CN1372320A - 表面安装型片式半导体器件和制造方法 - Google Patents

Abstract

可表面安装的片式半导体器件包括:形成于绝缘衬底上且彼此电连接的第一和第二导电焊盘区域;形成于第一导电焊盘区域上的导电柱;和在其两侧有电极的半导体片状器件,该半导体片状器件装配于第二导电焊盘区域上。用封装树脂部分封装包括导电柱和半导体片状器件的绝缘衬底的主要区域。导电柱和外电极的上部与从封装树脂露出的半导体片状器件电连接。导电柱和外电极的上表面是彼此大致共面的。

Description

表面安装型片式半导体器件和制造方法

技术领域

本发明一般涉及片式半导体器件，特别涉及可表面安装的片式半导体器件，该器件具有高的耐湿性和薄而小的器件形状。

背景技术

需要使例如摄像机、个人计算机、便携式电话机等小型、可携带的电子电路装备小型和轻便化。因此，也就需要使用于这些电子电路装备的电子零部件小型和轻量化。作为实现这种需求的电子部件，已知在日本专利申请公开第6-125021号(现有技术1)中公开的片式半导体器件。图17展示在日本专利申请公开第6-125021号中披露的片式半导体器件的剖面结构，附图中一般用参考标号6表示该器件。

图17中，参考标号1表示构成电子部件主要部分的半导体片状器件(semiconductor pellet)。半导体片状器件1有形成于其两表面上的电极(附图中未示出)。参考标号2表示安装于半导体片状器件1上的岛(island)部分。参考标号3a和3b表示引线部分。引线部分3a的一端与岛部分2电连接。设置其它引线部分3b，使引线部分3b的一端位于岛部分2的附近。引线部分3a和3b的外端延伸到外部。参考标号4表示使半导体片状器件1上的电极(附图中未示出)与引线部分3b电连接的金属线。参考标号5表示封装半导体器件6的包括半导体片状器件1等的主要部分的封装树脂部分。

在半导体器件6中，各引线部分3a和3b在封装树脂部分5内大致在其中部弯折成为曲柄形状。此外，各引线部分3a和3b从其中部到外端部分的部分露出于封装树脂部分5外并沿封装树脂部分5的底表面5a向外拉出。各引线部分3a和3b的外端部分在封装树脂部分5的相应侧壁附近切断。在示于图17的半导体器件中，各引线部分3a和3b露出于封装树脂部分5的从中部到外端部分的部分被设置成大致共面的。因此，可将图17中所示的半导体器件稳固地表面安装到布线衬底等上。

利用一体地包括岛部分2和引线部分3a、3b的引线框架(附图中未示出)，可制造图17中所示的半导体器件。为了获得小型且薄的半导体器件，需要使用由薄材料制备且精密加工成为预定图形的引线框架。此外，还需要减小金属线4的线圈状部分的高度。可是，精密加工引线框架容易变形，难以处理这样的引线框架。再有，当金属线4的线圈状部分高度低时，金属线4可能接近或接触半导体片状器件1的角部等，由此使金属线4与半导体器件其它部分之间的电绝缘降低或使它们之间短路。

在上述日本专利申请公开第6-125021号(现有技术1)中，还披露了另一种片式半导体器件，其示于图18中。在示于图18的半导体器件中，代替图17的半导体器件中使用的金属线4，将半导体片状器件1直接插入引线部分3a和3b之间。但是，由于半导体片状器件1与引线部分3a和3b都是微小的，因而制造工艺变得复杂和困难。此外，在将半导体片状器件1安装到引线部分3a的岛部分2上和使半导体片状器件1与引线部分3a和3b电连接之后，要切掉树脂模制的引线框架的预定部分，来获得分离的半导体器件。在这种情况下，如果引线部分3a和3b在封装树脂部分5的附近被切断，那么在封装树脂部分5中可能产生断裂，使引线部分3a和3b以及封装树脂部分5在其界面处分层，从而降低半导体器件的耐湿性。因此，不能在封装树脂部分5的侧壁附近切断引线部分3a和3b，从而不能更大地减小半导体器件的外形尺寸。

日本专利申请公开第7-169766号(现有技术2)披露了可比图18所示的半导体器件更薄的半导体器件。在现有技术2的半导体器件中，除电极部分外，用树脂模压整个半导体片状器件，于是露出半导体片状器件的电极部分。之后，在半导体片状器件的露出的电极部分上形成突出的电极。可是，在具有这种结构的半导体器件中，当用树脂模制半导体片状器件时，难以在金属模压模具内精确地固定半导体片状器件，以致半导体片状器件的电极部分与金属模压模具的内壁的突出部分接触。因而难以用树脂模制半导体片状器件而在各电极部分的表面上不形成树脂的薄翅或毛边部分。

日本专利申请公开第10-313082号(现有技术3)披露了一种半导体器件，其使用平的引线框架和将半导体片状器件安装到引线框架的一个表面上。此外，树脂模压带有半导体片状器件的引线框架，以使引线框架的另一个表面露出。

但是，当引线框架一个表面的整个部分都露出于模压(mold)树脂时，引线部分与带有模压树脂的引线框架的岛部分的粘接性变差。因此，例如，在通过焊接和使引线部分与岛部分的温度迅速升高来使半导体器件安装到布线衬底上时，在引线框架与模压树脂之间的界面部分，因它们之间热膨胀系数的差异而可能使其形成分层。因而，难以维持半导体器件的高耐湿性。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种薄且具有非常小的器件尺寸的片式半导体器件。

本发明的另一个目的在于提供一种薄且具有非常小的器件尺寸和具有高耐湿性的片式半导体器件。

本发明的再一个目的在于提供一种薄且具有非常小的器件尺寸和能够容易制造的片式半导体器件。

本发明的再一个目的在于提供一种薄且具有非常小的器件尺寸和具有高可靠性的片式半导体器件。

本发明的再一个目的在于提供一种薄且具有非常小的器件尺寸和可稳固地安装到布线衬底上的片式半导体器件。

本发明另一目的是克服常规表面安装片式半导体器件的缺点。

按照本发明的一个方面，提供一种片式半导体器件，其包括：绝缘衬底；形成于绝缘衬底上且彼此电连接的第一和第二导电焊盘区域；形成于第一导电焊盘区域上的导电柱；在其两侧有电极的半导体片状器件，其装配于第二导电焊盘区域上，在半导体片状器件一侧上的电极连接到第二导电焊盘区域上，在半导体片状器件另一侧上的电极具有电连接到其上的外电极；和封装包括导电柱和半导体片状器件的绝缘衬底的主要区域的封装树脂部分，其中导电柱和外电极的上部与从封装树脂部分露出的半导体片状器件电连接。

在这种情况下，最好设置与半导体片状器件电连接的导电柱和外电极，以使导电柱和外电极的上表面变成相互大致共面的。

导电柱优选是柱形的导电块。

柱形的导电块部件还优选通过导电粘合剂与第一导电焊盘区域电连接。

柱形的导电块部件还优选通过采用超声波结合与第一导电焊盘区域连接。

导电柱还优选包括通过镀敷形成的导电部件。

导电柱还优选包括用导电粘合剂形成的导电部件。

还优选通过用抗蚀剂膜将共同的导电焊盘部分分为第一和第二导电焊盘区域，来形成第一和第二导电焊盘区域。

与半导体片状器件电连接的外电极还优选为连接到半导体片状器件的电极上的平板形导电部件。

与半导体片状器件电连接的外电极还优选为连接到半导体片状器件的电极上的半球形导电部件。

第二导电焊盘区域还优选具有安装半导体片状器件的凹形部分。

按照本发明的另一个方面，提供一种片式半导体器件的制造方法，其包括：制备绝缘衬底；在绝缘衬底上形成第一和第二导电焊盘区域，第一和第二导电焊盘区域彼此电连接；在第一导电焊盘区域上形成导电柱；在第二导电焊盘区域上装配其两侧有电极的半导体片状器件，在半导体片状器件一侧上的电极连接到第二导电焊盘区域上，在半导体片状器件另一侧上的电极具有电连接到其上的外电极；和用封装树脂部分封装包括导电柱和半导体片状器件的绝缘衬底的主要区域，其中导电柱和外电极的上部与从封装树脂部分露出的半导体片状器件电连接。

最好设置与半导体片状器件电连接的导电柱和外电极，以使导电柱和外电极的上表面变成相互大致共面的。

导电柱优选是柱形的导电块部件，在第一导电焊盘区域上形成导电柱期间，柱形的导电块通过导电粘合剂与第一导电焊盘区域连接。

导电柱还优选是柱形的导电块部件，在第一导电焊盘区域上形成导电柱期间，柱形的导电块通过采用超声波键合与第一导电焊盘区域相连接。

导电柱还优选通过镀敷形成。

导电柱还优选用导电粘合剂来形成。

还优选通过用抗蚀剂膜将共同的导电焊盘部分分为第一和第二导电焊盘区域，来形成第一和第二导电焊盘区域。

与半导体片状器件电连接的外电极还优选为连接到半导体片状器件的电极上的平板形导电部件。

第二导电焊盘区域还优选具有凹形部分，在将其两侧有电极的半导体片状器件装配到第二导电焊盘区域上时，该半导体片状器件被装配到凹形部分上。

附图的简要说明

通过下面结合附图进行的详细描述，本发明的这些和其他特征和优点将会变得更加清楚，其中参考标号在所有附图中表示相同或相应的部件：

图1是示意性表示本发明实施例的半导体器件的侧剖面图；

图2是展示图1的半导体器件的部分剖切的平面图；

图3是展示用于制备图1所示半导体器件的绝缘衬底板的平面图；

图4是展示其上形成导电柱之后的绝缘衬底板的平面图；

图5是展示在装配上半导体片状器件后的绝缘衬底板的平面图；

图6是展示用于封装图5的绝缘衬底板的模压设备主要部分的示意性侧剖面图；

图7是展示树脂模压操作期间图6的模压设备的侧剖面图；

图8是展示用于制备本发明另一个实施例的半导体器件的绝缘衬底板的示意性侧剖面图；

图9是展示在图8所示的绝缘衬底板上形成光刻胶膜操作的侧剖面图；

图10是展示通过镀敷图9所示的光刻胶膜中形成的开口来形成导电柱的工序的侧剖面图；

图11是展示在其上形成导电柱的绝缘衬底板上装配半导体片状器件的工序的侧剖面图；

图12是展示用于半导体器件且用树脂封装的工件的侧剖面图，该工件包括其上带有导电柱和半导体片状器件的绝缘衬底；

图13是展示用于制备本发明又一个实施例的半导体器件的绝缘衬底板的示意性侧剖面图；

图14是展示在其上形成导电柱的图13所示绝缘衬底板上装配半导体片状器件的工序的侧剖面图；

图15是展示用于半导体器件且用树脂封装的工件的侧剖面图，该工件包括其上带有导电柱和半导体片状器件的图13所示绝缘衬底；

图16是展示本发明又一个实施例的半导体器件的工件的示意性侧剖面图；

图17是展示用引线框架的常规半导体器件例的侧剖面图；

图18是展示图17半导体器件的变形的另一个常规半导体器件例的示意性侧剖面图。

优选实施方式

按照本发明的片式半导体器件包括：形成于绝缘衬底上且彼此电连接的至少第一和第二导电焊盘区域。在第一导电焊盘区域上形成导电柱，和将其两侧有电极的半导体片状器件装配到第二导电焊盘区域上。用封装树脂部分涂敷或封装包括导电柱和半导体片状器件的绝缘衬底上的主要区域。在这种情况下，与半导体片状器件电连接的导电柱和外电极或电极的上表面在封装树脂部分的外表面处露出于封装树脂部分外。

最好设置与半导体片状器件电连接的导电柱和外电极或电极的上表面，使其成为相互间大致共面的。由此，半导体器件可稳固地表面安装到布线衬底等上。

作为上述半导体器件的导电柱，可以用柱形的导电块。在这种情况下，用诸如焊锡、银焊膏之类的导电粘合剂可连接导电柱和第一导电焊盘区域。也可以通过使导电柱和第一导电焊盘区域在其界面之间相互加压，同时对导电柱施加超声波振动，来直接连接导电柱和第一导电焊盘区域。在这种情况下，需要根据已知的超声波结合技术，适当地选择第一导电焊盘区域和导电柱的材料、表面条件等。

导电柱也可以通过镀敷作为突起来形成。此外，也可以通过堆积如银焊膏之类的导电粘合剂来形成导电柱。

在按照本发明的半导体器件中，可以分开形成第一和第二导电焊盘区域并将它们电连接在一起。此外，也可以通过用光致抗蚀剂膜等将共同的导电焊盘分为第一和第二导电焊盘区域。

导电部件可连接到与绝缘衬底侧相反一侧的半导体片状器件的电极表面上，并且导电部件从封装树脂部分露出，用作为外电极。导电部件可由平板形导电部件构成。导电部件或平板形导电部件的面积可以小于半导体片状器件的电极表面面积。但是，也可以采用其面积大于电极表面面积的导电部件。在这种情况下，可以减小电极的电阻和有效地发散半导体片状器件产生的热。此外，代替使用上述平板形导电部件，导电部件也可以为球形或半球形部件。例如，在半导体片状器件的电极表面上、或在形成于半导体片状器件的电极表面上的平板形导电部件上，熔化低熔点金属或合金，可以形成这样的球形或半球形部件。

此外，在绝缘衬底上的第二导电焊盘区域中可以形成装配半导体片状器件的凹形部分，和在该凹形部分内设置半导体片状器件。通过采用这种结构，可以减小半导体片状器件从绝缘衬底表面突出的高度，从而相对减小导电柱的高度。

以下，参照附图来详细说明本发明的实施例。图1是示意性表示本发明实施例的半导体器件14的侧剖面图。图2是表示图1的半导体器件的剖面图中的平面图。图1和2中所示的半导体器件包括绝缘衬底7，绝缘衬底7为例如矩形并由耐热材料例如陶瓷、树脂等制备。参考标号8表示形成于绝缘衬底7上的导电焊盘部分。尽管附图中未示出，但最好通过腐蚀等沿绝缘衬底7的边缘部分去除导电焊盘部分8的周边部分。

在绝缘衬底7上的导电焊盘部分8上形成光刻胶膜9，光刻胶膜9涂敷除两个导电焊盘区域8a和8b之外的导电焊盘部分8。即，光刻胶膜9具有例如两个窗口9a和9b，分别通过两个窗口9a和9b，露出导电焊盘部分8的两个导电焊盘区域8a和8b。

导电柱10竖立在第一导电焊盘区域8a并与第一导电焊盘区域8a电连接。在图1和图2所示的实施例中，导电柱10包括由导电材料构成的柱形块部件。参考标号11表示在其两个表面上具有电极11a和11c的半导体片状器件。平面电极11a的一个被电连接到第二导电焊盘区域8b上。在另一个电极11c上，形成突出电极11b。在本实施例中，突出电极11b的上表面大致为平的，突出电极11b的横截面区域从其上表面向其底表面稍稍变大。半导体片状器件11可以是如二极管等的两个端子型半导体器件，或可以是具有例如晶体管等的多于两个端子的半导体器件。

参考标号12表示封装树脂部分，其涂敷或封装绝缘衬底7上的主要部分，以使导电柱10的上部或外端部分和半导体片状器件的突出电极11b的上部露出。从封装树脂部分12露出的导电柱10的外端部分和突出电极11b的上部构成外电极13a和13b，以使半导体器件14与外电路连接。最好外电极13a和13b的上表面高度大致相同，即外电极13a和13b的上表面相互是共面的。在这种情况下，可以将半导体器件14容易和稳固地表面安装于布线衬底等上。

参照图3-图7，对上述半导体器件的制造方法进行说明。首先，如图3所示，准备绝缘衬底板7a，其为薄板状或薄片状的部件，最好具有较大的宽度和较长的尺寸。在绝缘板7a的至少一个主表面上，形成导电膜8e。绝缘板7a被分成如图3中的虚线所示的多个器件区域。各器件区域具有预定的尺寸或形状。除狭窄部分8c之外，沿器件区域之间的边界线腐蚀掉导电膜8e，从而形成导电焊盘部分8。通过狭窄部分8c，将导电焊盘部分8电连接在一起。使用狭窄部分8c，使导电焊盘部分8彼此电连接在一起来进行例如电镀。

用光刻胶膜9覆盖绝缘板7a。光刻胶膜9在各导电焊盘部分8上都有两个开口9a和9b。通过开口9a和9b露出导电焊盘部分8的一部分，从而分别形成第一和第二导电焊盘区域8a和8b。

接着，如图4所示，将导电柱10连接入绝缘板7a的第一导电焊盘区域8a上。尽管在附图中未示出，但可以通过使用旋转叶片或切片锯，切割粘贴在粘合板上的金属平板来制备导电柱10。利用例如吸盘或传送夹头，可将各导电柱10提供给第一导电焊盘区域8a。用例如焊锡、银焊膏等导电粘合剂(附图中未示出)使导电柱10与第一导电焊盘区域8a电连接。

如图5所示，然后将半导体片状器件11安装到第二导电焊盘区域8b上。与导电柱10类似，用导电粘合剂使半导体片状器件11与第二导电焊盘区域8b电连接。如上所述，在半导体片状器件11上形成突出电极11b，导电柱10的顶端与突出电极11b的项端具有大致相同的高度，即它们彼此是共面的。

如图6所示，将工件(即其上以这种方式装有导电柱10和半导体片状器件11的绝缘衬底板7a)，提供给树脂模压设备15。树脂模压设备15包括下金属模具16和上金属模具17。下金属模具16有形成于其上表面部分中的空腔16a，其包含或保持绝缘板7a。在下金属模具16中，还形成有用于将流体树脂提供到空腔16a的一个或多个罐、一个或多个流道、一个或多个门等。但是，为了简化，在这里未示出这些部件。确定空腔16a的深度，以使导电柱10的上端部和半导体片状器件11的突出电极11b从空腔16a的开口表面或下金属模具16的上表面突出。上金属模具17有平的下表面。沿上金属模具17的下表面，设置缓冲片18。缓冲片18用例如有回弹性或有弹性的树脂材料构成。

如图7所示，当上金属模具17和下金属模具16夹住时，缓冲片18被夹持在上金属模具17和下金属模具16之间。此时，从空腔16a突出的导电柱10和突出电极11b的顶端部分被陷入缓冲片18中，绝缘板7a压在下金属模具16上。在这种条件下，将流体树脂提供到空腔16a中，由此绝缘板7a上除导电柱10和突出电极11b的部分之外的部分被涂敷和填充树脂。在已完成将树脂涂敷于绝缘板7a上并且树脂半固化之后，使上金属模具17和下金属模具16分开，从模压设备中取出被树脂模压的工件。沿图3所示的虚线切割被树脂模压的工件，于是获得图1所示的半导体器件。

在上述半导体器件中，半导体片状器件11上的突出电极11b和导电柱10从封装树脂部分12露出，以使突出电极11b的高度和导电柱10的高度变得大致相同。因此，上述半导体器件的封装树脂部分12的厚度可以薄于采用键合金属线的常规半导体器件的封装树脂部分的厚度。因此，通过用薄衬底构成绝缘衬底7，可以实现非常薄的半导体器件，而该器件没有降低电绝缘性和短路的缺点。此外，通过将导电柱10和半导体片状器件11安装到绝缘衬底7上和通过用树脂进行封装来大致一致地制备上述半导体器件，因而用简单的工序便可容易地制造半导体器件。此外，利用压在导电焊膏10上的缓冲片18和半导体片状器件11的突出电极11b，可容易地形成用于使半导体器件与外电路连接的外电极13a和13b，并使外电极13a和13b从封装树脂部分12露出。因此，在形成封装树脂部分12之后，对封装树脂部分12不能施加非常大的外力，因为封装树脂部分12具有微小的尺寸，不能承受如破裂、分层之类的损伤。结果，即使以较小尺寸设计半导体器件，和即使减小半导体器件的厚度，也可以保持高耐湿性。此外，绝缘衬底板7a可具有标准尺寸和形状，从而可容易地用于树脂模压设备15和可容易地定位于树脂模压设备15的下金属模具16的空腔16a内。并且，可进行树脂模压而不会在外电极13a和13b的表面上形成薄翅或毛边部分。绝缘衬底7保护半导体片状器件11免受外部湿气，在绝缘衬底7与导电焊盘部分8之间的粘合性强且紧密。因此，即使封装树脂的厚度薄，也不会降低上述半导体器件的耐湿性。此外，按照本发明的半导体器件不采用引线框架，因而，即使在通过焊接将半导体器件安装到外印刷电路板上等时，外电极的温度和半导体器件的温度迅速变高，在封装树脂与其它部分之间的界面处也几乎不产生分层。因此，可以保持高耐湿性。

在上述实施例中，导电柱10包括对金属平板切片形成的导电块部件。此外，通过锡焊或银焊膏将导电柱10电连接到导电焊盘区域上。当然，还可以将导电柱10直接连接到导电焊盘区域上而不必使用导电粘合剂。即，可以通过将导电柱10压在导电焊盘区域上和对其施加超声波振动，将导电柱10连接到导电焊盘区域上。

通过镀敷也可以形成导电焊膏。下面参照图8-图12，对通过镀敷形成导电柱的方法进行说明。图8中，参考标号19表示绝缘衬底板，在绝缘衬底板19的至少一个表面上形成导电膜20。在绝缘衬底板19上的导电膜20上，形成光敏树脂膜或光刻胶膜21，然后去除光刻胶膜21的部分，在光刻胶膜21中形成开口21a。通过开口21a，如图9所示，露出导电膜20的部分。

接着，如图10所示，通过镀敷，在绝缘衬底板19上的开口21a中形成金属或金属合金的镀敷层部分22。在形成镀敷层部分22之后，去除光刻胶膜21，再次露出导电膜20。由此，如图11所示，使镀敷层部分22变成竖立在导电膜20上的导电柱。

然后，在导电柱22侧面上的预定位置处将半导体片状器件23安装到导电膜20上。半导体片状器件23有形成在其上表面的突出电极23a。确定镀敷层部分22即导电柱22的高度，使其与具有突出电极23a的半导体片状器件23的高度大致相同。例如，当半导体片状器件23包括其厚度为150μm的半导体衬底部分和形成于其上的厚度为75μm的突出电极时，考虑半导体片状器件23的一个或多个连接部分的厚度，将导电柱22的高度设置为大致230μm。

此后，与图1的半导体器件类似，用树脂涂敷除导电柱22和突出电极23a的上端部分之外的绝缘衬底19，形成封装树脂部分24，如图12所示。从封装树脂部分24露出的导电柱22和突出电极23a的上端部分分别构成外电极25a和25b。用封装树脂部分24模压的工件被切割成分离部件，以获得片式半导体器件26。

上述半导体器件具有与图1的半导体器件相同的有益效果。并且，在上述半导体器件中，当在绝缘衬底板19上形成大量的半导体器件时，通过镀敷可以一起形成大量的导电柱22。因此，尽管需要附加涂敷、曝光、去除光刻胶21等，但与图1的导电柱10与第一导电焊盘区域8a连接的半导体器件制造相比，可以简化半导体器件的制造工序。

作为再一个实施例，可以利用导电粘合剂来制造导电柱。参照图13-图15，对用导电粘合剂来形成导电柱的方法进行说明。图13中，参考标号28表示绝缘衬底或绝缘衬底板，在绝缘衬底28的至少一个表面上形成导电膜27。在绝缘衬底28上的导电膜27的部分上形成可变为导电粘合剂的导电粘合剂层部分29。可用如焊锡之类的具有低熔点的合金，或用在树脂系粘合剂中分散有导电材料的微细颗粒的树脂系导电粘合剂来形成导电粘合剂层部分29。在导电粘合剂为焊锡的情况下，尽管附图中未示出，可以通过在导电膜27上形成焊锡抗蚀剂膜，和在焊锡抗蚀剂膜中需要的部位处形成开口，来形成导电粘合剂层部分29。然后，通过焊锡抗蚀剂膜涂敷焊锡膏，在焊锡抗蚀剂膜的开口形成导电粘合剂层部分29。在导电粘合剂为树脂系粘合剂的情况下，采用丝网印刷法，可将导电粘合剂层部分29形成为具有预定厚度的预定图形。当要求大的厚度时，可再次涂敷或印刷导电粘合剂，由此可获得任何期望的厚度。在导电粘合剂层部分29由焊锡构成时，在形成导电粘合剂层部分29之后，去除焊锡抗蚀剂膜，和曝光导电膜27。

如图14所示，然后在导电膜27上与导电柱29相邻的预定位置处安装半导体片状器件30。半导体片状器件30有形成于其上表面的突出电极30a。半导体片状器件30的各背侧电极(附图中未示出)与导电膜27电连接，并由此通过导电膜27与导电粘合剂层部分29电连接。导电粘合剂层部分29即导电柱的高度大致与突出电极30a的高度相同。

之后，与图1的半导体器件类似，用树脂涂敷除导电柱29和突出电极30a的上端部分之外的绝缘衬底28，形成封装树脂部分31，如图15所示。从封装树脂部分31露出的导电柱29和突出电极30a的上端部分分别构成外电极32a和32b。用封装树脂部分31模压的工件被切割成分离部件，以获得片式半导体器件33。

上述半导体器件具有与图1的半导体器件相同的有益效果。并且，在上述半导体器件中，当在绝缘衬底板28上形成大量的半导体器件时，通过使用导电粘合剂可以同时一起形成大量的导电柱29，从而提高器件的生产率。此外，当用树脂型粘合剂来形成导电粘合剂层部分29时，也可以获得任何期望高度的导电柱。因此，可以容易地制备对应于具有各种高度的半导体片状器件的导电柱。并且，当用如焊锡之类的具有低熔点的合金来形成各导电粘合剂层部分29时，导电柱的高度与导电柱的区域有关。在这种情况下，当期望获得大的高度时，可采用如图16所示的结构。即，如图16所示，在要装配半导体片状器件30的区域中形成的凹形部分28a中，安装半导体片状器件30。通过该结构，在导电柱29的高度相对较小时，也可调节导电柱29和半导体片状器件部分的高度。

本发明不限于上述实施例。例如，连接于半导体片状器件上用于连接半导体片状器件与外电路的电极并不限于具有平的上表面的上述突出电极，也可以是具有半球形或曲面上表面的电极。例如，将其上形成有平面电极的半导体片状器件浸渍到熔化的焊料中，可以获得具有半球形等的这样的突出电极。作为半导体片状器件的突出电极的另一个实例，可以将与图1的半导体器件的导电柱类似的片状的导电部件键合到半导体片状器件上形成的平面电极上。

如上所述，按照本发明，可以获得表面安装的、薄且具有非常小的器件尺寸的片式半导体器件。本发明的片式半导体器件还具有高耐湿性，并且容易制造。

在上述说明书中，已参照具体实施例说明了本发明。但本领域的普通技术人员都懂得，可以进行各种变化和改变，而不会脱离由所附权利要求书所提出的本发明的范围。因此，说明书和附图仅有说明性的作用而没有限制作用，所有的修改都将包括于本发明的范围内。本发明将包括落入所附权利要求书范围内的所有变化和改变。

Claims (20)

1.一种片式半导体器件，包括：

绝缘衬底；

形成于所述绝缘衬底上且彼此电连接的第一和第二导电焊盘区域；

形成于所述第一导电焊盘区域上的导电柱；

在其两侧有电极的半导体片状器件，其装配于所述第二导电焊盘区域上，在所述半导体片状器件一侧上的所述电极连接到所述第二导电焊盘区域上，在所述半导体片状器件另一侧上的所述电极具有电连接到其上的外电极；和

封装树脂部分，封装包括所述导电柱和所述半导体片状器件的所述绝缘衬底的主要区域，其中所述导电柱和所述外电极的上部与从所述封装树脂部分露出的所述半导体片状器件电连接。

2.如权利要求1所述的片式半导体器件，其中，设置与所述半导体片状器件电连接的所述导电柱和所述外电极，以使所述导电柱和所述外电极的上表面变成相互大致共面的。

3.如权利要求1所述的片式半导体器件，其中，所述导电柱是柱形的导电块。

4.如权利要求3所述的片式半导体器件，其中，所述柱形的导电块通过导电粘合剂与所述第一导电焊盘区域电连接。

5.如权利要求3所述的片式半导体器件，其中，所述柱形的导电块通过采用超声波结合与所述第一导电焊盘区域连接。

6.如权利要求1所述的片式半导体器件，其中，所述导电柱包括通过镀敷形成的导电部件。

7.如权利要求1所述的片式半导体器件，其中，所述导电柱包括用导电粘合剂形成的导电部件。

8.如权利要求1所述的片式半导体器件，其中，通过用抗蚀剂膜将共同的导电焊盘部分分为所述第一和第二导电焊盘区域，来形成所述第一和第二导电焊盘区域。

9.如权利要求1所述的片式半导体器件，其中，与所述半导体片状器件电连接的所述外电极为连接到所述半导体片状器件的所述电极上的平板形导电部件。

10.如权利要求1所述的片式半导体器件，其中，与所述半导体片状器件电连接的所述外电极为连接到所述半导体片状器件的所述电极上的半球形导电部件。

11.如权利要求1所述的片式半导体器件，其中，所述第二导电焊盘区域具有装配所述半导体片状器件的凹形部分。

12.一种片式半导体器件的制造方法，包括：

制备绝缘衬底；

在所述绝缘衬底上形成第一和第二导电焊盘区域，所述第一和第二导电焊盘区域彼此电连接；

在所述第一导电焊盘区域上形成导电柱；

在所述第二导电焊盘区域上装配其两侧有电极的半导体片状器件，在所述半导体片状器件一侧上的所述电极连接到所述第二导电焊盘区域上，在所述半导体片状器件另一侧上的所述电极具有与其电连接的外电极；和

用封装树脂部分封装包括所述导电柱和所述半导体片状器件的所述绝缘衬底的主要区域，其中所述导电柱和所述外电极的上部与从所述封装树脂部分露出的所述半导体片状器件电连接。

13.如权利要求12所述的片式半导体器件的制造方法，其中，设置与所述半导体片状器件电连接的所述导电柱和所述外电极，以使所述导电柱和所述外电极的上表面变成相互大致共面的。

14.如权利要求12所述的片式半导体器件的制造方法，其中，所述导电柱是柱形的导电块，在所述第一导电焊盘区域上形成所述导电柱期间，所述柱形的导电块通过导电粘合剂与所述第一导电焊盘区域连接。

15.如权利要求12所述的片式半导体器件的制造方法，其中，所述导电柱是柱形的导电块，在所述第一导电焊盘区域上形成所述导电柱期间，所述柱形的导电块通过采用超声波键合与所述第一导电焊盘区域连接。

16.如权利要求12所述的片式半导体器件的制造方法，其中，所述导电柱通过镀敷形成。

17.如权利要求12所述的片式半导体器件的制造方法，其中，所述导电柱用导电粘合剂来形成。

18.如权利要求12所述的片式半导体器件的制造方法，其中，通过用抗蚀剂膜将共同的导电焊盘部分分为所述第一和第二导电焊盘区域，来形成所述第一和第二导电焊盘区域。

19.如权利要求12所述的片式半导体器件的制造方法，其中，与所述半导体片状器件电连接的所述外电极为连接到所述半导体片状器件的所述电极上的平板形导电部件。

20.如权利要求12所述的片式半导体器件的制造方法，其中，所述第二导电焊盘区域具有凹形部分，在将其两侧有电极的所述半导体片状器件装配到所述第二导电焊盘区域上时，所述半导体片状器件被装配到所述凹形部分上。

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