CN1382626A - 一种合成纳米硅线阵列的方法 - Google Patents
一种合成纳米硅线阵列的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1382626A CN1382626A CN 02104179 CN02104179A CN1382626A CN 1382626 A CN1382626 A CN 1382626A CN 02104179 CN02104179 CN 02104179 CN 02104179 A CN02104179 A CN 02104179A CN 1382626 A CN1382626 A CN 1382626A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- still
- linear carbon
- preparation
- carbon array
- nano linear
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 title claims abstract description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 26
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title claims description 26
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 40
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 29
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 24
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical compound [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 13
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 13
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 13
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 22
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 229960000935 dehydrated alcohol Drugs 0.000 description 11
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 11
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 11
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
一种纳米硅线阵列的合成方法,涉及一种纳米材料的制备方法,属于纳米材料的制备与应用技术领域。本发明的特征是将单晶硅片置入盛有(0.2-15)mol/L氢氟酸和(0.005-0.10)mol/L硝酸银反应溶液的水热釜中,然后在30-80℃密闭的釜中处理30-150分钟,即可直接在硅片上合成大面积纳米硅线阵列。本制备方法中也可加入(0.02-0.10)mol/L硝酸镍。本制备方法中加入氢氟酸和硝酸银,其作用是为了产生纳米硅线,硝酸镍则对纳米硅线阵列起改善作用。用本方法合成大面积纳米硅线阵列,制备条件简单,不需要高温,不需要复杂设备,制备成本低。本发明制备的的纳米硅线阵列可应用于微电子行业。
Description
技术领域
本发明涉及一种纳米材料的制备方法,尤其涉及一种纳米硅线阵列的合成方法,属于纳米材料的制备与应用技术领域。
背景技术
准一维纳米材料由于其奇特的结构与物理性能,不仅为基础物理研究提供了可贵的研究对象,也预示着巨大的应用前景和经济利益,必将给传统的材料,微电子等领域带来革命性的改变。由于硅材料在传统微电子行业的重要地位,硅基纳米结构的材料受到了极大的关注。目前的纳米硅线制备方法主要有:化学气相沉积法(CVD)[参见:Westwater,J.,Gosain,D.P.,Tomiya,S.,Usui,S.& Ruda,H.Growth of silicon nanowires via gold/silanevapor-liquid-solid reaction.J.Vac.Sci.Technol.B.15,554-557(1997)],脉冲激光烧蚀法(Laser ablation)[参见:Morales,A.M.& Lieber,C.M.A laser ablationmethod for the synthesis of crystalline semiconductor nanowires.Science 279,208-211(1998)],物理蒸发法(Physical evaporation)[参见:Yu,D.P.et al.Nanoscale siliconwires synthesized using simple physical evaporation.Applied Physics Letters 72,3458-3460(1998)]等。纳米硅线阵列的合成主要有化学气相沉积催化剂辅助模板法,即首先在多孔介质模板的孔里沉积金属催化剂(金等),然后进行化学气相沉积,在模板上形成纳米硅线阵列[参见:Xin-Yi Zhang,Li-De Zhang,Guo-Wen Meng et al.,Advanced MaterialsV13,1238-1241(2001)].这种方法比较复杂,而且模板并不一定与其内部的纳米结构形成良好的导电接触,这对纳米阵列的应用是不利的。另外,由于生长机制的限制,这些制备纳米硅线和硅线阵列的方法通常需要相当高的温度和一些复杂的设备,硅线的生长衬底需要特殊处理,从而造成较高的生产成本。如专利00117242.5中的硅线生长温度高达1600-2000℃[参见:中国专利00117242.5,公开号1277152,公开日期2000.12.20]。但从生长机制解决这些问题有相当大的难度,因为新的生长机制是很难凭空想象出来的。所以目前的研究工作还是基于原有的方法进行一些改进,这并不能从根本上解决以上所提到的缺陷。
发明内容
本发明的目的是提供一种制备工艺和设备简单、成本低、低温合成纳米硅线阵列的方法。
本发明提出的一种合成纳米硅线阵列的方法,其特征在于:该方法是将单晶硅片置入氢氟酸和硝酸银配制的反应溶液中在密闭的反应釜中直接合成纳米硅线,其制备方法依次包括以下步骤:
(1)配制反应溶液,溶液由(0.2-15)mol/L氢氟酸和(0.005-0.10)mol/L硝酸银组成;
(2)将经过清洗液超声清洗过的硅片浸入盛有上述配制的反应溶液的水热釜中,封釜,装满度为60-90%;
(3)将上述水热釜放入烘箱,在30-80℃处理30-150分钟;
(4)取出釜并待釜冷却后,取出硅片,经去离子水清洗后,自然晾干,即为本发明的纳米硅线阵列。
在本制备方法中,步骤(1)也可加入(0.02-0.10)mol/L硝酸镍。
利用本发明的方法合成纳米硅线阵列,其生长机制明显与现有的硅线生长机制不同,制备条件简单,不需要高温,不需要复杂设备,因而大大降低了制备的成本。
附图说明
图1为本发明实施例的样品表面的硅线阵列扫描电镜微结构图。
图2为本发明实施例的纳米硅线透射电镜微结构图。
图3为为本发明实施例的样品表面大面积硅线阵列的典型扫描电镜显微图。
具体实施方式
下面为采用本发明的制备方法合成的纳米硅线阵列实施例。
本制备方法采用了新的纳米硅线生长机制,在30-80℃的水溶液中,在简单清洗过的单晶硅片衬底上直接一步合成出了大面积纳米硅线阵列。另外,本制备方法中加入了氢氟酸和硝酸银,其作用是为了产生纳米硅线,硝酸镍则对纳米硅线阵列起到了改善作用。
实施例1:
首先将配制含有5mol/l氢氟酸,0.02mol/l硝酸银和0.08mol/l硝酸镍的反应溶液装入水热釜中,装满度为80%;然后把经过无水乙醇,氢氟酸和去离子水超声清洗过的单晶硅片放入釜中;在50℃处理60分钟,取出釜并待釜冷却后,开釜取出硅片,剥除其表面的包覆物;将硅片经去离子水3-4次浸泡清洗,自然晾干,即得纳米硅线阵列。
实施例2:
首先将配制含有5mol/l氢氟酸,0.10mol/l硝酸银和0.06mol/l硝酸镍的反应溶液装入水热釜中,装满度为80%;然后把经过无水乙醇,氢氟酸和去离子水超声清洗过的单晶硅片放入釜中;在50℃处理60分钟,,取出釜并待釜冷却后,开釜取出硅片,剥除其表面的包覆物;将硅片经去离子水3-4次浸泡清洗,自然晾干,即得纳米硅线阵列。
实施例3:
首先将配制含有5mol/l氢氟酸和0.01mol/l硝酸银的反应溶液装入水热釜中,装满度为80%;然后把经过无水乙醇,氢氟酸和去离子水超声清洗过的单晶硅片放入釜中;在50℃处理60分钟,取出釜并待釜冷却后,开釜取出硅片,剥除其表面的包覆物;将硅片经去离子水3-4次浸泡清洗,自然晾干,即得纳米硅线阵列。
实施例4:
首先将配制含有5mol/l氢氟酸,0.01mol/l硝酸银和0.04mol/l硝酸镍的反应溶液装入水热釜中,装满度为90%;然后把经过无水乙醇,氢氟酸和去离子水超声清洗过的单晶硅片放入釜中;在30℃处理60分钟,取出釜并待釜冷却后,开釜取出硅片,剥除其表面的包覆物;将硅片经去离子水3-4次浸泡清洗,自然晾干,即得纳米硅线阵列。
实施例5:
首先将配制含有5mol/l氢氟酸,0.02mol/l硝酸银和0.08mol/l硝酸镍的反应溶液装入水热釜中,装满度为80%;然后把经过无水乙醇,氢氟酸和去离子水超声清洗过的单晶硅片放入釜中;在50℃处理150分钟,取出釜并待釜冷却后,开釜取出硅片,剥除其表面的包覆物;将硅片经去离子水3-4次浸泡清洗,自然晾干,即得纳米硅线阵列。
实施例6:
首先将配制含有5mol/l氢氟酸,0.02mol/l硝酸银和0.08mol/l硝酸镍的反应溶液装入水热釜中,装满度为80%;然后把经过无水乙醇,氢氟酸和去离子水超声清洗过的单晶硅片放入釜中;在50℃处理30分钟,取出釜并待釜冷却后,开釜取出硅片,剥除其表面的包覆物;将硅片经去离子水3-4次浸泡清洗,自然晾干,即得纳米硅线阵列。
实施例7:
首先将配制含有5mol/l氢氟酸,0.02mol/l硝酸银和0.08mol/l硝酸镍的反应溶液装入水热釜中,装满度为80%;然后把经过无水乙醇,氢氟酸和去离子水超声清洗过的单晶硅片放入釜中;在80℃处理60分钟,取出釜并待釜冷却后,开釜取出硅片,剥除其表面的包覆物;将硅片经去离子水3-4次浸泡清洗,自然晾干,即得纳米硅线阵列。
实施例8:
首先将配制含有10mol/l氢氟酸,0.01mol/l硝酸银和0.04mol/l硝酸镍的反应溶液装入水热釜中,装满度为60%;然后把经过无水乙醇,氢氟酸和去离子水超声清洗过的单晶硅片放入釜中;在50℃处理60分钟,取出釜并待釜冷却后,开釜取出硅片,剥除其表面的包覆物;将硅片经去离子水3-4次浸泡清洗,自然晾干,即得纳米硅线阵列。
实施例9:
首先将配制含有10mol/l氢氟酸和0.5mol/l硝酸银的反应溶液装入水热釜中,装满度为60%;然后把经过无水乙醇,氢氟酸和去离子水超声清洗过的单晶硅片放入釜中;在50℃处理30分钟,取出釜并待釜冷却后,开釜取出硅片,剥除其表面的包覆物;将硅片经去离子水3-4次浸泡清洗,自然晾干,即得纳米硅线阵列。
实施例10:
首先将配制含有15mol/l氢氟酸,0.02mol/l硝酸银和0.08mol/l硝酸镍的反应溶液装入水热釜中,装满度为60%;然后把经过无水乙醇,氢氟酸和去离子水超声清洗过的单晶硅片放入釜中;在50℃处理60分钟,取出釜并待釜冷却后,开釜取出硅片,剥除其表面的包覆物;将硅片经去离子水3-4次浸泡清洗,自然晾干,即得纳米硅线阵列。
实施例11:
首先将配制含有5mol/l氢氟酸,1.0mol/l硝酸银和0.10mol/l硝酸镍的反应溶液装入水热釜中,装满度为80%;然后把经过无水乙醇,氢氟酸和去离子水超声清洗过的单晶硅片放入釜中;在50℃处理30分钟,取出釜并待釜冷却后,开釜取出硅片,剥除其表面的包覆物;将硅片经去离子水3-4次浸泡清洗,自然晾干,即得纳米硅线阵列。
Claims (2)
1、一种合成纳米硅线阵列的方法,其特征在于:该方法是将单晶硅片置入氢氟酸和硝酸银配制的反应溶液中在密闭的反应釜中直接合成纳米硅线阵列,其制备方法依次包括以下步骤:
(1)配制反应溶液,溶液由(0.2-15)mol/L氢氟酸和(0.005-0.10)mol/L硝酸银组成;
(2)将经过清洗液超声清洗过的硅片浸入盛有上述配制的反应溶液的水热釜中,封釜,装满度为60-90%;
(3)将上述水热釜放入烘箱,在30-80℃处理30-150分钟;
(4)取出釜并待釜冷却后,取出硅片,经去离子水清洗后,自然晾干,即为本发明的纳米硅线阵列。
2、按照权利要求1所述的一种合成纳米硅线阵列的方法,其特征在于:步骤(1)也可加入(0.02-0.10)mol/L硝酸镍。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB021041792A CN1150128C (zh) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | 一种合成纳米硅线阵列的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB021041792A CN1150128C (zh) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | 一种合成纳米硅线阵列的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1382626A true CN1382626A (zh) | 2002-12-04 |
CN1150128C CN1150128C (zh) | 2004-05-19 |
Family
ID=4740023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB021041792A Expired - Fee Related CN1150128C (zh) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | 一种合成纳米硅线阵列的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1150128C (zh) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1312034C (zh) * | 2005-05-20 | 2007-04-25 | 清华大学 | 单一轴向排布的单晶硅纳米线阵列制备方法 |
CN1322548C (zh) * | 2005-05-27 | 2007-06-20 | 清华大学 | 硅和硅锗量子点阵列的制备方法 |
CN100347082C (zh) * | 2003-05-19 | 2007-11-07 | 清华大学 | 大面积p-n结纳米硅线阵列及其制备方法 |
CN100375235C (zh) * | 2005-01-18 | 2008-03-12 | 中国科学院半导体研究所 | 大面积制备二氧化硅或者硅纳米线的控制生长方法 |
CN100386881C (zh) * | 2005-11-25 | 2008-05-07 | 清华大学 | 一种硅基cmos射频集成电路衬底及其制造方法 |
CN101845661A (zh) * | 2010-05-19 | 2010-09-29 | 中国科学院理化技术研究所 | 表面具有超疏水性纳米硅线阵列的单晶硅片及其制备方法 |
CN101973517A (zh) * | 2010-10-21 | 2011-02-16 | 东华大学 | 一种低掺杂多孔硅纳米线阵列的制备方法 |
CN102130186A (zh) * | 2011-01-15 | 2011-07-20 | 郑州大学 | 基于iii-v族化合物半导体/硅纳米孔柱阵列的太阳能电池及其制备方法 |
CN102148279A (zh) * | 2011-01-15 | 2011-08-10 | 郑州大学 | 基于ⅱ-ⅵ族化合物半导体/硅纳米孔柱阵列的太阳能电池及其制备方法 |
CN102956719A (zh) * | 2011-08-29 | 2013-03-06 | 北京师范大学 | 硅微纳米结构选择性发射极太阳能电池 |
CN104756268A (zh) * | 2012-08-17 | 2015-07-01 | 西里兹姆能源公司 | 用于形成热电装置的系统和方法 |
CN105336816A (zh) * | 2015-11-02 | 2016-02-17 | 河南师范大学 | 溶液法制备MoO3/硅纳米线阵列异质结太阳能电池的方法 |
USD819627S1 (en) | 2016-11-11 | 2018-06-05 | Matrix Industries, Inc. | Thermoelectric smartwatch |
US10003004B2 (en) | 2012-10-31 | 2018-06-19 | Matrix Industries, Inc. | Methods for forming thermoelectric elements |
US10205080B2 (en) | 2012-01-17 | 2019-02-12 | Matrix Industries, Inc. | Systems and methods for forming thermoelectric devices |
US10290796B2 (en) | 2016-05-03 | 2019-05-14 | Matrix Industries, Inc. | Thermoelectric devices and systems |
CN110313491A (zh) * | 2019-05-08 | 2019-10-11 | 苏州大学 | 金银合金纳米粒子修饰的硅纳米线及其制备和应用 |
US10644216B2 (en) | 2014-03-25 | 2020-05-05 | Matrix Industries, Inc. | Methods and devices for forming thermoelectric elements |
US10749094B2 (en) | 2011-07-18 | 2020-08-18 | The Regents Of The University Of Michigan | Thermoelectric devices, systems and methods |
-
2002
- 2002-03-15 CN CNB021041792A patent/CN1150128C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100347082C (zh) * | 2003-05-19 | 2007-11-07 | 清华大学 | 大面积p-n结纳米硅线阵列及其制备方法 |
CN100375235C (zh) * | 2005-01-18 | 2008-03-12 | 中国科学院半导体研究所 | 大面积制备二氧化硅或者硅纳米线的控制生长方法 |
CN1312034C (zh) * | 2005-05-20 | 2007-04-25 | 清华大学 | 单一轴向排布的单晶硅纳米线阵列制备方法 |
CN1322548C (zh) * | 2005-05-27 | 2007-06-20 | 清华大学 | 硅和硅锗量子点阵列的制备方法 |
CN100386881C (zh) * | 2005-11-25 | 2008-05-07 | 清华大学 | 一种硅基cmos射频集成电路衬底及其制造方法 |
CN101845661A (zh) * | 2010-05-19 | 2010-09-29 | 中国科学院理化技术研究所 | 表面具有超疏水性纳米硅线阵列的单晶硅片及其制备方法 |
CN101973517A (zh) * | 2010-10-21 | 2011-02-16 | 东华大学 | 一种低掺杂多孔硅纳米线阵列的制备方法 |
CN102130186A (zh) * | 2011-01-15 | 2011-07-20 | 郑州大学 | 基于iii-v族化合物半导体/硅纳米孔柱阵列的太阳能电池及其制备方法 |
CN102148279A (zh) * | 2011-01-15 | 2011-08-10 | 郑州大学 | 基于ⅱ-ⅵ族化合物半导体/硅纳米孔柱阵列的太阳能电池及其制备方法 |
US10749094B2 (en) | 2011-07-18 | 2020-08-18 | The Regents Of The University Of Michigan | Thermoelectric devices, systems and methods |
CN102956719A (zh) * | 2011-08-29 | 2013-03-06 | 北京师范大学 | 硅微纳米结构选择性发射极太阳能电池 |
CN102956719B (zh) * | 2011-08-29 | 2016-03-30 | 北京师范大学 | 硅微纳米结构选择性发射极太阳能电池 |
US10205080B2 (en) | 2012-01-17 | 2019-02-12 | Matrix Industries, Inc. | Systems and methods for forming thermoelectric devices |
CN104756268A (zh) * | 2012-08-17 | 2015-07-01 | 西里兹姆能源公司 | 用于形成热电装置的系统和方法 |
US9515246B2 (en) | 2012-08-17 | 2016-12-06 | Silicium Energy, Inc. | Systems and methods for forming thermoelectric devices |
US10003004B2 (en) | 2012-10-31 | 2018-06-19 | Matrix Industries, Inc. | Methods for forming thermoelectric elements |
US10644216B2 (en) | 2014-03-25 | 2020-05-05 | Matrix Industries, Inc. | Methods and devices for forming thermoelectric elements |
CN105336816A (zh) * | 2015-11-02 | 2016-02-17 | 河南师范大学 | 溶液法制备MoO3/硅纳米线阵列异质结太阳能电池的方法 |
US10290796B2 (en) | 2016-05-03 | 2019-05-14 | Matrix Industries, Inc. | Thermoelectric devices and systems |
US10580955B2 (en) | 2016-05-03 | 2020-03-03 | Matrix Industries, Inc. | Thermoelectric devices and systems |
USD819627S1 (en) | 2016-11-11 | 2018-06-05 | Matrix Industries, Inc. | Thermoelectric smartwatch |
CN110313491A (zh) * | 2019-05-08 | 2019-10-11 | 苏州大学 | 金银合金纳米粒子修饰的硅纳米线及其制备和应用 |
CN110313491B (zh) * | 2019-05-08 | 2021-05-18 | 苏州大学 | 金银合金纳米粒子修饰的硅纳米线及其制备和应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1150128C (zh) | 2004-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1150128C (zh) | 一种合成纳米硅线阵列的方法 | |
CN1693191A (zh) | 单一轴向排布的单晶硅纳米线阵列制备方法 | |
Lu et al. | Hydrothermal growth of large-scale micropatterned arrays of ultralong ZnO nanowires and nanobelts on zinc substrate | |
CN101302118A (zh) | 一种硅纳米线阵列的制备方法 | |
CN110668436B (zh) | 一种超薄纳米级石墨炔薄膜的制备方法 | |
Zhao et al. | Growth and morphology of ZnO nanorods prepared from Zn (NO3) 2/NaOH solutions | |
CN1752013A (zh) | 水热分解生长纳米棒型氧化锌的方法 | |
CN100500571C (zh) | 一种制备氧化亚铜纳米柱阵列的方法 | |
CN1884091A (zh) | 一种ZnO纳米结构的制备方法 | |
CN1740392A (zh) | 金属钛表面制备定向排列二氧化钛纳米棒阵列的方法 | |
CN100360420C (zh) | 水热分解生长纳米管型氧化锌的方法 | |
Witkowski et al. | Ultra-fast growth of the monocrystalline zinc oxide nanorods from the aqueous solution | |
CN100347082C (zh) | 大面积p-n结纳米硅线阵列及其制备方法 | |
CN109161850A (zh) | 一种生长在Si衬底上的(In)GaN纳米管及其制备方法与应用 | |
CN110010449B (zh) | 一种高效制备一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结的方法 | |
CN1304064C (zh) | 表面有TiO2涂层的钛合金生物医学复合材料及其制备方法 | |
CN101457396A (zh) | 氧化锌纳米锥子及其制备方法 | |
CN101037221A (zh) | 自源自衬底水热反应生长氧化锌纳米棒的方法 | |
CN1243123C (zh) | 二氧化锡纳米晶态薄膜的制备方法 | |
CN1234611C (zh) | 纳米管定向排列的氧化锌纳米材料的制备方法 | |
CN110323127B (zh) | 一种利用peald在硅衬底上生长石墨烯的方法 | |
CN107235508B (zh) | 顶部具有分枝结构的二氧化钛纳米棒阵列的制备方法及阵列 | |
CN107344730A (zh) | 一种氧化锌纳米柱阵列的制备方法 | |
CN106340588A (zh) | 一种自组装膜优化的n型有机场效应晶体管的制备方法 | |
CN1234610C (zh) | 纳米塔定向排列的氧化锌纳米材料的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20040519 Termination date: 20200315 |