CN1314067C - 掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法,该荧光屏的结构是在晶面方向为(010)、(100)或(001)的Lu1-zYzAlO3衬底上生长一层闪烁薄膜Lu1-x-yCeyYxAlO3而构成,其中0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05,0≤z≤1,该荧光屏的制备方法是将晶面方向为(010)、(100)或(001)的Lu1-aYzAlO3(0≤z≤1)单晶衬底作大面积籽晶,在电阻加热液相外延炉中,在Lu1-zYzAlO3单晶的结晶温度下,与含有Lu1-x-yCeyYxAlO3多晶料的助熔剂饱和溶液接触界面上生长一层微米及亚微米量级的Lu1-x-yCeyYxAlO3单晶薄膜。该荧光屏具有高效率和高分辨率的特点。
Description
技术领域
本发明涉及一种X射线亚微米成像荧光屏,特别是一种掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法,该荧光屏可以广泛应用于医学、科学研究、工业在线检测、安全检查等射线探测领域中。
背景技术
X射线照相术是一种采用闪烁荧光增强屏(闪烁晶体或者荧光粉)和感光胶片进行X射线探测的方法,是一种传统的X射线成像技术,它在医疗诊断、金属缺陷检查等方面具有广泛的应用。但是,这种传统的X射线照相术具有效率低、费时费力、不能进行实时(real-time)观察等缺点,现在已经逐渐被淘汰。采用电荷耦合器件(CCD)或者非晶硅阵列(a-Si:H)等探测器代替X射线照相术中的感光胶片,并结合计算机控制显示,是今后X成像技术发展的重要趋势之一。与传统的X射线照相术相比,这种新型的X射线成像技术具有探测效率高、数字化程度高、可以实现在线实时检测等优点,在疾病诊断、工业无损检测、天文观察、安全检查等技术领域中有着非常广泛的应用价值。而且,随着高亮度高谐振特性的第三代同步辐射光源的发展,这种新型的X射线成像技术还将会在相衬成像、全息成像以及微层析成像等显微X射线成像领域中发挥重要的作用,而显微X射线成像将要求系统具有微米或者亚微米的分辨率、更广的动态范围、以及更快的时间分辨率等特点。闪烁荧光屏是决定X射线成像系统的空间和时间分辨率的关键因素之一。目前,成像系统中的荧光屏多数都采用微细荧光粉(粒度为1微米)制成的2-3微米厚度的荧光屏,这种荧光屏的分辨率一般也在2-3微米的量级。另外,由于荧光粉的粒度大、密度仅为相应晶态薄膜密度的一半,所以荧光粉荧光屏存在X射线吸收及光转换效率低、荧光响应时间长等缺点。为了提高显微X射线成像的分辨率,现在又发展了厚度仅为微米或者亚微米级的单晶闪烁薄膜(SCF)作为X射线成像系统的荧光屏,这种SCF荧光屏将大大提高了X射线成像的分辨率,理论上,SCF闪烁荧光屏的分辨率可达到可见光的衍射极限(约为0.3微米)。(参见:IEEE Trans.Nucl.Sci.1998年,第45卷第3期,第492页;参见:J.Opt.Sco.Am.A,1998年,第15卷第7期,第1940页)。
在先技术中主要有CsI(Tl)、Ce:YAG/YAG和Ce:LuAG/YAG等SCF荧光屏,但是这些荧光屏具有下列缺点:(1)CsI(Tl)和Ce:YAG晶体的有效原子序数以及密度都很小(Zeff分别为54.1和32,密度分别为4.52g/cm3和4.55g/cm3),因此,它们的X射线吸收能力以及射线-光转换效率较低。为了提高其分辨率必须增加薄膜的厚度,根据成像线扩展函数(LSF)知道,厚度的增加将减小荧光屏的分辨率(分辨率近似等于它们的厚度);(2)Ce:LuAG虽然有很大的有效原子序数和高的密度(Zeff=58.9,密度=6.67g/cm3),但其光输出较小(3000Ph/Mev),并且,LuAG和作为衬底的YAG之间晶格失配程度较大,这不利于在衬底上生长高质量的单晶薄膜,这将会严重影响荧光屏的光学性能;(3)另外,CsI(Tl)薄膜容易潮解,其光衰减时间较长(600ns),不适于快速实时显微X射线成像;(4)另外,在先技术中的SCF薄膜的分辨率都相对较小,约为0.7-0.8微米。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服在先技术中SCF荧光屏低密度、低光输出、长衰减时间、低分辨率等的缺点,提供一种掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法。该荧光屏应具有高效率和高分辨率的特点。
本发明的技术解决方案如下:
一种掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏,该荧光屏的结构式为Lu1-x-yCeyYxAlO3/Lu1-zYzAlO3,其中0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05,0≤z≤1,该荧光屏是在晶面方向为(010)、(100)或(001)的Lu1-zYzAlO3(0≤z≤1)衬底上生长一层Lu1-x-yCeyYxAlO3闪烁薄膜而构成的。
所述Lu1-zYzAlO3(0≤z≤1)衬底的厚度为5-30微米,所述闪烁薄膜Lu1-x-yCeyYxAlO3的厚度为0.3-10微米。
一种掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏的制备方法,其特征在于该荧光屏是将晶面方向为(010)、(100)或(001)的Lu1-zYzAlO3(0≤z≤1)单晶衬底作大面积籽晶,在电阻加热液相外延炉中,在Lu1-zYzAlO3单晶的结晶温度下,与含有Lu1-x-yCeyYxAlO3多晶料的助熔剂饱和溶液接触界面上生长一层微米及亚微米量级的Lu1-x-yCeyYxAlO3单晶薄膜。
所述的含有Lu1-x-yCeyYxAlO3(0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05)多晶料助熔剂饱和溶液的原料配比如下:
①助熔剂溶液的组分配比为8-15mol的PbO和1mol B2O3,或10-12mol Bi2O3和1-3mol的B2O3;
②Lu1-x-yCeyYxAlO3(0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05)多晶与助熔剂的重量百分比为:Lu1-x-yCeyYxAlO3/助熔剂溶液=10wt%-50wt%。
所述的电阻加热液相外延炉的结构主要包括:
炉体,炉体下部是主炉体,炉体上部是退火炉体,在炉体内,中央置有坩埚,坩埚与炉体同轴,主炉体中相对坩埚周围设有侧面发热体,侧面发热体的外围为绝热层,坩埚底下有绝热层和能够调节坩埚高低的底托,退火炉内有上侧发热体,主炉体还设有中测温热电偶,退火炉设有上测温热电偶,从炉体的上顶盖中央向下延伸一旋转提拉杆,该旋转提拉杆的下端为衬底夹具,旋转提拉杆与炉体同轴。
所述的掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏的制备方法包括下列步骤:
<1>根据选定的Lu1-x-yCeyYxAlO3多晶与助熔剂的配比称量原料,充分混合均匀后装入电阻加热液相外延炉的坩埚中并装入炉体中;
<2>将晶面方向为(100)或(010)或(001)的Lu1-zYzAlO3(0≤z≤1)的衬底晶片置入衬底夹具内,调整旋转提拉杆,使之处于坩埚的同轴位置上;
<3>以100℃/Hr的升温速度升温至1050-1200℃,熔融多晶原料Lu1-x-yCeyYxAlO3与助熔剂PbO-B2O3或Bi2O3-B2O3;使其成为饱和溶液(10),待全部溶解后,在1100-1250℃恒温5小时;
<4>逐渐下降旋转提拉杆使衬底晶片下降到离饱和助熔剂液面3-5mm处,再在Lu1-x-yCeyYxAlO3结晶温度范围900-1150℃条件下恒温2-4小时;
<5>下降旋转提拉杆使衬底晶片正好接触饱和溶液内,旋转提拉杆以100-400r/min速度旋转,根据所需生长Lu1-x-yCeyYxAlO3(0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05)薄膜厚度调节相应的生长时间,一般为3-20分钟,生长时间结束后,立即提起旋转提拉杆,使衬底脱离液面;
<6>退火,继续提起旋转提拉杆,使衬底晶片及其沉析在其上的Lu1-x-yCeyYxAlO3(0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05)薄膜进入退火炉内的上侧发热体区间,调整上发热体的功率使其温度在900℃恒温30-60分钟后,然后以50℃/hr速度降温至室温,完成Lu1-x-yCeyYxAlO3/Lu1-zYzAlO3(0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05,0≤z≤1)闪烁荧光屏的制备。
所述的步骤<5>下降旋转提拉杆之前,先调整主炉体的侧发热体的发热功率,使中测温热电偶指示为900-1150℃,再恒温1-2h,然后再下降旋转提拉杆(6)。
本发明的技术效果如下:
本发明与现有技术相比,一方面,由于铈离子掺杂的铝酸镥钇单晶Lu1-x-yCeyYxAlO3(0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05)具有重密度(随着x的减小密度从5.4增加到8.6g/cm3)、高有效原子序数、高光输出(随着x增大而增大,12000Ph/Mve和15000Ph/Mve),快衰减(18-30ns)等优点,因此,本发明的荧光屏较在先技术中荧光屏具有更高的X射线吸收系数、更高的分辨率;另一方面,衬底采用与闪烁单晶薄膜组成相同的单晶组成,不存在失配,单晶薄膜质量高,荧光屏的光学性质好。另外,这种荧光屏的发光波长在370nm左右,其衍射极限更小,这样更有利于提高荧光屏的分辨率(一般为亚微米)。
因此,采用本发明的闪烁荧光屏可以广泛应用于各种显微X射线成像应用领域中。
附图说明
图1是本发明制备Lu1-x-yCeyYxAlO3/Lu1-zYzAlO3(0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05,0≤z≤1)闪烁荧光屏所用的电阻加热液相外延炉剖面示意图。
具体实施方式
先请参阅图1,由图可见,本发明制备Lu1-x-yCeyYxAlO3/Lu1-zYzAlO3(0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05,0≤z≤1)闪烁荧光屏方法所使用的电阻加热液相外延炉的结构主要包括:
炉体1,炉体1下部是主炉体101,炉体1上部是退火炉体102。在炉体101内,中央置有坩埚9,坩埚9与炉体1同轴,主炉体101中相对坩埚9周围设有侧面发热体2,侧面发热体2的外围为绝热层11,坩埚9底下有绝热层13和能够调节坩埚9高低的底托12,退火炉102内有上侧发热体5,主炉体101还设有中测温热电偶3,退火炉102设有上测温热电偶,从炉体1的上顶盖中央向下延伸有一旋转提拉杆6,该旋转提拉杆6的下端为衬底夹具7,旋转提拉杆6与炉体1同轴。
坩埚9内置放含Lu1-x-yCeyYxAlO3(0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05)多晶料和PbO-B2O3或Bi2O3-B2O3的助溶剂饱和溶液。从炉体顶上伸下有旋转提拉杆6,在旋转提拉杆6的下端有衬底夹具7,在衬底夹具7上置有Lu1-zYzAlO3(0≤z≤1)衬底晶片,伸进坩埚9里。旋转提拉杆6与炉体1同中心轴线。在主炉体101的坩埚周围有侧面发热体2,在侧面发热体的外围有绝热层11,在坩埚9的底下有绝热层13以及有能够调节坩埚高低的底托12。在炉体1上部的退火炉102内有上侧发热体5。装置中还有中测温热电耦3,上测温热电耦4等。本发明装置中炉体1内的退火炉102使得生长完毕的荧光屏中的热应力,以防止开裂等。
本发明制备方法所采用的Lu1-x-yCeyYxAlO3(0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05)多晶料助熔剂饱和溶液是由Lu1-x-yCeyYxAlO3多晶料与助熔剂氧化铅(PbO)和三氧化二硼(B2O3)或氧化铋(Bi2O3)和三氧化二硼(B2O3)按下列配比制的:
助熔剂PbO与B2O3的摩尔比为PbO∶B2O3=(8-15)mol∶1mol;或采取助熔剂Bi2O3与B2O3,其比例为Bi2O3∶B2O3=(10-12)mol∶(1-3mol);
Lu1-x-yCeyYxAlO3(0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05)多晶与助熔剂的重量百分比为:Lu1-x-yCeyYxAlO3/助熔剂=10wt%-50wt%
现结合以下具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例1:Lu0.9999Ce0.0001AlO3/luAlO3荧光屏
所选用的电阻加热液相外延炉如图1所示的装置,主体炉101内的坩埚9为铂金坩埚。按照上述的制备工艺步骤<1>将多晶原料Lu0.9999Ce0.0001AlO3与助溶剂(PbO∶B2O3=10mol∶1mol)按重量百分比为Lu0.9999Ce0.0001AlO3/(PbO+B2O3)=0.20的配比进行称量共1000g,混合均匀后装入φ80×80mm的铂金坩埚9内;按工艺步骤<2>将尺寸为φ30×0.03mm,晶面方向为(010)的LuAlO3衬底8置于夹具7内,并将夹具7装入旋转提拉杆6底端,调整坩埚9与衬底晶片8的位置使其同轴,并且都处于主炉体101的中央;按上述步骤<3>将炉体101升温至1150℃,使原料与助熔剂熔融成饱和溶液10,并在1150℃恒温5小时后,按步骤<4>逐渐下降旋转提拉杆6,使衬底晶片8距饱和液面4mm,再在Lu0.9999Ce0.0001AlO3结晶温度范围的1050℃温度下恒温3小时;按上述工艺步骤<5>下降旋转提拉杆6使衬底晶片8刚好接触饱和溶液10内,并使旋转提拉杆6以300r/min速度旋转,在1050℃温度下恒温生长5分钟后,迅速提离旋转提拉杆6使衬底晶片及其上的单晶脱离液面,至此结晶完成;按上述工艺步骤<6>进行退火,将生长的Lu0.9999Ce0.0001AlO3单晶同衬底晶片8一起提拉至炉体1上方退火炉102的发热体5区间内,在900℃温度下恒温30分钟后,以50℃/Hr速度降温至室温,退火完毕,Lu0.9999Ce0.0001AlO3/luAlO3闪烁荧光屏制备完毕。
这种闪烁荧光屏在显微X射线成像方面具有广泛的应用前景。
实施例2:Y0.9999Ce0.0001AlO3/YAlO3荧光屏
按照上述实施例1中步骤<1>将Y0.9999Ce0.0001AlO3多晶料与助溶剂(Bi2O3∶B2O3=8mol∶2mol)按重量百分比为Y0.9999Ce0.0001AlO3/(Bi2O3+B2O3)=0.40的配比进行称量共1000g,按上述实施例1中步骤<2>,将尺寸为φ20×0.03mm,晶面方向为(001)的YAlO3衬底8置于夹具7内,并将夹具7装入旋转提拉杆6底端,调整坩埚9与衬底晶片8的位置使其同轴,并且都处于主炉体101的中央;按上述实施例1中<3>将炉体101升温至1100℃,使原料与助熔剂熔融成饱和溶液10,并在1100℃恒温5小时后,按上述实施例1中<4>逐渐下降旋转提拉杆6,使衬底晶片8距饱和液面3mm,再在Y0.9999Ce0.0001AlO3结晶温度范围的1000℃温度下恒温3小时,按上述实施例1中<5>下降旋转提拉杆6使衬底晶片8的一端面与饱和溶液10液面接触,并使旋转提拉杆6以200r/min速度旋转,在1000℃温度下恒温生长10分钟后,迅速提离旋转提拉杆6使衬底晶片及其上的单晶脱离液面,至此结晶完成;按上述实施例1的步骤<6>进行退火,即将生长的Y0.9999Ce0.0001AlO3单晶同衬底晶片8一起提拉至炉体1上方退火炉102的发热区内,在900℃温度下恒温1小时后,以50℃/Hr速度降温至室温,退火完毕;完成Y0.9999Ce0.0001AlO3/YAlO3闪烁荧光屏的制备。
实施例3:Y0.995Ce0.005AlO3/YAlO3荧光屏
按照上述实施例2中步骤<1>将Y0.9999Ce0.005AlO3多晶料与助溶剂(Bi2O3∶B2O3=10mol∶1mol)按重量百分比为Y0.995Ce0.005AlO3/(Bi2O3+B2O3)=0.40的配比进行称量共1000g,重复上述实施例2中步骤<2>,<3>,<4>,<5>,<6>。最后完成Y0.995Ce0.005AlO3/YAlO3闪烁荧光屏的制备。
实施例4:Lu0.697Y0.3Ce0.003AlO3/Lu0.7Y0.3AlO3荧光屏
按照上述实施例2中步骤<1>将Lu0.697Y0.3Ce0.003AlO3多晶料与助溶剂(Bi2O3∶B2O3=8mol∶2mol)按重量百分比为Lu0.697Y0.3Ce0.003AlO3/(Bi2O3+B2O3)=0.50的配比进行称量共1000g,按上述实施例2中步骤<2>,将尺寸为φ20×0.03mm,晶面方向为(100)的Lu0.7Y0.3AlO3衬底8置于夹具7内,并将夹具7装入旋转提拉杆6底端,调整坩埚9与衬底晶片8的位置使其同轴,并且都处于主炉体101的中央;按上述实施例2中<3>将炉体101升温至1150℃,使原料与助熔剂熔融成饱和溶液10,并在1150℃恒温5小时后,按上述实施例2中<4>逐渐下降旋转提拉杆6,使衬底晶片8距饱和液面3mm,再在Lu0.697Y0.3Ce0.003AlO3结晶温度范围的1050℃温度下恒温3小时,按上述实施例2中<5>下降旋转提拉杆6使衬底晶片8的端面与饱和溶液10液面接触,并使旋转提拉杆6以400r/min速度旋转,在1050℃温度下恒温生长5分钟后,迅速提离旋转提拉杆6使衬底晶片及其上的单晶脱离液面,至此结晶完成;按上述实施例2的步骤<6>进行退火,即将生长的Lu0.697Y0.3Ce0.003AlO3单晶同衬底晶片8一起提拉至炉体1上方退火炉102的发热区内,在900℃温度下恒温50分钟后,以50℃/Hr速度降温至室温,退火完毕;完成Lu0.697Y0.3Ce0.003AlO3/Lu0.7Y0.3AlO3闪烁荧光屏的制备。
这种闪烁荧光屏具有较高的分辨率,它可以广泛应用于医学、全息成像、相衬成像等应用领域。
Claims (6)
1、一种掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏,其特征在于,该荧光屏的结构式为Lu1-x-yCeyYxAlO3/Lu1-zYzAlO3,其中0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05,0≤z≤1,该荧光屏是在晶面方向为(010)、(100)或(001)的Lu1-zYzAlO3衬底上生长一层Lu1-x-yCeyYxAlO3的闪烁薄膜构成的。
2、根据权利要求1所述的掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏,其特征在于所述Lu1-zYzAlO3(0≤z≤1)衬底的厚度为5-30微米,所述闪烁薄膜的厚度为0.3-10微米。
3、一种掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏的制备方法,其特征在于该荧光屏是将晶面方向为(010)、(100)或(001)的Lu1-zYzAlO3(0≤z≤1)单晶衬底作大面积籽晶,在电阻加热液相外延炉中,在Lu1-zYzAlO3单晶的结晶温度下,与含有Lu1-x-yCeyYxAlO3多晶料的助熔剂饱和溶液接触界面上生长一层微米及亚微米量级的Lu1-x-yCeyYxAlO3单晶薄膜,所述的含有Lu1-x-yCeyYxAlO3(0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05)多晶料助熔剂饱和溶液的原料配比如下:
①助熔剂溶液的组分配比为8-15mol的PbO和1mol的B2O3,或10-12mol的Bi2O3和1-3mol的B2O3;
②Lu1-x-yCeyYxAlO3(0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05)多晶与助熔剂的重量百分比为:Lu1-x-yCeyYxAlO3/助熔剂溶液=10wt%-50wt%。
4根据权利要求3所述的掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏的制备方法,其特征在于所述的电阻加热液相外延炉的结构主要包括:
炉体(1),炉体(1)下部是主炉体(101),炉体(1)上部是退火炉体(102),在主炉体(101)内,中央置有坩埚(9),坩埚(9)与炉体(1)同轴,主炉体(101)中相对坩埚(9)周围设有侧面发热体(2),侧面发热体(2)的外围为绝热层(11),坩埚(9)底下有绝热层(13)和能够调节坩埚(9)高低的底托(12),退火炉(102)内有上侧发热体(5),主炉体(101)还设有中测温热电偶(3),退火炉(102)设有上测温热电偶(4),从炉体(1)的上顶盖中央向下延伸一旋转提拉杆(6),该旋转提拉杆(6)的下端为衬底夹具(7),旋转提拉杆(6)与炉体(1)同轴。
5、根据权利要求4所述的掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏的制备方法,其特征在于该方法包括下列步骤:
<1>根据选定的Lu1-x-yCeyYxAlO3多晶与助熔剂的配比称量原料,充分混合均匀后装入电阻加热液相外延炉的坩埚(9)中并装入炉体(1)中;
<2>将晶面方向为(100)或(010)或(001)的Lu1-zYzAlO3(0≤z≤1)的衬底晶片(8)置入衬底夹具(7)内,调整旋转提拉杆(6),使之处于坩埚(9)的同轴位置上;
<3>以100℃/Hr的升温速度升温至1050-1200℃,熔融多晶原料Lu1-x-yCeyYxAlO3与助熔剂PbO-B2O3或Bi2O3-B2O3;使其成为饱和溶液(10),待全部溶解后,在1100-1250℃恒温5小时;
<4>逐渐下降旋转提拉杆(6)使衬底晶片(8)下降到离饱和助熔剂液面3-5mm处,再在Lu1-x-yCeyYxAlO3结晶温度范围900-1150℃条件下恒温2-4小时;
<5>下降旋转提拉杆(6)使衬底晶片(8)正好接触饱和溶液(10)内,旋转提拉杆(6)以100-400r/min速度旋转,根据所需生长Lu1-x-yCeyYxAlO3(0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05)薄膜厚度调节相应的生长时间,一般为3-20分钟,生长时间结束后,立即提起旋转提拉杆(6),使衬底(8)脱离液面;
<6>退火,继续提起旋转提拉杆(6),使衬底晶片(8)及其沉析在其上的Lu1-x-yCeyYxAlO3(0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05)薄膜进入退火炉(102)内的上侧发热体(5)区间,调整上侧发热体(5)的功率使其温度在900℃恒温30-60分钟后,然后以50℃/hr速度降温至室温,完成Lu1-x-yCeyYxAlO3/Lu1-zYzAlO3(0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05,0≤z≤1)闪烁荧光屏的制备。
6、根据权利要求5所述的掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏的制备方法,其特征在于所述的步骤<5>下降旋转提拉杆(6)之前,先调整主炉体(101)的侧面发热体(2)的发热功率,使中测温热电偶(3)指示为900-1150℃,再恒温1-2h,然后再下降旋转提拉杆(6)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2004100164741A CN1314067C (zh) | 2004-02-23 | 2004-02-23 | 掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2004100164741A CN1314067C (zh) | 2004-02-23 | 2004-02-23 | 掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1560890A CN1560890A (zh) | 2005-01-05 |
CN1314067C true CN1314067C (zh) | 2007-05-02 |
Family
ID=34440495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2004100164741A Expired - Fee Related CN1314067C (zh) | 2004-02-23 | 2004-02-23 | 掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1314067C (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7711022B2 (en) * | 2005-12-13 | 2010-05-04 | General Electric Company | Polycrystalline transparent ceramic articles and method of making same |
CN102399555B (zh) * | 2010-09-15 | 2013-07-24 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 铝酸盐荧光粉及其制备方法 |
CN103421505A (zh) * | 2013-03-25 | 2013-12-04 | 上海显恒光电科技股份有限公司 | 一种基于液相外延法生长的紫外单晶荧光薄膜 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1116667A (en) * | 1964-05-28 | 1968-06-12 | Sylvania Electric Prod | Cathodo-luminescent screens and phosphors therefor |
CN1390987A (zh) * | 2002-07-26 | 2003-01-15 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 掺铈铝酸镥铝酸钇的复合闪烁晶体材料及其制备方法 |
-
2004
- 2004-02-23 CN CNB2004100164741A patent/CN1314067C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1116667A (en) * | 1964-05-28 | 1968-06-12 | Sylvania Electric Prod | Cathodo-luminescent screens and phosphors therefor |
CN1390987A (zh) * | 2002-07-26 | 2003-01-15 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 掺铈铝酸镥铝酸钇的复合闪烁晶体材料及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1560890A (zh) | 2005-01-05 |
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