CN1331181C - 气体放电显示面板的制造方法、支持台、支持台的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的气体放电显示面板的制造方法，其特征在于：具备：把电极、电介质层、隔壁以及荧光体层的任一材料配置在基片上的配置工序、把形成前述配置的前述基片装载在支持台来烧成的烧成工序，前述支持台在装载前述基片的上面至少具有一个槽，该槽是从被前述基片所覆盖的被覆盖区域一直到未被前述基片覆盖的露出区域。

Description

气体放电显示面板的制造方 法、支持台、支持台的制造方法

技术领域

本发明涉及显示仪器等中所使用的气体放电显示面板的制造方法，具体是涉及：在气体放电显示面板的玻璃基片上，在通过烧成而形成电极、电介质层等的烧成工序中的玻璃基片的支持方法。

技术背景

近年来，在用于计算机或电视等的显示装置中，等离子体显示面板(以下称为“PDP”)等气体放电显示面板，作为以大型而能实现薄型轻型化的等离子体显示面板而受到了注视。

图1是一般的交流型(AC型)PDP的概略图。

如本图所示，PDP100是由相互使主面相对而配设的前面板90以及背面板91所构成。

前面板90由前面玻璃基片101、显示电极102、电介质层106和保护层107组成。

前面玻璃基片101是前面板90的基体材料，在该前面玻璃基片101上形成显示电极102。

该显示电极102由透明电极103、黑色电极膜104及总线电极105组成。

显示电极102以及前面玻璃基片101再由电介质层106以及保护层107覆盖。

背面板91由背面玻璃基片111、地址电极112、电介质层113、隔壁114以及在相邻的隔壁114之间的间隙(以下称为“隔壁槽”)的壁面上所形成的荧光体层115所组成。

前面板90以及背面板91，如图1所示，是以重叠的状态而密封，在内部形成放电空间116。

此外，本图中，表示的是背面板91的Y轴方向的端部是打开的，这只是为了易于说明构造而简易表示的，实际上，外边缘部是用密封玻璃粘接而密封的。

在放电空间116，以500～600Torr(66.5～79.8 kPa)大小的压力封入由He、Xe、Ne等稀有气体成分所构成的放电气体(封入气体)。

相邻的一对显示电极102与1个地址电极112所夹置放电空间116而交叉的区域，成为图像显示的单元。

图2是表示气体放电装置中的一种等离子体显示装置的构成图。

等离子体显示装置由PDP100和面板驱动装置119组成。

在该等离子体显示装置中，在为了使点灯的单元的X电极与地址电极112之间施加电压而使地址放电之后，通过对相邻的2个显示电极102的组施加脉冲电压来维持放电。

在PDP100中，在放电空间116，由于该维持放电而产生紫外线，由于产生的紫外线照射在荧光体层115，该紫外线变换为可视光，通过点灯单元来显示图像。

此外，在黑色电极膜104以及总线电极105的形成过程以及电介质层106的形成过程中，来烧成前面玻璃基片101。

另外，在地址电极112、电介质层113、隔壁114以及荧光体层115的形成过程中，涂敷这些材料的背面玻璃基片111也是烧成的。

在烧成工序中，配置黑色电极膜104或电介质层113等烧成对象物的前面玻璃基片101以及背面玻璃基片111(以下将这些统称为“玻璃基片”)，如图3所示，要放置在比这些基片的外形尺寸大的平板状的耐热材料上来烧成，即，放置在定位器120上来烧成。

定位器120在连续烧成炉中，由炉辊130输送，例如，在最高温度设定为590℃的温度曲线中，以装载基片的状态来烧成。

但是，在该烧成工序中，存在以下的问题。

即，如图4所示，在室温时，放置于定位器120的规定位置上的前面玻璃基片101或背面玻璃基片111，在烧成中会从规定位置移动(以下称为“位置偏移”)，前面玻璃基片101或背面玻璃基片111上的电介质层等烧成对象物不能以均匀的温度烧成，会发生所谓不均热的情况。

特别是，随着前面玻璃基片101或背面玻璃基片111的基片的外形尺寸的增大，位置偏移的发生频率有增高的倾向。

由于烧成对象物不能以均匀的温度来烧成，烧成会不完全，有时就不能得到烧成对象物的额定的特性。

例如，在电介质层106，烧成不完全时，脱媒就不充分，树脂等有机成分会残留在电介质层106内，难以确保所规定的透明度和绝缘特性。

而且，在隔壁114，在烧成不完全的场合，隔壁114自身的强度不够，在隔壁114有时会产生裂缝，此外，由于上述的烧成不完全，隔壁114的壁面的表面光洁度会不均匀，在后工序中，有时在该壁面不能形成均匀膜厚的荧光体层115。

总之，在烧成工序中，会产生气体放电显示面板的品质不良。

发明的公开

本发明是鉴于上述问题的发明，其目的在于提供：在烧成工序中不易产生品质不良的气体放电面板的制造方法、在气体放电显示面板的烧成工序中能够减少产生品质不良的定位器、以及该定位器的制造方法。

为了达到上述的目的，本发明涉及的气体放电显示面板的制造方法其特征在于：具备：把电极、电介质层、隔壁以及荧光体层的任一材料配置在基片上的配置工序、把形成前述配置的前述基片装载在支持台来烧成的烧成工序，前述支持台在装载前述基片的上面至少具有一个槽，该槽是从被前述基片所覆盖的被覆盖区域一直到未被前述基片覆盖的露出区域。

因此，在前述槽的部分所存在的气体能够跨越前述被覆盖区域以及前述露出区域而自由移动。

即，在前述基片与前述支持台的间隙，当气体压力上升时，虽然由于在前述基片产生浮力，容易产生该基片的位置偏移，但是根据前述制造方法，因为在前述被覆盖区域的槽附近的气体通过前述槽而排出，所以减轻了前述间隙的压力的上升，减轻了前述基片的浮力的产生。

所以，抑制了烧成时的位置偏移，因为难以产生不均热等，所以实现了提高烧成品质。

此外，前述槽也可以有多个，分散在前述被覆盖区域来配置。

由此，因为减轻前述基片的浮力发生的范围被分散，所以有效地减低了浮力的产生。

此外，在前述烧成中使用连续烧成炉，前述多个槽可以相对前述烧成炉的输送方向而基本垂直地配置。

由此，在从前述支持台的输送方向的前端部开始加热而温度上升的场合，因为前述支持台具有相对输送方向而垂直配置的槽，所以在各个槽的内部难以产生温度以及压力梯度。

因此，在1个槽中不会产生局部的浮力，抑制了前述基片的上浮。

此外，在前述烧成中使用连续烧成炉，前述多个槽可以相对前述烧成炉的输送方向基本平行地配置。

由此，当从前述支持台的输送方向的前端部开始加热时，因为气体向压力低的后端部移动，所以热在槽的纵向传导。

即，在支持台的输送速度慢的场合，因为在前述基片以及支持台的输送方向的热传导要比前述基片以及支持台之间(上下之间)的热传导重要，所以，由于在支持台的表面上的至少包括放置前述基片的全体范围来设置与输送方向基本平行的多个槽，所以即使在从支持台的前端缓慢加热的场合，而由于通到后端部的气体，热也传导到后端部，抑制了在前述基片以及支持台的输送方向所产生的温度梯度，抑制了不均热的发生。

此外，前述多个槽相对前述被覆盖区域的中心点或中心线可以基本对称地配置。

由此而容易使前述槽均等配置。

即，如果在前述基片与前述支持台的间隙产生气体压力的上升，则因为该气体通过相对前述被覆盖区域的中心点或中心线而基本对称配置的前述槽，所以，由于减小在前述基片上的前述间隙的压力上升的范围被分散，难以发生局部的前述压力的上升，所以更容易抑制前述基片的偏移。

此外，当形成前述装载时，前述被覆盖区域内的前述基片与前述支持台未接触的非接触区域的面积，可以是该基片面积的百分之10以上百分之70以下。

由此，抑制了前述基片的上浮，而且容易牢固地保持。

另外，前述支持台可以由以玻璃作为主要成分的材料组成。

由此，因为玻璃材料促进由于辐射而引起的前述基片以及前述支持台间的热传导，所以减轻了由于前述槽而引起的对热传导性能降低的影响。

此外，前述槽的深度可以为0.05mm以上2.0mm以下，而且，前述槽的宽度可以为5mm以上200mm以下。

由此，抑制了前述基片与前述支持台间的热传导性能的降低。

即，在不会引起烧成品质不良的情况下，而能够确保前述基片与前述支持台间的热传导性能。

另外，本发明涉及的气体放电显示面板的制造方法，其特征在于：具备：把电极、电介质层、隔壁以及荧光体层的任一材料配置在基片上的配置工序、把形成前述配置的前述基片装载在支持台来烧成的烧成工序，在形成前述装载时，前述支持台具有从被前述基片覆盖的上面部分通至该支持台下面的多个贯通孔。

由此，在前述基片与前述支持台的间隙存在的气体可以通过前述贯通孔自由地向里面侧移动。

即，在前述基片与前述支持台的间隙，当产生气体压力的上升时，虽然由于在前述基片产生浮力，容易产生该基片的位置偏移，但根据前述制造方法，因为在被前述基片覆盖的上面部分的气体通过前述多个贯通孔而向前述下面排出，所以减轻了前述间隙的压力的上升，减轻了前述基片的浮力的产生。

因此，抑制了烧成时的位置偏移，因为难以产生不均热等，所以实现了提高烧成品质。

另外，本发明的支持台，是在配置在成为气体放电显示面板基体的基片上的材料的烧成工序中，在烧成时为了装载形成前述配置的前述基片的支持台，其特征在于：在形成前述装载的情况下，前述支持台在装载前述基片的上面至少具有一个槽，该槽是从被前述基片所覆盖的被覆盖区域一直到未被前述基片覆盖的露出区域。

若把形成前述配置的前述基片装载在前述支持台来进行烧成，则在前述槽的部分存在的气体由此而能够跨越前述被覆盖区域以及前述露出区域而自由地移动。

即，在前述基片与前述支持台的间隙中，当产生气体压力的上升时，虽然由于在前述基片产生浮力，容易产生该基片的位置偏移，但根据前述制造方法，因为前述被覆盖区域的槽附近的气体通过前述槽排出，所以减轻了前述间隙的压力的上升，减轻了前述基片的浮力的产生。

因此，因为抑制了烧成时的位置偏移，难以产生不均热等，所以能够实现烧成品质的提高。

此外，前述槽具有多个，可以在前述被覆盖区域中分散而配置。

若把形成前述配置的前述基片装载在前述支持台来进行烧成，则由此而因为减轻前述基片的浮力产生的范围被分散，所以有效地减小了浮力的发生。

另外，在前述烧成中，使用连续烧成炉，前述多个槽可以相对前述烧成炉的输送方向而基本垂直地配置。

若把形成前述配置的前述基片装载在前述支持台而进行烧成，由此则在从前述支持台的输送方向的前端部开始加热而温度上升的场合，因为前述支持台具有相对输送方向而垂直配置的槽，所以，在各个槽的内部，难以产生温度以及压力梯度。

因此，在1个槽不会产生局部的浮力，抑制了前述基片的上浮。

另外，在前述烧成中，使用连续烧成炉，前述多个槽可以相对前述烧成炉的输送方向而基本平行地配置。

若把形成前述配置的前述基片装载在前述支持台而进行烧成，由此则当从前述支持台的输送方向的前端部开始加热时，因为气体向压力低的后端部移动，所以在槽的纵向热传导。

即，在支持台的输送速度慢的场合，因为在前述基片以及支持台的输送方向的热传导要比前述基片以及支持台之间(上下之间)的热传导重要，所以，由于在支持台的表面上的至少包括放置前述基片的全体范围来设置与输送方向基本平行的多个槽，所以即使在从支持台的前端缓慢加热的场合，而由于通到后端部的气体，热也传导到后端部，抑制了在前述基片以及支持台的输送方向所产生的温度梯度，抑制了不均热的发生。

另外，前述槽可以相对前述被覆盖区域的中心点或中心线而基本对称地配置。

由此而容易使前述槽均等配置。

即，在把形成前述配置的前述基片装载在前述支持台来烧成的场合，如果在前述基片与前述支持台的间隙产生气体压力的上升，则因为该气体通过相对前述被覆盖区域的中心点或中心线而基本对称配置的前述槽，所以，由于减小在前述基片上的前述间隙的压力上升的范围被分散，而难以发生局部的前述压力的上升，所以更容易抑制前述基片的偏移。

另外，当形成前述装载时，前述被覆盖区域内的前述基片与前述支持台未接触的非接触区域的面积，可以是该基片面积的百分之10以上百分之70以下。

若把形成前述配置的前述基片装载在前述支持台而进行烧成，则由此而抑制了前述基片的上浮，而且容易牢固地保持。

另外，前述支持台可以由以玻璃作为主要成分的材料组成。

若把形成前述配置的前述基片装载在前述支持台来进行烧成，由此，因为促进了由于辐射而引起的前述基片以及前述支持台间的热传导，所以减轻了由于前述槽而引起的对热传导性能降低的影响。

此外，前述槽的深度可以为0.05mm以上2.0mm以下，而且，前述槽的宽度可以为5mm以上200mm以下。

若把形成前述配置的前述基片装载在前述支持台来进行烧成，由此而能够抑制前述基片与前述支持台间的热传导性能的降低。

即，在不会引起烧成品质不良的情况下，而能够确保前述基片与前述支持台间的热传导性能。

另外，本发明涉及的支持台，是在配置在成为气体放电显示面板的基体的基片上的材料的烧成工序中，在烧成时为了装载形成前述配置的前述基片的支持台，其特征在于：在形成前述装载时，前述支持台具有从被前述基片覆盖的上面通至该支持台的下面的多个贯通孔。

若把形成前述配置的前述基片装载在前述支持台来烧成，由此而在被前述基片覆盖的贯通孔，从与被前述基片覆盖一侧的相反一侧的孔而排出前述气体。

另外，本发明涉及的支持台的制造方法，是在配置在成为气体放电显示面板的基体的基片上的材料的烧成工序中，在烧成时为了装载形成前述配置的前述基片的支持台的制造方法，其特征在于：具有槽形成工序，即，在成为前述支持台的基体的平板上面，在形成前述装载的情况下，形成从被前述基片覆盖的被覆盖区域一直到未被前述基片覆盖的露出区域的至少一个槽的槽形成工序。

若在根据本发明的制作方法制作的支持台来装载形成前述配置的前述基片而烧成，由此而在前述槽的部分存在的气体能够跨越前述被覆盖区域以及前述露出区域而自由移动。

即，在前述基片与前述支持台的间隙，当产生气体压力的上升时，虽然由于在前述基片产生浮力，容易产生该基片的位置偏移，但根据前述制造方法，因为在前述被覆盖区域的槽附近的气体通过前述槽而排出，所以减轻了前述间隙的压力的上升，减轻了前述基片的浮力的产生。

因此，抑制了烧成时的位置偏移，难以产生不均热等，所以实现了提高烧成品质。

此外，当形成前述装载时，前述被覆盖区域内的前述基片与前述支持台未接触的非接触区域的面积，可以是该基片面积的百分之10以上百分之70以下。

若把形成前述配置的前述基片装载在前述支持台来进行烧成，由此而抑制了前述基片的上浮，而且容易牢固地保持。

另外，在前述槽的形成工序中，可以通过使用喷砂法来去掉前述上面部分，而形成前述槽。

这样，在确保前述非接触区域的面积小的情况下，使用前述喷砂法能够容易地生成前述槽。

此外，在前述槽的形成工序中，可以通过使用化学的浸蚀法来熔化前述上面部分，而形成前述槽。

这样，在确保前述非接触区域的面积小的情况下，使用前述化学的浸蚀法能够容易地生成前述槽。

另外，在前述槽形成工序中，可以通过使用喷镀法，在前述上面部分将材料层叠在应配置槽之处的以外的区域来设置凸部，由此而形成前述槽。

这样，在确保前述非接触区域的面积大的情况下，使用前述喷镀法能够容易地生成前述槽。

另外，本发明涉及的支持台的制造方法，是在配置在成为气体放电显示面板的基体的基片上的材料的烧成工序中，在烧成时为了装载形成前述配置的前述基片的支持台的制造方法，其特征在于：具有贯通孔形成工序，即，在成为前述支持台的基体的平板上，在形成前述装载的情况下，形成从被前述基片覆盖的前述平板的上面通至该平板的下面的贯通孔的贯通孔形成工序。

若在根据本发明的制造方法制作的支持台上，装载形成前述配置的前述基片来烧成，这样，在前述基片与前述支持台的间隙存在的气体通过前述贯通孔而可以自由地移动至里面侧。

即，在前述基片与支持台的间隙中，当产生气体压力的上升时，虽然由于在前述基片产生浮力，而该基片易产生位置偏移，但是根据前述制造方法，因为被前述基片覆盖的上面部分的气体通过前述多个贯通孔而向前述下面排出，所以减轻了前述间隙的压力上升，减轻了前述基片的浮力的产生。

因此，抑制了烧成时的位置偏移，难以产生不均热等，所以实现了烧成品质的提高。

附图的简单说明

图1是表示一般的交流型(AC型)PDP一例的概略图。

图2是表示等离子体显示装置的构成图。

图3表示在烧成工序中的玻璃基片以及定位器的状态。

图4是说明放置在定位器上的玻璃基片的移动的图。

图5是表示本发明实施形式的定位器形状的图。

图6表示在烧成工序中的温度曲线的一例。

图7是表示由于定位器的形状的效果的图。

图8表示本发明实施形式的定位器的制造工序。

图9表示本发明实施形式的定位器形状的其它实例。

图10表示本发明实施形式的定位器形状的其它实例。

图11表示本发明实施形式的定位器形状的其它实例。

图12表示本发明实施形式的定位器形状的其它实例。

图13表示本发明实施形式的定位器形状的其它实例。

实施发明的最佳形式

[实施形式]

<构成>

本发明的实施形式的PDP，是在烧成工序中使用后述的定位器200而烧成的，构成上与一般的交流型的PDP相同。

因此，以下将图1所示的PDP100来作为本发明实施形式的PDP而予以说明。

如图1所示，本发明实施形式的PDP100是由相互主面相对而配设的前面板90以及背面板91构成。

图中，Z方向为PDP的厚度方向，xy平面相当于与PDP面平行的平面。

前面板90由前面玻璃基片101、显示电极102、电介质层106与保护层107组成。

前面玻璃基片101是成为前面板90的基体的材料，在该前面玻璃基片101上形成显示电极102。

显示电极102由透明电极103与黑色电极膜104及总线电极105构成。

透明电极103是：在前面玻璃基片101上的单面，以x方向为纵向而列状形成的多个ITO、SnO₂、ZnO等导电性金属氧化物的电极。

黑色电极膜104是：把以氧化钌为主要成分的材料在上述的透明电极103上比该透明电极103宽度窄地而在透明电极103上层叠而形成的电极膜。

总线电极105是把含有Ag的导电性材料层叠在黑色电极膜104上的电极。

电介质层106是由覆盖在形成前面玻璃基片101的显示电极102的表面全体的电介质层所构成的层，一般，使用铅系列低熔点玻璃，但也可以用铋系列低熔点玻璃、或者是铅系列低熔点玻璃与铋系列低熔点玻璃的层叠物来形成。

保护层107是由氧化镁形成的薄层，覆盖电介质层106的表面全体。

背面板91是由背面玻璃基片111、地址电极112、电介质层113、隔壁114、以及在由相邻的隔壁114之间的间隙而形成的隔壁槽的壁面所层叠的荧光体层115而构成。

背面玻璃基片111是成为背面板91的基体的材料，在该背面玻璃基片111上形成地址电极112。

地址电极112是金属电极(例如：银电极或Cr-Cu-Cr电极)，在背面玻璃基片111的单面，以y方向为纵向，列状地形成多个含有Ag的导电性材料。

电介质层113是由电介物质所构成的层，是为了覆盖形成地址电极112侧的背面玻璃基片111的全面而形成的，一般，使用铅系列低熔点玻璃，但也可以用铋系列低熔点玻璃、或者是铅系列低熔点玻璃与铋系列低熔点玻璃的层叠物来形成。

此外，在该电介质层113上，包括对齐相邻的地址电极112的间隔而形成隔壁114。

而且，在由相邻的隔壁114之间的间隙而形成的隔壁槽的壁面，形成与RGB的任一个相对应的荧光体层115。

更具体地是：该荧光体层115，通过放电的紫外线，有发光为红、绿、蓝的各种不同波长的3种光，在隔壁槽的内壁，按照红、绿、蓝的荧光体的顺序来重复地涂敷。

如图1所示，前面板90以及背面板91是以重叠的状态而密封，在内部形成放电空间116。

在放电空间116，以500～600Torr(66.5～79.8kPa)大小的压力封入由He、Xe、Ne等希有气体成分所构成的放电气体(封入气体)。

相邻的一对显示电极102与1个地址电极112所夹置放电空间116而交叉的区域，成为图像显示的单元。

如图2所示，由PDP100与面板驱动装置119构成等离子体显示装置220，在该等离子体显示装置中，在为使点灯的单元的X电极与地址电极112之间施加电压而使地址放电之后，通过对相邻的2个显示电极102的组施加脉冲电压来维持放电。

由于该维持放电而产生紫外线(波长约147nm)，由于产生的紫外线照射在荧光体层115，使该紫外线变换为可视光，通过点灯单元来显示图像。

<PDP的制造方法>

PDP100，如上所述，通过把前面板90与背面板91重叠而密封，再充填放电气体而作成。

以下，说明前面板90的制造方法。

在本发明的气体放电显示面板的制造方法中，使用蒸镀法或喷溅法等众所周知的技术，在由厚度约2.8mm的钠钙玻璃所构成的前面玻璃基片101的表面上，平行地形成多列厚度约1400埃的ITO(IndiumTin Oxide)或者SnO₂等导电性材料，由此而形成透明电极103。

另外，使用丝网印刷法或照相平板印刷法等众所周知的技术，跨越该透明电极103以及前面玻璃基片101，而形成以氧化钌为主要成分的黑色电极膜104的坯体(以下称为“黑色电极膜坯体104a”)与由Ag构成的总线电极105的坯体(以下称为“总线电极坯体105a”)。

以上，与以往的气体放电显示面板的制造方法相同。

把形成黑色电极膜坯体104a以及总线电极坯体(precursory)105a的前面玻璃基片101装载在定位器200上，例如，通过在设定为最高温度为590℃的曲线中来烧成，黑色电极膜坯体104a以及总线电极坯体105a被烧结而形成黑色电极膜104以及总线电极105。

另外，此黑色电极膜104以及总线电极105，与已经形成的透明电极103一起而构成显示电极102。

而且，在形成黑色电极膜104以及总线电极105的前面玻璃基片101的面上，利用印刷法等众所周知的技术来形成电介质层106的坯体(以下称为电介质层坯体106a)，把该前面玻璃基片101装载在定位器200上来烧成。

这样，烧结电介质层坯体106a来形成电介质层106。

另外，在该上面通过喷溅法(sputtering)等众所周知的技术来形成保护层107。

如上所述，本发明的气体放电显示面板的制造方法，在上述的烧成时，不是表面平坦的以往的定位器120，而是使用在表面形成槽的定位器200，在烧成前面玻璃基片101、背面玻璃基片111这一点上与以往是不同的。

与前面板90制造时的烧成相同，在背面板91制造时的烧成中，也可以使用上述的定位器200。

以下，说明背面板91的制造方法。

本发明的气体放电显示面板的制造方法，是利用丝网印刷法，在由厚度约2.6mm的钠玻璃构成的背面玻璃基片111的表面上，把以Ag为主成分的导电体材料以一定间隔涂敷为线条状，这样而把形成厚度约5～10μm的地址电极112的坯体(以下称为地址电极坯体112a)的背面玻璃基片111装载在定位器200上来烧成。

这样，烧结地址电极坯体112a来形成地址电极112。

另外，为了把制作的PDP作为40英寸大小的高清晰电视，把相邻的2个地址电极112的间隔设定为0.2mm以下。

接着，在形成地址电极112的背面玻璃基片111的整个面，涂敷铅系玻璃的浆料，将该背面玻璃基片111装载在定位器200上来烧成，形成厚度约20～30μm的电介质层113。

然后，再使用染色敷层的涂层方法，在电介质层113上涂敷以铅系列玻璃为主要成分、作为骨料而添加氧化铝粉末的浆料状的隔壁材料，使用喷砂法去掉目的形状区域以外的区域，由此而形成隔壁114的坯体(以下称为“隔壁坯体114a”)，通过烧成该隔壁坯体114a来形成高度约100～150μm的隔壁114。

此时，将形成隔壁坯体114a的背面玻璃基片111装载在定位器200上来完成前述烧成。

另外，隔壁114的间隔例如是大约0.36mm大小。

接着，在隔壁114的壁面上、在相邻的隔壁114间露出的电介质层113的表面涂敷含有红色(R)、荧光体、绿色(G)荧光体、蓝色(B)荧光体中任一种的荧光体油墨。

此后，在荧光体油墨干燥后进行烧成，形成各色的荧光体层115。

此时，把涂敷荧光体油墨的背面玻璃基片111也装载在定位器200上，完成前述烧成。

另外，作为构成荧光体层115的荧光体材料，这里使用材料是：

红色荧光体：(Y_xGd_1-x)BO₃:Eu

绿色荧光体：Zn₂SiO₄:Mn

蓝色荧光体：BaMgAl₁₀O₁₇:Eu³⁺

作为各荧光体材料，例如，使用平均粒径约3μm的粉末。

在涂敷荧光体油墨时，例如，从极细的喷嘴喷出荧光体油墨。

涂敷荧光体油墨后，通过在最高温度约520℃的曲线进行2小时的烧成，由此而形成荧光体层115。

如上所述，在做成前面板90以及背面板91之后，使用众所周知的PDP的制作技术，将前面板90与背面板91贴合、密封，排出内部的不纯气体，充填放电气体，完成PDP100。

本发明的气体放电显示面板的制造方法，是涉及前面板90以及背面板91在制造时的烧成工序的方法，省略将前面板90以及背面板91贴合之后的制造方法的详细说明。

<定位器的方法>

这里，对在烧成工序中使用的上述定位器200予以详细说明。

图5是本发明实施形式的定位器200的概略图。

在前面玻璃基片101以及背面玻璃基片111上烧成电介质层坯体106a等烧成对象物时，定位器200是为了支持该玻璃基片，向连续烧成炉输送烧成的支持台。

该定位器200在烧成工序中，例如，如图6所示，是在最高温度设定为590℃的曲线中反复使用的部件，是由耐热疲劳性高、例如Neoceram N-0或N-11(日本电气玻璃的商品名)等透明的耐热性玻璃材料构成。

定位器200的板厚虽根据装载的玻璃基片的大小而不同，但大约为5～8mm左右。

定位器200的外形尺寸虽根据装载的玻璃基片的大小而不同，但至少是在纵横都要超过玻璃基片的外形尺寸的尺寸。

此外，如图5所示，定位器200相对输送方向而垂直地配置了多个槽，即，具有槽250以及槽251。

槽250以及槽251的槽形状分别相同，例如，其槽宽(W)为70mm，槽深为2mm，此外，槽与槽间的间隔(d)为400mm。

当把玻璃基片装载在定位器200上时，槽250以及槽251分别是从装载前面玻璃基片101的区域跨至该区域外而形成。

因此，如图5所示，槽250分成被玻璃基片覆盖的槽部250a与未被玻璃基片覆盖的槽部250b及槽部250c，而且，槽251分成被玻璃基片覆盖的槽部251a与未被玻璃基片覆盖的槽部251b及槽部251c。

这里，对在烧成工序中，使用由具有上述槽的耐热性玻璃材料构成的定位器200的理由予以说明。

<定位器200的表面形状的效果>

定位器的表面，若细微来看，不是镜面，存在凹凸或波纹，在玻璃基片与定位器120之间存在微小间隙。

室温时放置在定位器120的正确位置的前面玻璃基片101或背面玻璃基片111，在烧成中所发生的从正确位置移动的即所谓位置偏移的原因，可以认为是因为在烧成工序中随着温度的上升，在上述间隙所存在的气体产生对流，同时上述间隙内部的压力上升，在前面玻璃基片101与定位器120之间形成如图4所示的气体层，玻璃基片上浮数十μm至数百μm数量级。

由于玻璃基片及定位器之间的热容量以及热传导系数等物性值不同，该气体的对流可以认为是因为在玻璃基片及定位器之间产生温度差而引起的，如果是不同材料，则该气体的对流发生程度会更严重。

本发明实施形式的定位器200，因为形成如上所述的槽250以及槽251，所以，如图7所示，在前面玻璃基片101与定位器120之间即使产生气体，因为该气体传至槽部250a以及槽部251a，而从槽部250b、槽部250c、槽部251b以及槽部250c排出，所以，减轻了浮力，难以产生使前述玻璃基片上浮程度的浮力，难以发生上述的位置偏移。

此外，因为本发明实施形式的定位器200具有相对输送方向而垂直配置的槽，所以，在从输送方向的定位器200的前端部开始加热、而温度上升的场合，在各个槽的内部，难以产生温度以及压力梯度，所以在1个槽不会产生局部浮力，玻璃基片难以上浮。

另外，因为通常使定位器的输送方向与玻璃基片的纵向一致，所以，槽250以及槽251与玻璃基片的纵向基本成为垂直方向配置，可以使得被玻璃基片覆盖的槽部250a以及槽部251a的面积比其它任何方向要小。

这样，因为在槽部250a以及槽部251a的范围的间隙中所存在的气体的体积也小，由于气体放出而引起的压力上升的缓和时间也减少，所以，在定位器200的输送速度快、定位器200急剧过热的场合等是有利的。

由于防止了上述的位置偏移，所以能够以更均匀的温度来烧成配置在玻璃基片上的烧成对象物，可以提高烧成品质。

<定位器200的材质效果>

另外，因为定位器200在装载玻璃基片的面上具有能够不与玻璃基片直接接触的槽，所以，相比完全没有槽的定位器120，玻璃基片上的未与定位器接触的部分的面积，即，槽部250a以及槽部251a的范围的面积大，因此，降低了定位器200与玻璃基片间的热传导性能。

通常，希望定位器与玻璃基片的温度差小，因为必须要确保某个程度的热传导性能，所以，在由金属等辐射率小的材料构成的定位器上形成槽时，槽的宽度以及槽的深度在大小上是有界限的。

相对与此，因为本发明实施形式的定位器200是透明的耐热性玻璃材料，不仅对热传导，而且对辐射热热传导也起到很大作用，所以，相比金属性的定位器，槽的宽度及深度都可以大些，本发明实施形式中的定位器的设计自由度更大。

另外，玻璃基片以及定位器的材质虽然不是相同的，但由于同样是由玻璃材料构成，所以比热、热膨胀系数以及导热系数等物性是类似的。

因此，玻璃基片及定位器之间难以产生温度差，对前述对流的产生起到了抑制作用。

<槽的具体规格>

在耐热性玻璃材料的定位器200中，经验上，槽宽在从5mm至200mm之间时，槽深即使达至2.00mm大小，也不会产生烧成时的不均热的问题。

另外，关于槽深的下限，为使产生上述位置偏移的浮力不产生，问题在于气体是否能够排出去，也要考虑到玻璃基片表面的凹凸或波纹值的影响，经验上，槽的深度若至少不在0.05mm以上，则不能有效地作为气体的连通路。

此外，在放置玻璃基片范围的槽所占的比例，即，在槽部250a以及槽部251a的面积的比例小的场合，玻璃基片与定位器200的接触面积变大，由于接触部存在的气体的对流，也会产生使玻璃基片上浮程度的浮力。

相反，若上述的比例过大，则前述接触面积变小，有时不能牢固地支持。

为了不产生这些不良情况，前述槽所占的前述范围的比例最好是百分之10以上百分之70以下。

另外，显然所谓前述接触部，是指图5中的上面图中从放置玻璃基片(此处是前面玻璃基片101)的范围中除去槽部250a以及槽部251a范围以外的范围。

此外，定位器200的槽的形成位置，最好是在包括装载玻璃基片的整个范围来形成。

即，最好是把由于气体对流而引起的浮力的减小范围分散，使局部不产生大的浮力。

从这样的观点，槽250以及槽251分别相对定位器200的中心点而基本对称地配置。

<定位器的制造方法>

以下，对于在前面板90以及背面板91在制作中，在烧成工序中所使用的定位器200的制造方法的一例予以说明。

图8表示定位器200的制造工序。

图8(a)是第1工序(感光性抗蚀剂膜形成工序)，在该工序中，例如，是在长为1280mm、宽为800mm、厚为5mm的板状的Neoceram N-0或N-11(日本电气玻璃的商品名)等透明的耐热性玻璃201上，以辊温度80℃、线压4kg/cm²、基片输送速度1m/min的条件对厚为50μm的感光性抗蚀剂膜(以下称为DFR)210进行层合

图8(b)是第2工序(曝光与显影工序)，在该工序中，因为要设置间隔为400mm、宽为70mm的平行的2个槽，因此以这样的形状而使用作成布线图案的负片型的光掩膜，用15mW/cm²输出的超高压水银灯来照射紫外线光(UV光)，由此而形成曝光部211与非曝光部212。

此时的曝光量，例如曝光量为700mJ。

例如，再利用1％碳酸钠水溶液的显影液来进行显影，之后，通过水洗而除去非曝光部212。

结果，如图8(c)所示，在DFR210形成线条状的槽。

图8(d)是第3工序(喷砂加工工序)，在该工序中，在槽形成之后，从形成DFR210的一侧完成喷砂。

更具体地，从喷嘴229将玻璃颗粒材料等研磨材料230以Air流量为1500NL/min、研磨材料供给量为1500g/min的条件下喷吹到耐热性玻璃201上，由此而对耐热性玻璃201喷砂加工而形成槽。

另外，喷砂加工时间调整为耐热性玻璃201的凹部深度为2mm的程度。

图8(e)是第4工序(感光性抗蚀剂膜的剥离工序)，在该工序中，通过把耐热性玻璃201浸渍在剥离液，例如5％氢氧化钠水溶液中，来剥离DFR210。

这样，得到具有既定的槽，即，槽250以及槽251的定位器200。

如上所述，根据本实施形式，在气体放电显示面板的烧成工序中，由于将玻璃基片放置在本发明实施形式的定位器200上来烧成，所以能够防止玻璃基片在定位器上的移动，即，能够防止位置偏移。

另外，本发明实施形式的定位器200的槽宽(W)为70mm，但如果不使玻璃基片上浮而能确保定位器的槽的面积，则并不限于该槽宽，也可以是其它值的槽宽。

此外，本发明实施形式的定位器200的槽深为2mm，而且，槽与槽的间隔(d)为400mm，但并不限定该值，在不引起玻璃基片上的烧成对象物烧成不良的范围内可以变化。

另外，本发明实施形式中的定位器200的材质是耐热性玻璃材料，但也可以是由金属为主要成分的材料、以金属的氧化物为主要成分的材料或陶瓷等构成的材料。

该场合，为了能够确保规定的烧成品质，而且不发生位置偏移，必须要重新设计定位器的槽的形状。

此外，本实施形式中的定位器200是在平板上并列2个槽的形状，但槽的数目并不限定2个，可以是2个以上。

此外，本实施形式中的定位器200是具有相对输送方向垂直配置的多个槽，但并不限定于此，例如，也可以是具有相对输送方向而基本平行配置的多个槽。

该场合，当从输送方向的定位器200的前端开始加热时，因为气体向压力低的后端部移动，所以热在槽的纵向传导。

本来，在定位器上形成槽，是阻碍了玻璃基片以及定位器间的热传导，但在定位器的输送速度慢的场合，因为在玻璃基片以及定位器的输送方向的热传导要比玻璃基片以及定位器间的(上下之间)的热传导重要，所以，在定位器的表面上，至少在涉及放置玻璃基片的整个范围，通过设置与输送方向基本平行的多个槽，由此，即使在从定位器的前端慢慢加热的场合，由于从后端部排出的气体而也向后端部热传导，所以能够抑制玻璃基片以及定位器在输送方向产生温度梯度，更难产生不均热。

此外，本实施形式的定位器200，是在平板将2个槽并列的形状，但不限定该槽的形状，只要是能把定位器与玻璃基片之间存在的气体排出到外部的槽均可，例如，如图9所示，可以是具有十字槽350的定位器300。

该场合，在定位器300上装载玻璃基片时，槽350具有被该玻璃基片覆盖的槽部350a、未被该玻璃基片覆盖的槽部350b、槽部350c、槽部350d以及槽部350e。

此外，与上述相同，作为定位器的其它实例，如图10所示，也可以是在定位器的对角线上配置槽450的定位器400。

该场合，在定位器400上装载玻璃基片时，槽450具有被该玻璃基片覆盖的槽部450a、未被该玻璃基片覆盖的槽部450b、槽部450c、槽部450d以及槽部450e。

另外，如图11所示，也可以是具有格子形状的槽550的定位器500。

该场合，在定位器500上装载玻璃基片时，槽550具有被该玻璃基片覆盖的槽部550a、未被该玻璃基片覆盖的槽部550b、槽部550c、槽部550d以及槽部550e。

另外，作为定位器的其它实例，如图12所示，也可以是具有1个槽650的定位器600。

该场合，在定位器600上装载玻璃基片时，槽650具有被该玻璃基片覆盖的槽部650a、未被该玻璃基片覆盖的槽部650b、槽部650c。

此外，本实施形式的定位器200，是在定位器200的装载玻璃基片的平面(以下称为“装载面”)上设置槽，但也可以取代在该装载面上设置槽，如图13所示，也可以是具有多个贯通孔750的定位器700，该贯通孔750是从放置玻璃基片范围的装载面向其里面贯通的贯通孔。

该场合，即使由炉辊130等而堵住下面侧的一部分，但由于其它部分存在的贯通孔，使玻璃基片不上浮程度的气体必然能够排出。

此外，在本实施的形式中，本发明的定位器200的槽是由喷砂法制作的，但并不限定此方法，例如，也可以由使用氢氟酸水溶液来熔化玻璃表面等的化学的浸蚀法来制作，此外，也可以使用喷镀法等，在玻璃表面上将材料层叠在应配置槽之处的以外的区域，设置凸部而形成前述槽。

产业上的利用可能性

本申请发明可适用于：制造用于电视以及计算机用监视器等的等离子体显示面板等的气体放电显示面板。

Claims (24)

1.一种气体放电显示面板的制造方法，其特征在于：具备：把电极、电介质层、隔壁以及荧光体层的任一材料配置在基片上的配置步骤、把形成前述配置的前述基片装载在支持台来烧成的烧成步骤，前述支持台在装载前述基片的上面至少具有一个槽，该槽是从被前述基片所覆盖的被覆盖区域一直到未被前述基片覆盖的露出区域。

2.如权利要求1所述的气体放电显示面板的制造方法，其特征在于：前述槽具有多个，分散在前述被覆盖区域中来配置。

3.如权利要求2所述的气体放电显示面板的制造方法，其特征在于：在前述烧成中，使用连续烧成炉，前述多个槽相对前述烧成炉的输送方向而垂直地配置。

4.如权利要求2所述的气体放电显示面板的制造方法，其特征在于：在前述烧成中，使用连续烧成炉，前述多个槽相对前述烧成炉的输送方向而平行地配置。

5.如权利要求2所述的气体放电显示面板的制造方法，其特征在于：前述多个槽相对前述被覆盖区域的中心点或中心线而对称地配置。

6.如权利要求2所述的气体放电显示面板的制造方法，其特征在于：当形成前述装载时，前述被覆盖区域内的前述基片与前述支持台未接触的非接触区域的面积，是该基片面积的百分之10以上百分之70以下。

7.如权利要求1至6任一项所述的气体放电显示面板的制造方法，其特征在于：前述支持台是由以玻璃作为主要成分的材料组成。

8.如权利要求7所述的气体放电显示面板的制造方法，其特征在于：前述槽的深度为0.05mm以上2.0mm以下，而且，前述槽的宽度为5mm以上200mm以下。

9.一种气体放电显示面板的制造方法，其特征在于：具备：把电极、电介质层、隔壁以及荧光体层的任一材料配置在基片上的配置步骤、把形成前述配置的前述基片装载在支持台来烧成的烧成步骤，在形成前述装载时，前述支持台具有从被前述基片覆盖的上面部分通至该支持台下面的多个贯通孔。

10.一种支持台，是在配置在成为气体放电显示面板基体的基片上的材料的烧成工序中，在烧成时为了装载形成前述配置的前述基片的支持台，在形成前述装载的情况下，前述支持台在装载前述基片的上面至少具有一个槽，该槽是从被前述基片所覆盖的被覆盖区域一直到未被前述基片覆盖的露出区域。

11.如权利要求10所述的支持台，其特征在于：前述槽具有多个，在前述被覆盖区域中分散而配置。

12.如权利要求11所述的支持台，其特征在于：在前述烧成中，使用连续烧成炉，前述多个槽相对前述烧成炉的输送方向而垂直地配置。

13.如权利要求11所述的支持台，其特征在于：在前述烧成中，使用连续烧成炉，前述多个槽相对前述烧成炉的输送方向而平行地配置。

14.如权利要求11所述的支持台，其特征在于：前述槽相对前述被覆盖区域的中心点或中心线而对称地配置。

15.如权利要求11所述的支持台，其特征在于：当形成前述装载时，前述被覆盖区域内的前述基片与前述支持台未接触的非接触区域的面积，是该基片面积的百分之10以上百分之70以下。

16.如权利要求10至15任一项所述的支持台，其特征在于：前述支持台是由以玻璃作为主要成分的材料组成。

17.如权利要求16所述的支持台，其特征在于：前述槽的深度为0.05mm以上2.0mm以下，前述槽的宽度为5mm以上200mm以下。

18.一种支持台，是在配置在成为气体放电显示面板基体的基片上的材料的烧成工序中，在烧成时为了装载形成前述配置的前述基片的支持台，在形成前述装载时，前述支持台具有从被前述基片覆盖的上面通至该支持台下面的多个贯通孔。

19.一种支持台的制造方法，是在配置在成为气体放电显示面板的基体的基片上的材料的烧成工序中，在烧成时为了装载形成前述配置的前述基片的支持台的制造方法，具有槽形成工序，即，在成为前述支持台的基体的平板上面部分，在形成前述装载的情况下，形成从被前述基片覆盖的被覆盖区域一直到未被前述基片覆盖的露出区域的至少一个槽的槽形成步骤。

20.如权利要求19所述的支持台的制造方法，其特征在于：当形成前述装载时，前述被覆盖区域内的前述基片与前述支持台未接触的非接触区域的面积，是该基片面积的百分之10以上百分之70以下。

21.如权利要求20所述的支持台的制造方法，其特征在于：在前述槽的形成工序中，通过使用喷砂法来去掉前述上面部分，而形成前述槽。

22.如权利要求20所述的支持台的制造方法，其特征在于：在前述槽的形成步骤中，通过使用化学的浸蚀法来熔化前述上面部分，而形成前述槽。

23.如权利要求20所述的支持台的制造方法，其特征在于：在前述槽的形成步骤中，通过使用喷镀法，在前述上面部分将材料层叠在应配置槽之处的以外的区域来设置凸部，由此而形成前述槽。

24.一种支持台的制造方法，是在配置在成为气体放电显示面板的基体的基片上的材料的烧成工序中，在烧成时为了装载形成前述配置的前述基片的支持台的制造方法，具有贯通孔形成步骤，即，在成为前述支持台的基体的平板上，在形成前述装载的情况下，形成从被前述基片覆盖的前述平板的上面通至该平板的下面的贯通孔的贯通孔形成步骤。

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