CN1455264A - 参考电压发生装置及半导体集成电路、其检查装置及方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种参考电压发生装置和具有它的半导体集成电路、半导体集成电路的检查装置及其检查方法。本发明的半导体集成电路的检查装置包括对液晶驱动器(LSI)的输出电压电平是否良好进行判断的差动放大器阵列模块和检验器；期待值电压发生器，该期待值电压发生器对应于期待值数据，产生期待值电压，将其输出给上述差动放大器阵列模块。其数量比所发生的期待值电压的数量少的期待值数据输入到上述期待值电压发生器中，根据已输入的期待值数据，以内插方式产生期待值数据，以便形成与期待值电压的数量相同的数量。由此，可在极短的时间，以较高精度，实施被检验器件(液晶驱动器LSI)的输出电压的检验。

Description

参考电压发生装置及半导体集成电路、其检查装置及方法

技术领域

本发明涉及半导体集成电路的检查装置，该半导体集成电路这样构成，内部设置有多个DA转换器，分别通过相对应的输出端子输出各DA转换器的输出电压，特别是涉及具有按照输入的基准数据产生参考电压的参考电压发生装置的检查装置。

背景技术

近年来，伴随图象显示器的技术的提高，可显示精密的CG(计算机绘图)图象，充满现场感的高精细度的自然图象等，另外，显示更高灰度，更高精细度的图象的要求增加。

另外，即使在图象显示器中的，液晶显示器的液晶面板中，对显示图象的更高精细化的要求仍增加，为了应对该要求，在装载于该液晶面板上的液晶驱动器LSI中，进行多输出处理，多灰度处理。

在液晶面板中，为了进行灰度显示，在液晶驱动器LSI的各输出单元的内部，分别设置DA转换器，可输出灰度电压。下面参照图8，对该动作进行描述。图8表示一般的液晶驱动器的方框图，特别是表示输出灰度显示用电压，驱动液晶面板的源信号线的源驱动部的方框图。

下面对源驱动器LSI进行描述，但是也可为包括源驱动器的液晶驱动器。

在源驱动器LSI中，首先，根据在转送时钟CK，由移位寄存器转送的初始脉冲信号(图中未示出)，依次将与输出给液晶面板的各源信号线的灰度显示用电压相对应的数字输入数据(比如，在64级灰度显示的场合，R，G，B各6比特的输入数据)取样到取样存储器中，获取1个水平同步期间的数据(同时输出数量的数据)，将其一次性地锁存于保持(hold)存储器中。

接着，通过水平同步信号LS，从保持(hold)存储器，同时输出1个水平同步期间的数据，通过电平位移电路，使其电压上升到施加于液晶面板上的外加电压电平，将其转送给DA转换器。该DA转换器针对每个源驱动器的输出(比如，540个输出端子)而设置。

然后，在DA转换器中，选择对应于上述的升压的数字输入数据的灰度显示用电压，通过针对每个输出而具有的输出运算放大器，输出该灰度显示用电压，将其输入到液晶面板的各源信号线中。

另外，灰度显示用电压(比如，64级灰度显示量)是通过参考电压发生电路(梯形电阻器)，根据从外部输入的参考电压(比如，V0、V1、…、V10、…)产生的，将其输出给DA转换器。

作为上述参考电压发生电路，一般采用梯形电阻器。下面参照图6，对该梯形电阻器进行描述。图6为梯形电阻器的一般的模式图。

在该梯形电阻器的模式图中，具有端子V0～Vn，以便可从LSI外部，输入参考电压值，从输入梯形电阻器m1～mn的相应两端，向DA转换电路，输出n+1灰度显示用的各电压值。在图6中，省略DA转换电路的箭头。

此外，图6表示端子V0～Vn的实例，但是，其完全是1个实例。

通过象这样，改变参考电压值，象后面描述的那样，可进行与γ特性相一致的补偿。

在图8所示的参考电压发生电路中，在前述的输入显示数据为6比特的场合，产生n＝64的64种的灰度显示用电压，在上述输入显示数据为8比特的场合，产生n＝256的256种的灰度显示用电压，在上述输入显示数据为10比特的场合，产生n＝1024的1024种的灰度显示用电压。

还有，由于伴随液晶驱动器用LSI的灰度的数量的增加，各灰度显示用电压的变化的允许值变窄，故在用于确保其品质的液晶驱动器的检验中的高精度测定是必不可少的。即，必须以更高的精度，对下述情况进行检验，该情况指从源驱动器LSI中的DA转换器输出的相应的灰度显示用电压值是否均输出允许值内的正确的电压值，另外在每个输出端子的各DA转换器之间，所输出的灰度电压值是否分别是均匀的。

如果被检验器件DUT(Device Under Test)的电源电压是相同的，则由于输出端子的性能从64级灰度显示，提高到256级灰度显示，故对于测定精度，必须进行4倍的高精度处理。

下面参照图9，对下述方法进行描述，在该方法中，构成检验的对象的被检验器件DUT采用内部设置有n级灰度DA转换器的液晶驱动器用LSI(源驱动器LSI)，在该转换器中，输出端子数量为m，该转换器用于选择n个左右的电压电平(灰度显示用电压)，将其输出给各输出端子。

图9为通过半导体试验装置(检验器)112，试验作为被检验器件DUT的液晶器件LSI(下面简称为“DUT”)111的实例。

检验器112将相当于规定的显示数据的输入信号输入到DUT111中，判断从DUT111输出的信号是否良好。

在图9的检验系统中，采用检验器112，以规定输入，从RGB输入端子，向DUT111，即，液晶驱动器LSI(仅仅对图8中的组成中的，图9所示的DA转换器(DAC)进行描述，输出运算放大器等省略)输入输入信号(规定的显示数据)，输出与该显示数据相对应的灰度显示用电压电平。

首先，比如，从各输出端子Y1～Ym，输出最低的灰度显示用电压，依次对位于检验器112的矩阵开关的开闭进行控制，按照时间分割的方式输入上述电压，采用设置于该检验器112的内部的高精度模拟电压测定器115，依次通过从端子Y1～端子Ym的输出，测定第1灰度的灰度显示用电压值，依次将该测定结果，存储于设置于该检验器112的内部的数据存储器113中。

通过按照n级灰度的方式，反复进行该操作，最终，在全部输出端子处，将全部灰度显示的数据存储于数据存储器113中(m×n个的数据)。

采用设置于检验器112的内部的运算器114，对存储于上述数据存储器113中的数据进行规定运算，进行各输出端子的各灰度电压值，各输出端子之间的灰度电压值是否位于允许值内的均匀性的试验。

在这样的液晶驱动器LSI(源驱动器LSI)的检验中，伴随输出和灰度的增加，数据的接收量增加，并且伴随该增加，数据处理时间增加，检验时间大幅度地增加。

于是，在日本专利公开文献(JP特开2001-99899号文献：2001年4月13日公开)中，公开有针对前述的图9的检验系统，解决检验时间增加的课题的检验系统。

在该检验系统方案中，作为解决上述的检验时间增加的单元，采用通过下述方式，在短时间，实施与过去相同的试验的手法，该方式为：通过对应于各输出端子而设置的差动放大器阵列模块，获取每级灰度的理想电压值与通过液晶驱动器的各输出端子输出的电压值之间的差值，采用检验器内部的比较器，对该差值电压并行地进行判断。

下面参照图10，对该检验系统进行描述。在图10中，通过检验器122和电压发生器123，以及差动放大器阵列模块124，对作为被检验器件的DUT121进行试验。另外，DUT121与检验器122的动作与图9中描述的DUT111，检验器112相同，在这里，不反复地说明。

上述电压发生器123发生DUT121应输出的期待电压电平，即，理想输出电压。在差动放大器阵列模块124中，输入上述电压发生器123的输出信号与DUT121的输出端子的输出信号，对这些电压差进行放大，将其输出。将该输出输入到检验器122中。同样在这里，对下述实例的检验方法进行描述，在该实例中，构成检验的对象的DUT121采用液晶驱动器用LSI(源驱动器LSI)，在其内部，设置有输出端子数量为m(Y1～Ym个)，用于选择n个左右的电压电平，将其输出给在各输出端子的n级灰度DA转换器。

DUT121具有m个输出端子，在各输出端子处，分别设置有DA转换器(DAC)，象前面已描述的那样，对应于显示数据，产生n种的灰度显示用电压。另外，在图10中，就上述DUT121来说，与前述的DUT111相同，省略输出运算放大器等。

首先，将相当于显示数据的输入信号从检验器122，供给DUT121，从m个输出端子，使DUT121动作，以便可产生比如，相同的灰度显示用电压。

同时(并行地)将从M个的输出端子输出的灰度显示用电压，分别输入到装载于差动放大器阵列模块124上的差动放大器的输入端子。

另一方面，在从DUT121的输出端子，输入灰度电压的同时，从电压发生器123，输出形成灰度显示用电压的期待值电压的电压值，将其输入到装载于差动放大器阵列模块124上的差动放大器的其它的输入端子中。

通过差动放大器，对DUT121所输出的m个的灰度显示用电压值与电压发生器123所产生的期待值电压之间的电压差，即，期待值电压中的偏差量进行放大，求出该值。上述差动放大器中的放大的目的在于高精度地进行电压差的比较判断。

已放大的，相应的m个电压值通过差动放大器阵列模块124的输出端子输出，并行地输入到检验器122的检验器信道(1ch～Mch)中。

在检验器122中，作为进行电压测定的单元，具有用于高精度地测定DC电压电平的DC测定单元与设置于前述的检验器信道中的比较器。由于该比较器主要用于进行功能动作检验，故该电压测定精度比DC测定单元低，通常，无法进行上述那样的高精度的电压测定和比较判断，但是，由于通过前述的放大单元，对电压差进行放大，故可通过比较器进行比较判断。

象这样，通过采用差动放大器阵列模块124，进行测定，按照与过去相同，或其以上的测定精度，在短时间进行试验。

输入到上述差动放大器阵列模块124中的电压放大器123产生的期待值电压波形，与DUT121的输出电压波形(在下面，称为“灰度电压波形”)之间的关系象图7所示的那样。

从DUT121输出的灰度电压值相对期待值电压值，产生电压差ΔV1、ΔV2、ΔV3、…。在DUT121的检验中，对下述情况进行检验，该情况指是否位于规定这些电压差ΔV的电压范围内，另外针对同一灰度显示用电压的各输出端子之间的电压值比较，这些电压差ΔV是否具有均匀性。

另外，在上述文献中公开的检验系统中，从期待值电压发生器123中，输出每个灰度显示用电压的期待值电压，但是，在另一运算单元(设置于检验器122的内部)，根据输入信号，在检验程序的内部对作为期待值电压的，反映后面将要描述的γ特性规格等的形式的预定的期待值电压进行运算，将其结果转送给期待值电压发生器123，依次输出反映γ特性的期待值电压。

但是，近年，伴随灰度数的增加，相对液晶驱动器这样的被检验驱动器DUT的理想输出电压，即，期待值电压，与实际的液晶驱动器的输出电压，即，灰度电压之间的电压差ΔV而规定的规格变得更加严格，一般，在64级灰度规格的场合，小于±20mV，在256级灰度规格的场合，小于±10mV，灰度数量进一步增加，并且上述规格小于数mV还产生时间方面的问题。

另外，由于期待值电压也根据按照γ特性等，预定的计算式，在检验程序的内部进行运算，将该值转送给电压发生器，将其作为期待值电压而输出，故该运算结果数据的转送所花费的时间还伴随灰度数量的增加而延长。

具体来说，与通过检验器，将在检验程序的内部运算而产生的γ特性相对应的输出电压值，转送给电压发生器的单元，具有下述情况，即，由于检验器的I/O信道数量的限制，不得不按照1ch，串行地转送数据。

在此场合，比如，在256级灰度显示用象素点反转对应的液晶驱动器LSI(源驱动器LSI)中，由于邻接的端子针对每个液晶面板的象素点而进行交流驱动，故必须要求正极性和负极性，于是，必须转送512级灰度显示用的数据。

如果1数据(64级灰度显示用液晶驱动器的检验所必需的数据比特数大于6比特)必须要求3ms的转送时间，则仅仅在期待值电压的转送中，就必须要求1.5秒的时间。

上述转送的数据的比特数与参考电压发生器本身的精度造成的测定精度有关，如果例举一个实例，则为了判断作为64级灰度显示用液晶驱动器(显示数据为6比特)中的一般的输出误差规格的±20mV，必须要求10倍以上的测定精度。

如果要确保10倍以上的测定精度，则必须要求相对显示数据6比特，进一步提高3比特的精度，其结果是，必须要求6+3比特的9比特的转送数据。

另外，按照与灰度数量的增加成比例的形式，促进测定精度的提高，怎样实现高精度的测定也为一个重要的课题，为了提高精度，转送数据的比特数进一步增加，其导致数据的转送时间的增加。

另外，如果对实际上用于判断电压差的时间，与上述的期待值电压的转送时间进行比较，则形成转送时间与判断时间1在2～3的范围内的比例，灰度数量增加，必须要求精度提高，伴随该情况，其比例进一步增加。

其结果是，在进行检验方面，本来不必要求的时间(设定时间等)延长，其导致检验时间的增加，即，检验处理能力的降低。

发明内容

本发明的目的在于提供可在极短时间，并且高精度地实施作为被检验器件的DA转换器的，输出电压的检验的参考电压发生装置，具有它的半导体集成电路、半导体集成电路的检查装置和检查方法。

本发明的参考电压发生装置对应于所输入的参考数据，产生参考电压，其特征在于其包括参考数据发生单元，其数量比所发生的参考电压的数量少的参考数据输入到该参考数据发生单元中，根据已输入的参考数据，以内插方式产生参考数据，以便形成与参考电压的数量相同的数量。

在一般的参考电压发生装置中，由于可相对1个参考数据，产生1个参考电压，故产生必要的数量的参考电压而花费的时间依赖于将参考数据转送给参考电压发生装置而花费的时间。

因此，如果增加在参考电压发生装置中产生的参考电压的数量，则由此，转送给该参考电压发生装置的参考数据的数量也增加，参考数据转送给参考电压的时间延长。其结果是，产生必要的数量的参考电压的发生花费时间的问题。

于是，象上述方案那样，根据其数量少于参考电压中的必要数量的参考数据，产生必要的参考电压，由此，可使参考数据转送给参考电压发生装置的时间，比转送其数量与必要数量的参考电压相同的参考数据的场合短。这样，可缩短参考电压的发生的时间。

比如，如果这样的参考电压发生装置用于根据参考电压，检查被检查体(被检验器件)的检查装置，则可缩短检查时间。

一般，将参考数据转送给参考电压发生装置的时间大大长于在参考电压发生装置的内部，以内插方式产生参考时间的时间。由此，如果参考数据的容量(比特数)增加，则上述时间差进一步增加。

于是，在为了提高检查精度，增加参考电压的发生所必需的参考数据的容量(比特数)的场合，如果象上述方案的那样，在参考电压发生装置内部，可产生与参考电压的参考数据，则可在较短时间产生检查精度的提高所必需的参考数据。

由此，可在极短时间，并且高精度地实施被检验器件的检验。

在作为参考电压发生装置的，采用梯形电阻器等，产生多电压值的装置中，参考数据发生部的参考电压的内插为直线内插。

上述参考数据发生部的直线内插，比如，通过下面给出的内插部进行。

即，上述内插部由下述部分构成，该下述部分包括：减法运算部，该减法运算部计算所输入的参考数据之间的差；除法运算部，该除法运算部以上述输入的参考时间之间的分割数，除以上述减法运算部的输出值；乘法运算部，该乘法运算部将相当于所输出的参考电压的比例值，与上述除法运算部的输出值相乘；加减法运算部，该加减法运算部将上述乘法运算部的输出值，作为上述所输入的参考数据的内插值而进行加减法运算。

在此场合，可通过上述内插部，有效地进行参考数据的直线内插处理。

另外，也可在作为被检验器件的液晶驱动器LSI等的半导体集成电路的内部，设置有上述结构的参考电压发生装置。

在此场合，可照原样，使用过去的半导体集成电路的检查装置，即，增加参考电压与灰度显示用电压之间的差，判断其是否良好的检查装置。

此外，本发明的半导体集成电路的检查装置通过与另一途径形成的参考电压进行比较，判断半导体集成电路的输出电压电平是否良好，其特征在于其包括参考电压发生装置，该参考电压发生电路对应于所输入的参考数据，产生上述参考电压；其数量比所发生的参考电压的数量少的参考数据输入到上述参考电压发生装置中，根据上述已输入的参考数据，以内插方式产生参考数据，以便形成与参考电压的数量相同的数量。

按照该方案，由于可通过缩短将参考数据转送给该参考电压发生装置的时间，减少用于获得半导体集成电路所必需的输出电压的时间，故可大幅度地缩短半导体集成电路的检查的时间。

由此，与在即使为了提高检查精度，参考数据的容量(比特数)增加的情况下，将与必要的数量的参考电压相对应的全部的参考数据转送给参考电压发生装置的场合相比较，可大幅度地缩短参考数据的转送时间。

于是，在为了提高检查精度，增加参考电压的发生所必需的参考数据的容量(比特数)的场合，象上述方案那样，如果可在参考电压发生装置的内部，产生与参考电压相对应的参考数据，则可在较短时间制作检测精度的提高所必需的参考数据。

由此，可在极短时间，高精度地实施作为被检验器件的半导体集成电路的检查。

在作为参考电压发生装置的、采用梯形电阻器等的、产生多个电压值的装置中，参考数据发生部的参考数据的内插为直线内插。

上述参考电压发生装置的参考数据的内插比如，通过下面给出的内插部进行。

即，上述内插部由下述部分构成，该下述部分包括：减法运算部，该减法运算部计算所输入的参考数据之间的差；除法运算部，该除法运算部以上述输入的参考数据之间的分割数，除以上述减法运算部的输出值；乘法运算部，该乘法运算部将相当于所输出的参考电压的比例值，与上述除法运算部的输出值相乘；加减法运算部，该加减法运算部将上述乘法运算部的输出值，作为上述所输入的参考数据的内插值而进行加减法运算。

在此场合，可通过上述内插部，有效地进行参考数据的直线内插处理。

在上述半导体集成电路为液晶驱动用集成电路，即，液晶驱动器LSI(源驱动器LSI)的场合，还实现下面给出的那样的效果。

即，如果采用上述的半导体集成电路的检查装置，则在进行多输出，多灰度处理的液晶驱动器LSI的检查中，可考虑与参考电压值的灰度数量，灰度显示数量，液晶面板的γ特性规格有关的信息，对参考数据进行内插处理，产生参考数据。

因此，即使在针对每个器件，γ特性不同的场合的连续试验，灰度数量比如，增加到256级灰度，1024级灰度的情况下，仍可容易通过内插方式产生与该γ特性相对应的参考电压，因此，即使在这样的情况下，不必考虑参考电压的设定时间，可仅仅在实质的判断时间，进行检验。

另外，虽然必须形成多个灰度，并且提高测定精度，比如，对于1024级灰度的品质，至少必须要求1mV以下的测定精度，但是，即使在参考数据的容量(比特数)增加的情况下，检查时间不象已有技术那样，大幅度地增加，另外，按照本发明，由于在参考电压发生装置内，产生参考电压，故可使该电压值的精度提高，与在过去的检验器等中，产生参考电压的场合相比较，使测定精度进一步提高。

上述方案的半导体集成电路的检查装置通过下面给出的检查方法的处理流程进行。

本发明的半导体集成电路的检查方法涉及下述半导体集成电路的检查方法，其中，通过与另一途径形成的参考电压进行比较，判断半导体集成电路的输出电压电平是否良好，其特征在于其包括下述步骤：参考数据发生步骤，即，根据其数量比所产生的参考电压少的参考数据，以内插方式产生参考数据，以便形成与参考电压的数量相同的数量；参考电压发生步骤，即，对应于在上述参考数据发生步骤所获得的参考数据，产生上述参考电压。

另外，也可通过直线内插，对上述参考数据发生步骤的参考数据进行内插处理。

此外，上述参考数据发生步骤也可包括：第1步骤，即，计算所输入的参考数据之间的差；第2步骤，即，以所输入的参考数据之间的分割数，除以在上述第1步骤中计算的值；第3步骤，即，将相当于在上述参考电压发生步骤产生的参考电压的比例值，与在上述第2步骤进行除法运算得到的值相乘；第4步骤，即，将在上述第3步骤进行乘法运算得到的值作为内插值，对上述已输入的参考数据进行加减法运算。

通过下面给出的描述，会充分地理解本发明的其它的目的，特征和优点。另外，通过参照附图的下面的描述，会明白本发明的优点。

附图说明

图1为表示本发明的一个实施例的半导体集成电路的检查装置的概要的方框图；

图2为图1所示的半导体集成电路的检查装置内的参考电压发生器的概略方框图；

图3为表示图2所示的参考电压发生电路的一个实例的电路图；

图4(a)～(d)为表示适合于图2所示的参考电压发生电路的输入单元的方框图；

图5(a)～(c)为表示γ特性实例的曲线图；

图6为表示梯形电阻器的一个实例的电路图；

图7为表示灰度电压波形与期待值电压波形的曲线图；

图8为一般的，液晶驱动器的方框图；

图9为表示过去的半导体集成电路的检查装置的概要的方框图；

图10为表示过去的半导体集成装置的检查装置的概要的方框图。

具体实施方式

以下说明本发明的一个实施例。另外，在本实施例中，被检查器件(DUT)采用作为半导体集成装置的一种的液晶驱动器LSI(输出次数m，灰度数量n)，对检查该液晶驱动器LSI的检查装置进行说明。

下面参照图1，对本实施例的液晶驱动器检查装置进行说明。图1为表示液晶驱动器检查装置的概要的方框图。

上述液晶驱动器检查装置为通过与另一途径形成的参考电压进行比较，判断半导体集成电路的输出电平是否良好的装置，其特征在于其包括参考电压发生电路，该参考电压发生电路对应于所输入的参考数据，发生上述参考电压，其数量少于所发生的参考电压的数量的参考数据输入到上述参考电压发生电路中，根据已输入的参考数据，以内插方式生成参考数据，以便形成于参考电压的数量相同的数量。

即，液晶驱动器检查装置如图1所示的那样，组成如下：即，其包括接收来自作为被检查器件(DUT)的液晶驱动器LSI11的输出电压，用于判断该液晶驱动器LSI11是否良好的，检验器12、作为参考电压发生器(参考电压发生电路)的期待值电压发生器13、差动放大器阵列模块14。

上述液晶驱动器LSI11包括m个的DA转换器(DAC)15，以及与各DA转换器15连接的输出端子16(Y1～Ym)。

与前述的DUT111和DUT121相同，省略输出运算放大器等。

上述DA转换器15可输出n级灰度的灰度电压。

上述液晶驱动器LSI11将从各DA转换器15输出的灰度电压，并行地从各输出端子16，输出给差动放大器阵列模块14。

上述差动放大器阵列模块14这样形成，其包括从液晶驱动器LSI11输入灰度电压的m个输入端子17；从期待值电压发生器13输入期待值电压(参考数据)的1个输入端子18；m个差动放大器19；与各差动放大器19连接的输出端子20。来自输入端子17的灰度电压，来自输入端子18的期待值电压可输入到上述各差动放大器19中。

上述差动放大器阵列模块14这样形成，通过各差动放大器19，求出灰度电压与期待值电压的电压差，然后，对其进行放大，将其从输出端子20，并行地输出给检验器12。

在这里，通过上述差动放大器19的动作，参照附图，在下面进行描述。图7为表示输入到差动放大器19中的灰度电压波形与期待值电压波形之间的关系的曲线图。

各差动放大器19输出放大输出电压，该放大输出电压是按照规定的倍率(比如，100倍，或其以上的倍率)，对从液晶驱动器LSI11输出的灰度电压，以及从期待值电压发生器13输出的期待值电压进行之间的偏差电压(图7所示的▲V1，▲V2，▲V3)进行放大而形成的。通过该差动放大器19的，偏差电压值的放大处理，对后级的检验器12的比较器22的比较判断进行高精度处理。

上述检验器12采用下述方案，其包括m个输入信道21(1ch～Mch)，来自差动放大器阵列模块14的电压差输入到该m个输入信道21中；比较器22，该比较器22对通过各输入信道21而输入的电压差是否在规定的电压范围进行判断。

构成上述检验器12的比较器22通过各输入信道21，同时进行下述电压分别是否在规定的电压范围内(比如，在64级灰度的场合，通过偏差电压的值表示，在±420mV以下的范围，在256级灰度的场合，同样，在±10mV以下的范围)的判断，该下述电压指通过各输入信道21而输入的各差动放大器19给出的放大输出电压，可输出表示该结果的信号，即，表示全部的输入电压是否在规定电压范围内，或哪个输入电压在规定电压范围之外的判断结果信号。

在这里，参照图2和图3，在下面对上述期待值电压发生器13进行描述。图2为表示期待值电压发生器13的基本组成的方框图，图3为表示期待值电压发生器13的电路实例的电路图。

上述期待值电压发生器13为对应于所输入的参考数据，发生参考电压的装置，其特征在于其包括参考数据发生单元，在该参考数据发生单元中，输入其数量比所发生的参考电压的少的参考数据，根据已输入的参考数据，以内插方式生成参考数据，以便形成与参考电压的数量相同的数量。

即，上述期待值电压发生器13象图2所示的那样，这样组成，其包括输入单元31，该输入单元31输入来自检验器12的期待值数据(参考数据)，控制图形信号(运算用设定值，控制信号)；期待值数据发生单元33，该期待值数据发生单元33对已输入的期待值数据进行内插处理，按照形成与所输出的参考电压的数量相同的数量的方式，产生期待值数据；控制单元32，该控制单元32根据已输入的控制图形信号，对上述期待值数据发生单元33进行控制；期待值电压输出单元36，该期待值电压输出单元36包括产生对应于通过期待值数据发生单元33所产生的期待值数据的参考电压，输出该参考电压。

上述期待值数据发生单元33包括运算单元34，该运算单元34对期待值数据，进行规定的运算(内插处理)；存储单元35，该存储单元35存储期待值数据，运算结果。另外，由于在液晶驱动器LSI11的内部，因梯形电阻器(参照图6)，会产生多电压值，故上述运算单元34的内插处理必须为直线内插。

在上述期待值数据发生单元33中，所输入的期待值数据为数字数据，存储，运算均在数字数据的状态进行。因此，在期待值电压输出单元36中，在产生参考电压后，对该参考电压进行DA转换，形成该期待值电压，将其输出给差动放大器阵列模块14。

另外，期待值电压输出单元36也可在产生与期待值数据相对应的参考电压后，仅仅将该参考电压存储于缓存单元中，由此，按照数字数据的方式，将其输出给差动放大器阵列模块14。在此场合，可在该差动放大器阵列模块14的输入端子18与差动放大器19之间的内部，设置DA转换器。

图3表示上述组成中的期待值电压发生器13中的进行直线内插处理的场合的具体的电路组成的一个实例。在该图3中，“进行数字设定输入”指与来自图1所示的检验器12的期待值数据有关的数据的输入，“控制图形输入”指来自检验器12的控制图形信号的输入。另外，控制器相当于图2的控制单元32。按照灰度顺序，将上述期待值数据输入到期待值电压发生器13中。

在上述期待值电压发生器13中，期待值数据输入到第1存储器中。存储于第1存储器中的期待值数据暂时存储于后级的锁存电路中，并且转送给后级的减法运算单元(-)中。在该锁存电路中，进行存储的期间直至进行到将下一灰度的期待值数据输入到第1存储器中。

在上述减法运算单元中，输入来自第1存储器的期待值数据，以及存储于锁存电路中的期待值数据，求出它们的差，将其转送给后级的除法运算单元(÷)。在这里，在从锁存电路转送给减法运算单元的期待值数据，与从第1存储器，转送给减法运算单元的期待值数据中，灰度数是不同的。

另一方面，还将存储于上述锁存电路中的期待值数据转送给后级的加减法运算单元。关于该加减法运算单元(+/-)的加减运算，将在后面进行描述。

另外，在第2存储器中，存储与从检验器12转送的期待值数据有关的数据中的，期待值数据之间的分割数量，将该分割数转送给上述除法运算单元。

因此，在上述除法运算单元中，以存储于第2存储器中的期待值数据之间的分割数量，除以从前级的减法运算单元转送的数据，将其结果转送给乘法运算单元(×)。

还有，在第3存储器中，存储与从检验器12转送的期待值数据有关的数据中的，相当于所输出的参考电压的比例值(灰度显示数)，将该比例值转送给上述乘法运算单元。

因此，在上述乘法运算单元中，将相当于存储于第3存储器中的参考电压的比例值，与来自前级的除法运算单元的数据相乘，将该结果转送给后级的加减法运算单元中。

在上述加减运算单元中，相对从第1存储器，通过锁存电路而转送的期待值数据，进行通过上述乘法运算单元获得的值，将其结果作为参考电压，将其输出给差动放大器阵列模块14。

另外，在上述加减法运算单元中，对应于灰度显示用电压，进行加法演算和减法演算中的任何一种。

通过上述减法运算单元，除法运算单元，乘法运算单元，加减法运算单元，形成对参考数据进行内插处理的内插单元，上述内插单元为适合实现直线内插处理的类型。

因此，上述组成的液晶驱动器检查装置中的检查方法如以下所述。

在通过与另一途径形成的参考电压进行比较，判断半导体集成电路的输出电压电平是否良好的半导体集成电路的检查方法中，包括参考数据形成步骤，即，根据其数量比所发生的参考电压的数量少的参考数据，以内插方式产生参考数据，以便形成与参考电压的数量相同的数量；参考电压发生步骤，即，对应于在上述参考数据发生步骤中获得的参考数据，产生上述参考电压。

下面对上述液晶驱动器检查装置的检查动作进行描述。在这里，作为被检验器件的液晶驱动器LSI(源驱动器LSI)比如，具有图5(a)的γ特性实例1那样的特性。另外，由于测试下述场合的第5级灰度的输出电压，该场合指测试从图5(a)的γ特性实例1的横轴(第1级灰度)，到横轴2(第16级灰度)的输出特性，故对通过该参考电压发生器13，产生第5级灰度的输出电压的实例进行描述。

在上述参考电压发生器13中，按照产生γ特性实例1的灰度显示用的电压的方式，设定参考电压。参考电压也可通过检验器12进行输出，还可单独地从电压发生器输出。

另外，在液晶驱动器LSI11中，从检验器12中，由显示数据的输入端子(图中未示出)，输出相当于第5级灰度的显示数据。于是，从液晶驱动器LSI11中的液晶面板的输出端子16Y1～Ym，输出5个灰度显示用电压。

另一方面，通过控制图形信号(运算用设定值，控制信号)从检验器12，通过期待值电压发生器13的输入单元31而输入的方式，在控制单元32的控制中，进行下述的动作。

首先，相当于第1级灰度(图5(a)的横轴1)的输出电压6V的数字参考值数据D1从检验器12，通过输入单元31而输入(数字设定输入)，将其存储于第1存储器中，并且在锁存电路中对其进行锁存处理。

接着，相当于第17级灰度(图5(a)的横轴2)的输出电压5.5V的数字参考值数据D1从检验器12，通过输入单元31而输入(数字设定输入)，将其存储于第1存储器中。

然后，在减法运算单元(图3中的(-)中，计算进行了锁存处理的数字参考值数据D1，以及目前已输入存储的数字参考值数据D16的电压差L，将该电压差值转送给除法运算单元(图3的(÷))。

另一方面，在第2存储器中，作为控制图形信号，通过控制器，输入图5(a)的横轴1-2之间的灰度数量J1(在这里，J1＝16)。

同样，存储图5(a)的横轴2-3之间、3-4之间、4-5之间的灰度数量Ji(在这里，J2＝J3＝J4＝16)。

另外，在第3存储器中，存储表示目前测试的灰度显示数H为第5级灰度的5的值。该值作为控制图形信号，通过控制器，存储于第3存储器中。

在除法运算单元(图3(÷))中，以灰度灰度数J，除以通过上述减法运算单元而计算的电压差L，计算L/J。在这里，计算L/J＝(6V-5.5V)/16。

接着，将上述的L/J转送给乘法运算单元(图3中的(×)，在该乘法运算单元中，将其与作为相当于参考电压的比例值的灰度显示数H相乘，计算L×H/J。

在这里，由于为第5级灰度，故计算H＝5，L×H/J＝(6V-5.5V)×5/16。

然后，将上述的L×H/J转送到加减法运算单元(图3中的(-))中，在该加减法运算单元中，从在先进行了锁存处理的数字参考值D1中减去该值，由此，产生所计算的第5级灰度的期待值电压(数字数据)，通过DA转换器，获得模拟期待值电压。

另外，在这里，为了以灰度电压较高的一侧的输出电压(比如，6V)为基准，上述加减法运算单元用作减法运算单元，但是反之，如果以灰度电压较低的一侧的输出电压(比如，1V)为基准，开始进行运算，则可用作加法运算单元。

将象上述那样获得的模拟期待值电压值，输出给图1的差动放大器阵列模块14，由此，可进行第5级灰度的输出电压的检验。

象这样，依次检验液晶驱动器LSI11的各输出端子16的输出电压，接着，在改变显示数据和灰度显示数H的同时，反复进行检验，然后，使图5(a)中的下一横轴k-(k+1)移动，进行同样的检验，由此，可检验液晶驱动器LSI11的全部灰度显示用电压的各输出端子16的输出特性。

另外，可容易通过改变灰度数J与数字参考值数据Di，应对液晶驱动器LSI11的不同的γ补偿。

在本实施例中，在液晶驱动器LSI的输出特性中，给出实例，输入直线特性的两端数据，之间的输出值进行内插处理，但是，即使对于折线特性，可输入3点数据，或多个数据，计算各直线部，对其进行内插处理。

此外，在图3中，也可采用下述方式，在该方式中，在第2存储器中，存储灰度数J，在第3存储器中，存储目前强调的灰度显示数H，但是，也可这样形成，即，第3存储器为计数器(在这里，为16计数器)，单独地对时钟进行计算，输出1、2、····、16、1、2、··的数字数据。

下面参照图4(a)～(d)，对上述参考电压发生器13的输入输出与处理实例进行描述。图4(a)～(d)表示图2所示的输入单元31的4个实例，在所有的实例中，输出方为参考电压发生器13的控制单元32。另外，输入单元31限于这4个实例。

图4(a)表示输入单元31采用并行数据输入单元的实例。在此场合，以并行方式将期待值数据和控制图形信号从检验器12，输入并行数据输入单元中，在期待值电压发生器13的内部，以并行方式进行信号处理。于是，可高速地进行参考电压发生器13中的处理。

图4(b)给出输入单元31采用已串联的串行输入单元与串行/并行转换单元的实例。在该方案中，假定检验器12的I/O仅仅采用1个信道的场合，期待值数据和控制图形信号作为串行信号而接收，进行串行/并行转换处理，然后，在图3所示的参考电压发生器13的电路中，进行并行处理。

图4(c)表示输入单元31采用已串联的模拟数据输入单元与AD转换单元的实例。在该场合中，从检验器12中，将期待值数据作为模拟信号而接收，对其进行AD转换，形成数字信号，然后，在图3所示的参考电压发生器13的电路中，进行处理。

图4(d)表示作为输入单元31，可切换图4(a)～(c)所示的切换单元的实例。即，在参考电压发生器13中，可应对上述的3种方式。

在图4(d)中，比如，在采用信道数量CH具有富裕的检验器的场合，切换到下述方式，在该方式中，应对采用图4(a)所示的并行数据输入单元，照原样进行处理的高速处理，在用于信道数CH没有富裕的检验器的场合，切换到仅仅采用图4(b)所示的1CH，在串行数据输入单元的接收部内部，进行串行/并行转换的方式，在检验器中，产生模拟数据，进行输入的场合，切换到输入图4(c)所示的模拟数据，在内部进行AD转换的方式。

象这样，各方式的切换可对应检验器的特性而进行。该切换既可采用机械式的开关，也可通过输入单元31的输入级，自动地判断来自检验器的信号的种类(并行数据、串行数据、模拟数据)，自动地切换到与各信号的种类相对应的方式。

本发明的要点不限于液晶驱动器LSI，也可为下述形式，其中，在输出各种模拟电压值的被检验器件中，在于检验器中产生参考电压数据时，不进行产生全部的输出值数据，将其转送给参考电压发生器的动作，而以输出值的间距，产生并转送上述数据，采用该数据，在参考电压发生器的内部，进行运算，由此，对它们之间的输出数据进行内插处理，产生所需的期待值数据。

可在不改变实质内容的范围内，进行各种变更。

在本实施例中，着眼于图1的系统组成实例中的参考电压发生器13，但是也可将该部分设置于检验器12的内部，另外，还可采用下述方式，从而应用范围较广，该方式为：在液晶驱动器LSI11等的半导体集成电路中，设置期待值电压发生器13，代替图6所示的那样的梯形电阻器，而设置控制单元，存储单元和运算单元与DA转换单元，这样，从外部，输入期待值数据，在内部进行锁存处理，由此，容易形成各种输出特性可改变的集成电路。

但是，在上述液晶驱动器LSI11中，实现商品化的几乎全部类型具有与液晶面板的规定的γ特性相对应的灰度输出特性，但是，为了可相对多种液晶面板，通过1种液晶驱动器进行应对，人们提出有下述的高性能的液晶驱动器，其可应对能够针对每次的锁存处理而进行γ特性设定变更的多种的γ特性。

然而，在这样的高性能的液晶驱动器的试验中，由于还对理想电压值的运算时间进行加法处理(plus)，故检验时间进一步增加。

在这里，在下面参照图5对高性能的液晶驱动器的试验的检验时间增加的原因进行描述。图5(a)～(c)为分别表示液晶面板的γ特性实例的曲线图，相应的纵轴表示从液晶驱动器LSI，朝向液晶面板的灰度显示用输出电压值(1V～6V)，相应的横轴表示灰度。

在图5(a)所示的γ特性实例1与图5(b)所示的γ特性实例2中，在横轴1-2之间(横轴k-k+1)，具有16级灰度，在横轴1-5之间，比如，为共计64级灰度显示，在横轴1-2之间(横轴k-k+1)之间，呈现直线特性，在横轴2，3，4，呈现折线特性。

在γ特性实例1与γ特性实例2中，该折线特性指液晶面板的不同等而不同。

另外，图5(c)所示的γ特性实例3表示具有横轴1-2之间(横轴k-k+1)，更加平滑的折线特性的灰度显示用输出电压与灰度之间的关系。

在各实例中，通过改变从外部，输入到液晶驱动器LSI的参考电压发生器13中的参考电压(参照图6的梯形电阻器)，产生上述的输出电压。

象这样，对应于液晶材料，液晶面板的特性，改变γ特性，以便对应于适合的值，设定显示质量，由此，通过设置于液晶驱动器的内部的梯形电阻器，确定每级灰度的输出电压值(在图6中，通过改变参考电压而应对的实例)，在检验程序的内部，采用与γ特性类型相对应的计算式，通过运算求出每个灰度的输出电压，将该值作为参考电压值数据，从检查装置输出。

将该参考电压值数据输入到参考电压发生器13中，通过该参考电压发生器13内部的DA转换器，进行数字—模拟的转换，将其作为期待值电压，输出给差动放大器阵列模块14。

在过去，一般针对每个液晶面板，确定γ特性，灰度数，设定图6所示的LSI内部的梯形电阻值(不改变参考电压，而对应于γ特性，设定梯形电阻的电阻值)，由此，产生的期待值电压。

于是，象上述那样，在最近，在γ特性变化为图5(a)，(b)所示的γ特性1·γ特性2的场合，在象图5(c)所示的γ特性3那样，改变灰度数这样的场合，人们提出通过同一的液晶驱动器LSI，与多种液晶面板相对应的高性能的液晶驱动器。

为了保证具有这样的功能的液晶驱动器LSI的输出特性(允许值，均匀性)，必须检验全部的输出状态，由此，还必须进行改变了γ特性的输出检验。

可认为该情况也同样与下述场合相同，该场合指通过同一检验器，连续地对进行不同的γ补偿的不同的液晶面板LSI进行检验。

在过去的半导体集成电路的检查装置中，采用下述方法，即，在检验程序的内部，对与γ特性的灰度输出电压进行运算，通过检验器，输出与该结果相对应的参考值数据(从检验器的I/O的关系，还具有1ch的场合)，通过期待值发生单元，产生期待值电压，但是在该方法中，不能够容易地输出期待值电压，检验时间增加，并且检验程序复杂，开发效率降低。

另外，检验器内部的存储器容量的增加也构成问题。

象上述那样，在测定精度的提高，进行还假定可通过1个液晶驱动器，应对各种γ特性的液晶驱动器的检验的方面，在图10所示的过去的半导体集成电路的检查装置中，为了实现检验时间的缩短，重要的是如此高效率地发生用于获得液晶驱动器的输出电压的差值的参考电压值。

但是，在图1所示的半导体集成电路的检查装置中，在参考电压发生器13中，由于大幅度地缩短产生期待值电压的时间，故可在高精度，并且在较短时间，完成上述这样的高性能的液晶驱动器LSI的检验。

通常，在进行多输出，多灰度处理的液晶驱动器LSI等的半导体集成电路的检查中，可通过转换器22的差动放大电压的同时判断，实现检验时间的大幅度地缩短，但是，在检验器中，产生与从液晶驱动器LSI11输出的n个左右的灰度电压相对应的参考电压，针对每次测定，获取该电压的方法中，与进行液晶系输出的测定的实质的检验时间相比较，要求花费参考电压值的设定时间(转送时间)的数倍时间。

但是，如果采用本发明的液晶驱动器检查装置，由于参考电压值这样产生，即，将灰度数，灰度显示数等，与液晶面板的γ特性类型有关的信息接收于存储器中，根据这些信息，对参考电压值进行内插处理，故相对过去的，通过检验器产生的参考电压值转送给电压发生器的场合所要求的转送时间，可大幅度地缩短转送时间，其结果是，可实现检验时间的大幅度的缩短。

此外，由于在针对每个器件，γ特性不同的场合的连续检验，灰度数增加到比如，256级灰度，1024级灰度的场合，均可容易对对应于γ特性的参考电压进行内插处理，产生该参考电压，故即使在这样的场合，仍不必考虑参考电压的设定时间，可仅仅在实质的判断时间，进行检验，可抑制检验程序的复杂化，可容易实现高效率的检验。

另外，必须形成多个灰度，并且提高测定精度，对于比如，1024灰度质量，必须要求至少1mV以下的测定精度，但是，即使在参考值数据的比特数增加的情况下，检验时间仍不象已有技术那样，大幅度地增加，另外，按照本发明，由于不在检验器中，而在参考电压发生器13的内部，产生参考电压，故可使该电压值的精度提高，与过去的，在检验器等中，产生参考电压的场合相比较，可进一步提高测定精度。

还有，在本实施例中，针对本发明用于作为半导体集成电路的，液晶驱动器LSI的检验的场合进行了说明，但是，本发明不限于此，对于采用梯形电阻器等的，能够进行直线内插处理的多电压发生装置，及其检查，是有效的。因此，本发明还可适合用于通过改变电压值，进行灰度显示的显示器，DA转换器的输出检查。

象上述那样，本发明的参考电压发生装置采用下述方案，其中，在对应于所输入的参考数据，发生参考电压的参考电压发生装置中，具有参考数据发生单元，该参考数据发生单元根据上述已输入的参考数据，以内插方式产生参考数据，以便形成与参考电压数量相同的数量。

于是，根据其数量比参考电压的必要数量少的参考数据，产生必要数量的参考电压，由此，将参考电压转送给参考电压发生装置的时间可比转送其数量与必要的数量的参考电压相同的参考数据的场合短。由此，获得可缩短参考电压的发生的时间的效果。

上述参考数据发生单元的参考数据的内插最好采用直线内插。

在此场合，由于在参考电压发生装置中采用梯形电阻器等，故实现可通过简单的方案，进行参考数据的内插处理的效果。

上述参考数据发生单元的直线内插通过比如，下面给出的内插单元进行。

即，上述内插单元由下述单元构成，该下述单元包括减法运算单元，该减法运算单元计算所输入的参考数据之间的差；除法运算单元，该除法运算单元以上述所输入的参考数据之间的分割数，除以上述减法运算单元的输出值；乘法运算单元，该乘法运算单元将上述相当于所输出的参考电压的比例值，与上述除法运算单元的输出值相乘；加减法运算单元，该加减法运算单元将上述乘法运算单元的输出值，作为上述所输入的参考数据的内插值而进行加减法运算。

在此场合，获得可通过上述内插单元，有效地进行参考数据的直线内插处理的效果。

另外，也可在作为被检验器件的液晶驱动器LSI等的半导体集成电路的内部，设置上述方案的参考电压发生装置。

在此场合，过去的半导体集成电路的检测装置实现下述效果，即，照原样采用下述检测装置，该检查装置对参考电压与灰度显示用电压之间的差进行放大，判断其是否良好。

此外，本发明的半导体集成电路的检测装置如上所述，构成如下：其通过与单独产生的参考电压进行比较，判断半导体集成电路的输出电压电平是否良好，在该检测装置，设置有参考电压发生电路，该参考电压发生电路对应于所输入的参考数据，产生上述参考电压，其数量比所发生的参考电压的数量少的参考数据输入到上述参考电压发生电路中，根据该已输入的参考数据，以内插方式产生参考数据，以便形成与参考电压的数量相同的数量。

于是，由于通过缩短将参考数据转送给该参考电压发生电路的时间，可缩短获得半导体集成电路所必需的输出电压用的时间，故可大幅度地缩短半导体集成电路的检查的时间。

由此，即使在为了提高精度，参考数据的容量(比特数)增加的情况下，与将和必要数量的参考电压相对应的全部的参考数据转送给参考电压发生装置的场合相比较，可大幅度地缩短参考数据的转送时间。

于是，在为了提高检测精度，增加参考电压的发生所必要的参考数据的容量(比特数)的场合，如果象上述那样，可在参考电压发生装置内部，产生与参考电压相对应的参考数据，则可在较短时间，制作检测精度的提高所必需的参考数据。

根据上述情况，实现下述效果，即，可在极短的时间，以较高的精度实施作为被检验器件的半导体集成电路的检查。

上述参考电压发生电路的参考数据的内插最好采用直线内插。

在此场合，由于在参考电压发生装置中采用梯形电阻器等，故可获得通过简单的方案进行参考数据的内插处理的效果。

上述参考电压发生电路的参考数据的内插比如，下面给出的内插单元进行。

即，上述内插单元由下述单元构成，该下述单元包括减法运算单元，该减法运算单元计算所输入的参考数据之间的差；除法运算单元，该除法运算单元以上述所输入的参考数据之间的分割数，除以上述减法运算单元的输出值；乘法运算单元，该乘法运算单元将相当于所输出的参考电压的比例值，与上述除法运算单元的输出值相乘；加减法运算单元，该加减法运算单元将上述乘法运算单元的输出值，作为上述所输入的参考数据的内插值进行加减法运算。

在此场合，实现可通过上述内插单元，有效地进行参考数据的直线内插的效果。

本发明的具体描述部分给出的具体的实施形式，或实施例完全是理解本发明的技术内容用的，其不应为仅仅限于这样的具体实例而狭义地解释的内容，在本发明的实质和在下面给出的权利要求书的范围内，可按照各种变换方式来实施。

Claims (12)

1.一种参考电压发生装置(13)，该参考电压发生装置(13)对应于所输入的参考数据，产生参考电压，其特征在于：

其包括参考数据发生单元(33)，其数量比所发生的参考电压的数量少的参考数据输入到该参考数据发生单元(33)中，根据已输入的参考数据，以内插方式产生参考数据，以便形成与参考电压的数量相同的数量。

2.根据权利要求1所述的参考电压发生装置，其特征在于：上述参考数据发生单元(33)的参考数据的内插为直线内插。

3.根据权利要求2所述的参考电压发生装置，其特征在于：

上述参考数据发生单元(33)包括内插单元(34)，该内插单元由下述单元组成，该下述单元包括：

减法运算单元，该减法运算单元计算所输入的参考数据之间的差；

除法运算单元，该除法运算单元以上述所输入的参考数据之间的分割数，除以上述减法运算单元的输出值；

乘法运算单元，该乘法运算单元将相当于所输出的参考电压的比例值，与上述除法运算单元的输出值相乘；

加减法运算单元，该加减法运算单元将上述乘法运算单元的输出值，作为内插值，对上述所输入的参考数据进行加减法运算。

4.一种半导体集成电路，其特征在于：

其内部设置有权利要求1～3中的任何一项所述的参考电压发生装置。

5.一种半导体集成电路的检查装置，该半导体集成电路的检查装置通过与另一途径形成的参考电压进行比较，判断半导体集成电路的输出电压电平是否良好，其特征在于：

其包括参考电压发生电路(13)，该参考电压发生电路(13)对应于所输入的参考数据，产生上述参考电压；

其数量比所发生的参考电压的数量少的参考数据输入到上述参考电压发生电路(13)中，根据上述已输入的参考数据，以内插方式产生参考数据，以便形成与参考电压的数量相同的数量。

6.根据权利要求5所述的半导体集成电路的检查装置，其特征在于：上述参考电压发生电路(13)的参考数据的内插为直线内插。

7.根据权利要求6所述的半导体集成电路的检查装置，其特征在于：上述参考电压发生电路(13)包括内插单元(34)，该内插单元由下述单元组成，该下述单元包括：

减法运算单元，该减法运算单元计算所输入的参考数据之间的差；

除法运算单元，该除法运算单元以上述所输入的参考数据之间的分割数，除以上述减法运算单元的输出值；

乘法运算单元，该乘法运算单元将相当于所输出的参考电压的比例值，与上述除法运算单元的输出值相乘；

加减法运算单元，该加减法运算单元将上述乘法运算单元的输出值，作为内插值，对上述所输入的参考数据进行加减法运算。

8.根据权利要求5～7中的任何一项所述的半导体集成电路的检查装置，其特征在于：上述半导体集成电路为液晶驱动用集成电路(11)。

9.一种半导体集成电路的检查方法，在该半导体集成电路的检查方法中，通过与另一途径形成的参考电压进行比较，判断半导体集成电路的输出电压电平是否良好，其特征在于：

包括下述步骤：

参考数据发生步骤，即，根据其数量比所产生的参考电压少的参考数据，以内插方式产生参考数据，以便形成与参考电压的数量相同的数量；

参考电压发生步骤，即，对应于在上述参考数据发生步骤所获得的参考数据，产生上述参考电压。

10.根据权利要求9所述的半导体集成电路的检查方法，其特征在于：上述参考数据发生步骤的参考数据的内插为直线内插。

11.根据权利要求10所述的半导体集成电路的检查方法，其特征在于：上述参考数据发生步骤包括：

第1步骤，即，计算所输入的参考数据之间的差；

第2步骤，即，以所输入的参考数据之间的分割数，除以在上述第1步骤中计算的值；

第3步骤，即，将相当于在上述参考电压发生步骤产生的参考电压的比例值，与在上述第2步骤进行除法运算得到的值相乘；

第4步骤，即，将在上述第3步骤进行乘法运算得到的值作为内插值，对上述已输入的参考数据进行加减法运算。

12.根据权利要求9～11中的任何一项所述的半导体集成电路的检查方法，其特征在于：上述半导体集成电路为液晶驱动用集成电路。

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