CN1516750A - 等离子cvd装置 - Google Patents

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Abstract

是从设置在环状波导管(5)的内周部的天线(20)向配置在环状波导管(5)的内侧的反应室(2)内提供微波功率，并在前述反应室(2)内部产生等离子，从而利用气相生长合成法成膜的等离子CVD装置，在该装置上，在前述环状波导管(5)与反应室(2)之间配置冷却装置(27)，是将前述环状波导管(5)的温度保持在低温的构成。

Description

等离子CVD装置
技术领域
本发明涉及等离子CVD装置。
技术背景
作为向配置于环状波导管内侧的反应室内提供混合气体并从设置在该波导管内周部的天线提供微波功率，从而在前述反应室内部产生等离子，利用气相生长合成法成膜的等离子CVD装置(plasma-activedChemical Vapour Deposition)，有如下的现有技术。
[现有技术1]
作为芯层和包层具有不同折射率的光学纤维的原料，在圆筒状石英管的内面利用等离子CVD装置法形成覆盖膜的技术已为大家所知。作为形成这样的原料的等离子CVD装置，众所周知的是[International Wire & Cable Symposium Proceeding 1998]第66～72页记述的装置。
如果利用该现有技术，则是在圆环状波导管(谐振器)的内侧配置中空基板，该中空基板由硅石管构成，该硅石管利用真空泵减压到既定压力，同时，以特定的低压从气体供给系统向管内提供希望的混合气体，例如SiCl4、GeCl4、C2F5、O2的混合气体。
在环状波导管的内周面上，设置在圆周方向具有既定间隔的开口，从该开口向硅石管提供以2.45GHz工作的微波功率，在该硅石管(基板管)内产生等离子，利用该等离子在基板管的内壁上进行希望的气体成分的蒸镀。
蒸镀中的基板管(石英管)的温度是利用覆盖装置整体的炉子保持约1200℃，并且，基板管自身可自由转动，进而基板管与圆环状波导管在轴向上可相对自由移动。而且，在前述圆环状波导管上设置冷却装置。
[现有技术2]
[表面改质技术]干法工艺及其应用(日刊工业新闻社昭和63年9月30日发行)第60～63页上，介绍了在石英管内部生成等离子的装置。
即，作为以微波为激励源的等离子CVD装置，反应室由直径40～50mm的石英玻璃管构成，中心有基板保持盘。微波(2,450MHz)经过隔离器、功率监控器、调谐器利用波导管导入反应室。原料气体从反应室上部导入，从下部排出。由于压力通常是数+Torr，因此泵也可只是油旋转泵。基板温度虽然可利用气体压力、微波输入、基板支架材料的选择保持在适当值，但也可根据需要进行辅助加热或冷却。
[现有技术3]
在美国特许第5,517,085号说明书上公开了具有在圆环状波导管的内周面上以圆周方向一定间隔配置缝隙天线的环状谐振器、和插入环状谐振器内部的圆筒状石英管的等离子发生装置。而且，作为缝隙天线，公开了向反应室侧扩大其开口面积的角锥形的电磁喇叭形天线。
利用等离子CVD法在作为光学纤维母材的石英管的内部将硅系材料等堆积成膜的时候，必须将该石英管加热到高温。相据处理的内容，如果采用前述[现有技术1]，则其温度往往超过1200℃。
在这样的高温处理中采用[现有技术1]的方法时，有可能使环状波导管的以与石英管相对的面为中心受到来自该石英管的辐射热而达到高温。
在前述[现有技术1]中，虽然环状波导管设计为水冷构造，但因为其冷却部分是环状波导管的侧壁部分，而面对高温石英管的内周面侧不能被冷却，所以，成为不能避免内面侧的温度上升的构造。
另外，虽然微波功率在环状波导管内部传播，但其传播特性很依赖该环状波导管内表面的电阻。当波导管的温度变高时，随着表面阻抗的增加微波的传播特性恶化。进而，当由于高热而空气中的氧与波导管材料反应，在波导管表面上形成氧化膜时，表面阻抗显著增大。
例如，波导管的温度从0℃增加到1200℃时，主要的金属的表面阻抗增加到约3.5倍。在波导管内，因为电波一边在波导管表面上生成电流一边反射，所以，波导管内表面的电阻具有很大的影响，因波导管而产生的损失会达到约3.5倍，如果再加上因温度引起的表面的氧化等的影响，则因波导管而产生的损失会非常大，不能忽视。
因波导管而产生的损失增大时，不仅仅只是损失的那一部分的微波的供给效率恶化，而且伴随微波传播的波导管表面上的焦尔热使波导管自身成为发热体，从而导致波导管的传播效率进一步下降、损失增大、重复产生焦耳热这样的恶性循环，再加上波导管表面的氧化的影响，对波导管产生致命的损伤。
或者，即使波导管上没有受到机械的损伤时，也会产生由于波导管的电气损失增加而导致的微波输出低下等弊端。
又，在没有发生等离子的等离子着火前的阶段，因为从缝隙漏出的微波量少，所以，环状波导管构成的微波共振电路的损失很大部分取决于波导管内生成的焦耳热。因此，环状波导管内部的损失大时，导致着火特性下降等性能的下降。
因此，为了确保环状波导管良好的微波电波特性，必须保持波导管内的导电性良好，因此，必须维持低温。
所以，本发明的目的在于提供使环状波导管的温度维持低温的等离子CVD装置。
发明介绍
为了达到前述目的，本发明采取下面的方法。即，本发明的特征在于：在从设置在环状的波导管的内周部的天线向配置在环状的波导管的内侧的反应室内提供微波功率而在前述反应室内部发生等离子，从而利用气相生长合成法成膜的等离子CVD装置上，在前述环状波导管与反应室之间配置冷却装置。
如果采用本发明的构成，来自反应室等的热量可利用冷却装置释放到外部，可保护波导管的内部不受高温影响，可实现安全且稳定的微波供给。
如果采用本发明，前述天线，由在环状波导管的内周部上具有周向既定间隔配置的缝隙构成；前述冷却装置最好在环状波导管的内周部且设置在前述天线之间。
采用这样的构成，不会妨碍来自天线的微波照射。
即，为了从前述天线稳定放射微波，必须在天线的波导管侧与反应室侧获得充分的特性阻抗的匹配。反应室侧的特性阻抗，很大地依赖天线附近的空间磁场分布，会因为该天线附近存在的特别是金属体而发生变化。
特别是在冷却装置不经意地用金属等导电体制成时，冷却装置的导电体会对从缝隙放射的微波磁场造成影响，微波的放射效率下降。
所以，在本发明中，是将冷却装置设置在缝隙之间。
又，出于使反应室与环状波导管围成的空间的电磁场稳定且均匀化的目的，可考虑将冷却装置埋入环状波导管的内周壁，但如果采用这样的构成，内周壁的厚度会变厚。在变厚的壁上设置缝隙时，缝隙内的微波必须沿比波长窄的间隙长距离传播，难以达到前述特性阻抗的匹配，该微波在该缝隙的位置反射，并返回环状波导管。因此，微波难以照射到反应室侧。
所以，在本发明中，最好将前述天线设计为缝隙的开口面向反应室侧其开口面积扩大的电磁喇叭形天线的构成。
利用这样的构成，可望提高微波照射效率。
即，该电磁喇叭，因为是从缝隙逐渐扩大开口面积的，所以，具有使特性阻抗逐渐从波导管内部的阻抗接近空间的特性阻抗，并最终匹配设置在波导管上的缝隙与空间之间的特性阻抗的作用。利用这样的方法，可实现稳定的微波供给。
前述电磁喇叭形天线的形状，最好设计为角锥形。通过设计为这样的形状，其制作容易。
前述角锥形电磁喇叭形天线的锥的顶角最好在30～90度的范围，更好的是在50～60度的范围。
即，电磁喇叭，一般是顶角越小阻抗变化越慢，微波的放出效率越高。但是，因为喇叭的长度，即波导管内周壁的厚度受到限制，所以，开口面积不够大，天线的增益小。即，当顶角设计得太小时，微波难以传播，大部分的微波反射到环状波导管内即止，无法放射到外部空间。
反之，当电磁喇叭的顶角太大时，放射的微波的波面扭曲，从而不能获得因电磁喇叭而逐渐达到的特性阻抗变化的效果，微波的放射效率下降。
本发明者们，在设置于环状波导管上的4根狭缝上分别设置喇叭长度30mm的角锥形电磁喇叭形天线，并设置与环状波导管同心的封入减压后的氩气的石英管构成的反应室且进行微波放射试验，则在喇叭角度20度的情况下不能得到有效的微放射，在石英管内不能产生等离子。在顶角30度的情况下，能够得到有效的微波照射，并可发生等离子。
然后在同样的条件下，在将电磁喇叭的形状设计为120度时，不能得到有效的微波照射，在石英管内不能发生等离子。但是，如果设计为90度，则可进行放射效率差的微波的放射，产生等离子。
因此，如果顶角在30～90度之间，可确认能够产生等离子。
然后，发明者们将电磁喇叭的顶角设计为53度，进行了同样的实验，获得了良好的微波放射，得到了充足的等离子。在该条件时，可得到最强的等离子。
因此，顶角的最合适条件是50～60度。
并且，在本发明中，最好在前述冷却装置与反应室之间配置隔热材料。
这样，通过配置隔热材料，可进一步提高环状波导管的冷却性。该隔热材料，如果选定难以吸收微波的材料，则不仅可配置在电磁喇叭与电磁喇叭之间，而且也可配置在喇叭的前面。
如果将前述反应室自身设计为中空基板，则因为可在该中空基板的内面上形成膜，所以，可将中空基板设计成光学纤维的母材。
这时，前述中空基板与环状波导管，最好设计为在轴向上可相对移动的结构。
通过这样构成，可将中空基板设计为长条物。
如果采用本发明，因为在圆环状波导管与反应室之间配置冷却装置，所以，可防止环状波导管的过热。又，因为将天线设计为缝隙的开口朝向反应室侧扩大开口面积的电磁喇叭形天线，所以，可防止微波放射效率的下降。
图面的简单说明
图1是本发明实施形式的等离子CVD装置的侧视图。
图2是图1的正视图。
图3是环状波导管的剖面图。
图4是图3的剖面图。
图5是环状波导管的另外实施形式的剖面图。
图6是图5的剖面图。
图7是环状波导管的另外实施形式的剖面图。
图8是图7的剖面图。
图9是电磁喇叭形天线的分解立体图。
图10是展示另外实施形式的电磁喇叭形天线的分解立体图。
图11是电磁喇叭形天线的形状的说明图。
图12是环状波导管的另外实施形式的剖面图。
图13是图12的剖面图。
图14是环状波导管的另外实施形式的剖面图。
图15是图14的剖面图。
实施发明的最佳形式
下面，根据附图说明本发明的实施形式。
图1、2所示的等离子CVD装置，是制造光学纤维母材的装置，是在石英管1的内面使硅等材料堆积成膜的装置。
该等离子CVD装置，设置有使前述石英管1的中空部2减压的减压机构3、向前述中空部2提供气体的气体供给机构4、从前述石英管1的外周区域照射微波并生成前述中空部2内的气体的等离子且在该中空部2的内面形成覆盖膜的环状波导管5。
在该实施形式中，前述石英管1的中空部2设计为反应室，石英管1自身设计为中空基板，在该中空基板的内面形成覆盖膜。而且，石英管1的直径设计为20mm～30cm、长度为1～2m。
前述环状波导管5，通过用于吸收反射微波的隔离器6连接在微波振荡用磁控管7上，构成微波放射装置。
前述隔离器(アイソレ一タ)6，为了防止磁控管7受到因负荷而反射来的微波损伤，设计为利用水负荷吸收反射微波，与磁控管7一同，设置水冷机构。该冷却机构也可是空气冷却的。
前述环状波导管5设置在移动台8上。该移动台8在左右方向可自由活动地设置在床身9上。
另外，前述环状波导管5以外的隔离器6、磁控管7、以及用于连接它们的波导管也设置在移动台8上。因此，将它们的重量极小化，使移动能量较小。
该移动台8可利用手柄10左右方向自由移动，同时，也可利用马达等驱动装置自由移动。而且，该移动台8的移动速度和距离，可利用控制装置进行控制。最好利用个人计算机或程序装置控制该移动台8，从而可任意控制移动速度、移动加速度、移动距离等。利用这些移动台8等，构成环状波导管5的移动装置。
在前述床身9的一端部，设置可移动式头座11，在另一端设置可左右方向移动固定自如地设置尾座12。
在前述头座11上，可自由转动地支撑卡盘13，在该卡盘13上可自由拆卸地安装石英管1的一端部。在前述尾座12上，也可自由转动地支撑卡盘14，并将石英管1的另一端可自由拆装地安装在该卡盘14上。这两个卡盘13、14，被同步正反转驱动地构成。卡盘13、14的转动速度可利用控制装置控制。利用这些卡盘13、14等构成石英管1的转动装置。
而且，前述气体供给机构4被连接在前述头座11上，前述减压机构3被连接在前述尾座12上。在该头座11以及尾座12的两卡盘13、14上，在把持前述石英管1两端的状态下，该石英管1的中空部2与外界保持气密状态地可连通前述气体供给机构4与减压机构3。
另外，在前述说明中，虽然是将气体供给机构4连接在头座11上、将减压机构3连接在后坐12上，但也可反之，将减压机构3连接在头座11上，而将气体供给机构4连接在尾座12上，也可获得同样的效果。
前述减压机构3，主要由真空泵构成，使石英管1的中空部2的压力保持减压状态。因为往往使用氯系气体等腐蚀金属的气体，所以，被设计成可抵抗这些气体腐蚀的构造。
前述气体供给机构4，是根据石英管1的中空部2的内面生成的覆盖膜的种类提供必要的反应气体的装置，提供例如SiCl4+O2、SiCl4+GeCl4+O2、SiCl4+O2+C2F6等气体。
在前述床身9上，覆盖把持在前述卡盘13、14上的石英管1以及环状波导管5地设置炉子装置15。该炉子装置15具有自由开闭的盖体16，通过打开该盖体16，可将前述石英管1取出。
如图3、4所示那样，前述环状波导管5具有在同心圆上配置的环状的内周壁17和外周壁18以及连接该两壁17、18的端部的左右侧壁19、19，在内周壁17与外周壁18之间，形成微波功率传播的环状空间。
在前述环状波导管5的内周部，设置用于向内侧提供微波功率的天线20。
该天线20，由在内周壁17的圆周方向上等间隔地在4处设置的缝隙21构成。该缝隙21，由与石英管1的轴心平行地开口的矩形孔构成。
另外，前述环状波导管5与隔离器6通过方管形的波导管22结合。即，环状波导管5的外周壁18与波导管22的一侧壁通过连通部23连接，在该连通部23上设置耦合天线24。
通过磁控管7、隔离器6传送的2.45GHz的微波，再通过波导管22传播到耦合天线24。微波功率设计为1～10kW。耦合天线24，其设置的目的在于电磁结合波导管22与环状波导管5，利用导电性好的材料构成的金属棒以贯通波导管22与环状波导管5之间的状态而设置。该耦合天线24的插入深度设计为可手动也可自动变化的结构，从而可利用该耦合天线改变微波的反射，并调整微波的匹配状态，且可任意改变波导管22内的微波与环状波导管5内的微波的结合状态。
另外，在本实施形式中，为了达到微波的匹配，除耦合天线24以外，在波导管22的终端部设置利用导电性金属形成的可动插棒式调谐器25。可动插棒25，构成可手动或自动变换位置。
另外，可动插棒25的可变位置变换范围，虽然可在微波的管内波长的一半以上，但从方便调整的角度最好设计为半波长～1波长。
利用该可动插棒25与耦合天线24，可获得微波的匹配。微波的匹配状态，可根据从环状波导管5输出的微波功率和返回隔离器6的微波的功率确认。与微波的输出功率相比，反射功率越小，表示匹配越好。微波的行波以及反射波的功率，虽然最好利用晶体检波器测定，但行波功率方面，也可从提供给磁控管7的功率推算出，而反射波功率方面，也可测定提供给隔离器6的功率获得大致相同的结果。
如果获得匹配，输出充分的微波功率，并且如果从天线20向石英管1内的气体提供微波，并调整压力、气体种类等诸条件，则可发生等离子26，进行预期的化学反应，可在石英管1的内面上堆积膜。
这时，被炉子装置15加热的石英管1，最高达到1200℃左右，会使环状波导管5被该辐射热加热，温度上升。
在此，在本发明中，为了克服上述过热的问题，设置用于冷却环状波导管5的冷却装置27，使环状波导管5不受热的影响，从而实现安全且稳定的微波供给。
前述冷却装置27，设置在环状波导管5与作为反应室的石英管1之间。更具体地说，在环状波导管5的内周壁17的内面上安装在内部通过水或油或气体等制冷剂的冷却管28而构成冷却装置27。
该冷却管28，不堵塞缝隙21的开口地设置在缝隙21之间。
制作冷却装置27的材料最好是具有1200℃以上熔点的材料。这是为了在达到最高1200℃的温度的光纤维制造工序中，在不管什么原因使环状波导管5达到1200℃以上的时候，都可防止冷却装置27熔化、损坏。
前述冷却装置2的冷却能力，是可将来自石英管1的辐射热、环状波导管5受到的来自炉子装置15的热量、由于环状波导管5内部产生的微波损失而吸收的热量等释放到外部。
又，为了稳定地从前述天线20放射微波，必须从天线20的角度在与环状波导管5侧和与石英管1侧取得充分的特性阻抗的匹配。前述石英管1侧的阻抗，受到石英管1和环状波导管5的外形、或配置在环状波导管5上的构造物的很大影响。
环状波导管5的天线20，在缝隙天线的情况下，如果在缝隙21之间设置冷却装置27，则特别是在冷却装置27利用金属等导电体制作的时候，冷却装置27的导电体会带来影响从而对放射空间的特性阻抗造成影响，可能使微波的放射效率降低。
即，一般环状波导管5内部的特性阻抗，与波导管5外的空间特性阻抗不同，在如缝隙形状那样从环状波导管5的壁直接向外部空间放射微波那样的构造的时候，难以取得特性阻抗的匹配，沿环状波导管5传播出去的微波在缝隙的位置被反射，从而难以有效地向空间放射。
特别是，在将以冷却装置27为代表的扰乱放射空间的特性阻抗的装置配置在天线20附近时，上述倾向加强，并且，也使得极难事先预测为了稳定放射微波的匹配条件等。
在此，如图5、6所示那样，设置在环状波导管5的内侧的冷却装置27，被设计为将冷却管28埋设在环状波导管5的内周壁17内的形式，使其难以影响由环状波导管5和石英管1包围的空间的特性阻抗。
这时，因为必须将冷却管28收放在环状波导管5的内周壁17内，所以，必然加厚环状波导管5的内周壁17的壁厚。
如果增加内周壁17的壁厚，在天线20的缝隙21上，微波必须沿狭窄间隙长距离传播，很难得到与薄的内周壁同样的放射特性。这样在厚的内周壁17上设置缝隙天线的情况下，微波在该缝隙21的位置被反射，返回环状波导管5内。因此，在石英管1内很难进行有效的微波照射。
因此，如图7、8所示那样，将天线20设计为使缝隙21的开口面积逐渐扩大的形状的电磁喇叭形天线29。通过设计为该形状，使特性阻抗逐渐接近空间的特性阻抗，起到最终匹配设置在环状波导管5的内周壁17上的缝隙21与空间之间的特性阻抗的作用。
电磁喇叭形天线29，虽然最好是导电性好的材料，但也可在表面镀上导电性好的银或金等。因为在2.45GHz的高频下，会表现出表皮效应，所以镀层有数微米即可。
图9所示的是前述电磁喇叭形天线29的形状的一例，形成角锥形。通过形成这样的角锥形，其制作容易。又，通过设计为角锥形，可设置大容量的冷却装置27。
如图10所示那样，也可将前述电磁喇叭形天线29的形状设计为椭圆形。如果这样设计为椭圆形，使微波照射区域为椭圆形，从而可使微波照射区域的强度分布均匀相等。
如图11所示，前述电磁喇叭形天线29，喇叭长度L越长、顶角α(打开角)越窄，则特性阻抗的变化越小，放射效率越高。
但是，在安装电磁喇叭形天线29代替内径100mm左右的环状波导管5的缝隙21的情况下，当顶角α设计得太小时，开口面积变小，变得难以传播，大部分的微波反射到环状波导管5内。无法放射到外部空间。
反之当电磁喇叭形天线29的顶角α太大时，因为不能获得电磁喇叭形天线29带来的特性阻抗的空间变化的效果，且从天线放射的微波的波面扭曲，所以，微波的放射效率下降。
根据实验，在设置于环状波导管5的内周面17上的4条缝隙21的各条上，设置喇叭长度L＝30mm的角锥形电磁喇叭形天线29，在环状波导管5的内侧，设置由封入减压后的氩气的石英管1构成的反应室2，进行微波照射，则在喇叭角度α＝20度时不能获得有效的微波放射，在石英管1内不能发生等离子。而在顶角α＝30度时，能够得到有效的微波照射，在石英管1内部能发生有效的等离子。
然后在同样条件下，在设计电磁喇叭形天线29的顶角α＝120度时，难以获得阻抗匹配，不能发生充足的等离子。设计顶角α＝90度，则确认了可进行充分的微波放射，在石英管1内发生有用的等离子。
然后，设计电磁喇叭形天线的顶角α为53度，并进行了同样的试验，果真可在反射功率最小的状态下实现微波放射，可得到充足的等离子。
其结果，可作如下解释。
电磁喇叭形天线29，是以抛物面天线为代表的开口天线的一种，众所周知，开口部的面积越大，指向性也越强，可有越高的增益。因此，在顶角α小的情况下，因为开口面积减小，所以，增益减小，微波的放射效率也降低。当然，如果将电磁喇叭形天线29的长度L设计得长，即使小的顶角α也可增大开口面积，但该电磁喇叭形天线29的长度L必然受到环状波导管5的内径或石英管1的外径的限制。另一方面，当增大顶角α时，指向性提高，增益也有增大的倾向，但当该顶角α过度增大时，从天线29放出的微波的波面扭曲，电磁喇叭形天线29的放射效率下降。
因此，电磁喇叭形天线29的长度L必然由装置构成确定，在该长度L下，基本上也可确定天线放射效率高的顶角α。
如果根据试验，长度L在30mm时，顶角α为53度最合适，但也确认了有效的微波放射在30～90度的范围。
另外，根据必需的冷却装置27所要求的冷却能力即根据冷却装置27的体积和电磁喇叭形天线29的微波放射效率，也可确定电磁喇叭形天线29的顶角α。
图12、13所示，是用导热性好且导电性好的材料28——例如不锈钢等金属埋住安装在环状波导管5的内周壁17上的冷却管28的构成。而且，使相对石英管1的面平滑化，进行镜面研磨等处理使微波的反射特性良好。通过这样构成，可望进一步改善微波的放出特性。
图14、15所示，是在石英管1与环状波导管5之间设置隔热材料30的构成。
即使在设置了冷却装置27的情况下，在来自石英管1的辐射大，而环状波导管5以及电磁喇叭形天线29或冷却装置27的温度变高时，通过在石英管1与环状波导管5之间设置隔热材料30，可进一步提高环状波导管5的冷却性。
前述隔热材料30，如果选定难以吸收微波的材料，则不仅可设置在电磁喇叭形天线29相互之间，而且也可设置在前述电磁喇叭形天线29的前面。
另外，本发明，不限于前述实施形式所示，也可适用于“现有技术2”所示的装置。
产业上利用的可能性
本发明的等离子CVD装置可用于光纤维用母材的石英管的内面处理以及成膜等。

Claims (10)

1.一种等离子CVD装置，是从设置在环状的波导管的内周部的天线向配置在环状的波导管的内侧的反应室内提供微波功率，在前述反应室内部产生等离子，从而利用气相生长合成法成膜的等离子CVD装置，其特征在于：在前述环状波导管与反应室之间配置冷却装置。
2.如权利要求1所述的等离子CVD装置，其特征在于：前述天线，由在环状波导管的内周部上具有周向既定间隔地配置的缝隙构成；前述冷却装置位于环状波导管的内周部且设置在前述天线之间。
3.如权利要求2所述的等离子CVD装置，其特征在于：前述天线设计为缝隙的开口朝向反应室侧扩大其开口面积的电磁喇叭形天线。
4.如权利要求3所述的等离子CVD装置，其特征在于：前述电磁喇叭形天线的形状设计为角锥形。
5.如权利要求4所述的等离子CVD装置，其特征在于：前述角锥形电磁喇叭形天线的锥的顶角在30～90度的范围。
6.如权利要求4所述的等离子CVD装置，其特征在于：前述角锥形电磁喇叭形天线的锥的顶角在50～60度的范围。
7.如权利要求1至6任一项所述的等离子CVD装置，其特征在于：在前述冷却装置与反应室之间配置隔热材料。
8.如权利要求1至6任一项所述的等离子CVD装置，其特征在于：前述反应室自身为中空基板，并在该中空基板的内面上形成膜。
9.如权利要求1至6任一项所述的等离子CVD装置，其特征在于：前述反应室自身为中空基板，且前述中空基板与环状波导管设计为在轴向上可相对移动。
10.如权利要求1至6任一项所述的等离子CVD装置，其特征在于：前述反应室自身为中空基板，且中空基板被用作成光学纤维的母材。
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