CN1479144A

CN1479144A - 制造液晶显示装置的方法

Info

Publication number: CN1479144A
Application number: CNA031501702A
Authority: CN
Inventors: 柳熙永
Original assignee: LG Philips LCD Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2002-07-29
Filing date: 2003-07-21
Publication date: 2004-03-03
Anticipated expiration: 2023-07-21
Also published as: US20040017527A1; KR100685924B1; TWI240948B; US6977697B2; JP2004062203A; TW200405400A; CN100353224C; KR20040011198A; JP4625245B2

Abstract

本发明公开了一种制造LCD装置的方法，该方法可用简单的生产工艺步骤形成带有突起的反射电极，由此提高了反射性。所述方法包括：在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成光刻胶层，其中光刻胶层带有多个圆形突起和圆形凹谷；通过对第一绝缘层和光刻胶层进行蚀刻在第一绝缘层上形成多个圆形突起和圆形凹谷；和在第一绝缘层上形成反射电极。

Description

制造液晶显示装置的方法

本申请要求2002年7月29日申请的第P2002-44657号韩国专利申请的权益，相对于本申请所涉及的所有目的而言，将上述申请在本申请中引作参考。

技术领域

本发明涉及一种制造液晶显示(LCD)装置的方法，更确切地说，涉及一种制造提高了反射率的LCD装置的方法。

背景技术

随着信息社会的发展，对于各种显示装置的需求日益提高。因此，在研究和开发诸如液晶显示器(LCD)，等离子体显示板(PDP)，电致发光显示器(ELD)，和真空荧光显示器(VFD)等各种平板显示装置方面进行了大量努力，而且这些平板显示装置中的某些种类已经应用于各种设备的显示器中。

在各种平板显示装置中，LCD装置由于其具有尺寸薄、重量轻、能耗低等优点而获得了最广泛的使用，LCD装置因此而替代了阴极射线管(CRT)。除了例如笔记本电脑的显示器等移动型LCD装置外，还开发了用于计算机监视器和电视机上可接收和显示广播信号的LCD装置。

尽管在不同领域中根据使用情况对LCD技术进行了各种技术开发，但是与LCD装置的其他特征和优点相比，在提高LCD装置图像质量方面的研究还存在某些方面的不足。因此，为了能在各种应用环境下象使用普通显示器那样使用LCD装置，所述LCD装置应该能够生成例如在大尺寸屏幕内具有高分辨率和高亮度的高质量画面，同时应仍然是重量轻、尺寸薄和能耗低。

LCD装置通过借助于电介质各向异性的电场控制液晶的光透射率来显示图像或画面。

LCD装置不同于例如电致发光(EL)装置、阴极射线管(CRT)和发光二极管(LED)装置等显示装置。EL、CRT和LED装置均可自发光，但是LCD装置则是利用环境光作为光源。

有两种不同类型的LCD装置，透射型LCD装置和反射型LCD装置。透射型LCD装置以在LCD面板背面的背光作为光源，因此，透射型LCD装置可以根据液晶的取向通过控制光的透射率在低光环境下显示图像映像。然而，透射型LCD装置的问题在于它的能耗高。同时，反射型LCD装置利用环境光作为光源，所以能耗比较低。然而，反射型LCD装置的问题在于它不能在低光环境下显示图像映像。

为了解决透射型和反射型LCD装置的上述问题，而提出了透射反射型LCD装置。透射反射型LCD装置可以根据需要作为反射型LCD或透射型LCD使用。

图1是表示现有技术中反射型彩色LCD装置的剖面图。参照图1，现有技术中的反射型彩色LCD装置包括带有滤色片层(未示出)和公用电极17的上衬底13，带有薄膜晶体管(未示出)和反射电极16的下衬底11，以及设在下衬底11和上衬底13之间的液晶19。这时，液晶19的液晶分子在电场的作用下按预定方向取向，即，液晶19是根据液晶分子取向控制光透射率的光学各向异性介质。在此，可以用具有光学各向异性特征的预定介质来代替液晶19。

此外，在下衬底11和上衬底13各自的外表面上形成多层介质以控制光的偏振状态。例如，在上衬底13上依次沉积散射膜21、迟滞膜23和偏振片25。形成散射膜21是为了通过散射光获得宽视角，迟滞膜23包括具有使反射电极感光的λ/4波片特征的第一相位差膜，和具有λ/2波片特征的第二相位差膜。

当在断开状态没有将电压施加到迟滞膜23上时，光的相位产生反转，因此向外发射一定量的光。这样，便形成了具有高亮度特征的LCD板。而且，偏振片25仅使具有特定偏振量的光通过。

图2是表示现有技术所述反射型LCD装置中阵列衬底的平面图。如图2中所示，在下衬底11上沿一个方向形成多条相隔一定间距的栅极线33，和形成多条与栅极线33垂直并具有固定间隔的数据线36，所述栅极线和数据线构成多个象素区。在由栅极线33和数据线36交叉构成的每个象素区P内形成矩阵型象素电极(反射电极)16。然后，形成多个薄膜晶体管T，所述薄膜晶体管T根据栅极线33上的信号导通或断开以便把数据线36上的信号发送到象素电极(反射电极)16。

这时，薄膜晶体管T包括从栅极线33上延出的栅极27，设在下衬底11整个表面上的栅极绝缘层(未示出)，设在栅极27上方的栅极绝缘层上的半导体层30，从数据线36延出的源极29，和与源极29相对的漏极31。漏极31通过接触孔35与象素电极16电性连接。

同时，将下衬底11粘合到上衬底(未示出)上，且两衬底之间留有预定间隙。

上衬底包括用于防止光泄漏的黑底层。黑底层具有与下衬底11上的象素区P对应的开口、显示彩色的R/G/B滤色片层、和与象素电极(反射电极)16一起驱动液晶的公用电极。

用衬垫料使下衬底和上衬底11和13之间保持预定间隙，然后用带有液晶注入孔的密封剂将下衬底和上衬底11和13彼此粘合。接着，通过液晶注入孔将液晶注入到下衬底和上衬底11和13之间。

图3是表示沿图2中的线II-II’剖开的LCD装置的剖面图。参照图3，在下衬底11上沉积诸如铝Al、铝合金、钼Mo、钨W或铬Cr等导电金属材料，然后通过光刻选择性地形成图形，由此形成栅极线33和从栅极线33上延出的栅极27。随后，用诸如氮化硅SiNx或氧化硅SiOx等无机绝缘材料或诸如苯并环丁烯BCB或丙烯酸树脂等有机绝缘材料形成栅极绝缘层28。接着，在包含栅极绝缘层28的下衬底11的整个表面上形成含有纯非晶硅和杂质的非晶硅，随后通过光刻选择性地除去一部分非晶硅，由此在栅极27上方的栅极绝缘层28上形成岛形半导体层30。

接下来，将上述导电金属层沉积在包含半导体层30的下衬底11的整个表面上，然后，通过光刻选择性地除去一部分导电金属层，由此形成基本上与栅极线33垂直的数据线36。在半导体层上形成与栅极27局部重叠的源极29，而在与源极29相隔一定距离处形成漏极31。随后，用例如苯并环丁烯(BCB)或丙烯酸树脂等有机绝缘材料形成钝化层36，并通过光刻选择性地除去一部分钝化层，以形成暴露漏极31的接触孔35。在下衬底11的钝化层36和接触孔35的整个表面上沉积诸如铝Al等高反射率不透明金属，然后通过光刻选择性除去一部分金属，由此在象素区P内形成通过接触孔35与漏极31电性连接的象素电极(反射电极)16。

下面将参照图4-6描述现有技术中制造LCD装置的方法。图4是表示具有反射电极的现有技术中LCD装置的平面图，所述反射电极带有突起，而图5是表示沿图4中的线IV-IV’剖开的现有技术中LCD装置的剖面图。

如图4和图5所示，在下衬底11上形成薄膜晶体管T(栅极27、栅极绝缘层28、源极29、漏极31和半导体层30)，在包含薄膜晶体管T的下衬底11的整个表面上形成钝化层36。然后在钝化层36上以固定间隔形成多个由光敏压克力材料构成的突起37a。在包含薄膜晶体管T的下衬底11的整个表面形成多个具有固定间隔的突起是为了改善光反射角。

在带有突起37a的钝化层36上形成反射电极16，并使反射电极与薄膜晶体管T的漏极31电性连接。由于在钝化层36上形成突起37a，所以反射电极16的表面不平整。因此，如果入射光被反射和发射，反射电极16将使从不同角度射到突起37a上的光会聚，并以预定角度发射会聚光。在包含突起37a的下衬底11的整个表面上形成有机绝缘层38，并且在有机绝缘层38上形成反射电极16。

图6A-图6E是表示沿图4中线IV-IV’剖开的现有技术中LCD装置制造工艺步骤的剖面图。

如图6A所示，在包含薄膜晶体管T的下衬底11的整个表面上形成钝化层36，而在钝化层36上沉积光敏丙烯酸树脂37。

在图6B中，通过曝光和显影工序使光敏丙烯酸树脂37形成图形，由此形成多个具有固定间隔的光敏丙烯酸树脂图形37b。

在图6C中，通过热处理使多个光敏丙烯酸树脂图形37b软熔，由此形成多个半球形突起37a。

在图6D中，在包含半球形突起37a的下衬底11的整个表面上形成有机绝缘层38。接着，通过光刻选择性地除去一部分有机绝缘层38和钝化层36以便暴露薄膜晶体管的漏极31，由此形成接触孔35。

在图6E中，在包含接触孔35的下衬底11的整个表面上沉积诸如铝Al等高反射率不透明金属层，然后，通过光刻选择性地除去一部分不透明金属层，由此在象素区内形成与漏极31接触的反射电极16。反射电极16是象素电极。由于存在多个突起37a，所以反射电极16的表面不平整。

然而，现有技术中制造LCD装置的方法存在以下缺点。在制造现有技术所述LCD装置的方法中，用光敏压克力材料形成具有不平表面的反射电极，而且必须进行热处理，所以制造过程复杂而且增加了生产成本。

发明内容

因此，本发明在于提供一种制造LCD装置的方法，该方法基本上克服了因现有技术的局限和缺点而导致的一个或多个问题。

本发明的优点在于提供了一种用简单的生产工艺步骤制造反射电极上带有突起的LCD装置的方法，由此可提高反射率。

本发明的其它特征和优点将在下面的说明中给出，其中一部分特征和优点可以由本领域的普通技术人员从说明书中明显得出或是通过本发明的实践而得到。通过在文字说明部分、权利要求书以及附图中特别指出的结构，可以实现和获得本发明的目的和其它优点。

为了得到这些和其它优点并根据本发明的目的，作为概括性的和广义的描述，本发明所述的制造LCD装置的方法包括：在一个衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成光刻胶层，其中光刻胶层带有多个圆形突起和圆形凹谷；通过对第一绝缘层和光刻胶层进行蚀刻，在第一绝缘层上形成多个圆形突起和圆形凹谷；在第一绝缘层上形成反射电极。第一绝缘层可以用例如丙烯酸树脂、聚酰亚胺、BCB、氧化物或氮化物等有机绝缘层制成。而且，蚀刻工序可以在衬底的整个表面上用SF₆、O₂和He的复合气体完成。形成光刻胶的步骤可以包括：在第一绝缘层上沉积光刻胶；在预定温度下对沉积了光刻胶的衬底进行几分钟软化烘烤处理；通过对光刻胶进行曝光和显影处理使光刻胶形成图形；和在预定温度下对光刻胶图形进行几分钟硬化烘烤处理。反射板可以用Al、Ag、Au、MoW、Al-Nd合金和Cr中的任何一种制成。上述方法可以进一步包括的步骤有，在具有突起的第一绝缘层上形成反射电极之前，先在第一绝缘层上形成第二绝缘层。

按照本发明的另一方面，所述用于制造LCD装置的方法包括：在具有薄膜晶体管的衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成光刻胶层，其中光刻胶层带有多个圆形突起和圆形凹谷；通过对第一绝缘层和光刻胶层进行蚀刻，在第一绝缘层上形成多个圆形突起和圆形凹谷；在第一绝缘层上形成反射电极；在第一绝缘层和反射电极上形成第二绝缘层；通过选择性除去第一和第二绝缘层的一部分而形成用于暴露薄膜晶体管预定部分的接触孔；和形成通过接触孔与漏极电性相连的透明电极。

很显然，上面对本发明的一般性描述和下面的详细说明都是示例性和解释性的，其意在对本发明的权利要求作进一步解释。附图说明

本申请所包含的附图用于进一步理解本发明，其与本申请相结合并构成本申请的一部分，所述附图表示本发明的实施例并与说明书一起解释本发明的原理。

附图中：

图1是表示现有技术中反射型彩色LCD装置的剖面图；

图2是表示现有技术中反射型彩色LCD装置的阵列衬底的平面图；

图3是表示沿图2中的线I-I’剖开的LCD装置的剖面图；

图4是表示包含带有突起的反射电极的现有技术中LCD装置的平面图；

图5是表示沿图4中的线IV-IV’剖开的LCD装置的剖面图；

图6A-6E是表示制造沿图4中的线IV-IV’剖开的现有技术中LCD装置的剖面图；

图7A-7F是表示制造按照本发明第一实施例所述LCD装置的工艺步骤的剖面图；

图8是表示图7B中光刻胶层状态的照片；

图9是表示形成图7F中的反射电极之后的状态的剖面照片；

图10A-10G是表示制造按照本发明第二实施例所述LCD装置的工艺步骤剖面图。

具体实施方式

现在将详细说明本发明的实施例，所述实施例的实例示于附图中。在所有附图中将尽可能地用相同的参考标记表示相同或相似的部件。

下面，将参照附图说明制造按照本发明第一实施例所述LCD装置的方法。

图7A-7F是表示制造按照本发明第一实施例所述LCD装置的工艺步骤的剖面图。

在图7A中，在包含薄膜晶体管的下衬底41的整个表面上形成第一绝缘层42。第一绝缘层42可以用例如丙烯酸树脂、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)、氧化物层或氮化物层等有机绝缘层构成，该层的厚度为约1μm-约5μm。接着在第一绝缘层42上沉积光刻胶层43。然后，在约80℃的低温下对下衬底41进行两分钟的软化烘烤，使有机溶剂从沉积在下衬底41整个表面上的光刻胶43挥发。软化烘烤工序可以是热板法、氮化物加热法、红外线加热法、微波加热法和恒温浴法。

通常，薄膜晶体管可以包括位于下衬底41预定区域上的栅极44，设在包含栅极44的下衬底41整个表面上的栅极绝缘层45，设在栅极44上方的栅极绝缘层45上的半导体层46，和以预定间隔与半导体层46局部重叠的源极/漏极47和48。

如图7B所示，通过曝光和显影工序使光刻胶43形成一定图形，由此形成具有圆形突起和圆形凹谷的光刻胶层43a。然后，在约100摄氏度-约200摄氏度的高温下对具有圆形突起和圆形凹谷的光刻胶层43a进行约2或3分钟硬化烘烤。这样，将使光刻胶层43a具有小的圆形掩模图形(直径约为5μm)，即，可以在照相工序中形成圆形突起和圆形凹谷的图形。

进行硬化烘烤处理是为了使光刻胶层43a固化。在曝光和显影工序之后，光刻胶层43a可能具有未挥发的有机成分或未固化的部分。因此，要对光刻胶层43a进行热处理使得光刻胶层43a牢固地粘合到第一有机绝缘层42上。由此，可以提高光刻胶层43a的抗蚀性。

在图7C中，对包含光刻胶层43a和第一绝缘层42的下衬底41的整个表面进行蚀刻，由此复制光刻胶层43a的形状，并除去预定厚度的第一绝缘层42。这样，便在第一绝缘层42的表面上形成了多个圆形突起42a和圆形凹谷。在此，可以用SF₆、O₂和He的复合气体对包含光刻胶层43a的下衬底41的整个表面进行蚀刻。

同时，通过干蚀刻可以在第一绝缘层42上形成圆形突起42a和圆形凹谷。当通过蚀刻除去光刻胶层43a时，第一有机绝缘层42可以因光刻胶层43a而形成带有多个圆形突起42a和圆形凹谷的不平坦表面。在由普通光刻胶制成的光刻胶层43a上形成的圆形突起和圆形凹谷是耐热和耐化学性的，因此，很难在装置上直接形成圆形突起和圆形凹谷。

如图7D中所示，在包含带有圆形突起42a和圆形凹谷的第一绝缘层42的下衬底41的整个表面上形成用与第一绝缘层42相同的材料制成的具有预定厚度的第二绝缘层49。在第一绝缘层42的表面上形成多个圆形突起42a和圆形凹谷之后，用与第一绝缘层42相同(相似)的材料涂敷第二绝缘层49，以便基本上消除圆形突起42a之间的平坦区从而形成圆形凹谷。或者，也可以不要求在具有多个圆形突起42a和圆形凹谷的第一绝缘层42上形成第二绝缘层49。为了提高光的有效性，优选形成圆形突起42a和圆形凹谷，以便使圆形突起的顶部和相邻圆形凹谷的底部之间的距离或高度H约为0.5μm-1μm。而且，优选使突起42a的高度H和圆形突起42a中点之间的距离W之比为1∶10-1∶30。

参照图7E，选择性地除去一部分第一和第二绝缘层42和49，以便暴露薄膜晶体管的漏极，从而形成接触孔50。

如图7F所示，在包含接触孔50的下衬底41的整个表面上沉积具有高反射性的不透明导电金属，例如铝Al，然后通过光刻选择性地除去一部分金属，从而在象素区上形成与漏极接触的反射电极51。反射电极51是象素电极。由于在第一绝缘层42的表面上形成突起42a的缘故，所以反射电极51的表面不平整。具有高反射性的不透明导电金属层可以用Al、Ag、Au、MoW、Al-Nd合金或者Cr制成。

在按照本发明所述的上述LCD装置中，反射电极51的表面不平整，因此提高了反射电极51的反射性。

图8是表示图7B中光刻胶层43a状态的照片。在光刻胶层43a上形成多个位于象素区内的圆形突起和圆形凹谷。

图9是表示在反射电极形成之后反射电极51状态的照片。反射电极51的表面不平整。

现在，将说明用于制造本发明所述反射型LCD装置的方法。然而，用本发明所述方法有可能形成带有不平整表面的反射部分的透射反射型LCD装置。而且，在本发明所述制造反射型LCD装置的方法中，反射电极51起象素电极的作用。此外，也可以在形成带有不平整表面的反射电极后再形成象素电极。

图10A-10G是表示制造按照本发明第二实施例所述LCD装置的工艺步骤的剖面图。

如图10A所示，在包含薄膜晶体管的下衬底101的整个表面上形成第一绝缘层102。第一绝缘层102可以用例如丙烯酸树脂、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)、氧化物层或氮化物层等有机绝缘层构成，该层的厚度为约1μm-约5μm。接着在第一绝缘层102上沉积光刻胶103。然后，在约80℃的温度下对下衬底101进行两分钟的软化烘烤处理，使有机溶剂从沉积在下衬底101整个表面上的光刻胶103上挥发。软化烘烤工序可以是热板法、氮化物加热法、红外线加热法、微波加热法和恒温浴法。

通常，薄膜晶体管可以包括位于下衬底101预定区域上的栅极104，设在包含栅极104的下衬底101整个表面上的栅极绝缘层105，设在栅极104上方的栅极绝缘层105上的半导体层106，和以预定间隔与半导体层106局部重叠的源极/漏极107和108。

如图10B所示，通过曝光和显影工序使光刻胶103形成一定图形，由此形成具有圆形突起和圆形凹谷的光刻胶层103a。然后，在约100摄氏度-约200摄氏度的温度下对光刻胶层103a进行约2或3分钟硬化烘烤处理。这样，将使光刻胶层103a具有小的圆形掩模图形(直径约为5μm)，即，可以在照相工序中形成圆形突起和圆形凹谷的图形。

进行硬化烘烤处理是为了使光刻胶层103a固化。在曝光和显影工序之后，光刻胶层103a可以具有未挥发的有机成分或未固化的部分。因此，要对光刻胶层103a进行热处理使得光刻胶层103a牢固地粘合到第一有机绝缘层102上。由此，可以提高光刻胶层103a的抗蚀性。

在图10C中，对包含光刻胶层103a的下衬底41的整个表面进行蚀刻，由此复制光刻胶层103a的形状，并除去预定厚度的第一绝缘层102。这样，便在第一绝缘层102的表面上形成了多个圆形突起102a和圆形凹谷。在此，可以用SF₆、O₂和He的复合气体对包含光刻胶层103a的下衬底101的整个表面进行蚀刻。

同时，通过干蚀刻可以在第一绝缘层102上形成圆形突起102a和圆形凹谷。当通过蚀刻除去光刻胶层103a时，第一有机绝缘层102可以因光刻胶层103a而形成带有多个圆形突起102a和圆形凹谷的不平坦表面。在由普通光刻胶制成的光刻胶层103a上形成的圆形突起和圆形凹谷是耐热和耐化学性的，因此，很难在装置上直接形成圆形突起。

如图10D中所示，在包含带有圆形突起102a和圆形凹谷的第一绝缘层102的下衬底101的整个表面上形成用与第一绝缘层102相同的材料制成的具有预定厚度的第二绝缘层109。在第一绝缘层102的表面上形成多个圆形突起102a和圆形凹谷之后，用与第一绝缘层102相同(相似)的材料涂敷第二绝缘层109，以便基本上消除圆形突起102a之间的平坦区从而形成圆形凹谷。或者，也可以不要求在具有多个圆形突起102a和圆形凹谷的第一绝缘层102上形成第二绝缘层109。为了提高光的有效性，优选形成圆形突起102a和圆形凹谷，以便使圆形突起的顶部和相邻圆形凹谷的底部之间的距离或高度H为约0.5μm-约1μm。而且，优选使突起102a的高度H和突起102a中点之间的距离W之比为1∶10-1∶30。

参照图10E，在下衬底101的整个表面上沉积不透明金属层，然后通过光刻选择性地除去一部分金属层，从而形成反射电极110。由于在第一绝缘层102上形成多个圆形突起102a和圆形凹谷的缘故，所以反射电极110的表面不平整。在此，不透明金属层可以用Al、Ag、Au、MoW、Al-Nd合金和Cr中的一种制成。

如图10F所示，可以在包含反射电极110的下衬底101的整个表面上形成第三绝缘层111，然后通过光刻选择性地除去第一、第二和第三绝缘层102、109和111的一部分以便暴露漏极108的预定部分，从而形成接触孔112。

参照图10G，可以在包含接触孔112的下衬底101的整个表面上沉积透明金属层，然后通过光刻选择性地除去一部分金属层。由此，形成透明电极113并使其通过接触孔112与漏极108电性相连，而且透明电极113盖住反射电极110。可以用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO)通过CVD法或溅射法形成透明金属层。

如上所述，按照本发明所述制造LCD装置的方法具有以下优点。在绝缘层上形成带有圆形突起和圆形凹谷的光刻胶层后，可以同时对光刻胶层和绝缘层进行蚀刻，从而在绝缘层上形成圆形突起和圆形凹谷，然后，在其上形成反射电极，以此提高反射性。如果同时形成普通光刻胶层和具有圆形突起和圆形凹谷的反射电极，则可降低生产成本。而且，可通过简单的制造工艺步骤形成具有圆形突起和圆形凹谷的反射电极，所以能获得高质量的反射或透射反射型LCD装置。

对于熟悉本领域的技术人员来说，很显然，在不脱离本发明构思或范围的基础上，可以对本发明做出各种改进和变型。因此，本发明意在覆盖那些落入所附权利要求及其等同物范围内的改进和变型。

Claims

1.一种制造LCD装置的方法包括：

在衬底上形成第一绝缘层；

在第一绝缘层上形成光刻胶层，其中光刻胶层带有多个圆形突起和圆形凹谷；

通过对第一绝缘层和光刻胶层进行蚀刻，在第一绝缘层上形成多个圆形突起和圆形凹谷；

在第一绝缘层上形成反射电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一绝缘层由有机绝缘层构成。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一绝缘层用丙烯酸树脂、聚酰亚胺、BCB、氧化物或氮化物中的任何一种制成。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一绝缘层的厚度为约1μm-约5μm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻工序是用SF₆、O₂和He复合气体完成的。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成光刻胶层的步骤进一步包括：

在第一绝缘层上沉积光刻胶；

在预定温度下对沉积了光刻胶的衬底进行几分钟软化烘烤处理；

通过对光刻胶进行曝光和显影处理使光刻胶形成图形；和

在预定温度下对光刻胶层进行几分钟硬化烘烤处理。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，软化烘烤处理是在约80摄氏度的温度下持续约2分钟完成的。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，硬化烘烤处理是在约100摄氏度至约200摄氏度的温度下持续2-3分钟完成的。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，反射电极用Al、Ag、Au、MoW、Al-Nd合金和Cr中的任何一种材料制成。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括的步骤有，在具有圆形突起和圆形凹谷的第一绝缘层上形成反射电极之前，先在第一绝缘层上形成第二绝缘层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，第一绝缘层是用与第二绝缘层相同的材料制成的。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，圆形突起的顶部和相邻圆形凹谷的底部之间的距离在约0.5μm-约1μm的范围内。

13.一种制造LCD装置的方法包括：

在具有薄膜晶体管的衬底上形成第一绝缘层；

在第一绝缘层上形成反射电极；

在第一绝缘层和反射电极上形成第二绝缘层；

通过选择性除去第一和第二绝缘层的一部分形成用于暴露薄膜晶体管预定部分的接触孔；和

形成通过接触孔与漏极电性相连的透明电极。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，第一和第二绝缘层是用相同材料制成的。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，第一和第二绝缘层是用选自丙烯酸树脂、聚酰亚胺、BCB、氧化物和氮化物的材料制成的。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，第一绝缘层的厚度为约1μm-约5μm。

17.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，蚀刻工序是用SF₆、O₂和He复合气体完成的。

18.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，形成光刻胶层的步骤进一步包括：

在第一绝缘层上沉积光刻胶；

通过对光刻胶进行曝光和显影处理使光刻胶形成图形；和

在预定温度下对光刻胶层进行几分钟硬化烘烤处理。

19.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，反射电极可以用选自Al、Ag、Au、MoW、Al-Nd合金和Cr的材料制成。

20.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，用选自ITO、IZO或ITZO中的任何一种形成透明电极。