CN1448900A - 显示装置、发光二极管屏、薄膜晶体管控制装置及方法 - Google Patents

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Abstract

在用薄膜晶体管(TFT)驱动OLED(有机发光二极管)时,减小薄膜晶体管所产生的阈值电压(Vth)的正偏移。用于驱动OLED(有机发光二极管)的晶体管的非晶硅TFT,通过使栅压和漏极电压同时导通和切断,来去除阈值电压(Vth)的增加分量。即在OLED显示屏(10)中,包括:用非晶硅TFT驱动OLED的驱动电路(20);以及电源线驱动器(14),在将使提供给该驱动电路(20)中的非晶硅TFT的栅电极的栅极电压导通-截止时,将提供给非晶硅TFT的漏电极的电压截止。

Description

显示装置、发光二极管屏、薄膜晶体管控制装置及方法
技术领域
本发明涉及诸如采用有机发光二极管(OLED)的显示装置等。更具体地,本发明涉及使用薄膜晶体管作为驱动OLED的显示装置(下文将该显示装置称为OLED)等。
背景技术
OLED(也称为有机EL)是一种通过在具有电场激励的荧光性的有机化合物上流过直流电流而产生光发射的技术。就OLED所具有的外形简单(lowprofile)、广视角、宽色移(gamut)等特点而言,OLED已经作为下一代显示设备而倍受关注。驱动OLED的模式有两种类型,即被动式和主动式。但是,从材料、寿命、串扰等方面而言,主动式更适合获得宽屏幕和高清晰度显示质量。在这种主动式中需要驱动薄膜晶体管(下文称作“TFT”)。该TFT技术利用两种类型的材料,即低温多晶硅和非晶硅(a-Si)。
因为其能够流过基于大迁移率而导致的大电流,并且能够提高屏幕的亮度,所以使用低温多晶硅的多晶硅TFT得到广泛地应用。但是,生成多晶硅TFT的过程需要例如使用电流技术的9种光刻处理(PEP)。因此,随着处理复杂程度的增加,导致多晶硅TFT的成本增加。而且使用多晶硅TFT,难于获得大屏幕,并且目前其最大屏幕尺寸仅为15英寸。与之相反,a-Si(非晶硅)TFT则能够通过较少的处理过程来形成;因此,就限制成本而言,a-Si TFT是有利的。而且a-Si TFT能够形成大屏幕,并且从诸如亮度均匀之类的图象质量的角度来看,a-Si TFT具有非常好的效果。因此,随着对多晶硅TFT的研究深入,对a-Si TFT的研究也正在进行之中。
在此,OLED是电流驱动元件。因此,由于随时间而产生的电流退化的不均衡或驱动晶体管中的不均衡直接导致了图象质量的恶化。就TFT的阈值电压(Vth)而言,在使用多晶硅TFT的驱动晶体管中,阈值电压(Vth)的偏移受到限制。相反,在非晶硅TFT中,Vth的偏移实际上是随时间推移而恶化的。
造成阈值电压(Vth)的这种偏移的第一个原因是:当电子在TFT的沟道中流动时,电子跃迁到栅极绝缘膜上。而且第二个原因是:一旦电子在TFT的沟道上流动时,就对Si进行充电,因为电子脱离了Si的束缚(bonding)。
图6是当使用非晶硅TFT时,随时间变化的阈值电压(Vth)的偏移量。横坐标轴表示时间,纵坐标轴表示Vth的偏移量。如图6所示,当使用非晶硅TFT驱动OLED时,Vth实质上使随时间而偏移的,从开始时的0.7V上升到大约10小时之后的2V。如果阈值电压(Vth)如上所述偏移,则电流值下降,由此使屏幕变暗。而且,在分级显示(gradation display)的情况下存在以下问题:不能以合适的灰度显示接近黑色的灰阶部分。
发明内容
本发明是针对上述技术问题提出的。本发明的一个目的是减小在通过TFT驱动OLED的过程中出现的阈值电压(Vth)的偏移量。
本发明的另一个目的是:通过减小阈值电压(Vth)的偏移量,尤其是减小非晶硅TFT的阈值电压(Vth)的偏移量,来延长使用非晶硅TFT作为驱动晶体管的OLED显示屏的寿命。
为实现上述目的,本发明主要在于:通过使栅极电压和漏极电压(源极电压)间断地和几乎同时地上升,来消除用于驱动OLED的晶体管(诸如非晶硅TFT)中的阈值电压(Vth)的增加的分量。特别地,采用本发明的一种显示装置,包括:OLED;非晶硅薄膜TFT,用于驱动所述OLED;以及电源线驱动器,用于在施加到所述非晶硅薄膜TFT的栅电极的栅极电压下降时,使施加到源电极和漏电极之一的电源线电压下降。而且当提供栅极电压时,所述电源线驱动器提供电源线电压。在此,“源电极和漏电极中的任何一个”反映的是其中的电极可以被称为二者中的任何一个的特殊场合。上述说明同样适用于下文中同样的情况。
而且,在应用了本发明的显示装置中,当驱动晶体管驱动OLED时,电源线驱动器将一电压施加到驱动晶体管的栅电极和漏电极之一,同时使施加到其上的电压间断地上升。在此,以使所述驱动晶体管的栅极电压间断地上升的相同的时序,所述电源线驱动器使施加到所述栅电极和漏电极任意之一的电源线电压间断地上升。
同时,应用本发明的一种显示装置包括:驱动部件,用于使用TFT驱动OLED;栅极电压供给部件,用于使在所述驱动部件中施加到所述TFT的栅极的栅极电压间断地上升;以及控制部件,用于执行控制,以便当所述栅极电压供给部件使所述栅电极的栅极电压下降时,消除所述薄膜晶体管的漏电极和源电极之间的电位差。在此,根据从扫描线驱动器提供的扫描线信号和从数据线驱动器提供的数据线信号,所述栅极电压供给部件使栅极电压间断地上升,并且,与栅极电压供给部件使栅极电压的下降同步地,控制部件使施加到TFT的电源线电压下降。
而且,应用本发明的一种有机发光二极管屏包括:自发光的OLED,提供在每一个像素上;以及非晶硅TFT,用于驱动所述OLED。在此,以下面方式控制所述非晶硅TFT。具体地,当提供给栅电极的电压下降时,漏极和源极之间的电压变得等于0V,并且当提供给栅电极的电压下降时,使正空穴陷入在非晶硅中,来减小阈值电压(Vth)的偏移量。
而且,在应用本发明的一种用于TFT的控制装置中,栅极电压提供部件将栅极电压提供给TFT的栅电极,所述TFT用于驱动OLED。而且电压供给部件将电压提供给TFT的源电极和漏电极中的任何一个,并当栅极电压供给部件使栅极电压下降时,使提供到所述源电极和漏电极中的任何一个的所述电压下降。当所述栅极电压供给部件提供所述栅极电压时,所述电压供给部件的构成可以使提供给源电极和漏电极中的任何一个的所述电压保持上升。
从其它方面来看,应用本发明的一种控制TFT的方法,包括以下步骤:控制提供到TFT的源电极和漏电极的任何一个的电压,以便当提供到所述TFT的栅电极的栅极电压上升时,使所述电压保持上升;以及控制提供到所述源电极和漏电极的任何一个的所述电压,以便当栅极电压下降时,使所述电压下降。在此,能够允许提供到所述源电极和漏电极的任何一个的所述电压与所述栅极电压的上升同步地上升。
而且本发明提供一种控制OLED显示的方法,包括以下步骤:根据数据信号,将电压提供给TFT,所述TFT用于驱动OLED;以及根据预定的占空比,当所述电源线电压间断地上升时,将所述电源线电压提供给所述TFT。而且在提供所述电源线电压的步骤中,所述电源线电压的电压值由提供到所述TFT的总电荷量确定。
附图说明
为更全面地理解本发明及其优点,现在将结合附图,进行参考说明。
图1是采用本发明实施例的主动矩阵(active-matrix)OLED显示屏的示意图。
图2是在OLED显示屏中使用的驱动电路的组成示意图。
图3A和3B是由该实施例的控制单元控制的驱动电路的时序示意图。
图4是说明在50[摄氏度]时驱动TFT的Vth的偏移量的示意图。
图5是显示当在35[摄氏度]驱动该驱动TFT时,去除了由具有大激化能量的电流所造成的恶化分量(正偏移)的结果示意图。
图6是当使用非晶硅时,随时间变化的阈值(Vth)的偏移量的示意图。
具体实施方式
现在,参照附图,根据实施例,来详细说明本发明。
图1是采用本发明实施例的主动矩阵OLED显示屏10的示意图。本实施例针对使用非晶硅(a-Si)TFT的主动矩阵OLED显示屏10。为了驱动具有m[乘以]n排列的点矩阵显示屏,该OLED显示屏10包括:控制单元11,用于按照处理所施加的视频信号需要的定时,将控制信号输出到每一个驱动电路;扫描线驱动器12,用于根据控制单元11的控制信号,将选择信号(地址信号)提供到扫描线Y1至Yn;数据线驱动器13,用于根据控制单元11的控制信号,将数据信号提供到数据线X1至Xm;电源线驱动器14,其为电源,以便能够在OLED中产生电流;命令线驱动器15,用于将提供给OLED的电流接地;以及驱动电路20,分别提供在m[乘以]n个像素单位上。命令线驱动器15由扫描线驱动器12的选择信号和数据线驱动器13的数据信号控制。在此,上述组成还可以包括用于生成提供到控制单元11的视频信号的电路结构,并且它们可以一起被看作是显示装置。同时,上述组成可以不包括控制单元11等,并且可以被作为OLED显示屏来运行。而且,还可以不提供命令线驱动器15来组成OLED显示屏,使得提供到OLED的电流简单地接地。
图2是在OLED显示屏10中使用的驱动电路20的组成示意图。图2所示的驱动电路20包括:OLED 21,用于将有机化合物提供给发光层;驱动TFT 22,由驱动OLED 21的非晶硅TFT组成;开关TFT 23,用于根据通过扫描线从扫描线驱动器12获得的扫描信号和通过数据线从数据线驱动器13获得的数据信号,执行开关操作;以及电容器24,连接到来自电源线驱动器14的电流供给线,电容器24存储充电电荷以保持栅极的电位。在本实施例中,控制单元11控制电源线驱动器14,以便使提供到驱动TFT 22的栅极电压和经由电流供给线获得的电源线电压(本实施例中被称为漏极电压)间断地并几乎是同时地上升。注意,在不同的命名方式中,电源线电压也可能被称为源极电压。
例如,从电源线驱动器14提供到驱动TFT22的电源线电压在15V时被不正常地间断上升。因此,通常保持提供恒定电流。但是,在本实施例中,电源线电压(漏极电压)随着栅极电压一起间断地上升,由此驱动TFT 22的阈值电压(Vth)的偏移量减小。注意“使该电压保持不变(stop)”的表述并不一定意味着将该电压设置成0V。这点是指传导电子几乎从驱动22的沟道中消失的状态。换言之,这点也可以指栅极电压下降到阈值以下的状态。
在允许例如1[微安]电流流过驱动TFT 22的情况下,有多种方式来实现允许1[微安]电流的通过。例如,有一种方式,允许1[微安]电流以直流电流形式流过;另一种方式是允许2[微安]的电流以50%的占空比(duty ratio)来流过;还存在其它的方式。而且还可以想象栅极电压和漏极电压作为一组看待,当栅极电压被间断地上升时,使漏极电压下降的方式也有变化。结果,实质上是调整总的电荷量。本发明的发明人对如何允许电流的方式进行了深入研究,并发现通过间断地并且几乎同时地升高栅极电压和漏极电压能够减小阈值电压(Vth)的正偏移恶化。
图3A和3B是由该实施例的控制单元11控制的驱动电路20的时序示意图。图3A和3B示出了两个例子。在此,每一幅附图示出了从公共线驱动器15获得的公共线信号、从电源线驱动器14获得的电源线信号、从扫描线驱动器12获得的扫描线信号、从数据线驱动器13获得的数据线信号以及在驱动电路20的驱动TFT 22的栅电极上出现的栅极电位。电源线信号是以例如50%的占空比操作的。电源线信号在扫描线信号的脉冲之间切换on和off状态(图3A的情况);或者根据扫描线信号的各个脉冲顺序切换on和off状态(图3B的情况)。栅极电位随着电源线信号的下降而下降。具体地,上述的栅极电位和漏极电位的跌落可以通过使电源线驱动器14的电源线信号下降而实现。
在图3A和3B中,驱动TFT 22的栅极电位和电源线信号是间断地和同时地上升的时序。这得益于电源线驱动器14的电流供给线被连接到驱动TFT22的栅电极的事实。在本实施例中,电容器24插入在驱动TFT 22的漏电极和栅电极之间以便通过使用电容器24使栅极电位和电源线信号间断地和同时地上升。在用于驱动TFT 22的漏电极以及栅电极的电流供给线与电源之间提供电源线驱动器14,用于间断地和同时地使栅电极和电源线信号上升。注意,“同时”一词不是仅指时间的完全一致的状态。为获得本实施例的优点,通过将时序设置成“几乎同时”能够获得类似的效果,“几乎同时”包括它们之间给定的时间间隔。这点同样适合于提到该词的其它地方。
图4是说明在50[摄氏度]时驱动TFT 22的Vth的偏移量的示意图。在图4中,纵坐标轴表示阈值电压(Vth)的偏移量(V),横坐标轴表示时间(小时)。图4示出了通过以50%的占空比顺序改变栅极电压以及漏/源极电压时驱动的状态。图4中的三角形标记表示的图显示了基于传统模式的Vth的偏移量,其中漏极电压Vd保持上升(10V时)而与栅极电压Vg的间断上升无关。同时,图4中的正方形标记表示的图显示了当漏极电压Vd与栅极电压Vg的间断上升(10V和0V时)一起间断上升的Vth的偏移量。如图4所示,当栅极电压Vg和漏极电压Vd一起间接地、同时地上升时,Vth的偏移量减小是可以理解的。结果,能够将驱动TFT 20的寿命延长两倍或更长。
图5是显示当在35[摄氏度]驱动驱动TFT 22时,去除了由具有大激化能量的电流所造成的恶化分量(正偏移)的结果示意图。纵坐标轴表示阈值电压(Vth)的偏移量(V),横坐标轴表示时间(小时)。其中三角形标记指示的图显示了基于传统模式的Vth的偏移量,其中漏极电压Vd保持上升而与栅极电压Vg的间断上升无关。同时,圆形标记指示的图显示了控制漏极电压以便使漏极电压Vd在15V和0V之间切换的情况,所述的漏极电压Vd在15V和0V之间的切换是与栅极电压Vg在10V和0V之间的间断切换相关的。而且,菱形标记指示的图显示了控制漏极电压以便使漏极电压Vd在10V和0V之间切换的情况,所述的漏极电压Vd在10V和0V之间的切换是与栅极电压Vg在10V和0V之间的间断切换相关的。从图5可知,在去除了由具有大激化能量的电流所造成的恶化分量(正偏移)的情况中,通过几乎同时施加和停止栅极电压Vg和漏极电压Vd,产生了负偏移。
通常,产生负偏移的可想象到的机制是捕获(trap)正电荷或排出其中原始存在的负电荷。由于图5所示的负偏移不影响其中原始存在的负电荷,因此其中的捕获正电荷的机制看来是可行的。在该机制中,首先,通过热等激发的电子-正空穴对中的电子,在即使当电压下降时,也通过穿越n+阻挡层而从漏电极和/或源电极逃逸。相反,在现有技术中,即使电压停止时,漏极电压被施加到正空穴上,其不能穿越n+阻挡层。由于漏极和源极之间存在电位差,通过形成具有在源极周围激发的电子的对,正空穴消失。在本发明的该实施例中,当栅极电压下降时,通过使漏极电压下降而消除漏极和源极之间的电位差。由于电子不能被激发,可以想象,捕获在非晶硅中的正空穴使阈值电压(Vth)产生负偏移。尽管正空穴(正电荷)捕获在初始状态的非晶硅TFT中,随着时间的推移,通过上述机制,正空穴逐渐地被陷入在其中。负偏移的这种效果抵消了部分正偏移。最终,可以减小阈值电压(Vth)的偏移。
因此,为了使用负偏移的这种效果抵消部分正偏移,并由此减小阈值电压(Vth)的偏移,所采用的方式不限于使电压间断地和几乎同时地上升的情况。取而代之,当栅极电压施加到栅极时,如果电压被提供到源电极或漏电极是令人满意的。为了在栅极电压下降时,消除漏极和源极之间的电位差,最好在栅极电压下降时,将提供给源电极或漏电极的电压停止。并且确定将施加到源电极或漏电极的电流值和用于使电压间断地上升的占空比,以便使总的电荷量相符。
如上所述,在本实施例中,构建了用做驱动OLED的驱动TFT的非晶硅TFT,使得栅极电压和漏极电压(电源线电压)间断地并同时地上升。在这种方式中,通过使电源线驱动器14的电源线信号间断地上升,在非晶硅TFT中的阈值电压(Vth)的正偏移恶化能够通过Vth的负偏移量抵消,所述的Vth的负偏移量是由于栅极电压和漏极电压(电源线电压)间断地并同时地上升产生的。结果,能够减小阈值电压(Vth)的偏移。通过减小阈值电压(Vth)的偏移,能够延长非晶硅TFT的寿命,并进而延长使用非晶硅TFT的OLED显示屏的寿命。尽管本实施例是以非晶硅TFT作为例子进行说明的,对于通常阈值电压(Vth)具有小偏移的多晶硅TFT也可以进行类似的控制。但是不用说,就阈值电压(Vth)的偏移这个问题而言,本发明对非晶硅TFT的功效更显著。
如上所述,根据本发明,在驱动使用TFT的OLED时,能够减小在TFT(TFT)中产生的阈值电压(Vth)的正偏移,并能够延长这样的TFT驱动的OLED显示屏的寿命。
尽管已经详细地说明了本发明的优选实施例,应该理解,在不脱离由所附权利要求限定的本发明的实质和范围的前提下,能够从其中产生各种改变、替代以及变型。

Claims (14)

1.一种显示装置,包括:
有机发光二极管;
非晶硅薄膜晶体管,用于驱动所述有机发光二极管;以及
电源线驱动器,用于在施加到所述非晶硅薄膜晶体管的栅电极的栅极电压下降时,使施加到源电极和漏电极之一的电源线电压下降。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中当所述栅极电压上升时,所述电源线驱动器使电源线电压保持上升。
3.一种显示装置,包括:
有机发光二极管;
驱动晶体管,用于驱动所述有机发光二极管;以及
电源线驱动器,用于将一电压施加到所述驱动晶体管的栅电极和漏电极之一,同时使所述电压间断地上升。
4.如权利要求3所述的显示装置,其中以使所述驱动晶体管的栅极电压间断地上升的相同的时序,所述电源线驱动器使施加到所述栅电极和漏电极任意之一的电源线电压间断地上升。
5.一种显示装置,包括
驱动部件,用于使用薄膜晶体管驱动有机发光二极管;
栅极电压供给部件,用于使在所述驱动部件中施加到所述薄膜晶体管的栅极的栅极电压间断地上升;以及
控制部件,用于执行控制,以便当所述栅极电压供给部件使所述栅电极的栅极电压下降时,消除所述薄膜晶体管的漏电极和源电极之间的电位差。
6.如权利要求5所述的显示装置,
其中,根据从扫描线驱动器提供的扫描线信号和从数据线驱动器提供的数据线信号,所述栅极电压供给部件使栅极电压间断地上升,以及
与栅极电压供给部件使栅极电压的下降同步地,控制部件使施加到薄膜晶体管的电源线电压下降。
7.一种有机发光二极管屏,包括:
自发光的有机发光二极管,提供在每一个像素上;以及
非晶硅薄膜晶体管,用于驱动所述有机发光二极管,
其中,控制所述非晶硅薄膜晶体管,以便当停止提供给栅电极的电压时,通过在非晶硅中捕获的正空穴,使得阈值电压(Vth)的偏移量减小。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管屏,其中,当停止提供给栅电极的电压时,非晶硅薄膜晶体管的漏极和源极之间的电压变得等于0V。
9.一种用于薄膜晶体管的控制装置,包括:
栅极电压提供部件,用于将栅极电压提供给薄膜晶体管的栅电极,所述薄膜晶体管用于驱动有机发光二极管;以及
电压供给部件,用于将电压提供给薄膜晶体管的源电极和漏电极中的任何一个,并用于当栅极电压供给部件使栅极电压下降时,使提供到所述源电极和漏电极中的任何一个的所述电压下降。
10.如权利要求9所述的控制装置,其中,当所述栅极电压供给部件使所述栅极电压提供到所述薄膜晶体管的栅电极时,所述电压供给部件将提供给源电极和漏电极中的任何一个的所述电压保持上升。
11.一种控制用于驱动有机发光二极管的薄膜晶体管的方法,包括以下步骤:
控制提供到薄膜晶体管的源电极和漏电极的任何一个的电压,以便当提供到所述薄膜晶体管的栅电极的栅极电压上升时,使所述电压保持上升;以及
控制提供到所述源电极和漏电极的任何一个的所述电压,以便当栅极电压下降时,使所述电压下降。
12.如权利要求11所述的控制薄膜晶体管的方法,其中提供到所述源电极和漏电极的任何一个的所述电压与所述栅极电压的上升同步地上升。
13.一种控制有机发光二极管的方法,包括以下步骤:
根据数据信号,将电压提供给薄膜晶体管,所述薄膜晶体管用于驱动有机发光二极管;以及
根据预定的占空比,将电源线电压提供给所述薄膜晶体管,同时使所述电源线电压间断地上升。
14.如权利要求13所述的控制有机发光二极管的方法,其中在提供所述电源线电压的步骤中,所述电源线电压的电压值由提供到所述薄膜晶体管的总电荷量确定。
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