CN1468975A - 原子层沉积反应设备 - Google Patents
原子层沉积反应设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1468975A CN1468975A CNA031095100A CN03109510A CN1468975A CN 1468975 A CN1468975 A CN 1468975A CN A031095100 A CNA031095100 A CN A031095100A CN 03109510 A CN03109510 A CN 03109510A CN 1468975 A CN1468975 A CN 1468975A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gas
- sample
- conversion unit
- reaction chamber
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 106
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 title 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 11
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 claims description 7
- 102000029749 Microtubule Human genes 0.000 claims description 6
- 108091022875 Microtubule Proteins 0.000 claims description 6
- 210000004688 microtubule Anatomy 0.000 claims description 6
- 239000000376 reactant Substances 0.000 abstract description 18
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 12
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 241000588731 Hafnia Species 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J hafnium tetrachloride Chemical compound Cl[Hf](Cl)(Cl)Cl PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010223 real-time analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/4558—Perforated rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
Abstract
本发明公开了一种原子层沉积(ALD)反应设备。该提供的设备包括:真空室,其具有进气口、出气口、以及连接进气口和出气口的气流通道;位于真空室内的反应器,其包括反应室和气体分配器,在反应室中,通过气流通道输入的气体与位于反应室内的样品进行反应,而气体分配器位于反应室内以均匀地供给气体;样品位置控制器,其将位于真空室内的样品移动到反应室内;以及分析器,其通过微管连接反应室,分析反应室内产生的气体。该提供的设备可通过维持反应气体的压力和流量来在样品上沉积均匀原子层,并同时沉积和分析原子层。
Description
技术领域
本发明涉及一种原子层沉积(ALD)反应设备,尤其涉及一种ALD反应设备,该设备维持反应室内反应气体的压力和流量。
背景技术
其中的反应混合物顺序加入和去除的原子层沉积(ALD)技术是制造半导体器件时所需的薄膜生长技术之一。ALD反应设备通过与样品表面进行反应的反应气体在样品表面上形成原子层。
图1A是一示意性视图,示出用于ALD的采用行进法的传统反应设备。此处,行进法(即连续气流法)将气体连续地供应给样品,以沉积原子层。参见图1A,气体通过进气口11连续供给,该入口连接反应室13,且输入的气体与设置在反应室13内的样品17反应,以在样品17表面上形成原子层。其后,气体通过出气口15排至外界。
用于ALD的利用行进法的传统反应设备减小了切换气体所需的时间量,且形成了具有优异均匀性的原子层;然而,其难以应用于大尺寸衬底。
图1B是一示意性视图,示出用于ALD的采用簇射方法(showerheadmethod)的传统反应设备。此处,在簇射方法中,反应气体通过布置在反应室内的簇射头喷射到样品上。参见图1B,气体通过进气口21输入到反应室23内,并通过簇射头29均匀地喷射到样品27上。其后,气体通过出气口25排至外界。
用于ALD的利用簇射方法的传统反应设备易于在大尺寸衬底上形成原子层;然而,其难以调整衬底与簇射头之间的距离。
图1A和1B的ALD反应设备具有其尺寸大于进气口11和21的出气口15和25。因此,虽然反应过程后的残余反应气体可容易地排至外界,但是由于上述结构使得反应气体在反应过程中连续供给,所以该设备需要大量气体。此外,ALD传统反应设备被做成一个单独的单元,使得其难以附加安装分析器,该分析器测量反应过程中产生的反应副产物,或测量原子层的厚度、密度或化学键合状态。
发明内容
本发明提供一种用于原子层沉积(ALD)的反应设备,其减少了源气体和反应气体的用量,并在沉积原子层的同时分析反应副产物气体。
根据本发明的一个方面,提供一种用于原子层沉积(ALD)的反应设备,其包括:真空室,其具有进气口、出气口、以及连接进气口和出气口的气流通道;位于真空室内的反应器,其包括反应室和气体分配器,反应室中,通过气流通道输入的气体与位于反应室内的样品进行反应,而气体分配器位于反应室内以均匀地供给气体;样品位置控制器,其将位于真空室内的样品移动到反应室内;以及分析器,其通过微管连接反应室,分析反应室内产生的气体。
此处,气体分配器包括:用于均匀地供应气体的第一气体分配器,该气体通过进气口输入到反应室内;以及,第二气体分配器,其连接反应室的上部,用于将反应室内产生的气体排到出气口,以使反应室内的气体均匀。
优选的是,第一和第二气体分配器由具有多个孔的圆形筛网形成。
优选的是,第一气体分配器的直径大于第二气体分配器的直径。
优选的是,分析器是四极质谱仪(QMS)。
优选的是,真空室还包括用于安装椭圆仪的多个端口。
优选的是,真空室还包括用于将样品输运至真空室外部的样品输运通道。
优选的是,真空室还包括样品输运口,其连接样品输运通道,且样品输运口连接设置在外部的光电子光谱仪(photoelectronic spectrometer)。
根据本发明的ALD反应设备通过保持反应气体的压力和流量可在样品上沉积均匀的原子层。此外,根据本发明的反应设备包括反应设备中的分析器,以在保持沉积条件的同时通过分析产生的反应副产物来测量反应进程。此外,反应设备包括外部分析器来分析样品,以同时沉积和分析原子层。
附图说明
通过参照附图详细说明本发明的优选实施例,本发明的以上方面和优点将更为清晰,其中:
图1A是示出用于原子层沉积(ALD)的利用行进方法的传统反应设备的示意性视图;
图1B是示出用于ALD的利用离子簇射方法的传统反应设备的示意性视图;
图2是示出根据本发明的ALD反应设备的示意性视图;
图3是示出根据本发明的ALD反应设备的剖视图;
图4是示出根据本发明的ALD反应设备的第一气体分配器的透视图;
图5A是一曲线图,示出了光电子光谱分析图谱,其由利用根据本发明的ALD反应设备沉积的原子层获得;以及
图5B是示出图5A的部分A的曲线图。
具体实施方式
现在将详细参照附图说明本发明,附图中示出了本发明的优选实施例。
图2是示出根据本发明的原子层沉积(ALD)反应设备的示意性视图。参见图2,根据本发明的ALD反应设备包括反应器31、包括反应器31的真空室33、在真空室33内移动样品的样品位置控制器35、以及分析反应器31内反应副产物气体的分析器37。
真空室33内部被抽真空,以形成用于在反应器31内平稳地产生物理和化学反应的环境。其后,源气体和反应气体被输入到反应器31,使得原子层因反应器31中源气体和反应气体与样品的反应而形成。此处,反应气体和ALD过程中产生的副产物用分析器37进行定性和定量分析,该分析器连接到反应器31上。此外,布置在真空室33外部的样品位置控制器35将真空室33内的样品移动到反应器31中的适当位置。
图3是示出根据本发明的ALD反应设备的剖视图。此处,根据本发明的反应设备使用了基于行进方法和簇射方法的复合方法。
参见图3,反应器31包括:反应室42,其中,ALD通过源气体和反应气体在样品40上发生;第一气体分配器44,其向反应室42均匀地供给反应气体;以及,第二气体分配器46,其在ALD反应在设置在反应室42内的样品40上发生后,将反应副产物气体排出,以均匀地维持反应室42内的反应气体。
此外,真空室33包括:用于化学气相沉积(CVD)或ALD的反应器31;用于将气体输入到反应器31的进气口52;用于将反应器31中反应过程之后的反应副产物气体排出的出气口54;用于移动样品40的样品输运通道57;连接样品输运通道57以将样品40输运到设置在反应设备外部的光电子光谱仪(未示出)的第一和第二样品输运口58a和58b;以及,用于布置椭圆仪(未示出)的第一和第二端口56a和56b。
反应器31和分析器37布置在真空室33内,或者其它分析器布置在真空室33外部,以同时进行ALD和分析过程。也就是说,由于在ALD过程中产生的气体得以分析,所以可实时分析反应过程的反应状态,且不用附加的设备即可同时进行沉积和分析。
样品位置控制器35将样品40移动到反应室42中的预定位置,以沉积原子层;或将样品40向其上安装椭圆仪的第一和第二口56a和56b移动,以测量样品40的厚度和密度。
分析器37的一个例子包括四极质谱仪(QMS),或残余气体分析器,其通过微管48连接到反应室42,以探测和分析ALD过程中产生的气体、反应副产物气体、以及从样品40上除下的气体。
QMS测量离子的分子量。气态离子通过四极根据质荷比而分散,且探测器收集分散的离子并放大与离子数成比例的电信号。此外,数据系统探测放大电信号以将电信号转变为质谱。
安装在第一和第二口56a和56b上的椭圆仪向样品40上输入一偏振光束,并利用反射的偏振光束探测样品40上的信息。
光电子光谱仪向样品40输入一特定的X射线,并分析自样品40表面发射的光电子能量,以探测样品40上的原子层的成分和化学键合状态。
源气体和反应气体通过进气口52输入到反应室42,并利用第一气体分配器44均匀地供给到反应室42。源气体和反应气体于样品40反应,以在样品40表面上沉积原子层。其后,残余气体集中到样品40的中部,并通过第二气体分配器46排至出气口54。ALD过程中产生的气体、反应副产物气体、以及从样品40去除的气体通过微管48输入到分析器37。当分析器37为QMS时,根据上述方法分析该些气体。
真空室33中的气体从具有高压的反应室42通过微管48移动到具有低压的分析器37。此处,气体的流速由微管48的长度和截面积、以及维持真空室33的真空状态的泵的抽气速率等确定。
图4是说明根据本发明的ALD反应设备中第一气体分配器的透视图。参见图4,具有多个孔的筛网44a形成在第一气体分配器44中,以均匀地将自外界输入的气体喷射到反应室42。第二气体分配器46具有与第一气体分配器44相似的结构。因此,在反应室42内产生的气体有效地排至出气口54,以均匀地维持反应室42内的气体。
在ALD过程中,当源气体在样品表面上沉积至一层或少于两层时,源气体由于自约束反应而不再在样品上沉积。因此,当源气体的量大于形成一层所需的量时,源气体的量得以减少,以降低源气体的浪费。此外,源气体和反应气体的浪费可通过形成如图4所示的第一和第二气体分配器44和46、以及将源气体和反应气体流到具有大面积的筛网44a的外部而大大减少。
图5A是示出光电子光谱分析图谱的曲线图,该图谱由利用根据本发明的ALD反应设备沉积的原子层得到。图5B是示出图5A的部分A的曲线图。
此处,图5A的曲线图是光电子光谱分析图谱,其由在硅衬底上沉积至3nm厚的氧化铪(HfO2)薄层得到,硅衬底上沉积有厚约2nm的氧化硅(SiO2)层。现在将说明在硅衬底的SiO2层上沉积HfO2薄层的过程。
首先,通过ALD反应设备的进气口52输入作为源气体的氯化铪(HfCl4),并对其进行净化。作为反应气体的氧化氢(H2O)通过进气口52输入并净化。于是,通过化学反应产生作为反应气体的氧化铪(HfO2)、氢气(H2)和氯化氢(HCl)。当输入反应气体时,反应气体通过第一气体分配器44均匀地分配到反应室42,产生的反应副产物气体通过出气口54由第二气体分配器46轻易地排出。
参见图5A,沿x轴自右至左示出了由HfO2薄层的Hf4f轨道电子产生的铪(Hf)峰、由硅衬底产生的硅(Si)2p峰和Si2s峰、以及因样品暴露在空气中导致的污染产生的碳(C)1s峰和氧(O)1s峰。
图5B是示出图5A的部分A的曲线图,在该部分中示出了Hf4f峰。参见图5B,Hf4f峰在约17eV的结合能处出现,该结合能低于仅包括Hf元素的情形下出现的峰所在的约19eV的结合能。因此,表明所测得的Hf4f由HfO2产生。
根据本发明的ALD反应设备可在进行CVD或ALD的同时分析反应室中产生的反应副产物气体。另外,根据本发明的ALD反应设备可同时进行ALD和反应分析,而无需单独的设备。
如上所述,根据本发明的ALD反应设备可通过维持反应气体的压力和流量来在样品上沉积均匀原子层。另外,根据本发明的反应设备可在维持沉积条件的同时,测量反应过程中产生的反应副产物、测量原子层的厚度、密度和化学键合态。
虽然已经参照本发明的优选实施例对其进行了具体地显示和说明,但是本领域技术人员应当了解,在不脱离由所附权利要求所定义的本发明精神和范围的情况下,可对本发明作形式和细节上的各种改变。
Claims (9)
1.一种原子层沉积(ALD)反应设备,该设备包括:
真空室,其具有进气口、出气口、以及连接进气口和出气口的气流通道;
位于真空室内的反应器,其包括反应室和气体分配器,反应室中,通过气流通道输入的气体与位于反应室内的样品进行反应,而气体分配器位于反应室内以均匀地供给气体;
样品位置控制器,其将位于真空室内的样品移动到反应室内;以及
分析器,其通过微管连接反应室,分析反应室内产生的气体。
2.如权利要求1所述的反应设备,其中,气体分配器包括:
用于均匀地供应气体的第一气体分配器,该气体通过进气口输入到反应室内;以及
第二气体分配器,其连接反应室的上部,用于将反应室内产生的气体排到出气口,以使反应室内的气体均匀。
3.如权利要求2所述的反应设备,其中,第一和第二气体分配器由具有多个孔的圆形筛网形成。
4.如权利要求3所述的反应设备,其中,第一气体分配器的直径大于第二气体分配器的直径。
5.如权利要求1所述的反应设备,其中,分析器是四极质谱仪(QMS)。
6.如权利要求1所述的反应设备,其中,真空室还包括用于安装椭圆仪的多个端口。
7.如权利要求1所述的反应设备,其中,真空室还包括用于将样品输运至真空室外部的样品输运通道。
8.如权利要求7所述的反应设备,其中,真空室还包括样品输运口,其连接样品输运通道。
9.如权利要求8所述的反应设备,其中,样品输运口连接设置在外部的光电子光谱仪。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020041247A KR20040007963A (ko) | 2002-07-15 | 2002-07-15 | 단원자층 증착 반응장치 |
KR41247/2002 | 2002-07-15 | ||
KR41247/02 | 2002-07-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1468975A true CN1468975A (zh) | 2004-01-21 |
CN1228470C CN1228470C (zh) | 2005-11-23 |
Family
ID=29997515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB031095100A Expired - Fee Related CN1228470C (zh) | 2002-07-15 | 2003-04-08 | 原子层沉积反应设备 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7105059B2 (zh) |
JP (1) | JP2004040120A (zh) |
KR (1) | KR20040007963A (zh) |
CN (1) | CN1228470C (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101171365B (zh) * | 2005-05-09 | 2010-05-19 | Asm吉尼泰克韩国株式会社 | 多入口原子层沉积反应器 |
CN101310043B (zh) * | 2005-11-17 | 2010-12-22 | Beneq有限公司 | 原子层沉积反应器 |
CN102414260A (zh) * | 2009-03-03 | 2012-04-11 | 西安大略大学 | 制备层合异质结聚合性装置的方法 |
CN107313028A (zh) * | 2017-07-11 | 2017-11-03 | 秦皇岛博硕光电设备股份有限公司 | 原子层沉积装置及具有孔状结构的基材的原子层沉积方法 |
TWI615501B (zh) * | 2015-07-07 | 2018-02-21 | Asm知識產權私人控股有限公司 | 氣流控制裝置、噴頭組件及半導體製造設備 |
CN113005428A (zh) * | 2019-12-20 | 2021-06-22 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 薄膜沉积系统以及沉积薄膜的方法 |
CN114375349A (zh) * | 2019-06-28 | 2022-04-19 | Beneq有限公司 | 原子层沉积设备 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040007963A (ko) * | 2002-07-15 | 2004-01-28 | 삼성전자주식회사 | 단원자층 증착 반응장치 |
KR100590554B1 (ko) * | 2004-05-28 | 2006-06-19 | 삼성전자주식회사 | 반응용기 및 시편홀더의 구조가 개선된 단원자층 증착장치 |
JP2006176823A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
DE102012200211A1 (de) * | 2012-01-09 | 2013-07-11 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbearbeitung eines Substrates |
FI126863B (en) * | 2016-06-23 | 2017-06-30 | Beneq Oy | Apparatus for treating particulate matter |
CN109844917B (zh) * | 2016-10-13 | 2023-07-04 | 科磊股份有限公司 | 用于过程控制的计量系统及方法 |
CN113984481B (zh) * | 2021-11-11 | 2024-01-23 | 中国核动力研究设计院 | 一种制备性能表征样品的装置及方法 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55158623A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Hitachi Ltd | Method of controlling semiconductor vapor phase growth |
JP2635021B2 (ja) * | 1985-09-26 | 1997-07-30 | 宣夫 御子柴 | 堆積膜形成法及びこれに用いる装置 |
JPH01301585A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体結晶成長装置 |
US5456945A (en) * | 1988-12-27 | 1995-10-10 | Symetrix Corporation | Method and apparatus for material deposition |
EP0409235B1 (en) * | 1989-07-20 | 1996-02-28 | Toho Rayon Co., Ltd. | Process for the surface treatment of carbon fiber strands |
JPH07110991B2 (ja) * | 1989-10-02 | 1995-11-29 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US5223001A (en) * | 1991-11-21 | 1993-06-29 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Vacuum processing apparatus |
JPH05179426A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-20 | Anelva Corp | 環状ガス吹き出し機構およびガス混合装置 |
US5277747A (en) * | 1992-09-15 | 1994-01-11 | Bell Communications Research, Inc. | Extraction of spatially varying dielectric function from ellipsometric data |
TW295677B (zh) * | 1994-08-19 | 1997-01-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
US5776254A (en) * | 1994-12-28 | 1998-07-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming thin film by chemical vapor deposition |
US5665214A (en) * | 1995-05-03 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Automatic film deposition control method and system |
US5735960A (en) * | 1996-04-02 | 1998-04-07 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method to increase gas residence time in a reactor |
US5885353A (en) * | 1996-06-21 | 1999-03-23 | Micron Technology, Inc. | Thermal conditioning apparatus |
EP0821395A3 (en) * | 1996-07-19 | 1998-03-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
US5653808A (en) * | 1996-08-07 | 1997-08-05 | Macleish; Joseph H. | Gas injection system for CVD reactors |
US5891251A (en) * | 1996-08-07 | 1999-04-06 | Macleish; Joseph H. | CVD reactor having heated process chamber within isolation chamber |
US6267840B1 (en) * | 1996-09-11 | 2001-07-31 | Steven R. Vosen | Low pressure stagnation flow reactor with a flow barrier |
US6098568A (en) * | 1997-12-01 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | Mixed frequency CVD apparatus |
KR100524204B1 (ko) * | 1998-01-07 | 2006-01-27 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 가스 처리장치 |
US6015595A (en) * | 1998-05-28 | 2000-01-18 | Felts; John T. | Multiple source deposition plasma apparatus |
WO2000015884A1 (fr) * | 1998-09-11 | 2000-03-23 | Japan Science And Technology Corporation | Dispositif combinatoire d'épitaxie de couche moléculaire |
US6409837B1 (en) * | 1999-01-13 | 2002-06-25 | Tokyo Electron Limited | Processing system and method for chemical vapor deposition of a metal layer using a liquid precursor |
US6709523B1 (en) * | 1999-11-18 | 2004-03-23 | Tokyo Electron Limited | Silylation treatment unit and method |
DE10012847A1 (de) * | 2000-03-16 | 2001-09-27 | Hte Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur kombinatorischen Herstellung und Testung von Materialbibliotheken durch Anwendung mindestens zweier Analysemethoden |
JP2001291655A (ja) * | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 疎水化処理の評価方法、レジストパターンの形成方法及びレジストパターン形成システム |
US6531069B1 (en) * | 2000-06-22 | 2003-03-11 | International Business Machines Corporation | Reactive Ion Etching chamber design for flip chip interconnections |
WO2002008487A1 (en) * | 2000-07-24 | 2002-01-31 | The University Of Maryland, College Park | Spatially programmable microelectronics process equipment using segmented gas injection showerhead with exhaust gas recirculation |
JP2002110551A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Yamanashiken Shokokai Rengokai | 半導体薄膜の形成方法及び装置 |
USD490450S1 (en) * | 2002-05-20 | 2004-05-25 | Tokyo Electron Limited | Exhaust ring for semiconductor equipment |
US20030221708A1 (en) * | 2002-06-04 | 2003-12-04 | Chun-Hao Ly | Method of cleaning a semiconductor process chamber |
KR20040007963A (ko) * | 2002-07-15 | 2004-01-28 | 삼성전자주식회사 | 단원자층 증착 반응장치 |
USD496008S1 (en) * | 2002-12-12 | 2004-09-14 | Tokyo Electron Limited | Exhaust ring for manufacturing semiconductors |
KR20050001793A (ko) * | 2003-06-26 | 2005-01-07 | 삼성전자주식회사 | 단원자층 증착 공정의 실시간 분석 방법 |
-
2002
- 2002-07-15 KR KR1020020041247A patent/KR20040007963A/ko not_active Application Discontinuation
-
2003
- 2003-04-08 CN CNB031095100A patent/CN1228470C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-20 US US10/465,582 patent/US7105059B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-15 JP JP2003274385A patent/JP2004040120A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101171365B (zh) * | 2005-05-09 | 2010-05-19 | Asm吉尼泰克韩国株式会社 | 多入口原子层沉积反应器 |
CN101310043B (zh) * | 2005-11-17 | 2010-12-22 | Beneq有限公司 | 原子层沉积反应器 |
CN102414260A (zh) * | 2009-03-03 | 2012-04-11 | 西安大略大学 | 制备层合异质结聚合性装置的方法 |
CN102414260B (zh) * | 2009-03-03 | 2014-02-19 | 西安大略大学 | 制备层合异质结聚合性装置的方法 |
TWI615501B (zh) * | 2015-07-07 | 2018-02-21 | Asm知識產權私人控股有限公司 | 氣流控制裝置、噴頭組件及半導體製造設備 |
US10662525B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-05-26 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition apparatus |
CN107313028A (zh) * | 2017-07-11 | 2017-11-03 | 秦皇岛博硕光电设备股份有限公司 | 原子层沉积装置及具有孔状结构的基材的原子层沉积方法 |
CN107313028B (zh) * | 2017-07-11 | 2023-10-10 | 秦皇岛博硕光电设备股份有限公司 | 原子层沉积装置及具有孔状结构的基材的原子层沉积方法 |
CN114375349A (zh) * | 2019-06-28 | 2022-04-19 | Beneq有限公司 | 原子层沉积设备 |
CN114375349B (zh) * | 2019-06-28 | 2023-12-19 | 青岛四方思锐智能技术有限公司 | 原子层沉积设备 |
CN113005428A (zh) * | 2019-12-20 | 2021-06-22 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 薄膜沉积系统以及沉积薄膜的方法 |
CN113005428B (zh) * | 2019-12-20 | 2023-10-10 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 薄膜沉积系统以及沉积薄膜的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7105059B2 (en) | 2006-09-12 |
CN1228470C (zh) | 2005-11-23 |
JP2004040120A (ja) | 2004-02-05 |
KR20040007963A (ko) | 2004-01-28 |
US20040007179A1 (en) | 2004-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1228470C (zh) | 原子层沉积反应设备 | |
CN1117887C (zh) | 制造半导体器件的化学汽相淀积装置及其驱动方法 | |
Qi et al. | Isomeric identification of polycyclic aromatic hydrocarbons formed in combustion with tunable vacuum ultraviolet photoionization | |
US7928364B2 (en) | Sampling system for containment and transfer of ions into a spectroscopy system | |
CN1314962C (zh) | 一次进样完成绝缘油中含气量及特征气体测定的气相色谱法 | |
US20070218564A1 (en) | Use of a Composite or Composition of Diamond and Other Material for Analysis of Analytes | |
US20030015657A1 (en) | Ion source and mass spectrometer | |
CN1413261A (zh) | 沉积的薄膜及其在检测、附着和生物医学应用中的用途 | |
CN1536360A (zh) | 混合离子迁移率和质谱分析仪器 | |
CN1696337A (zh) | 碳纳米管的制造方法以及实施此方法的等离子体cvd装置 | |
US7081617B2 (en) | Gas-phase purification of biomolecules by ion mobility for patterning microarrays and protein crystal growth | |
US20070114387A1 (en) | Matrix assisted laser desorption ionization (MALDI) support structures and methods of making MALDI support structures | |
Wucher | Molecular ionization probability in cluster-SIMS | |
Nunomura et al. | Positive ion polymerization in hydrogen diluted silane plasmas | |
CN1225654C (zh) | 通过电离迁移率分光术测定氩、氢、氮和氦中的水浓度的方法 | |
CN100477068C (zh) | 用于生物和反应性样品的基质辅助激光解吸衬底 | |
CN109884168B (zh) | 一种用于催化反应过程实时在线分析的装置及方法 | |
CN213364647U (zh) | 高分辨率高灵敏度测定VOCs含量的飞行时间质谱设备 | |
CN1783423A (zh) | 使用氩稀释的高压f2等离子体的高速蚀刻 | |
Parsons et al. | Precursors for the deposition of amorphous silicon–hydrogen alloys by remote plasma enhanced chemical vapor deposition | |
Piras et al. | Silicon nitride and oxynitride films deposited from organosilicon plasmas: ToF–SIMS characterization with multivariate analysis | |
Toossi | Surface analysis of combustion-generated soot particles by X-ray photoelectron spectroscopy | |
Kessels et al. | Remote silane plasma chemistry effects and their correlation with a-Si: H film properties | |
KR20000035421A (ko) | 가스내의 유기오염물질 분석방법 | |
Park et al. | Molecular beam mass spectrometry system for characterization of thermal plasma chemical vapor deposition |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |