CN1508286A - 金属膜形成方法、半导体器件和布线基板 - Google Patents

Abstract

本发明涉及在借助于催化处理工序和加速处理工序在树脂基材上产生电镀核，以电镀核为催化剂，向树脂表面上进行了无电解镀铜后，再进行电解镀铜处理工序的在树脂基材表面上形成金属膜的方法。紫外线照射，在树脂基材表面露出来的部分，和由无电解镀铜得到的铜金属膜混合存在时进行，以提高树脂表面与铜金属膜之间的贴紧度。在无电解镀铜处理工序之后进行紫外线照射处理工序。接着，进行追加的无电解镀铜处理工序。

Description

金属膜形成方法、半导体器件和布线基板

技术领域

本发明涉及在树脂基材上形成金属膜的金属膜形成方法，和在树脂绝缘层上具有金属膜的半导体器件和布线基板，特别是涉及可以提高借助于电镀在该树脂基材的表面上形成的金属膜的贴紧力的金属膜形成处理方法、半导体器件和布线基板。

背景技术

现有技术的金属膜形成方法，已应用于例如含有堆积基板或使用该基板的半导体封装的布线基板，或者被叫做在半导体元件上中间存在着树脂绝缘层地形成了布线图形的芯片尺寸封装的半导体器件。

例如，在要在半导体器件内形成布线图形的情况下，就将布线层叠层到树脂绝缘层的层间。要想像这样地形成存在于树脂绝缘层的层间的布线层，在以聚酰亚胺、环氧树脂等的具有电绝缘性的基材为基底，向其上边进行涂敷，或者加压粘接上具有电绝缘性的树脂薄膜形成了树脂绝缘层之后，借助于电镀等在该树脂绝缘层的表面上形成导电体层。采用将在树脂绝缘层的表面上形成的导电体层刻蚀成规定的图形的办法，就可以在该树脂绝缘层的表面上形成布线图形。或者，在树脂绝缘层上预先用规定的图形形成了掩模后，再借助于电镀等形成导电体层，形成布线图形。

然而，例如，在特开2002-57456号公报中所公开的那样，在要借助于电镀在树脂绝缘层的表面上形成导电体层的情况下，为了提高所形成的导电体层与树脂绝缘层之间的贴紧性，以往一直进行的做法是在预先对树脂绝缘层的表面进行了粗糙化处理(desmear处理)后，再施行电镀。在该表面粗糙化处理中，通过使用高锰酸钾、高锰酸钠等的刻蚀液刻蚀树脂绝缘层的表面的办法进行。

在该情况下，通过向用刻蚀液，对于表面粗糙化处理使树脂绝缘层的表面形成为凹凸面的树脂绝缘层的表面的凹部内填充导体，借助于锚固定作用就可以使布线图形的导电体贴紧到树脂绝缘层上。但是，当树脂绝缘层的表面的凹凸增大时，在刻蚀导体层以形成布线图形时，表面的凹凸就会给图形形成的精度造成影响，产生不能以良好的精度形成其微细的布线图形的问题。

取决于在树脂绝缘层的表面上的表面粗糙度的大小，在对导体层进行刻蚀以形成布线图形时，如果树脂绝缘层的表面粗糙度大则潜入量将增大，而如果表面粗糙度小则潜入量将减小。就是说，如果树脂绝缘层的表面的凹凸大，则在对导体层进行刻蚀以形成布线图形时，刻蚀液就易于从凹凸部分进入到布线图形的侧面，布线图形的侧面部分就变成为隆起的形状。为此，在表面粗糙度大的情况下，就难于使布线图形微细化。

此外，当树脂绝缘层的表面粗糙度增大时，还存在着高频信号的传送损耗增大的问题。表面粗糙度越小则传送损耗越小。此外，当树脂绝缘层的表面粗糙度增大时，由于抗迁移性就会降低，故结果就变成为要形成导电体层的树脂绝缘层的表面粗糙度，优选是要尽可能地小。因此，当要向树脂绝缘层上形成导电体层时，要求尽可能地减小树脂绝缘层的表面粗糙度，同时，要求提高树脂绝缘层与导电体层之间的贴紧性。

通常，在半导体器件等中，在要在树脂绝缘层的上边形成导电体层的情况下，例如，采用先后用无电解镀铜和电解镀铜，形成金属膜的办法制作成布线基板。但是，与镀镍等比较起来，镀铜由于与树脂基材之间的贴紧性低，在用铜电镀来形成构成导电体层的金属膜的情况下，就要求该金属膜和树脂基材之间的更为确实的贴紧性。

于是，作为提高该贴紧性的方案，例如，就像在特开平6-87964号公报中所公开的那样，人们提出了在使树脂基材的表面改质之后，再对其表面进行无电解电镀的种种的方法。例如，有对于被放置在胺化合物气体或酰胺化合物气体气氛下的树脂基材表面照射紫外线，然后进行无电解电镀的方法。

此外，人们还提出了这样的方法：例如在特开平8-253869号公报中所公开的那样，对树脂基材的表面照射紫外线，然后，对该树脂基材表面进行无电解电镀的方法，或者，例如在特开平10-88361号公报中所公开的那样，企图采用进行使之与含有具有聚氧化乙烯键的非离子型表面活性剂的碱性溶液进行接触的表面处理工序的办法来提高贴紧性的方法。

再有，例如，在特开平10-310873号公报中所公开的那样，人们还提出了这样的方法：在进行了借助于紫外线照射的表面改质之后，使树脂基材的表面吸附具有氨基系官能基的硅烷耦合剂，促进锡一钯系催化剂的赋予的办法，提高借助于无电解电镀在树脂基材上形成的金属膜的贴紧力。

另一方面，除了借助于紫外线照射使树脂基材改质的方法之外，例如，就如在前边提到的特开2002-57456号公报中所公开的那样，还提出了采用在按照等离子体处理和紫外线处理的顺序连续地对树脂基材的表面进行了处理后，再施行无电解电镀的办法，产生显示与进行了无电解电镀后的金属膜之间的贴紧性的官能基，来减小树脂基材的表面粗糙度而且使得贴紧性变成为良好的方法。

如上所述，在作为一直在半导体器件等中使用的树脂绝缘层的树脂基材的上边形成构成导电体层的金属膜时，有种种提高树脂基材与金属膜之间的贴紧性的手法，也有表示其贴紧性的皮尔强度具有可供实用的充分的大小，提高了贴紧性的手法。

但是，在使用这些各个手法时，前提是要对树脂基材表面进行刻蚀以实施表面粗糙化处理。该刻蚀处理，一般地说，要将树脂基材浸泡到铬酸硫酸混合液、重铬酸·硫酸混合液、盐酸、硫酸·高氯酸混合液等的强氧化性的刻蚀处理液中后进行。然而，该刻蚀处理液，由于是危险性、公害性高的药液，对于其操作和排出处理都要十分小心，在金属膜形成中的电镀处理工序中，作业负担增大。

此外，在上述的各个手法中，即便是可以提高树脂基材与金属膜之间的贴紧性，也存在着不仅要照射紫外线，在该照射后，也必须另外准备与通常的处理工序中的处理液不同的用来促进树脂基材的表面的改质的处理剂，存在着处理工序数增加，处理成本增加的问题。

再有，在进行树脂基材的表面的改质时，在接在紫外线照射后边施行等离子体处理的情况下，除去紫外线照射的设备之外，还必须设置等离子体装置，该等离子体装置，成为使设备成本增大的主要原因，因此廉价的产品的提供就成了问题。

于是，本发明的目的在于提供作成为仅仅用完全照原样地使用在半导体器件等的树脂基材的表面上形成金属膜的现有的金属膜形成中的各种处理工序的处理液，对照射紫外线的定时动了些脑筋的处理工序，就可以简单地提高树脂基材与金属膜之间的贴紧性的金属膜形成方法，和在树脂基材上边具有应用该金属膜形成方法形成的金属膜的半导体器件和电路布线装置。

发明内容

为了解决以上的课题，本发明是按照电镀核产生工序和无电解电镀工序和电解电镀工序的顺序进行处理，在树脂基材的表面上形成金属膜的方法，在上述无电解电镀工序中，在用该无电解电镀得到的金属将所产生的上述电镀核被覆起来之后，再向上述表面照射紫外线，此外，在上述无电解电镀工序中，在向上述表面照射了上述紫外线之后，再进行该无电解电镀，而且，由上述无电解电镀得到的金属是镍或铜。

此外，在上述金属膜形成方法中，中间存在着已载置到上述树脂材料的表面上边的玻璃板地进行上述紫外线的照射。

此外，本发明，为具有借助于上边所说的金属膜形成方法在树脂绝缘层上形成的金属膜的半导体器件，此外，为具有借助于上边所说的金属膜形成方法在树脂基材上形成的金属膜的布线基板。

附图说明

本发明的其它的特点、目的和优点将会从以下的参看附图进行的优选实施形态的说明更加明朗，在所有这些附图中对于相同的或相似的部分赋予相同的参考标号。在这些附图中，

图1是说明本发明的金属膜形成方法的处理步骤的流程图。

图2用来说明在无电解电镀的途中进行放射线照射的金属膜形成方法的实施形态的图。

图3用来说明在无电解电镀的途中进行放射线照射的金属膜形成方法的另一实施形态的图。

图4是说明作为本发明的基础的金属膜形成方法的处理步骤的流程图。

图5A到5E是说明图4所示的金属膜形成方法中的处理工序的流程图。

图6是说明作为本发明的基础的另一金属膜形成方法的处理步骤的流程图。

具体实施方式

下面，边参看附图边对本发明的金属膜形成方法的实施形态进行说明。

在现有技术中，向树脂基材表面上进行的金属膜的形成，一直都使用电镀法。该电镀法，例如在聚酰亚胺等的树脂基材表面上形成铜的金属膜的情况下，一般要由如下工序构成：树脂表面的脱脂等的前处理工序，刻蚀处理工序，催化处理工序，加速处理工序，无电解镀铜处理工序，以及电解镀铜处理工序。

如上所述，之所以经过了种种的处理工序之后再进行电镀处理而不是对树脂基材表面直接进行电镀处理，是因为树脂具有难于沾水的疏水性的缘故。要是完全不加改变地对树脂基材表面进行电镀处理，则不能在其表面上形成金属膜。在要进行像电镀那样在水溶液中进行表面处理之类的情况下，就必须预先使树脂基材表面变成为易于沾水的亲水性。此外，为了使树脂基材表面与电镀金属进行贴紧，除了要使树脂基材表面亲水性化之外，还要在树脂表面上形成极性基以使之活性化，实施使树脂表面具有微细孔等的凹凸的表面粗糙化。该处理就是刻蚀处理。

再有，为了析出电镀核，就必须使树脂表面钯(Pd)活性化，浸泡到含有PdCl₂和SnCl₂的催化处理液内使树脂基表面吸附催化剂金属。该处理就是催化处理。

当进行催化处理工序时，由于在树脂基材表面上已吸附有Pd和Sn的络合盐，故在加速处理工序中，在含有HCl或H₂SO₄或NH₄F·HF的加速处理液中，使构成电镀核的钯金属在树脂表面上析出来。

其次，在无电解电镀处理工序中，借助于已析出到树脂表面上的电镀核的催化作用，金属铜就被无电解电镀到树脂表面上，在树脂表面整个面上形成金属膜。无电解电镀形成的金属膜，是具有用来进行电解电镀的给电层的作用的金属膜，通常厚度约为0.5到2.0微米左右。之后，借助于电解电镀处理工序，一直到变成为可在布线图形中使用的规定的厚度为止进行电解镀铜，形成金属膜。

以上的处理工序，虽然一般是在树脂基材表面上形成铜金属膜时的形成方法，但是，在变成为本实施形态之前，在该形成方法中作为可以不进行危险性和公害性都高的刻蚀处理，简化金属膜形成方法的处理工序的方法，尝试了图4所示的那样的金属膜形成处理。

在向图4所示的树脂基材表面上进行的金属膜形成中，按照调节处理工序S1、预浸泡处理工序S2、催化处理工序S3、加速处理工序S4、无电解镀铜处理工序S5和电解镀铜处理工序S6的顺序进行。

在这里，图4所示的金属膜形成方法，与现有技术方法的不同之处在于：省略了刻蚀处理工序，在调节处理工序S1中，对于树脂基材表面施行脱脂等的前处理，然后，进行用来使树脂基材表面亲水化和活性化的预浸泡处理S2，接着，进行催化处理工序S3。预浸泡处理工序S2，也具有促进由构成电镀核的Pd和Sn的络合盐的吸附的效果。

图5A到图5E，按照图4所示的金属膜形成方法的处理工序的步骤，模式性地示出了金属膜的形成过程。图5A与调节处理工序S1对应，示出了使调节处理液2与树脂基材1的表面接触，将进行要实施电镀的树脂表面的前处理的状态。

图5B与预浸泡处理工序S2对应，示出了使预浸泡处理液3与树脂基材1的表面接触，正在进行该表面的活性化处理的状态。在图5A和图5B中，调节处理液2或预浸泡处理液3虽然示出的是已载置到树脂基材1的表面上的状态，但是，却是着眼于树脂基材1的表面的处理模式性地示出的状态，在实际的处理工序中，树脂基材1要浸泡到各个处理液中后进行处理。

接着，图5C示出了在树脂基材1的表面上Pd活性化已结束后的状态，即，示出了进行催化处理工序S3和加速处理工序S4，析出了电镀核4的状态。在图中，电镀核4虽然是用5个黑色圆点表示的，但是这是为便于看图而进行的扩大图示，实际上电镀核是微细的，而且析出了更多的电镀核。

图5D与无电解电镀处理工序S5对应，示出了在树脂基材1的表面上析出了电镀核4之后正在进行无电解镀铜处理的状态。借助于Pd的催化作用，在电镀核4的表面上都已电镀上了金属铜5。然后继续进行无电解电镀，遍及树脂基材1的表面整个面地电镀连续的金属铜。

图5E，与电解镀铜处理工序S6对应，示出了从用金属铜5对树脂基材1的整个表面进行无电解电镀之后，进行电解镀铜，形成了金属膜6后的状态。这样一来，就可以按照图4所示的金属膜形成处理方法的步骤在树脂基材1的表面上形成将成为导电体层的金属膜。

然而，若使用该金属膜形成方法，由于省略了刻蚀处理工序，故树脂基材与金属膜的贴紧性弱，不能得到充分地皮尔强度值。于是，为了用该金属形成方法提高树脂基材和金属膜的贴紧度，进行了向树脂基材表面上照射紫外线的改良。图6示出了进行该紫外线照射的金属膜形成方法。

图6所示的金属膜形成方法，以图4所示的该方法的各个处理工序为基本，具备相同的处理工序S1到S6。在图6的金属膜形成处理方法的情况下，在进行调节处理工序S1之前，要先进行紫外线处理工序S0。

人们知道通过向树脂基材的表面上照射紫外线，当使用例如由电介质势垒放电准分子灯泡产生的172nm的单色光时，将使聚酰亚胺树脂等的表面活性化。但是紫外线的波长，虽然即便是波长长的单色光也可以出现因照射而产生的活性化效果，但是，已经证明：波长越短，其活性化效果越大(例如参看前面说过的特开2002-57456号公报)。但是，由该紫外线带来的照射效果，只能持续一个短时间，不能持续到Pd活性化处理或无电解镀铜处理。因此，即便是具有因进行紫外线照射所产生的效果，也达不到提高树脂基材和金属膜的贴紧度的那种程度。

于是，在本实施形态的金属膜形成方法中，着眼于采用对树脂基材的表面和在该表面上边形成途中的无电解电镀膜同时施行紫外线照射的办法，可以提高树脂基材和铜金属膜的贴紧度。将紫外线照射的定时规定为树脂基材表面露出来的部分和由无电解镀铜得到的铜金属膜混合存在的状态的时刻。人们认为借助于该紫外线照射，由于由无电解镀铜得到的铜金属膜与树脂基材之间的接触部分得以受到紫外线照射，故可以提高该贴紧度。

另外，若用本发明的金属膜形成方法，虽然归因于在树脂基材表面露出来的部分和由无电解镀铜得到的铜金属膜混合存在时进行紫外线照射，而得以提高铜金属膜的贴紧度，但是，在紫外线照射后的通过无电解镀铜而析出的金属铜，却不怎么参与该贴紧度的提高。因此，在用无电解镀铜形成的铜金属膜的膜厚，变成为可以起着作为电解镀铜中的给电层的作用的那种程度的情况下，就可以省略紫外线照射后的追加的无电解镀铜。在要实施追加的无电解镀铜的情况下，该无电解镀铜就将变成为辅助性的。

图1示出了本实施形态的金属膜形成方法的处理工序。本实施形态的金属膜形成方法的处理工序，以图4所示的金属膜形成方法为基本，对于同一处理工序赋予了同一标号。因此，从调节处理工序S1一直到预浸泡处理工序S2、催化处理工序S3、加速处理工序S4为止的各个工序，由于没有什么变化，故在这里省略其说明。

在图1的金属膜形成方法中，其特征在于：在相当于图4所示的金属膜形成方法的无电解电镀处理工序S5的工序的途中，插入了紫外线照射处理，无电解电镀处理工序S5，被置换成了S51到S54。条件是图1所示的金属膜形成方法是包括上边所说的追加的无电解镀铜的处理工序的情况。

首先，在加速处理工序S4中，在Pd的电镀核在树脂基材1的表面上析出来之后，如图5D所示，以电镀核4为催化剂，通过恰好规定时间地无电解镀铜处理使金属铜5进行附着(无电解镀铜处理工序S51)。

在这里，该规定时间，意味着在由无电解镀铜得到的金属铜5将电镀核4被覆起来之后，到树脂基材1的表面被金属铜5被覆起来为止的期间内中断无电解镀铜处理工序S5。如图2所示，也可以在金属铜5少量地附着到电镀核4上的状态下使无电解镀铜处理停止。

接着，在金属铜5已附着在电镀核4和树脂基材1的表面的一部分上的阶段，如图2所示，恰好按规定时间向整个面上照射紫外线，使树脂基材1的表面活性化(紫外线照射处理工序S52)。然后，在照射了紫外线后，例如，用由稀硫酸构成的酸处理液，清洗已附着上金属铜5的表面(酸处理工序S53)。如果金属铜5的表面在接着进行无电解镀铜处理方面没有什么妨碍，该酸处理也可以省略。

在该酸处理后，一直到金属铜5的膜厚变成为必要的状态为止，进行追加的无电解镀铜处理(无电解镀铜处理工序S54)。该无电解镀铜处理，相当于图4的无电解镀铜处理工序S5中的无电解镀铜的中断后的剩余部分。

另外，如果如上边所说的那样的、在无电解镀铜处理工序S51中，树脂基材表面露出来的部分和由无电解电镀得到的铜金属膜混合存在的状态，在换算成电镀厚度后，例如，是0.005到0.08微米的范围，则在该范围内可以起着作为电解镀铜的给电层的作用的电镀厚度，例如，是0.02微米以上，如果该电镀厚度是该情况，则可以省略紫外线照射后的追加的无电解镀铜处理工序。

在这里，在树脂基材1的表面上，由于已整个面地附着上了必要厚度的金属铜5，故还将在金属铜5的表面上借助于无解镀铜处理而形成铜金属膜6(电解镀铜处理工序S6)。

倘采用以上的方法，由于通过用树脂基材表面露出来的部分和无电解镀铜形成的铜金属膜混合存在的定时进行紫外线照射，提高了被覆电镀核的铜金属膜与该树脂表面之间的贴紧性，故结果变成为提高了作为在树脂基材上形成的铜金属膜形成的布线图形的导体层对树脂基材的贴紧度。而且，采用仅仅对紫外线照射的定时动些脑筋的办法，就可以完全不变地使用在现有的树脂基材表面上形成金属膜的方法中进行的各个处理工序的各种处理液而不需要准备特别的处理。

此外，在图1所示的金属膜形成方法的实施形态中，作为无电解电镀的金属，虽然使用的是铜，但是也可以使用镍而不使用铜，在该情况下，除了要更换无电解电镀处理液之外，没有处理步骤的变更。

在以上所说明的本实施形态的金属膜形成方法的紫外线照射处理工序中，如图2所示，直接向树脂基材1的整个面上照射紫外线。于是，如图3所示，当中间存在着覆盖玻璃板7地进行紫外线照射时，可知可以进一步提高树脂基材1和金属膜6之间的贴紧度。在如图所示，将覆盖玻璃板7贴紧地载置到树脂基材1的表面上的情况下，效果提高。

由该覆盖玻璃板带来的效果，人们推测为是因为归因于与树脂表面的贴紧，在其中间不存在空气的缘故。作为参考，即使是使覆盖玻璃板7与树脂基材1之间存在着纯水地照射紫外线，树脂基材1与金属膜6之间的贴紧度，也不会出现那些程度的效果。

在迄今为止的说明中，就树脂基材来说，虽然主要举出的是聚酰亚胺树脂的例子，但是，本实施形态的金属膜形成处理方法，并不限定于聚酰亚胺树脂，对于环氧树脂、聚四氟乙烯等氟树脂、丙烯腈·丁二烯·苯乙烯树脂、聚碳酸酯树脂等也可以应用。只要是可借助于紫外线照射使树脂表面改质活性化的物质，就可以发挥使金属膜的贴紧度提高的效果而对于其材质没有什么特别限定。在要在这些树脂基材的上形成金属膜的情况下，要照射的紫外线的波长和照射量，当然可以根据其材质选择最佳的波长和照射量。

此外，本实施形态的金属膜形成方法，虽然是以在半导体器件中叠层的树脂绝缘层的上边形成铜金属膜的情况为例进行的说明，但是就适用对象来说，并不限于半导体器件，对以树脂为基材的基板，或用柔性薄片形成的电路布线装置、使用堆叠布线基板的半导体封装中的金属膜形成，也可以应用。

再有，就如在对在树脂基材的表面上形成的金属膜，例如，要求抗蚀性的情况下那样，作为电解电镀的金属，也可以不使用铜，而代之以使用镍、铬等的别的金属。

以下，对本实施形态的金属形成处理方法的具体例子进行说明。在该说明中，示出的情况是要在半导体器件中已叠层上的聚酰亚胺树脂绝缘层上形成铜金属膜。此外，在说明实施例之前，为了给出由本实施形态的金属膜形成处理方法所带来的效果，示出了作为参考的比较例。

[比较例1]

比较例1的金属膜的形成，可按照图4所示的金属膜形成处理方法的各个处理工序进行。

在调节处理工序S1中，使用含有表面活性剂的アトテシク公司制造的商品名为コソディシヨナ-ネオパクトU的调节处理液(在1L处理液中含有30mL原液)，在45℃下对聚酰亚胺树脂的表面进行5分钟清洗。在其次的预浸泡处理工序中，用含有氯化钠(NaC1)和硫酸氢钠(NaHSO₄)的シプレイ公司制造的商品名为キャタプレップ404的预浸泡处理液(在1L处理液中含有200mL的原液)，用1分的处理时间，进行用来进行聚酰亚胺树脂表面的电镀核吸附的处理。

接着，在催化处理工序S3中，作为催化剂，使用前边提到的シプレィ公司制造的商品名为キャタプレシプ404(在1L处理液中含有250mL的原液)、和含氯化钯(PdCl₂)、氯化锡(SnCl₂)的该公司的商品名为キャタポヅシト44(在1L处理液中含有33mL的原液)的混合处理液，在45℃下进行5分钟的催化处理，吸附Pd和Sn的络合盐。然后，在加速处理工序S4中，用含有硼氟化氢酸(HBF₄)的シプレイ公司制造的商品名为アクセラレ-タ19E(在1L处理液中含有40mL的原液)，进行处理时间8分钟的加速处理，作为电镀核在聚酰亚胺树脂表面上析出Pd。

然后，在无电解镀铜处理工序S5中，以Pd为催化剂，用在通常情况下使用的ップレィ公司制造的商品名为キュ-ポヅシト328，进行处理时间8分钟的无电解镀铜，析出0.1微米厚的金属铜，在这里，キュ-ポヅシト328由含有硫酸铜(CuSO₄·5H₂O)的キュ-ポヅシト328A(在1L处理液中含有120mL)，和含有罗谢尔盐(C₄H₄O₆K·Na)和氢氧化钠(NaOH)的キュ-ポヅシト328L(在1L处理液中含有100mL)、和含有甲醛(HCHO)的キュ-ポヅシト328C(在1L处理液中含有15mL)构成。

接着，在电解镀铜处理工序S6中，使用通常使用的メレテシクス制造的商品名为カパ-グリ-ム125，进行由通电量2A/dm²进行的40分钟的电解镀铜，形成18微米的铜金属膜。

经以上那样地处理，在以聚酰亚胺树脂为基材的绝缘层上边，形成了铜金属膜。然后，测定聚酰亚胺树脂和金属膜的贴紧度，得知得到了100gf/cm左右的皮尔强度。

[比较例2]

比较例2的金属膜的形成，按照图6所示的金属膜形成处理方法的各个处理工序进行。图6的金属膜形成处理方法，在图4的金属膜形成处理方法的各个处理工序的实施前，仅仅附加上了紫外线照射处理工序S0。

因此，图6所示的处理工序S1到S6，与在比较例1中所示的处理工序S1到S6的各个处理是完全相同的，所以，将省略在这里的说明，但是，在紫外线照射处理工序S0中，用13.44mW/cm²的照度向聚酰亚胺树脂的表面上照射具有172nm的波长的紫外线120秒。对于该被该紫外线照射的树脂基材，依次实施各个处理工序S1到S6的处理。

经以上那样地处理，在以聚酰亚胺树脂为基材的绝缘层上，形成了铜金属膜。然后，测定聚酰亚胺树脂和金属膜的贴紧度，得知得到了122gf/cm左右的皮尔强度。

[实施例1]

实施例1是按照图1所示的金属膜形成方法在以聚酰亚胺树脂为基材的绝缘层上边形成铜金属膜的情况。图1的金属膜形成处理方法，虽然以图4的金属膜形成处理方法为基本，但是却将无电解镀铜处理工序S5置换成了无电解镀铜处理工序S51到S54。为此，在聚酰亚胺树脂基材的表面上形成铜金属膜的处理工序，可以以比较例1的处理工序为基本地进行实施。

在比较例1或2中，无电解镀铜处理，使用ップレィ公司制造的商品名为キュ-ポヅット328，进行了8分钟的电镀处理，作成为将比较例1中的无电解电镀处理分成2个阶段进行，在其之间，对聚酰亚胺树脂的表面进行照射。

在无电解镀铜处理工序S51中，以Pd为催化剂，浸泡到ップレィ公司制造的商品名为キュ-ポヅシト328的无电解镀铜处理液内，进行处理时间2分钟的无电解镀铜。在该时刻处，所镀金属铜的膜厚为0.025微米。然后，从该无电解镀铜处理液中取出该被处理物，在紫外线照射处理工序S52中，对该被处理物的表面，用13.44mW/cm²的照度，照射具有172nm波长的紫外线120秒。

然后，在酸处理工序S53中，用10％硫酸形成的处理液，进行10秒的酸处理，对作为催化剂附着上Pd的电镀核的金属铜的表面进行清洗。然后，在无电解镀铜处理工序S54中，为了进行追加的无电解镀铜，再次将紫外线照射过的被处理物浸泡到前边提到的无电解镀铜处理液内，实施6分钟的无电解镀铜处理，得到0.075微米的铜金属膜。

接着，与比较例1的情况下同样，在电解镀铜处理工序S6中，使用メルテヒクス制造的商品名为カパ-ダリ-ム125，进行由通电量2A/dm²进行的40分钟的电解镀铜，形成18微米的铜金属膜。

经以上那样地处理，在以聚酰亚胺树脂为基材的绝缘层上，形成了铜金属膜。然后，测定聚酰亚胺树脂和金属膜的贴紧度，得知得到了可供实用的484gf/cm的皮尔强度。

[实施例2]

实施例2，是对遵从图1所示的金属膜形成方法的实施例1的情况下的紫外线照射处理工序S52来说，中间存在着图3所示的覆盖玻璃板地进行紫外线照射的情况。因此，在实施例2的金属膜形成方法的各个处理工序中，除了在紫外线照射时使用覆盖玻璃板之外，实施完全同样的处理。

经以上那样地处理，在以聚酰亚胺树脂为基材的绝缘层上，形成了铜金属膜。然后，测定聚酰亚胺树脂和金属膜的贴紧度，得知得到了可供实用的728gf/cm的皮尔强度。

如上所述，倘采用实施例1或实施例2的金属膜形成方法，由于作成为使得在树脂基材表面露出来的部分，和由无电解镀铜得到的铜金属膜混合存在时，或在无电解电镀处理的途中进行树脂基材表面的紫外线照射，故可知：比起使用现有的金属膜形成方法的比较例1和比较例2的金属膜形成来，可以得到充分大的贴紧度，提高了贴紧度。

如上所述，倘采用本发明的金属膜形成方法，由于作成为使得在树脂基材表面露出来的部分，和由无电解镀铜得到的铜金属膜混合存在时，或在无电解电镀处理的途中进行树脂基材的表面的紫外线处理定时，故可以提高归因于紫外线照射效果得到的树脂表面和析出金属之间的贴紧度，即便是不实施通常一直要进行的对树脂表面的刻蚀处理，也可以得到可供金属膜的实际使用的充分的贴紧度。

此外，由于不使用刻蚀处理液，故使得对危险性、公害性的应对变得容易起来，可以减轻其操作，排出处理，可以减轻作业负担。

此外，在本发明的金属膜形成方法中，为了提高树脂基材与金属膜之间的贴紧性，对紫外线照射的定时动些脑筋，使得没有必要与通常的处理工序中的处理液分开地单独准备用来促进树脂基材表面的改质的处理剂，可以将处理工序减少一个与可以省略刻蚀处理的处理工序量相对应的量，处理成本也可以降低。

再有，对于树脂基材的表面的改质来说，由于仅仅变更紫外线照射的定时，除了紫外线照射的装置之外，无须设置特别的处理装置，而且可直接使用以前一直使用的各处理液，故可以不涉及设备成本的增大，提供廉价的产品。

可将本发明的在树脂基材的表面上形成金属膜的方法应用于半导体器件的叠层绝缘层上的金属膜的形成，此外，在树脂基板或柔性薄片上边也可以简单地形成金属膜，可以提供廉价的产品。

Claims (12)

1.一种按照电镀核产生工序、无电解电镀工序和电解电镀工序的顺序进行处理，在树脂基材的表面上形成金属膜的方法，其特征在于：在上述无电解电镀工序中，所产生的上述电镀核在被该无电解电镀产生的金属被覆起来之后，再向上述表面照射紫外线。

2.根据权利要求1所述的金属膜形成方法，其特征在于：在上述无电解电镀工序中，在向上述表面照射了上述紫外线之后，进行该无电解电镀。

3.根据权利要求1或2所述的金属膜形成方法，其特征在于：上述紫外线照射，是中间存在着已载置到上述树脂材料的表面上的玻璃板而实施的。

4.根据权利要求3所述的金属膜形成处理方法，其特征在于：由上述无电解电镀得到的金属，是铜或镍。

5.一种具有借助于电镀在树脂绝缘层的表面上形成的金属膜的半导体器件，其特征在于：

上述金属膜，采用依次进行电镀核产生工序，在用无电解电镀产生的金属将所产生的电镀核被覆起来之后向上述表面照射紫外线的无电解电镀工序和电镀工序的办法，在上述树脂基材的表面上形成。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：在上述无电解电镀工序中，在向上述表面照射了紫外线之后，再进行该无电解电镀。

7.根据权利要求5或6所述的半导体器件，其特征在于：上述紫外线照射，是中间存在着已载置到上述树脂材料的表面上的玻璃板而实施的。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：由上述无电解电镀得到的金属，是铜或镍。

9.一种具有借助于电镀在树脂基板上形成的金属膜的布线基板，

其特征在于：上述金属膜，采用依次进行电镀核产生工序，在用无电解电镀产生的金属将所产生的电镀核被覆起来之后向上述表面照射紫外线的无电解电镀工序和电镀工序的办法，在上述表面上形成。

10.根据权利要求9所述的布线基板，其特征在于：在上述无电解电镀工序中，在向上述表面照射了上述紫外线之后，再进行该无电解电镀。

11.根据权利要求9或10所述的布线基板，其特征在于：上述紫外线照射，是中间存在着已载置到上述树脂绝缘层的表面上的玻璃板而实施的。

12.根据权利要求11所述的布线基板，其特征在于：由上述无电解电镀得到的金属，是铜或镍。

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