JP2003331662A - 薄膜のパターニング方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、回路基板及び電子機器 - Google Patents
薄膜のパターニング方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、回路基板及び電子機器Info
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- JP2003331662A JP2003331662A JP2002136242A JP2002136242A JP2003331662A JP 2003331662 A JP2003331662 A JP 2003331662A JP 2002136242 A JP2002136242 A JP 2002136242A JP 2002136242 A JP2002136242 A JP 2002136242A JP 2003331662 A JP2003331662 A JP 2003331662A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、簡易に導電性膜をパターニングす
ることができる薄膜のパターニング方法、有機エレクト
ロルミネッセンス装置、回路基板及び電子機器を提供す
る。 【解決手段】 導電性の薄膜のパターニング方法であっ
て、基板１に共役系高分子（導電性ポリマー）によって
導電性膜２を形成し、その導電性膜２に共役を切る作用
のある材料、例えばアルカリ性のインク３を塗布するこ
とを特徴とする。
ることができる薄膜のパターニング方法、有機エレクト
ロルミネッセンス装置、回路基板及び電子機器を提供す
る。 【解決手段】 導電性の薄膜のパターニング方法であっ
て、基板１に共役系高分子（導電性ポリマー）によって
導電性膜２を形成し、その導電性膜２に共役を切る作用
のある材料、例えばアルカリ性のインク３を塗布するこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に導電性の膜
をパターニングする薄膜のパターニング方法、有機エレ
クトロルミネッセンス装置、回路基板及び電子機器に関
する。
をパターニングする薄膜のパターニング方法、有機エレ
クトロルミネッセンス装置、回路基板及び電子機器に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、共役系高分子を用いた導電性膜を
パターニングする方法としては、基板に直接導電性材料
を印刷するか、インクジェット法によってパターニング
する方法しかなかった。また、従来、電子機器で用いら
れている回路基板のパターニングでは、先ず、銅箔を貼
り付けた所謂ベタ基板にフォトレジストを製膜し、フォ
トパターニングする。その後、銅のエッチング液（第二
酸化鉄水溶液）でエッチングする。そして、リンスして
所望のパターニングができあがる。また、従来、有機Ｅ
Ｌ（エレクトロルミネッセンス）装置において所望のパ
ターンで発光させる方法としては、基板上での電極のパ
ターニング又はこれに類似する方法しかなかった。
パターニングする方法としては、基板に直接導電性材料
を印刷するか、インクジェット法によってパターニング
する方法しかなかった。また、従来、電子機器で用いら
れている回路基板のパターニングでは、先ず、銅箔を貼
り付けた所謂ベタ基板にフォトレジストを製膜し、フォ
トパターニングする。その後、銅のエッチング液（第二
酸化鉄水溶液）でエッチングする。そして、リンスして
所望のパターニングができあがる。また、従来、有機Ｅ
Ｌ（エレクトロルミネッセンス）装置において所望のパ
ターンで発光させる方法としては、基板上での電極のパ
ターニング又はこれに類似する方法しかなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の導電性膜のパターニング法では、直接導電性材料を
印刷するか又はインクジェット法でパターニングするの
で、インク化しにくい導電性材料を用いることができな
いという問題点があった。
来の導電性膜のパターニング法では、直接導電性材料を
印刷するか又はインクジェット法でパターニングするの
で、インク化しにくい導電性材料を用いることができな
いという問題点があった。
【０００４】また、上記従来の回路基板のパターニング
では、フォトリソ工程が必要でありその工程で用いられ
るフォトマスクが必要となる。このため工程が長くな
り、フォトマスクをモデルチェンジの度に作らなければ
ならないため、時間とコストがかかるという問題点があ
った。
では、フォトリソ工程が必要でありその工程で用いられ
るフォトマスクが必要となる。このため工程が長くな
り、フォトマスクをモデルチェンジの度に作らなければ
ならないため、時間とコストがかかるという問題点があ
った。
【０００５】また、上記従来の有機ＥＬ装置において所
望のパターンで発光させる方法では、基板上で電極をパ
ターニングしなければならず、基板作成に時間とコスト
がかかるという問題点があった。
望のパターンで発光させる方法では、基板上で電極をパ
ターニングしなければならず、基板作成に時間とコスト
がかかるという問題点があった。
【０００６】本発明は、上述した事情に鑑みてなされた
もので、簡易に導電性膜をパターニングすることができ
る薄膜のパターニング方法、有機エレクトロルミネッセ
ンス装置、回路基板及び電子機器の提供を目的とする。
もので、簡易に導電性膜をパターニングすることができ
る薄膜のパターニング方法、有機エレクトロルミネッセ
ンス装置、回路基板及び電子機器の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明の薄膜のパターニング方法は、導電性の
薄膜のパターニング方法であって、基板に共役系高分子
によって導電性膜を形成し、前記導電性膜に共役を切る
作用のある材料を塗布することを特徴とする。このよう
な方法によれば、導電性膜における前記材料を塗布され
た部位は共役が切れ高抵抗となる。したがって、このよ
うな方法によれば、フォトリソ工程及びフォトマスクを
必要とせず、簡易かつ迅速に、導電性膜を任意の形状に
パターニングすることが可能となる。
ために、本発明の薄膜のパターニング方法は、導電性の
薄膜のパターニング方法であって、基板に共役系高分子
によって導電性膜を形成し、前記導電性膜に共役を切る
作用のある材料を塗布することを特徴とする。このよう
な方法によれば、導電性膜における前記材料を塗布され
た部位は共役が切れ高抵抗となる。したがって、このよ
うな方法によれば、フォトリソ工程及びフォトマスクを
必要とせず、簡易かつ迅速に、導電性膜を任意の形状に
パターニングすることが可能となる。
【０００８】また、本発明の薄膜のパターニング方法
は、導電性の薄膜のパターニング方法であって、基板に
共役系高分子によって導電性膜を形成し、前記導電性膜
に脱ドープする作用のある材料を塗布することを特徴と
する。このような方法によれば、導電性膜における前記
材料を塗布された部位は脱ドープされ高抵抗となる。し
たがって、このような方法によれば、フォトリソ工程及
びフォトマスクを必要とせず、簡易かつ迅速に、導電性
膜を任意の形状にパターニングすることが可能となる。
は、導電性の薄膜のパターニング方法であって、基板に
共役系高分子によって導電性膜を形成し、前記導電性膜
に脱ドープする作用のある材料を塗布することを特徴と
する。このような方法によれば、導電性膜における前記
材料を塗布された部位は脱ドープされ高抵抗となる。し
たがって、このような方法によれば、フォトリソ工程及
びフォトマスクを必要とせず、簡易かつ迅速に、導電性
膜を任意の形状にパターニングすることが可能となる。
【０００９】また、本発明の薄膜のパターニング方法
は、前記共役を切る又は脱ドープする作用のある材料の
塗布が、所望の導電パターンに対して逆パターンとなる
ように塗布することが好ましい。このような方法によれ
ば、所望の導電パターンに対して逆パターンとなるよう
に前記材料を塗布した部位が高抵抗となり、所望の形状
の導電パターンを形成することができる。
は、前記共役を切る又は脱ドープする作用のある材料の
塗布が、所望の導電パターンに対して逆パターンとなる
ように塗布することが好ましい。このような方法によれ
ば、所望の導電パターンに対して逆パターンとなるよう
に前記材料を塗布した部位が高抵抗となり、所望の形状
の導電パターンを形成することができる。
【００１０】また、本発明の薄膜のパターニング方法
は、前記共役系高分子が導電性ポリマーであることが好
ましい。このような方法によれば、共役系高分子の導電
性膜に導電性ポリマーを用いることにより、金属に比べ
て軽くてしなやかで、加工性も優れ、原材料コストも安
い導電性膜を形成することができる。
は、前記共役系高分子が導電性ポリマーであることが好
ましい。このような方法によれば、共役系高分子の導電
性膜に導電性ポリマーを用いることにより、金属に比べ
て軽くてしなやかで、加工性も優れ、原材料コストも安
い導電性膜を形成することができる。
【００１１】また、本発明の薄膜のパターニング方法
は、前記導電性ポリマーがポリチオフェン誘導体、ポリ
アニリン、ポリピロールのうちの一つであることが好ま
しい。
は、前記導電性ポリマーがポリチオフェン誘導体、ポリ
アニリン、ポリピロールのうちの一つであることが好ま
しい。
【００１２】また、本発明の薄膜のパターニング方法
は、前記ポリチオフェン誘導体がポリエチレンジオキシ
チオフェン（ＰＥＤＯＴ）であることが好ましい。
は、前記ポリチオフェン誘導体がポリエチレンジオキシ
チオフェン（ＰＥＤＯＴ）であることが好ましい。
【００１３】また、本発明の薄膜のパターニング方法
は、前記共役を切る又は脱ドープする作用のある材料が
アルカリ液、還元剤、酸化剤のうちの一つであることが
好ましい。
は、前記共役を切る又は脱ドープする作用のある材料が
アルカリ液、還元剤、酸化剤のうちの一つであることが
好ましい。
【００１４】また、本発明の薄膜のパターニング方法
は、前記導電性膜には撥水性処理が施され、該撥水性処
理が施された導電性膜に、前記共役を切る又は脱ドープ
する作用のある材料を塗布することが好ましい。このよ
うな方法によれば、導電性膜に撥水性処理を施すことに
より、該導電性膜の表面に塗布された前記共役を切る又
は脱ドープする作用のある材料が該導電性膜の表面上で
濡れ広がらなくなるので、所望の形状の導電パターンが
形成し易くなる。
は、前記導電性膜には撥水性処理が施され、該撥水性処
理が施された導電性膜に、前記共役を切る又は脱ドープ
する作用のある材料を塗布することが好ましい。このよ
うな方法によれば、導電性膜に撥水性処理を施すことに
より、該導電性膜の表面に塗布された前記共役を切る又
は脱ドープする作用のある材料が該導電性膜の表面上で
濡れ広がらなくなるので、所望の形状の導電パターンが
形成し易くなる。
【００１５】また、本発明の薄膜のパターニング方法
は、前記共役を切る又は脱ドープする作用のある材料の
塗布が、インクジェット法及び印刷法のいずれかの手法
で行われることが好ましい。このような方法によれば、
インクジェット法又は印刷法を用いて、所望の形状の導
電パターンを精密かつ迅速に形成することが可能とな
る。
は、前記共役を切る又は脱ドープする作用のある材料の
塗布が、インクジェット法及び印刷法のいずれかの手法
で行われることが好ましい。このような方法によれば、
インクジェット法又は印刷法を用いて、所望の形状の導
電パターンを精密かつ迅速に形成することが可能とな
る。
【００１６】また、本発明の薄膜のパターニング方法
は、前記共役を切る又は脱ドープする作用のある材料を
塗布することで、前記導電性膜における該材料が塗布さ
れた部位を高抵抗化することが好ましい。
は、前記共役を切る又は脱ドープする作用のある材料を
塗布することで、前記導電性膜における該材料が塗布さ
れた部位を高抵抗化することが好ましい。
【００１７】また、本発明の薄膜のパターニング方法
は、前記導電性膜における前記共役を切る又は脱ドープ
する作用のある材料が塗布されなかった部位に、メッキ
処理を施すことが好ましい。このような方法によれば、
導電性膜における前記材料が塗布されなかった部位は導
電性膜として残り、その導電性膜に対向して電極を配置
して通電させることで、その導電性膜に銅メッキなどを
施すことができる。そして、銅メッキ等した部分を電極
又は導電線として用いた回路基板を形成することができ
る。
は、前記導電性膜における前記共役を切る又は脱ドープ
する作用のある材料が塗布されなかった部位に、メッキ
処理を施すことが好ましい。このような方法によれば、
導電性膜における前記材料が塗布されなかった部位は導
電性膜として残り、その導電性膜に対向して電極を配置
して通電させることで、その導電性膜に銅メッキなどを
施すことができる。そして、銅メッキ等した部分を電極
又は導電線として用いた回路基板を形成することができ
る。
【００１８】また、本発明の薄膜のパターニング方法
は、前記基板が、紙エポキシ、ガラスエポキシ、ガラ
ス、プラスチックのうちの少なくとも一つからなること
が好ましい。
は、前記基板が、紙エポキシ、ガラスエポキシ、ガラ
ス、プラスチックのうちの少なくとも一つからなること
が好ましい。
【００１９】また、本発明の薄膜のパターニング方法
は、導電性の薄膜のパターニング方法であって、基板に
絶縁性膜を形成し、前記絶縁性膜に重合する作用のある
材料を塗布することが好ましい。このような方法によれ
ば、上記の方法とは逆に、絶縁性膜における前記材料を
塗布された部位は重合して導電性膜となり、絶縁性膜に
おける他の部位は洗浄によって流し落とすことが可能と
なる。したがって、このような方法によれば、上記方法
と同様に、フォトリソ工程及びフォトマスクを必要とせ
ず、簡易かつ迅速に、導電性膜を任意の形状にパターニ
ングすることが可能となる。
は、導電性の薄膜のパターニング方法であって、基板に
絶縁性膜を形成し、前記絶縁性膜に重合する作用のある
材料を塗布することが好ましい。このような方法によれ
ば、上記の方法とは逆に、絶縁性膜における前記材料を
塗布された部位は重合して導電性膜となり、絶縁性膜に
おける他の部位は洗浄によって流し落とすことが可能と
なる。したがって、このような方法によれば、上記方法
と同様に、フォトリソ工程及びフォトマスクを必要とせ
ず、簡易かつ迅速に、導電性膜を任意の形状にパターニ
ングすることが可能となる。
【００２０】また、本発明の薄膜のパターニング方法
は、前記絶縁性膜が絶縁性ポリマーであることが好まし
い。このような方法によれば、加工し易くなり、原材料
コストを下げることも可能となる。
は、前記絶縁性膜が絶縁性ポリマーであることが好まし
い。このような方法によれば、加工し易くなり、原材料
コストを下げることも可能となる。
【００２１】また、本発明の薄膜のパターニング方法
は、前記絶縁性膜に重合する作用のある材料が導電性ポ
リマーであることが好ましい。このような方法によれ
ば、金属に比べて軽くてしなやかで、加工性も優れ、原
材料コストも安い導電性膜を形成することが可能とな
る。
は、前記絶縁性膜に重合する作用のある材料が導電性ポ
リマーであることが好ましい。このような方法によれ
ば、金属に比べて軽くてしなやかで、加工性も優れ、原
材料コストも安い導電性膜を形成することが可能とな
る。
【００２２】また、本発明の回路基板は、前記薄膜のパ
ターニング方法を用いて作成されたことを特徴とする。
このような回路基板によれば、その製造工程においてフ
ォトリソ工程及びフォォトマスクを行う必要がなくなる
ので、製造期間を短縮でき製造コストを削減することが
できる。
ターニング方法を用いて作成されたことを特徴とする。
このような回路基板によれば、その製造工程においてフ
ォトリソ工程及びフォォトマスクを行う必要がなくなる
ので、製造期間を短縮でき製造コストを削減することが
できる。
【００２３】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置は、前記薄膜のパターニング方法を用いて作成
され導電性の薄膜パターン上に、少なくとも発光層を形
成してなることを特徴とする。このような有機エレクト
ロルミネッセンス装置によれば、その製造工程において
フォトリソ工程及びフォォトマスクを行う必要がなくな
るので、製造期間を短縮でき製造コストを削減すること
ができる。また、このような有機エレクトロルミネッセ
ンス装置によれば、発光層に隣接する電極又は正孔注入
層などを所望の形状にパターニングすることができるの
で、所望の発光パターンとした有機エレクトロルミネッ
センス装置を簡易かつ迅速に製造することができる。
ンス装置は、前記薄膜のパターニング方法を用いて作成
され導電性の薄膜パターン上に、少なくとも発光層を形
成してなることを特徴とする。このような有機エレクト
ロルミネッセンス装置によれば、その製造工程において
フォトリソ工程及びフォォトマスクを行う必要がなくな
るので、製造期間を短縮でき製造コストを削減すること
ができる。また、このような有機エレクトロルミネッセ
ンス装置によれば、発光層に隣接する電極又は正孔注入
層などを所望の形状にパターニングすることができるの
で、所望の発光パターンとした有機エレクトロルミネッ
センス装置を簡易かつ迅速に製造することができる。
【００２４】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置は、前記発光層が一対の電極で挟まれているこ
とが好ましい。
ンス装置は、前記発光層が一対の電極で挟まれているこ
とが好ましい。
【００２５】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置は、前記薄膜のパターニング方法を用いて作成
され導電性の薄膜パターンが正孔注入層をなすことが好
ましい。このような有機エレクトロルミネッセンス装置
によれば、正孔注入層を簡易かつ迅速に所望のパターン
にすることができるので、所望の発光パターンをもつ有
機エレクトロルミネッセンス装置を簡易かつ迅速に製造
することができる。
ンス装置は、前記薄膜のパターニング方法を用いて作成
され導電性の薄膜パターンが正孔注入層をなすことが好
ましい。このような有機エレクトロルミネッセンス装置
によれば、正孔注入層を簡易かつ迅速に所望のパターン
にすることができるので、所望の発光パターンをもつ有
機エレクトロルミネッセンス装置を簡易かつ迅速に製造
することができる。
【００２６】また、本発明の電気機器は、前記回路基板
を備えたことを特徴とする。本発明によれば、電気機器
の構成要素となる回路基板の製造工程においてフォトリ
ソ工程及びフォォトマスクを行う必要がなくなるので、
製造期間を短縮でき製造コストを削減することができ
る。
を備えたことを特徴とする。本発明によれば、電気機器
の構成要素となる回路基板の製造工程においてフォトリ
ソ工程及びフォォトマスクを行う必要がなくなるので、
製造期間を短縮でき製造コストを削減することができ
る。
【００２７】また、本発明の電気機器は、前記有機エレ
クトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、電気機器において所望の発光パターン
をもつ表示部を構成することが可能となり、また、製造
期間を短縮でき製造コストを削減することが可能とな
る。
クトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、電気機器において所望の発光パターン
をもつ表示部を構成することが可能となり、また、製造
期間を短縮でき製造コストを削減することが可能とな
る。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る薄膜のパター
ニング方法について、図面を参照して説明する。本パタ
ーニング方法は、基板上に共役系高分子によって導電性
膜を形成し、これに所望のパターンに対応するように共
役を切る又は脱ドープする作用のある材料を塗布するこ
とにより、基板上に導電層をパターニングするものであ
る。下記実施形態では、共役を切る作用のある材料を塗
布してパターニングする方法について説明しているが、
この方法と同様にして、脱ドープ作用のある材料を塗布
してパターニングする方法も実施することができる。
ニング方法について、図面を参照して説明する。本パタ
ーニング方法は、基板上に共役系高分子によって導電性
膜を形成し、これに所望のパターンに対応するように共
役を切る又は脱ドープする作用のある材料を塗布するこ
とにより、基板上に導電層をパターニングするものであ
る。下記実施形態では、共役を切る作用のある材料を塗
布してパターニングする方法について説明しているが、
この方法と同様にして、脱ドープ作用のある材料を塗布
してパターニングする方法も実施することができる。
【００２９】（第１実施形態）本発明の第１実施形態に
係る薄膜のパターニング方法について図１を参照して説
明する。図１は、本実施形態に係る薄膜のパターニング
方法を用いた回路基板の製造方法を示す模式概念図であ
る。
係る薄膜のパターニング方法について図１を参照して説
明する。図１は、本実施形態に係る薄膜のパターニング
方法を用いた回路基板の製造方法を示す模式概念図であ
る。
【００３０】本図においては、（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）、（ｄ）の順序で回路基板の製造工程が進んで行
く。この回路基板は、各種電子機器の構成部品となるも
のである。先ず、図１（ａ）に示すように、絶縁性の基
板１上に共役系高分子を用いて導電性膜２を形成する。
基板１としては、紙エポキシ、ガラスエポキシ、ガラス
又はプラスチックなどの材料からなるものを用いること
ができる。共役系高分子は導電性ポリマーであることが
好ましい。導電性ポリマーとしては、ポリチオフェン誘
導体であるＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェ
ン）、ポリアニリン、ポリピロール、その他の誘導体を
用いる。また、導電性膜２は、スピンコート法などで形
成する。
（ｃ）、（ｄ）の順序で回路基板の製造工程が進んで行
く。この回路基板は、各種電子機器の構成部品となるも
のである。先ず、図１（ａ）に示すように、絶縁性の基
板１上に共役系高分子を用いて導電性膜２を形成する。
基板１としては、紙エポキシ、ガラスエポキシ、ガラス
又はプラスチックなどの材料からなるものを用いること
ができる。共役系高分子は導電性ポリマーであることが
好ましい。導電性ポリマーとしては、ポリチオフェン誘
導体であるＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェ
ン）、ポリアニリン、ポリピロール、その他の誘導体を
用いる。また、導電性膜２は、スピンコート法などで形
成する。
【００３１】そして、導電性膜２の表面全体に所定の撥
水性処理を施して、撥水性を制御する。この撥水性の制
御は、図１（ｂ）に示す工程で導電性膜２の表面に塗布
されるアルカリ性のインク３が導電性膜２の表面上で濡
れ広がらないようにするための処理である。また、撥水
性の制御は、酸素プラズマ又はフッ素プラズマを用いて
行う。
水性処理を施して、撥水性を制御する。この撥水性の制
御は、図１（ｂ）に示す工程で導電性膜２の表面に塗布
されるアルカリ性のインク３が導電性膜２の表面上で濡
れ広がらないようにするための処理である。また、撥水
性の制御は、酸素プラズマ又はフッ素プラズマを用いて
行う。
【００３２】上記撥水性の制御が行われた後、図１
（ｂ）に示すように、導電性膜２の表面上に、共役を切
る作用のある材料であるアルカリ性のインク３を塗布す
る。このアルカリインク３は、例えば、インクジェット
法によって塗布することとし、インクジェットヘッド１
０から吐出させる。インクジェット法の代わりに、印刷
法でアルカリ性のインク３を塗布してもよい。また、共
役を切る作用のある材料としては、アルカリ性のインク
３の代わりに還元剤又は酸化剤を用いてもよい。
（ｂ）に示すように、導電性膜２の表面上に、共役を切
る作用のある材料であるアルカリ性のインク３を塗布す
る。このアルカリインク３は、例えば、インクジェット
法によって塗布することとし、インクジェットヘッド１
０から吐出させる。インクジェット法の代わりに、印刷
法でアルカリ性のインク３を塗布してもよい。また、共
役を切る作用のある材料としては、アルカリ性のインク
３の代わりに還元剤又は酸化剤を用いてもよい。
【００３３】また、アルカリ性のインク３の塗布は、所
望の導電パターンに対して逆パターンとなるように塗布
する。これは、導電性膜２において、アルカリ性のイン
ク３が塗布された部位が図１（ｃ）に示す高抵抗４とな
るからである。アルカリ性のインク３を塗布した後、所
定時間だけ基板１の処理について放置し、その後、洗浄
する。これらにより、図１（ｃ）に示すように、導電性
膜２におけるアルカリ性のインク３が塗布された部位が
高抵抗４となる。
望の導電パターンに対して逆パターンとなるように塗布
する。これは、導電性膜２において、アルカリ性のイン
ク３が塗布された部位が図１（ｃ）に示す高抵抗４とな
るからである。アルカリ性のインク３を塗布した後、所
定時間だけ基板１の処理について放置し、その後、洗浄
する。これらにより、図１（ｃ）に示すように、導電性
膜２におけるアルカリ性のインク３が塗布された部位が
高抵抗４となる。
【００３４】その後、銅メッキ層内に基板１などを入
れ、導電性膜２と基板１に対向して配置された電極（図
示せず）との間に通電させることで、図１（ｄ）に示す
ように導電性膜２の高抵抗４以外の部分に銅を電解メッ
キして銅パターン５とする。
れ、導電性膜２と基板１に対向して配置された電極（図
示せず）との間に通電させることで、図１（ｄ）に示す
ように導電性膜２の高抵抗４以外の部分に銅を電解メッ
キして銅パターン５とする。
【００３５】これらにより、フォトリソ工程及びフォト
マスクなしで、銅プリント基板からなる回路基板ができ
あがる。すなわち、銅パターン５が配線部又は電極部等
となり、基板１に予め抵抗素子や半導体を形成しておく
か、基板１、導電性膜２、高抵抗４又は銅パターン５上
に抵抗素子や半導体を形成することで、回路基板ができ
あがる。
マスクなしで、銅プリント基板からなる回路基板ができ
あがる。すなわち、銅パターン５が配線部又は電極部等
となり、基板１に予め抵抗素子や半導体を形成しておく
か、基板１、導電性膜２、高抵抗４又は銅パターン５上
に抵抗素子や半導体を形成することで、回路基板ができ
あがる。
【００３６】したがって、上記製造方法によれば、フォ
トリソ工程とフォトマスクをする必要がないため、従来
よりも短期間で所望の回路基板を製造することができる
とともに、回路基板の製造コストを削減することができ
る。なお、上記において、銅メッキしないで銅パターン
５を形成せずに、回路基板を構成してもよい。
トリソ工程とフォトマスクをする必要がないため、従来
よりも短期間で所望の回路基板を製造することができる
とともに、回路基板の製造コストを削減することができ
る。なお、上記において、銅メッキしないで銅パターン
５を形成せずに、回路基板を構成してもよい。
【００３７】（第２実施形態）次に、本発明の第２実施
形態に係る薄膜のパターニング方法について図２を参照
して説明する。図２は、本実施形態に係る薄膜のパター
ニング方法を用いた有機ＥＬ装置の製造方法を示す模式
概念図である。
形態に係る薄膜のパターニング方法について図２を参照
して説明する。図２は、本実施形態に係る薄膜のパター
ニング方法を用いた有機ＥＬ装置の製造方法を示す模式
概念図である。
【００３８】本図においては、（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）の順序で有機ＥＬ装置の製造工
程が進んで行く。この有機ＥＬ装置は、携帯電話などの
携帯機器、パーソナルコンピュータ又はテレビなどのデ
ィスプレイとして用いられるものであり、各種電子機器
の構成部品となるものである。
（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）の順序で有機ＥＬ装置の製造工
程が進んで行く。この有機ＥＬ装置は、携帯電話などの
携帯機器、パーソナルコンピュータ又はテレビなどのデ
ィスプレイとして用いられるものであり、各種電子機器
の構成部品となるものである。
【００３９】図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の工程は、上
記図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の工程と同様である。す
なわち、先ず、図２（ａ）に示すように、絶縁性の基板
１上に共役系高分子（導電性ポリマーなど）を用いて導
電性膜２を形成する。ここで、基板１には、予め、イン
ジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等からな
る電極（陽極、透明電極）や、ＴＦＴ（Thin Film Tran
sister：薄膜トランジスタ）が形成してあるものとす
る。
記図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の工程と同様である。す
なわち、先ず、図２（ａ）に示すように、絶縁性の基板
１上に共役系高分子（導電性ポリマーなど）を用いて導
電性膜２を形成する。ここで、基板１には、予め、イン
ジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等からな
る電極（陽極、透明電極）や、ＴＦＴ（Thin Film Tran
sister：薄膜トランジスタ）が形成してあるものとす
る。
【００４０】また、基板１側から光を発する有機ＥＬ装
置を製造する場合、基板１の形成材料としては、光を透
過可能な透明あるいは半透明材料、例えば、透明なガラ
ス、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリア
クリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンな
どの透明な合成樹脂などが挙げられる。特に、基板５２
の形成材料としては、安価なソーダガラスが好適に用い
られる。
置を製造する場合、基板１の形成材料としては、光を透
過可能な透明あるいは半透明材料、例えば、透明なガラ
ス、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリア
クリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンな
どの透明な合成樹脂などが挙げられる。特に、基板５２
の形成材料としては、安価なソーダガラスが好適に用い
られる。
【００４１】一方、基板１と反対側（図２（ｅ）の封止
構造８側）から発光を取り出す場合には、基板１は不透
明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミッ
ク、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処
理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用
いることができる。
構造８側）から発光を取り出す場合には、基板１は不透
明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミッ
ク、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処
理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用
いることができる。
【００４２】そして、導電性膜２の表面全体に所定の撥
水性処理を施し、その撥水性処理が施された導電性膜２
の表面上に、図２（ｂ）に示すように、共役を切る作用
のある材料であるアルカリ性のインク３を塗布する。す
ると、所定時間経過後に、図２（ｃ）に示すように、導
電性膜２におけるアルカリ性のインク３が塗布された部
位が高抵抗４となる。
水性処理を施し、その撥水性処理が施された導電性膜２
の表面上に、図２（ｂ）に示すように、共役を切る作用
のある材料であるアルカリ性のインク３を塗布する。す
ると、所定時間経過後に、図２（ｃ）に示すように、導
電性膜２におけるアルカリ性のインク３が塗布された部
位が高抵抗４となる。
【００４３】その後、図２（ｄ）に示すように、高抵抗
４の部位及び導電性膜２の上に発光層６を形成する。こ
の発光層６の形成には、スピンコート法などを用いる。
発光層６の形成材料としては、低分子の有機発光色素や
高分子発光体、すなわち各種の蛍光物質や燐光物質など
の発光物質、Ａｌｑ3（アルミキレート錯体）などの有
機エレクトロルミネッセンス材料が使用可能である。発
光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン
又はポリフルオレン構造を含むものなどが特に好まし
い。低分子発光体では、例えばナフタレン誘導体、アン
トラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサ
テン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒ
ドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミ
ン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、また
は特開昭５７−５１７８１、同５９−１９４３９３号公
報等に記載されている公知のものが使用可能である。
４の部位及び導電性膜２の上に発光層６を形成する。こ
の発光層６の形成には、スピンコート法などを用いる。
発光層６の形成材料としては、低分子の有機発光色素や
高分子発光体、すなわち各種の蛍光物質や燐光物質など
の発光物質、Ａｌｑ3（アルミキレート錯体）などの有
機エレクトロルミネッセンス材料が使用可能である。発
光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン
又はポリフルオレン構造を含むものなどが特に好まし
い。低分子発光体では、例えばナフタレン誘導体、アン
トラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサ
テン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒ
ドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミ
ン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、また
は特開昭５７−５１７８１、同５９−１９４３９３号公
報等に記載されている公知のものが使用可能である。
【００４４】発光層６を形成した後、図２（ｅ）に示す
ように、発光層６の上に陰極７を形成する。陰極７は、
アルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａ
ｕ）、銀（Ａｇ）等からなる金属電極である。これによ
り、発光層６は、陰極７と基板１に形成されている陽極
（図示せず）に挟まれることとなる。そして、発光層６
及び陰極７を封止構造８で封止する。ここで、導電性膜
２における高抵抗４以外の部分は、正孔注入層として機
能する。
ように、発光層６の上に陰極７を形成する。陰極７は、
アルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａ
ｕ）、銀（Ａｇ）等からなる金属電極である。これによ
り、発光層６は、陰極７と基板１に形成されている陽極
（図示せず）に挟まれることとなる。そして、発光層６
及び陰極７を封止構造８で封止する。ここで、導電性膜
２における高抵抗４以外の部分は、正孔注入層として機
能する。
【００４５】これらにより、フォトリソ工程及びフォト
マスクなしで、有機ＥＬ装置ができあがる。したがっ
て、上記製造方法によれば、フォトリソ工程とフォトマ
スクをする必要がないため、従来よりも短期間で所望の
有機ＥＬ装置を製造することができるとともに、有機Ｅ
Ｌ装置の製造コストを削減することができる。
マスクなしで、有機ＥＬ装置ができあがる。したがっ
て、上記製造方法によれば、フォトリソ工程とフォトマ
スクをする必要がないため、従来よりも短期間で所望の
有機ＥＬ装置を製造することができるとともに、有機Ｅ
Ｌ装置の製造コストを削減することができる。
【００４６】また、上記製造方法で作成された有機ＥＬ
装置は、発光層６を挟んでいる陰極７と陽極間に所定の
電圧を印加することでその電極間に電流が流れ、発光層
６の図２（ｅ）における矢印部分から発光する。すなわ
ち、発光層６における高抵抗４の隣接部位以外の部位か
ら発光する。したがって、上記製造方法によれば、図２
（ｂ）に示す工程において、所望の発光パターンに対し
て逆パターンとなるようにアルカリ性のインク３を塗布
することで、所望の発光パターンで発光する有機ＥＬ装
置を簡易かつ迅速に作成することができる。
装置は、発光層６を挟んでいる陰極７と陽極間に所定の
電圧を印加することでその電極間に電流が流れ、発光層
６の図２（ｅ）における矢印部分から発光する。すなわ
ち、発光層６における高抵抗４の隣接部位以外の部位か
ら発光する。したがって、上記製造方法によれば、図２
（ｂ）に示す工程において、所望の発光パターンに対し
て逆パターンとなるようにアルカリ性のインク３を塗布
することで、所望の発光パターンで発光する有機ＥＬ装
置を簡易かつ迅速に作成することができる。
【００４７】（第３実施形態）本発明の第３実施形態に
係る薄膜のパターニング方法について図３を参照して説
明する。図３は、本実施形態に係る薄膜のパターニング
方法を用いた回路基板の製造方法を示す模式概念図であ
る。
係る薄膜のパターニング方法について図３を参照して説
明する。図３は、本実施形態に係る薄膜のパターニング
方法を用いた回路基板の製造方法を示す模式概念図であ
る。
【００４８】本図においては、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
の順序で回路基板の製造工程が進んで行く。この回路基
板は、各種電子機器の構成部品となるものである。先
ず、図３（ａ）に示すように、絶縁性の基板１１上に絶
縁性ポリマーを用いて絶縁性膜１２を形成する。基板１
１としては、紙エポキシ、ガラスエポキシ、ガラス又は
プラスチックなどの材料からなるものを用いることがで
きる。
の順序で回路基板の製造工程が進んで行く。この回路基
板は、各種電子機器の構成部品となるものである。先
ず、図３（ａ）に示すように、絶縁性の基板１１上に絶
縁性ポリマーを用いて絶縁性膜１２を形成する。基板１
１としては、紙エポキシ、ガラスエポキシ、ガラス又は
プラスチックなどの材料からなるものを用いることがで
きる。
【００４９】そして、絶縁性膜１２の表面全体に所定の
撥水性処理を施して、撥水性を制御する。その後、絶縁
性膜１２をなす絶縁性ポリマーに重合する作用のある導
電性ポリマー１３を塗布する。この導電性ポリマー１３
は、例えば、インクジェット法によって塗布することと
し、インクジェットヘッド２０から吐出させる。インク
ジェット法の代わりに、印刷法で導電性ポリマー１３を
塗布してもよい。
撥水性処理を施して、撥水性を制御する。その後、絶縁
性膜１２をなす絶縁性ポリマーに重合する作用のある導
電性ポリマー１３を塗布する。この導電性ポリマー１３
は、例えば、インクジェット法によって塗布することと
し、インクジェットヘッド２０から吐出させる。インク
ジェット法の代わりに、印刷法で導電性ポリマー１３を
塗布してもよい。
【００５０】ここで、導電性ポリマー１３の塗布は、所
望の導電パターンと同一のパターンとなるように塗布す
る。これは、絶縁性膜１２において、導電性ポリマー１
３が塗布された部位が図３（ｃ）に示す導電部１４とな
るからである。導電性ポリマー１３を塗布した後、所定
時間だけ基板１１の処理について放置し、その後、洗浄
する。この洗浄により、図３（ｃ）に示すように、絶縁
性膜１２における導電性ポリマー１３が塗布されなかっ
た部位（削除部１５）が流れ落とされる。絶縁性膜１２
における導電性ポリマー１３が塗布された部位である導
電部１４は、絶縁性ポリマーと導電性ポリマー１３が重
合するので、上記の洗浄をしても流れ落ちない。
望の導電パターンと同一のパターンとなるように塗布す
る。これは、絶縁性膜１２において、導電性ポリマー１
３が塗布された部位が図３（ｃ）に示す導電部１４とな
るからである。導電性ポリマー１３を塗布した後、所定
時間だけ基板１１の処理について放置し、その後、洗浄
する。この洗浄により、図３（ｃ）に示すように、絶縁
性膜１２における導電性ポリマー１３が塗布されなかっ
た部位（削除部１５）が流れ落とされる。絶縁性膜１２
における導電性ポリマー１３が塗布された部位である導
電部１４は、絶縁性ポリマーと導電性ポリマー１３が重
合するので、上記の洗浄をしても流れ落ちない。
【００５１】これらにより、上記第１実施形態及び第２
実施形態と同様に、本実施形態の製造方法でも、導電性
膜（導電部１４）を簡易かつ迅速にパターニングするこ
とができる。図３（ｃ）の工程後に、上記図１（ｄ）に
示すように、導電性膜をなす導電部１４に銅メッキを施
して、回路基板を形成してもよい。また、図３（ｃ）の
工程後に、上記図２（ｄ），（ｅ）に示すように導電性
膜をなす導電部１４などの上に発光層を形成し、さらに
発光層の上に陰極を形成することなどで、有機ＥＬ装置
を作ってもよい。
実施形態と同様に、本実施形態の製造方法でも、導電性
膜（導電部１４）を簡易かつ迅速にパターニングするこ
とができる。図３（ｃ）の工程後に、上記図１（ｄ）に
示すように、導電性膜をなす導電部１４に銅メッキを施
して、回路基板を形成してもよい。また、図３（ｃ）の
工程後に、上記図２（ｄ），（ｅ）に示すように導電性
膜をなす導電部１４などの上に発光層を形成し、さらに
発光層の上に陰極を形成することなどで、有機ＥＬ装置
を作ってもよい。
【００５２】したがって、本実施形態の製造方法でも、
上記第１実施形態及び第２実施形態と同様に、フォトリ
ソ工程及びフォトマスクなしで、回路基板及び有機ＥＬ
装置を製造することができる。これより、上記製造方法
によれば、フォトリソ工程とフォトマスクをする必要が
ないため、従来よりも短期間で所望の回路基板及び有機
ＥＬ装置を製造することができるとともに、回路基板及
び有機ＥＬ装置の製造コストを削減することができる。
上記第１実施形態及び第２実施形態と同様に、フォトリ
ソ工程及びフォトマスクなしで、回路基板及び有機ＥＬ
装置を製造することができる。これより、上記製造方法
によれば、フォトリソ工程とフォトマスクをする必要が
ないため、従来よりも短期間で所望の回路基板及び有機
ＥＬ装置を製造することができるとともに、回路基板及
び有機ＥＬ装置の製造コストを削減することができる。
【００５３】（電子機器）上記実施形態の電気光学装置
（有機ＥＬ装置）を備えた電子機器の例について説明す
る。図４は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図
４において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号
１００１は上記の有機ＥＬ装置を用いた表示部を示して
いる。
（有機ＥＬ装置）を備えた電子機器の例について説明す
る。図４は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図
４において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号
１００１は上記の有機ＥＬ装置を用いた表示部を示して
いる。
【００５４】図５は、腕時計型電子機器の一例を示した
斜視図である。図５において、符号１１００は時計本体
を示し、符号１１０１は上記の電気光学装置を用いた表
示部を示している。
斜視図である。図５において、符号１１００は時計本体
を示し、符号１１０１は上記の電気光学装置を用いた表
示部を示している。
【００５５】図６は、ワープロ、パソコンなどの携帯型
情報処理装置の一例を示した斜視図である。図６におい
て、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキー
ボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本
体、符号１２０６は上記の電気光学装置を用いた表示部
を示している。
情報処理装置の一例を示した斜視図である。図６におい
て、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキー
ボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本
体、符号１２０６は上記の電気光学装置を用いた表示部
を示している。
【００５６】図４から図６に示す電子機器は、上記実施
形態で製造された有機ＥＬ装置を備えているので、従来
よりも短期間で製造することができるとともに、製造コ
ストを削減することができる。
形態で製造された有機ＥＬ装置を備えているので、従来
よりも短期間で製造することができるとともに、製造コ
ストを削減することができる。
【００５７】なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に
限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範
囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施
形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に
過ぎず、適宜変更が可能である。
限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範
囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施
形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に
過ぎず、適宜変更が可能である。
【００５８】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、製造工程においてフォトリソ工程及びフォトマ
スクを必要とせず、簡易に導電性膜をパターニングする
ことが可能となる。
よれば、製造工程においてフォトリソ工程及びフォトマ
スクを必要とせず、簡易に導電性膜をパターニングする
ことが可能となる。
【図１】 本発明の第１実施形態に係る薄膜のパターニ
ング方法を示す模式概念図である。
ング方法を示す模式概念図である。
【図２】 本発明の第２実施形態に係る薄膜のパターニ
ング方法を示す模式概念図である。
ング方法を示す模式概念図である。
【図３】 本発明の第３実施形態に係る薄膜のパターニ
ング方法を示す模式概念図である。
ング方法を示す模式概念図である。
【図４】 本実施形態の電気光学装置を備えた電子機器
の一例を示す図である。
の一例を示す図である。
【図５】 本実施形態の電気光学装置を備えた電子機器
の一例を示す図である。
の一例を示す図である。
【図６】 本実施形態の電気光学装置を備えた電子機器
の一例を示す図である。
の一例を示す図である。
１ 基板
２ 導電性膜
３ アルカリ性のインク
４ 高抵抗
５ 銅パターン
６ 発光層
７ 陰極
８ 封止構造
１０ インクジェットヘッド
１１ 基板
１２ 絶縁性膜
１３ 導電性ポリマー
１４ 導電部
１５ 削除部
２０ インクジェットヘッド
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｄ
Ｈ０５Ｋ 3/02 Ｈ０５Ｋ 3/02 Ｚ
Claims (21)
- 【請求項１】 導電性の薄膜のパターニング方法であっ
て、 基板に共役系高分子によって導電性膜を形成し、 前記導電性膜に共役を切る作用のある材料を塗布するこ
とを特徴とする薄膜のパターニング方法。 - 【請求項２】 導電性の薄膜のパターニング方法であっ
て、 基板に共役系高分子によって導電性膜を形成し、 前記導電性膜に脱ドープする作用のある材料を塗布する
ことを特徴とする薄膜のパターニング方法。 - 【請求項３】 前記共役を切る又は脱ドープする作用の
ある材料の塗布は、所望の導電パターンに対して逆パタ
ーンとなるように塗布することを特徴とする請求項１又
は２記載の薄膜のパターニング方法。 - 【請求項４】 前記共役系高分子は、導電性ポリマーで
あることを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜のパタ
ーニング方法。 - 【請求項５】 前記導電性ポリマーは、ポリチオフェン
誘導体、ポリアニリン、ポリピロールのうちの一つであ
ることを特徴とする請求項４記載の薄膜のパターニング
方法。 - 【請求項６】 前記ポリチオフェン誘導体は、ポリエチ
レンジオキシチオフェンであることを特徴とする請求項
５記載の薄膜のパターニング方法。 - 【請求項７】 前記共役を切る又は脱ドープする作用の
ある材料は、アルカリ液、還元剤、酸化剤のうちの一つ
であることを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜のパ
ターニング方法。 - 【請求項８】 前記導電性膜には、撥水性処理が施さ
れ、 該撥水性処理が施された導電性膜に、前記共役を切る又
は脱ドープする作用のある材料を塗布することを特徴と
する請求項１又は２記載の薄膜のパターニング方法。 - 【請求項９】 前記共役を切る又は脱ドープする作用の
ある材料の塗布は、インクジェット法及び印刷法のいず
れかの手法で行われることを特徴とする請求項１又は２
記載の薄膜のパターニング方法。 - 【請求項１０】 前記共役を切る又は脱ドープする作用
のある材料を塗布することで、前記導電性膜における該
材料が塗布された部位を高抵抗化することを特徴とする
請求項１又は２記載の薄膜のパターニング方法。 - 【請求項１１】 前記導電性膜における前記共役を切る
又は脱ドープする作用のある材料が塗布されなかった部
位に、メッキ処理を施すことを特徴とする請求項１又は
２記載の薄膜のパターニング方法。 - 【請求項１２】 前記基板は、紙エポキシ、ガラスエポ
キシ、ガラス、プラスチックのうちの少なくとも一つか
らなることを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜のパ
ターニング方法。 - 【請求項１３】 導電性の薄膜のパターニング方法であ
って、 基板に絶縁性膜を形成し、 前記絶縁性膜に重合する作用のある材料を塗布すること
を特徴とする薄膜のパターニング方法。 - 【請求項１４】 前記絶縁性膜は、絶縁性ポリマーであ
ることを特徴とする請求項１３記載の薄膜のパターニン
グ方法。 - 【請求項１５】 前記絶縁性膜に重合する作用のある材
料は、導電性ポリマーであることを特徴とする請求項１
３記載の薄膜のパターニング方法。 - 【請求項１６】 請求項１乃至１５のいずれか一項記載
の薄膜のパターニング方法を用いて作成されたことを特
徴とする回路基板。 - 【請求項１７】 請求項１乃至１５のいずれか一項記載
の薄膜のパターニング方法を用いて作成され導電性の薄
膜パターン上に、少なくとも発光層を形成してなること
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項１８】 前記発光層は、一対の電極で挟まれて
いることを特徴とする請求項１７記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス装置。 - 【請求項１９】 請求項１乃至１５のいずれか一項記載
の薄膜のパターニング方法を用いて作成され導電性の薄
膜パターンが正孔注入層をなすことを特徴とする有機エ
レクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項２０】 請求項１６記載の回路基板を備えたこ
とを特徴とする電子機器。 - 【請求項２１】 請求項１７乃至１９のいずれか一項記
載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを
特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002136242A JP2003331662A (ja) | 2002-05-10 | 2002-05-10 | 薄膜のパターニング方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、回路基板及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002136242A JP2003331662A (ja) | 2002-05-10 | 2002-05-10 | 薄膜のパターニング方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、回路基板及び電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003331662A true JP2003331662A (ja) | 2003-11-21 |
Family
ID=29698333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002136242A Withdrawn JP2003331662A (ja) | 2002-05-10 | 2002-05-10 | 薄膜のパターニング方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、回路基板及び電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003331662A (ja) |
Cited By (11)
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| JP2005346043A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-12-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法、液晶テレビジョン、及びｅｌテレビジョン |
| WO2006070801A1 (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-06 | Fujikura Ltd. | 電子デバイスおよびその製造方法 |
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-
2002
- 2002-05-10 JP JP2002136242A patent/JP2003331662A/ja not_active Withdrawn
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