CN1331190C - 一种显示面板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
一种显示面板的制作方法，首先提供一基板，基板表面设有至少一薄膜晶体管，接着在基板上依序形成形成一保护层与一平坦层，并将平坦层图形化，以在平坦层内各薄膜晶体管的上方分别形成一开口，再利用平坦层为掩模来对下方的保护层进行一蚀刻工序，以在各开口下方的保护层内分别形成一通达至薄膜晶体管的第一接触孔，随后选择性移除位于各开口周围的部分平坦层，以扩大各开口，而在各第一接触孔上方形成一第二接触孔，接着再在该平坦层表面沉积一透明导电层，其中透明导电层分别经由各第一接触孔与各第二接触孔电连接至各薄膜晶体管。
Description
技术领域
本发明提供一种显示面板的制作方法，尤指一种在一显示面板内制作接触孔的方法。
背景技术
随着科技的日新月异，轻薄、省电、可携带式的智能型信息产品已经充斥了我们的生活空间，而显示器则在其间扮演了相当重要的角色，不论是手机、个人数字助理或是笔记型计算机，均需要显示器作为人机沟通的接口。近年来显示器在高画质、大画面、低成本的需求下已有很大进步，而在各式的显示器中，薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)型显示器由于可用多组方式主动驱动显示面板上的各像素电极，因此格外受到各界的重视。
在现今的薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)工序中，晶体管与其上的导电层间设有内层介电(inter-layer dielectric，ILD)层，用来隔离并保护液晶显示器面板上的电路组件，且ILD层内设有接触孔(contact hole)，使导电层能填入接触孔而电连接至下方的晶体管。因此，数据讯号可经由该接触孔内的导电层传送到晶体管的源/漏极，以进一步控制显示器面板中各像素电极的操作。
参考图1，图1为一公知显示面板10的剖面示意图。如图1所示，显示面板10包括有一基板12，其上设有一包括有多个薄膜晶体管14的驱动电路以及一覆盖在其上的介电层16，为方便说明起见，图1中仅以一薄膜晶体管14代表，然而事实上驱动电路包括有多个薄膜晶体管14。此外，显示面板10另包括有一形成在介电层16之上的平坦层18，平坦层18中并设有一接触孔22，以使形成在平坦层18上的导电层24能经由接触孔22而电连接至位于基板12表面的驱动电路，以完成其间的电连接。
一般而言，平坦层18大多是由高分子材料所构成，例如可为一光致抗蚀剂层，因此仅需利用曝光显影工序以及去光致抗蚀剂技术(descum)即可形成接触孔22，其功能在将显示面板10的表面平坦化，以利于后续显示组件的制作。然而此结构虽然制作方法简便，但往往也会有寄生电容过大的现象以及对下方的驱动电路保护能力不佳的缺点，因此，目前的薄膜晶体管显示面板技术中，也提出了一些改进的方法，例如在介电层16与平坦层18间增设一保护层，以改善其保扩能力。
参考图2，图2为另一公知显示面板50的剖面示意图。如图2所示，显示面板50的架构与前述的显示面板10相似，同样具有基板52、驱动电路54以及介电层56覆盖在其上，所不同之处在于增设一保护层58在介电层56上，之后才形成平坦层62以及导电层68。此种结构虽然可大幅强化对下方驱动电路的保护能力，并改善寄生电容过大的现象，然而由于增加保护层58的关系，在工序上也会相对繁复，与图1的结构(显示面板10)相比，显示面板50必须要借助一道额外的光刻暨蚀刻工序来限定保护层58内的第一接触孔64，之后方能利用上述的曝光显影工序及去光致抗蚀剂技术去形成在平坦层内的第二接触孔66，以使导电层68得经由第一接触孔64及第二接触孔66电连接至基板52表面的驱动电路54，因此，这种结构虽具有功效上的优点，但却会大幅提升工序的复杂度以及降低产品的生产率。此外，在制作第一接触孔64与第二接触孔66时，又存在有对位困难的问题，易因对位不准而造成后续电连结失败，造成产品可靠度的下降。
因此，如何发展出一种新的显示面板制作方法，以解决公知技术中的问题，便成为当前的重要课题。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种显示面板的制作方法，尤指一种可减少一道黄光工序的接触孔制作方法，以克服公知技术的缺点。
在本发明的最佳实施例中，提供一种显示面板的制作方法，首先提供一基板，基板表面设有至少一薄膜晶体管，接着在基板上依序形成形成一保护层与一平坦层，并将平坦层图形化，以在平坦层内各薄膜晶体管的上方分别形成一开口，再利用平坦层为掩模来对下方的保护层进行一蚀刻工序，以在各开口下方的保护层内分别形成一通达至薄膜晶体管的第一接触孔，随后选择性移除位于各开口周围的部分平坦层，以扩大各开口，而在各第一接触孔上方形成一第二接触孔，接着再在该平坦层表面沉积一透明导电层，其中透明导电层分别经由各第一接触孔与各第二接触孔电连接至各薄膜晶体管。
本发明的显示面板制作方法通过图形化的平坦层来作为蚀刻掩模，以在下方的保护层内形成接触孔，因此在可减少一道光刻工序的状况下，有效提高显示面板的防护能力以及减少寄生电容，且不至于因为多道光刻工序而衍生出额外的对位问题。
根据本发明的另一方面，提供一种显示面板的制作方法，至少包括：提供一基板，其中具有一导电区域；该基板上形成一保护层；在该保护层上形成一图形化的光致抗蚀剂层，该光致抗蚀剂层具有一开口，形成在该导电区域的上方；以该光致抗蚀剂层为掩模，进行一蚀刻工序，以在该保护层内形成一可与该导电区域电连接的第一接触孔；至少移除部份位于该开口周围的该光致抗蚀剂层，以形成一第二接触孔；以及在该光致抗蚀剂层表面形成一导电层，且该导电层经由该第一接触孔与该第二接触孔电连接至该导电区域。
附图说明
图1为公知一显示面板的剖面示意图。
图2为公知一显示面板的剖面示意图。
图3至图8为本发明优选实施例中一显示面板的制作方法示意图。
附图符号说明：
10显示面板 12基板
14薄膜晶体管 16介电层
18平坦层 22接触孔
24导电层 50显示面板
52基板 54驱动电路
56介电层 58保护层
62平坦层 64第一接触孔
66第二接触孔 68导电层
110显示面板 112基板
114栅极 115接触插塞
116介电层 118薄膜晶体管
122保护层 124平坦层
128第一接触孔 132第二接触孔
134导电层
具体实施方式
参考图3至图8，图3至图8为本发明优选实施例中显示面板的制作方法示意图。如图3所示，显示面板110包括有基板112，且基板112表面具有导电区域，本发明的一优选实施例中，显示面板110为一有机发光显示面板，且基板112上设有一驱动电路以及一介电层116覆盖在驱动电路上，而导电区域则为驱动电路的外露部分。为方便说明起见，图3中仅以一薄膜晶体管118代表驱动电路，但事实上驱动电路包括有多个薄膜晶体管118，以用来驱动显示面板110进行影像显示，而各薄膜晶体管118包括有一栅极114，以及一源、漏极分别位于栅极114的两侧，并分别通过一接触插塞115对外连接。
如图4所示，接着在显示面板110上依序形成保护层122以及平坦层124覆盖在介电层116与接触插塞115上，在本发明的一优选实施例中，保护层122包括有厚度为500埃至5000埃的氮化硅层或氧化硅层，以加强对水气及氧气的抵抗能力，改善对下方电路组件的保护能力，而平坦层124则是由有机高分子材料构成的光致抗蚀剂层，其厚度约为500埃至50000埃，用来维持表面平坦，以利后续显示组件的制作。如图5所示，接着将平坦层124图形化，以在平坦层124内的各薄膜晶体管的上方分别形成开口126，在本发明的优选实施例中，将平坦层124图形化的方法利用曝光工序来限定平坦层124的图形，再通过显影工序来去除接触插塞115上方的部分平坦层124，以形成一开口126。
如图6所示，接着再进行蚀刻工序，利用图形化的平坦层124为掩模，沿着开口126向下蚀刻保护层122，以在保护层122内形成第一接触孔128，并使基板112表面的导电区域(接触插塞115)露出。值得注意的是在该蚀刻工序中，将会因为底切(undercut)的现象来加大第一接触孔128的开口大小，使第一接触孔128顶部的平均直径大于上方开口126底部的平均直径，以提高后续电连接工序的可靠度。
如图7所示，接着至少移除部份位于开口126周围的平坦层124，以扩大各开口126，而在第一接触孔128上方形成一第二接触孔132。在本发明的优选实施例中，通过一去光致抗蚀剂(descum)工序来扩大开口126，以形成第二接触孔132，其中该第二接触孔132的平均直径大于第一接触孔128的平均直径。然而本发明中选择性移除平坦层124的方法并不限于此，而可根据平坦层124的材料来采取其它适当的工序，例如湿蚀刻工序。
如图8所示，接着在平坦层124表面沉积一导电层134，且导电层134分别经由第一接触孔128与第二接触孔132电连接至下方的各该薄膜晶体管118(也就是电连接至驱动电路)，之后可再进一步在导电层134上方制作显示面板110中的各显示组件，以完成显示面板110的制作。由于后续显示组件的制作应为本技术领域的普通技术人员所熟知，且与本发明无直接的关系，故在此不予赘述。
值得一提的是，在前述的优选实施例中，虽以一有机发光显示面板为例来说明本发明的显示面板制作方法，然而本发明并不限于此，而可应用于其它类型的显示面板，例如一液晶显示面板。此外，本发明所提供的显示面板制作方法并可应用于各式薄膜晶体管显示面板中接触孔的制作，不仅可以被应用于有源矩阵(active matrix)的显示面板，也可以被应用于无源矩阵(passivematrix)的显示面板。
与公知技术相较，本发明的显示面板制作方法是利用图形化的平坦层为掩模来蚀刻下方的保护层，以在下方的保护层内形成接触孔，因此可在省略掉一道黄光工序的状况下将工序简化，而有效提高显示面板的防护能力以及降低寄生电容。此外，由于是利用图形化的平坦层为掩模来进行蚀刻工序，因此将不会因多道黄光工序而发生所对位不准的问题，故可有效提高显示面板的可靠度。
以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明申请专利范围所作的等同变化与修饰，皆应属本发明专利的涵盖范围。
Claims (10)
1.一种显示面板的制作方法，至少包括：
提供一基板，其上具有至少一晶体管；
在该基板和晶体管之上形成一保护层；
在该保护层之上形成一平坦层；
图形化该平坦层，以形成一开口；
以该平坦层为掩模，进行一蚀刻工序，以在该开口下方的该保护层内形成一可与该晶体管电连接的第一接触孔；以及
至少移除部份位于该开口周围的该平坦层，以形成一第二接触孔，其中该第二接触孔的平均直径大于该第一接触孔的平均直径。
2.如权利要求1的方法，其特征在于：该平坦层包括一光致抗蚀剂层。
3.如权利要求2的方法，其特征在于：该方法利用一曝光工序以及一显影工序来将该平坦层图形化。
4.如权利要求2的方法，其特征在于：该方法利用一去光致抗蚀剂工序来移除部份位于该开口周围的该平坦层。
5.如权利要求1的方法，其特征在于：该保护层包括氮化硅层或氧化硅层。
6.如权利要求1的方法，其特征在于：还包括在该平坦层表面沉积一导电层，且该导电层经由该第一接触孔与该第二接触孔电连接至该晶体管；其中该导电层包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
7.如权利要求1的方法，其特征在于：该显示面板为一有机发光显示面板或一液晶显示面板。
8.一种显示面板的制作方法，至少包括：
提供一基板，其中具有一导电区域；
该基板上形成一保护层；
在该保护层上形成一图形化的光致抗蚀剂层，该光致抗蚀剂层具有一开口，形成在该导电区域的上方；
以该光致抗蚀剂层为掩模，进行一蚀刻工序，以在该保护层内形成一可与该导电区域电连接的第一接触孔；
至少移除部份位于该开口周围的该光致抗蚀剂层，以形成一第二接触孔；以及
在该光致抗蚀剂层表面形成一导电层，且该导电层经由该第一接触孔与该第二接触孔电连接至该导电区域。
9.如权利要求8的方法，其特征在于：在该保护层上形成该图形化的光致抗蚀剂层包括有下列步骤：
在该保护层上形成一光致抗蚀剂层；
进行一曝光工序，以限定该光致抗蚀剂层的图形；
进行一显影工序，以在该光致抗蚀剂层内形成该开口。
10.如权利要求8的方法，其特征在于：该方法利用一去光致抗蚀剂工序来至少移除部份位于该开口周围的该光致抗蚀剂层。
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| US5229644A (en) * | 1987-09-09 | 1993-07-20 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin film transistor having a transparent electrode and substrate |
| EP0845812A2 (en) * | 1996-11-28 | 1998-06-03 | Casio Computer Co., Ltd. | Display apparatus |
| JP2000077666A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Fujitsu Ltd | Ｉｔｏ膜接続構造、ｔｆｔ基板及びその製造方法 |
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