KR20040078902A - 메트롤로지의 라우팅 및 조종을 위한 디바이스 및 방법 - Google Patents

메트롤로지의 라우팅 및 조종을 위한 디바이스 및 방법 Download PDF

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KR20040078902A
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엔겔베르투스안토니우스프란시스쿠스 판데르파쉬
빔스마르첼헨드리쿠스마리아
오이센에미엘요제프멜라니에
클리욘툰테엔겔베르투스요한네스예뢴
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

리소그래피 투영장치에는 방사선의 메트롤로지 빔의 적어도 일부를 조종하고 라우팅하는 디바이스가 마련되어 있다. 상기 디바이스는 제1 및 제2광학웨지를 포함하며, 제2광학웨지 및 제1광학웨지는 서로에 대하여 상대 위치를 갖는다.
메트롤로지 빔의 적어도 일부는 제1광학웨지의 제1주면에서 입사 광축선을 따라 디바이스에 들어가고, 제1 및 제2광학웨지를 통과하며, 제2광학웨지의 제2주면에서 빠져나온다..
제1 및 제2광학웨지는 상기 제1 및 제2광학웨지의 상대 위치를 변경시킴으로써 입사 광축선에 대하여 메트롤로지 빔의 적어도 일부를 적어도 회전시키거나 병진시키도록 배치된다.

Description

메트롤로지의 라우팅 및 조종을 위한 디바이스 및 방법{Device and method for manipulation and routing of a metrology beam}
본 발명은 청구항 제1항의 서두문에 정의된 바와 같은 리소그래피 투영장치에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 청구항 제12항의 서두문에 설명된 바와 같은 방사선의 메트롤로지 빔의 적어도 일부의 라우팅(routing) 및 조종을 위한 디바이스에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 청구항 제14항의 서두문에 설명된 바와 같은 디바이스 제조에 관한 것이다.
본 발명은, 방사선의 투영빔을 공급하는 방사선 시스템, 원하는 패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체, 기판을 유지하는 기판테이블, 및 기판의 타겟부상에 패터닝된 빔을 투영하는 투영시스템을 포괄하는 리소그래피 투영장치의 분야에서 바람직하게 적용될 수 있음을 알 수 있다.
여기서 사용되는 "패터닝수단(patterning means)" 이라는 용어는 기판의 타겟부에 생성되어야 할 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사선빔에 부여하도록 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용될 수 있다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 마스크의 개념은 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상시프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠 위상시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함된다. 방사선빔내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크상의 패턴에 따라 마스크에 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과마스크의 경우) 또는 반사(반사마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우, 상기 지지구조체는 일반적으로 마스크테이블이 될 것이며, 이것은 입사되는 투영빔 내의 소정위치에 마스크가 잡혀 있을 수 있게 하며, 필요한 경우에는 마스크가 상기 빔에 대하여 이동될 수 있다.
- 프로그램가능한 거울배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성제어 층(viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본원리는, (예를 들어) 반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광을 회절광으로 반사하는 한편, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광을 비회절광으로 반사하는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 반사된 빔 중에서 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로 빔은 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 프로그램가능한 거울배열의 대안적인 실시예는 적절히 국부화된 전기장을 가하거나 압전작동수단(piezoelectric actuation mean)을 채용하여 축을 중심으로 각각의 거울이 개별적으로 기울어질 수 있는 작은 거울들의 매트릭스 배치를 채용하는 것이다. 마찬가지로, 상기 거울은 매트릭스-어드레서블이며, 어드레스된 거울은 입사되는 방사선빔을 어드레스되지 않은 거울과는 다른 방향으로 반사한다. 이러한 방식으로, 상기 반사된 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 거울의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어스레싱은 적절한 전자수단을 사용하여 수행될 수 있다. 상기에 서술된 두 가지 상황 모두에서, 패터닝수단은 1이상의 프로그래밍가능한 거울배열을 포함할 수 있다. 이러한 거울배열에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 미국특허 US 5,296,891호, US 5,523,193호 및 PCT 특허출원 WO 98/38597호, WO 98/33096호로부터 얻을 수 있으며, 본 명세서에서 인용참조되고 있다. 프로그래밍가능한 거울배열의 경우, 상기 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블로써 구현될 수 있다.
- 프로그래밍가능한 LCD 어레이. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다. 상기와 마찬가지로, 이 경우의 상기 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블로써 구현될 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크 및 마스크테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝수단의 광의의 개념으로 이해되어야 한다.
예를 들어, 리소그래피 투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 상기 패터닝수단은 IC의 개별층에 해당하는 회로패턴을 생성할 수 있으며, 상기 패턴은 한 층의 방사선감응재(레지스트)로 코팅된 기판(실리콘웨이퍼)상의 타겟부(예를 들면, 1이상의 다이로 구성되는)에 묘화될 수 있다. 일반적으로 한장의 웨이퍼에는 인접하여 있는 여러 개의 타겟부로 구성된 전체적인 네트워크를 포함하며, 이들 타겟부는 투영시스템을 통하여 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 현재 통용되는 장치에서, 마스크테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채택하는데에는, 두 가지 서로 다른 형식의 기계로 구분될 수 있다. 한 가지 형태의 리소그래피 투영장치에서는 타겟부상에 전체 마스크패턴을 한번에 노광함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라고 한다. 통상, 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라고 불리워지는 대체장치에서는 투영빔하에서 소정의 기준방향("스캐닝" 방향)으로 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 이 방향과 같은 방향 또는 반대방향으로 기판을 동기화시켜 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사된다. 일반적으로 투영시스템은 배율인자 Ｍ(일반적으로 <1)을 가지므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도 V는 마스크테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 Ｍ배가 된다. 여기에 서술된 리소그래피장치와 관련된 보다 많은 정보는 예를 들어, US 6,046,792호로부터 얻을 수 있으며, 본 명세서에서도 인용참조되고 있다.
리소그래피 투영장치를 사용하는 제조공정에서, (예를 들어, 마스크의) 패턴은 방사선감응재(레지스트)의 층이 최소한의 부분에라도 도포된 기판상에 묘화된다. 이 묘화단계(imaging step)에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트도포 및 소프트 베이크와 같은 여러가지 과정을 거칠 수 있다. 노광 후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 묘화된 피처(imaged feature)의 측정/검사와 같은 또 다른 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 과정은, 예를 들어 IC 디바이스의 개별층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그런 다음 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같은, 모두가 개별층을 마무르도록 하는 여러 공정을 거친다. 여러 개의 층이 요구된다면, 새로운 층마다전체공정 또는 그것의 변형된 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 그 결과로, 기판(웨이퍼)상에는 디바이스의 어레이가 존재하게 될 것이다. 이들 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의하여 서로 분리되고, 이들 각각의 디바이스는 캐리어에 장착되고 핀 등에 접속될 수 있다. 이와 같은 공정에 관한 추가 정보는, 예를 들어, 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing" (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill출판사, 1997년, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 상기 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 것이다. 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절광학, 반사광학 및 카타디옵트릭 (catadioptric) 시스템을 포함한 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한, 상기 방사선시스템은 방사선 투영빔의 지향, 성형 또는 제어하기 위한 임의의 설계방식에 따라 동작하는 구성요소를 포함할 수 있고, 이후의 설명에서는 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 것이다. 더 나아가, 상기 리소그래피장치는 2이상의 기판테이블(및/또는 2 이상의 마스크테이블)을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서는 추가 테이블이 병행으로 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광에서 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다. 예를 들어 US 5,969,441호 및 WO 98/40791호에는 듀얼스테이지 리소그래피장치가 개시되어 있으며, 본 명세서에서도 인용 참조되고 있다.
리소그래피 투영장치에서, 다양한 간섭계들은 (통상적으로) 레이저 투영빔을생성하는 레이저와 같은 동일한 광원을 공유한다. 이 공유된 레이저 투영빔은, 상기에 설명된 바와 같은 기판상에 패터닝수단의 패턴을 투영할 목적을 갖는 투영빔에 관한 것이 아님을 유의하여야 한다. 또한, 상기 공유된 레이저 투영빔은 본 명세서에서 메트롤로지 빔이라고 언급될 것이다. 리소그래피 투영장치의 전반에 걸쳐 메트롤로지 빔을 공유하기 위해서는, 상기 메트롤로지 빔은 상기 장치를 통과하여 각각의 간섭계에 도달하도록 라우팅된다. 간섭계내에서의 범위의 손실 및 2차 측정 오차를(그리고, 결과적으로 리소그래피 투영장치의 사용시에 부정확성을 유발하는 것을) 방지하기 위해서는, 측정 물체(예를 들어, 스테이지)에 메트롤로지 빔을 (μ㎭급으로) 정확하게 정렬시키는 것이 중요하다. 빔 정렬 후에, 간섭계 시스템이 캘리브레이션(calibration)된다. (빔의 각도 및 가로 위치(lateral position)와 관련된) 모든 관련된 파라미터들이 결정되고 시간상 안정하다고 가정한다.
캘리브레이션들 사이에서, 정렬 파라미터에 영향을 줄 수 있는 메트롤로지 빔을 라우팅하는 구성요소(특히, 빔 벤더 조종기(beam bender manipulators))의 안정성이 매우 중요하다. 예를 들어, 작동시에 (예를 들어 드리프트로 인하여) 정렬 파라미터들이 변하는 경우, 리소그래피 투영장치의 정확성에 영향을 줄 수 있다. 그러므로, 라우팅 구성요소의 안정성은 간섭계 시스템의 측정 정확성과 관련된 중요한 사안이다.
통상적으로, 메트롤로지 빔의 라우팅 및 조종은, 거울에 닿는(impinging) 메트롤로지 빔의 지시방향(pointing direction)을 수정할 수 있는 조정가능한 거울을 포함하는 배치에 의하여 행해진다. 이러한 조정가능한 거울을 사용하면, 상기 거울의 회전 및/또는 경사(이 2개의 작동이 고유한 불안정성을 가짐)가 상기 빔의 부정확한 지시(pointing)를 초래할 수 있다는 사실로 인해 단점을 가진다. 따라서, 빔 정렬은 회전 오차 및 경사 오차에 관한 불확정성(uncertainties)이 생기기 쉽다.
본 발명의 목적은, 종래 기술로부터의 메트롤로지 빔의 조종 및 라우팅을 위한 디바이스에 비해 개선된 안정성을 가지는 메트롤로지 빔의 조종 및 라우팅을 위한 디바이스를 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 상기 목적은 청구항 제1항의 서두문에 정의된 바와 같은 리소그래피 투영장치에서 달성되며,
상기 장치는 방사선의 메트롤로지 빔의 적어도 일부의 조종 및 라우팅을 위한 디바이스를 포함하고, 상기 디바이스는 제1 및 제2광학웨지를 포함하며, 상기 제2광학웨지 및 상기 제1광학웨지는 서로에 대하여 상대 위치를 가지고, 상기 메트롤로지 빔의 상기 적어도 일부는 상기 제1광학웨지의 제1주면(major surface)에서 입사 광축선을 따라 상기 디바이스에 들어가고 상기 제1 및 제2광학웨지를 통과하고 상기 제2광학웨지의 제2주면에서 빠져나가며, 상기 제1 및 제2광학웨지는 상기 제1 및 제2광학웨지의 상대 위치를 변경시킴으로써 상기 입사 광축선에 대하여 상기 메트롤로지 빔의 상기 적어도 일부를 적어도 회전시키거나 병진시키도록(translate) 배치되는 것을 특징으로 한다.
조종 디바이스에서 만들어진 기계적인 조정들과 빔의 각도 및 가로 위치에 관한 그들의 영향사이의 큰 비율은, 기계적인 변경 및/또는 불안정성에 대한 낮은감응성과 높은 조정 분해능을 유도한다. 빔의 정렬을 위한 디바이스의 조정들은 상기 디바이스의 주요 축선들을 따라 행해지며, 이로 인해 정렬의 안정성이 개선된다. 하나의 장점으로서, 이는 리캘리브레이션(recalibration)이 요구되기 이전에 보다 장기간에 걸쳐 정확하게 유지된 채로 있는 지시방향의 캘리브레이션을 유도한다. 메트롤로지 빔의 조종 및 라우팅을 위한 디바이스의 장기간 안정성 때문에, 리소그래피 투영장치내에서의 정확성 개선이 2-3㎚/3months까지일 수 있다. 상기 디바이스가 기계가공(machining)과 같은 여타의 용도에 적용될 수 있음은 물론이다.
또한, 개선된 조정 분해능은, 상기 조정이 종래 기술보다 비교적 간단하고 시간 소비가 적은 방식으로 실행될 수 있기 때문에, 제조 시의 사이클타임의 감소를 유도할 수 있다.
또한, 본 발명은, 청구항 제6항의 서두문에 정의된 바와 같은 리소그래피 투영장치에 관한 것으로,
상기 장치는 방사선의 메트롤로지 빔의 적어도 일부의 조종 및 라우팅을 위한 디바이스를 포함하고,
상기 디바이스는 제1 및 제2광학웨지를 포함하며,
상기 제2광학웨지의 제1 및 제2주면 중 하나 이상에는 반사 코팅이 제공되고,
상기 제2광학웨지 및 상기 제1광학웨지는 서로에 대한 상대 위치를 가지며,
상기 메트롤로지 빔의 적어도 일부는 상기 제1광학웨지의 제1주면에서 입사 광축선을 따라 상기 디바이스에 들어가고 상기 제1광학웨지를 통과하고 상기 제2광학웨지의 상기 제1 및 제2주면 중 하나에 들어가고 상기 제2광학웨지의 상기 제1 및 제2주면 중 하나에서 반사하며,
상기 제1 및 제2광학웨지는 상기 제1 및 제2광학웨지의 상대 위치를 변경함으로써 상기 입사 광축선에 대하여 상기 메트롤로지 빔의 상기 적어도 일부를 적어도 회전시키거나 병진시키도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 방사선의 메트롤로지 빔의 적어도 일부의 조종 및 라우팅을 위한 디바이스에 관한 것으로,
상기 디바이스는 제1 및 제2광학웨지를 포함하고, 상기 제2광학웨지 및 상기 제1광학웨지는 서로에 대한 상대 위치를 가지며, 상기 메트롤로지 빔의 적어도 일부는 상기 제1광학웨지의 제1주면에서 입사 광축선을 따라 상기 디바이스에 들어가고 상기 제1 및 제2광학웨지를 통과하고 상기 제2광학웨지의 제2주면에서 빠져나오며, 상기 제1 및 제2광학웨지는 상기 제1 및 제2광학웨지의 상대 위치를 변경시킴으로써 상기 입사 광축선에 대하여 상기 메트롤로지 빔의 상기 적어도 일부를 적어도 회전시키거나 병진시키도록 배치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면,
방사선 시스템을 이용하여 방사선의 메트롤로지 빔을 제공하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법이 제공되며,
- 제1광학웨지의 제1주면에서 입사 광축선을 따라 상기 메트롤로지 빔의 적어도 일부를 들어가게 하는 단계,
- 상기 제1광학웨지 및 제2광학웨지를 통하여 상기 메트롤로지 빔의 상기 적어도 일부를 통과시키는 단계를 포함하되, 상기 제2광학웨지 및 상기 제1광학웨지는 서로에 대한 상대 위치를 가지며,
- 상기 제2광학웨지의 제2주면에서 상기 메트롤로지 빔의 상기 적어도 일부를 빠져나가게 하는 단계, 및
- 상기 제1 및 제2광학웨지의 상기 상대 위치를 변경시킴으로써 상기 입사 광축선에 대하여 상기 메트롤로지 빔의 상기 적어도 일부를 적어도 회전시키거나 병진시키는 단계를 특징으로 한다.
본 발명은 고정된 거울과 메트롤로지 빔의 조종 및 라우팅을 위한 디바이스를 조합하는 빔 조향 디바이스(beam steering device)에 적용될 수 있다. 종래 기술의 빔 벤더 조종기는, 종래의 빔 벤더 조종기에 의한 벤딩 작용(bending action)이 조종기의 조정 축선과 실질적으로 평행한 라인 주위에서 생긴다는 사실로 인하여 안정성이 떨어졌다. 본 발명에서, 빔 조향 디바이스는 벤딩 라인에 실질적으로 수직인 조정 축선을 가지며, 따라서 이는 상기 디바이스의 세팅들에 대하여 보다 높은 안정성을 제공한다.
또한, 본 발명은 고정된 거울을 생략한 빔 조향 디바이스를 제공하고 조종 및 라우팅을 위해 2개의 광학웨지만을 포함한다. 이 경우, 세팅의 안정성이 더욱 더 개선된다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서의 본 발명에 따른 장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 이러한 장치가 다른 여러 가능한 응용례를 가지고 있음이 명백히 이해되어야 할 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출패턴, 액정표시패널, 박막자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용되는 "레티클", "웨이퍼" 또는, "다이"와 같은 용어가 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되고 있음을 이해할 수 있다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이란 용어는 자외(UV)선(예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚ 인) 및 극자외(EUV)선(예를 들어, 파장이 5 내지 20㎚ 범위인)를 포함한 모든 형태의 전자기방사선 뿐만 아니라 이온빔이나 전자빔과 같은 입자빔까지도 포괄하여 사용된다.
메트롤로지 빔은 메트롤로지 목적에 적합한 파장을 갖는 어떠한 종류의 전자기방사선도 포함할 수 있다.
이하, 첨부된 청구항에 설명된 바와 같이 보호 범위를 제한하지 않으며 예시의 목적으로만 도시된 몇 개의 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 서술한다.
도 1은 리소그래피투영장치를 도시하는 도면;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 메트롤로지 빔의 조종 및 라우팅을 위한 디바이스 및 상기 디바이스의 제1작동을 개략적으로 나타내는 도면;
도 3은 본 발명의 일 실시예를 따른 디바이스로 메트롤로지 빔의 조종을 위한 제2작동을 개략적으로 나타내는 도면;
도 4는 본 발명의 일 실시예를 따른 디바이스로 메트롤로지 빔의 조종을 위한 제3작동을 개략적으로 나타내는 도면;
도 5는 본 발명의 일 실시예를 따른 디바이스로 메트롤로지 빔의 조종을 위한 제4작동을 개략적으로 나타내는 도면;
도 6a 및 도 6b는 각각 본 발명의 통상적인 구성 및 일 실시예에 따라 간섭계에 대한 메트롤로지 빔의 예시적인 라우팅을 개략적으로 나타내는 도면;
도 7은 본 발명에 따른 디바이스의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 1은 본 발명의 특정한 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는,
- 방사선(예를 들어, UV방사선)의 투영빔(PB)을 공급하는 방사선시스템(Ex, IL)(특별히 이 경우에 방사선시스템이 방사선소스(LA)도 포함한다);
- 마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주는 마스크 홀더가 마련된, 아이템 PL에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정수단(PM)에 연결된 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);
- 기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 실리콘 웨이퍼)을 잡아주는 기판 홀더가 마련된, 아이템 PL에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정수단(PW)에 연결된 제2대물테이블(기판테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함)에 마스크(MA)의 조사된 부분을 묘화하는 투영시스템("렌즈")(PL)을 포함하여 이루어진다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (반사마스크를 구비한) 반사형(reflective type)이다. 하지만, 일반적으로는, 예를 들어 (투과마스크를 구비한) 투과형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 위에서 언급한 바와 같은 형태의 프로그램 가능한 거울 어레이와 같은 그 밖의 다른 종류의 패터닝수단을 채용할 수도 있다.
방사선소스(LA)(예를 들어, 수은 램프 또는 엑시머 레이저)는 방사선의 빔을 생성한다. 상기 빔은 곧바로 조명시스템(일루미네이터)(IL)에 들어가거나, 예를 들어 빔 익스펜더(Ex)와 같은 컨디셔닝수단을 거친 다음에 조명시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔내의 세기분포의 외측반경 및/또는 내측반경(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)를 조정하는 수단(AM)을 포함하여 이루어진다. 또한 그것은 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 그 밖의 다른 다양한 구성요소들을 포함한다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사하는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 균일성과 세기분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 방사선소스(LA)는 리소그패피 투영장치의 하우징내에 놓이지만(예를 들어, 방사선소스(LA)가 흔히 수은램프인 경우에서처럼), 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사선빔이 (가령,적절한 지향거울에 의해) 장치내부로 들어오게 할 수도 있다. 후자의 시나리오는 흔히 방사선소스(LA)가 엑시머레이저인 경우이다. 본 발명과 청구범위는 이들 두 시나리오 모두를 포괄하고 있다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)를 통과한다. 마스크(MA)를 지난 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)의 초점을 맞춘다. 제2위치설정수단(및 간섭계측정수단(IF))에 의하여, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정모듈(long stroke module)(개략위치설정) 및 짧은 행정모듈(미세위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔장치와는 대조적으로) 웨이퍼스테퍼의 경우에는 마스크테이블(MT)이 단지 짧은 행정모듈에만 연결될 수도 있고 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다.
상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다.
2. 스캔모드에서는, 소정타겟부(C)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이v의 속도로 소정 방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능해서, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 이와 함께 기판테이블(WT)은 속도 V=Mv로, 동일한 방향 또는 그 반대방향으로 동시에 이동하는 데, 이 때 M은 렌즈(PL)의 배율(통상 M=1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 분해능을 떨어뜨리지 않고도 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
통상적으로, 간섭계 측정수단은 레이저(도시되지 않음)와 같은 광원, 및 기판 또는 스테이지와 같은 측정될 물체에 관련된 몇가지 정보(예를 들어, 위치, 정렬 등등)를 결정하는 1이상의 간섭계를 포함할 수 있다. 도 1에는, 예를 들어, 2개의 간섭계(IF1, IF2)가 개략적으로 도시되어 있다. 광원(레이저)는 1이상의 빔 조종기에 의하여 간섭계(들)(IF1, IF2)로 라우팅되는 메트롤로지 빔(MB)을 생성한다. 1개보다 많은 간섭계가 존재하는 경우에, 각각의 간섭계에 대하여 여러가지 별도의 빔들로 메트롤로지 빔을 분할시키는 광학기를 사용하여 메트롤로지 빔이 간섭계들 사이에 공유된다. 도 1에는, 예를 들어 2개의 빔들로 분할된 메트롤로지 빔을 도시한다. 분할기 광학기(splitter optics)는 도시되지 않는다. 또한, 빔 조종기는 간섭계 자체내에서 사용될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 메트롤로지 빔의 조종 및 라우팅을 위한 디바이스의 단면도 및 상기 디바이스의 제1작동을 개략적으로 도시한다.
메트롤로지 빔(MB)의 조종 및 라우팅을 위한 디바이스(100)는 광학웨지(2, 3)으로 알려진 제1 및 제2광학요소를 포함한다. 상기 제1 및 제2광학웨지(2, 3)의 각각은 2개의 부면(minor surface) 2c, 2d 및 3c, 3d를 각각 포함한다. 각각의 광학웨지에서, 2개의 부면은, 2d 및 3d가 각각 다른 부면 2c 및 3c보다 비교적 큰 영역을 갖는 부면이면서 실질적으로 평행하다. 또한, 광학웨지의 각각은 2개의 주면(2a, 2b 및 3a, 3b)을 각각 포함한다. 주면들은, 2개의 주면들이 서로에 대하여 평행하지 않은 채로 하나의 부면으로부터 다른 하나의 부면으로 각각 연장된다. 도 2에 도시된 실시예에서는, 주면(2a, 3a)이 각각 2개의 부면(2c, 2d 및 3c, 3d)에 실질적으로 수직인 방향으로 연장된다. 다른 주면(2b, 3b)은 각각 표면(2a, 2c, 2d 및 3a, 3c, 3d)에 대하여 경사진다. 또한, 디바이스(100)는 제1광학웨지(2)의 주면(2a) 및 제1광학웨지(3)의 주면(3a)에 실질적으로 수직인 광축선(OA)를 포함한다.
광학웨지(2, 3)는 그 각각의 주경사면(major slanted surface)(2b, 3b)이 각각 입사빔 및 출사빔(outgoing beam)을 향하도록 사용될 수 있음을 유의한다.
작동시에, 레이저 빔과 같은 메트롤로지 빔은 광축선(OA)에 실질적으로 평행한 방향으로 진행하고, 주면(2a)에서 제1광학웨지(2)에 들어가며, 주면(2a)에서 입사빔의 광축선(OA)에 대하여 제1인-플레인각도(first in-plane angle)(α1)만큼 굴절된다. 후속하여, 상기 빔은 제1웨지(2)를 통과하고, 경사진 주면(2b)에서 빠져나오며, 입사빔의 광학축선(OA)에 대하여 제2인-플레인각도(α2)만큼 다시 굴절된다. 이 경우, 일례로서 메트롤로지 빔(MB)이 실질적으로 법선 입사(normal incidence)하에서 주면(2a)에 들어가기 때문에, 제1인-플레인각도(α1)는 광축선(OA)에 대하여 실질적으로 0°와 같다. 그 다음에, 메트롤로지 빔(MB)은 제2광학웨지(3)의 경사진 주면(3b)에 들어가고 입사빔의 광축선(OA)에 대하여 제3인-플레인각도(α3)만큼 굴절된다. 빔이 주면(3a)를 통과하고, 메트롤로지 빔이 입사빔의 광축선(OA)에 대하여 제4인-플레인 각도(α4)하에서 제2광학웨지(3)를 빠져나오는 동안에, 굴절이 다시 생긴다.
도 2에서, 모든 표면(2a, 2b 및 3a, 3b)이 도 2의 단면의 평면에 실질적으로 수직이기 때문에, 제2광학웨지를 빠져나가는 메트롤로지 빔은 그 평면에 실질적으로 평행하다.
광학축선(OA) 주위의 제2광학웨지(3)의 각도 위치를 축선 각도(axial angle)(β)(도시되지 않음)만큼 변경시킴으로써, 표면(3b)이 도 2의 단면의 평면에 수직하지 않는 방식으로 제2광학웨지(3)의 표면의 방위가 변경될 수 있다. 그 결과로, 메트롤로지 빔의 광경로는 도 2의 단면의 평면으로부터의(out of the plane) 방향으로 소정 각도를 포함한다. 대안적으로, 제1광학웨지(2)는 광축선(OA)을 중심으로 회전될 수 있어 메트롤로지 빔이 도 2의 단면의 평면밖으로의 방향으로 소정 각도를 포함할 수 있게 된다. 제1광학웨지(2) 또는 제2광학웨지(3)를 회전시키는 각각의 경우에, 다른 광학웨지, 즉 제2광학웨지 또는 제1광학웨지(2)는 각각 회전되지 않는다. 또 다른 대안례에서는, 제1광학웨지와 제2광학웨지 둘 모두가 도 2의 단면의 평면밖의 메트롤로지 빔에 대해 소정 각도를 유도하도록 회전될 수 있다.
광축선(OA) 주변의 광학웨지의 각도 위치의 변화는 디바이스(100)를 위한제1작동이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디바이스로 메트롤로지 빔(MB)의 조종을 위한 제1작동의 특별한 경우를 개략적으로 나타낸다.
제1작동의 특별한 경우는, 제2광학웨지(3)가 도 2에 도시된 바와 같은 초기 위치에 대하여 180°의 축선 각도(β)만큼 회전되는 경우에 발생한다. 제1 및 제2광학웨지(2, 3)의 주면들의 지오메트리가 실질적으로 동일하고, 도 3에 도시된 바와 같은 상대 위치는 입사 빔에 실질적으로 평행한 메트롤로지 빔을 빠져나가게 하지만, 광축선(OA)에 대하여 거리(T)만큼 병진되게 한다. (이 도면에서 제4인-플레인 각도(α4)는 0이다.) 대안적으로, 제1광학웨지(2)는 도 2에 도시된 바와 같은 초기 위치에 대하여 180°의 축선 각도(β)만큼 회전될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디바이스로 메트롤로지 빔(MB)의 조종을 위한 제2작동을 개략적으로 도시한다.
제2작동은, 도 3에 도시된 바와 같이 제1 및 제2광학웨지(2, 3)의 각도 위치의 경우에 제1광학웨지와 제2광학웨지(2, 3) 사이의 거리(D)가 변경될 때에 발생한다. 도 4의 다이어그램의 구성에 의하여 도시된 바와 같이, 웨지(2, 3) 사이의 가로 방향의 변위(D2-D1)는 광축선에 대한 메트롤로지 빔(MB)의 병진(T2-T1)도 변화시킨다. 광학웨지(2, 3) 사이의 거리를 보다 짧게 하면, 광축선(OA)에 대한 메트롤로지 빔의 병진이 보다 작게 되고, 거리를 길게 하면 병진도 커지게 된다.
제3작동은, 완벽한 디바이스, 즉 웨지(2, 3)의 총체(ensemble)는 제1 및 제2광학웨지가 서로에 대하여 고정된 채로 광축선(OA)을 중심으로 회전되는 경우에 발생한다(다시 말해, 디바이스는 각각의 웨지에 대한 일정한 축선 각도(β) 및 웨지(2, 3) 사이의 일정한 거리(D)의 조합을 포함한다). 인-플레인 각도(α4)를 갖고 빠져나오는 메트롤로지 빔은 광축선(OA)을 중심으로 회전되어, 광축선(OA) 주위의 투영의 원형 경로를 표현한다. 그리고, 예를 들어, 광축선(OA)을 중심으로 한 완벽한 디바이스의 180°회전은 전체 메트롤로지 빔이 광축선(OA)에 대한 -α4의 인-플레인 각도를 갖게 한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 디바이스에 의한 메트롤로지 빔의 조종을 위한 제4작동을 개략적으로 도시한다.
제4작동은, 제1 및 제2광학웨지(2, 3)가 서로에 대하여 고정된 채로, 디바이스가 광축선(OA)에 수직인 회전 축선을 중심으로 회전되는 경우에 발생한다. 상기 회전 축선은 회전 축선 부호 RA로 표시된 바와 같이, 도 2(및 도 5)의 단면의 평면에 수직하도록 선택된다. 도 5에서, 디바이스(100)는 점선으로 표시된 초기 위치와 실선으로 표시된 제2회전위치로 도시된다. 초기 광경로 또한 점선으로 도시되어 있다. 회전 축선(RA)을 중심으로 한 회전 후의 제2광경로는 연속선(MB)으로 도시되어 있다. 도 5로부터 추정될 수 있듯이, 축선(RA)을 중심으로 한 회전은 도 2(및 도 5)의 단면의 평면에 평행한 메트롤로지 빔의 병진을 생기게 한다.
당업자들이라면 이해할 수 있듯이, 제1, 제2, 제3 및 제4작동의 다양한 가능한 조합들은 메트롤로지 빔의 위치 및 방향에 걸친 각도 및 병진 제어를 허용한다.
또한, 제1, 제2 및 제3작동은 광축선(OA)에 대하여 발생하기 때문에, 그 방향에 수직한 빔의 시프트는 이와 같이 메트롤로지 빔(MB)의 방향에 실질적으로 영향을 주지 않는다. 이는 종래 기술로부터의 디바이스에 비하여 이 디바이스의 비교적 보다 높은 안정성에 기여한다. 또한, 제4작동만이 단면에 대하여 평행한 평면으로 메트롤로지 빔의 방향을 변경시키기 때문에, 이 제4작동은 단면 평면밖으로의 방향으로 메트롤로지 빔의 어떠한 오정렬도 도입시키지 않는다. 그러므로, 메트롤로지 빔의 조종 및 라우팅을 위한 개시된 디바이스의 디자인은 비교적 안정하고, 콤팩트하며, 비용-효과적이다.
2개의 광학웨지(2, 3)가 바람직하게 최대 조정 범위에 도달하도록 매치된 쌍임을 유의한다. 광학웨지(2, 3)가 다소 상이한 경우, 입사빔과 출사빔 사이의 영도의 각도는 획득할 수 없다.
다음의 도면에서, 예를 들어, 리소그래피 투영장치에서 사용되는 빔 조종기의 몇몇 예시는 도 2 내지 도 5에서 상기 서술된 바와 같은 디바이스를 기초로 하여 도시된다.
도 6a 및 도 6b는 각각 통상적인 실시예에 따른, 그리고 본 발명의 일 실시예에 따른 간섭계로의 메트롤로지 빔의 예시적인 라우팅을 개략적으로 도시한다.
도 6a에서, 레이저 소스는 고정된 빔 분할기(BS)상에 닿는 메트롤로지 빔(MB)을 생성한다. 고정된 빔 분할기(BS)는 간섭계 검출기(IFM)로의 측정을 위한 제1부분 및 기판 또는 스테이지와 같은 측정될 물체상의 투영을 위한 또 다른 부분으로 빔(MB)을 분할시킨다. 제1부분은 제1빔부분을 간섭계 검출기(IFM))로 지향시키는 빔 벤더 조종기(BM)상에 닿는다. 빔 벤더 조종기(BM)는, 통상적으로 도면의 평면에 수직인 회전 축선을 갖는 회전가능한 거울을 포함한다. 상기 회전 거울은간섭계 검출기(IFM)상에서 최적의 신호를 획득하기 위한 방식으로 설치된다. 이러한 셋-업 절차는 해당 기술분야에 잘 알려져 있다. 간섭계 검출기(IFM)에 조준된 3개의 선으로 도 6a에 개략적으로 나타낸 바와 같이, 빔의 정렬은 빔 조종기(BM)의 세팅의 안정성에 의하여 영향을 받는다.
도 6b에서, 메트롤로지 빔을 조종하고 라우팅하는 디바이스(100)를 채용하는 대안적인 구성이 도시된다. 도 6b에서, 동일한 참조부호는 도 6a에서 도시된 바와 같은 동일한 요소들을 나타낸다.
이 대안적인 구성에서, 빔 조종기(BM)는 고정 거울(M)과 조합하여 메트롤로지 빔을 조종하고 라우팅하는 디바이스(100)로 대체된다. 빔 분할기(BS)에서 분할한 후에, 상기 빔(MB)의 제1부분은 고정 거울(M)상에 닿고 디바이스(100)의 방향으로 반사된다. 상기 디바이스(100)를 통과한 후에는, 상기 빔(MB)의 제1부분이 간섭계 검출기(IFM)에 도달한다. 상기 디바이스(100)는 도 2 내지 도 5를 참조로 상기 설명된 바와 같이 4개의 작동들의 여하한의 조합에 의하여 상기 빔(MB)의 제1부분을 조종하도록 설치될 수 있다. 도 6b에는, 제4작동이 연속선으로 도시된 소정 위치 및 점선으로 도시된 또 다른 위치로 개략적으로 예시된다.
도 6b에 따른 구성은 도 6a에서보다 높은 안정성을 가지는 데, 그 이유는 거울(M)이 고정된 정렬로 고정된 위치를 가지기 때문이다. 또한, 디바이스(100)의 디자인은 이미 상술된 바와 같이 비교적 높은 안정성을 제공한다.
도 6b에서는, 고정 거울(M) 및 2개의 광학웨지(2, 3)를 포함하는 '3개의 구성요소 구성'이 도시된다. 고정 거울(M)이 생략된 대안적인 실시예가 획득될 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 디바이스(100')의 또 다른 실시예를 개략적으로 도시한다.
고정 거울(M)과 메트롤로지 빔을 조종하고 라우팅하는 디바이스(100)와의 조합은 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 디바이스(100')로 대체될 수 있다.
이 실시예에서, 제1광학웨지(2) 및 제2광학웨지(3)는 그들 각각의 주면(2a, 3a)사이의 각도(α5)를 가지도록 배치된다. 메트롤로지 빔(MB)은 법선 입사하에서 제1광학웨지(2)의 경사진 주면(2b)에 닿는다. 그 다음에는, 경사진 주면(2b)을 빠져나가면서, 굴절되고 제2광학웨지(3)의 경사진 주면상에 닿는다. 입사빔과 제2광학웨지(3)의 경사진 주면 사이의 입사각이 임계 각보다 작기 때문에, 빔의 부분은 경사진 주면(3b)상에 반사되고 또 다른 방향으로 지향된다. 이 디바이스(100')의 실시예에서, 제1광학웨지(2)는 광축선(OA)을 중심으로 한, 그리고 축선 부호 RA2로 도시된 바와 같이, 도면의 평면에 실질적으로 수직한 제2회전 축선을 중심으로 한 회전에 의하여 조정가능하다. 제2광학웨지(3)는, 실질적으로 도면의 평면내에 있으며 제2웨지(3)의 주면(3a)에 실질적으로 법선인 제3회전 축선(RA3)을 중심으로 회전될 수 있다.
제1광학웨지(2)의 제2회전 축선(RA2) 중심의 조정은 기계적인 불안정성을 유발하기 매우 쉬운 작동이다. 회전 축선(RA2)이 실질적으로 도면의 평면내에 생기는 벤딩에 법선이기 때문에, 빔 방향의 세팅에 관련된 안정성이 여전히 보장된다.
당업자들이 이해할 수 있는 바와 같이, 이 실시예의 디바이스(100')는 도 2내지 도 5를 참조로 상술된 바와 같은 디바이스(100)의 작동과 유사한 작동들을 수행할 수 있다.
제2광학웨지(3)는 경사진 주면(3b)에서 메트롤로지 빔의 반사를 얻도록 그 주면(3a, 3b) 중 1개 이상에 반사 코팅을 포함할 수 있음을 유의한다. 이 경우에, 빔의 입사각은 임계각보다 클 수 있다.
당업자라면, 본 발명의 여타의 대안적인 그리고 균등한 실시예들이 본 발명의 실제 기술적 사상을 벗어나지 않고 고려되고 실행될 수 있으며 첨부된 청구항만이 본 발명의 범위를 제한한다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명에 따르면, 메트롤로지 빔의 조종 및 라우팅을 위해 안정성이 개선된 디바이스 및 방법이 제공된다.

Claims (15)

  1. 리소그래피 투영장치(1)에 있어서,
    상기 장치는 방사선의 메트롤로지 빔(MB)의 적어도 일부를 조종하고 라우팅하는 디바이스(100)를 포함하고, 상기 디바이스(100)는 제1(2) 및 제2광학웨지(3)를 포함하며, 상기 제2광학웨지(3) 및 상기 제1광학웨지(2)는 서로에 대한 상대 위치를 가지고, 상기 메트롤로지 빔(MB)의 상기 적어도 일부는 상기 제1광학웨지(2)의 제1주면(2a)에서 입사 광축선(OA)을 따라 상기 디바이스(100)에 들어가고, 상기 제1(2) 및 제2광학웨지(3)를 통과하며, 상기 제2광학웨지(3)의 제2주면(3a)에서 빠져나가고, 상기 제1 및 제2광학웨지(2, 3)는 상기 제1 및 상기 제2광학 웨지(2, 3)의 상기 상대 위치를 변경시킴으로써 상기 입사 광축선(OA)에 대하여 상기 메트롤로지 빔(MB)의 상기 적어도 일부를 적어도 회전시키거나 병진시키도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 디바이스(100)는 상기 광축선(OA)을 중심으로 축선 각도(β)만큼 상기 제1 및 제2광학웨지(2, 3) 중 1개 이상을 회전시킴으로써 제1작동을 실행하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 디바이스(100)는 상기 웨지들 사이의 거리(D)를 변경시키도록 상기 광축선(OA)을 따라 상기 제1 및 제2광학웨지(2, 3) 중 1개 이상을 변위시킴으로써 제2작동을 실행하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디바이스(100)는, 상기 제1 및 제2광학웨지(2, 3)가 고정 축선 각도(β) 및 정해진 거리(D)를 갖는 고정 상대 위치를 가지고,
    상기 제1 및 제2광학웨지(2, 3)가 상기 광축선(OA)을 중심으로 총체로서 회전되는 제3작동을 실행하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디바이스(100)는, 상기 제1 및 제2광학웨지(2, 3)가 고정 축선 각도(β) 및 정해진 거리(D)를 갖는 고정 상대 위치를 가지고,
    상기 제1 및 제2광학웨지(2, 3)가 상기 광축선(OA)에 대하여 법선인 회전 축선(RA)을 중심으로 총체로서 회전되는 제4작동을 실행하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  6. 리소그래피 투영장치(1)에 있어서,
    상기 장치는 방사선의 메트롤로지 빔(MB)의 적어도 일부를 조종하고 라우팅하는 디바이스(100')를 포함하고,
    상기 디바이스(100')는 제1(2) 및 제2광학웨지(3)를 포함하며,
    상기 제2광학웨지(3)의 제1 및 제2주면(3a, 3b) 중 하나에 반사 코팅이 제공되고,
    상기 제2광학웨지(3) 및 상기 제1광학웨지(2)는 서로에 대한 상대 위치를 가지며,
    상기 메트롤로지 빔(MB)의 상기 적어도 일부는 상기 제1광학웨지(2)의 제1주면(2a)에서 입사 광축선(OA)을 따라 상기 디바이스(100')에 들어가고, 상기 제1광학웨지(2)를 통과하며, 상기 제2광학웨지(3)의 상기 제1 및 제2주면(3a, 3b) 중 상기 하나에서 반사되고,
    상기 제1 및 제2광학웨지(2, 3)는 상기 제1 및 상기 제2광학 웨지(2, 3)의 상기 상대 위치를 변경시킴으로써 상기 입사 광축선(OA)에 대하여 상기 메트롤로지 빔(MB)의 상기 적어도 일부를 적어도 회전시키거나 병진시키도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 디바이스(100')는 상기 광축선(OA)을 중심으로 축선 각도(β)만큼 상기 제1 및 제2광학웨지(2, 3) 중 1개 이상을 회전시키도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 디바이스(100')는 상기 제2광학웨지(3)의 상기 제1주면(3a)에 실질적으로 수직한 회전 축선(RA3)를 중심으로 소정 각도(β)만큼 상기 제2광학웨지(3)를 회전시키도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디바이스(100')는 상기 웨지들 사이의 거리(D)를 변경시키도록 상기 광축선(OA)을 따라 상기 제1 및 제2광학웨지(2, 3) 중 1개 이상을 변위시키도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  10. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2광학웨지(2, 3)는 고정 축선 각도(β) 및 정해진 거리(D)를 갖는 고정 상대 위치를 가지고,
    상기 디바이스(100')는 상기 광축선(OA)을 중심으로 총체로서 상기 제1 및 제2광학웨지(2, 3)를 회전시키도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  11. 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2광학웨지(2, 3)는 고정 축선 각도(β) 및 정해진 거리(D)를 갖는 고정 상대 위치를 가지고,
    상기 디바이스(100')는 상기 광축선(OA)에 법선인 회전 축선(RA2)를 중심으로 총체로서 상기 제1 및 제2광학웨지(2, 3)를 회전시키도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  12. 방사선의 메트롤로지 빔(MB)의 적어도 일부를 조종하고 라우팅하는 디바이스(100)에 있어서,
    상기 디바이스(100)는 제1(2) 및 제2광학웨지(3)를 포함하며, 상기 제2광학웨지(3) 및 상기 제1광학웨지(2)는 서로에 대한 상대 위치를 가지며, 상기 메트롤로지 빔(MB)의 상기 적어도 일부는 상기 제1광학웨지(2)의 제1주면(2a)에서 입사 광축선(OA)을 따라 상기 디바이스(100)에 들어가고, 상기 제1광학웨지(2) 및 제2광학웨지(3)를 통과하며, 상기 제2광학웨지(3)의 제2주면(3a)에서 빠져나가고, 상기 제1 및 제2광학웨지(2, 3)는 상기 제1 및 상기 제2광학 웨지(2, 3)의 상기 상대 위치를 변경시킴으로써 상기 입사 광축선(OA)에 대하여 상기 메트롤로지 빔(MB)의 상기 적어도 일부를 적어도 회전시키거나 병진시키도록 배치되는 것을 특징으로 하는 디바이스.
  13. 방사선의 메트롤로지 빔(MB)의 적어도 일부를 조종하고 라우팅하는 디바이스(100)에 있어서,
    상기 디바이스(100')는 제1(2) 및 제2광학웨지(3)를 포함하며,
    상기 제2광학웨지(3)의 제1 및 제2주면(3a, 3b) 중 하나에 반사 코팅이 제공되고,
    상기 제2광학웨지(3) 및 상기 제1광학웨지(2)는 서로에 대한 상대 위치를 가지며,
    상기 메트롤로지 빔(MB)의 상기 적어도 일부는 상기 제1광학웨지(2)의 제1주면(2a)에서 입사 광축선(OA)을 따라 상기 디바이스(100')에 들어가고, 상기 제1광학웨지(2)를 통과하며, 상기 제2광학웨지(3)의 상기 제1 및 제2주면(3a, 3b) 중 상기 하나에서 반사되고,
    상기 제1 및 제2광학웨지(2, 3)는 상기 제1 및 상기 제2광학 웨지(2, 3)의 상기 상대 위치를 변경시킴으로써 상기 입사 광축선(OA)에 대하여 상기 메트롤로지 빔(MB)의 상기 적어도 일부를 적어도 회전시키거나 병진시키도록 배치되는 것을 특징으로 하는 디바이스.
  14. 디바이스 제조방법에 있어서,
    - 방사선 시스템을 이용하여 방사선의 메트롤로지 빔(MB)을 제공하는 단계를 포함하며,
    - 제1광학웨지(2)의 제1주면(2a)에서 입사 광축선(OA)을 따라 상기 메트롤로지 빔(MB)의 적어도 일부를 들어가게 하는 단계,
    - 상기 제1광학웨지(2)를 통하여 그리고 상기 제2광학웨지(3)를 통하여 상기 메트롤로지 빔(MB)의 상기 적어도 일부를 통과시키는 단계를 포함하되, 상기 제2광학웨지(3) 및 상기 제1광학웨지(2)는 서로에 대한 상대 위치를 가지며,
    - 상기 제2광학웨지(3)의 제2주면(3a)에서 상기 메트롤로지 빔(MB)의 상기적어도 일부를 빠져나가게 하는 단계, 및
    - 상기 제1 및 제2광학웨지(2, 3)의 상기 상대 위치를 변경시킴으로써 상기 입사 광축선(OA)에 대하여 상기 메트롤로지 빔(MB)의 상기 적어도 일부를 적어도 회전시키거나 병진시키는 단계를 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  15. 디바이스 제조방법에 있어서,
    - 방사선 시스템을 이용하여 방사선의 메트롤로지 빔(MB)을 제공하는 단계를 포함하며,
    - 제1광학웨지(2)의 제1주면(2a)에서 입사 광축선(OA)을 따라 상기 메트롤로지 빔(MB)의 적어도 일부를 들어가게 하는 단계,
    - 상기 제1광학웨지(2)를 통하여 상기 메트롤로지 빔(MB)의 상기 적어도 일부를 통과시키는 단계,
    - 상기 제2광학웨지(3)의 제1 및 제2주면(3a, 3b)에서 상기 메트롤로지 빔(MB)의 상기 적어도 일부를 반사시키는 단계를 포함하되, 상기 제2광학웨지(3) 및 상기 제1광학웨지(2)는 서로에 대한 상대 위치를 가지고,
    - 상기 제1 및 제2광학웨지(2, 3)의 상기 상대 위치를 변경시킴으로써 상기 입사 광축선(OA)에 대하여 상기 메트롤로지 빔(MB)의 상기 적어도 일부를 적어도 회전시키거나 병진시키는 단계를 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
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