제 1대물테이블;

노광될 표면을 가지며 그 테이블에 고정되면 상기 표면이 기준 평면에 놓이게 되는 기판을 고정시키는 제 2대물테이블;

상기 기판의 목표영역에 상기 패터닝된 빔을 묘화시키는 투영 시스템; 및

상기 투영 시스템이 상기 기판에 상기 패터닝된 빔을 묘화시킬 수 있는 노광위치와 측정위치의 사이에서 상기 제 2대물테이블을 이동시키며, 상기 제 2대물테이블의 회전-불변점을 정의하는 파라미터를 갖는 전자 제어 수단을 구비하는 위치결정 시스템을 포함하는 리소그래피 투영장치를 캘리브레이션하는 방법으로서,

서로 다른 경사에서 상기 제 2대물테이블의 표면상에 있는 기준점의 위치를 측정하는 단계;

상기 제 2대물테이블의 표면과 상기 제 2대물테이블의 회전-불변점간의 거리를 계산하는 단계;

상기 회전-불변점이 상기 제 2대물테이블의 기준면으로부터 소정의 수직 거리에 있도록 상기 위치 결정 시스템에 포함되는 상기 전자 제어 수단의 파라미터를 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
방사선 투영 빔을 공급하는 조명 시스템;

상기 투영 빔을 원하는 패턴에 따라 패터닝할 수 있는 패터닝 수단을 고정시키는 제 1대물테이블;

노광될 표면을 가지며 그 테이블에 고정되면 상기 표면이 기준 평면에 놓이게 되는 기판을 고정시키는 상기 제 2대물테이블;

상기 기판의 목표영역에 상기 패터닝된 빔을 묘화시키는 투영 시스템을 포함하여 이루어진 리소그래피 투영장치를 사용하여 디바이스를 제조하는 방법으로서,

방사선감지층이 형성된 기판을 상기 제 2대물테이블에 제공하는 단계;

상기 조명시스템을 사용하여 방사선 투영 빔을 제공하는 단계;

상기 패터닝 수단을 사용하여 상기 투영 빔에 단면 패턴을 부여하는 단계; 및

상기 제 2대물테이블을 노광위치로 이동시키고, 상기 기판의 목표영역에 상기 패터닝된 방사 투영 빔을 투영시키는 단계를 포함하며,

상기 제 2대물테이블의 기준점이 측정위치에 오면 여러 각도의 경사에서 상기 기준점의 변위를 검출하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
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