CN1404901A - 过氟化物的处理方法 - Google Patents

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Abstract

一种过氟化物的处理方法，其特征在于：过氟化物处理从业者使用连接到排出过氟化物的制造设备上的上述过氟化物处理装置，进行从上述制造设备排出的上述过氟化物的分解处理，与上述制造装置的所有者联系根据由上述过氟化物处理装置已处理的上述过氟化物的处理量计算出的上述过氟化物的处理费。按照该处理方法，可减少制造从业者支付的在过氟化物的分解处理中所需要的费用。

Description

过氟化物的处理方法
(一)技术领域
本发明涉及过氟化物的处理方法，特别是涉及适合于处理半导体制造设备和液晶制造设备排出的过氟化物的过氟化物的处理方法。
(二)背景技术
半导体产业是技术革新很快的、在2至4年中进行半导体世代交替的领域。对于半导体制造设备来说，必须引入适应于半导体世代交替的、体现制造技术进步的最新的微细化加工设备。因此，半导体的制造厂家必须经常引入最新的半导体制造设备。
另一方面，半导体制造设备在半导体的制造工序中使用了过氟化物(Perfluorocompound)作为刻蚀用气体和清洗用气体。过氟化物(以下，称为PFC)是CF4、CHF3、C2F6、CH2F2、C3F8、C5F8、SF6、NF3等的不包含氯的碳与氟、碳与氢与氟、硫与氟和氮与氟的化合物的总称。PFC的寿命很长(对于C2F6来说，为10,000年，对于SF6来说，为3,200年)，是温室系数大的地球温室气体，成为大气放出的限制对象。因此，研究了分解PFC的各种方法。在特开平11-70322号公报和特开平11-319485号公报中记载了该分解方法的一种。即，记载了下述分解方法：利用催化剂对PFC进行加水分解，用水(或碱溶液)对包含由PFC的分解产生的分解气体的排气进行清洗，其后，使用鼓风机排出该排气。
作为PFC的分解处理，除了使用催化剂的催化剂法外，还有利用燃烧分解PFC的燃烧法和通过对PFC进行等离子化来分解的等离子法。
半导体制造厂家除了引入最新的半导体制造设备时的很大的投资外，还必须进行对于作为环境保护的PFC分解处理装置的引入的投资。但是，不能因为在半导体制造设备的引入中需要很大的投资而停止作为环境保护的从半导体制造设备排出的PFC的分解处理。
(三)发明内容
本发明的目的在于提供能减少制造从业者支付的在过氟化物的分解处理中所需要的费用的过氟化物的处理方法。
为了达到上述的目的，本发明的特征在于：过氟化物处理从业者使用连接到排出过氟化物的制造设备上的上述过氟化物处理装置，进行从上述制造设备排出的上述过氟化物的分解处理，对上述制造装置的所有者联系根据由上述过氟化物处理装置已处理的上述过氟化物的处理量计算出的上述过氟化物的处理费。
(四)附图说明
图1是示出在作为本发明的一个优选实施例的PFC处理方法中将PFC分解处理装置和累计器连接到半导体制造设备上的状态的说明图。
图2是从连接到各半导体制造从业者的半导体制造设备上的PFC分解处理装置和累计器得到的各信息传递到PFC处理从业者的信息传送系统的结构图。
图3是图1的PFC分解处理装置的详细结构图。
图4是示出在作为本发明的另一实施例的PFC处理方法中将PFC分解处理装置和累计器连接到半导体制造设备上的状态的说明图。
图5是示出在作为本发明的另一实施例的PFC处理方法中将PFC分解处理装置和累计器连接到半导体制造设备上的状态的说明图。
图6是示出在作为本发明的另一实施例的PFC处理方法中将PFC分解处理装置和累计器连接到半导体制造设备上的状态的说明图。
图7是示出在作为本发明的另一实施例的PFC处理方法中将PFC分解处理装置和累计器连接到半导体制造设备上的状态的说明图。
(五)具体实施方式
过氟化物的处理量对应于市场环境变化的情况而变动。制造从业者因没有必要购入过氟化物处理装置而不需要该设备购入用的投资，此外，即使在市场环境变化了的情况下，由于根据过氟化物的处理量来负担其处理费用，故也可减少过氟化物的处理费用。
此外，在优选实施例中，由于过氟化物处理从业者自发地实施PFC分解处理装置的保养检查作业，故制造从业者没有必要自己进行PFC分解处理装置的保养检查作业，此外，也没有必要将该保养检查作业委托给PFC分解处理装置的制造厂家。
实施例1
使用图1、图2和图3说明作为本发明的一个优选实施例的过氟化物处理方法。如图2中所示，利用因特网54连接了半导体制造从业者A(以下，称为A公司)的服务器47、半导体制造从业者B(以下，称为B公司)的服务器49与过氟化物处理从业者C(以下，称为处理从业者C)的服务器51。将处理从业者C所具有的信息终端52和存储器53连接到服务器51上。将A公司所具有的信息终端48连接到服务器47上。将B公司所具有的信息终端50连接到服务器49上。信息终端48、50和52例如是个人计算机。
A公司使用半导体制造设备1制造了半导体，B公司使用半导体制造设备1A制造了半导体。使用图1，说明半导体制造设备1中的刻蚀装置附近的概略结构。半导体制造设备1具备刻蚀装置2、晶片供给装置3和PFC供给装置4及5。PFC供给装置4具有：PFC充填容器6；连接到PFC充填容器6上的管路8A；以及在管路8A中设置的阀门9A。PFC供给装置5具有：PFC充填容器7；连接到PFC充填容器7上的管路8B；以及在管路8B上设置的阀门9B。半导体制造设备1具备刻蚀装置A和刻蚀装置B(未图示)作为刻蚀装置2。管路8A和8B连接到刻蚀装置A的刻蚀室(未图示)上。在阀门9A和9B的上流一侧从管路8A和8B分支出来的各自的分支管路连接到刻蚀装置B的刻蚀室(未图示)上。在这些分支管路上也分别设置阀门(未图示)和流量计(未图示)。
PFC充填容器6充填了作为PFC的一种的C2F6。PFC充填容器7充填了作为PFC的另一种的SF6。在刻蚀装置A的刻蚀室(称为室A)内对晶片进行刻蚀处理的情况下，利用晶片供给装置3将晶片供给室A内。其后，通过调节打开阀门9A和9B各自的打开度，从PFC充填容器6通过管路8A将第1设定量的C2F6气体、从PFC充填容器7通过管路8B将第2设定量的SF6气体供给被减压为真空的室A内。同时将C2F6气体和SF6气体供给室A内。使C2F6气体和SF6气体等离子化，进行对于作为半导体的材料的晶片的刻蚀处理。对室A内供给的C2F6气体的一部分和SF6气体的一部分不在室A内被消耗，利用真空泵15A的吸引，排出到与室A连接的气体排出管16A中。在未图示的刻蚀装置B的刻蚀室(称为室B)内，对由晶片供给装置3供给的晶片也进行使用了从2条分支管路供给的C2F6气体和SF6气体的刻蚀处理。在室B内，在结束了由C2F6气体进行的对晶片的刻蚀处理后供给SF6气体，使用于对该晶片的刻蚀处理。在室B内未被消耗的C2F6气体的一部分和SF6气体的一部分利用真空泵15B的吸引，排出到与室B连接的气体排出管16B中。利用晶片供给装置3从室A和B分别取出刻蚀处理已结束的晶片。在室A和B中C2F6气体和SF6气体的供给方法的不同是因为利用成为刻蚀处理的对象的晶片制造不同的半导体。
A公司利用信息终端56经因特网62对服务器50发送委托从半导体制造设备1排出的PFC的处理的信息。处理从业者C通过看到在信息终端60的显示器上已被显示的该委托信息，知道来自A公司的PFC的处理委托。其后，处理从业者C将使用了催化剂的图3中示出的PFC分解处理装置17运送到A公司，连接到半导体制造设备1上。即，处理从业者C分别将管路33连接到气体排出管16A和16B上。再者，处理从业者C将累计器13A连接到流量计10上，将累计器13B连接到流量计11上，将累计器13C连接到在上述的1个分支管路上已被设置的流量计上，将累计器13D连接到在另一分支管路上已被设置的流量计上。PFC分解处理装置17和累计器13A、13B、13C、13D是处理从业者C所具有的。因此，处理从业者C使用PFC分解处理装置17，实施被排出到气体排出管16A和16B中的C2F6气体和SF6气体的处理。以下，以使用了作为PFC的一种的SF6和C2F6的情况为例，说明PFC气体的处理。
利用真空泵15A和15B将包含从室A和B排出到气体排出管16A和16B中的的PFC气体、即SF6和C2F6、SiF4和HF的排气排出到管路33中，再供给硅除去装置的入口充填塔23。为了防止轴承部被HF所腐蚀，对真空泵15A和15B供给N2气体。该N2气体与排气一起，供给入口充填塔23内。排气在入口充填塔23内上升经过充填层24内，经管路34供给硅除去装置的喷雾塔25内。利用水供给管43供给的新水从喷雾器26喷射到喷雾塔25内，利用管路34引导到入口充填塔23内。利用排水泵32的驱动，经排水管37和管路39，将排水罐27内的排水供给入口充填塔23。该排水和喷雾水下降到充填层24内。
排气中包含的SiF4通过在入口充填塔23内与水(排水和喷射到喷雾塔25内的喷雾水)接触，产生(1)式的反应，分解为SiO2和HF。
        …(1)
在对入口充填塔23供给的排气中包含的HF和由(1)式的反应产生的HF，在入口充填塔23内被水吸收，从排气中除去。作为固形部分的SiO2也被该水洗去。吸收了包含SiO2的HF的水通过管路40被引导到位于入口充填塔23的下方的排水罐27内。排气中包含的其它的杂质也在入口充填塔23和喷雾塔25内被水除去。
在入口充填塔23内未被水吸收的HF与排气一起被引导到喷雾塔25内，在该处被喷射的喷雾水吸收。被引导到喷雾塔25内的残存的SiF4通过在喷雾塔25内与喷雾水接触，产生(1)式的反应。在该反应中发生的HF被喷雾水吸收。发生的SiO2也经过喷雾塔25被喷雾水排出到管路40中。
将从喷雾塔25排出到管路35内的包含SF6和C2F6的排气供给反应器18的加热空间21内。该排气未包含HF、SiF4和由(1)式的反应生成的SiO2。在加热空间21内，利用管路41供给水(或水蒸气)，利用管路42供给空气。由于由催化剂产生的PFC的分解反应是加水分解，故供给该反应所必要的水(或水蒸气)。利用加热器20将排气与水和空气一起加热到因催化剂的作用SF6和C2F6开始分解的750℃温度。水成为水蒸气。将包含了水蒸气、空气、SF6和C2F6的加热到的750℃的排气供给催化剂筒19内。
利用催化剂筒3内的包含了80％的作为Al的氧化物的Al2O3和20％的作为Ni氧化物的NiO的氧化铝类催化剂的作用，促进SF6和C2F6与H2O的下述的(2)式和(3)式的反应，SF6被分解为SO3和HF，C2F6被分解为CO2和HF。
               …(2)
    …(3)
在水蒸气的存在下进行(2)式和(3)式的反应。SF6和C2F6被100％分解。在不对催化剂筒3内供给空气、特别是氧的情况下，由于C2F6与H2O的反应而生成有害的CO。由于利用空气的供给，空气中包含的氧将CO变换为无害的CO2，故如(3)式所示那样，不发生CO。通过使用上述的氧化铝类催化剂，在温度为750℃的催化剂筒3内，SF6和C2F6被100％分解。
由于在本实施例中，在硅除去装置内使(1)式的反应发生、除去在排气中以SiF4等的化合物的形态包含了的硅，故可提高因催化剂产生的PFC的分解效率。在对反应器18内供给包含硅的排气的情况下，由于与由管路40供给的水(或水蒸气)的(1)式的反应，在加热空间21内生成SiO2。在该SiO2流入催化剂筒19的情况下，产生以下的①和②的问题。①SiO2堵塞在催化剂中形成的多孔质。②SiO2闭塞在催化剂间形成的间隙。由于①和②的缘故，催化剂的表面积减少，PFC的分解反应下降。此外，起因于②，催化剂间排气的流动变差，催化剂与排气的接触受到阻碍。这一点也与PFC的分解反应下降有关。由于本实施例在硅除去装置中事先除去了SiO2，故不产生上述的问题，可提高PFC的分解效率。
从催化剂筒19将包含作为SF6和C2F6的各自的分解气体的SO3、CO2以及HF的排气供给冷却室22内。由水供给管45供给的水从喷雾器46喷雾到冷却室22内。由于该排气因与已被喷雾的水接触而被冷却，故排气温度下降到100℃以下。由此，可用作为耐蚀性良好的塑料的聚氯乙烯树脂来构成反应器18的下流一侧的装置(冷却室22、排气清洗塔28)、管路36和38。排气中包含的HF的一部分由已被喷雾的水吸收。将已被喷雾的水和排气通过管路36从冷却室22引导到排水罐27内。将水暂时地存储在排水罐27内。将排水罐27内的水排出到排水管37内，将其引导到未图示的建筑物一侧的排水处理设备中。
将包含分解气体的排气从排水罐27引导到排气清洗塔28内。将由水供给管44供给的水从喷雾器30喷射出来。该水从上方下降并经过充填层29内，下落到排水罐27内。排气上升并经过充填层29内。排气中包含的氧化性气体、即SO3和HF被喷射的水吸收，从排气中分离。也可从喷雾器30喷射碱的水溶液(NaOH水溶液或KOH水溶液)来代替水。利用排风机31的驱动，将除去了氧化性气体的排气从排气清洗塔28排出到管路38中，再排出到系统外。
在PFC分解处理装置17中，将温度计设置在反应器18内催化剂筒19的入口附近。设置测定位于入口充填塔23的上流一侧的管路33与排风机31的上流一侧的管路38之间的压差的压差计58。此外，在排风机31的下流一侧，在管路38中设置PFC浓度计59。
利用设置在管路8A中的流量计10和设置在管路8B中的流量计11测定由管路8A和8B对刻蚀装置A的室A内供给的SF6气体和C2F6气体的流量。累计器13A输入流量计10的测定值，累计对室A内供给的C2F6气体的流量。累计器13B输入流量计11的测定值，累计对室A内供给的SF6气体的流量。虽然未图示，但也利用在各分支管路中设置的各自的流量计测定对刻蚀装置B的室B内供给的SF6气体和C2F6气体的流量。也利用其它的累计器13C累计供给C2F6气体的分支管路中设置的流量计的测定值。再者，也利用另外的累计器13D累计供给SF6气体的分支管路中设置的流量计的测定值。将由累计器13A、13B、13C、13D得到的各PFC气体的流量累计值从服务器47经因特网54传递给处理从业者C的服务器51，被存储在存储器53中。
存储器53存储对在A公司的刻蚀装置中使用的每种PFC气体已被设定的累计系数。累计系数是考虑了PFC气体分解处理的难易度、PFC气体的使用量等的对A公司使用的PFC分解处理装置17的负荷的系数。通过将存储器53中已存储的对应的累计系数乘到存储器53中已存储的对各刻蚀装置供给的每种PFC气体的流量累计值上，信息终端52计算出PFC气体分解等效量。在表1中归纳了对刻蚀装置A和B中的C2F6气体和SF6气体的流量累计值、累计系数和PFC气体分解等效量。PFC气体分解等效量是成为计算考虑了该PFC的处理难易度的PFC处理费的基础的数值概念。
(表1)
刻蚀装置  PFC气体名 流量累计值(升)  累计系数  PFC气体分解等效量
A  C2F6SF6  128300  1.50.8  192240
B  C2F6SF6  68650  1.50.8  102520
合计  -  1146  -  1054
再者，信息终端52通过将分解处理单价乘到PFC气体分解等效量的合计值上，计算出对于在PFC分解处理装置17中处理C2F6气体和SF6气体的处理费用。PFC气体分解等效量的合计值是关于对半导体制造设备1的PFC处理量的信息(以下，称为PFC处理量相关信息)。即，PFC处理量相关信息实质上相当于由PFC分解处理装置17进行了分解处理的PFC的处理量。因此，在本实施例中，根据对刻蚀装置的PFC气体的供给流量，推断了由PFC分解处理装置17进行了分解处理的PFC的处理量。
将已计算出的处理费用定期地、例如每1个月，从信息终端52经服务器51和因特网54发送到A公司的服务器47上。A公司通过在信息终端48的显示器上显示处理费用，可知道其金额。A公司将该处理费用转帐到处理从业者C已指定的银行户头上。
在不设置各累计器的情况下，将测定PFC气体流量的各流量计的测定值从服务器47发送给服务器51，用信息终端52求出各流量计的测定值，可计算该PFC气体的流量累计值。如上所述，使用该流量累计值可计算出处理费用。
分别将用温度计57测定了的温度测定值60、用压差计58测定了的压差测定值61和用PFC浓度计59测定了的PFC浓度测定值62输入到服务器47中，从服务器47经因特网54和服务器51，存储在存储器53中。通过在信息终端52的显示器上显示在存储器53中已被存储的温度测定值60、压差测定值61和PFC浓度测定值62，处理从业者C可以远程方式监视在A公司中已设置的PFC分解处理装置17的运转状态。在用PFC浓度计59测定了的PFC浓度超过了设定浓度的情况下，产生了催化剂筒19内的催化剂的性能恶化、由催化剂引起的PFC的分解反应不能进行的现象。在压差计58的测定值超过了设定压差的情况下，例如产生了杂质积存在催化剂筒19内的催化剂层内的现象。在温度计57的测定值比设定温度低的情况下，产生了加热器20的故障或将电力引导到加热器20中的电力系统的故障。例如，处理从业者C在利用使用了由信息终端52进行的PFC分解处理装置17的运转状态的监视知道了管路38的PFC浓度超过了设定浓度时，处理从业者C将在A公司中已设置的PFC分解处理装置17的催化剂筒19更换为新的催化剂筒19。
这样，本实施例可使用处理从业者C的信息终端52以远程方式监视在A公司中已设置的PFC分解处理装置17的运转状态，可适当地进行PFC分解处理装置17的保养。处理从业者C进行自己所具有的PFC分解处理装置17的保养。催化剂筒19的更换等的PFC分解处理装置17的保养所需要的费用包含在上述的分解处理单价中，作为上述的处理费用的一部分，由A公司来支付。在本实施例中，以远程方式监视了PFC分解处理装置17的运转状态的信息的处理从业者C可检验该装置的健全性，作出更换部件、消耗品的更换时期、检查时期等的保养计划。
半导体(半导体芯片)的生产量容易受到市场环境变化的影响，在市场环境好转时，增加生产量，相反，在市场环境恶化时，减少生产量。在半导体的生产量已增加的情况下，半导体制造从业者增大为半导体生产而使用的PFC气体的总量。相反，在半导体的生产量已减少的情况下，减少使用的PFC气体的总量。处理从业者C在半导体制造从业者的半导体制造工厂内设置处理能力大的PFC分解处理装置17(或增加PFC分解处理装置17的设置台数)以便即使在半导体的生产量增加了时也能以某种程度来适应。处理从业者C与市场环境的变化无关地对A公司要求与相当于PFC分解处理装置17中的PFC的处理量的PFC处理量相关信息(在本实施例中，根据由流量计10、11已测定的PFC供给流量的累计值来推断)对应地已计算出的PFC的处理费用。A公司在不购入PFC分解处理装置17的情况下，可容易地与市场环境的变化对应地调整半导体的制造量，而且，即使在半导体制造量增加了的情况下，也能对被排出的PFC气体进行分解处理。在本实施例中，由于不需要PFC分解处理装置17的设置用的A公司的初期投资，A公司根据PFC的处理量来负担PFC处理费用，故如果考虑因市场环境的变化而不得已减少半导体生产量的情况，则可减轻A公司的PFC处理费用的负担。在A公司自己进行PFC的分解处理的情况下，必须购入并设置处理能力大的PFC分解处理装置17，以便即使在半导体的生产量增加了时也能以某种程度来适应。因此，A公司为了购入该装置而必须进行初期投资，即使半导体生产量减少、PFC的发生量减少，也必须使用处理能力大的PFC分解处理装置17来处理PFC。因此，在PFC分解处理装置17的运转中所需要的费用和在维持管理中所需要的费用不以来自刻蚀装置2的PFC的排出量下降的比率而减少。本实施例可减轻这样的A公司的负担。
由于分解处理装置处理从业者C自发地实施PFC分解处理装置17的保养检查作业，故A公司没有必要自己进行PFC分解处理装置17的保养检查作业，此外，也没有必要将该保养检查作业委托给PFC分解处理装置17的制造厂家。
在有由B公司将PFC的处理委托给处理从业者C的情况下，处理从业者C将PFC分解处理装置17连接到半导体制造设备1B上，与对于A公司的情况同样地，实施使用了PFC分解处理装置17的PFC的分解处理。
半导体制造从业者迫切需要进行巨额的生产设备建设的投资。在这些生产设备中，从制造厂家直接购入或以3至5年的长期租赁合同引入刻蚀装置、CVD、描绘装置和环境安全装置(例如，PFC分解处理装置)。一并地购入这些装置也好、利用长期租赁合同接受长期租赁来使用也好，每年都要发生大致一定的折旧费或经费负担。由于因这些初期投资引起的费用与半导体的生产量无关地发生，故在其生产量减少了的情况下，利润恶化。在长期租赁合同的情况下，虽然可在该合同的中途解约，但合同到期前的解约要负担巨额的违约金。在本实施例中，由于半导体制造从业者没有必要购入PFC分解处理装置17或利用长期租赁合同接受贷款，故不需要对于PFC分解处理装置17的初期投资。
实施例2
使用图4，说明作为本发明的另一实施例的PFC处理方法。实施例1是对从二台刻蚀装置排出的PFC进行分解处理的例子，而本实施例是应用于具有三台刻蚀装置的半导体制造设备1B的例子。
半导体制造设备1B具备刻蚀装置A、B和C作为刻蚀装置2。虽然在实施例1中也设置了刻蚀装置B，但在此使用图4详细地说明刻蚀装置B的连接结构。刻蚀装置B的室B(未图示)与连接到管路8A上的管路8C(分支管路)和连接到管路8B上的管路8D(分支管路)连接。在管路8C中设置阀门9C和流量计10B，在管路8D中设置阀门9D和流量计11B。在室B内，利用晶片供给装置3B来放入和取出晶片63。其次，说明刻蚀装置C。刻蚀装置C的未图示的刻蚀室(称为室C)与连接到管路8A上的管路8E和连接到管路8B上的管路8F连接。在管路8E中设置阀门9E和流量计10C，在管路8F中设置阀门9F和流量计11C。在室C内，利用晶片供给装置3C来放入和取出晶片63。将设置了真空泵15C的气体排出管16C连接到室C上。PFC供给装置4A具有：PFC充填容器6、管路8A、8C、8E以及阀门9A、9C、9E。PFC供给装置5具有：PFC充填容器7、管路8B、8D、8F以及阀门9B、9D、9F。
处理从业者C从具有半导体制造设备1B的半导体制造从业者接受了PFC的分解处理的委托后，利用管路33将PFC分解处理装置17连接到气体排出管16A、16B和16C上。再者，处理从业者C与实施例1同样地，将累计器13A连接到流量计10上，将累计器13B连接到流量计11上，将累计器13C连接到流量计10B上，将累计器13D连接到流量计11B上，将累计器13E连接到流量计10C上，将累计器13F连接到流量计11C上。
与实施例1同样地进行室A和B内的刻蚀处理。在室C对晶片进行刻蚀处理的情况下，打开阀门9E和9F，将设定流量的C2F6和SF6从管路8E、8F供给被供给了晶片63的室C内。将未由刻蚀处理消耗的C2F6和SF6从室C排出到气体排出管16C中，经管路33送给PFC分解处理装置17，进行分解处理。由累计器13E对由流量计10C测定了的C2F6供给流量的测定值进行累计，由累计器13F对由流量计11C测定了的SF6供给流量的测定值进行累计，由累计器13C对由流量计10B测定了的C2F6供给流量的测定值进行累计，由累计器13D对由流量计11B测定了的SF6供给流量的测定值进行累计。将由累计器13A～13F进行了累计的各累计值经服务器47和因特网54发送给处理从业者C的服务器51，存储在存储器53(图2)中。
与实施例1同样，使用存储器53中已存储的对各刻蚀装置2供给的每种PFC气体的流量累计值和该PFC气体的累计系数，信息终端52对三台刻蚀装置2的每一台而且对每种PFC气体计算出PFC气体分解等效量。合计对于三台刻蚀装置2的全部的PFC气体分解等效量，计算出该等效量的合计值。信息终端52再通过将分解处理单价乘到该合计值上，计算出对于在PFC分解处理装置17中处理C2F6气体和SF6气体的处理费用。将该处理费用从服务器51经因特网54发送给该半导体制造从业者的服务器上。该半导体制造从业者支付该处理费用。本实施例也与实施例1同样地进行PFC分解处理装置17的运转状态的远程监视。本实施例产生与实施例1同样的效果。
实施例3
使用图5，说明作为本发明的另一实施例的PFC处理方法。由图2中示出的A公司委托处理从业者C进行PFC的分解处理。处理从业者C将PFC分解处理装置17运送到A公司，利用管路33将PFC分解处理装置17连接到半导体制造设备1气体排出管16A和16B上。处理从业者C将对晶片的片数进行计数的晶片片数计数器64A连接到进行对于室A的晶片的放入取出的晶片供给装置3上。再者，处理从业者C将对晶片的片数进行计数的晶片片数计数器64B连接到进行对于室B的晶片的放入取出的晶片供给装置3B(图4)上。与实施例1同样地进行对于室A和B中的晶片的刻蚀处理和从使用了PFC分解处理装置17的各室排出的PFC气体的分解处理。
晶片片数计数器64A对由晶片供给装置3将晶片63供给室A内的次数(或由晶片供给装置3从室A内取出晶片63的次数)进行计数。晶片片数计数器64B对由晶片供给装置3B将晶片63供给室B内的次数(或由晶片供给装置3B从室B内取出晶片63的次数)进行计数。已被计数的各次数的值表示在各室内进行了刻蚀处理的各自晶片的片数值。将从晶片片数计数器64A和64B输出的各次数值、即各晶片片数值传递给服务器47，从服务器47经因特网54传送给处理从业者C的服务器51，存储在存储器53中。
(表2)
刻蚀装置  处理晶片片数 PFC气体使用负荷系数  等效晶片片数
A  180片 1.2  216
B  120片 0.8  96
合计  300片 -  312
存储器53存储在表2中示出的对于各刻蚀装置的PFC气体使用负荷系数。PFC气体使用负荷系数是对各刻蚀装置考虑了PFC气体的使用量、PFC的种类和PFC分解处理装置的负荷而被决定的系数。信息终端52从存储器53读出每个刻蚀装置的晶片片数值和每个刻蚀装置的PFC气体使用负荷系数，对每个刻蚀装置将晶片片数值与PFC气体使用负荷系数相乘，计算出等效晶片片数。再者，信息终端52求出各等效晶片片数的合计值。该等效晶片片数的合计值也是关于对半导体制造设备1的PFC处理量的信息(PFC处理量相关信息)。即，实质上相当于由PFC分解处理装置17进行了分解处理的PFC的处理量。因此，在本实施例中，根据对刻蚀装置供给的(或从刻蚀装置取出的)晶片的片数，推断了由PFC分解处理装置17进行分解处理的PFC的处理量。
信息终端52通过将分解处理单价乘到等效晶片片数的合计值上，计算出对于在PFC分解处理装置17中处理C2F6气体和SF6气体的处理费用。将已计算出的处理费用定期地、例如每1个月，从信息终端52经服务器51和因特网54发送到A公司的服务器47上。A公司将该处理费用转帐到处理从业者C已指定的银行的户头上。本实施例也与实施例1同样地进行PFC分解处理装置17的运转状态的远程监视。本实施例可得到在实施例1中产生的效果。
实施例4
使用图6，说明作为本发明的另一实施例的PFC处理方法。由图2中示出的A公司委托处理从业者C进行PFC的分解处理。处理从业者C将PFC分解处理装置17运送到A公司，利用管路33将PFC分解处理装置17连接到半导体制造设备1气体排出管16A和16B上。处理从业者C将晶片片数计数器64A连接到进行对于室A的晶片的放入取出的晶片供给装置3上，将晶片片数计数器64B连接到晶片供给装置3B上。与实施例1同样地进行刻蚀处理和PFC气体的分解处理。
刻蚀装置A和B分别个别地具有控制器(未图示)。刻蚀装置A用的控制器(未图示，称为控制器A)在存储部中存储了对于由刻蚀装置A进行的刻蚀处理的多个配方(recipe)。对这些配方赋予了配方编号信息。控制器A选择A公司的从业者用半导体制造从业者的刻蚀装置A进行刻蚀处理用的配方编号信息，在控制器A中设定已选择的配方编号信息。控制器A按照与已被选择的配方编号信息对应的配方，在设定时间之内打开对于应对刻蚀装置A内供给的PFC气体(例如C2F6)的阀门(例如阀门9A)，调节打开度，以便成为设定的流量。此外，为了根据已被选择的上述配方使对室A供给的PFC等离子化，控制器A在设定时间之内关闭在从高频电源(未图示)对室A施加高频功率的第1电力系统中设置的第1开闭器(未图示)。在已被选择的配方中设定了应对室A供给的PFC、打开了阀门的设定时间、关闭了第1开闭器的设定时间。刻蚀装置B用的控制器(未图示，称为控制器B)在存储部中存储了刻蚀装置B用的配方。控制器B按照与已被选择的配方编号信息对应的配方，进行该阀门的开闭控制和在对室B施加高频功率的第2电力系统(未图示)中设置的第2开闭器(未图示)的开闭控制。
将从刻蚀装置A和B的控制器A、B分别得到的对于晶片的刻蚀处理的配方编号信息经服务器47和因特网54传递给服务器51，被存储在存储器53中。与实施例3同样地将对室内供给由晶片片数计数器64A和64B进行了计数的晶片63的次数(或从室内取出晶片63的次数)从服务器47经因特网54传送给处理从业者C的服务器51，被存储在存储器53中。
(表3)
刻蚀装置配方编号 处理晶片片数 PFC气体使用负荷系数 等效晶片片数
① 180片 1.2  216
② 120片 0.8  96
合计 300片 -  312
存储器53存储在表3中示出的对于各配方的PFC气体使用负荷系数。PFC气体使用负荷系数是对各配方考虑了PFC气体的使用量、PFC的种类和PFC分解处理装置的负荷而被决定的系数。信息终端52以在存储器53中已存储的晶片片数值为基础，读出各配方的晶片片数值，再读出每个配方的PFC气体使用负荷系数，对每个配方将晶片片数值与PFC气体使用负荷系数相乘，计算出等效晶片片数。再者，信息终端52求出各等效晶片片数的合计值。该等效晶片片数的合计值也是关于对半导体制造设备1的PFC处理量的信息(PFC处理量相关信息)。即，实质上相当于由PFC分解处理装置17进行了分解处理的PFC的处理量。因此，在本实施例中，根据在每个配方中对刻蚀装置供给的(或从刻蚀装置取出的)晶片的片数，推断了由PFC分解处理装置17进行分解处理的PFC的处理量。
信息终端52通过将分解处理单价乘到等效晶片片数的合计值上，计算出对于在PFC分解处理装置17中处理C2F6气体和SF6气体的处理费用。将已计算出的处理费用定期地、例如每1个月，从信息终端52经服务器51和因特网54发送到A公司的服务器47上。A公司将该处理费用转帐到处理从业者C已指定的银行的户头上。本实施例也与实施例1同样地进行PFC分解处理装置17的运转状态的远程监视。本实施例可得到在实施例1中产生的效果。
实施例5
使用图7，说明作为本发明的另一实施例的PFC处理方法。由图2中示出的A公司委托处理从业者C进行PFC的分解处理。处理从业者C将PFC分解处理装置17运送到A公司，利用管路33将PFC分解处理装置17连接到半导体制造设备1气体排出管16A和16B上。处理从业者C检测在室A内发生了等离子体的时间(刻蚀装置A实际工作时间)，在对室A施加高频功率的第1电力系统(未图示)中设置累计该时间的定时器66A。再者，处理从业者C检测在室B内发生了等离子体的时间(刻蚀装置B实际工作时间)，在对室B施加高频功率的电力系统(未图示)中设置累计该时间的定时器66B。在室A内进行刻蚀处理时，为了使室A内的PFC等离子化，利用控制器A关闭在第1电力系统中设置的第1开闭器。定时器66A检测关闭了第1开闭器的时间。关闭了第1开闭器的时间是在室A内发生了等离子体的时间。此外，在室B内进行刻蚀处理时，为了使室B内的PFC等离子化，利用控制器B关闭在第2电力系统中设置的第2开闭器。定时器66B检测关闭了第2开闭器的时间。关闭了第2开闭器的时间是在室B内发生了等离子体的时间。在室内放入取出晶片时不进行PFC的等离子化，在室内的规定的位置上设置了晶片后，进行PFC的等离子化。与实施例1同样地进行室A和B中的对于晶片的刻蚀处理和使用了PFC分解处理装置17的从各室排出的PFC气体的分解处理。
将由定时器66A和66B检测了的各自的刻蚀实际工作时间的信息传递给服务器47，从服务器47经因特网54传送给处理从业者C的服务器51，被存储在存储器53中。
(表4)
刻蚀装置  实际工作时间 PFC气体使用负荷系数  等效晶片片数
A  1800分 1.2  2160
B  950分 0.8  760
合计  1750分 -  2920
存储器53存储在表4中示出的对于各刻蚀装置的PFC气体使用负荷系数。PFC气体使用负荷系数是对各刻蚀装置考虑了与运转模式相一致的PFC气体的使用量而被决定的系数。信息终端52从存储器53读出每个刻蚀装置的刻蚀装置实际工作时间和每个刻蚀装置的PFC气体使用负荷系数，对每个刻蚀装置将刻蚀装置实际工作时间与PFC气体使用负荷系数相乘，计算出等效晶片片数。再者，信息终端52求出各等效晶片片数的合计值。该等效晶片片数的合计值也是关于对半导体制造设备1的PFC处理量的信息(PFC处理量相关信息)。即，实质上相当于由PFC分解处理装置17进行了分解处理的PFC的处理量。因此，在本实施例中，根据刻蚀装置实际工作时间，推断了由PFC分解处理装置17进行分解处理的PFC的处理量。
信息终端52通过将分解处理单价乘到等效晶片片数的合计值上，计算出对于在PFC分解处理装置17中处理C2F6气体和SF6气体的处理费用。将已计算出的处理费用定期地、例如每1个月，从信息终端52经服务器51和因特网54发送到A公司的服务器47上。A公司将该处理费用转帐到处理从业者C已指定的银行的户头上。本实施例也与实施例1同样地进行PFC分解处理装置17的运转状态的远程监视。本实施例可得到在实施例1中产生的效果。
实施例6
使用图1，说明作为本发明的另一实施例的PFC处理方法。由图2中示出的A公司委托处理从业者C进行PFC的分解处理。处理从业者C将PFC分解处理装置17运送到A公司，利用管路33将PFC分解处理装置17连接到半导体制造设备1气体排出管16A和16B上。在本实施例中，处理从业者C不将累计器13A～13D连接到相当的流量计10、11等上，而是将1个累计器连接到设置在管路33中的流量计上。与实施例1同样地进行室A和B中的对于晶片的刻蚀处理和使用了PFC分解处理装置17的从各室排出的PFC气体的分解处理。本实施例也与实施例1同样地进行PFC分解处理装置17的运转状态的远程监视。
用累计器累计由设置在管路33中的流量计已测定的对PFC分解处理装置17供给的排气的流量。将所得到的排气流量的累计值传递给服务器47，从服务器47经因特网54传送给处理从业者C的服务器51，被存储在存储器53中。
上述的排气流量的累计值包含了对真空泵15A和15B供给的N2气体的流量的累计值。对真空泵15A和15B供给的N2气体的流量是大致规定的流量。信息终端52从存储器53读出排气流量的累计值(1个月的)，从该累计值减去N2气体的流量的1个月的累计值，计算出对PFC分解处理装置17供给的PFC气体流量的1个月的累计值。再者，信息终端52通过将分解处理单价乘到PFC气体流量的1个月的累计值上，计算出对于在PFC分解处理装置17中处理C2F6气体和SF6气体的处理费用。将已计算出的处理费用定期地、例如每1个月，从信息终端52经服务器51和因特网54发送到A公司的服务器47上。A公司将该处理费用转帐到处理从业者C已指定的银行的户头上。本实施例可得到在实施例1中产生的效果。
如果能得到A公司的许可，则分别在气体排出管16A、16B中分别设置流量计，直接测定从室A和B排出的PFC气体的流量。分别用累计器累计这些PFC气体流量，将各自的累计值从服务器47经因特网54传送给处理从业者C的服务器51上，被存储在存储器53中。信息终端52对各自的PFC气体的流量的累计值进行合计，将分解处理单价乘到该合计值上，计算出处理费用。将该处理费用传递给A公司。
在以上叙述的各实施例中，以使用了具有催化剂的PFC分解处理装置17的例子说明了PFC的分解处理，但也可应用于使用了燃烧方式的PFC分解处理装置或等离子方式的PFC分解处理装置的情况，来代替具有催化剂的PFC分解处理装置17。此外，在以上叙述的各实施例中，以从半导体制造设备排出到PFC的分解处理为对象，但也可应用于对从液晶制造装置排出到PFC进行分解处理的情况。
由于制造从业者没有必要购入过氟化物处理装置，故不需要该设备购入用的投资，此外，即使在市场环境变化了的情况下，由于根据过氟化物的处理量来负担其处理费用，故也可减少过氟化物的处理费用的负担。

Claims (10)

1.一种过氟化物的处理方法，其特征在于：
过氟化物处理从业者使用连接到排出过氟化物的制造设备上的过氟化物处理装置，进行从上述制造设备排出的上述过氟化物的分解处理，与上述制造装置的所有者联系根据由上述过氟化物处理装置已处理的上述过氟化物的处理量计算出的上述过氟化物的处理费。
2.一种过氟化物的处理方法，其特征在于：
使用连接到排出过氟化物的制造设备上的过氟化物处理从业者所具有的过氟化物处理装置，进行从上述制造设备排出的上述过氟化物的分解处理，对上述制造装置的所有者联系根据由上述过氟化物处理装置已处理的上述过氟化物的处理量计算出的上述过氟化物的处理费。
3.如权利要求1或权利要求2中所述的过氟化物的处理方法，其特征在于：
在显示装置上显示经通信线路发送来的上述过氟化物处理装置的规定的状态量。
4.如权利要求1或权利要求2中所述的过氟化物的处理方法，其特征在于：
根据从上述制造设备排出的排气的流量求出上述过氟化物的处理量。
5.如权利要求1或权利要求2中所述的过氟化物的处理方法，其特征在于：
根据对上述制造设备供给的PFC气体流量来推断上述过氟化物的处理量。
6.如权利要求1或权利要求2中所述的过氟化物的处理方法，其特征在于：
根据对上述制造设备供给的制品原材料和从上述制造设备取出的上述制品原材料的任一种的片数来推断上述过氟化物的处理量。
7.如权利要求6中所述的过氟化物的处理方法，其特征在于：上述制品原材料是晶片。
8.如权利要求1或权利要求2中所述的过氟化物的处理方法，其特征在于：
上述制造设备是半导体制造设备，根据在上述半导体制造设备中加工晶片所需要的上述半导体制造设备来推断上述过氟化物的处理量。
9.如权利要求1或权利要求6中所述的过氟化物的处理方法，其特征在于：
上述制造设备是半导体制造设备和液晶制造设备的任一种。
10.一种过氟化物处理的收费系统，其特征在于具备：
推断装置，根据利用通信装置发送来的排出过氟化物的制造设备的状态量，推断从上述制造设备排出的排气中包含的过氟化物的分解处理量；以及
计算装置，根据已推断的上述分解处理量，计算出过氟化物的处理费用。
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