CN1351319A - 薄膜晶体管平面显示器及其制作方法 - Google Patents

Abstract

一种薄膜晶体管平面显示器及其制作方法,其显示器制作在基板上,基板包括晶体管区及连接垫区。其方法是先分别在晶体管区及连接垫区上各形成栅极电极及垫电极,接着在基板上沉积第一绝缘层,并在连接垫区上的第一绝缘层中形成连接垫开口。随后在第一绝缘层上依序沉积第二绝缘层、半导体层、掺杂硅导电层及第二金属层,然后在晶体管区内定义通道区。最后在基板上形成图案化保护层,接着蚀刻未被保护层遮蔽的半导体层与第二绝缘层。

Description

薄膜晶体管平面显示器 及其制作方法

本发明涉及一种薄膜晶体管平面显示器的制作方法与其相对应的结构。

薄膜晶体管平面显示器，特别是薄膜晶体管液晶显示器(thin filmtransistor display，以下简称TFT-LCD)，主要是利用成矩阵状排列的薄膜晶体管，配合适当的电容、转接垫等电子元件来驱动液晶像素，以产生丰富亮丽的图形。由于TFT-LCD具有外型轻薄、耗电量少以及无辐射污染等特性，因此被广泛地应用在笔记本电脑(notebook)、个人数字助理(PDA)等便携式信息产品上，甚至已有逐渐取代传统台式电脑的CRT监视器的趋势。

请参考图1A至图1H，图1A至图1H为现有薄膜晶体管液晶显示器10的晶体管(transistor)的制作工艺示意图。现有TFT-LCD 10的晶体管是制作在一玻璃基板(glass substrate)12的表面上。如图1A所示，现有TFT-LCD 10的制作工艺首先在玻璃基板12的表面上全面沉积一铝金属层14以及一覆盖层(cap layer)16，接着进行一第一黄光暨蚀刻制作工艺(photo-etching-process，PEP)，在玻璃基板12表面形成铝金属层14与覆盖层16的图案(pattem)，以做为一栅极电极。

随后如图1B所示，在玻璃基板12上依序全面沉积一绝缘层18、一非晶硅(amorphous silicon)层20以及一掺杂非晶硅(doped amorphous silicon)层22。如图1C所示，然后进行一第二黄光暨蚀刻制作工艺(PEP)，去除一晶体管区24之外的掺杂非晶硅层22与非晶硅层20，使晶体管区24之外的绝缘层18暴露出来。如图1D所示，在完成第二黄光暨蚀刻制作工艺之后，接着在玻璃基板12表面上全面沉积一金属层26。随后如图1E所示，进行一第三黄光暨蚀刻制作工艺，以定义金属层26的图形。接着以金属层26为掩模(hard mask)，向下蚀刻掺杂非晶硅层22，残余的掺杂非晶硅层22与金属层26分别用来做为一源极导电层28以及一漏极导电层30。

如图1F所示，在第三黄光暨蚀刻制作工艺之后，在玻璃基板12的表面上全面沉积一保护层32。如图1G所示，接着进行一第四黄光暨蚀刻制作工艺，以定义保护层32的图形，并在漏极导电层30的表面上形成一漏极开口34。随后在玻璃基板12的表面上再全面沉积一氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)层32，ITO层32并填入漏极开口34之内。

最后，如图1H所示，进行一第五黄光暨蚀刻制作工艺，以形成ITO层36的图案，使漏极导电层30与一显示区域(未显示)电导通。TFT-LCD 10即利用晶体管来控制显示区域的明亮。

现有TFT-LCD 10的制作方法需要多达五道的黄光暨蚀刻制作工艺，才形成做为开关元件的晶体管，此举不仅增加制作工艺的成本与时间，并使得TFT-LCD 10的制作工艺良率难以进一步提高。此外，TFT-LCD尚包括有许多其他的电子元件，为了节省成本并降低制作工艺的复杂程度，必须将相关的电子元件整合在单一的制作工艺中，才得以与廉价的CRT监视器相抗衡，加速取代CRT监视器的市场。

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管平面显示器的制作方法，其可以在不改变制作工艺参数的前提下，制造多种不同的电容，并且降低晶体管与电容的电阻值。

本发明的目的是这样实现的，即提供一种薄膜晶体管平面显示器的制作方法，该显示器制作于一基板(substrate)上，该基板包括一第一部分与一第二部分，该第一部分包括有一晶体管(transistor)区，用来形成一晶体管，该第二部分包括有一连接垫(pad)区，用来形成一连接垫，该制作方法包括有下列步骤：(a)在该基板表面上沉积一第一金属层；(b)定义该第一金属层的图案，用以于该晶体管区形成一栅极电极，且在该连接垫区形成一垫电极；(c)在该基板上形成一第一绝缘层，并定义该第一绝缘层的图案，在该连接垫区形成一连接垫开口，使该垫电极暴露出来；(d)在该第一绝缘层上依序沉积一第二绝缘层、一半导体层、一掺杂硅(doped silicon)导电层以及一第二金属层；(e)在该晶体管区内定义一通道区，同时去除该通道内以及该晶体管区外的第二金属层与该掺杂硅导电层，如此使在该晶体管区内残留的第二金属层形成一源极金属层与一漏极金属层，且该源极金属层与该漏极金属层被该通道区所间隔，并使该半导体层暴露于该晶体管区外；(f)在该基板上全面沉积一保护层(passivation layer)；以及(g)定义该保护层的图案，去除该第一部分外的保护层，如此使该半导体层暴露于该第一部分以外的区域，接着，以该保护层为蚀刻遮罩，去除未被该保护层遮蔽的半导体层与该第二绝缘层，如此使该第一绝缘层暴露于该第一部分外的区域，且使该垫电极暴露于该连接垫开口中。

本发明还提供一种薄膜晶体管平面显示器的制作方法，该显示器制作于一基板(substrate)上，该基板包括一第一部分、一第二部分以及一第三部分，该第一部分包括有一晶体管(transistor)区，用来形成一晶体管，该第二部分包括有一连接垫(pad)区，用来形成一连接垫，该第三部分包括有一电容(capacitor)区，用来形成一电容，该制作方法包括有下列步骤：(a)在该基板表面上沉积一第一金属层；(b)定义该第一金属层的图案，用以于该晶体管区形成一栅极电极，在该电容区形成一电容下电极，且在该连接垫区形成一垫电极；(c)在该基板上形成一第一绝缘层，并定义该第一绝缘层的图案，在该连接垫区形成一连接垫开口，使该垫电极暴露出来；(d)在该第一绝缘层上依序沉积一第二绝缘层、一半导体层、一掺杂硅(doped silicon)导电层以及一第二金属层；(e)在该晶体管区内定义一通道区，同时去除(1)该通道内，以及(2)该晶体管区与该电容区外的第二金属层与该掺杂硅导电层，如此使在该晶体管区内残留的该第二金属层形成一源极金属层与一漏极金属层，且该源极金属层与该漏极金属层被该通道区所间隔，使在该电容区内残留的第二金属层形成一电容上电极，并使该半导体层暴露于该晶体管区与该电容区外；(f)在该基板上全面沉积一保护层(passivation layer)，使其覆盖该晶体管区，该电容区与该连接垫区，且该保护层会填入该通道区内；以及(g)定义该保护层的图案，先在该源极金属层上定义一源极开口，在该漏极金属层上定义一漏极开口，在该电容区中定义一电容开口，同时去除(1)该第一部分与该第三部分以外的保护层及(2)该源极开口内、该漏极开口内、与该电容开口内的保护层，如此使(1)该半导体层暴露于该第一部分与该第三部分以外的区域，并在(2)该源极金属层暴露于该源极开口，该漏极金属层暴露于该漏极开口，该电容上电极暴露于该电容开口；(h)以该保护层为蚀刻遮罩，同时去除未被该保护层遮蔽的半导体层与该第二绝缘层，如此使(1)该第一绝缘层暴露于该第一部分与该第三部分以外的区域，(2)使该垫电极暴露于该连接垫开口中；(i)在该基板上全面形成一透明导电层，该透明导电层并填入该源极开口、该漏极开口、该电容开口与该连接垫开口内；以及(j)定义该透明导电层的图案，使该透明导电层间隔成彼此电隔绝的一源极区块，一漏极区块与一连接垫区块，其中该源极区块经由该源极开口与该源极金属层电导通，该漏极区块经由该漏极开口与该漏极金属层电导通，该连接垫区块经由该连接垫开口与该垫电极电导通，且该透明导电层与该电容上电极电导通。

本发明还提供一种薄膜晶体管平面显示器，其包括：一基板；一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：一栅极电极形成在该基板上；一晶体管绝缘层以及一晶体管半导体层依序形成在该栅极电极上；一第一掺杂硅层与一第二掺杂硅层形成在该晶体管半导体层上，该第一与该第二掺杂硅层之间间隔一通道区；一源极导电层形成在该第一掺杂硅层上；一漏极导电层形成在该第二掺杂硅层上；以及一晶体管保护层覆盖该通道区、该源极导电层、与该漏极导电层；一栅极接点，该栅极接点包括：一垫电极形成在该基板上，该垫电极与该栅极电极电导通；一连接垫绝缘层环绕形成在该垫电极边界上以形成一连接垫开口；该连接垫开口贯穿该连接垫绝缘层，以露出该垫电极；其中，该晶体管绝缘层侧壁与该晶体管半导体层侧壁实质上二者是切齐，该源极导电层侧壁与该第一掺杂硅层侧壁实质上二者是切齐。

本发明还提供一种薄膜晶体管平面显示器(thin film transistor display)的制作方法，该显示器制作在一基板(substrate)上，该基板上包括一第一部分与一第二部分，该第一部分包括一晶体管(transistor)区，用来形成一晶体管，该第二部分包括一连接垫(pad)区，用来形成一连接垫，该制作方法包括有下列步骤：(a)在该基板表面上沉积一第一金属层；(b)定义该第一金属层的图案，用以在该晶体管区形成一栅极电极，且在该连接垫区形成一垫电极；(c)在该基板上依序沉积一绝缘层、一半导体层、一掺杂硅(doped silicon)导电层以及一第二金属层；(d)在该晶体管区内定义一通道区，同时去除(1)该第一部分中该通道区内与该晶体管区外(2)该第二部分的第二金属层与该掺杂硅导电层，如此使在该晶体管区内残留的第二金属层形成一源极金属层与一漏极金属层，且该源极金属层与该漏极金属层被该通道区所间隔，并使该半导体层暴露于该晶体管区外；(e)在该基板上全面沉积一保护层(passivation layer)，使其覆盖该晶体管区与该连接垫区，且该保护层会填入该通道区内；以及(f)定义该保护层的图案，先在该连接垫区中定义一连接垫开口，同时去除(1)该第一部分以外与(2)该第二部分以外及该连接垫开口内的保护层，如此使半导体层暴露于(1)该第一部分以外区域及(2)该第二部分以外区域与该连接垫开口内；(g)以该保护层为蚀刻遮罩，同时去除未被该保护层遮蔽的(1)该第一部分以外及(2)该第二部分以外与该连接垫开口内的半导体层与该绝缘层，如此使(1)该基板暴露于该第一部分中以及该第二部分以外的区域，(2)并使该垫电极暴露在该连接垫开口中。

本发明还提供一种薄膜晶体管平面显示器，其包括：一基板；一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：一栅极电极形成在该基板上；一晶体管绝缘层以及一晶体管半导体层依序形成在该栅极电极上；一第一掺杂硅层与一第二掺杂硅层形成在该晶体管半导体层上，该第一与该第二掺杂硅层之间间隔一通道区；一源极导电层形成在该第一掺杂硅层上；一漏极导电层形成在该第二掺杂硅层之上；以及一晶体管保护层覆盖该通道区、该源极导电层、与该漏极导电层；一栅极接点，该栅极接点包括：一垫电极形成在该基板上，该垫电极与该栅极电极电导通；一连接垫绝缘层，一连接垫半导体层、以及一连接垫保护层，均依序环绕形成在该垫电极边界上以形成一连接垫开口；该连接垫开口贯穿该连接垫绝缘层、该连接垫半导体层、与该连接垫保护层，以露出该垫电极；一导电层填入该连接垫区开口内，以电连接该垫电极；其中，该晶体管绝缘层侧壁与该晶体管半导体层侧壁二者实质上是切齐的，该源极导电层侧壁与该第一掺杂硅层侧壁二者实质上是切齐的。

本发明还提供一种薄膜晶体管，其包括：一基板；一栅极电极形成在该基板上；一绝缘层以及一半导体层依序形成在该栅极电极上；一第一掺杂硅层与一第二掺杂硅层，均形成在该半导体层上，该第一与该第二掺杂硅层之间间隔一通道区；一源极导电层与一漏极导电层，分别形成在该第一掺杂硅层与该第二掺杂硅层上；以及一保护层，覆盖该通道区、该源极导电层、与该漏极导电层；其中，该绝缘层侧壁与该半导体层侧壁二者实质上是切齐的，源极导电层侧壁与该第一掺杂硅层侧壁二者实质上是切齐的。

本发明还提供一种薄膜晶体管平面显示器(thin film transistor display)的制作方法，该显示器制作在一基板上，该基板包括一第一部分与一第二部分，该第一部分包括有一晶体管(transistor)区，用来形成一晶体管，该第二部分包括有一连接垫(pad)区，用来形成一连接垫，该制作方法包括有下列步骤：(a)在该基板表面上沉积一第一金属层；(b)定义该第一金属层的图案，用以于该晶体管区形成一栅极电极，且在该连接垫区形成一垫电极；(c)在该基板上依序形成一第一绝缘层、一第二绝缘层、一半导体层、一掺杂硅(dopedsilicon)导电层以及一第二金属层；(d)在该晶体管区内定义一通道区，同时去除(1)该通道内以及(2)该晶体管区外的第二金属层与该掺杂硅导电层，如此使在该晶体管区内残留的第二金属层形成一源极金属层与一漏极金属层，且该源极金属层与该漏极金属层被该通道区所间隔，并使该半导体层暴露于该晶体管区外；(e)在该基板上全面沉积一保护层(passivation layer)；(f)定义该保护层的图案，去除该第一部分外的保护层，如此使该半导体层暴露于该第一部分以外的区域，接着，以该保护层为蚀刻遮罩，去除未被该保护层遮蔽的半导体层与该第二绝缘层，如此使该第一绝缘层暴露于该第一部分外的区域；以及(g)定义该第一绝缘层的图案，在该连接垫区形成一连接垫开口，使该垫电极暴露出来。

下面结合附图，详细说明本发明的实施例，其中：

图1A至图1H为现有薄膜晶体管液晶显示器的晶体管的制作工艺示意图；

图2A至图2G为本发明薄膜晶体管液晶显示器的第一实施例的制作工艺示意图；

图3A至图3B为本发明薄膜晶体管液晶显示器的第二实施例的示意图；

图4A至图4I为本发明制作方法的第三实施例的制作工艺示意图；

图5为本发明制作方法的第四实施例的示意图。图示的符号说明

50薄膜晶体管液晶显示器    51第一部分

52基板                    53第二部分

54晶体管区                55第三部分

56电容区                  58转接垫区

60晶体管                  62电容

64转接垫                  66金属层

66a栅极电极               66b电容下电极

66c垫电极                 68、681、682绝缘层

68a晶体管绝缘层           68b电容绝缘层

68c连接垫绝缘层           70半导体层

70a晶体管半导体层         70b电容半导体层

70c连接垫半导体层         72掺杂硅导电层

72a第一掺杂硅层           72b第二掺杂硅层

72c 电容掺杂硅层               74 金属层

74a 源极金属层                 74b 漏极金属层

74c 电容上电极                 75 通道区

76 保护层                      76a 晶体管保护层

76b 电容保护层                 76c 连接垫保护层

78a 源极开                     78b 漏极开口

78c 电容开口                    80 连接垫开口

82 透明导电层                   82a 源极区块

82b 漏极区块                    82c 连接垫区块

84a 电容绝缘层开口              84b 连接垫开口

请参考图2A至图2G，图2A至图2G为本发明薄膜晶体平面显示器50的制作工艺示意图。本发明的最佳实施例以一薄膜晶体管液晶显示器(以下简称TFT-LCD)50为例，该TFT-LCD 50是制作在一基板52的表面，基板52的表面上包括有至少一第一部分51、至少一第二部分53以及至少一第三部分55。第一部分51包括一晶体管区54，第三部分55包括有一电容(capacitor)区56，且第二部分53包括有一转接垫(pad)区58。晶体管区54、电容区56以及转接垫区58分别用来形成一晶体管60、一电容62以及一转接垫64。

本发明TFT-LCD 50的制作工艺是先在基板52的表面上全面沉积一金属层66，接着定义金属层66的图案，用以在晶体管区54内形成一栅极电极66a、在电容区56形成一电容下电极66b，且在连接垫区58形成一垫电极66c，如图2A所示。

如图2B所示，接着在基板52上依序全面沉积一绝缘层68、一半导体层(semiconductor layer)70、一掺杂硅导电层72以及一金属层74。半导体层70可选择为一多晶硅(poly-silicon)层或是一非晶硅(amorphous silicon)层，视制作工艺、显示面积等条件而定。

随后如图2C所示，定义绝缘层68、半导体层70、掺杂硅导电层72以及金属层74的图案，先在晶体管区54内定义一通道区75，同时去除(1)第一部分51中通道区75之内与晶体管区54之外、(2)第二部分53内的金属层74与该掺杂硅导电层72、(3)第三部分55中不覆盖电容下电极66b的金属层74与掺杂硅导电层72。如此使在晶体管区54之内残留的金属层74形成一源极金属层74a与一漏极金属层74b，且电容区56内残留的金属层74形成一电容上电极74c。源极金属层74a与漏极金属层74b被通道区75所间隔，且使晶体管区54与电容区56之外的半导体层70暴露出来。

紧接着如图2D所示，在半导体层70上方与金属层74的图案表面沉积一保护层(passivation layer)76。保护层76会覆盖晶体管区54、电容区56与连接垫区58，且保护层76会填入通道区75之内。

接着，定义保护层76的图案，如图2E所示，在源极金属层74a上定义一源极开口78a，在漏极金属层74b上定义一漏极开口78b，在电容区56中定义一电容开口78c，并在连接垫区58中定义一连接垫开口80。然后同时去除第一部分51、第二部分53以及第三部分55以外的保护层76，并同时去除源极开口78a、漏极开口78b、电容开口78c以及连接垫开口80内的保护层76。此时，半导体层70将暴露于第一部分51、第二部分53与第三部分55以外的区域，以及暴露在连接垫开口80之内。此外，晶体管区54内的源极金属层74a与漏极金属层74b将暴露出来，且电容上电极74c也会暴露出来。

接着以保护层76为蚀刻遮罩，同时去除未被保护层76遮蔽的且位于第一部分51、第二部分53与第三部分55以外的半导体层70与绝缘层68，并同时去除连接垫开口80之内的半导体层70以及绝缘层68。如此使(1)玻璃基板52暴露在第一部分51、第二部分53以及第三部分55以外的区域，(2)并使垫电极66c暴露在连接垫开口80之中。本发明制作方法至此，便完成晶体管60与电容62的制作。

接着如图2F所示，在基板52上沉积一透明导电层82。透明导电层82通常是由氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)所构成，且填入入源极开口78a、漏极开口78b、电容开口78c与连接垫开口80之内，使透明导电层82与源极金属层74a、漏极金属层74b、电容上电极74c以及垫电极66c产生电导通。

最后如图2G所示，定义透明导电层82的图案，使透明导电层82间隔成彼此电隔绝的一源极区块82a，一漏极区块82b与一连接垫区块82c。其中源极区块82a经由源极开口78a与源极金属层74a电导通，漏极区块82b经由漏极开口78b与漏极金属层74b电导通，且漏极区块82b经由电容开口78c与电容上电极74c电导通，而连接垫区块82c经由连接垫开口80与垫电极66c电导通。在此步骤之后，透明导电层82会电连接晶体管60与电容62，而转接垫64的制作也告一段落。

由另一方面来说，以上述制作方法所制作的TFT-LCD 50，只需四道黄光暨蚀刻制作工艺来制作。其结构包括有基板52、薄膜晶体管60、电容62以及做为栅极接点的连接垫64。如图2G所示，薄膜晶体管60包括有：一栅极电极66a形成在基板52之上；一晶体管绝缘层68a以及一晶体管半导体层70a依序形成在栅极电极66a之上；一第一掺杂硅层72a与一第二掺杂硅层72b形成在晶体管半导体层70a之上，且第一与第二掺杂硅层72a、72b之间间隔一通道区75；一源极导电层74a形成在第一掺杂硅层72a之上；一漏极导电层74b形成在第二掺杂硅层72b之上；以及一晶体管保护层76a覆盖通道区75、源极导电层74a、与漏极导电层74b。

其中，晶体管60的晶体管绝缘层68a的侧壁与晶体管半导体层70a的侧壁实质上二者是切齐，源极导电层74a的侧壁与第一掺杂硅层72a的侧壁实质上二者是切齐，而且漏极导电层74b的侧壁与第二掺杂硅层72b的侧壁实质上二者是切齐。此外，源极导电层74a的侧壁、漏极导电层74b的侧壁与晶体管绝缘层70的侧壁具有一间距。

电容62包括有：一电容下电极66b，其与栅极电极66a的组成相同；一电容绝缘层68b，覆盖在电容下电极66b之上；一电容半导体层70b、一电容掺杂硅层72c、电容上电极74c、与一电容保护层76b，形成在电容半导体层70b之上；以及一透明导电层82b，覆盖在电容保护层76b之上。电容保护层76b具有一电容开口78c，使电容上电极74c暴露在电容开口78c之中，使透明导电层82b得以填入电容开口78c，并与电容上电极74c电连接。

栅极接点包括有：一垫电极66c形成在基板52之上，垫电极66c与栅极电极66a电导通；一连接垫绝缘层68c、一连接垫半导体层70c、以及一连接垫保护层76c均依序环绕形成在垫电极66c的边界上以形成连接垫开口80。连接垫开口80贯穿连接垫绝缘层68c、连接垫半导体层70c、与连接垫保护层82c，以露出垫电极66c。透明导电层82c填入连接垫区开口80之内，以电连接垫电极66c。

晶体管保护层76a在源极导电层74a上具有源极开口78a，且在漏极导电层74b上具有漏极开口78b。TFT-LCD 10还包括有：透明源极导电层区块82a经由源极开口78a与源极导电层74a电导通；透明漏极导电层区块82b经由漏极开口78b与漏极导电层74b电导通；以及透明连接垫导电层区块82c经由连接垫开口80与垫电极66c电导通。

请参考图3A与图3B，图3A与图3B为本发明的第二实施例的示意图。第二实施例主要应用在一平面转换(in-plain-switch，IPS)型TFT-LCD上。第二实施例仅需要三道黄光暨蚀刻制作工艺，前两道黄光暨蚀刻制作工艺与第一实施例的前两道黄光暨蚀刻制作工艺完全相同。也就是说，第三实施例是先进行如图2A至图2D所示的制作工艺，而形成如图2D所示的半成品。

由于平面转换型TFT-LCD不需要大面积的透明电极来透光，而且平面转换型TFT-LCD可以直接以金属来做为液晶驱动的电极，故可省略透明导电层的制作步骤。如图3A所示，在第二实施例中，最后的步骤只需去除第一部分51、第二部分53以及第三部分55以外的保护层76、绝缘层68以及半导体层70，并在连接垫区58内形成连接垫开口80即可。

上述液晶显示器另包括有一栅极线(未显示)，可连接栅极电极66a与垫电极66c，以及一与该栅极线交错的信号线(未显示)。该信号线末端为一信号线连接垫，其截面图显示于图3B中。如图3B所示基板52依序设有一绝缘层68d、一半导体层70d以及一掺杂硅导电层72d。接着于掺杂硅导电层的一特定区域形成一第二导电层74d，最后以一保护层76d覆盖该第二导电层74d与掺杂硅导电层72d。其中，在相对应于第二导电层74d的位置设有一开口82，使第二导电层74d暴露出来，以利于与外部电路(未图示)电连接。

本发明制作方法的第二实施例的结构与第一实施例的结构相似，不同之处在于：(1)保护层76在源极导电层74a、漏极导电层74b以及电容上电极74c上不具有开口，(2)第二实施例的结构中并没有包括透明导电层。

请再参考图4A至图4I，图4A至图4I为本发明制作方法的第三实施例的制作工艺示意图。本发明第三实施例可在第三部分55a、55b以及55c分别制作三种不同的电容。如图4A所示，本发明第三实施例首先在基板52上沉积金属层66，定义金属层66的图案，再以一第一黄光暨蚀刻制作工艺(PEP-III-1)来定义金属层66的图案，以形成栅极电极66a、电容下电极66b以及垫电极66c。

如图4B所示，在基板52上全面沉积一绝缘层681。随后如图4C所示，以一第二黄光暨蚀刻制作工艺(PEP-III-2)来定义绝缘层681的图案，在电容区56c内形成一电容绝缘层开口84a，使电容下电极66b暴露出来。同时在连接垫区58内形成一连接垫开口84b，使垫电极66c暴露出来。

如图4D所示，接着在基板52的表面全面沉积一绝缘层682、半导体层70、掺杂硅导电层72以及金属层74，绝缘层682会填入电容绝缘层开口84a与连接垫开口84b之中。在此实施例中，绝缘层681与绝缘层682所形成的厚度总和与第一实施例的绝缘层68厚度相同，使两个不同实施例所形成的晶体管60的结构维持不变。

如图4E所示，以一第三黄光暨蚀刻制作工艺(PEP-III-3)来定义绝缘层682、半导体层70、掺杂硅导电层72以及金属层74的图案，先在晶体管区54之内定义通道区75，同时去除通道区75之内、晶体管区54之外以及电容区56b、56c之外的金属层74与掺杂硅导电层72。如此使在晶体管区54之内残留的金属层74形成源极金属层74a与漏极金属层74b，而且源极金属层74a与漏极金属层74b被通道区75所间隔。在电容区56b、56c之内残留的金属层74形成电容上电极74c，并使半导体层70暴露于晶体管区54与电容区56b、56c之外。

紧接着如图4F所示，在基板52表面上全面沉积保护层76，使保护层76覆盖第一部分51、第二部分53、第三部分55b、55c、晶体管区54、电容区56a、56b、56c与连接垫区58，而且保护层76会填入通道区75之内。

然后如图4G所示，进行一第四黄光暨蚀刻制作工艺(PEP-III-4)来定义保护层76的图案，去除第一部分51、第三部分55b、55c之外的保护层76，如此使第二部分53与第三部分55a的半导体层70暴露出来。在此步骤中同时在源极金属层74a上定义源极开口78a，在漏极金属层74b上定义漏极开口78b，在电容区56b、56c中定义电容开口78c，并去除源极开口78a、漏极开口78b与电容开口78c之内的保护层76。如此使晶体管区54的源极金属层74a暴露在源极开口78a，漏极金属层74b暴露在漏极开口78b，而且绝缘层也暴露于电容区66b之中，最容上电极74c暴露于电容开口78c之中。

接着，以保护层76为蚀刻遮罩，去除未被保护层76遮蔽的半导体层70与绝缘层682，如此使绝缘层681暴露于第一部分51与第三部分55b、55c之外的区域，也就是暴露在第二部分53与第三部分55a中，并且使垫电极66c暴露于连接垫开口84b之中。至此，便完成晶体管60与电容62b、62c的制作。

在图4C中形成的连接垫开口84b也可以不在第二黄光暨蚀刻制作工艺中形成，连接垫开口84b的制作也可以移到第四黄光暨蚀刻制作工艺(PEP-III-4)之后紧接着进行，也就是说将第二黄光暨蚀刻制作工艺(PEP-III-2)移到第四黄光暨蚀刻制作工艺(PEP-III-4)之后进行。

接着如图4H所示，在基板52上沉积一透明导电层82，透明导电层82会覆盖电容区56a、56b、56c，并且会填入源极开口78a、漏极开口78b、电容开口78c与连接垫开口84b之内。

最后如图4I所示，进行一第五黄光暨蚀刻制作工艺(PEP-III-5)，定义透明导电层82的图案，使透明导电层82至少间隔成彼此电隔绝的源极区块82a，漏极区块82b与连接垫区块82c。其中源极区块82a经由源极开口78a与源极金属层74a电导通，漏极区块82b经由漏极开口78b与漏极金属层78b电导通，连接垫区块82c经由连接垫开口84b与垫电极66c电导通，且透明导电层82与电容上电极74c电导通。透明导电层82将电连接晶体管60与各个电容，并完成电容62a与转接垫64的制作。

第三实施例所形成的晶体管结构与第一实施例大致相同，但是栅极接点与电容的结构则有所不同。如图4I所示，第三实施例的栅极接点包括：垫电极66c形成在基板52上，且垫电极66c与栅极电极66a电导通；连接垫绝缘层681环绕形成在垫电极66c的边界上，以形成连接垫开口84b；连接垫开口84b贯穿连接垫绝缘层681，以露出垫电极66c；连接垫区块82c经由连接垫开口84b与垫电极66c电导通。

第三实施例中具有三种不同结构的电容。电容62a包括有电容下电极66b，其与栅极电极66a的组成相同(common with the gate electrode)、绝缘层681覆盖在电容下电极66b之上、以及透明导电层82b覆盖在绝缘层681之上。透明导电层82b作为电容62a的电容上电极。

电容62b包括有电容下电极66b，其与栅极电极66a的组成相同；绝缘层681覆盖在电容下电极66b之上；绝缘层682与半导体层70形成在绝缘层681之上；掺杂硅层72、电容上电极74c、与电容保护层76c形成在半导体层70之上；以及一透明导电层82d覆盖在电容保护层76c之上。电容保护层76c具有电容开口78c，使电容上电极74c暴露于电容开口78c之中，透明导电层82d会填入电容开口78c之中，并与电容上电极74c电连接。

电容62c的结构与电容62b的结构相似，不同之处在于电容62c的绝缘层681上具有绝缘层开口84a，使电容下电极66b暴露出来，而且绝缘层682会填入绝缘层开口84a之中。则在电容62c中，电容上、下电极64、66的距离会缩短，电容值较大。

请参考图5，其为本发明的第四实施例的结构示意图。第四实施例主要应用在一平面转换(in-plain-switch，IPS)型TFT-LCD上。因为IPS型TFT-LCD不需要使用透明导电层，本发明第四实施例是结合第二与第三实施例的特征-不使用透明导电层而可形成多种电容。同样的，第四实施例的前三道黄光暨蚀刻制作工艺与第三实施例的前三道黄光暨蚀刻制作工艺完全相同，而形成如图4F所示的半成品。

如图5所示，第四实施例的第四黄光暨蚀刻制作工艺会去除第一部分51、第三部分55b、55c之外的保护层76、半导体层70与绝缘层682，而直接完成晶体管60、电容62b、电容62c及转接垫64的制作，而可应用于平面转换型TFT-LCD的制作上。因为最后不使用透明导电层，因此第三部分55a处不用于形成电容，但可用于形成一导线62a。

本发明制作方法的第四实施例的结构与第三实施例的结构相似，不同之处在于：(1)保护层76在源极导电层74a、漏极导电层74b以及电容上电极74c上不具有开口，(2)第四实施例的结构中并没有包括透明导电层。

本发明制作方法的特征在于在掺杂硅导电层72上再沉积金属层74，可降低晶体管60与电容62的电阻值，进而提高晶体管60与电容62的操作速度。在制作平面转换型TFT-LCD时，本发明方法甚至可以省略透明导电层82的制作，可大幅降低制作成本与元件的电阻值。此外，本发明方法可利用同一制作工艺形成多种不同的电容，却不至于影响晶体管60与转接垫64的结构，也不必变更电容区66的面积，可增加电路设计上的选择性。以上所述仅本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明专利的涵盖范围。

Claims (25)

1.一种薄膜晶体管平面显示器的制作方法，该显示器制作于一基板(substrate)上，该基板包括一第一部分与一第二部分，该第一部分包括有一晶体管(transistor)区，用来形成一晶体管，该第二部分包括有一连接垫(pad)区，用来形成一连接垫，该制作方法包括有下列步骤：

(a)在该基板表面上沉积一第一金属层；

(b)定义该第一金属层的图案，用以于该晶体管区形成一栅极电极，且在该连接垫区形成一垫电极；

(c)在该基板上形成一第一绝缘层，并定义该第一绝缘层的图案，在该连接垫区形成一连接垫开口，使该垫电极暴露出来；

(d)在该第一绝缘层上依序沉积一第二绝缘层、一半导体层、一掺杂硅(doped silicon)导电层以及一第二金属层；

(e)在该晶体管区内定义一通道区，同时去除该通道内以及该晶体管区外的第二金属层与该掺杂硅导电层，如此使在该晶体管区内残留的第二金属层形成一源极金属层与一漏极金属层，且该源极金属层与该漏极金属层被该通道区所间隔，并使该半导体层暴露于该晶体管区外；

(f)在该基板上全面沉积一保护层(passivation layer)；以及

(g)定义该保护层的图案，去除该第一部分外的保护层，如此使该半导体层暴露于该第一部分以外的区域，接着，以该保护层为蚀刻遮罩，去除未被该保护层遮蔽的半导体层与该第二绝缘层，如此使该第一绝缘层暴露于该第一部分外的区域，且使该垫电极暴露于该连接垫开口中。

2.如权利要求1所述的方法，其中该基板上还包括一电容区，用于形成一电容，该制作方法还包括以下步骤：

在步骤(b)定义该第一金属层的图案时，在该电容区还形成一电容下电极；

在(g)步骤定义该保护层图案时，在该源极金属层上还定义一源极开口，在该漏极金属层上还定义一漏极开口，去除该源极开口与该漏极开口内的保护层，如此使晶体管区的源极金属层与该漏极金属层暴露出来，且该第一绝缘层也暴露于该电容区中；

(h)在该基板上形成一透明导电层，该透明导电层覆盖该电容区域，且填入该源极开口、该漏极开口与该连接垫开口内；以及

(i)定义该透明导电层的图案，使该透明导电层间隔成彼此电隔绝的一源极区块，一漏极区块与一连接垫区块，其中该源极区块经由该源极开口与该源极金属层电导通，该漏极区块经由该漏极开口与该漏极金属层电导通，该连接垫区块经由该连接垫开口与该垫电极电导通，且该透明导电层在电容区域形成一电容上电极。

3.一种薄膜晶体管平面显示器的制作方法，该显示器制作于一基板(substrate)上，该基板包括一第一部分、一第二部分以及一第三部分，该第一部分包括有一晶体管(transistor)区，用来形成一晶体管，该第二部分包括有一连接垫(pad)区，用来形成一连接垫，该第三部分包括有一电容(capacitor)区，用来形成一电容，该制作方法包括有下列步骤：

(a)在该基板表面上沉积一第一金属层；

(b)定义该第一金属层的图案，用以于该晶体管区形成一栅极电极，在该电容区形成一电容下电极，且在该连接垫区形成一垫电极；

(c)在该基板上形成一第一绝缘层，并定义该第一绝缘层的图案，在该连接垫区形成一连接垫开口，使该垫电极暴露出来；

(d)在该第一绝缘层上依序沉积一第二绝缘层、一半导体层、一掺杂硅(doped silicon)导电层以及一第二金属层；

(e)在该晶体管区内定义一通道区，同时去除(1)该通道内，以及(2)该晶体管区与该电容区外的第二金属层与该掺杂硅导电层，如此使在该晶体管区内残留的该第二金属层形成一源极金属层与一漏极金属层，且该源极金属层与该漏极金属层被该通道区所间隔，使在该电容区内残留的第二金属层形成一电容上电极，并使该半导体层暴露于该晶体管区与该电容区外；

(f)在该基板上全面沉积一保护层(passivation layer)，使其覆盖该晶体管区，该电容区与该连接垫区，且该保护层会填入该通道区内；以及

(g)定义该保护层的图案，先在该源极金属层上定义一源极开口，在该漏极金属层上定义一漏极开口，在该电容区中定义一电容开口，同时去除(1)该第一部分与该第三部分以外的保护层及(2)该源极开口内、该漏极开口内、与该电容开口内的保护层，如此使(1)该半导体层暴露于该第一部分与该第三部分以外的区域，并在(2)该源极金属层暴露于该源极开口，该漏极金属层暴露于该漏极开口，该电容上电极暴露于该电容开口；

(h)以该保护层为蚀刻遮罩，同时去除未被该保护层遮蔽的半导体层与该第二绝缘层，如此使(1)该第一绝缘层暴露于该第一部分与该第三部分以外的区域，(2)使该垫电极暴露于该连接垫开口中；

(i)在该基板上全面形成一透明导电层，该透明导电层并填入该源极开口、该漏极开口、该电容开口与该连接垫开口内；以及

(j)定义该透明导电层的图案，使该透明导电层间隔成彼此电隔绝的一源极区块，一漏极区块与一连接垫区块，其中该源极区块经由该源极开口与该源极金属层电导通，该漏极区块经由该漏极开口与该漏极金属层电导通，该连接垫区块经由该连接垫开口与该垫电极电导通，且该透明导电层与该电容上电极电导通。

4.如权利要求3所述的方法，其中该方法还包括以下步骤：

在步骤(c)中定义该第一绝缘层时，在该电容区形成一电容绝缘层开口，使该电容下电极暴露出来；以及

在步骤(d)中，该第二绝缘层会填入该电容绝缘层开口中。

5.一种薄膜晶体管平面显示器，其包括：

一基板；

一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：

一栅极电极形成在该基板上；

一晶体管绝缘层以及一晶体管半导体层依序形成在该栅极电极上；

一第一掺杂硅层与一第二掺杂硅层形成在该晶体管半导体层上，该第一与该第二掺杂硅层之间间隔一通道区；

一源极导电层形成在该第一掺杂硅层上；

一漏极导电层形成在该第二掺杂硅层上；

以及一晶体管保护层覆盖该通道区、该源极导电层、与该漏极导电层；

一栅极接点，该栅极接点包括：

一垫电极形成在该基板上，该垫电极与该栅极电极电导通；

一连接垫绝缘层环绕形成在该垫电极边界上以形成一连接垫开口；

该连接垫开口贯穿该连接垫绝缘层，以露出该垫电极；

其中，该晶体管绝缘层侧壁与该晶体管半导体层侧壁实质上二者是切齐，该源极导电层侧壁与该第一掺杂硅层侧壁实质上二者是切齐。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管平面显示器，其中该源极导电层侧壁与该晶体管绝缘层侧壁具有一间距。

7.如权利要求5所述的薄膜晶体管平面显示器，其中该保护层在该源极导电层上具有一源极开口，在该漏极导电层上具有一漏极开口，且该薄膜晶体管液晶显示器还包括：

一透明源极导电层区块经由该源极开口与该源极导电层电导通；

一透明漏极导电层区块经由该漏极开口与该漏极导电层电导通；以及

一透明连接垫导电层区块经由该连接垫开口与该垫电极电导通。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管平面显示器，其中该薄膜晶体管平面显示器还包括一电容，该电容包括：

一电容下电极，与该栅极电极组成相同(common with the gateelectrode)；

一第一绝缘层，覆盖该电容下电极；以及

一透明导电层覆盖该第一绝缘层。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管平面显示器，其中该薄膜晶体管平面显示器还包括一电容，该电容依序包括：

一电容下电极，与该栅极电极组成相同；

一第一绝缘层，覆盖该电容下电极；

一第二绝缘层与一半导体层，形成在该第一绝缘层上；

一掺杂硅层、一电容上电极、与一电容保护层，形成在该半导体层上，该电容保护层具有一电容开口，使该电容上电极暴露于该电容开口中；以及

一透明导电层，覆盖该第一电容保护层，该透明导电层填入该电容开口，并与该电容上电极电连接。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管平面显示器，其中该电容的第一绝缘层上具有一第一绝缘层开口，使电容下电极暴露出来，且该第二绝缘层会填入该第一绝缘层开口中。

11.一种薄膜晶体管平面显示器(thin film transistor display)的制作方法，该显示器制作在一基板(substrate)上，该基板上包括一第一部分与一第二部分，该第一部分包括一晶体管(transistor)区，用来形成一晶体管，该第二部分包括一连接垫(pad)区，用来形成一连接垫，该制作方法包括有下列步骤：

(a)在该基板表面上沉积一第一金属层；

(b)定义该第一金属层的图案，用以在该晶体管区形成一栅极电极，且在该连接垫区形成一垫电极；

(c)在该基板上依序沉积一绝缘层、一半导体层、一掺杂硅(doped silicon)导电层以及一第二金属层；

(d)在该晶体管区内定义一通道区，同时去除(1)该第一部分中该通道区内与该晶体管区外(2)该第二部分的第二金属层与该掺杂硅导电层，如此使在该晶体管区内残留的第二金属层形成一源极金属层与一漏极金属层，且该源极金属层与该漏极金属层被该通道区所间隔，并使该半导体层暴露于该晶体管区外；

(e)在该基板上全面沉积一保护层(passivation layer)，使其覆盖该晶体管区与该连接垫区，且该保护层会填入该通道区内；以及

(f)定义该保护层的图案，先在该连接垫区中定义一连接垫开口，同时去除(1)该第一部分以外与(2)该第二部分以外及该连接垫开口内的保护层，如此使半导体层暴露于(1)该第一部分以外区域及(2)该第二部分以外区域与该连接垫开口内；

(g)以该保护层为蚀刻遮罩，同时去除未被该保护层遮蔽的(1)该第一部分以外及(2)该第二部分以外与该连接垫开口内的半导体层与该绝缘层，如此使(1)该基板暴露于该第一部分中以及该第二部分以外的区域，(2)并使该垫电极暴露在该连接垫开口中。

12.如权利要求11所述的方法，其中该方法更包括以下步骤：

在(f)步骤定义该保护层图案时，在该漏极金属层上还定义一漏极开口，在该漏极金属层上还定义一漏极开口，去除该源极开口与该漏极开口内的保护层，如此使晶体管区的源极金属层与该漏极金属层暴露出来；

(h)在该基板上形成一透明导电层，使该透明导电层填入该源极开口、该漏极开口与该连接垫开口内；以及

(i)定义该透明导电层的图案，使该透明导电层间隔成彼此电隔绝的一源极区块，一漏极区块与一连接垫区块，其中该源极区块经由该源极开口与该源极金属层电导通，该漏极区块经由该漏极开口与该漏极金属层电导通，该连接垫区块经由该连接垫开口与该垫电极电导通。

13.如权利要求12所述的方法，其中该基板上更包括一第三部分，该第三部分包括有一电容区，用于形成一电容，该制作方法更包括以下步骤：

在步骤(b)定义该第一金属层的图案时，在该电容区更形成一电容下电极；

在步骤(c)时也于该电容区形成该绝缘层、该半导体层、该掺杂硅导电层、与该第二金属层；

在步骤(d)中同时去除该第三部分中不覆盖该电容下电极的第二金属层与该掺杂硅导电层，使该电容区以外的半导体层暴露出来，且该电容区内残留的第二金属层形成一电容上电极；

在(f)步骤定义该保护层图案时，在该电容区中形成一电容开口，使该电容上电极暴露出来；以及

在(h)步骤中，该透明导电层也填入该电容开口中，且与该电容上电极电导通。

14.如权利要求11所述的方法，其中该TFT-LCD为一平面旋转(in-plain-switch，IPS)型TFT-LCD。

15.如权利要求11所述的方法，其中该半导体层为一非晶硅(amorphoussilicon)层或一多晶硅(poly-silicon)层。

16.一种薄膜晶体管平面显示器，其包括：

一基板；

一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：

一栅极电极形成在该基板上；

一晶体管绝缘层以及一晶体管半导体层依序形成在该栅极电极上；

一第一掺杂硅层与一第二掺杂硅层形成在该晶体管半导体层上，该第一与该第二掺杂硅层之间间隔一通道区；

一源极导电层形成在该第一掺杂硅层上；

一漏极导电层形成在该第二掺杂硅层之上；

以及一晶体管保护层覆盖该通道区、该源极导电层、与该漏极导电层；

一栅极接点，该栅极接点包括：

一垫电极形成在该基板上，该垫电极与该栅极电极电导通；

一连接垫绝缘层，一连接垫半导体层、以及一连接垫保护层，均依序环绕形成在该垫电极边界上以形成一连接垫开口；

该连接垫开口贯穿该连接垫绝缘层、该连接垫半导体层、与该连接垫保护层，以露出该垫电极；

一导电层填入该连接垫区开口内，以电连接该垫电极；

其中，该晶体管绝缘层侧壁与该晶体管半导体层侧壁二者实质上是切齐的，该源极导电层侧壁与该第一掺杂硅层侧壁二者实质上是切齐的。

17.如权利要求16所述的薄膜晶体管平面显示器，其中该源极导电层侧壁与该晶体管绝缘层侧壁具有一间距。

18.如权利要求16所述的薄膜晶体管平面显示器，其中该薄膜晶体管平面显示器更包括一电容，该电容包括：

一电容下电极，与该栅极电极组成相同；

一电容绝缘层，覆盖该电容下电极；

一电容半导体层、一电容掺杂硅层、一电容上电极、与一电容保护层，形成在该电容半导体层上，该电容保护层具有一电容开口，使该电容上电极暴露在该电容开口中；以及

一透明导电层，覆盖该电容保护层，且该透明导电层填入该电容开口，并与该电容上电极电连接。

19.如权利要求16所述的薄膜晶体管平面显示器，其中该晶体管保护层在该源极导电层上具有一源极开口，且在该漏极导电层上具有一漏极开口，且该薄膜晶体管液晶显示器更包括：

一透明源极导电层区块经由该源极开口与该源极导电层电导通；

一透明漏极导电层区块经由该漏极开口与该漏极导电层电导通；以及

一透明连接垫导电层区块经由该连接垫开口与该垫电极电导通。

20.一种薄膜晶体管，其包括：

一基板；

一栅极电极形成在该基板上；

一绝缘层以及一半导体层依序形成在该栅极电极上；

一第一掺杂硅层与一第二掺杂硅层，均形成在该半导体层上，该第一与该第二掺杂硅层之间间隔一通道区；

一源极导电层与一漏极导电层，分别形成在该第一掺杂硅层与该第二掺杂硅层上；以及

一保护层，覆盖该通道区、该源极导电层、与该漏极导电层；

其中，该绝缘层侧壁与该半导体层侧壁二者实质上是切齐的，该源极导电层侧壁与该第一掺杂硅层侧壁二者实质上是切齐的。

21.如权利要求20所述的薄膜晶体管，其中该源极导电层侧壁与该绝缘层侧壁具有一间距。

22.如权利要求20所述的薄膜晶体管，其中该保护层具有一漏极开口，使该漏极金属层暴露出来。

23.如权利要求22所述的薄膜晶体管，其中该薄膜晶体管更包括一透明电极，形成在该保护层上，且填入该保护层的漏极开口，并与该漏极金属层电相通。

24.一种薄膜晶体管平面显示器(thin film transistor display)的制作方法，该显示器制作在一基板上，该基板包括一第一部分与一第二部分，该第一部分包括有一晶体管(transistor)区，用来形成一晶体管，该第二部分包括有一连接垫(pad)区，用来形成一连接垫，该制作方法包括有下列步骤：

(a)在该基板表面上沉积一第一金属层；

(b)定义该第一金属层的图案，用以于该晶体管区形成一栅极电极，且在该连接垫区形成一垫电极；

(c)在该基板上依序形成一第一绝缘层、一第二绝缘层、一半导体层、一掺杂硅(doped silicon)导电层以及一第二金属层；

(d)在该晶体管区内定义一通道区，同时去除(1)该通道内以及(2)该晶体管区外的第二金属层与该掺杂硅导电层，如此使在该晶体管区内残留的第二金属层形成一源极金属层与一漏极金属层，且该源极金属层与该漏极金属层被该通道区所间隔，并使该半导体层暴露于该晶体管区外；

(e)在该基板上全面沉积一保护层(passivation layer)；

(f)定义该保护层的图案，去除该第一部分外的保护层，如此使该半导体层暴露于该第一部分以外的区域，接着，以该保护层为蚀刻遮罩，去除未被该保护层遮蔽的半导体层与该第二绝缘层，如此使该第一绝缘层暴露于该第一部分外的区域；以及

(g)定义该第一绝缘层的图案，在该连接垫区形成一连接垫开口，使该垫电极暴露出来。

25.如权利要求24所述的方法，其中该基板上更包括一电容区，用于形成一电容，该制作方法更包括以下步骤：

于步骤(b)定义该第一金属层的图案时，在该电容区更形成一电容下电极；

在(f)步骤定义该保护层图案时，在该源极金属层上更定义一源极开口，在该漏极金属层上更定义一漏极开口，去除该源极开口与该漏极开口内的保护层，如此使晶体管区的源极金属层与该漏极金属层暴露出来，且该第一绝缘层也暴露于该电容区中；

(h)在该基板上形成一透明导电层，该透明导电层覆盖该电容区域，且填入该源极开口、该漏极开口与该连接垫开口内；以及

(i)定义该透明导电层的图案，使该透明导电层间隔成彼此电隔绝的一源极区块，一漏极区块与一连接垫区块，其中该源极区块经由该源极开口与该源极金属层电导通，该漏极区块经由该漏极开口与该漏极金属层电导通，该连接垫区块经由该连接垫开口与该垫电极电导通，且该透明导电层在电容区域形成一电容上电极。

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