CN1276289C - 显示板用基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

显示板用基板的制造方法包括在透光性基板上形成有机绝缘膜的成膜工序；使上述有机绝缘膜形成图案、从而贯穿有机绝缘膜、形成第1开口及小于第1开口的第2开口的图案形成工序。特别是该图案形成工序包含使用平均透光率设定为在第1开口用的透光区域(LT1)低于在第2开口用的透光区域(LT2)的光掩膜(MK)、有选择地使有机绝缘膜曝光、除去该曝光部分的光刻处理。

Description

显示板用基板的制造方法
技术领域
本发明涉及例如制造液晶显示板所使用的显示板用基板的制造方法，特别是涉及适用于以多个开口不同的大小形成的有机绝缘膜层压成的透光性基板的显示板用基板制造方法。
背景技术
液晶显示装置应用于个人计算机、电视机、文字处理器、携带电话之类的设备。而对上述设备的小型化、节电、降低成本等、以及提高功能的要求越来越高。为了满足上述要求，正在开发以周围光为光源使用的反射型液晶显示装置和以后照光及周围光为光源一并使用的半透过型液晶显示装置。
例如，半透过型液晶显示装置具有与透过型相同地液晶层夹在阵列基板及对向基板之间的构造的显示板。一般，阵列基板具有矩阵状配置的多个像素电极及与上述像素电极相接的多个开关单元，对向基板具有与多个像素电极对向的单一的对向电极。这里各像素电极具有例如反射电极部及以被该反射电极部包围的作为光透过窗形成的透过电极部。反射电极部反射从对向基板通过液晶层入射的周围光作为反射光，透过电极部透过从阵列基板侧入射的后照光作为透过光。上述形式可通过使在透过电极部上的液晶层的厚度约为反射电极部厚度的2倍，在反射电极部及透过电极部之间设置高低差，使对反射光及透过光的光学条件最为合适，从而可同时降低反射率及透过率的损失。
阵列基板的制造过程中，在薄膜晶体管作为开关单元在玻璃基板等透明的绝缘板上形成之后，有机绝缘膜覆在开关单元上而形成，此外，为了得到放置透过电极部的第1开口及成为开关单元的接触孔的第2开口，有选择性地形成图案。第1及第2开口是经使用如图22所示的平面图形的光掩膜、使有机绝缘膜曝光、将该曝光部分有选择地除去的光刻处理面形成的。在该处理之后，溅射形成例如由ITO构成的、覆盖在有机绝缘膜、第1及第2开口上的透明导电膜，再形成像素电极形状的图案。这样，透明导电膜在第2开口内与开关单元接合。之后，进行溅射，使由金属构成的反射导电膜覆盖于透明导电膜上，在第1开口内形成露出透明导电膜的反射电极形状的图案。反射电极部是由在第1开口周围的覆盖透明导电膜的反射导电膜得到的，透过电极部是由在第1开口内露出的透明导电膜得到的。因此，透过电极部和反射电极部的高低差可取决于有机绝缘层的厚度进行设定。
而成为接触孔的第2开口与放置透过电极部的第1开口相比小。因此，在使用图22所示的光掩膜进行有机绝缘膜的曝光时，第2开口用的曝光部分的曝光量易不足。如果为了得到确实贯穿有机绝缘膜的接触孔而增大光源光的光量，则向第1开口用的曝光部分入射的光的光量要增大到所需以上，不能勿视由于载置用有机绝缘膜覆盖透明绝缘基板上的开关单元的阶梯形的阵列基板的曝光设备载台表面状态而产生的影响。即，在曝光设备载台上，设有多个用于抬起基板的销插入孔和阵列基板的吸附用真空孔等。在没有该销插入孔和真空孔存在的部位，有机绝缘膜如图23所示由于透过阵列基板、在曝光设备载台表面反射的光被双重曝光。该结果是第1开口形成如图24所示的大小L1。与此相反，在有销插入孔和真空孔的存在的情况下，由于如图25所示透过阵列基板的光在曝光设备载台表面不发生反射，所以如图26所示形成的第1开口的大小为小于L1的L2。如上所述的第1开口的大小偏差作为载台痕迹不均反映在由于反射光而引起显示图像上，使显示质量明显降低。
该载台痕迹不均可通过增大抑制透过光掩膜的透过光的光量而得到缓解，但难以形成具有高度可靠性的接触孔，发生由于接触孔的不良而导致显示画面内点缺陷增加的问题。如果接触孔预先设定各较大，则虽可不必显著光源增大光的光量，但反射电极部的有效面积也随之减小，因此，不能维持高反射率。
发明内容
本发明可改善上述不利的状况，其目的是提供一种能不增加点缺陷、获得显示质量良好、无不均的显示板用基板的制造方法。
本发明提供的显示板用基板的制造方法包括在透光性基板上形成有机绝缘膜的成膜工序；使有机绝缘膜形成图案、从而贯穿有机绝缘膜、形成第1开口及小于第1开口的第2开口的形成图案工序；图案形成工序包含使用平均透光率设定为在第1开口用的透光区域中低于在第2开口用的透光区域的光掩膜、有选择地对有机绝缘膜曝光、除去该曝光部分的光刻处理。
为了形成第1开口及小于该第1开口的第2开口，该制造方法中使透光性基板上的有机绝缘膜有选择地曝光。这是由于使用设定成平均透光率在第1开口用的透光区域上低于第2开口用的透光区域的光掩膜而进行的，可利用平均透光率之差分别使第1开口用的曝光量和第2开口用的曝光量为最佳。该情况下，即使增大光源的光量、从而确实贯穿有机绝缘膜、形成第2开口，但在第1开口用的透光区域，来自该光源的光与第2开口用的透光区域相比也还是减弱后照射有机绝缘膜。因此，即使该照射光透过透光性基板、到达将其载置的曝光设备载台，也不会出现因取决于曝光设备载台阶表面状态的反射的有无而引起的第1开口大小的明显偏差。由此可不增加点缺陷、得到均匀的良好显示质量。
附图说明
图1为表示与本发明的1实施形态相关的半透过型液晶显示装置概略的电路结构图。
图2为表示图1所示的显示像素附近的平面结构图。
图3为表示图2所示的显示像素附近的断面结构图。
图4为表示形成贯穿图3所示的有机绝缘膜的第1及第2开口的光刻处理所使用的光掩膜的平面图形的示意图。
图5为表示图1所示的液晶显示板所使用的阵列基板的制造工序之断面图。
图6为表示图5所示的制造工序之后所进行的阵列基板的制造工序之断面图。
图7为表示图6所示的制造工序之后所进行的阵列基板的制造工序之断面图。
图8为表示图7所示的制造工序之后所进行的阵列基板的制造工序之断面图。
图9为表示图8所示的制造工序之后所进行的阵列基板的制造工序之断面图。
图10为表示图9所示的制造工序之后所进行的阵列基板的制造工序之断面图。
图11为表示图10所示的制造工序之后所进行的阵列基板的制造工序之断面图。
图12为表示图11所示的制造工序之后所进行的阵列基板的制造工序之断面图。
图13为表示图12所示的制造工序之后所进行的阵列基板的制造工序之断面图。
图14为表示图4所示的光掩膜的第1变形例的示意图。
图15为表示图4所示的光掩膜的第2变形例的示意图。
图16为表示图4所示的光掩膜的第3变形例的示意图。
图17为表示图4所示的光掩膜的第4变形例的示意图。
图18为表示图4所示的光掩膜的第5变形例的示意图。
图19为表示图4所示的光掩膜的第6变形例的示意图。
图20为表示图2所示的显示像素附近的平面结构的变形例的示意图。
图21为表示适合于图20的变形例的光掩膜之平面图形的例子的示意图。
图22为表示用于在有机绝缘膜上形成大小不同的多个开口的曝光处理所使用的光掩膜的平面图形的示意图。
图23为表示使用图22所示的光掩膜的曝光处理所照射的光在没有销插入孔和真空孔的部位、在曝光设备载台表面反射样态的示意图。
图24为表示作为在图23所示的曝光设备载台表面的光反射的结果所得到的开口大小的示意图。
图25为表示使用图22所示的光掩膜的曝光处理所照射的光在有销插入孔和真空孔的部位、在曝光设备载台表面未反射地透过的样态的示意图。
图26为表示作为在图25所示的曝光设备载台表面的光透射的结果所得到的开口的大小示意图。
具体实施方式
以下，关于本发明的一实施形态的半透过型液晶显示装置，一边参照附图一边说明。图1表示该半透过型液晶显示装置的电路结构简图。图2表示图1所示的显示像素附近的平面结构。图3表示图2所示的显示像素附近的断面结构。该液晶显示装置具有如图1所示的液晶显示板1及控制该液晶显示板1的液晶控制器2。液晶显示板1例如具有液晶层LQ保持在阵列基板AR及对向基板CT之间的结构，液晶控制器2设置在从液晶显示板独立出的驱动电路基板上。
阵列基板AR包含矩阵状设置的m×n个像素电极PE、沿着这些像素电极PE的行方向形成的m根扫描线Y(Y1～Ym)、沿着各个像素电极PE的列方向形成的n根信号线X(X1～Xn)、在信号线X1～Xn及扫描线Y1～Ym的交叉位置附近分别设置m×n个像素开关单元3，驱动扫描线Y1～Ym的扫描线驱动电路4以及驱动信号线X1～Xn的信号线驱动电路5。各像素电极PE例如其大小设定为110μm×330μm。
对向基板CT包含与m×n个像素电极PE对向设置并设定为共同电位Vcom的单一的对向电极CE。
液晶控制器2接受由外部提供的数字图象信号及同步信号，产生数字图象信号DATA、垂直扫描控制信号YCT及水平扫描控制信号XCT，垂直扫描控制信号YCT供给扫描线驱动电路4，水平扫描控制信号XCT与图象信号DATA一起供给信号线驱动电路5。扫描线驱动电路4由垂直扫描控制信号YCT控制，使扫描信号在每1垂直扫描(帧)期间依次供给扫描线Y1～Ym。信号线驱动电路5，将在各扫描线Y由扫描信号驱动的1水平扫描期间(1H)输入的数字图象信号数据作串并行变换，此外，由水平扫描控制信号XCT控制，使经数·模变换的模拟图象信号分别供给信号线X1～Xn。
该液晶显示装置中液晶层LQ分别对应于m×n个像素电极PE、划分为m×n个显示像素。图1所示的显示画面DS由上述m×n个显示像素PX构成。各像素开关单元3采集来自对应信号线X的模拟图象信号、加于对应像素电极PE，根据该像素电极PE的电位和对向电极CE的电位之间的电位差，控制对应显示像素PX的透光率。
阵列基板AR中，各像素开关单元3例如如图2所示那样设置的N沟道薄膜晶体管构成，如图3所示具有在玻璃基板等透明绝缘基板6上形成的多晶硅半导体层3P、在该半导体层3P的上方夹着栅极绝缘膜7形成的栅电极3G以及在栅电极3G的两侧与半导体层3P相接的源极及漏电极3S、3D。栅极电极3G在栅极绝缘膜7上与扫描线Y形成为一体。栅极电极3G及扫描线Y与栅板绝缘膜7一同被层间绝缘膜9所覆盖。源极电极3S及漏极电极3D形成于该层间绝缘膜9之上，通过贯穿层间绝缘膜9及栅极绝缘膜7的接触孔与半导体层3P相接。漏极电极3D在层间绝缘膜9上与信号线X形成为一体。源电极3S、漏电极3D及信号线X与层间绝缘膜9一同被保护用无机绝缘膜10所覆盖，该保护用无机绝缘膜10被由正片型感光性树脂膜等组成的有机绝缘膜11所覆盖。
像素电极PE具有反射电极部RF及作为被该反射电极部RF包围的透光窗形成的透过电极部TR。反射电极部RF以从对向基板CT经液晶层LQ入射的周围光作为反射光进行反射，透过电极部RF以从阵列基板AR入射的后照光作为透过光进行透过。详细是，有机绝缘膜11具有放置透过电极部RF的50μm×130μm的第1开口HT及形成像素开关单元3的源极电极3S和反射电极部RF之间的接触孔的11μm×11μm的第2开口HC。第1开口HT及第2开口HC是经例如使用图4所示平面图形的光掩膜MK、使有机绝缘膜11曝光、有选择性地除去该曝光部分的光刻处理，使有机绝缘膜11贯穿而形成的。在第1开口HT内露出的无机绝缘膜10、在第2开口HC内露出的开关单元3的源极电极3S以及有机绝缘膜11例如被由ITO组成的透明导电膜EF1覆盖。透明导电膜EF1除第1开口HT内之外被由金属组成的反射导电膜EF2覆盖。反射电极部RF由在第1开口HT的周围覆盖透明导电膜EF1的反射导电膜EF2而得到。透过电极部TR由在第1开口HT内露出的透明导电膜EF1而得到。
在反射电极部RF下方的有机绝缘膜11的表面，无规则地设置了多个半球状的凸部，反射电极部Rf通过与这些半球状的凸部相对应形成的起伏使反射光向各方向散射。像素电极PE被取向膜12所覆盖。
对向基板CT中，其红、绿及蓝的条纹状的彩色滤色片CF做成与各对应列的像素电极PE对向、在行方向上按顺序排列、形成于玻璃基板等透明绝缘基板20之上，由ITO等透明导电膜构成的对向电极CE形成于彩色滤色片CF之上，还形成有覆盖相对电极CE的取向膜21。
取向膜12及21的取向轴经摩擦处理，例如设定成互相偏差70度。阵列基板AR及对向基板CT使取向膜12及21在内侧、由外边密封材料进行贴合。液晶层LQ是通过在阵列基板AR和对向基板CT贴合之后，从外边密封材料开口部即液晶注入口注入向列型液晶材料，注入后用密封材料密封而得到的。向列型液晶材料例如具有正的介电各向异性，在阵列基板AR及对向基板CT之间扭曲、取向。通过电极部TR及反射电极部RF间的高低差取于于有机绝缘层11的厚度，有机层LQ的厚度设定为在透过电极部TR上的厚度约是在反射电极部RF上的2倍。偏光板PL1在与取向膜12相反一侧贴附于阵列基板AR，偏光板PL2在与取向膜21相反一侧贴附于对向基板CT。
在此，对上述液晶显示板1的阵列基板制造方法进行更详细的说明。
图5～图13表示液晶显示板1所使用的阵列基板的制造工序。图5所示的工序中，在透明绝缘基板6上形成多晶硅半导体膜3P、栅极绝缘膜7、栅极电极3G。然后，在源极区域3SP及漏极区域3DP进行掺杂，作为开关单元3形成薄膜晶体管。
接下来，在图6所示的制造工序中，形成层间绝缘膜9，经蚀刻形成接触孔8A、8B。然后采用溅镀等方法形成金属膜，利用蚀刻通过接触孔8a形成与漏极区域3DP接触的漏极电极3D、通过接触孔8b形成与源区域3SP接触的源极电极3S及形成与该源极电极3S一体的信号线X。
然后，在图7所示的制造工序中，形成透明的保护用无机绝缘膜10，使像素开关单元3的源极电极3S部分露出地形成开口H之后，采用旋转涂敷法等将正片型感光树脂在保护用无机绝缘膜10的整个面上以1μm至4μm左右厚度、例如3.6μm进行涂敷作为有机绝缘膜11。
接下来，将包括透明绝缘基板6、栅极绝缘膜7、层间绝缘膜8、保护用无机绝缘膜10的透光性基板与被层迭的有机绝缘膜11一同进行预烘焙，之后，在图8至图11所示的工序中使有机绝缘膜11形成图形。该形成图形通过使用图4及图8所示的光掩膜MK进行光刻处理，结果形成如图3所示的贯穿有机绝缘膜11的第1开口HT及第2开口HC。
在图8所示的制造工序中，使用光掩膜MK对有机绝缘膜11进行有选择地曝光处理。该光掩膜MK是将由铬(Cr)等组成的遮光膜LM印刷在透明的支持板FM上、再在遮光膜LM上设置开口HT用的透光区域LT1及开口HC用的透光区域LT2。平均透光率设定为在透光区域LT1低于在透光区域LT2。具体是，透光区域LT1是通过在贯穿遮光膜LM的第1透光孔中放置的着色树脂等减光膜ND得到的，透光区域LT2是通过贯穿遮光膜LM的第2透光孔而得到的。与第2透光孔是来自透明支持板FM的入射光以100％的比例一样地透过相比，减光膜ND是来自透明支持板FM的入射光以不足100％的比例一样地透过。为了得到确实贯穿有机绝缘膜11的开口HT及开口HC，该曝光处理中在光源光以100％的透光率透过光掩膜MK的情况下，曝光量设定为300～500mJ/cm2。
然后，在图9所示的工序中，使用光掩膜MK2对有机绝缘膜11进行半曝光的曝光处理。该光掩膜MK2是将由铬(Cr)等组成的遮光膜LM作为多个圆形点印刷在透明的支持板FM上、在这些圆形点的周围设置透光率为100％的透光区域。该曝光处理中为了仅在有机绝缘膜11的表面附近曝光，在光源光以100％的透光率透过光掩膜MK的情况下，曝光量设定为10～200mJ/cm2。
接下来，在图10所示的工序中，进行曝光部的显像，形成贯穿有机绝缘膜11的开口HT及开口HC、以及有机绝缘膜11的表面呈起伏状的凸起部16及凹部17。凸部16对应于圆形点即的遮光膜LM而形成，凹部17对应于圆形点周围的透光区域而形成。使用光掩膜MK2的曝光处理中，由于曝光量设定为10～200mJ/cm2左右，凹部17的底不会贯穿有机绝缘膜11到达保护用无机绝缘膜10的表面。
之后，图11所示的制造工序中，和有机绝缘膜11一同加热透光性基板，则去掉了凸部16及凹部17的角，变为圆滑的半球状凸部18及包围半球状凸部18的凹部19。上述光刻处理一结束，涂敷时厚度为3.6μm的有机绝缘膜11降低到2.0μm左右。
接下来，在12所示的制造工序中，例如采用溅镀法以100nm左右的厚度堆积ITO，使有机绝缘膜11被覆盖，再通过采用光刻法使其形成像素电极形状的图形，从而在开口HT内露出的保护用无机绝缘膜10、在开口HC内露出的源极电极3S及有机绝缘膜11上形成透明导电膜EF1。该透明导电膜EF1在开口HT及开口HC的周围具有与有机绝缘膜11的表面起伏相对应的起伏。
然后，在图13所示的制造工序中，采用溅镀法以100nm左右的厚度堆积Al、Ni、Cr、Ag等金属，使透明导电膜EF1被覆盖，再通过采用光刻法在开口HT内使其形成露出透明导电膜EF1的反射电极形状的图形，从而除开口HT内形成覆盖透明导电膜EF1的反射导电膜EF2。如上所述，反射电极部RF通过在开口HT的周围覆盖透明导电膜EF1的反射导电膜EF2而得到。透过电极部TR通过在开口HT内露出的透明导电膜EF1而得到。反射导电膜EF2在开口HT及开口HC的周围具有与有机绝缘膜11及透过导电膜EF1的表面起伏相对应的起伏。取向膜12是覆盖由上述反射电极部RF及透过电极部TR构成的像素电极PE而形成的。阵列基板AR以上述方法形成。
为了形成开口HT及小于HT的开口HC，本实施形态中使具有透明绝缘基板6、栅极绝缘膜7、层间绝缘膜8、保护用无机绝缘膜10的透光性基板上的有机绝缘膜11有选择地曝光。由于使用平均透光率设定得在开口HT用的透光区域LT1低于在开口HC用的透光区域LT2的光掩膜MK，所以可利用平均透光率之差分别使开口HT用的曝光量和开口HC用的曝光量为最佳。该情况下，即使增大光源的光量、从而确实贯穿有机绝缘膜11、形成开口HC，但在透光区域LT1，来自该光源的光与透光区域LT2相比也还是减弱后照射有机绝缘膜11。因此，即使该照射光透过透光性基板、到达将其载置的曝光设备台座上，也不会出现由于有无取决于曝光设备台座表面状态的反射而引起的开口HT大小明显的偏差。由此可以获得不增加点缺陷、无不均匀的良好显示质量。
图14表示图4所示的光掩膜MK的第1变形例。该变形例中多个透光孔均匀地设置于开口HT用的透光区域LT1，由此可将透光区域LT1设定为部分不同的透光率。具体是，上述透光孔如图14所示以相互平行的多条直线缝隙SL的形式在遮光膜LM形成。上述直线缝隙SL各有3μm的宽度，在像素电极PE的长度方向上以6μm的间隔排列。
根据第1变形例的光掩膜MK，由于不需要图4所示的减光膜ND，所以可用与以往相同的方法形成图14所示的光掩膜MK。因此，与利用图4所示的光掩膜MK相比，可降低制造成本。
图15表示图4所示的光掩膜MK的第2变形例。与第1变形例相同，该变形例是多个透光孔均匀地设置于开口HT用的透光区域LT1，由此可将透光区域LT1设定为部分不同的透光率。但上述透光孔如图15所示以相互平行的多条直线缝隙SL1及包围这些直线缝隙SL1的单一的矩形缝隙SL2的形式在遮光膜LM上形成。该直线缝隙SL1各有3μm的宽度，在像素电极PE的长度方向上以6μm的间隔排列。矩形缝隙SL2有3μm的宽度，与该直线缝隙SL1仅离开6μm。
附带说明，第1变形例中，由于开口HT容易以在该缝隙SL的两端附近向外侧挤出、在由该缝隙间的遮光膜LM构成的遮光部的两端附近向内侧拉入的状态形成，所以，有打乱液晶取向的可能性。
根据第2变形例的光掩膜MK，由于以单一的矩形缝隙SL2包围直线缝隙SL1形成在遮光膜LM上，所以可使开口HT的外边为直线状、降低液晶的取向不良。
图16表示图4所示的光掩膜MK的第3变形例。与第1变形例相同，该变形例中，多个透光孔均匀地设置于开口HT用的透光区域LT1，由此将透光区域LT1设定为部分不同的透光率。此外，这些透光孔作为相互平行的多条直线缝隙SL在遮光膜LM上形成，这也与第1变形例相同。这些直线缝隙SL各有3μm的宽度，在像素电极PE的短边方向以6μm的间隔排列。
根据第3变形例的光掩膜MK，除具有与第1变形例同样的效果之外，可稍些减小开口HT的外缘不呈直线状的范围。
图17表示图4所示的光掩膜MK的第4变形例。与第1变形例相同，该变形例是多个透光孔均匀地设置于开口HT用的透光区域LT1，由此将透光区域LT1设定为部分不同的透光率。这些透光孔不是如第1变形例那样的缝隙SL，而是作为矩形孔SH在遮光膜LM上形成。该矩形孔SH各为3μm×3μm的大小，相互以6μm的间隔排列成矩阵状。
根据第4变形例的光掩膜MK，与第1变形例相同由于不需要图4所示的减光膜ND，所以可采与以往相同的方法形成图17所示的光掩膜MK。因此，与利用图4所示的光掩膜MK的情况相比，可降低制造成本。
图18表示图4所示的光掩膜MK的第5变形例。与第1变形例相同，该变形例中，多个透光孔均匀地设置于开口HT用的透光区域LT1，由此将透光区域LT1设定为部分不同的透光率。该透光孔不是如第4变形例那样的矩形SH，而是作为圆或椭圆的圆形孔RH在遮光膜LM上形成，排列成矩阵状。
按照第5变形例的光掩膜，能获得和第4变动例同样的效果。
图19表示图4所示的光掩膜MK的第6变形例。与第1变形例相同，该变形例中，多个透光孔均匀地设置于开口HT用的透光区域LT1，由此将透光区域LT1设定为部分不同的透光率。该透光孔如图19所示，是以多个圆孔RH及包围这些圆孔RH的多个最外缘的圆孔RH’在遮光膜LM上形成，排列成矩阵状。这些最外缘的圆孔RH’做成大于内侧的圆孔RH。
第4及第5变形例中，由于开口HT容易以在最外缘的透光孔附近向外侧挤出、在由最外缘的透光孔间的遮光膜LM构成的遮光部附近向内侧拉入的状态形成，所以，有打乱液晶取向的可能性。
根据第6变形例的光掩膜MK，由于位于最外缘的透光孔，即最外缘圆孔RH’大于位于内侧的圆孔RH，所以，可使开口HT的外缘接近直线状，降低液晶的取向不良。透光孔为矩形时也相同。
本发明不限于上述实施形态，在不超出其主要内容的范围内可有各种变形。
例如图14至图19所示的变形例，均作为如图2所示的单一的透过电极部TR设置于像素电极PE情况下的例进行说明，但这也适用于如图20所示的多个透过电极部TR设置于像素电极PE的情况。该情况下，例如图21所示的光掩膜MK是用于形成放置该透过电极部TR的多个开口HT。该光掩膜MK具有在各开口HT用的透光区域LT1均匀设置、将该透光区域LT1设定为部分不同的透光率的多个透光孔。在图21中这些透光孔由形成于遮光膜LM上的相互平行的多条直线缝隙SL构成，但以上述变形例说明的其它形状也可。此外，也可在各透光区域LT1设置如图8所示的减光膜ND。

Claims (16)

1.显示板用基板的制造方法，其特征在于，包括在透光性基板(AR)上形成有机绝缘膜(11)的成膜工序；及使上述有机绝缘膜(11)形成图案、从而形成贯穿上述有机绝缘膜(11)的第1开口及小于上述第1开口的第2开口(HC)的形成图案工序；上述形成图案工序包含使用平均透光率设定为在上述第1开口(HT)用的透光区域(LT1)低于在上述第2开口(HC)用的透光区域(LT2)的光掩膜(MK)、有选择地使上述有机绝缘膜(11)曝光、除去该曝光部分的光刻处理。
2.根据权利要求1所述的显示板用基板的制造方法，其特征在于，上述第1开口(HT)用的透光区域(LT1)具有相同的透光率。
3.根据权利要求1所述的显示板用基板的制造方法，其特征在于，上述第1开口(HT)用的透光区域(LT1)具有部分不同的透光率。
4.根据权利要求3所述的显示板用基板的制造方法，其特征在于，上述光掩膜(MK)包括在上述第1开口(HT)用的透光区域(LT1)均匀设置有多个透光孔、在上述第2开口(HC)用的透光区域(LT2)上设置有单一的透光孔的遮光膜(LM)。
5.根据权利要求4所述的显示板用基板的制造方法，其特征在于，上述多个透光孔包含相互平行的多条直线缝隙(SL；SL1)。
6.根据权利要求5所述的显示板用基板的制造方法，其特征在于，上述多个透光孔包含围着上述多条直线缝隙(SL1)的单一的矩形缝隙(SL2)。
7.根据权利要求4所述的显示板用基板的制造方法，其特征在于，上述多个透光孔为圆形及矩形中的任何一种形状。
8.根据权利要求7所述的显示板用基板的制造方法，其特征在于，上述多个透光孔中，位于最外缘的大于位于内侧的。
9.根据权利要求1-8中的任一项所述的显示板用基板的制造方法，其特征在于，还包括在上述透光性基板(AR)上形成在上述第2开口(HC)内露出的开关单元(3)的单元形成工序；及在上述第1开口(HT)内露出的上述透光性基板(AR)及上述有机绝缘膜(11)上形成像素电极(PE)的电极形成工序。
10.根据权利要求9所述的显示板用基板的制造方法，其特征在于，上述电极形成工序包括在上述第1开口(HT)内露出的上述透光性基板(AR)、上述第2开口(HC)内露出的上述开关单元(3)及上述有机绝缘膜(11)上形成透明导电膜(EF1)的工序；以及除上述第1开口(HT)内之外形成覆盖上述透明导电膜(EF1)的反射导电膜(EF2)的工序。
11.根据权利要求10所述的显示板用基板的制造方法，其特征在于，上述形成图案工序包括在上述有机绝缘膜(11)的表面形成起伏的处理，利用对应于该起伏得到的上述反射导电膜(EF2)的起伏使反射光散射。
12根据权利要求9所述的显示板用基板的制造方法，其特征在于，上述电极形成工序包括在上述第2开口(HC)内露出的开关单元(3)及上述有机绝缘膜(11)上形成反射导电膜(EF2)的工序；以及覆盖上述第1开口(HT)内露出的上述透光性基板(AR)、在上述反射导电膜(EF2)上重叠形成透明导电膜(EF1)的工序。
13.根据权利要求12所述的显示板用基板的制造方法，其特征在于，上述形成图案工序包括在上述有机绝缘膜(11)的表面形成起伏的处理，利用对应于该起伏得到的上述反射导电膜(EF2)的起伏使反射光散射。
14根据权利要求9所述的显示板用基板的制造方法，其特征在于，上述单元形成工序包括除对应于上述第2开口(HC)的部分之外覆盖上述开关单元(3)、作为上述透光性基板(AR)的一部分形成上述有机绝缘膜(11)的衬底的无机绝缘膜(10)的工序。
15根据权利要求1所述的显示板用基板的制造方法，其特征在于，上述有机绝缘膜(11)为正片型感光性树脂。
16根据权利要求15所述的显示板用基板的制造方法，其特征在于，上述有机绝缘膜(11)的厚度在0.5μm以上。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050254367A1 (en) 2004-05-13 2005-11-17 Volk Steven B Microminiature optical disc drive with wireless capability
JP2006163317A (ja) * 2004-12-10 2006-06-22 Koninkl Philips Electronics Nv 拡散反射構造体及びその製造方法並びにこれを用いた表示装置
TWI279918B (en) * 2005-06-29 2007-04-21 Quanta Display Inc A method for forming a liquid crystal display
KR101165751B1 (ko) * 2005-07-14 2012-07-18 삼성전자주식회사 액정표시장치와 그 제조방법
US7821613B2 (en) 2005-12-28 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US9000438B2 (en) * 2010-02-26 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20140292819A1 (en) * 2013-04-01 2014-10-02 Htc Corporation Display apparatus and image forming method
CN106536784B (zh) * 2014-06-06 2019-08-30 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模及其前体、以及有机半导体元件的制造方法
CN104934446B (zh) * 2015-06-24 2018-09-04 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN105140231B (zh) * 2015-06-29 2018-07-27 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN105070719A (zh) * 2015-07-10 2015-11-18 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
US10490778B1 (en) * 2018-08-16 2019-11-26 Int Tech Co., Ltd. Light emitting device
CN113327938B (zh) * 2021-05-28 2023-12-22 合肥维信诺科技有限公司 掩膜版、阵列基板的制作方法和显示装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3566874B2 (ja) * 1999-03-08 2004-09-15 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP3471246B2 (ja) * 1999-03-29 2003-12-02 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法

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