CN1362785A - 高频开关组件及安装该高频开关组件的高频仪器 - Google Patents

高频开关组件及安装该高频开关组件的高频仪器 Download PDF

Info

Publication number
CN1362785A
CN1362785A CN01131696A CN01131696A CN1362785A CN 1362785 A CN1362785 A CN 1362785A CN 01131696 A CN01131696 A CN 01131696A CN 01131696 A CN01131696 A CN 01131696A CN 1362785 A CN1362785 A CN 1362785A
Authority
CN
China
Prior art keywords
high frequency
laminated body
circuit
terminal
switching component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN01131696A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1300939C (zh
Inventor
永田康志
岩崎智之
佐藤祐己
三宅充
安保武雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1362785A publication Critical patent/CN1362785A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1300939C publication Critical patent/CN1300939C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/74—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of diodes
    • H03K17/76—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237—High frequency adaptations
    • H05K1/0243—Printed circuits associated with mounted high frequency components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09372—Pads and lands
    • H05K2201/09381—Shape of non-curved single flat metallic pad, land or exposed part thereof; Shape of electrode of leadless component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Structure Of Receivers (AREA)

Abstract

一种高频开关组件,在用于通信仪器的由叠层体构成的高频开关组件以及安装该高频开关组件的高频仪器中,在叠层体的安装面上形成高频开关组件的高频端子,并且,将叠层体的侧面作为高频端子的非电极形成面,因此,不易受来自外部的影响。一种使用该高频开关组件的高频仪器。

Description

高频开关组件及安装该高频开关组件的高频仪器
技术领域
本发明涉及一种主要用于通信仪器的高频开关组件及安装该高频开关组件的高频仪器。
背景技术
以往，叠层型的高频开关组件具有以下所述构成：在由如图10所示的绝缘体构成的叠层体1的内部形成给定的电路电极(未图示)，并在叠层体1的侧面部分形成高频端子2，高频端子2与一部分电路电极连接，作为高频信号的输入输出端子来发挥功能。
然而，在推进携带式电话机等高频仪器的小型化进程中，用于高频仪器的高频开关组件的使用频率提高到数百MHZ～数GHZ，因此，特别是在把作为高频信号的输入输出线路的高频端子2形成在叠层体1的侧面上的构成中，该高频端子2起了天线的作用，在推进小型高密度化的高频仪器内，容易受到来自相邻的其他部件(器件)的影响。
并且，在现有的连接高频端子和电路电极的电极图形构成中，传输损耗较大，在提高高频开关组件的高频特性方面存在问题。
发明内容
鉴于以上所述问题的存在，本发明的目的在于：提供一种不容易受到来自外部的影响的高频开关组件以及安装该高频开关组件的高频仪器。
并且，本发明的目的在于：在高频端子和电路电极的连接构成中，降低传输损耗，提高高频开关组件的高频特性。
为达到以上所述目的，本发明的特征在于：在安装于高频仪器的电路基片上的高频开关组件中，特别在叠层体的安装面上形成高频端子，并且将叠层体的侧面作为高频端子的非电极形成面。即，本发明的高频开关组件将开关电路和滤波器电路作为主要构成，包括：垒积多个电介质片的叠层体；在该叠层体的外表面上设置的多个高频端子。在所述叠层体的内层部分形成所述开关电路，同时该所述开关电路的其中一端与所述多个高频端子的第1高频端子连接。在所述叠层体的内层部分形成所述滤波器电路，同时该所述滤波器电路的其中一端与所述开关电路的另外一端连接，并且该所述滤波器电路的另外一端与所述多个高频端子的第2高频端子连接。使其构成为：仅在所述叠层体的安装面上形成所述高频端子，而在所述叠层体的侧面上不形成所述高频端子。在所述构成中，设在所述叠层体的外表面上的多个高频端子包括：发送通道、接收通道和天线通道。
通过以上所述的构成，将在高频范围内起了天线作用的高频端子配置在叠层体的下面上，在叠层体侧面上不形成高频端子的电极，所以，与其他器件一起安装在电路基片上时，能够不易受相邻的其他器件的影响。
附图说明
图1是本发明一个实施例的高频开关组件的立体图。
图2是同一高频开关组件的等效电路图。
图3是同一高频开关组件的立体分解图。
图4是同一高频开关组件的下面图。
图5是其他实施例的高频开关组件的下面图。
图6是用于其他实施例的高频开关组件的叠层电容器的立体分解图。
图7是使用同一叠层电容器的高频开关组件的立体图。
图8是其他实施例的高频开关组件的立体图。
图9是其他实施例的高频开关组件的等效电路图。
图10是现有的高频开关组件的立体图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本发明的实施例。并且，对于与所述的现有技术相同的构成，使用相同的符号。
图1是涉及本发明的、用于携带式电话机等高频仪器的RF(射频)部的高频开关组件的一个实施例的立体图。
该高频开关组件具有以下所述构成：在由绝缘体构成的叠层体1的内部，用以下所述的各电路电极形成图2所示的开关电路3和滤波器电路4，在叠层体1的上表面101安装着形成开关电路3和滤波器电路4的其中一部分的二极管、电容器和电感线圈等的电路部件5。在此，就安装在叠层体1的上表面101的电路部件5来说，是将不能在叠层体1内形成的部件或即使能形成也因该元件值较大而难以达到小型化的部件安装在叠层体1的上表面。在本实施例中，作为配置在叠层体1的上表面的电路部件5是仅安装二极管(D)和基片电感器(L)的情况。
通过将不能在这种叠层体内形成的元件和即使能形成也因其值较大而难以达到小型化的元件或难以达到噪声对策的元件等安装在叠层体的表层，在可以单基片化的同时，能够达到总体上的小型化。而且，在本实施例中，作为配置在叠层体1的上表面101的电路部件5，仅安装了二极管(D)和基片电感器(L)，但本发明并不局限于此。
其次，在图2中，滤波器电路4具有除去从连接在高频开关组件后段的放大电路等(未图示)输出的高频成分的功能，发送通道6和开关电路3之间即滤波器电路4的一端4a和另一端4b之间用线圈7连接，其两端分别通过电容器8a、8b接地，滤波器电路4由这样π型的低通滤波器构成。而且，通过将线圈7和电容器9并联连接，具有使线圈电极7和电容器9并联谐振的构成，并确保在需要的频率范围的衰减量。
并且，开关电路3是单刀双掷(SPDT)型的高频开关，其一端3a(在以下所述中，称为第1端子)通过电容器18与天线通道10连接，其另一端3b(在以下所述中，称为第2端子)通过电容器20与接收通道11连接，而且，其他的另一端3c(在以下所述中，称为第3端子)通过滤波电路4和电容器19与发送通道6连接。根据所述构成，开关电路3使天线通道10或通过第3端子3c选择连接发送通道6，或通过第2端子3b选择连接接收通道11。
该开关电路3包括：二极管12、控制通道13、带状线14、二极管15、由电容器16和线圈17串联连接而形成的谐振电路、带状线30、电容器23等。
将二极管12的阳极连接在发送通道6一侧(另一端3c一侧)，将二极管12的阴极连接在天线通道10一侧(一端3a一侧)，将控制通道13连接在二极管12的阳极一侧。将带状线14的其中一端14a连接在二极管12和天线通道10之间，将带状线14的另一端14b连接在接收通道11一侧，使之成为发送频率的约1/4波长。将二极管15的阳极一侧连接在带状线14和接收通道11之间的另一端14b上，将二极管15的阴极一侧接地。
根据该开关电路3，在发送时，由控制通道13在二极管12、15上外加控制电压，两个二极管12、15同时处于接通状态，发送通道6和天线通道10成为连接状态，同时将带状线14的接收通道11一侧(即另一端14b一侧)接地，天线通道10至接收通道11一侧成为断开状态。因此，从发送通道6输入的发送信号被高效率地输出到天线通道10中。
并且，在接收时，不从控制通道13外加控制电压，使两个二极管12、15成为断开状态，据此，天线通道10和发送通道6之间成为屏蔽状态，从天线通道10输入的接收信号被高效率地输出到接收通道11中。而且，由与二极管12并联连接的电容器16和线圈17构成的谐振电路是用于抑制因接收时产生的二极管12的端子间电容所造成的影响的电路。
并且，分别设置在天线通道10、发送通道6、接收通道11的各电容器18、19、20起到针对从控制通道13外加的控制电压的切断直流的作用。
如图1所示，要将这种高频开关组件的电路变成叠层构造，如图3所示，就将多个矩形电介质片1a～1k在纵方向上垒积起来，在其内层部分及上表面部分形成以下所述给定的电路电极，构成叠层体1。并且，如图4所示，在叠层体1的下表面102即叠层型的高频开关组件的安装面上设置：成为在图2中与电路电极连接的天线通道10的天线端子10a；成为发送通道6的发送端子6a；成为接收通道11的接收端子11a；成为控制通道13的控制端子13a和接地用的接地端子19a。在如图所示的例子中，设置了4个接地端子19a，但本发明不局限于此，可以共用1个，也可以用任意个。
返回图3，在电介质片1a、1c的大约整个面上设置接地电极20a、20b，在电介质片1f的右侧部分设置接地电极20c。而且，接地电极20a、20b、20c分别通过支承孔(VH)与图4所示的给定的接地端子19a连接。
在电介质片1b上设置接地用电容器电极21a、22a、22b，它们分别对着电介质片1a、1c的接地电极20a、20b，电容器电极21a的其中一端通过支承孔与图4所示的控制端子13a连接，形成图2中的电容器23。电容器电极22a的其中一端通过支承孔与图4所示的发送端子6a连接，形成图2中的电容器8a。电容器电极22b通过支承孔与以下所述的电介质片1d的线圈电极24a的其中一端连接，形成图2中的电容器8b。
在电介质片1d上设置线圈电极24a和带状线电极25a，线圈电极24a的其中一端通过支承孔与图4所示的发送端子6a连接，形成图2中的线圈7，带状线电极25a的其中一端通过支承孔与图4所示的接收端子11a连接，形成图2中的带状线14的一部分。
在电介质片1e上设置带状线电极25b和电容器电极26a，带状线电极25b的其中一端通过支承孔与带状线电极25a连接，形成图2中的带状线14的其余部分，在带状线电极25b的左侧，电容器电极26a通过支承孔与线圈电极24a的另一端连接。
分别在电介质片1f、1g、1h的左侧部分设置电容器电极27a、28a、29a，电容器电极28a与电容器电极27a、29a对着，形成图2中的电容器16。并且电容器电极27a与电容器电极26a对着，形成图2中的电容器9。
在电介质片1i上设置带状线电极31a，其中一端与控制端子13a连接，形成图2中的、连接在控制通道13和二极管12之间的带状线30。
在电介质片1k上设置用于安装电路部件之一即集成二极管(D)的安装电极32a和用于安装基片电感器(L)的安装电极33a。而且这些安装电极32a、33a通过设置在电介质片1j上的连接电极34a与给定的电路电极连接，形成叠层型的高频开关组件。
而且，在本实施例中，分别使用设置在叠层体1内的带状线电极25a、25b以及带状线电极31a形成带状线14、30，但也可以将其中的一部分设置在叠层体1的外部即安装叠层体1的高频仪器的主衬底一侧(未图示)。因此，通过修整设置在外部的带状线电极可以简单地调整带状线的电气长度，所以能够容易进行电路匹配，大幅度降低匹配损耗。
尤其是，如果将连接在控制通道13和二极管12之间的带状线30的其中一部分设置在叠层体1内，将其余部分设置在高频仪器的主衬底一侧，就更有效果地降低匹配损耗。由于存在：二极管12单体本身具有的端子间电容；在安装二极管12的安装电极32a之间发生的寄生电容；以及因安装电极32a之前的弯曲而在线路图形之间发生的寄生电容；还有在安装电极32a上安装二极管12时的位置错动等，如果将这些电容合在一起，就会对用电容器16和线圈17形成的谐振电路造成较大的影响。因此，例如在携带式电话机等使用的高频波段中，合在一起的结果是仅增加0.1pF，线圈17的L值相对于给定的设定值就产生数nH的变化，所以仅修整衬底一侧的带状线的线路长度就可以简单地降低该变化量，所以能够通过非常简单的调整达到抑制高频特性恶化的目的，这是非常有效果的。
并且，通过使在叠层体一侧形成的带状线的阻抗(Z1)小于在仪器衬底一侧形成的带状线的阻抗(Z2)，可以使总的电气长度小于λ/4，能够缩短在叠层体内形成的图形长度。因此，可以更容易地进行叠层体内的图形设计，同时达到更小型化的目的。在相当于图2(b)中的A点旁边的开路端一侧的特性阻抗较低，因此在开路端的电容性以及在短路端一侧的绝缘性较大，所以可以缩短波长。在此，图2(b)所示的构成，是将在图2(a)中的、连接在控制通道13和二极管12之间的带状线30成为2个串联连接的带状线30a、30b的构成。
其次，该高频开关组件具有如下构成：如图4所示，将高频端子2(包括：天线端子10a、发送端子6a、接收端子11a等)设置在图1所示的叠层体1的下表面102即安装面(即装配到高频仪器的衬底上的面)上，将叠层体1的侧面103作为高频端子2的非电极形成面，在侧面103上不形成高频端子2的电极。在这样构成的高频开关组件中，不在叠层体1的侧面的各个方向构成起高频天线作用的高频端子2，可以很好地降低高频端子2的放射损耗和寄生阻抗。
而且，因仅在叠层体1的安装面102形成高频端子2，未用图表示，在将高频开关组件安装到仪器的电路基片上时，不形成在现有叠层体1的侧面形成的安装用焊锡的焊锡嵌条，所以可以更高密度地安装。并且，特别是与另外的器件一起安装到电路基片上时，也可以显著地降低与相邻的另外器件的电磁场干扰和噪声，能确保稳定的性能。
并且，要使叠层体1的侧面103变成高频端子2的非电极形成面，具体地说，最好是用支承孔进行高频端子2和电路电极的连接。这是因为在叠层体1的制造过程中，不用经过特别的加工，并且支承孔的传输损耗与现有的电极模式的损耗相比是非常小的，所以能够提高高频开关组件的高频特性。
而且，未用图表示，安装着电路部件5的叠层体1的上表面101是用接地的金属制的屏蔽罩覆盖的，该屏蔽罩充分确保该部分的屏蔽性。
并且，将叠层体1的侧面103变成高频端子2(包括：天线端子10a、发送端子6a、接收端子11a)的非电极形成面，因此，如图3所示，可以将设置在电介质片1a(1c、1e)上的接地电极20a(20b、20c)形成至电介质片1a(1c、1e)的外周边上，能够更加提高叠层体1的屏蔽性。
如现有构成那样，在图10所示的叠层体1的侧面形成高频端子2时，例如，为了防止图3所示的接地电极20a与高频端子2短路，在电介质片1a的外周边上，除了与接地端子19a连接的部分以外，不能在外周边部分形成电极，但本实施例是可以消除这种现有构成的问题。即，根据本发明的实施例，将高频端子2仅配置在叠层体1的下表面102，通过支承孔进行该连接，将支承孔的位置配置在电介质片1a的外周边的内侧，以给定的间隔分开支承孔，所以，接地电极20a可以形成至电介质片1a的外周边上。因而，接地电极20a可以形成至最容易受到外部影响的叠层体1的外周边部分，其结果是，能够提高叠层体1的屏蔽性。
并且，如图4所示，为了使位于叠层体1的外周边的电极宽度比内侧的电极宽度大，将高频端子2(包括：天线端子10a、发送端子6a、接收端子11a)的形状形成为近乎D字形。
将叠层体1安装到电路基片上时，因叠层体1和电路基片的热收缩差别造成的应力和因外部冲击等造成的应力都集中在叠层体1的外周边部分，因此，为了防止高频端子2(包括：天线端子10a、发送端子6a、接收端子11a)的剥离，就将位于叠层体1的外周边一侧的高频端子2(包括：天线端子10a、发送端子6a、接收端子11a)的电极宽度设定为较大，并抑制该应力集中。并且，因将朝向叠层体1的内部的高频端子2(包括：天线端子10a、发送端子6a、接收端子11a)的电极宽度设定得较细，所以抑制了高频端子2(包括：天线端子10a、发送端子6a、接收端子11a)和设置在叠层体1内的电路电极的不需要的耦合(例如，高频端子11a和电容器电极21a的耦合)。
即，图10所示的现有的高频端子2是从叠层体1的下表面绕到侧面的，在电路基片上安装时，在该侧面部分的高频端子2部分上形成焊锡嵌条，所述应力分散到该侧面部分，所以其剥离强度较高，并且，相对于高频端子2来说，在应力集中较高的安装面的外周边部分上不形成高频端子2的头部，所以确保了较高的剥离强度。但是，如所述那样，为了提高高频开关组件的屏蔽性，仅在叠层体1的安装面形成高频端子2时，需要考虑高频端子2的剥离强度较低的问题。抑制该剥离强度较低的问题是非常重要的，在本实施例中，在确保叠层体1和电路基片的连接强度的方面，需要增大高频端子2的连接面积，在确保该面积方面，增大叠层体1的应力集中较大的外周边部分的电极宽度、并缩小朝向内侧的电极宽度，这种构造是非常有效的办法。
并且，就高频端子2的具体形状来说，如图4所示，如果是近乎D字形，在可以形成增大叠层体1的外周边部分的电极宽度、并缩小朝向内侧的电极宽度的构造的同时，在D字的圆弧部分不存在应力容易集中的角部，可以确保高频端子2的安装可靠性。
而且，在形成高频端子2的方面，高频端子2的头部和叠层体1的外周边之间设为给定的间隔，所以更能提高高频端子2的剥离强度。
在形成叠层体1时，通常在大开张的电介质片上形成多个电极图形，是将该大开张的电介质片叠层之后进行每个叠层体1的切断加工的，在叠层体上包含着因印刷造成的电极图形的尺寸可变性和因叠层造成的位置可变性，所以如果在高频端子2的头部和叠层体1的外周边之间不设定给定的间隔，就会在进行切断加工时，将高频端子2的电极部分切断。此时，因切断的外力，高频端子2就会从叠层体1的表面剥离，因将高频端子2的头部和叠层体1的外周边之间设为给定间隔，就可以消除这种问题，能够确保给定的剥离强度。
并且，除了所述的端子电极2之外，在叠层体1的安装面上形成的电极还包括：相当于图2所示的控制高频转换的开—关的控制通道13的控制端子13a和与外部接地连接的接地端子19a。并且，除这以外，如图5所示，作为另外用途，设置用于连接叠层体1和电路基片的连接电极36a，所以可以增加叠层体1和电路基片的连接面积，分散附加在对于高频开关组件的电路构成重要的高频端子2和控制端子13a上的外部应力，可以提高产品的安装可靠性。而且，从叠层体1是矩形这点上来看，在应力比较集中的叠层体1的角部形成这种连接电极36a，是特别有效果的。
并且，在设计安装叠层体1的电路基片时，最好是将高频端子2和控制端子13a配置在叠层体1的外周边部分，随着高频开关组件的小型化，叠层体1的安装面中的各电极也必然地变小。因此，缓和附加在该高频端子和控制端子上的应力对于确保安装的可靠性是重要的，在安装面的中央部分设置独立于其他端子(包括：高频端子2、控制端子13a、接地端子19a)的连接端子13a，增加与外部的连接面积，这是非常有效的。
而且，最好是将连接电极36a设置在叠层体1的安装面的中央或相对于中央对称的位置上。在电路基片上安装叠层体1时，采用使用乳状焊锡的逆向安装，随着焊锡的溶融，取得自对准的效果，提高高频端子2和连接该高频端子2的电路基片的安装表面的定位精度，就可以使在高频性能方面成为电感成分的连接焊锡稳定化，能够达到稳定装有高频开关组件的高频仪器的特性的目的。
而且，因将安装表面的尺寸设定得比高频端子2的小，所以能抑制成为高频信号线路的安装表面和设置在叠层体1内的各电路电极的耦合，通过安装到电路基片上，可以防止高频开关组件的高频特性降低。
并且，通过将在电路基片上形成的安装表面的形状定为圆形或者具有半径为R的圆形角的矩形的表面(R最好是0.05mm以上)，能抑制因边缘效应造成的电磁场耦合增大，能更有效地降低寄生阻抗。
而且，这种连接电极36a是独立于图2所示的高频开关组件电路之外，也可以仅为提高叠层体1的安装性作为浮动电极设置的，但如果通过支承孔连接接地端子19a和被同样设置于叠层体1最下层的接地电极20a，能够提高高频开关组件的接地性，达到提高高频特性的目的。
而且，在包括高频端子2在内的各外部连接用的电极上预先形成焊锡球，所以即使是另外端子构造，并且是在安装面的中央具有连接电极36a的高频开关组件，也能牢固地安装在电路基片上。
而且，在图2所示的高频开关组件中，要想形成分别与相当于各高频端子2(包括：天线端子10a、发送端子6a、接收端子11a)的天线通道10、发送通道6、接收通道11直接连接的电容器18、19、20，未用图表示，例如，如果是形成与发送通道6连接的电容器19时，就将图4所示的发送端子6和与之相对的图3所示的电介质片1a上的接地电极20a分离，形成电容器电极，由此可以形成电容器19，因为可以将发送端子作为电容器形成用的电极共用，所以能够达到将叠层体1小型化的目的。而且，也可以同样形成电容器18、20。
并且，将堆积在叠层体1的上表面的电路部件5作为叠层电容器时，如图6所示，叠层电容器是在叠层体5a的内层连续形成多层电容器电极5b的电容器，如图7所示，将叠层电容器安装在叠层体1上，使叠层体5a的叠层方向a与所述的形成高频开关组件的叠层体1的叠层方向b近乎垂直。
根据所述构成，可以降低在叠层电容器的电容器电极5b和在叠层体1内形成的各种电极图形之间发生的寄生电容，能够抑制高频开关组件的高频特性的降低问题。
并且，将电路部件5作为基片电感器时，如图8所示，如果在形成高频开关组件的叠层体1内形成螺旋形的传输线路39，将基片电感器安装在叠层体1上，使该传输线路39的螺旋图形的卷轴方向c和基片电感器的线圈电极5c的卷轴方向d近乎垂直。根据所述构成，可以降低在螺旋图形和基片电感器之间发生的耦合，更能够抑制高频开关组件的高频特性降低。
而且，在所述的实施例中，说明了图2所示的SPDT型高频开关组件，如图9所示，在天线共用器38上并联连接2个SPDT型高频开关组件37，构成对应于双波段的高频开关组件，并且形成多端子的构造，更显著地表现所述的作用效果。

Claims (19)

1.一种高频开关组件，以开关电路和滤波器电路为主要构成，其特征在于：包括：
垒积多个电介质片的叠层体；
设置在所述叠层体的外表面上的多个高频端子；
在所述叠层体的内层部分形成，并且其中一端与所述多个高频端子的第1高频端子连接的所述开关电路；
在所述叠层体的内层部分形成，并且其中一端与所述开关电路的另一端连接，其中另一端与所述多个高频端子的第2高频端子连接的所述滤波器电路；
在所述叠层体的安装面上形成所述高频端子，并且将所述叠层体的侧面作为所述高频端子的非电极形成面。
2.根据权利要求1所述的高频开关组件，其特征在于：
开关电路的一端与第1高频端子的连接以及滤波器电路的另一端与第2高频端子的连接，是分别通过形成在叠层体内的支承孔来进行连接的。
3.根据权利要求1所述的高频开关组件，其特征在于：
在叠层体内，在比滤波器电路及开关电路更靠近安装面的一侧形成接地电极，并且形成至电介质片的外周边。
4.根据权利要求1所述的高频开关组件，其特征在于：
高频端子是沿着叠层体的安装面的外周边作为电极来形成的，并且，使所述叠层体的外周边一侧的电极宽度大于内侧的电极宽度。
5.根据权利要求4所述的高频开关组件，其特征在于：
使高频端子的电极形状成为近似D字形。
6.根据权利要求4所述的高频开关组件，其特征在于：
高频端子是在与叠层体的外周边相距给定间隔的位置上形成的。
7.根据权利要求1所述的高频开关组件，其特征在于：
使叠层体的外周形状成为矩形，同时在所述叠层体的安装面的角部，设置用于加强外部连接的连接端子。
8.根据权利要求1所述的高频开关组件，其特征在于：
使叠层体的外周形状成为矩形，同时在所述叠层体的安装面的内侧设置用于加强外部连接的连接端子。
9.根据权利要求8所述的高频开关组件，其特征在于：
将连接端子配置在安装面的近似中心点的位置上。
10.根据权利要求9所述的高频开关组件，其特征在于：
设置多个连接端子，同时将多个连接端子配置在相对于安装面中心点的近乎对称的位置上。
11.根据权利要求8所述的高频开关组件，其特征在于：
连接端子与设在叠层体内的接地电极通过形成在所述叠层体内的支承孔连接在一起。
12.根据权利要求1所述的高频开关组件，其特征在于：
在高频端子上形成有焊锡球。
13.根据权利要求1所述的高频开关组件，其特征在于：
通过使至少1个高频端子和形成构成高频开关组件的开关电路或滤波器电路的一端的内部电极对置，来形成电容器电路。
14.一种高频仪器，其特征在于：
由权利要求1所述的高频开关组件和安装该高频开关组件的电路基片构成；
使形成在所述电路基片上的安装表面形状小于设在所述高频开关组件上的高频端子形状。
15.一种高频开关组件，以开关电路和滤波器电路为主要构成，其特征在于：包括：
垒积多个电介质片的叠层体；
设置在该叠层体外表面上的多个高频端子；
在所述叠层体的内层部分形成，同时其中一端与所述多个高频端子的第1高频端子连接的所述开关电路；
在所述叠层体的内层部分形成，同时其中一端与所述开关电路的另一端连接，其中另一端与所述多个高频端子的第2高频端子连接的所述滤波器电路；
当在所述叠层体上安装形成所述开关电路或/和滤波器电路的一部分的叠层电容器时，载置所述叠层电容器，使所述叠层体的叠层方向和设在所述叠层电容器内层的多个对置的电容器电极的叠层方向近似垂直。
16.一种高频开关组件，以开关电路和滤波器电路为主要构成，其特征在于：包括：
垒积多个电介质片的叠层体；
设在该叠层体外表面上的多个高频端子；
在所述叠层体的内层部分形成，同时其中一端与所述多个高频端子的第1高频端子连接的所述开关电路；
在所述叠层体的内层部分形成，同时其中一端与所述开关电路的另一端连接，其中另一端与所述多个高频端子的第2高频端子连接的所述滤波器电路，
在所述叠层体上安装形成所述开关电路或/和滤波器电路的一部分的基片电感器时，载置所述基片电感器，使构成形成在所述叠层体内的所述开关电路或/和滤波器电路的一部分的螺旋形的传输线路的卷轴方向与所述基片电感器的线圈电极的卷轴方向近乎垂直。
17.一种高频开关组件，以开关电路和滤波器电路为主要构成，其特征在于：包括：
垒积多个电介质片的叠层体；
设在该叠层体外表面上的多个高频端子；
在所述叠层体的内层部分形成，同时其中一端与所述多个高频端子的第1高频端子连接的所述开关电路；
在所述叠层体的内层部分形成，同时其中一端与所述开关电路的另一端连接，其中另一端与所述多个高频端子的第2高频端子连接的所述滤波器电路，
关于形成所述开关电路或/和滤波器电路的一部分的带状线，是在所述叠层体内形成该带状线的一部分，同时在安装所述叠层体的电路基片一侧形成该带状线的其余部分。
18.根据权利要求17所述的高频开关组件，其特征在于：
在带状线中，对于与用于控制开关电路的控制端子连接的带状线，是在叠层体内形成该带状线的一部分，同时在安装所述叠层体的电路基片一侧形成该带状线的其余部分。
19.根据权利要求17所述的高频开关组件，其特征在于：
通过使在叠层体一侧形成的带状线的阻抗小于在电路基片一侧形成的带状线的阻抗，使所形成的总的电气长度小于λ/4。
CNB011316969A 2000-12-28 2001-12-27 高频开关组件及安装该高频开关组件的高频仪器 Expired - Fee Related CN1300939C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000400404 2000-12-28
JP2000400404A JP3791333B2 (ja) 2000-12-28 2000-12-28 高周波スイッチモジュールおよびこれを実装した高周波機器

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006100878257A Division CN100433323C (zh) 2000-12-28 2001-12-27 高频开关组件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1362785A true CN1362785A (zh) 2002-08-07
CN1300939C CN1300939C (zh) 2007-02-14

Family

ID=18865006

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB011316969A Expired - Fee Related CN1300939C (zh) 2000-12-28 2001-12-27 高频开关组件及安装该高频开关组件的高频仪器
CNB2006100878257A Expired - Fee Related CN100433323C (zh) 2000-12-28 2001-12-27 高频开关组件

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006100878257A Expired - Fee Related CN100433323C (zh) 2000-12-28 2001-12-27 高频开关组件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6831528B2 (zh)
EP (2) EP1220316B1 (zh)
JP (1) JP3791333B2 (zh)
KR (1) KR100412286B1 (zh)
CN (2) CN1300939C (zh)
DE (1) DE60134617D1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102356510A (zh) * 2009-03-16 2012-02-15 株式会社村田制作所 高频开关模块

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10102201C2 (de) * 2001-01-18 2003-05-08 Epcos Ag Elektrisches Schaltmodul, Schaltmodulanordnung und verwendung des Schaltmoduls und der Schaltmodulanordnung
US7492565B2 (en) * 2001-09-28 2009-02-17 Epcos Ag Bandpass filter electrostatic discharge protection device
DE10246098A1 (de) 2002-10-02 2004-04-22 Epcos Ag Schaltungsanordnung
US7423332B2 (en) * 2003-08-26 2008-09-09 Delphi Technologies, Inc. Vertical laminated electrical switch circuit
US7468645B2 (en) 2004-01-29 2008-12-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Signal line circuit device
US20080030922A1 (en) * 2004-09-27 2008-02-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multi-Layer Capacitor and Mold Capacitor
JP2006246234A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Hitachi Metals Ltd 高周波スイッチモジュールおよびこれを用いた無線通信装置
JP5306570B2 (ja) * 2005-04-18 2013-10-02 パナソニック株式会社 振動ジャイロ
KR100816811B1 (ko) * 2006-09-15 2008-03-27 주식회사 케이엠더블유 이중전극 이중연결 고주파 스위치 및 이를 이용한 타워장착증폭장치
WO2008072530A1 (ja) * 2006-12-13 2008-06-19 Nec Corporation プリント回路基板解析システム、プリント回路基板設計支援システム、及びそれらの方法、並びにプログラム
KR100848261B1 (ko) * 2007-02-05 2008-07-25 주식회사 이엠따블유안테나 Ｒｆ 스위치 및 ｒｆ 스위치를 포함하는 장치
DE102007046728B4 (de) 2007-09-28 2013-08-22 Epcos Ag Elektrisches Bauelement
JP2011071457A (ja) * 2008-12-22 2011-04-07 Tdk Corp 電子部品及び電子部品の製造方法
EP2763323B1 (en) * 2011-09-26 2019-04-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency module
JP5737313B2 (ja) * 2013-03-28 2015-06-17 Tdk株式会社 電子部品及びその製造方法
JP6102770B2 (ja) * 2014-01-28 2017-03-29 株式会社村田製作所 高周波モジュール
DE102015206173A1 (de) * 2015-04-07 2016-10-13 Würth Elektronik eiSos Gmbh & Co. KG Elektronisches Bauteil und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils
JP6597541B2 (ja) * 2016-09-26 2019-10-30 株式会社村田製作所 電子部品

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61293097A (ja) 1985-06-21 1986-12-23 Toshiba Corp 高分子圧電型アレイ超音波探触子装置
DE4100238A1 (de) 1991-01-07 1992-07-09 Philips Patentverwaltung Viellagenplatine, insbesondere fuer hochfrequenz
JPH0574644A (ja) * 1991-09-12 1993-03-26 Sony Corp チツプ形積層セラミツクコンデンサの実装方法
RU2127946C1 (ru) * 1993-03-31 1999-03-20 Моторола Инк. Коммутационная цепь приемопередатчика и способ ее функционирования
JP2982558B2 (ja) 1993-06-14 1999-11-22 株式会社村田製作所 積層型貫通コンデンサ
JP3385599B2 (ja) 1994-01-25 2003-03-10 セイコーエプソン株式会社 印字装置のノブ構造
HU210725B (en) * 1994-05-06 1995-12-28 Fazakas Power controller containing switch with controlled running up/down
JP3297532B2 (ja) 1994-06-29 2002-07-02 京セラ株式会社 積層コンデンサ基板
JP3031178B2 (ja) 1994-09-28 2000-04-10 株式会社村田製作所 複合高周波部品
JP3235380B2 (ja) * 1994-11-30 2001-12-04 株式会社村田製作所 高周波スイッチ
JPH09200077A (ja) 1996-01-16 1997-07-31 Murata Mfg Co Ltd 複合高周波部品
JPH09129447A (ja) 1995-11-02 1997-05-16 Murata Mfg Co Ltd 積層型インダクタ
US5952709A (en) 1995-12-28 1999-09-14 Kyocera Corporation High-frequency semiconductor device and mounted structure thereof
JPH09260901A (ja) 1996-03-27 1997-10-03 Hitachi Metals Ltd スイッチ回路
JP3077056B2 (ja) 1996-09-12 2000-08-14 株式会社村田製作所 積層型電子部品
US5796169A (en) 1996-11-19 1998-08-18 International Business Machines Corporation Structurally reinforced ball grid array semiconductor package and systems
US5834994A (en) * 1997-01-17 1998-11-10 Motorola Inc. Multilayer lowpass filter with improved ground plane configuration
JPH11163630A (ja) 1997-09-08 1999-06-18 Murata Mfg Co Ltd 発振器モジュール
JP4093327B2 (ja) 1997-09-26 2008-06-04 Ｔｄｋ株式会社 高周波部品およびその製造方法
JP2983016B2 (ja) 1997-12-03 1999-11-29 日立金属株式会社 マルチバンド用高周波スイッチモジュール
EP1418679B1 (en) 1997-12-03 2006-07-26 Hitachi Metals, Ltd. Multiband high-frequency switching module
US6137062A (en) * 1998-05-11 2000-10-24 Motorola, Inc. Ball grid array with recessed solder balls
JP3186700B2 (ja) * 1998-06-24 2001-07-11 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP3563604B2 (ja) * 1998-07-29 2004-09-08 株式会社東芝 マルチチップ半導体装置及びメモリカード
US6483406B1 (en) 1998-07-31 2002-11-19 Kyocera Corporation High-frequency module using slot coupling
JP2001102957A (ja) * 1999-09-28 2001-04-13 Murata Mfg Co Ltd 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
US6456172B1 (en) * 1999-10-21 2002-09-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multilayered ceramic RF device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102356510A (zh) * 2009-03-16 2012-02-15 株式会社村田制作所 高频开关模块
CN102356510B (zh) * 2009-03-16 2014-07-02 株式会社村田制作所 高频开关模块

Also Published As

Publication number Publication date
US6831528B2 (en) 2004-12-14
EP1892760A3 (en) 2008-05-28
EP1220316A3 (en) 2004-06-23
EP1220316A2 (en) 2002-07-03
KR100412286B1 (ko) 2003-12-31
JP3791333B2 (ja) 2006-06-28
CN1881575A (zh) 2006-12-20
EP1892760A2 (en) 2008-02-27
KR20020055396A (ko) 2002-07-08
US20020084868A1 (en) 2002-07-04
CN100433323C (zh) 2008-11-12
CN1300939C (zh) 2007-02-14
EP1220316B1 (en) 2008-07-02
JP2002203924A (ja) 2002-07-19
DE60134617D1 (de) 2008-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1300939C (zh) 高频开关组件及安装该高频开关组件的高频仪器
CN1274059C (zh) 天线装置
EP0617478B1 (en) Laminated dielectric resonator and dielectric filter
US8072294B2 (en) Filter having switch function and band pass filter
US5880649A (en) Multilayered frequency separator
KR20040062652A (ko) 듀얼 밴드 안테나 장치 및 무선 통신 장치
KR20040017828A (ko) 안테나 장치
US6819289B2 (en) Chip antenna with parasitic elements
CN1262795A (zh) 无线电设备的环形天线
CN1605154A (zh) 耦合器、集成电子元件和电子设备
CN1258832C (zh) 具有缝隙天线的无线通信装置
KR100512794B1 (ko) 필터 부품 및 통신기 장치
US7671704B2 (en) LC resonant circuit
CN1885612A (zh) 传送电路、天线共用器、高频开关电路
JP2005303940A (ja) アンテナスイッチ回路、ならびにそれを用いた複合高周波部品および移動体通信機器
EP1067619A1 (en) Low-pass filter
CN1679207A (zh) 天线元件及移动电话
CN1180560C (zh) 移动通信设备的前端模块
CN1692525A (zh) 天线和使用了天线的电子设备
JP3887805B2 (ja) ダイオードスイッチ
KR101672035B1 (ko) 안테나 대역폭 확장장치
US20220278700A1 (en) Filter, antenna module, and radiating element
US20230199942A1 (en) Filter module, filter element, and electronic device
JP3415595B2 (ja) ダイオードスイッチおよびダイオードスイッチの切り換え方法
CN1175562C (zh) 电介质分层装置及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20070214

Termination date: 20100127