CN1499902A - 有机电致发光显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光显示器及其制造方法，通过选择处理空穴迁移层的表面，能够防止相邻像素间的漏电流并提高发光层的喷墨打印质量。该方法包括：在衬底上形成下电极并形成一个带有敞开部分以暴露一部分下电极的绝缘膜；在衬底上形成一个有机薄膜层并选择性地处理有机薄膜层的一部分表面；在有机薄膜层的另外部分上形成发光层；并在衬底的正面上形成上电极。

Description

有机电致发光显示器及其制造方法
本申请要求享有2002年11月4日提交的韩国专利申请Kr2002-67975的优先权，该申请的内容在此全部引为参考。
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光显示器，尤其涉及一种有机聚合物电致发光器件及其制造方法，通过选择处理空穴迁移层的表面，能够防止相邻像素间的漏电流并提高发光层的喷墨打印质量。
背景技术
图1是常规有机电致发光显示器的一个像素的截面图。
参见图1，在绝缘衬底100上形成一缓冲层110，并在缓冲层110上以普通的方式形成一薄膜晶体管120。如图1所示，该薄膜晶体管包括一栅极125、一电连接到源极区121的源电极127和一电连接到漏极区123的漏电极129。
当在薄膜晶体管120和缓冲层110上形成绝缘膜130之后，在绝缘膜130上形成一用于暴露源电极127或漏电极129其中之一，如漏电极129的通孔135。在绝缘膜130上形成一下电极140，其例如经通孔135连接到漏电极129。在衬底上沉积平面化膜150之后，通过对平面化膜150构图而形成用于暴露下电极140的敞开部分155。
随后，例如通过在衬底上旋涂一种有机材料如PEDOT(聚-3，4-亚乙二氧基噻吩)或PANI(聚苯胺)而形成一空穴迁移层160。通过喷墨法在敞开部分155的空穴迁移层160上形成一发光层170，并且在该衬底之上形成一上电极180。
通常地，当把有机聚合物材料用作有机电致发光显示器的发光层时，通过利用喷墨法或利用激光感应热成像(laser induced thermal imaging，LITI)法形成发光层。
喷墨法是一种通过将溶液从喷墨头喷射到衬底上而在下电极上形成发光层的方法。溶液从包含溶液的喷头中高速喷出，该溶液包括EL(electro-luminescence，电致发光)材料，如有机聚合物EL材料，使得当喷墨头以一定的间距与衬底分开时溶液得到分布。
虽然在有机发光显示器中的每个像素单独地形成R、G和B各个发光层，但存在的问题是：在喷墨过程的情形中，从喷墨头发射的包括有机聚合物材料的溶液会分散到相邻像素上。
为了解决此问题，韩国专利申请Kr10-1999-7010647中建议在形成一边坡层(bank layer)之后形成发光层，以覆盖每个像素的下电极的边缘部分。边坡层由一绝缘材料形成。利用边坡层通过喷墨法形成发光层的方法使得每个像素单独地形成发光层，防止了包括有机聚合物材料的溶液分散到相邻的其它像素上。因而通过利用边坡层，只在相关像素的下电极的上部上提供溶液。
但是，存在的问题是：当包括有机聚合物材料的溶液散布在边坡层上时，因为通过在形成边坡层之后在衬底之上形成空穴迁移层而在衬底的所有像素中维持空穴迁移层的表面特性，所以印刷质量降低，甚至在喷墨法利用边坡层时也是如此。
另外，常规的有机电致发光显示器形成一位于下电极140和发光层170之间具有导电性的空穴迁移层160。因而，通过提高从下电极140向发光层170的空穴注入效率，发光效率得以提高。但是，存在的问题是：因为在衬底之上形成了具有导电性的空穴迁移层，所以甚至从不相邻的像素中也会发射光。因而，漏电流在导电的空穴迁移层160和下电极140之间流动。
还有一个问题在于还需要一个用于形成额外隔离壁(partition wall)的工艺，并且由于厚隔离壁的台阶轮廓而在随后的阴极电极和有机发光层之间产生粘结缺陷。当利用一用于限定像素区的隔离壁形成有机发光层时，其中在像素区上将形成有机发光层，应当形成一厚隔离壁以覆盖像素电极的边缘部分。
发明内容
为了解决上述问题，本发明的目的在于防止相邻像素间的漏电流并提高发光层的喷墨打印质量。
本发明提供了一种制造有机电致发光显示器的方法，该方法包括：在衬底上形成下电极；形成一具有用于暴露部分下电极的敞开部分的绝缘膜；在衬底上形成一有机薄膜层；选择性地处理有机薄膜层的部分表面；在有机薄膜层的另一部分上形成一发光层；并在衬底的正面上形成上电极。
根据本发明的另一方面，提供一种有机电致发光显示器，其包括依次形成在衬底上的下电极、空穴迁移层、发光层和上电极，其中对应于下电极的空穴迁移层部分具有不同于除对应于下电极的部分以外的部分的表面特性和电阻值。
根据本发明的又一方面，提供一种有机电致发光显示器，包括：形成在衬底上的下电极；形成在衬底上的绝缘膜，使得下电极的一部分被暴露；形成在暴露的下电极和绝缘膜上的有机薄膜层；形成在对应于下电极的有机薄膜层部分上的发光层；和形成在衬底上的上电极，其中发光层之下的有机薄膜层部分具有不同于除发光层之下的部分以外的有机薄膜层的另一部分的表面特性。
根据本发明的有机电致发光显示器及其制造方法通过对每个像素除发光区以外的空穴迁移层部分照射UV射线并进行表面处理，而避免了相邻像素之间的全部和/或基本上全部的漏电流。因而在通过喷墨法形成发光层时印刷质量得到提高，并且被UV射线照射的部分的电阻值增大。
附图说明
通过下面参考附图所作的详细说明，可以更全面地理解本发明的其它目的和优点。
图1是常规有机电致发光显示器的截面图；
图2A、2B和2C是根据本发明的具体实施例、利用UV表面处理制造有机电致发光显示器的方法的截面示意图。
具体实施方式
下面将结合具体实施例参考附图详细描述本发明。注意，贯穿各附图，对应的部件用相同的标记。
图2A、2B和2C是用于解释根据本发明的具体实施例制造有源矩阵式有机电致发光显示器的方法的截面结构。
参见图2A，在绝缘衬底200上形成一缓冲层210，并在缓冲层210上形成一薄膜晶体管220。薄膜晶体管220包括形成于有源层上的一源极区212和一漏极区223。薄膜晶体管220还包括一栅极225、一电连接到源极区212的源电极227和一电连接到漏极区223的漏电极229。
在缓冲层210和薄膜晶体管220之上形成一绝缘膜230。通孔235暴露源电极227或漏电极229其中之一，如漏电极229，并通过蚀刻绝缘膜230而形成。在绝缘膜230上形成一下电极240，其经通孔235连接到漏电极229。
通过在衬底上旋涂平面化材料如丙烯而形成一平面化膜250，并且通过蚀刻平面化膜250形成一敞开部分255，使得下电极240的一部分暴露出来。通过在包括敞开部分255的衬底上旋涂导电聚合物材料，如PEDOT(Poly-3，4-Ethylenedioxythiophene，聚-3，4-亚乙二氧基噻吩)或PANI(polyaniline，聚苯胺)形成一空穴迁移层260。
如图2B所示，通过选择辐射UV射线310到空穴迁移层260上对空穴迁移层260的表面进行处理。在利用掩模300屏蔽与下电极240对应的空穴迁移层260部分，即对应于每个像素的发光区的部分的同时，通过辐射UV射线310到空穴迁移层260上对空穴迁移层260的表面选择处理。通过辐射UV射线处理的表面处的空穴迁移层260的未屏蔽部分265，即每个像素的非发光区，具有疏水性。不被UV射线照射的空穴迁移层260的屏蔽部分261，即发光区，具有亲水性。因此，被UV射线照射处理的表面处的空穴迁移层260的未屏蔽部分265具有不同于不被UV射线照射的空穴迁移层260的屏蔽部分261的表面特性。另外，空穴迁移层260的未屏蔽部分265比空穴迁移层260的屏蔽部分261具有较高的电阻值，使得通过辐射UV射线处理表面处的空穴迁移层260的未屏蔽部分265处于不导电的状态。
参见图2C，通过喷墨法在空穴迁移层260上形成一发光层270，其中包含有机聚合物材料的溶液散布在空穴迁移层260上。因为对应于空穴迁移层中的非发光区的空穴迁移层260的未屏蔽部分265的表面用UV射线处理，所以避免了从喷墨头发射的溶液散布到相邻的像素上。于是，对应于非发光区的空穴迁移层260的未屏蔽部分265具有不同于对应于下电极240上的发光区的空穴迁移层260的屏蔽部分261的表面特征。因此，发光层270不影响相邻像素并形成于相关像素的下电极240的上部。有可能仅将发光层270形成在相关像素的下电极240的上部之上。
另外，对应于空穴迁移层260的发光区的空穴迁移层的屏蔽部分261维持在导电状态，并通过提高从下电极240向有机发光层270的空穴注入效率而提高了其发光效率。通过UV表面处理，空穴迁移层260的未屏蔽部分265变成了不导电，从而避免了相邻像素之间的漏电流经空穴迁移层260和下电极240流动。
本发明利用UV表面处理制造有机电致发光显示器的方法不仅可以应用于有源矩阵式和无源矩阵式显示器以及正面发射发光和背面发射发光显示器，而且也可以应用到利用喷墨法制造平板显示器的方法。
虽然本发明的具体实施例图解说明了通过在平面化膜上形成空穴迁移层进行UV表面处理的方法，但本发明的各个实施例也可以应用到通过在平面化膜250上形成边坡层之后形成空穴迁移层并进行UV表面处理来制造有机电致发光显示器的方法。
根据本发明的有机电致发光显示器及其制造方法通过对每个像素除发光区以外的空穴迁移层部分照射UV射线并进行表面处理，而避免了相邻像素之间的全部和/或基本上全部的漏电流。因而在通过喷墨法形成发光层时印刷质量得到提高，并且被UV射线照射的部分的电阻值增大。
虽然参考实施例具体展示并说明了本发明，但本领域的技术人员将会理解，在不脱离本发明的精神和范围的前提下，可以对本发明作各种形式及细节上的前述及其它变化。

Claims (19)

1.一种制造有机电致发光显示器的方法，包括步骤：
在衬底上形成下电极；
形成一具有用于暴露部分该下电极的敞开部分的绝缘膜；
在该衬底上形成一有机薄膜层；
选择性地处理该有机薄膜层的部分表面；
在该有机薄膜层的另一部分上形成一发光层；和
在该衬底的正面上形成上电极。
2.如权利要求1所述的制造有机电致发光显示器的方法，其中通过当该另一部分被屏蔽时用UV射线照射该有机薄膜层来选择性地处理该有机薄膜层的表面。
3.如权利要求1所述的制造有机电致发光显示器的方法，其中该发光层通过喷墨法形成。
4.如权利要求3所述的制造有机电致发光显示器的方法，其中当通过喷墨法形成该发光层时，该有机薄膜层的被处理表面部分把用于该发光层的墨水保持在该敞开部分之内。
5.如权利要求1所述的制造有机电致发光显示器的方法，其中该绝缘膜由一用于平面化的绝缘膜形成。
6.如权利要求1所述的制造有机电致发光显示器的方法，其中该绝缘膜由一用于平面化的的绝缘膜形成并具有一形成于其上的边坡层。
7.如权利要求1所述的制造有机电致发光显示器的方法，其中该有机薄膜层是一空穴迁移层。
8.如权利要求7所述的制造有机电致发光显示器的方法，其中该空穴迁移层由PEDOT(聚-3，4-亚乙二氧基噻吩)或PANI(聚苯胺)形成。
9.如权利要求1所述的制造有机电致发光显示器的方法，其中该有机薄膜层中表面被处理的部分变成不导电的并有助于防止流向该下电极的漏电流。
10.如权利要求1所述的制造有机电致发光显示器的方法，其中所述另一部分是不被处理的该有机薄膜层部分。
11.如权利要求2所述的制造有机电致发光显示器的方法，其中所述另一部分是对应于该下电极的该有机薄膜层部分。
12.一种有机电致发光显示器，包括依次形成于衬底上的下电极、空穴迁移层、发光层和上电极，其中对应于该下电极的该空穴迁移层部分具有不同于除对应于该下电极的部分以外的部分的表面特性和电阻值。
13.一种有机电致发光显示器，包括：
形成在衬底上的下电极；
形成在该衬底上的绝缘膜，使得该下电极的一部分被暴露；
形成在暴露的该下电极和该绝缘膜上的有机薄膜层；
形成在对应于该下电极的该有机薄膜层部分上的发光层；和
形成在该衬底上的上电极，其中在该发光层之下的该有机薄膜层部分具有不同于除该发光层之下的部分以外的该有机薄膜层的另一部分的表面特性。
14.如权利要求13所述的有机电致发光显示器，其中该有机薄膜层是一空穴迁移层。
15.如权利要求14所述的有机电致发光显示器，其中该空穴迁移层由PEDOT(聚-3，4-亚乙二氧基噻吩)或PANI(聚苯胺)形成。
16.如权利要求13所述的有机电致发光显示器，其中该绝缘膜是一平面化膜。
17.如权利要求13所述的有机电致发光显示器，其中该绝缘膜是一平面化膜并具有一形成于其上的边坡层。
18.如权利要求13所述的有机电致发光显示器，其中除位于该发光层之下的部分以外的该有机薄膜层的另一部分具有一被UV射线处理的部分并具有高于该发光层之下部分的电阻值，并且该有机薄膜层的另一部分有助于防止该有机薄膜层和该下电极之间的漏电流。
19.一种制造有机电致发光显示器的方法，包括步骤：
在衬底上形成有机薄膜；
用UV射线处理该有机薄膜的一部分同时覆盖该有机薄膜的另一部分；和
在该有机薄膜的另一部分上形成发光层。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102110788A (zh) * 2009-11-30 2011-06-29 三星移动显示器株式会社 制造有机发光显示设备的方法和有机发光显示设备
CN103066211A (zh) * 2011-10-20 2013-04-24 三星显示有限公司 有机发光显示设备
CN105655377A (zh) * 2014-11-28 2016-06-08 株式会社日本显示器 显示装置
CN106298847A (zh) * 2015-06-25 2017-01-04 乐金显示有限公司 有机发光显示设备
CN107359254A (zh) * 2016-12-12 2017-11-17 广东聚华印刷显示技术有限公司 印刷显示器件及其制备方法和应用
WO2018045657A1 (zh) * 2016-09-09 2018-03-15 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled器件及其制作方法
CN110137365A (zh) * 2019-05-23 2019-08-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板的制作方法及oled显示面板
WO2024045105A1 (zh) * 2022-09-01 2024-03-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8278818B2 (en) * 2004-06-04 2012-10-02 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electroluminescent display device and method of fabricating the same
KR100623694B1 (ko) 2004-08-30 2006-09-19 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사용 도너 기판 및 그 기판을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자의 제조 방법
US7719496B2 (en) * 2004-11-23 2010-05-18 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic thin film transistor, method of manufacturing the same, and flat panel display device with the organic thin film transistor
JP4539518B2 (ja) * 2005-03-31 2010-09-08 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電気光学装置の製造方法
KR101160840B1 (ko) * 2005-05-31 2012-06-29 삼성전자주식회사 디스플레이 장치와 그 제조방법
US7601567B2 (en) * 2005-12-13 2009-10-13 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Method of preparing organic thin film transistor, organic thin film transistor, and organic light-emitting display device including the organic thin film transistor
US20080286566A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Shiva Prakash Process for forming an organic light-emitting diode and devices made by the process
JP2010103500A (ja) * 2008-09-26 2010-05-06 Toppan Printing Co Ltd 有機電界発光素子及びその製造方法、画像表示装置、照明装置
JP5278686B2 (ja) 2008-09-29 2013-09-04 凸版印刷株式会社 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法
EP2202817B1 (en) * 2008-12-24 2016-06-29 LG Display Co., Ltd. Method for manufacturing an organic light emitting display device
CN103646959B (zh) * 2009-02-10 2016-09-14 株式会社日本有机雷特显示器 发光元件及其制造方法
JP5193957B2 (ja) * 2009-06-16 2013-05-08 ローム株式会社 有機ｅｌ素子及びその製造方法
JP2014049405A (ja) * 2012-09-04 2014-03-17 Sony Corp 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器
TWI545735B (zh) 2013-09-09 2016-08-11 Japan Display Inc Organic electroluminescent display device and manufacturing method thereof
JP2015053214A (ja) * 2013-09-09 2015-03-19 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP2016063197A (ja) * 2014-09-22 2016-04-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及び表示装置の製造方法
KR102472642B1 (ko) * 2015-06-16 2022-11-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
EP3336918B1 (en) * 2016-12-13 2020-09-02 Novaled GmbH Flash light illumination method and organic electronic device elements obtainable this way
JP2018142442A (ja) * 2017-02-27 2018-09-13 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置の製造方法及び有機ｅｌ表示装置
JP7312697B2 (ja) 2017-05-11 2023-07-21 ソニーグループ株式会社 表示装置および電子機器
KR20210029879A (ko) * 2019-09-06 2021-03-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치
CN112201675B (zh) * 2020-09-15 2022-09-27 云谷（固安）科技有限公司 显示基板及其制备方法
US20220208873A1 (en) * 2020-12-24 2022-06-30 Sharp Kabushiki Kaisha Spatial light-modified grid to enhance display efficiency
KR20220103844A (ko) * 2021-01-15 2022-07-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5253100A (en) * 1984-08-31 1993-10-12 The Board Of Governors For Higher Education, State Of Rhode Island And Providence Plantations Solid electrolytes for conducting polymer-based color switchable windows and electronic display services
US5856409A (en) * 1989-04-07 1999-01-05 Dow Corning Corporation Method of making hydrophobic copolymers hydrophilic
JP2793373B2 (ja) 1991-02-07 1998-09-03 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子のパターン化方法
EP0727100B1 (en) * 1994-09-06 2003-01-29 Philips Electronics N.V. Electroluminescent device comprising a poly-3,4-dioxythiophene layer
US5719467A (en) * 1995-07-27 1998-02-17 Hewlett-Packard Company Organic electroluminescent device
JPH09230129A (ja) * 1996-02-26 1997-09-05 Asahi Glass Co Ltd カラーフィルタの製造方法及びそれを用いた液晶表示素子
US5798170A (en) * 1996-02-29 1998-08-25 Uniax Corporation Long operating life for polymer light-emitting diodes
JP3599077B2 (ja) * 1996-05-15 2004-12-08 ケミプロ化成株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法
JPH10294181A (ja) * 1997-02-24 1998-11-04 Toray Ind Inc 有機電界発光素子およびその製造方法
GB9718393D0 (en) * 1997-08-29 1997-11-05 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent Device
JPH11135258A (ja) * 1997-10-27 1999-05-21 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子の製造方法
KR100277725B1 (ko) 1997-12-30 2001-02-01 윤종용 영상표시장치의 자동 삽입/탈착 방법 및 장치
JP3942715B2 (ja) * 1998-01-06 2007-07-11 パイオニア株式会社 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法
US6866946B2 (en) * 1998-02-02 2005-03-15 Dupont Displays, Inc. High resistance polyaniline useful in high efficiency pixellated polymer electronic displays
US6045977A (en) * 1998-02-19 2000-04-04 Lucent Technologies Inc. Process for patterning conductive polyaniline films
CN100530760C (zh) * 1998-03-17 2009-08-19 精工爱普生株式会社 薄膜构图的衬底及其表面处理
JP3646510B2 (ja) * 1998-03-18 2005-05-11 セイコーエプソン株式会社 薄膜形成方法、表示装置およびカラーフィルタ
JPH11297472A (ja) 1998-04-13 1999-10-29 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子及びその製造方法
JPH11339573A (ja) * 1998-05-25 1999-12-10 Toyota Motor Corp 透明導電体の表面処理方法
JP3745576B2 (ja) * 2000-03-14 2006-02-15 大日本印刷株式会社 Ｅｌ素子とその製造方法
JP3565263B2 (ja) * 2000-05-17 2004-09-15 日本精機株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
KR100403714B1 (ko) * 2000-06-10 2003-11-01 씨씨알 주식회사 웹문서 레이아웃 이미지 및 웹사이트 구조를 제공하여인터넷 검색을 용이하게 할 수 있는 시스템 및 방법
US6739931B2 (en) * 2000-09-18 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
JP2002246172A (ja) 2001-02-14 2002-08-30 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子及びその製造方法
JP2002246176A (ja) * 2001-02-22 2002-08-30 Tohoku Pioneer Corp 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの画質改良方法
GB0109295D0 (en) * 2001-04-12 2001-05-30 Univ Cambridge Tech Optoelectronic devices and a method for producing the same
KR100743103B1 (ko) * 2001-06-22 2007-07-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 일렉트로 루미네센스 패널
US6649327B2 (en) * 2001-10-25 2003-11-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of patterning electrically conductive polymers
TWI258317B (en) * 2002-01-25 2006-07-11 Semiconductor Energy Lab A display device and method for manufacturing thereof
US6933520B2 (en) * 2002-02-13 2005-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2003331662A (ja) * 2002-05-10 2003-11-21 Seiko Epson Corp 薄膜のパターニング方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、回路基板及び電子機器
KR100437533B1 (ko) * 2002-05-29 2004-06-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
JP4165692B2 (ja) * 2002-08-05 2008-10-15 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセント素子の製造方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102110788B (zh) * 2009-11-30 2015-04-01 三星显示有限公司 制造有机发光显示设备的方法和有机发光显示设备
CN102110788A (zh) * 2009-11-30 2011-06-29 三星移动显示器株式会社 制造有机发光显示设备的方法和有机发光显示设备
CN103066211A (zh) * 2011-10-20 2013-04-24 三星显示有限公司 有机发光显示设备
US9419062B2 (en) 2011-10-20 2016-08-16 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display devices
US10115776B2 (en) 2011-10-20 2018-10-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display devices
CN105655377B (zh) * 2014-11-28 2019-03-05 株式会社日本显示器 显示装置
CN105655377A (zh) * 2014-11-28 2016-06-08 株式会社日本显示器 显示装置
CN106298847A (zh) * 2015-06-25 2017-01-04 乐金显示有限公司 有机发光显示设备
US10411079B2 (en) 2015-06-25 2019-09-10 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device reducing leakage current generated between pixels
WO2018045657A1 (zh) * 2016-09-09 2018-03-15 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled器件及其制作方法
CN107359254A (zh) * 2016-12-12 2017-11-17 广东聚华印刷显示技术有限公司 印刷显示器件及其制备方法和应用
CN107359254B (zh) * 2016-12-12 2019-02-01 广东聚华印刷显示技术有限公司 印刷显示器件及其制备方法和应用
CN110137365A (zh) * 2019-05-23 2019-08-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板的制作方法及oled显示面板
WO2024045105A1 (zh) * 2022-09-01 2024-03-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

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