JP3138009B2 - 不純物吸着量の評価方法及びその評価用装置 - Google Patents

不純物吸着量の評価方法及びその評価用装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製造用の
一般ガス(アルゴンガス等)の各種材料に対する不純物
の吸着量等を知るための評価方法及びその装置に関する
ものである。
【0002】
【0002】
【関連技術】近年の半導体製造技術の進展は著しく超微
細構造への追求は急務となっているが、それに伴い製造
装置の環境も超高純度(いわゆるpptレベルの純度)
に保たれる必要が生じる。その結果、例えば超高純度の
一般ガス(例えばアルゴンガス)をガス流路たる配管系
を介して供給しようとする場合、該ガスに含まれる水分
等の不純物と各種材料から成る配管内面に対する吸着の
程度をpptレベルで詳細に知る必要が生じる。
【0003】従来より知られている吸着量検出の手法と
しては、測定対象である配管の管端部に微量分析計(大
気圧イオン化質量分析計)を接続し、該配管内にガス純
化器からの超高純度のガスを流し、前記管端部から流出
するガス中の不純物量を測定するようにしたものが知ら
れている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の手法では、金属表面に吸着している水分量について
の考察が無視されており、ガス流路たる配管系を介して
のガス純度の測定が行われているに過ぎないので、ガス
系内表面の品質については詳細な判断がなされていない
というのが実状であった。
【0005】本発明は、上記従来の課題を解決するべく
なされたものであり、ガス中に含まれる不純物の各種材
料から成るガス流路への吸着量をpptレベルでも対応
することができる不純物吸着量の評価方法及びその評価
用装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するべ
く、請求項1の発明は、サンプル管内に超高純度の不活
性ガスを流入する第1の工程と、該サンプル管内を所定
の超高純度レベルまでベーキングする第2の工程と、該
サンプル管内を所定温度の雰囲気にする第3の工程と、
該サンプル管内に所定濃度の試料ガスを所定流量で流入
を開始する第4の工程と、試料ガスを所定流量で流入を
開始した時点から該サンプル管の内面に前記試料ガス中
の不純物の吸着が飽和する時点までの時間を計測する第
5の工程とからなり、該時間から不純物の吸着量を求め
ることを特徴とする不純物吸着量の評価方法である。
【0007】この場合、前記サンプル管は、各種材料ま
たは各種内面処理が施されたものから成るものと交換可
能であると不純物吸着量の評価に好適である。
【0008】また、前記不活性ガス及び試料ガスは、ア
ルゴンガスであると好適である。請求項4の発明は、請
求項1〜3の発明を実施すべく、超高純度の不活性ガス
を供給するための第1のガス供給源と、不純物の添加量
を調整可能な試料ガスをガス流量制御計を介して供給す
るための第2のガス供給源と、前記不活性ガスまたは試
料ガスをサンプル管内に流すべく選択的に切り替え可能
であり、該サンプル管の一端側開口部に接続される切り
替えバルブと、該サンプル管を保持するための保持手段
と、前記サンプル管の他端側開口部に接続される微量分
析計と、前記サンプル管内を任意の一定温度に制御可能
な加熱手段とを備える構成としている。
【0009】この場合、前記不活性ガス及び試料ガス
は、少なくとも各ガスの最高純度レベルを低下させない
程度に放出ガスが規制された接ガス部を通過するように
構成されると好適である。
【0010】また、前記微量分析計は、大気圧イオン質
量分析計であると好適である。
【0011】
【作用】まず、被評価対象としてのサンプル管内に超高
純度のガス(すなわちpptレベルの純度を有するアル
ゴンガス等)を流すことにより、該サンプル管内を予め
所定の高純度レベルの雰囲気にする。次いで、加熱手段
を作動させ該サンプル管内を少なくともそのバックグラ
ウンド程度の雰囲気にすべく所定の高温度でベーキング
する。これにより該サンプル管の内壁に付着した不純物
は脱離する。続いて、該サンプル管内を所定の温度雰囲
気にするべく前記加熱手段を制御する。その後、該サン
プル管内に所定の不純物濃度レベルの試料ガスを所定流
量で流入し、該不純物の吸着が飽和に達するまでの時間
だけ流入する。該飽和に達したら前記試料ガスの流入を
停止し、前記加熱手段によりサンプル管内を前記超高純
度レベルに至るまでベーキングを行い、該サンプル管か
ら脱離した不純物量を検出する。
【0012】
【実施例】図1は本発明に係る評価方法を実施するため
の装置の一実施例を示すものである。同図に示すよう
に、純化器1のガス流入側には例えばアルゴンのような
不活性ガスの原料ガスの供給源(図示省略)がガス継ぎ
手1aを介して接続され、そのガス流出側には第1〜第
3のガス供給ライン2〜4が接続されている。
【0013】第1のガス供給ライン2には第1のガス流
量制御計(MFC)5が接続され、第2のガス供給ライ
ン3には不純物たる水分の供給源としてのボンベ6、レ
ギュレータ7、及び第2のMFC8がその順序で上流側
から接続されている。さらに、第3のガス供給ライン4
には第1のバルブ9が接続され、前記第1及び第2のM
FC5、8の下流側には第2のバルブ10及び第3のバ
ルブ11が接続され、該第3のバルブ11の下流側には
第4のバルブ12が接続されている。
【0014】なお、前記ボンベ6には第5のバルブ13
が設けられ、該第5のバルブ13は前記レギュレータ7
の上流側に接続されると共に、第2のガス供給ライン3
における前記レギュレータ7の上流側に接続されてい
る。
【0015】ここで、前記純化器6を設けることにより
超高純度(水分濃度が例えば少なくとも300ppt程
度)のアルゴンガスが得られる一方、前記ボンベ6には
例えば20〜200ppmの水分濃度のアルゴンガスが
充填されており、調整バルブ7の調整等により、第1の
ガス供給ライン2及び第2のガス供給ライン3の合流部
には、任意の水分濃度(例えば300ppt〜1500
ppb)のアルゴンガスが得られるようになっている。
【0016】前記第1、第2、第3のバルブ9、10、
11は集積化された切り替えバルブを構成しており、第
1及び第3のバルブ9、11と第2のバルブ10との開
弁、閉弁は排他的に行われる。また、第1及び第2のバ
ルブ9、10は保持手段たる第1の継ぎ手15を介して
サンプル管16の一端部に接続され、該サンプル管16
の他端部は他の保持手段たる第2の継ぎ手17を介して
中継管18に連結されている。また、前記サンプル管1
6にはその管長方向に沿うゾーン毎に配置された適数の
加熱ヒータ19〜21が付設されており、各ヒータ19
〜21は夫々サンプル管1の当該ゾーン内雰囲気を精
度良く温度制御可能になっている。さらに、当該各ゾー
ン毎に温度制御用の温度検出器22〜24が設けられて
いる。
【0017】前記中継管18には微量分析計としての大
気圧イオン化質量分析計(APIMS)25が接続され
ており、該APIMS25の検出部には流計26を介
して排気手段が接続されている。
【0018】なお、前記第4のバルブ12には排気手段
が接続されている一方、前記中継管18には小加熱ヒー
タ27が付設されている。また、各バルブ9、10、1
1等やガス継ぎ手等の接ガス部は通過するガスの純度を
低下させない程度の放出ガス規制がなされている。
【0019】次に、上記のように構成された本実施例に
よる評価方法につき説明する。
【0020】まず、被評価対象たるサンプル管16は、
例えば、管径が1/4インチ(1インチは2.54セン
チメートル)で管長が2メートルのステンレス管であ
り、さらに内面が電解研磨され、かつ、酸化皮膜が形成
されたものであり、これを両継ぎ手15、17の間に取
り付ける。
【0021】続いて、第2のバルブ10を閉弁する一
方、第1のバルブ9、第3〜第6のバルブ11〜14を
開弁し超高純度のアルゴンガスにより第1、第3のガス
供給ライン2、4サンプル管16内がパ−ジされる。
その後、前記ヒータ19〜21を制御し、該サンプル管
内を、例えば450℃の高温度雰囲気に設定、すな
わちベーキングを行う。
【0022】この場合、第1のバルブ9は開弁し、第2
のバルブ10は閉弁しているので、サンプル管16内に
は第1のガス供給ライン2を介して超高純度(水分濃度
が例えば少なくとも300ppt程度)のアルゴンガス
が流れる。
【0023】また、このとき第3及び第4のバルブ1
1、12並びに第5及び第6のバルブ13、14は開弁
しているので、第2のガス供給ライン3及び第3のガス
供給ライン4を介して所定の水分濃度に調整されたアル
ゴンガスが排気手段により排出される。換言すれば、該
水分濃度のアルゴンガスが前記サンプル管16に所定流
量(例えば1.2l/min)で供給され得るようにな
っている。該所定流量に設するための調整は前記第1
及び第2のMFC5、8により行える。
【0024】前記ベーキングは、少なくともサンプル管
16内のバックグラウンドの純度に至るまで行うが、こ
の純度に至ったか否かの確認はAPIMS25により行
う。サンプル管1内が前記バックグラウンドの純度に
至ったことが確認された後、該サンプル管14内を所望
の一定の温度雰囲気(例えば23℃)に冷却するべく、
前記温度検出器2〜2の出力に基づき、前記加熱ヒ
ータ19〜21を制御する。この場合、前記中継管1
内も前記一定の温度雰囲気に適合させるべく小加熱ヒー
タ27を制御する。
【0025】次いで、前記各バルブの開閉状態から第2
のバルブ10を開弁し、第1のバルブ9、並びに第3及
び第4のバルブ11、12を閉弁する。これにより、前
記所定の水分濃度のアルゴンガスが第2のバルブ10を
介してサンプル管1内に前記所定流量で流入する。この
流入により、サンプル管16の内壁には水分が吸着をし
始めるので、該流入開始時を記録しておく。
【0026】前記水分の吸着はサンプル管16の内壁面
積が決まっているので、一定量で飽和に達する。したが
って、前記所定水分濃度のアルゴンガスの流入開始後時
から前記APIMS25が該所定水分濃度のアルゴンガ
スを検知するまでの時間を計測すれば、水分の飽和吸着
量が測定できる。
【0027】水分の吸着が飽和したら、前記各バルブの
開閉状態から第2のバルブ10を閉弁し、第1のバルブ
9、並びに第3及び第4のバルブ11、12を開弁す
る。そして、再び前記加熱ヒータ19〜21を制御して
前記ベーキングを行いサンプル管14の内面に付着した
水分を脱離させる。
【0028】以下、他の雰囲気温度(例えば40℃、6
0℃、80℃等)での測定を行うべく上記手順を繰り返
す。
【0029】図2はかかる手法により前記サンプル管の
水分吸着評価を行った結果を示すものであり、縦軸は時
間Tを、横軸は試料ガス(アルゴンガス)中の水分濃度
Cを示している。すなわち、水分吸着の飽和の時点は流
入したアルゴンガスの濃度Cmがサンプル管16の端部
で確認された時点と略一致する。また、サンプル管16
内の雰囲気温度が高くなるほど、吸着の飽和に達する時
間が早くなることが理解できる。
【0030】前記サンプル管16の材料あるいは内面処
理の手法(皮膜の材質等)を変更することにより、超高
純度領域における各種材料についての水分吸着(他の不
純物についても同様)の評価が行える。
【0031】
【発明の効果】以上のように請求項1の発明によれば、
サンプル管内に超高純度の不活性ガスを流入する第1の
工程と、該サンプル管内を少なくともバックグラウンド
の純度レベルまでベーキングする第2の工程と、該サン
プル管内を所定温度の雰囲気にする第3の工程と、該サ
ンプル管内に所定濃度の試料ガスを所定流量で流入を開
始する第4の工程と、該サンプル管の内面に前記試料ガ
ス中の不純物の吸着が飽和したとき該試料ガスの流入を
不活性ガスの流入に代える第5の工程と、から成る構成
としたので、特定の材料について超高純度レベルの不純
物吸着量の評価を容易に行うことができ、特に超微細構
造の半導体製造等に貢献できる。
【0032】また、請求項2の発明によれば、各種評価
対象についての吸着評価をサンプル管の交換により容易
に行うことができる。
【0033】さらに、請求項3の発明によれば、試料ガ
スとパージ用キャリアガスとを共用することができ、ま
た、アルゴンガスは物理的、化学的に安定したものであ
るから測定や取扱が容易である。
【0034】請求項4〜請求項6の発明によれば、請求
項1〜請求項3の方法を従前の装置を流用して容易にし
かも高精度で実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る評価方法を実施するための装置の
一実施例を示すガスフロー構成図である。
【図2】図1に示す装置により測定された結果を示すグ
ラフである。
【符号の説明】
1 ガス純化器(第1のガス供給源) 6 ボンベ(第2のガス供給源) 9、10、11 第1、第2、第3のバルブ(切り替え
バルブ) 15、17 第1、第2の継ぎ手(保持手段) 16 サンプル管 25 APIMS(微量分析計) 19、20、21 加熱ヒータ(加熱手段)
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−353761(JP,A) 実開 平3−93762(JP,U) 大見忠弘,“半導体産業における微量 水分計測”,計測技術,日本工業出版, 平成4年7月5日,第20巻、第8号,p p.46−53 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 13/00 - 13/04 G01N 27/62 G01N 7/00 - 7/22 JICSTファイル(JOIS)

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 サンプル管内に超高純度の不活性ガスを
    流入する第1の工程と、該サンプル管内を所定の超高純
    度レベルまでベーキングする第2の工程と、該サンプル
    管内を所定温度の雰囲気にする第3の工程と、該サンプ
    ル管内に所定濃度の試料ガスを所定流量で流入を開始す
    る第4の工程と、試料ガスを所定流量で流入を開始した
    時点から該サンプル管の内面に前記試料ガス中の不純物
    の吸着が飽和する時点までの時間を計測する第5の工程
    とからなり、該時間から不純物の吸着量を求めることを
    特徴とする不純物吸着量の評価方法。
  2. 【請求項2】 前記サンプル管を、各種材料から成りま
    たは各種内面処理が施されたものから成るものと交換す
    る工程を含むことを特徴とする請求項1記載の不純物吸
    着量の評価方法。
  3. 【請求項3】 前記不活性ガス及び試料ガスは、アルゴ
    ンガスである請求項1または請求項2記載の不純物吸着
    量の評価方法。
  4. 【請求項4】 超高純度の不活性ガスを供給するための
    第1のガス供給源と、不純物の添加量を調整可能な試料
    ガスをガス流量制御計を介して供給するための第2のガ
    ス供給源と、前記不活性ガスまたは試料ガスをサンプル
    管内に流すべく選択的に切り替え可能であり、該サンプ
    ル管の一端側開口部に接続される切り替えバルブと、該
    サンプル管を保持するための保持手段と、前記サンプル
    管の他端側開口部に接続される微量分析計と、前記サン
    プル管内を任意の一定温度に制御可能な加熱手段とを備
    えたことを特徴とする不純物吸着量の評価用装置。
  5. 【請求項5】 前記不活性ガス及び試料ガスは、少なく
    とも各ガスの純度レベルを低下させない程度に放出ガス
    が規制された接ガス部を通過することを特徴とする請求
    項4に記載の不純物吸着量の評価用装置。
  6. 【請求項6】 前記微量分析計は、大気圧イオン質量分
    析計であることを特徴とする請求項4または請求項5に
    記載の不純物吸着量の評価用装置。
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