TWI428975B - 用於回收在處理環境中之處理流體的系統和方法 - Google Patents

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Description

用於回收在處理環境中之處理流體的系統和方法
此揭示乃關於用於例如為半導體製造環境之處理環境中的化學藥品管理的方法與系統。
在各種不同工業中，化學藥品輸送系統係用於將化學藥品提供給處理器具。示範的工業係包括半導體產業、製藥產業、生物醫學產業、食物加工產業、家用品產業、個人照護用品產業、石油產業等。
化學藥品當然係根據欲進行之特定處理由特定的化學藥品輸送系統輸送。因此，供應至半導體處理器具的特定化學藥品係視器具內的晶圓上所欲進行的處理而定。示範的半導體處理係包括蝕刻、清潔、化學機械研磨(CMP)與濕沈積(例如為化學氣相沉積、電鍍等)。
通常，係將二或多個流體合併以形成用於特定處理的所欲溶液。溶液混合物可在廠外製備且然後運送至用於特定處理的終點位置處或使用端。此方法典型上係稱為批次處理或批次。此外且更理想地是清潔溶液混合物在輸送至清潔處理前、係在使用端藉由適當的混合器或摻合器系統所製備。後者有時係稱為連續摻合。
在任一種情況下，在所欲比率下的正確混合藥劑是特別重要的，此係因為化學藥品濃度的變化將對處理性能有不利的影響。例如，無法維持用於蝕刻處理的化學藥品特定濃度將導致蝕刻速率的不確定、且因此是處理變異的來源。
不過在今日的處理環境中，混合只是必須控制以達成所欲處理結果的眾多觀點之一。例如除了混合之外，控制從處理環境中化學藥品的移除可能所意欲或必要的。在處理環境中的各種不同階段控制化學藥品溶液的溫度亦可能所意欲或必要的。現今，化學藥品管理系統無法適當地控制用於特定應用的複數個處理參數。
因此，需要用於處理環境中的用於管理化學藥品調理與供應之方法與系統。
一具體實施例係提供一種於半導體處理系統中控制流體的方法。該方法包括於摻合器內混合二或多個化合物以產生一溶液、且監測摻合器內的溶液以決定化合物的至少其中之一是否係在預定之濃度內。在決定溶液內的至少一個化合物係在預定之濃度後、將溶液流送至處理室，至少一部分的溶液係從處理室中移除且將溶液的移除部分回送至處理室的上游位置處。本方法進一步包括監測溶液的移除部分、以決定在溶液的移除部分內的化合物的至少其中之一是否係在預定之濃度內。
在另一具體實施例中係一在半導體處理系統內控制流體的方法，其係監測在摻合器內混合的第一溶液、以決定第一溶液的化合物的至少其中之一是否係在預定之濃度內。在決定第一溶液內的至少一個化合物係在預定之濃度後，將第一溶液從摻合器流送至與第一處理相關的第一目的地。本方法進一步包括監測於摻合器中混合的第二溶液、以決定第二溶液的化合物的至少其中之一是否係在預定之濃度內。在決定第二溶液內的至少一個化合物係在預定之濃度後，將第二溶液從摻合器流送至與第二處理相關的第二目的地。本方法進一步包括在第一處理中使用後、將第一溶液的一部分回送至第一目的地的上游位置處；監測在摻合器內的第一溶液的移除部分、以決定在溶液的移除部分中的化合物的至少其中之一是否係在預定之濃度內；且將第一溶液的移除部分從摻合器流送至第一目的地。
另一具體實施例係提供一種系統，其包括用於混合化學藥品以產生溶液的化學藥品摻合器；配置以監測摻合器內的溶液且決定化合物的至少其中之一是否係在預定濃度內的第一化學藥品監測器；配置以在藉化學藥品監測器所測量而決定溶液內的至少一個化合物係在預定之濃度後、將溶液流送至半導體處理室的控制器；與處理室的出口流體聯通且與處理室的上游位置處連結的回收再製管線，藉此在使用後從處理室中所移除的至少一部分溶液係回送至處理室的上游位置處；以及配置以在其重新導入處理室前、監測溶液的回送部分且決定在溶液回送部分內的化合物的至少其中之一是否係在預定濃度內的第二化學藥品監測器。
另一具體實施例係提供一種系統，其包括用於混合化合物以產生第一溶液與第二溶液的化學藥品摻合器；與化學藥品摻合器流體聯通以接受第一溶液的半導體處理器具的第一處理站；與化學藥品摻合器流體聯通以接受第二溶液的半導體處理器具的第二處理站；以及與第一與第二處理站的各個下游位置流體聯通、以從第一與第二處理站接受使用過的溶液的回收再製管線。回收再製管線係與第一與第二處理站的各個上游位置連結，其中至少一部分在第一與第二處理站內所使用過的溶液係回送至第一與第二處理站的各個上游位置處，以在第一與第二處理站中重複使用。本系統更進一步包括濃度監測與控制系統，其係配置以：監測來自第一處理站的溶液的第一回送部分，監測來自第二處理站的溶液的第二回送部分，且在回送至各個處理站以重複使用前、決定在溶液的各個回送部分內的各個化合物是否係在預定之濃度內。
本發明的具體實施例係提供用於控制流體輸送及/或回收的各個方面的方法與化學藥品管理系統。
系統概觀
圖1係顯示處理系統100的一具體實施例。通常，系統100係包括處理室102與化學藥品管理系統103。根據一具體實施例，化學藥品管理系統103係包括輸入次系統104與輸出次系統106。預期任何數量的次系統104、106的組件可相對於處理室102以機載或非機載的方式設置。在本文中，"機載"係指次系統(或其之組件)係與晶圓製造區(無塵室環境)內的處理室102、或更通常係與為處理室102一部份的處理器具整合；而"非機載"則係指次系統(或其之組件)係與處理室102(或通常為器具)分開且有段距離。在圖1所顯示的系統100的情況中，次系統104、106兩者皆為機載，以使系統100形成可完全配置於晶圓製造區內的整合系統。因此，處理室102與次系統104、106可安裝於共用的框架中。為了促進清潔、維護與系統修改，次系統可以配置在例如藉腳輪所支撐的可分離次框架上，故次系統可輕易地與處理室102分開且滾離。
舉例而言，輸入次系統104係包括摻合器108與以流動方式連接至輸入流動控制系統112的汽化器110。一般而言，摻合器108係構形成混合二或多個化合物(流體)以形成所欲的化學藥品溶液，其然後係提供給輸入流動控制系統112。汽化器110係構形成汽化流體，且將汽化後的流體提供給輸入流動控制系統112。例如，汽化器110可將異丙醇加以汽化，且然後將汽化後的流體與例如為氮氣的載送氣體結合。輸入流動控制系統112係構形成在所欲的流動速率下、將化學藥品溶液及/或汽化後的流體分送至處理室102。為此目的，輸入流動控制系統112係藉複數個輸入管線114以與處理室102A連結。在一具體實施例中，處理室102A係與單一處理站124一起構形成，於處理站124的晶圓上進行一或多個處理。因此，複數個輸入管線114係提供在處理站124處進行特定處理所需的適當化學藥品(由摻合器108經由輸入流動控制系統112提供)。在一具體實施例中，處理站124可以是浸浴槽、即含有化學藥品溶液的容器，晶圓係在其中浸泡一段時間且然後移除。不過更通常的是，處理站124可以是任何環境，其中晶圓的一或多個表面係曝露於由複數個輸入管線114所提供的一或多個流體下。再者，可瞭解的是雖然圖1係顯示單一處理站，但處理室102A可包括任何數量的處理站，其將參考下述圖2以更詳細地描述。
舉例而言，輸出次系統106係包括輸出流動控制系統116、真空儲槽次系統118與真空泵浦次系統120。複數個輸出管線122係將處理室102A與輸出流動控制系統116以流動方式進行連結。以此方式，流體係經由複數個輸出管線122從處理室102A中移除。移除後的流體然後係經由流體管線117以送至放流或送至真空儲槽次系統118。在一具體實施例中，某些流體係從真空儲槽次系統118中移除，且引導至真空泵浦次系統120以調理(例如為中和或稀釋)以作為廢棄物管理處理的一部份。
在一具體實施例中，輸入次系統104與輸出次系統106係獨立或協同地達成複數個處理控制目的。例如，可以在從摻合器108至處理室102A的各個不同階段處監測且控制溶液之濃度。在另一具體實施例中，輸出流動控制系統116、真空儲槽次系統118及/或真空泵浦次系統120係可配合以控制配置於處理室102A中的晶圓表面上所欲的流體流動。在另一具體實施例中，輸出流動控制系統116與真空泵浦次系統120係可配合以藉輸出流動控制系統116來調理從處理室102A中所移除的流體、且然後將調理後的流體回送至摻合器108。這些與其他具體實施例將在下文中更詳細地描述。
在一具體實施例中，轉移裝置(例如為機器人)係配置於處理室102A的內部及/或與其接近處，以將晶圓移入、通過且移出處理室102。處理室102A亦可以是將於下文中描述的大型器具的一部份。
在一具體實施例中，系統100的各個可控制元件係藉控制器126所操作。控制器126可以是能夠發出控制訊號128至系統100的一或多個可控制元件的任何適當裝置。控制器126亦可以接受複數個輸入訊號130，該訊號可包括在不同地點處的系統內的溶液濃度測量值、液位感應器輸出、溫度感應器輸出、流量計輸出等。舉例而言，控制器126可以是用於可程式化邏輯控制器(PLC)程式的應用微處理器的控制器、以實施各種不同的處理控制，該處理控制在一具體實施例中係包括比例－積分－微分(PID)回饋控制。適合使用於處理控制摻合器系統的示範控制器為可以商業方式從西門子公司(喬治亞州)取得之PLC Simatic S7－300系統。雖然控制器126係以單數組件的形式來顯示，但可瞭解的是控制器126事實上可以是由複數個控制單元以集合方式形成用於處理系統100的控制系統。
如上所指出，系統100的一或多個組件可以相對於處理室102A(或處理室102A為其之一部份的整個器具)以非機載的方式設置。圖2係顯示具有相對於處理室102B為非機載組件的處理系統200的此一組態。相同的編號係指先前關於圖1所描述過的組件。舉例而言，摻合器108、真空儲槽次系統118與真空泵浦次系統120係非機載的方式設置。相反地，在圖1中所顯示的汽化器110、輸入流動控制系統112、與輸出流動控制系統116係機載組件。非機載組件可以設置於具有處理器具的晶圓製造區內(亦即可形成處理器具的處理室102B與任何其他的整合組件)或次晶圓製造區內。應瞭解的是圖2中的系統200的組態僅是用於說明、且其他的組態是可能且可預期的。例如，可構形成系統200以使真空儲槽次系統118係機載的，而真空泵浦次系統120則是非機載的。根據本發明的一具體實施例，摻合器108、汽化器110、輸入流動控制次系統112、輸出流動控制次系統116、真空儲槽次系統118與真空泵浦次系統120將以集體方式構成化學藥品管理系統103。不過應注意的是，關於圖1與圖2所描述的化學藥品管理系統僅是用於說明。在本發明範疇內的其他具體實施例可以包括更多或更少的組件及/或那些組件的不同配置。例如，在化學藥品管理系統的一具體實施例中可不包括汽化器110。
圖2的系統200亦說明多站處理室102B的一具體實施例。因此，圖2係顯示具有5個處理站2041－5 (個別(集體地)稱為處理站204)的處理室102B。不過更常見的是，處理室102B可以具有任何數目的處理站(亦即一或多個處理站)。在一具體實施例中，處理站可藉密封裝置(例如為配置於處理站間的自動門)以彼此分離。在一特別具體實施例中，隔離裝置是真空氣密，故處理站可維持在不同的壓力程度。
每一個處理站204可以構形成以在晶圓上進行特定的處理。在每一個處理站處所進行的處理可以是不同的，故因此需要藉摻合器108、經由輸入流動控制系統112所提供的不同化學藥品。因此，系統200係包括複數個輸入管線組2061－5 ，每一管線組係對應於不同的處理站。在圖2所示範的具體實施例中，其係顯示用於五個處理站的每一者的五組輸入管線2061－5 。每一個輸入管線組係構形成將化學藥品的適當組合提供至一特定的處理站。例如，在一具體實施例中，處理室102B是用於在例如蝕刻處理前與其間清潔晶圓的清潔模組。在這個情況下，用於第一處理站2041 的輸入管線組2061 可提供SC－1類型溶液(其包括氫氧化銨與過氧化氫在去離子水中的混合物)與去離子水(DIW)的組合。用於第二處理站2042 的輸入管線組2062 可提供去離子水(DIW)與異丙醇(IPA)的其一或多者。用於第三處理站2043 的輸入管線組2063 可提供去離子水、稀釋氟化氫、與異丙醇的其一或多者。用於第四處理站2044 的輸入管線組2064 可提供去離子水、已知混合後的化學藥品、特定性質的專有化學藥品溶液與異丙醇的其一或多者。用於第五處理站2045 的輸入管線組2065 可提供去離子水、SC－2類型溶液(其包括具有鹽酸的過氧化氫含水混合物)與異丙醇其一或多者。如在關於圖1所描述的系統100的情況中，處理站204可以是任何環境，其中晶圓的一或多個表面係曝露於藉複數個輸入管線114所提供的一或多個流體下。
可預期的是：通過在特定管線組206(以及圖1中的管線114)內的輸入管線的流體流動可個別加以控制。因此，流體通過個別特定管線組的時間與流動速率可獨立地加以控制。再者，雖然某些輸入管線可將流體提供至晶圓表面，但為了清潔表面之目的(例如在處理週期前或後)亦可提供其他流體至處理站204的內表面、而。此外，圖2中所顯示的輸入管線僅是用於說明、且其他輸入亦可從其他來源提供。
每一個處理站2041－5 係具有對應的輸出管線或輸出管線組，藉此以從個別處理站將流體移除。舉例而言，第一處理站2041 係連結至放流208，而第二至第四處理站2042－4 則顯示成經由個別輸出管線組2101－4 連結至輸出流動控制系統116。每一個管線組係代表一或多個輸出管線。以此方式，流體係經由複數個輸出管線122以從處理室102A移除。經由連結至輸出流動控制系統116的輸出管線組2101－4 而從處理站所移除的流體、可以經由複數個流體管線117以導入真空儲槽次系統118。
在一具體實施例中，轉移裝置(例如為機器人)係配置於處理室102B的內部及/或與其接近處，以將晶圓移入、通過且移出處理室102B。處理室102B亦可以是將於下文中關於圖3所描述的大型器具的一部份。
現參考圖3，其係顯示根據本發明一具體實施例的處理系統300的平面圖。處理系統300係包括一用於接受晶圓匣的前端區域302。前端區域302係與裝有轉移機器人306的轉移室304相接。清潔模組308、310係配置在轉移室304的任一邊上。清潔模組308、310係各自包括一處理室(單處理站或多處理站)，例如前述關於圖1與圖2所描述的那些清潔室102A－B。清潔模組308、310可包括前文所描述的化學藥品管理系統103的各種組件、及/或與其連結。(以虛線所表示的化學藥品管理系統103係代表化學藥品管理系統的某些組件可以在處理系統300上機載配置、而其他組件可以進行非機載配置；或所有組件可以機載配置的事實)。相對於前端區域302，轉移室304係連結至處理器具312。
在一具體實施例中，前端區域302可包括加載鎖定室，其可產生適當的低轉移壓力，且然後開放至轉移室304。轉移機器人306然後從位於加載鎖定室中的晶圓匣中取出各個晶圓，且將晶圓轉移至處理器具312或任一個清潔模組308、310。在系統300操作時，化學藥品管理系統103係控制流體供應至清潔模組308、310或從其中移除。
應瞭解的是系統300僅是具有本發明之化學藥品管理系統的處理系統的一具體實施例。因此，化學藥品管理系統的具體實施例不應限制於例如為圖3中所示之組態、或甚至是半導體製造環境。
系統與處理控制
現參考圖4，其係顯示關於即將描述的化學藥品管理系統的額外具體實施例的處理系統400。為方便起見，額外的具體實施例係關於多站處理室系統而進行描述，該多站處理室系統例如為圖2所顯示且於前文中所描述之系統200。不過，應瞭解的是下述的具體實施例亦可適用於圖1中所顯示的系統100。再者，應注意的是圖4中的處理站204的順序並不必須反映在特定晶圓上所進行的處理順序，而僅是排列成方便說明。為方便起見，類似的參考編號係對應至已於圖1及/或圖2中所描述過的類似組件、且將不再詳述。
系統400的摻合器108係以複數個輸入4021－N (集體稱為輸入402)加以構形成，每個輸入可接受個別化學藥品。輸入402係流動方式連結至主要供應管線404，個別化學藥品係於其中混合以形成溶液。在一具體實施例中，各個化學藥品的濃度係在沿著供應管線404的一或多個階段處監測。因此，圖4係顯示沿著供應管線404以線上方式進行配置之複數個化學藥品監測器4061－3 (所顯示之三個監測器係用於說明)。在一具體實施例中，在供應管線404內之每個位置處可提供化學藥品監測器；而在該供應管線中二或多個化學藥品係合併且混合。例如，第一化學藥品監測器4061 係配置在第一與第二化學藥品(輸入4021－2 )混合的位置與第三化學藥品(輸入4023 )導入供應管線404的位置處(亦即上游)之間。在一具體實施例中，用於系統內的濃度監測器406是無電極傳導探針及/或折射率(RI)偵測器，其包括、但未僅限制於像是商業上從GLI國際公司(科羅拉多州)所取得之型號3700系列類型的AC環形線圈感應器、Swagelok公司(俄亥俄州)所取得之型號CR－288類型的RI偵測器、以及Mesa Laboratories公司(科羅拉多州)所取得之音跡(acoustic signature)感應器類型。
摻合器108係經由主要供應管線404以選擇性地流動方式連接至複數個使用目的地(亦即處理站204)。(當然在另一具體實施例中亦可預期摻合器108只用於一個使用目的地)。在一具體實施例中，處理站服務的選擇性係藉流動控制單元408以控制。流動控制單元408係代表任何數目適合用於控制介於摻合器與下游目的地間的流體流動方向的裝置。例如，流動控制單元408可以包括多通閥以用於控制從摻合器108輸送至下游目的地之溶液路徑。舉例而言，流動控制單元408可以選擇性地(例如在控制器126的控制下)將溶液從摻合器108輸送至第一使用端供應管線410、至第二使用端供應管線412或第三使用端供應管線414，其中，每一個使用端供應管線係與不同的處理站相聯結。流動控制單元408亦可以包括流量計或流量控制器。
在一具體實施例中，容器係線上配置在每一個使用端供應管線上。例如，圖4係顯示以流通方式連結至介於流動控制單元408與第一處理站2041 間的第一使用端供應管線410的第一容器416。同樣地，第二容器418係以流通方式連結至介於流動控制單元408與第二處理站2042 間的第二使用端供應管線412。可適當地定容器之尺寸以提供充足的體積、以在當摻合器108用於不同處理站(或要不然當摻合器108不能利用、像是維護)時，供料至各個處理站。在一特別的具體實施例中，容器係具有6至10升的容量、或用於特定處理需求所需的特定體積。每一個容器的流體液位可藉提供個別液位感應器421、423(例如為高與低液位感應器)而決定。在一具體實施例中，容器416、418是壓力容器，且因此各自包括用於接收加壓氣體的個別入口420、422。在一具體實施例中，係監測容器416、418的內含物濃度。因此，圖4中所顯示的容器416、418係包括主動濃度監測系統424、426。系統400的這些與其他觀點將參考圖5－6以在下文中更詳細地描述。
在操作中，容器416、418係藉操作各個流動控制裝置428、430以分送其內容物。流動控制裝置428、430可以例如係在控制器126控制下的氣動閥。藉容器416、418所分送的溶液然後係經由各個輸入管線206而流至個別處理站204。再者，來自汽化器110的汽化後的流體可以流送至一或多個處理站204。例如，在本說明中，汽化後的流體可輸入第二處理站2042 。
每一個個別輸入管線206可以具有一或多個流體管理裝置4321－3 (為方便起見，每一組輸入管線只顯示具有一個相關流體管理裝置)。舉例來說，流體管理裝置432可以包括過濾器、流量控制器、流量計、閥門等。在一特別的具體實施例中，一或多個流動管理裝置432可包括加熱器以用於加熱流過各個管線的流體。
從各個處理室移除的流體係然後藉操作輸出流動控制次系統116而進行。如圖4所示，輸出流動控制次系統116的每一個個別複數個輸出管線210係包括其本身相關的一或多個流動管理裝置4341－3 (為方便起見，每一組輸出管線只顯示具有一個相關的流體管理裝置)。流體管理裝置434可以例如包括過濾器、流量控制器、流量計、閥門等。在一具體實施例中，流體管理裝置可以包括主動壓力控制單元。例如，壓力控制單元可以由連結至流量控制器的壓力轉換器所組成。可操作此主動壓力控制單元以進行關於晶圓與各個處理站的所需處理控制，例如為控制流體與晶圓表面的界面。例如，可能必須在控制輸出管線中相對於壓力與處理站的壓力、以確保所欲的流體/晶圓界面。
在一具體實施例中，藉輸出流動控制次系統116所移除的流體係流進真空儲槽次系統118中之一或多個真空儲槽內。因此，藉由說明，系統400係包括二個真空儲槽。第一儲槽436係連結至第二處理室2042 的輸出管線2101 。第二儲槽438係連結至第三處理室2043 的輸出管線2103 。在一具體實施例中，可對輸入各個處理站的每一個不同化學藥品提供分開的儲槽。此一配置可促成流體的重複使用(回收將在下文中更詳細地描述)或流體的處置。
在每一個儲槽436、438中的流體液位可以藉一或多個液位感應器437、439(例如為高與低液位感應器)加以監測。在一具體實施例中，儲槽436、438可藉加壓氣體440、442的輸入而選擇性地增壓、且亦可排氣以對儲槽減壓。再者，每一個儲槽436、438係藉各個真空管線444、446而連結至真空泵浦次系統120。以此方式，蒸汽可從各個儲槽中移除、且如將會在下文中更詳細描述的在真空泵浦次系統120中進行處理。一般而言，儲槽內容物可以送至放流、或回收且回送至摻合器以重複使用。因此，所顯示的第二儲槽438可排空至放流管線452。相反地，所顯示的第一儲槽436係連結至回收管線448。回收管線448係以流動方式聯結至摻合器108。以此方式，流體可以從處理站回送至摻合器108且重複使用。流體的回收將參考圖8以在下文中更詳細地描述。
在一具體實施例中，在系統400內的流動輸送係藉建立壓力梯度而加以促成。例如，參考圖4中所顯示的系統400，在開端的摻合器108與末端的處理站204間可建立遞減的壓力梯度。在一具體實施例中，摻合器108與汽化器110係在約2大氣壓的壓力下進行操作，輸入流動控制次系統112係在約1大氣壓下進行操作、且處理站204係在約400陶爾(Torr)下進行操作。建立此一壓力梯度可激發從摻合器108至處理站204之流體流動。
在操作過程中，容器416、418將逐漸耗盡且必須定期補充。根據一具體實施例，個別容器的管理(例如為填充、分送、維修及/或維護)係非同步地發生。亦即，當一特定的容器正在保養(例如為填充)時，其他容器可以持續分送溶液。響應來自低液位感應器的訊號(感應器420、423之其一或二者)可起始對一特定容器的填充週期。例如，假定第一容器416的感應器421對控制器126指示一低液位。控制器126的回應係導致第一容器416減壓(例如藉由開啟排放接口)、且導致流動控制單元408將第一容器416放置成與摻合器108以流動方式聯結，且同時將摻合器與其他容器隔離。控制器126然後送訊號給摻合器108以將適當的溶液混合且分送至第一容器416。一旦第一容器416已充分填充(例如藉高液位流體感應器指示)後，控制器126將送訊號給摻合器108以停止分送溶液、且令流動控制單元408將摻合器108與第一容器416隔離。再者，第一容器416然後可藉將加壓氣體注入氣體入口420而增壓。第一容器416現已準備開始將溶液分送至第一處理站。在此填充週期過程中，每個其他容器可持續分送溶液至其個別處理站。
在一具體實施例中，可預期的是各個容器的修護係基於藉稽核器126所實施的優先演算法。例如，優先演算法可根據體積用量。亦即，分送最高體積(例如在特定的一段時間內)的容器將具有最高的優先權、而分送最低體積的容器則具有最低的優先權。以此方式，容器的優先權可以從分送最高體積排位至分送最低體積者。
摻合器
在各種不同的具體實施例中，本發明係提供一種使用端處理控制摻合器系統，其包括至少一個摻合器以接收且將至少二個化合物混合在一起、以用於輸送至一或多個容器或儲槽，該等容器或儲槽係包括可促進半導體晶圓或其他元件處理(例如為清潔)的化學藥品浴。化學藥品溶液係在單一儲槽或多個儲槽中維持在所選擇的體積與溫度，且摻合器可構形成將化學藥品溶液持續地輸送至一或多個儲槽、或者，只在需要時(如前文中所提且會在下文中進一步描述)才將化學藥品溶液輸送至一或多個儲槽，以使儲槽內的化合物濃度係維持在所欲的範圍中。
儲槽可以是處理器具的一部份，以使摻合器可直接將化學藥品溶液提供給一處理器具，該處理器具係包括選定體積的化學藥品浴。處理器具可以是處理半導體晶圓或其他元件(例如：經由蝕刻處理、清潔處理等)的任何傳統或其他適當器具，例如為前文中關於圖3所述之器具312。此外，摻合器可將化學藥品溶液提供給一或多個盛裝或儲存槽，於此單一儲槽或多個儲槽中可然後將化學藥品溶液提供給一或多個處理器具。
在一具體實施例中，係提供使用端處理控制摻合器系統，該系統係構形成當溶液內的一或多個化合物的濃度係落在選定目標範圍外時、可提高化學藥品溶液至一或多個儲槽的流動速率，以從(數個)儲槽中快速地替換不欲之(數個)化學藥品溶液，同時在所欲的化合物濃度下將新鮮的化學藥品溶液供應至(數個)儲槽。
現參考圖5，其係顯示根據本發明一具體實施例之包括摻合器108的摻合器系統500。根據一具體實施例，所顯示的摻合器108係連結至儲槽502，且合併有監測與再循環的能力。在一具體實施例中，儲槽502是圖4所示的壓力容器416或418。此外，儲槽502可以是清潔儲槽(例如在處理系統400之其中一個清潔模組308、310中)，其中半導體晶圓或其他元件係浸在其中且加以潔淨。
清潔儲槽502的入口係經由流動管線512而與摻合器108連結。根據一具體實施例，流動管線512可對應至圖4所顯示之其中一個使用端管線410、412、414。在示範的具體實施例中，在摻合器單元108中所形成且提供至清潔儲槽502的清潔溶液是SC－1清潔溶液，其具有經由供應管線506以提供至摻合器單元的氫氧化銨(NH4 OH)、經由供應管線508以提供至摻合器單元的過氧化氫(H2 O2 )、以及經由供應管線510以提供至摻合器單元的去離子水(DIW)。不過，應注意的是摻合器系統500可構形成將在選定濃度下的任何選定數目(即二或多個)之化合物的混合物提供至任何類型之器具，其中該混合物可以包括例如為氫氟酸(HF)、氟化銨(NH4 F)、鹽酸(HCl)、硫酸(H2 SO4 )、乙酸(CH3 OOH)、氫氧化銨(NH4 OH)、氫氧化鉀(KOH)、乙烯二胺(EDA)、過氧化氫(H2 O2 )、與硝酸(HNO3 )的化合物。例如摻合器108可構形成分送稀釋之HF、SC－1及/或SC－2的溶液。在一特別具體實施例中，輸入加熱稀釋後的HF可能所欲的。因此，摻合器108可以構形成具有用於熱DIW的輸入口。在一特別具體實施例中，熱DIW可以維持在從約25℃至約70℃。
此外，任何適當的界面活性劑及/或其他化學藥品添加劑(例如為過氧硫酸銨或APS)可與清潔溶液合併以提高對特定應用的清潔效果。流動管線514可視需要連接至介於摻合器單元108與至儲槽502的入口間的流動管線512、以促進加入此添加劑至使用於清潔浴的清潔溶液中。
儲槽502係可適當地決定大小且構形成將選定體積(例如為，一個足夠體積以形成用於清潔操作的清潔浴)的清潔溶液保存於儲槽中。如前文中所指出，清潔溶液可在一或多個選定的流動速率下從摻合器單元108持續地提供至儲槽502。此外，可只在選定的時段(例如在起始裝填儲槽、以及當儲槽內的清潔溶液中的一或多個成份係落在選定或目標濃度範圍外時)下將清潔溶液從摻合器單元提供至儲槽。儲槽502係進一步構形成有溢流區域與出口，該出口可允許清潔溶液經由溢流管線516以離開儲槽、且同時保持在儲槽內作為清潔溶液的選定清潔溶液體積以下文中所描述的方式連續地導入及/或再循環至儲槽中。
儲槽亦提供有連接至放流管線518的放流出口，其中放流管線518係包括閥門520，如下文所描述，可選擇性地控制該閥門以在選定時間內促成清潔溶液以更快的速率從儲槽中放流與移除。放流閥520較佳係可藉控制器126以自動控制的電動閥(前述圖1－4)。溢流與放流管線516與518係連接至其中包括配置著泵浦524的流動管線522、以促成從儲槽502中所移出的清潔溶液輸送至再循環管線526及/或收集點處或如下文中所描述的進一步處理處。
濃度監測單元528係配置在流動管線522中位於泵浦524的下游位置處。濃度監測單元528包括至少一個感應器，其係構形成當清潔溶液流過管線522時測量清潔溶液內的一或多個化合物的濃度(例如為H2 O2 及/或NH4 OH)。濃度監測單元528的單一感應器或多個感應器可以是能夠促進在清潔溶液中有利之一或多個化合物的正確濃度測量的任何適當類型。在某些具體實施例中，用於系統內的濃度感應器是無電極傳導探針及/或折射率(RI)偵測器，其包括、但未僅限制於像是以商業方式從GLI國際公司(科羅拉多州)所得到的型號3700系列類型的AC環形線圈感應器、從Swagelok公司(俄亥俄州)所得到的型號CR－288類型的RI偵測器、以及從Mesa Laboratories公司(科羅拉多州)所得到的音跡感應器。
流動管線530係將濃度監測單元528的出口連接至三通閥532的入口。三通閥可以是藉控制器126以下文中所描述的方式、基於單元528所提供的濃度測量值而以自動方式控制的電動閥。再循環管線526係連接閥門532的出口且延伸至儲槽502的入口，以在正常的系統操作過程中(如下文中所描述)，促進溶液從溢流管線516再循環回至儲槽。放流管線534係從閥門532的另一個出口延伸，以便當溶液內的一或多個成份濃度超出目標範圍時，促進從儲槽502(經由管線516及/或管線522)移除溶液。
再循環流動管線526可以包括任何適當數目與類型的溫度、壓力及/或流動速率感應器、以及一或多個適當的熱交換器，以便當溶液再循環回至儲槽502時可促進溶液的加熱、溫度與流動速率控制。再循環管線在系統操作過程中對儲槽內的溶液浴溫度的控制是有用的。此外，可以沿著流動管線526提供任何適當數目的過濾器及/或泵浦(例如除了泵浦524外)，以於溶液再循環回至儲槽502時促進其之過濾與流動速率控制。在一具體實施例中，藉放流管線518、閥門520、泵浦524、管線522、濃度監測器單元528、三通閥532與再循環管線526所定義出的再循環迴路將界定前文中參考圖4所述之其中一種濃度監測系統424、426。
摻合器系統500係包括基於藉濃度監測單元528所得到的濃度測量值以自動方式控制摻合器單元108的成份與放流閥520的控制器126。如下文中所描述，控制器將根據藉濃度監測單元528所測量之離開儲槽502的清潔溶液內的一或多個化合物的濃度，以控制來自摻合器單元108的清潔溶液的流動速率、以及從儲槽502的清潔溶液的放流或取出。
控制器126係配置成以經由任何適當的電氣方式之有線或無線通訊聯結與放流閥520、濃度監測單元528、及閥門532、以及摻合器單元108的某些組件聯通(如圖5中藉虛線536所示)，以基於從濃度監測單元所收到的測量資料、以促進摻合器單元與放流閥的控制。控制器可包括可程式化以實施任何一種或多種適當類型的處理控制的處理器，例如為比例－積分－微分(PID)回饋控制。適合用於該處理控制摻合器系統的示範控制器是可以商業方式從西門子公司(喬治亞州)得到的PLC Simatic S7－300系統。
如前文中所指出，摻合器單元108係接收氫氧化銨、過氧化氫與去離子水(DIW)的獨立進料物流，該等進料物流係在適當的濃度與流動速率下彼此混合以得到具有這些化合物的所欲濃度的SC－1清潔溶液。控制器126係控制在摻合器單元108內的每一個這些化合物的流動以達到所欲的最終濃度，且進一步控制SC－1清潔溶液的流動速率以在儲槽502中形成清潔浴。
摻合器單元的示範具體實施例係描述於圖6中。特別的是，用於將NH4 OH，H2 O2 與DIW供應至摻合器單元108的每一條供應管線506、508與510係包括一止回閥602、604、606與配置於止回閥下游處的電動閥608、610、612。用於每一條供應管線的電動閥係與控制器126聯通(例如經由電氣方式之有線或無線連結)，以在系統操作過程中藉控制器以促進電動閥的自動控制。NH4 OH與H2 O2 供應管線506與508的每一者係分別與電動三通閥614、616連接，該電動三通閥係與控制器126聯通(例如經由電氣方式之有線或無線連結)、且係配置於第一電動閥608、610的下游處。
DIW供應管線510係包括配置於電動閥612下游處以控制DIW進入系統108內的壓力與流動的壓力調節器618，且管線510在調節器618下游處將進一步分成三條流動管線。從主要管線510所延伸出的第一分支管線620係包括沿著分支管線配置的流量控制閥621、該流量控制閥可視需要由控制器126控制，且管線620再進一步與第一靜態混合器630連接。第二分支管線622係從主要管線510延伸至亦與NH4 OH流動管線506連接的三通閥614的入口。此外，第三分支管線624係從主要管線510延伸至亦與H2 O2 流動管線508連接的三通閥616的入口。因此，用於每個NH4 OH與H2 O2 流動管線的三通閥將可促進DIW加入至每個這些流動，以在系統操作過程中以及在摻合器單元的靜態混合器內彼此混合前，以選擇方式調整蒸餾水內的氫氧化銨與過氧化氫濃度。
在用於氫氧化銨供應管線的三通閥614的出口與去離子水供應管線的第一分支管線620之間於介於閥門621與靜態混合器630間的位置處係連接有NH4 OH流動管線626。流動管線626可視需要包括一藉控制器126以自動方式控制的流量控制閥628，以提高對導入第一靜態混合器的氫氧化銨的流動控制。導入第一靜態混合器630的氫氧化銨與去離子水係在混合器中合併、以得到混合後且通常為均勻的溶液。流動管線634係連接第一靜態混合器的出口連接，並延伸至第二靜態混合器640且與其連接。可以沿著流動管線634配置任何一或多個適當的濃度感應器632(例如為前文中所描述的任何類型的一或多個無電極感應器或RI偵測器)，該感應器可決定溶液內的氫氧化銨濃度。濃度感應器632係與控制器126聯通、以提供從第一靜態混合器所顯現之溶液內的氫氧化銨測量濃度。藉由控制器對在NH4 OH與DIW供應管線的一或兩者內的任何閥門的選擇性與自動操作，可在此溶液輸送至第二靜態混合器640前、依次促進該溶液中的氫氧化銨濃度的控制。
H2 O2 流動管線636係連接至與H2 O2 供應管線連接的三通閥616的出口。流動管線636係從三通閥616延伸以在介於(數個)濃度感應器632與第二靜態混合器640間的位置處與流動管線634連接。流動管線636可視需要包括一藉控制器126以自動方式控制的流量控制閥638，以提高對導入第二靜態混合器的過氧化氫的流動速率控制。第二靜態混合器640係將從第一靜態混合器630所接收到的DIW稀釋後的NH4 OH溶液、與從H2 O2 進料管線所流送來的H2 O2 溶液加以混合，以形成一種混合且通常是均勻的氫氧化銨、過氧化氫與去離子水的SC－1清潔溶液。流動管線642係接收來自第二靜態混合器的清潔溶液，且與電動三通閥648的入口連接。
沿著流動管線642於閥門648的上游位置處所配置的是至少一個適當的濃度感應器644(例如為前文中所描述的任何類型的一或多個無電極感應器或RI偵測器)，該感應器可測定在清潔溶液內的過氧化氫與氫氧化銨至少其中一者之濃度。(數個)濃度感應器644係亦與控制器126聯通以將測量的濃度資料提供給控制器，藉著控制器對在NH4 OH、H2 O2 與DIW進料管線的其一或多者內的任何閥門的選擇性與自動化之操作，該濃度感應器可依次促進在清潔溶液內的氫氧化銨及/或過氧化氫濃度的控制。壓力調節器646可視需要沿著流動管線642、配置於感應器644與閥門648間的位置，以控制清潔溶液的壓力與流動。
放流管線650係與三通閥648的出口連接，而流動管線652則從三通閥648的另一個出口延伸。三通閥係藉控制器126而以選擇性且自動化操作，以促進從摻合器單元顯現以輸送至儲槽502的清潔溶液數量、以及轉向至放流管線650數量的控制。此外，電動閥654係沿著流動管線652配置且藉控制器126自動控制，以進一步控制從摻合器單元至儲槽502的清潔溶液的流動。流動管線652將如圖5中所示變成用於將SC－1清潔溶液輸送至儲槽502的流動管線512。
配置在與控制器126合併的摻合器單元108內的一系列電動閥與濃度感應器、可在系統操作過程中促進進入儲槽的清潔溶液的流動速率、以及在清潔溶液之改變流動速率下對清潔溶液內的過氧化氫與過氧化銨濃度的精確控制。再者，沿著用於儲槽502的放流管線522所配置的濃度監測器單元528，可在當過氧化氫與過氧化銨的其中之一或二者的濃度超出清潔溶液的可接受範圍時，對控制器提供指示。
基於濃度監測單元528提供給控制器126的濃度測量值，控制器可程式化以實施對送至儲槽的清潔溶液流動速率之改變且開啟放流閥520，以促進在浸浴內的SC－1清潔溶液的迅速置換、且同時將新鮮的SC－1清潔溶液供應至儲槽，因此，儘快地使清潔溶液浴位於相容或目標濃度範圍內。一旦清潔溶液已完全地從儲槽置換，如此使得過氧化氫及/或氫氧化銨濃度落於可接受的範圍(如藉濃度監測單元528所測量)內時，控制器將程式化以關閉放流閥520且控制摻合器單元，以降低(或停止)流動速率，且同時維持輸送至儲槽502的清潔溶液內的所欲化合物濃度。
一種用於操作在前文中已敘述且於圖5與6中描述的系統之方法的示範具體實施例將在下文中描述。在此示範具體實施例中，清潔溶液可以持續地提供至儲槽，或另外地只在選定間隔內提供至儲槽(例如當清潔溶液欲從儲槽替換出時)。SC－1清潔溶液係在摻合器單元108中製備且提供至儲槽502，該SC－1清潔溶液具有的氫氧化銨濃度範圍係從約0.01－29重量%、較佳係約1.0重量%，而過氧化氫濃度範圍係從約0.01－31重量%、較佳係約5.5重量%。清潔儲槽502係構形成在從約25℃至約125℃的溫度範圍中、於儲槽中維持約30升的清潔溶液浴。
於操作過程中，當以清潔溶液補充儲槽502至其容量時，控制器126將控制摻合器單元108，以在每分鐘從約0－10升(LPM)的第一流動速率下、經由流動管線512以將清潔溶液提供給儲槽502，其中於系統操作過程中、摻合器可以持續或在選定的時間下提供溶液。當持續提供溶液時，示範的第一流動速率係約0.001 LPM至約0.25 LPM、較佳係約0.2 LPM。氫氧化銨供應管線506係將約29－30體積%的NH4 OH進料供應提供給摻合器單元，而過氧化氫供應管線508則係將約30體積%的H2 O2 進料供應提供給摻合器單元。在約0.2 LPM的流動速率下，摻合器單元供應管線的流動速率可設定如下、以確定所提供的清潔溶液係具有所欲濃度之氫氧化銨與過氧化氫：約0.163 LPM的DIW、約0.006 LPM的NH4 OH、與約0.031 LPM的H2 O2 。
添加劑(例如為APS)可視需要經由供應管線514而加入至清潔溶液。在此階段的操作中，新鮮SC－1清潔溶液的連續流動可在第一流動速率下、從摻合器單元108提供至儲槽502，而同時來自清潔浴的清潔溶液亦通常在相同的流動速率(亦即約0.2 LPM)下經由溢流管線516而離開儲槽502。因此，清潔溶液浴的體積係維持相當穩定，此係由於進入與離開儲槽的相同或大致上相似的清潔溶液流動速率。溢流的清潔溶液係流進放流管線522且通過濃度監測單元528，於此、清潔溶液內的一或多個化合物(例如為H2 O2 及/或NH4 OH)的濃度測量值將持續或在選定的時間間隔下進行測定、且將此濃度測量提供給控制器126。
清潔溶液可視需要藉調整閥門532而進行循環，以便在選定的流動速率(例如為約20 LPM)下、使從儲槽502所流出的清潔溶液流經再循環管線526且回送至儲槽。在此操作過程中，除非清潔溶液內的一或多個化合物的濃度係在選定的目標範圍外、否則摻合器單元108將加以控制，以使無清潔溶液被從摻合器單元輸送至儲槽。此外，清潔溶液可藉摻合器單元在選定的流動速率(例如為約0.20 LPM)下結合通過管線526的清潔溶液的再循環以提供。在此替代操作的具體實施例中，可調整三通閥532(例如藉控制器126以自動方式進行調整)以促進在與清潔溶液藉摻合器單元以提供至儲槽者約略相同的速率下移除清潔溶液而進入管線534，且清潔溶液仍流通過再循環管線526。在另一替代選擇中，可將閥門532關閉以防止任何流體經過管線526的再循環，且同時清潔溶液仍持續地藉摻合器單元108以提供給儲槽502(例如為約0.20 LPM)。在此應用中，溶液係以與流體從摻合器單元進入儲槽者之流動速率約略相同或相似的流動速率下經由管線516以離開儲槽。
對其中清潔溶液係持續地提供至儲槽的應用中，控制器126將維持從摻合器單元108至儲槽502的清潔溶液流動速率在第一流動速率下，且過氧化氫與氫氧化銨的濃度係在選定的濃度範圍內，只要藉濃度監測單元528所提供的濃度測量值係在可接受的範圍內。對其中清潔溶液係未持續地從摻合器單元提供至儲槽的應用中，控制器126將維持此操作狀態(亦即，無清潔溶液從摻合器單元進入儲槽)，直到過氧化氫及/或氫氧化銨的濃度係在選定的濃度範圍外。
當由濃度監測單元528所測量的過氧化氫與氫氧化銨的至少其中之一的濃度已偏離至可接受範圍外時(例如NH4 OH的測量濃度相對於目標濃度已偏離約1%的範圍、及/或H2 O2 的測量濃度相對於目標濃度已偏離約1%的範圍)，控制器將如上所述般進行操作且控制摻合器單元108內之任何一個或多個閥門，以加以起始將從摻合器單元至儲槽502的清潔溶液流動速率或提高至第二流動速率(且同時將清潔溶液內的NH4 OH與H2 O2 濃度維持在選定的範圍中)。
第二流動速率可以在從約0.001 LPM至約20 LPM之範圍間。對於連續式清潔溶液操作，示範的第二流動速率係約2.5 LPM。控制器將進一步開啟儲槽502內的放流閥520，以促進清潔溶液以大約相同流動速率流出儲槽。在約2.5 LPM的流動速率下，摻合器單元供應管線的流動速率可設定如下，以確保所提供的清潔溶液係具有氫氧化銨與過氧化氫的所欲濃度：約2.04 LPM的DIW、約0.070 LPM的NH4 OH、與約0.387 LPM的H2 O2 。
此外，在選定流動速率(例如為約20 LPM)下、再循環至儲槽的清潔溶液係藉調整三通閥532而以從系統中移除，故清潔流體係轉進管線534內且不再流進管線526內，且摻合器單元將第二流動速率調整至選定程度(例如為20 LPM)，以便在相同或相似的流動速率下補償流體的移除。因此，在提高清潔溶液進出儲槽的流動速率過程中，於儲槽502內的清潔溶液浴的體積仍可維持相當地固定。此外，在更換儲槽內選定溶液體積的處理過程中，仍可維持於儲槽內的處理溫度與循環流動參數。
控制器係維持在第二流動速率下將清潔溶液輸送至儲槽502，直到濃度監測單元528將介於可接受範圍內的濃度測量值提供給控制器為止。當藉濃度監測單元528所得的濃度測量值係介於可接受範圍中時，清潔溶液浴將再次地與所欲之清潔化合物濃度相容。然後，控制器將在第一流動速率(或無清潔溶液從摻合器單元提供至儲槽)下控制摻合器單元108，以將清潔溶液提供給儲槽502，且控制器將進一步操作放流閥520至關閉位置，如此可促進清潔溶液只能經由溢流管線516以流出儲槽。在其中有使用再循環管線的應用中，控制器將操作三通閥532，以使清潔溶液從管線522流到管線526，且回送至儲槽502內。
因此，前文中所描述的使用端處理控制摻合器系統可有效且精確地控制於應用或處理過程中，輸送至化學藥品溶液儲槽(例如為器具或溶液儲槽)的清潔溶液內的至少二個化合物的濃度，儘管其可能會有可改變儲槽內的化學藥品溶液濃度的分解及/或其他反應。系統係能夠在第一流動速率下，持續地將新鮮的化學藥品溶液提供給儲槽，且當儲槽內的化學藥品溶液已測定具有一或多個化合物的不欲或無法接受之濃度時，可以較第一流動速率更快速的第二流動速率、以新鮮化學藥品溶液將化學藥品溶液從儲槽中快速置換出。
使用端處理控制摻合器系統並未限制於前文中所描述且於圖5與6中所敘述的示範具體實施例。相反地，可使用此系統以將如具有前文中所描述類型的任何二或多種化合物之混合物的化學藥品溶液提供給任何半導體處理儲槽或其他之選定器具，且同時在清潔應用過程中維持化學藥品溶液內的化合物濃度在可接受的範圍內。
此外，處理控制摻合器系統可提供有任何選定數目的溶液儲槽或儲槽及/或半導體處理器具。例如，可實施如上所述的控制器與摻合器單元以將具有二或多個化合物的精確濃度的化學藥品溶液混合物直接供應至二或多個處理器具。或者，可實施控制器與摻合器單元以將此化學藥品溶液供應至一或多個儲存或儲槽，此儲槽係將化學藥品溶液供應至一或多個處理器具(如圖4中所示的系統400)。處理控制摻合器系統係藉監測單一儲槽或多個儲槽內的(數種)溶液濃度、以提供對化學藥品溶液內的化合物濃度的精確控制，且當溶液濃度落在目標範圍外時、對此儲槽進行溶液的更換或再補充。
處理控制摻合器系統的設計與組態係促進系統以本質上接近一或多個化學藥品溶液儲槽及/或處理器具的方式放置，該儲槽及/或處理器具係提供以來自系統的化學藥品溶液。特別的是，處理控制摻合器系統可以位於製造物(晶圓製造區)或無塵室中或與其接近、或者是在次晶圓製造室內、但鄰近位於無塵室內的溶液儲槽及/或器具。例如，包括摻合器單元與控制器的處理控制摻合器系統可以位於溶液儲槽或處理器具的約30公尺內、較佳係介於約15公尺內、且更佳係介於約3公尺內或更少處。再者，處理控制摻合器系統可以與一或多個器具整合，以形成包括處理摻合器系統與(數個)器具的單一單元。
非機載摻合器
如前文中所提，根據一具體實施例，摻合器108可以非機載配置。亦即，摻合器108可以與藉摻合器108所服務的處理站分離，那麼，於此情形中摻合器108可以遙遠配置於例如為次晶圓製造室內。
在非機載式摻合器的特別具體實施例中，一集中式摻合器係構形成服務複數個器具。此一集中式摻合器系統700係顯示於圖7中。一般而言，摻合器系統700係包括摻合器108與一或多個充填站7021－2 。在示範的具體實施例中係顯示二個充填站7021－2 (集體稱為充填站702)。摻合器108可以如先前所描述之任何一具體實施例者般構形成(例如為上述參考圖6者)。摻合器108係藉主要供應管線404與一對於其個別之端點處連結至其中一個充填站7021－2 之流動管線7041－2 而以流體方式連結至充填站702。流動控制單元706係配置於主要供應管線與流動管線7041－2 的聯接處。流動控制單元706代表適合用於控制摻合器108與充填站702間之流體流動的任何數目裝置。例如，流動控制單元706可以包括多通閥，以控制溶液從摻合器108引導至下游之目的地。因此，流動控制單元408可選擇性地(例如在控制器126的控制下)將來自摻合器108的溶液、經由第一流動管線7041 引導至第一充填站7021 、且經由第二流動管線7042 引導至第二充填站7022 。流動控制單元706亦可以包括流量計或流量控制器。
每一個充填站702係連結至一或多個處理器具708。在示範的具體實施例中，每一個充填站係連結至四個器具(器具1－4)，儘管，更常見的是充填站可連結至任何數目的使用端。來自充填站702之溶液的引導(及/或計量、流動速率等)可藉配置於各個充填站與複數個器具708間的流動控制單元7101－2 所控制。在一具體實施例中，過濾器7121－2 係配置於各個充填站與複數個器具708間。過濾器7121－2 可在溶液被輸送至各個器具前、先選擇性地移除其中的碎片。
在一具體實施例中，每一個充填站702係將不同的化學藥品供應至各個器具708。例如在一具體實施例中，第一充填站7021 係供應稀釋的氫氟酸，而第二充填站7022 則供應SC－1類型溶液。可操作在各個器具的流動控制裝置以將進入的溶液引導至器具的適當處理站/室。
在一具體實施例中，每一個充填站可相對於摻合器108以非同步方式進行操作。亦即，可以充填每一個充填站7021－2 、且同時將溶液分送至一或多個器具708。為此目的，每一個充填站係構形成具有至少二個容器配置於其間的充填迴路。在示範的具體實施例中，第一充填站係具有配置二個容器7161－2 的第一充填迴路714A－D 。充填迴路係藉複數個流動管線分段所界定。第一流動管線分段714A 係將流動管線704與第一容器7161 以流動方式連結。第二流動管線分段714B 係將第一容器7161 與處理器具708以流動方式連結。第三流動管線分段714C 係將流動管線704與第二容器7162 以流動方式連結。第四流動管線分段714D 則係將第二容器7162 與處理器具708以流動方式連結。可在充填迴路中配置複數個閥門7201－4 以控制介於摻合器108與容器716間、以及介於容器716與複數個器具708間之流動聯通。
每一個容器716係具有適當數目的液位感應器7171－2 (例如為高液位感應器與液位低感應器)，以感應在各個容器內的流體液位。每一個容器亦可具有加壓氣體輸入7191－2 、藉以增壓各個容器，以及排放接口7211－2 、藉以減壓各個容器。雖未顯示，但第一處理站7021 的充填迴路714A－D 可以裝配有任何數目的流動管理裝置，該裝置例如為壓力調節器、流量控制器、流量計等。
第二充填站702亦同樣方式進行構形成。因此，圖7中的第二充填站702係顯示具有二個容器7221－2 ，其係配置於具有複數個閥門7261－4 以用於控制流動聯通的充填迴路724A－D 中。
於操作過程中，控制器126可以操作流動控制單元706，以在摻合器108與第一充填站7021 間建立聯通。控制器126亦可以操作第一充填迴路閥720，以在第一流動管線7041 與充填迴路714A－D 的第一流動管線分段714A 間建立流動聯通，藉此，以建立摻合器108與第一容器7161 間流動聯通。在此組態中，摻合器108可將溶液流送至第一容器7161 ，直到其中一個適合的感應器7171 顯示容器已滿為止(亦即：該高液位感應器)，在此時第一充填迴路閥7201 將關閉、且容器716可藉施加氣體至加壓氣體輸入7191 以增壓。在充填第一容器之前與過程中，可以開啟各個排放接口7211 以允許容器減壓。
當第一容器7161 充填時，充填站7021 可以構形成使第二容器7162 可將溶液分送至一或多個器具708。因此，第二閥門7202 將關閉、第三閥門7203 將開啟、且第四閥門7202 將設定在允許介於第二容器7162 與處理器具708間經由第四流動管線分段714D 之流動聯通的位置上。在溶液分送期間，第二容器可藉施加加壓氣體至各個氣體輸入7212 而處於壓力狀態下。
在測定第二容器7162 內的流體液位已達到如藉適當的低液位感應器7172 所指示的預定低液位後，充填站702可構形成停止來自第二容器7162 的分送、且藉設定第一充填迴路的閥門開始從第一容器7161 至適當的位置的分送。第二容器7162 然後可以藉開啟各個排放接口7212 以減壓，其後第二容器7162 可藉來自摻合器108的溶液而加以充填。
第二充填站7022 的操作係與第一充填站7021 的操作相同，因此不再詳述。
在充填於其中一個充填站7021－2 內的容器後，充填站將能夠在一段時間內將溶液分送至一或多個器具708。在此期間，可以操作流動控制單元706以將摻合器108放置成與其他充填站流動聯通。可預期的是，充填站的容器可以決定其容量大小、以在進入與離開充填站之特定流動速率下，摻合器108可以在其他充填站的備用容器耗盡前、充填位於其中一個充填站內的其中一個容器。以此方式，來自充填站的溶液分送可以維持不中斷、或實質上不會中斷。
回收系統
如前文中所指出，在本發明的一具體實施例中，從處理站(或更常見的是使用端)所移除的流體可加以回收且重複使用。現參考圖8A，其係顯示回收系統800A的一具體實施例。回收系統800A係包括複數個已於前文中參考圖4所述的組件，且這些組件係由類似的編號加以標示，而將不再詳述。再者，為簡化起見、已將複數個於前文中描述過的項目移除。一般而言，回收系統800A可包括摻合器108與複數個儲槽8021－N (集體稱為儲槽802)。儲槽802係對應至圖4中所顯示的儲槽436，且因此每個儲槽係以流動方式聯結至各個處理站(未示)，且亦可以流動方式聯結至真空泵浦次系統120(未示)。
在一具體實施例中，儲槽802係構形成將液體從進入的液－氣物流內的氣體中分離。為此目的，儲槽802各自在各個儲槽的入口處包括耐衝板8281－N 。當遭遇到耐衝板828時，液體將藉鈍化作用力的操作而從進入的流體物流中冷凝。儲槽802亦可以包括除霧器8301－N 。除霧器830通常係包括以相對於流過除霧器830的流體的角度(例如為約90度)定位之表面陣列。對除霧器表面的撞擊將造成液體從氣體進一步的冷凝。從進入物流中所冷凝的液體將在儲槽下方部分的液體儲存區8321－N 中取得，而任何殘留的蒸汽將移送至真空泵浦次系統120(如圖1中所示)。在一具體實施例中，除氣擋板8341－N 係放置於除霧器下方，例如正在耐衝板828下方。除氣擋板係在液體儲存區832上方延伸、且在一端部上形成開口8361－N 。在此組態中，除氣擋板允許液體經由開口836進入液體儲存區832、但可防止來自液體的溼氣隨著進入的液－氣物流被再導入。
每一個儲槽802係經由各個回收管線8041－N (集體稱為回收管線804)以以流動方式聯結至摻合器108。流體流動係藉提供各個泵浦8061－N (集體稱為泵浦806)經由其個別的回收管線804從儲槽引發。儲槽802與其個別泵浦806間的流動聯結係藉配置於回收管線804中的氣動閥8081－N (集體稱為閥門808)的操作所控制。在一具體實施例中，泵浦806係為離心泵浦或例如為氣動隔膜或風箱泵的適當替代品。
在一具體實施例中，過濾器8101－N (集體稱為過濾器810)係配置在每一條回收管線中。可選擇過濾器810以在回收流體導入摻合器108前、先從其中移除碎片。雖未顯示，但過濾器可以每一者皆連結至沖洗系統，該沖洗系統係構形成使沖洗流體(例如為DIW)流經過過濾器、以將過濾器所捕捉的碎片移除並帶走。流進過濾器與摻合器108內的流體可藉提供一或多個流動管理裝置而加以處理(例如為控制及/或監測)。舉例而言，流動管理裝置8121－N 、8141－N 係配置在各個回收管線的過濾器的上游與下游處。例如在示範的具體實施例中，上游裝置8121－N 是氣動閥(集體稱為閥門812)，該等氣動閥係配置在每一個過濾器810的上游。因此，回收流體的流動速率可藉操作氣動閥812而加以控制。再者，下游裝置8141－N 係包括壓力調節器與流量控制閥、以確保導入摻合器108的流體的所欲壓力與流動速率。每一個流動管理裝置可以是在控制器126的控制下(如圖4中所示)。
每一條回收管線804係終結在摻合器108的主要供應管線404上。因此，從各個儲槽所流出的每一個流體可以流進且與流過主要供應管線404的溶液混合。在一具體實施例中，回收流體係從配置成與主要供應管線404一致的混合站(例如為前文中參考圖6所描述的混合器642)的上游處導入。再者，一或多個濃度監測器818可沿著主要供應管線404配置於混合器642的下游處。雖然為了方便只顯示一個濃度監測器，但可以想到的是，可提供濃度監測器給每一個被回收的不同化學藥品，在這個情況下，回收物流可以在用於特定物流的各個濃度監測器的上游適當位置處導入主要供應管線404。以此方式，可以在各個濃度監測器處監測各個化學藥品的濃度。若濃度不是在目標範圍內，則可以操作摻合器108以從各個輸入402處注射進計算數量的適當(數種)化學藥品。所產生的溶液然後係在混合器642處混合、且在濃度監測器818處再一次監測濃度。此方法可以持續，且同時將溶液放流至直到達成所欲的濃度。溶液然後可以流送至適當的使用端。
在某些組態中，在每一個個別處理站中所使用的化學藥品可以總是相同。因此，在一具體實施例中，如圖8B中所示的回收系統800B所說明般，不同的回收管線804可以輸入至適當的使用端供應管線410、412、414。雖未顯示，但濃度監測器可以沿著每一條回收管線進行配置、以監測被輸入至使用端供應管線的回收物流的個別濃度。雖未顯示，但混合區可以沿著使用端供應管線410、412、414進行配置、以將進入的回收物流與來自摻合器108的物流混合。此外，物流的適當混合可以藉在彼此相對180度下、輸送來自摻合器108的物流與各個回收物流而達成。進入物流可以在T型接線聯結下混合，藉此所產生的混合物係以相對於進入物流的流動路徑為90度的角度流向各個使用端。
此外，可以想到的是將每一條回收流體流送至摻合器108內的適當濃度監測器的上游位置處，如同圖8C中顯示的回收系統800C所說明般。例如，來自第一回收管線8041 的稀釋氫氟酸的回收溶液可以在氫氟酸輸入4021 的下游、與構形成監測氫氟酸濃度的第一濃度監測器4061 的上游處輸入。來自第二回收管線8042 的SC－1類型化學藥品的回收溶液可以在氫氧化銨輸入4022 與過氧化氫輸入4023 的下游、與構形成監測SC－1類型溶液成份的第二與第三濃度監測器4062 、406N 的上游處輸入。同樣地，在一具體實施例中，可能藉由從使用度量衡訊號與來自滴定法的分析結果之製程模式所推導之一方程式，區分像是氫氧化銨與過氧化氫的多成份混合物中各種不同成份。進入製程的化學藥品濃度必須知曉；更明確地，流體的濃度必須在分解、NH3 分子的逃逸、或是任何生成鹽類的形成或來自化學處理的副產物發生前先知曉。以此方式，可以觀察到度量衡上的變化，以及可預測在一般來說用於該處理之成份上的變化。
在每一個前述的具體實施例中，回收流體可加以過濾，且對適當的濃度加以監測。不過，在某段時間及/或某些數目的處理循環後，回收流體將不再用於其預期用途。因此，在一具體實施例中，來自儲槽804的溶液只在限定的時間及/或限定的處理循環內回收與重複使用。在一具體實施例中，處理循環係以所處理的晶圓數目來測定。因此，在一特別的具體實施例中，係回收與重複使用用於N個晶圓之用於特定的處理站之特定化學藥品的溶液回收，其中N是某些預定的整數。在N個晶圓已經處理後，溶液將分送至放流。
應該瞭解的是在圖8A－C中顯示的回收系統800A－C僅是一用於示範的具體實施例。熟練該項技藝之人士將可領悟到在本發明範疇內的其他具體實施例。例如，在回收系統800A－C的另一具體實施例中，流體可以另外地從儲槽802引導至像是位於次晶圓製造區內的非機載式回收設備。為此目的，可以在各個回收管線804上配置適當的流動控制裝置(例如為氣動閥)。
真空泵浦次系統
現參考圖9，其係顯示真空泵浦次系統120的一具體實施例。一般而言，可以操作真空泵浦次系統120以收集廢棄流體並從流體中分離氣體以促進廢棄物管理。因此，真空泵浦次系統120係藉真空管線902以與每一個真空儲槽436、438(圖4中所示)與真空儲槽802(圖8中所示)連結。所以，真空管線902可以與圖4中所示的各個真空管線444與446連結。雖未顯示於圖9中，但可以在真空管線902及/或真空儲槽的各個真空管線(例如為圖4中所示的管線444與446)上配置一或多個閥門，藉此可選擇性地將各個儲槽置於真空下。再者，真空計904可以配置在真空管線902上，以測量真空管線902內的壓力。
在一具體實施例中，主動壓力控制系統908係配置在真空管線902中。一般而言，可操作主動壓力控制系統908以維持真空管線902在所欲的壓力下。以此方式控制壓力對確保在各個處理站204(例如圖4中所示者)中所進行的處理的方法控制上可能是理想的。例如，假定在特定的處理站204內所進行的處理需要在真空管線902中維持400陶爾的壓力，則可在PID控制(與控制器126合作)下操作主動壓力控制系統908以維持所欲的壓力。
在一具體實施例中，主動壓力控制系統908係包括壓力傳送器910與壓力調節器912，其係彼此導電聯通。視測量壓力與設定(所欲)壓力間的差異，壓力轉換器910將測量真空管線902內的壓力然後將訊號送至壓力調節器912，、以使壓力調節器912開啟或關閉各個可變孔。
在一具體實施例中，於真空管線902上的真空係藉位於主動壓力控制系統908下游的泵浦所產生。在一特定的具體實施例中，泵浦914是液體環式泵。液體環式泵可能是特別理想的，這是由於其具有可以安全地處理液體、蒸汽與霧氣的湧流與穩定物流的能力。雖然液體環式泵的操作是習知，不過仍將於此提供一簡要的敘述。然而，應該瞭解的是，本發明的該具體實施例並未限制於液體環式泵的特定操作或結構態樣。
一般而言，液體環式泵的操作係藉在偏心套管內自由旋轉葉輪的提供以移除氣體與霧氣。真空泵送作用係藉將通常為水(稱為密封流體)的液體導入泵浦內以完成。在示範的具體實施例中，密封流體係藉儲槽906提供，該儲槽906係經由進料管線913而與泵浦914以流動方式連結。舉例而言，閥門958係配置在進料管線913上、以選擇性地從泵浦914隔離儲槽906。在操作過程中當密封流體進入泵浦時，密封流體將藉旋轉葉輪葉片推動泵浦914套管的內表面、以形成會在泵浦套管的偏心凸輪內膨脹的液體活塞，來藉此產生真空。當氣體或蒸汽(來自該進入物流)在與真空管線902連結的泵浦914吸入接口907處進入泵浦914時，氣體/蒸汽將被葉輪葉片與液體活塞所困住。當葉輪旋轉時，液體/氣體/蒸汽將被轉子與套管間逐漸縮小的空間向內推動，以藉此壓縮被困住的氣體/蒸汽。當葉輪完成其旋轉時，被壓縮的流體係接著經由排放接口909釋放。
泵浦914係在其排放接口909處連結至終止於儲槽906的流體流動管線915。在一具體實施例中，儲槽906係構形成將液體從進入的液－氣物流內的氣體中分離出。為此目的，儲槽906在儲槽906的入口處可包括耐衝板916。當遭遇到耐衝板916時，將藉鈍化作用力的操作而可從進入的流體物流中冷凝出液體。儲槽906亦可以包括除霧器920。除霧器920通常係包括以相對於流過除霧器920的流體的角度(例如為約90度)放置的表面陣列。對除霧器表面的撞擊將造成液體從氣體進一步的冷凝。從進入物流中所冷凝的液體將在儲槽906下方部分的液體儲存區918中取得，而任何殘留的蒸汽將經由排氣管線924加以移除。在一具體實施例中，除氣擋板922係放置於除霧器下方，例如正在耐衝板916下方。除氣擋板922係在液體儲存區918上方延伸、且在一端部處形成開口921。在此組態中，除氣擋板922將允許液體經由開口921進入液體儲存區918、但可防止來自液體的溼氣隨著進入的液－氣物流被再導入。
在一具體實施例中，包含於儲槽906內的密封流體係經熱交換以維持所欲的密封流體溫度。例如在一具體實施例中，需要維持密封流體在低於10℃的溫度下。為此目的，真空泵浦次系統120將包括冷卻迴路950。泵浦937(例如為離心泵)係提供機械推動以使流體流過冷卻迴路950。冷卻迴路950係包括出口管線936以及一對回流管線962、964。第一回流管線962係將出口管線936以流動方式連結至熱交換器954的入口。第二回流管線964則係連結至熱交換器954的出口且終止於儲槽906處，其中冷卻後的密封流體係分送至儲槽906的液體儲存區918內。舉例而言，閥門960係配置在第二回流管線964上，以藉此將冷卻迴路950與儲槽906隔離。以此方式，經溫度控制後的密封流體將使某些蒸汽/霧氣從送入的流體中冷凝出且合併至密封劑泵浦914的液體內。
在一具體實施例中，熱交換器954係與機載式冷卻系統952以流動方式聯結。在一特定之具體實施例中，機載式冷卻系統952是基於氟氯烷的冷卻系統，在該冷卻系統中氟氯烷係流通過熱交換器954。在本文中，"機載式"指冷卻系統953係與熱交換器954進行物理性整合。在另一具體實施例中，冷卻系統953可以是例如為單機式冷卻器的"非機載式"組件。
在操作過程中，密封流體可以在連續或週期的基準下，從儲槽906循環通過冷卻迴路950。當密封流體流過熱交換器954時，流體將被冷卻且然後回送至儲槽906。由熱交換器954所進行的熱交換(亦即密封流體被帶走的溫度)可藉操作冷卻系統952而加以控制。為此目的，一溫度感應器953可放置成與包含於儲槽906的液體儲存區918內的密封流動進行聯結。溫度感應器953所做的測量可以提供給控制器126。控制器126然後可將適當的控制訊號發送至冷卻系統952，藉此使冷卻系統952調整氟氯烷的溫度(或所使用的其他冷卻流體)。亦可以想到的是在液體儲存區918內的密封流體可以藉與儲槽906的周遭環境熱交換而加以部份冷卻。以此方式，密封流體可以維持在所欲的溫度下。
在一具體實施例中，來自冷卻迴路950的冷卻後的密封流體可以從液體環式泵914的上游處注入真空管線902中。因此，真空泵浦次系統120將包括顯示從第二回流管線964分支出的進料管線957。閥門956係配置在進料管線957中，藉此可建立或隔離冷卻迴路950與真空管線902間的流動聯結。當閥門956維持開啟時，一部分冷卻後的密封流體將從冷卻迴路950經由進料管線957以流送至真空管線902。因此，冷卻後的密封流體將進入經由真空管線902以流向液體環式泵914的氣體/液體物流。以此方式，相對低溫的冷卻後的密封流體將造成於進入泵浦914前，從進入的氣體/液體物流中冷凝出某些蒸汽或霧氣。在一具體實施例中，對介於約80℃與約10℃間的進入物流(經由真空管線902來自真空儲槽)溫度來說，冷卻後的密封流體的溫度可以介於約5℃與約10℃間。
在一具體實施例中，真空泵浦次系統120係構形成監測密封流體內的多個成份的濃度。監測化學藥品的濃度以例如保護液體環式泵914的任何(例如為金屬)組件；及/或真空泵浦次系統120的其他組件係是所欲的。為此目的，於圖9中所顯示的系統120係包括配置於冷卻迴路950中的主動化學藥品濃度控制系統940。在示範的具體實施例中，濃度控制系統940係包括與氣動閥944導電聯通的化學藥品監測器942，如藉雙向聯通路徑945所示般。不過應該瞭解的是，氣動閥944可不直接、而是透過控制器126以彼此聯通。在操作過程中，化學藥品監測器942將檢查流過出口管線936的密封流體內的一或多個成份的濃度。若超過化學藥品監測器942的設定點時，化學藥品監測器942(或回應來自化學藥品監測器942訊號的控制器126)將發送訊號給氣動閥944，藉此氣動閥944係開啟對放流管線938的聯通，以允許將至少一部分的密封流體加以放流。在示範的具體實施例中，可將一止回閥939配置於放流管線938中以防止流體的回流。再者，可將背壓調節器946配置在放流管線938中、或是在放流管線的上游位置處。背壓調節器946係確保在冷卻迴路950中可維持足夠的壓力，藉此以允許通過冷卻迴路950的密封流體的連續流動。
在一具體實施例中，儲槽906係選擇性地以流動方式連結至複數個不同放流之其中之一。然後，可根據密封流體的組成(亦即成份或濃度)而選擇複數個放流的特定之一。例如，在密封流體含有溶劑的情況下、密封流體可以引導至第一放流，而在非溶劑的情況下、密封流體則可引導至第二放流。在至少一態樣下，此具體實施例可用來防止沉積物累積於特定的放流管線中，否則其可能會發生在例如當溶劑與非溶劑係經由相同放流以進行處置的情況。因此，可以想到的是密封流體可針對例如為HF、NH3 、HCL或IPA的化學藥品溶液的獨立組成物加以監測。每一個這些化學藥品溶液可以引導至分開的放流(或某些溶液的組合可以引導至分開的放流)。在一具體實施例中，這可藉使用音速感應器以測量儲槽906內的溶液密度變化而加以完成。
當儲槽906放流時(且更常見是在系統120操作過程中的任何時間)，可藉提供主動液位控制系統928以在儲槽906內維持密封流體的足夠液位。在一具體實施例中，主動液位控制系統928可包括配置在輸入管線926上的氣動閥944、以及複數個流體液位感應器9341－2 。流體液位感應器例如可以包括高液位流體感應器9341 與低液位流體感應器9342 。氣動閥944與複數個流體液位感應器9341－2 係如虛線聯絡路徑932所示般經由控制器126而彼此通電聯通。在操作過程中，儲槽906內的流體液位可以充份地下降以啟動低流體液位感應器9342 。在回應時，控制器126將發出控制訊號以使氣動閥930開啟且經由入口管線926以允許第一密封流體來源970(例如為去離子水(DIW)來源)與儲槽906間的聯通。一旦儲槽906內的流體回至介於高與低液位感應器9342 間的液位，氣動閥930將關閉。
除了維持儲槽906內的密封流體的足夠液位外，當儲槽放流時，主動液位控制系統亦可以回應來自高流體液位感應器9342 的訊號以起始放流循環。換句話說，儲槽906內的流體液位係充份地升高以起動高流體液位感應器，感應器然後將發送訊號給控制器126。在回應時，控制器126將發出訊號使氣動閥944開啟且允許密封流體流至放流管線938。
再者，可以想到的是儲槽906可以連結至任何數量的密封流體或添加劑。例如在一具體實施例中，儲槽906係連結至中和劑來源972。可選擇中和劑以經由真空管線902而將來自真空儲槽的進入物流內的數種成份加以中和。在一特定的具體實施例中，中和劑是酸性或鹼性，且能夠分別中和鹼類或酸類。來自中和劑來源972的中和劑可藉在閥門974處將來源972與入口管線926聯結而選擇性地導入儲槽906。可以構形成閥門974以使來源970、972的其一或兩者可以與儲槽906以流動方式聯結放置。
雖然化學藥品管理系統的各種不同具體實施例已在此處加以描述。不過，所揭示的具體實施例僅是用以說明且熟習該項技藝之人士將認知到於本發明範疇內的其他具體實施例。例如，數個前述具體實施例提供有相對於處理器具而為機載或非機載配置的摻合器108；不過在另一具體實施例中，摻合器108可以完全省略。亦即，特定處理所需的特別溶液可以隨時提供可用的濃度，而不需要摻合。在此情況下，特定溶液的來源儲槽可以像是如圖1中所示般連結至輸入流動控制次系統112。
因此，顯而易見的是本發明提供多個額外的具體實施例，其係為熟習該項技藝之人士所認知且其全部都在本發明的範疇內。
100．．．處理系統
102．．．處理室
102A．．．處理室
102B．．．處理室
103．．．化學藥品管理系統
104．．．輸入次系統
106．．．輸出次系統
108．．．摻合器
110．．．汽化器
112．．．輸入流動控制系統
114．．．輸入管線
116．．．輸出流動控制系統
117．．．流體管線
118．．．真空儲槽次系統
120．．．真空泵浦次系統
122．．．輸出管線
124．．．處理站
126．．．控制器
128．．．控制訊號
130．．．輸入訊號
200．．．處理系統
204．．．處理站
206．．．輸入管線組
208．．．放流
210．．．輸出管線組
300．．．處理系統
302．．．前端區域
304．．．轉移室
306．．．轉移機器人
308,310．．．清潔模組
312．．．處理器具
400．．．處理系統
402．．．輸入
404．．．主要供應管線
406．．．化學藥品監測器
408．．．流動控制單元
410,412,414．．．供應管線
416．．．第一容器
418．．．第二容器
420．．．入口
421．．．感應器
422．．．入口
423．．．液位感應器
424,426．．．濃度監測系統
428,430．．．流動控制裝置
432,434．．．流動管理裝置
436．．．第一儲槽
437．．．液位感應器
438．．．第二儲槽
439．．．液位感應器
440,442．．．加壓氣體
444,446．．．真空管線
448．．．回收管線
452．．．放流管線
500．．．摻合器系統
502．．．清潔儲槽
506,508,510．．．供應管線
512,514．．．流動管線
516．．．溢流管線
518．．．放流管線
520．．．閥門
522．．．流動管線
524．．．泵浦
526．．．再循環管線
528．．．濃度監測單元
530．．．流動管線
532．．．三通閥
534．．．(放流)管線
602,604,606．．．止回閥
608,610,612．．．電動閥
614,616．．．三通閥
618．．．壓力調節器
620．．．第一分支管線
621．．．流量控制閥
622．．．第二分支管線
624．．．第三分支管線
626．．．流動管線
628．．．流量控制閥
630．．．第一靜態混合器
632．．．濃度感應器
634．．．流動管線
636．．．H2 O2 流動管線
638．．．流量控制閥
640．．．第二靜態混合器
642．．．流動管線
644．．．濃度感應器
646．．．壓力調節器
648．．．三通閥
650．．．放流管線
652．．．流動管線
654．．．電動閥
700．．．摻合器系統
702．．．充填站
704．．．流動管線
706．．．流動控制單元
708．．．處理器具
710．．．流動控制單元
712．．．過濾器
714．．．第一充填迴路
716．．．容器
717．．．液位感應器
719．．．加壓氣體入口
720．．．第一充填迴路閥
721．．．排放接口
722．．．容器
724．．．充填迴路
726．．．閥門
800A－C．．．回收系統
802．．．儲槽
804．．．回收管線
806．．．泵浦
808．．．氣動閥
810．．．過濾器
812,814．．．流動管理裝置
818．．．濃度監測器
828．．．耐衝板
830．．．除霧器
832．．．液體儲存區
834．．．除氣擋板
836．．．開口
902．．．真空管線
904．．．真空計
906．．．儲槽
907．．．吸入接口
908．．．壓力控制系統
909．．．排放接口
910．．．壓力傳送器
912．．．壓力調節器
913．．．進料管線
914．．．泵浦
915．．．流體流動管線
916．．．耐衝板
918．．．液體儲存區
920．．．除霧器
921．．．開口
922．．．除氣擋板
924．．．排氣管線
926．．．輸入管線
928．．．液位控制系統
930．．．氣動閥
934．．．流體液位感應器
936．．．出口管線
937．．．泵浦
938．．．放流管線
939．．．止回閥
940．．．化學藥品濃度控制系統
942．．．化學藥品監測器
944．．．氣動閥
945．．．雙向聯通路徑
946．．．背壓調節器
950．．．冷卻迴路
952．．．冷卻系統
953．．．溫度感應器
954．．．熱交換器
956．．．閥門
957．．．進料管線
958．．．閥門
962,964．．．回流管線
970．．．(第一密封流體)來源
972．．．中和劑來源
974．．．閥門
為了對本發明的特性與目的有更進一步的瞭解，可參考連同所附圖示之下列詳細描述，而在所附圖示中同類的元件係給予相同或類似的元件符號，且其中：圖1是根據本發明一具體實施例說明機載組件的處理系統的示意圖。
圖2是根據本發明的另一具體實施例說明機載與非機載組件的處理系統的示意圖。
圖3是根據本發明一具體實施例的半導體製造系統的示意圖。
圖4是根據本發明一具體實施例的處理系統的示意圖。
圖5是半導體晶圓清潔系統的示範具體實施例的示意圖，該系統係包括與使用端處理控制摻合器系統連接的清潔浴，該摻合器系統係於清潔處理期間製備清潔溶液且將其輸送至清潔浴。
圖6是圖5的處理控制摻合器系統的示範具體實施例的示意圖。
圖7是根據本發明一具體實施例之具有非機載摻合器的處理系統的示意圖。
圖8A是根據本發明一具體實施例之具有回收系統的處理系統的示意圖。
圖8B是根據本發明一具體實施例的具有回收系統的處理系統的示意圖。
圖8C是根據本發明一具體實施例的具有回收系統的處理系統的示意圖。
圖9是根據本發明一具體實施例的真空泵浦的示意圖。
100．．．處理系統
102A．．．處理室
103．．．化學藥品管理系統
104．．．輸入次系統
106．．．輸出次系統
108．．．摻合器
110．．．汽化器
112．．．輸入流動控制系統
114．．．輸入管線
116．．．輸出流動控制系統
117．．．流體管線
118．．．真空儲槽次系統
120．．．真空泵浦次系統
122．．．輸出管線
124．．．處理站
126．．．控制器
128．．．控制訊號
130．．．控制訊號

Claims (23)

  1. 一種於半導體處理(processing)系統中控制流體的方法，其包括：於摻合器內混合二或多個化合物以產生一溶液；監測該摻合器內的溶液以決定化合物的至少其中之一是否係在預定之濃度內；在決定溶液內的該至少一個化合物係在預定之濃度後、將溶液流送至處理室；將該溶液的至少一部分從該處理室中移除；將該溶液的移除部分回送至該處理室的上游位置處；及監測該溶液的移除部分、以決定在該溶液的移除部分內的化合物的至少其中之一是否係在預定之濃度內；計算使用溶液的移除部分處理之晶圓數目；及若數目超過預定的最大晶圓數，則使用該溶液的移除部分進行分配。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中將該溶液的移除部分回送至該處理室的上游位置處係包含將該溶液的移除部分回送至該摻合器。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含：在決定該溶液的移除部分內的該至少一個化合物係在預定之濃度後、將該溶液的移除部分流送至該處理室。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含：在決定該溶液的移除部分內的該至少一個化合物係未 在預定之濃度後將一或多個流體量加入至該摻合器中、直到在該溶液的移除部分內的該至少一個化合物係在預定之濃度為止。
  5. 如申請專利範圍第4項之方法，其進一步包含：在將一或多個流體量加入至該摻合器中且決定在該溶液的移除部分內的該至少一個化合物係在預定之濃度後，將該溶液的移除部分流送至該處理室；其中該溶液的移除部分係在決定該溶液的移除部分內的該至少一個化合物係在預定之濃度之前避免流送至該處理室。
  6. 一種在半導體處理系統內控制流體的方法，其含有監測在摻合器內混合的第一溶液、以決定該第一溶液的化合物的至少其中之一是否係在預定之濃度內；在決定該第一溶液內的該至少一個化合物係在預定之濃度後，將該第一溶液從該摻合器流送至與第一處理相關的第一目的地；監測於摻合器中混合的第二溶液、以決定該第二溶液的化合物的至少其中之一是否係在預定之濃度內；在決定該第二溶液內的該至少一個化合物係在預定之濃度後，將該第二溶液從該摻合器流送至與第二處理相關的第二目的地；在於第一處理中使用後、將該第一溶液的一部分回送至該第一目的地的上游位置處；監測在該摻合器內的該第一溶液的移除部分、以決定在該溶液的移除部分中的化合物的至少其中之一是否係在 預定之濃度內；且將該第一溶液的移除部分從該摻合器流送至該第一目的地。
  7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中將該第一溶液的一部分回送至該第一目的地的上游位置處係包含將該第一溶液的一部分回送至該摻合器。
  8. 如申請專利範圍第6項之方法，其進一步包含：在決定該第一溶液移除部分內的該至少一個化合物係未在預定之濃度後、將一或多個流體量加入至該摻合器中、直到在該第一溶液移除部分內的該至少一個化合物係在預定之濃度為止。
  9. 如申請專利範圍第6項之方法，其進一步包含在決定該第一溶液移除部分內的該至少一個化合物係未在預定之濃度後：將一或多個流體量加入至該摻合器中、直到在該第一溶液移除部分內的該至少一個化合物係在預定之濃度為止；且然後將該第一溶液的移除部分流送至該處理室；其中該溶液的移除部分係在決定該溶液的移除部分內的該至少一個化合物係在預定之濃度前避免被流送至該處理室。
  10. 一種用於化學藥品管理的系統，其含有：用於混合化合物以產生溶液的化學藥品摻合器；被建構成監測該摻合器內的該溶液且決定化合物的至少其中之一是否係在預定濃度內的第一化學藥品監測器； 被建構成在藉由化學藥品監測器所測量而決定該溶液內的該至少一個化合物係在預定之濃度後、將該溶液流送至半導體處理室的控制器；與該處理室的出口流體聯通且與該處理室的上游位置處連結的回收再製管線，藉此在使用後從該處理室中所移除的至少一部分溶液係回送至該處理室的上游位置處；以及被建構成在其重新導入該處理室前、監測溶液的回送部分且決定在該溶液回送部分內的化合物的至少其中之一是否係在預定濃度內的第二化學藥品監測器；其中該控制器被建構成在藉由第二濃度監測器所測量而決定該溶液回送部分內的該至少一個化合物係在預定之濃度後、將該溶液的回送部分流送至該處理室。
  11. 如申請專利範圍第10項之系統，其進一步包含含有連結至該處理室出口的入口與連結至該回收再製管線的出口的回收再製儲槽。
  12. 如申請專利範圍第10項之系統，其中該第一與第二監測器是相同的。
  13. 如申請專利範圍第10項之系統，其中該化學藥品摻合器係含有：(a)至少二個入口，每一個入口係用於接收個別的化合物；(b)用於混合化合物以產生溶液的至少一個混合站；以及 (c)位於該至少一個混合站下游的第一濃度監測器。
  14. 如申請專利範圍第10項之系統，其中該上游位置處是進入該化學藥品摻合器的入口。
  15. 如申請專利範圍第10項之系統，其中該控制器被建構成將一或多個流體量加入至該摻合器中、直到在該溶液回送部分內的該至少一個化合物係在預定之濃度為止。
  16. 如申請專利範圍第15項之系統，其中該控制器被建構成在將一或多個流體量加入至該摻合器後且於決定該溶液回送部分係在預定之濃度前、避免將該溶液的回送部分流送至該處理室。
  17. 一種用於化學藥品管理的系統，其含有：用於混合化合物以產生第一溶液與第二溶液的化學藥品摻合器；與化學藥品摻合器流體聯通以接受該第一溶液的半導體處理器具的第一處理站；與化學藥品摻合器流體聯通以接受該第二溶液的半導體處理器具的第二處理站；與該第一與第二處理站的各個下游位置處流體聯通、以從該第一與第二處理站接受使用過的溶液的回收再製管線；其中該回收再製管線係與該第一與第二處理站的各個上游位置連結，藉此至少一部分在該第一與第二處理站內使用過的溶液係回送至該第一與第二處理站的各個上游位置處，以在該第一與第二處理站內重複使用；一濃度監測與控制系統，其被建構成： 監測來自該第一處理站的溶液的第一回送部分；監測來自該第二處理站的溶液的第二回送部分；以及在回送至該各個處理站以重複使用前、決定在溶液的該各個回送部分內的各個化合物是否係在預定之濃度內。
  18. 如申請專利範圍第17項之系統，其中該濃度監測與控制系統係含有一或多個化學藥品濃度監測器，其被建構成：監測在該摻合器內的該第一溶液且決定該第一溶液內的至少一個化合物是否係在預定之濃度內；且監測在該摻合器內的該第二溶液且決定該第二溶液內的至少一個化合物是否係在預定之濃度內。
  19. 如申請專利範圍第18項之系統，其中該濃度監測與控制系統係含有分開個別的監測器以監測該摻合器內的該第一溶液、該摻合器內的該第二溶液、該溶液的第一回送部分與該溶液的第二回送部分。
  20. 如申請專利範圍第17項之系統，其進一步包含可操作以選擇性地使該摻合器與該第一和第二處理站的其中之一流體聯通的流動控制單元。
  21. 如申請專利範圍第17項之系統，其中該濃度監測與控制系統被建構成當各個化合物是在預定之濃度時、將該溶液的第一與第二回送部分流送至各個處理站。
  22. 如申請專利範圍第17項之系統，其中該濃度監測與控制系統係含有：被建構成監測該摻合器內的該第一溶液且決定該第一 溶液內的至少一個化合物是否係在預定濃度內的第一化學藥品濃度監測器；與被建構成監測該摻合器內的該第二溶液且決定該第二溶液內的至少一個化合物是否係在預定濃度內的第二化學藥品濃度監測器；其中該濃度監測與控制系統被建構成：在藉該第一濃度監測器所測定以決定該第一溶液內的該至少一個化合物已在預定濃度內後、將該第一溶液從該摻合器流送至該第一處理站；且在藉該第二濃度監測器所測定以決定該第二溶液內的該至少一個化合物已在預定濃度內後、將該第二溶液從該摻合器流送至該第二處理站。
  23. 如申請專利範圍第17項之系統，其進一步包含供應管線系統，其含有：用於流送來自化學藥品摻合器的該第一與第二溶液的主要供應管線；形成從主要供應管線至該第一處理站的流體路徑的至少一部分的第一補助供應管線；形成從主要供應管線至該第二處理站的流體路徑的至少一部分的第二補助供應管線；以及可操作以選擇性地將主要供應管線與該第一和第二補助供應管線的其中之一連結的流動控制單元。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11518696B2 (en) 2018-08-29 2022-12-06 Mks Instruments Ozonated water delivery system and method of use

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7980753B2 (en) 1998-04-16 2011-07-19 Air Liquide Electronics U.S. Lp Systems and methods for managing fluids in a processing environment using a liquid ring pump and reclamation system
US7871249B2 (en) * 1998-04-16 2011-01-18 Air Liquide Electronics U.S. Lp Systems and methods for managing fluids using a liquid ring pump
US20070109912A1 (en) * 2005-04-15 2007-05-17 Urquhart Karl J Liquid ring pumping and reclamation systems in a processing environment
CN100392316C (zh) * 2006-03-27 2008-06-04 博奥生物有限公司 控制液体在微管路中连续流动的流路结构
US8235580B2 (en) 2006-10-12 2012-08-07 Air Liquide Electronics U.S. Lp Reclaim function for semiconductor processing systems
FI120544B (fi) * 2007-12-13 2009-11-30 Optogan Oy HVPE-reaktorijärjestely
US9387428B2 (en) * 2008-02-05 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for treating flammable effluent gases from manufacturing processes
WO2009100163A1 (en) * 2008-02-05 2009-08-13 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for operating an electronic device manufacturing system
TW201121874A (en) * 2009-12-23 2011-07-01 Zuo-Song Hong Ditribution control method capable of configuring chemical valve box.
KR101344915B1 (ko) * 2011-10-31 2013-12-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 약액 재생 방법
CN103345274A (zh) * 2013-06-28 2013-10-09 桑德环境资源股份有限公司 一种有毒有害气体浓度检测方法
WO2016182648A1 (en) * 2015-05-08 2016-11-17 Applied Materials, Inc. Method for controlling a processing system
TW201713751A (zh) * 2015-10-06 2017-04-16 聯華電子股份有限公司 酸槽補酸系統與方法
US20160296902A1 (en) 2016-06-17 2016-10-13 Air Liquide Electronics U.S. Lp Deterministic feedback blender
TWI614487B (zh) * 2016-10-06 2018-02-11 崑山科技大學 流體排放管道之污染源監控裝置及監控方法
US10410936B2 (en) 2017-05-19 2019-09-10 Illinois Tool Works Inc. Methods and apparatuses for effluent monitoring for brush conditioning
GB2571968B (en) * 2018-03-14 2020-09-16 Edwards Tech Vacuum Engineering (Qingdao) Co Ltd Liquid ring pump control
JP7163199B2 (ja) * 2019-01-08 2022-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP7281285B2 (ja) * 2019-01-28 2023-05-25 株式会社堀場エステック 濃度制御装置、及び、ゼロ点調整方法、濃度制御装置用プログラム
CN113053781A (zh) 2019-12-27 2021-06-29 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体制程的系统和方法
US11586230B2 (en) * 2019-12-27 2023-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for automatic concentration control
WO2022046434A1 (en) * 2020-08-27 2022-03-03 Signode Industrial Group Llc System and method for applying a wax coating to a workpiece during a strap-manufacturing process
US11609505B2 (en) * 2021-04-05 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for verification and re-use of process fluids

Family Cites Families (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1522120A (en) * 1924-04-15 1925-01-06 Fred W Halder Hot and cold water mixer
US2152956A (en) * 1937-01-07 1939-04-04 Etzkorn Rudolf Mixing system
US2513562A (en) * 1942-06-06 1950-07-04 Colgate Palmolive Peet Co Method and apparatus for thermally regulating gravimetric flow of liquids
US2673785A (en) * 1951-04-23 1954-03-30 Du Pont Removing carbon bisulfide from viscose fiber with a liquid seal vacuum pump
US2979066A (en) * 1956-09-17 1961-04-11 Proctor Silex Corp Color control of liquids
US3109631A (en) * 1961-04-03 1963-11-05 Continental Elektro Ind Ag Device for mixing fluids flowing through conduits
US3248233A (en) * 1964-06-02 1966-04-26 Coca Cola Co Essence recovery
US3366061A (en) * 1965-07-09 1968-01-30 Nash Engineering Co Device for pumping liquid and gas
US3315879A (en) * 1966-04-22 1967-04-25 Irving C Jennings Evacuation system
US3402729A (en) * 1967-08-04 1968-09-24 Texaco Inc Consistometer
FR1555966A (zh) * 1968-02-12 1969-01-31
US3642384A (en) * 1969-11-19 1972-02-15 Henry Huse Multistage vacuum pumping system
DE2242626B2 (de) * 1972-08-30 1977-06-23 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verfahren zum eindampfen phosgenhaltiger loesungen
US3897935A (en) * 1972-11-13 1975-08-05 Eastman Kodak Co Apparatus for the preparation of a photographic emulsion
US3877682A (en) * 1974-03-08 1975-04-15 Mosstype Corp Automatic chemical measuring and mixing machine
US4132585A (en) * 1975-09-17 1979-01-02 Oxford Keith E Method of automatically monitoring and regenerating an etchant
US4251627A (en) * 1978-05-30 1981-02-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Jet mixing in preparation of monodisperse silver halide emulsions
US4388864A (en) * 1978-12-11 1983-06-21 Warner "Autolitho" Corporation Lithographic dampening system
US4299501A (en) * 1979-08-10 1981-11-10 Ortho Pharmaceutical Corporation Continuous process for the preparation of semisolid dispersions
US4315717A (en) * 1979-11-19 1982-02-16 The Nash Engineering Company Evacuation system with precondenser
US4359313A (en) * 1980-03-10 1982-11-16 The Nash Engineering Company Liquid ring pump seal liquid chiller system
JPS5767938A (en) * 1980-10-16 1982-04-24 Canon Inc Production of photoconductive member
US4398996A (en) * 1981-06-19 1983-08-16 Albany International Corp. Vacuum control system and method for dewatering fabrics
US4403866A (en) * 1982-05-07 1983-09-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for making paints
DE3219680A1 (de) * 1982-05-21 1983-11-24 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Waermepumpenanlage
US4971660A (en) * 1983-10-07 1990-11-20 Rivers Jr Jacob B Method for dynamically refining and deodorizing fats and oils by distillation
JPS60161724A (ja) * 1984-02-01 1985-08-23 Toshiba Corp 混合制御装置
DE3420144A1 (de) * 1984-05-30 1985-12-05 Loewe Pumpenfabrik GmbH, 2120 Lüneburg Regelungs- und steuerungssystem, insbes. fuer wassering-vakuumpumpen
CN1005642B (zh) * 1984-12-07 1989-11-01 西门子公司 真空设备
GB8521968D0 (en) * 1985-09-04 1985-10-09 British Petroleum Co Plc Preparation of emulsions
US5372421A (en) * 1986-06-05 1994-12-13 Pardikes; Dennis Method of inverting, mixing, and activating polymers
US4712921A (en) * 1986-10-24 1987-12-15 Hikoroku Sugiura Mixer for continuously mixing fluids
US4844620A (en) * 1986-11-24 1989-07-04 Petrolite Corporation System for producing high-internal-phase-ratio emulsion products on a continuous basis
US4823967A (en) * 1987-06-10 1989-04-25 Tri-Tech Systems International Inc. Closure for container and method for forming the closure
CH674319A5 (zh) * 1988-03-22 1990-05-31 Miteco Ag
US5157332A (en) * 1989-10-13 1992-10-20 The Foxboro Company Three-toroid electrodeless conductivity cell
US5127926A (en) * 1991-05-06 1992-07-07 Membrane Technology & Research, Inc. Membrane process for treating pump exhausts
DE4123047A1 (de) * 1991-07-12 1993-01-14 Kronseder Maschf Krones Verfahren und vorrichtung zum mischen von getraenkekomponenten
DE4135648C1 (en) * 1991-10-29 1993-05-13 Erich Netzsch Gmbh & Co Holding Kg, 8672 Selb, De Mixing powdered solid into liq. phase e.g. for paint mfr.
US5980836A (en) * 1992-05-26 1999-11-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Apparatus for preparing low-concentration polyaluminosilicate microgels
JP3074366B2 (ja) * 1993-02-22 2000-08-07 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5407526A (en) * 1993-06-30 1995-04-18 Intel Corporation Chemical mechanical polishing slurry delivery and mixing system
US5409310A (en) * 1993-09-30 1995-04-25 Semitool, Inc. Semiconductor processor liquid spray system with additive blending
EP0646409B1 (en) * 1993-10-04 1999-12-08 General Electric Company System for controlling the color of compounded polymer(s) using in-process color measurements
US5785820A (en) * 1994-01-07 1998-07-28 Startec Ventures, Inc. On-site manufacture of ultra-high-purity hydrofluoric acid for semiconductor processing
US5496778A (en) * 1994-01-07 1996-03-05 Startec Ventures, Inc. Point-of-use ammonia purification for electronic component manufacture
US5846387A (en) * 1994-01-07 1998-12-08 Air Liquide Electronics Chemicals & Services, Inc. On-site manufacture of ultra-high-purity hydrochloric acid for semiconductor processing
US5722442A (en) * 1994-01-07 1998-03-03 Startec Ventures, Inc. On-site generation of ultra-high-purity buffered-HF for semiconductor processing
US5549820A (en) * 1994-03-04 1996-08-27 Eastman Kodak Company Apparatus for removing a component from solution
US5622682A (en) * 1994-04-06 1997-04-22 Atmi Ecosys Corporation Method for concentration and recovery of halocarbons from effluent gas streams
US5469705A (en) * 1994-08-22 1995-11-28 The Nash Engineering Company Heat recovery in a liquid ring pump seal liquid chiller system
US5522660A (en) * 1994-12-14 1996-06-04 Fsi International, Inc. Apparatus for blending and controlling the concentration of a liquid chemical in a diluent liquid
US5924794A (en) * 1995-02-21 1999-07-20 Fsi International, Inc. Chemical blending system with titrator control
US6050283A (en) * 1995-07-07 2000-04-18 Air Liquide America Corporation System and method for on-site mixing of ultra-high-purity chemicals for semiconductor processing
JPH0933538A (ja) * 1995-07-19 1997-02-07 Toa Medical Electronics Co Ltd 試薬調製装置およびその方法
DE59507965D1 (de) * 1995-10-05 2000-04-13 Sulzer Chemtech Ag Winterthur Mischeinrichtung zum Mischen eines niedrigviskosen Fluids in ein hochviskoses Fluid
US5632960A (en) * 1995-11-07 1997-05-27 Applied Chemical Solutions, Inc. Two-stage chemical mixing system
JP3442604B2 (ja) * 1996-02-15 2003-09-02 株式会社フジキン 混合ガスの供給方法及び混合ガス供給装置並びにこれらを備えた半導体製造装置
FR2761902B1 (fr) * 1997-04-11 1999-05-14 Labeille Sa Systeme de dilution de produits chimiques ultra-purs destine a l'industrie micro-electronique
FR2761896B1 (fr) * 1997-04-11 1999-05-14 Labeille Sa Procede et dispositif pour la realisation de produits chimiques de haute purete pour l'industrie micro-electronique
JPH1126423A (ja) * 1997-07-09 1999-01-29 Sugai:Kk 半導体ウエハ等の処理方法並びにその処理装置
KR100290703B1 (ko) * 1997-08-26 2001-06-01 윤종용 정량공급조건을갖는반도체웨이퍼세정방법
US6113769A (en) * 1997-11-21 2000-09-05 International Business Machines Corporation Apparatus to monitor and add plating solution of plating baths and controlling quality of deposited metal
JP3075350B2 (ja) * 1997-12-03 2000-08-14 日本電気株式会社 薬液処理方法および薬液処理装置
US5990014A (en) * 1998-01-07 1999-11-23 Memc Electronic Materials, Inc. In situ wafer cleaning process
US6224778B1 (en) * 1998-03-18 2001-05-01 Charles T. Peltzer Method for manufacturing a system for mixing fluids
US6799883B1 (en) * 1999-12-20 2004-10-05 Air Liquide America L.P. Method for continuously blending chemical solutions
US7980753B2 (en) * 1998-04-16 2011-07-19 Air Liquide Electronics U.S. Lp Systems and methods for managing fluids in a processing environment using a liquid ring pump and reclamation system
US7871249B2 (en) * 1998-04-16 2011-01-18 Air Liquide Electronics U.S. Lp Systems and methods for managing fluids using a liquid ring pump
US7344297B2 (en) * 1998-04-16 2008-03-18 Air Liquide Electronics U.S. Lp Method and apparatus for asynchronous blending and supply of chemical solutions
US6432214B2 (en) * 1998-07-10 2002-08-13 Semitool, Inc. Cleaning apparatus
US6247838B1 (en) * 1998-11-24 2001-06-19 The Boc Group, Inc. Method for producing a liquid mixture having a predetermined concentration of a specified component
US6464799B1 (en) * 1999-06-01 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Method for managing a fluid level associated with a substrate processing tank
US6120175A (en) * 1999-07-14 2000-09-19 The Porter Company/Mechanical Contractors Apparatus and method for controlled chemical blending
US6227222B1 (en) * 2000-01-05 2001-05-08 Fluid Compressor Corp. Closed oil liquid ring gas compression system with a suction injection port
US7905653B2 (en) * 2001-07-31 2011-03-15 Mega Fluid Systems, Inc. Method and apparatus for blending process materials
DE60123254T2 (de) * 2000-07-31 2007-09-06 Kinetics Chempure Systems, Inc., Tempe Verfahren und vorrichtung zum mischen von prozessmaterialien
TWI298423B (en) * 2001-02-06 2008-07-01 Nagase & Co Ltd Developer producing equipment and method
TWI298826B (en) * 2001-02-06 2008-07-11 Hirama Lab Co Ltd Purified developer producing equipment and method
TWI224824B (en) * 2001-03-06 2004-12-01 Mosel Vitelic Inc Method of increasing cleaning-water recycling rate of chemical cleaning platen in semiconductor manufacture process
US6917424B2 (en) * 2001-03-19 2005-07-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for manufacturing pigment dispersions
US6766818B2 (en) * 2001-04-06 2004-07-27 Akrion, Llc Chemical concentration control device
US6584989B2 (en) * 2001-04-17 2003-07-01 International Business Machines Corporation Apparatus and method for wet cleaning
FI109926B (fi) * 2001-04-20 2002-10-31 Valmet Raisio Oy Menetelmä ja järjestelmä päällystereseptin hallinnassa
KR20050044456A (ko) * 2001-11-13 2005-05-12 에프 에스 아이 인터내셔날,인코포레이티드 침수 처리용 개량된 처리 제어
JP4456308B2 (ja) * 2001-12-05 2010-04-28 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 薬液供給装置
FR2833365B1 (fr) * 2001-12-10 2004-05-14 Air Liquide Procede de regulation du titre d'une solution, dispositif de commande de cette regulation et systeme comportant un tel dispositif
US20040125688A1 (en) * 2002-12-30 2004-07-01 Kelley Milton I. Closed automatic fluid mixing system
WO2006010121A2 (en) * 2004-07-09 2006-01-26 Entegris, Inc. Closed-loop delivery system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11518696B2 (en) 2018-08-29 2022-12-06 Mks Instruments Ozonated water delivery system and method of use

Also Published As

Publication number Publication date
TW200818303A (en) 2008-04-16
WO2007135502A1 (en) 2007-11-29
US20070119816A1 (en) 2007-05-31

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