CN1301543C - 半导体晶片、半导体装置及其制造方法、电路基板及电子机器 - Google Patents

半导体晶片、半导体装置及其制造方法、电路基板及电子机器 Download PDF

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Abstract

一种半导体装置的制造方法，在包含电连接于集成电路(12)上的焊点(16)的半导体基板(10)上，形成与焊点(16)电连接的布线层(20)；覆盖布线层(20)地形成树脂层(22)；在树脂层(22)与布线层(20)交叠的区域中，通过第1方法形成第1凹部(23)；通过与第1方法不同的第2方法，去除第1凹部(23)的底部，在树脂层(22)中形成贯穿孔(24)，并在布线层(20)中形成第2凹部(26)，以便即使在其内表面的任一点上，在该点的接触平面与布线层(20)的上表面的在第2凹部(26)的外侧所成的角度在90度以上；在布线层(20)的第2凹部(26)中设置外部端子(28)。根据本发明的半导体装置的制造方法，防止布线层断线。

Description

半导体晶片、半导体装置及其制造方法、电路基板及电子机器
技术领域
本发明涉及一种半导体晶片、半导体装置及其制造方法、电路基板及电子机器。
背景技术
作为半导体装置，已知满足安装操作性或高密度化等要求的表面安装型封装。例如，在CSP(Chip Scale/Size Package)中，通过树脂层在半导体芯片上形成布线层，在其上设置外部端子(例如焊球)。以前，由于用于设置外部端子的过程，必需防止布线层变为容易断线的形状。
专利文献1：国际公开第WO98/32170号申请
发明内容
本发明的目的在于防止布线层断线。
(1)本发明的半导体装置的制造方法，包含以下工序：
(a)在形成集成电路、含有电连接于所述集成电路上的焊点的半导体基板上形成与所述焊点电连接的布线层；
(b)覆盖所述布线层地形成树脂层；
(c)在所述树脂层的与所述布线层交迭的区域中，通过第1方法按照留下所述树脂层的底部而不让所述布线层的表面露出的方式，对所述树脂层进行蚀刻，形成第1凹部；
(d)通过与所述第1方法不同的第2方法，去除所述第1凹部的底部，在所述树脂层上形成贯穿孔，并且进一步对所述布线层的一部分进行蚀刻，在所述布线层上形成第2凹部，以便即使在其内表面的任一点上，在该点的接触平面与所述布线层的上表面的在所述第2凹部的外侧所成的角度在90度以上；
(e)在所述布线层的所述第2凹部中设置外部端子。
根据本发明，因为如上所述形成第2凹部，所以布线层难以断线。
(2)在该半导体装置的制造方法中，在所述(c)工序中，可以形成所述第1凹部，以便即使在其内表面的某个点上，在该点的接触平面与所述树脂层的上表面的在所述第1凹部的外侧所成的角度在90度以上。
(3)在该半导体装置的制造方法中，在上述(b)工序中，可以由热固化性树脂前体来形成所述树脂层，
在所述(d)工序之前，加热所述热固化性树脂前体。
(4)在该半导体装置的制造方法中，可以由对放射线感应的树脂前体来形成所述树脂层，
所述第1方法包含向所述树脂前体照射所述放射线及显影。
(5)在该半导体装置的制造方法中，所述第2方法可以是干蚀刻。
(6)在该半导体装置的制造方法中，可以由焊料抗蚀剂形成所述树脂层。
(7)在该半导体装置的制造方法中，所述第1凹部在当其内表面被垂直于所述树脂层的上表面的面切断时形成的剖面为曲线状。
(8)在该半导体装置的制造方法中，所述第2凹部在当其内表面被垂直于所述布线层的上表面的面切断时所形成的剖面为曲线状。
(9)在该半导体装置的制造方法中，所述第1凹部可以形成为随着深度增加其内宽变小。
(10)在该半导体装置的制造方法中，所述第2凹部可以形成为随着深度增加其内宽变小。
(11)在该半导体装置的制造方法中，所述第2凹部可以形成为其整个开口位于所述贯穿孔内。
(12)本发明的半导体装置，包含：
半导体芯片，形成有集成电路并含有电连接于所述集成电路上的焊点；
布线层，与所述焊点电连接，具有凹部，且所述凹部，即使在其内表面的任一点上，在该点的接触平面与所述布线层的上表面的在所述凹部的外侧所成的角度在90度以上；
外部端子，设置成接合在所述布线层的所述凹部上；和
树脂层，形成有贯穿孔，以所述贯穿孔与所述凹部交迭地设置在所述布线层上。
根据本发明，因为如上所述形成第2凹部，所以布线层难以断线。
(13)在该半导体装置中，所述凹部的内表面在被垂直于所述布线层的上表面的面切断时形成为曲线状。
(14)在该半导体装置中，所述凹部的内宽可以形成为随着深度增加而变小。
(15)在该半导体装置中，所述凹部的整个开口可以位于所述贯穿孔内。
(16)在该半导体装置中，所述树脂层的所述贯穿孔的内表面可以接触所述外部端子。
(17)在该半导体装置中，可以还具有形成于所述半导体芯片上的应力缓冲层，
所述布线层形成于所述应力缓冲层上。
(18)在该半导体装置中，所述树脂层可以由焊料抗蚀剂形成。
(19)本发明的电路基板，安装上述半导体装置。
(20)本发明的电子机器，具有上述半导体装置。
(21)本发明的半导体晶片，包含：
半导体基板，形成有多个集成电路，含有电连接于所述各集成电路上的焊点；
布线层，与所述焊点电连接，具有凹部，且所述凹部，即使在其内表面的任一点上，在该点的接触平面与所述布线层的上表面的在所述凹部的外侧所成的角度在90度以上；
外部端子，设置成接合在所述布线层的所述凹部上；和
树脂层，形成有贯穿孔，以所述贯穿孔与所述凹部交迭地设置在所述布线层上。
根据本发明，因为如上所述形成第2凹部，所以布线层难以断线。
(22)在该半导体晶片中，所述凹部的内表面在被垂直于所述布线层的上表面的面切断时形成为曲线状。
(23)在该半导体晶片中，所述凹部的内宽可以形成为随深度增加而变小。
(24)在该半导体晶片中，所述凹部的整个开口可以位于所述贯穿孔内。
(25)在该半导体晶片中，所述树脂层的所述贯穿孔的内表面可以接触所述外部端子。
(26)在该半导体晶片中，可以还具有形成于所述半导体基板上的应力缓冲层，
所述布线层形成于所述应力缓冲层上。
(27)在该半导体晶片中，所述树脂层可以由焊料抗蚀剂形成。
附图说明
图1是说明本发明实施方式的半导体装置制造方法的图。
图2是说明本发明实施方式的半导体装置制造方法的图。
图3是第1凹部的放大剖面图。
图4是说明本发明实施方式的半导体装置制造方法的图。
图5是说明本发明实施方式的半导体装置制造方法的图。
图6是第2凹部的放大剖面图。
图7是说明本发明实施方式的半导体装置制造方法的图。
图8是图9的VIII-VIII线截面的局部放大图。
图9是说明本发明实施方式的半导体装置的图。
图10是表示安装本实施方式的半导体装置的电路基板的图。
图11是表示具有本实施方式的半导体装置的电子机器的图。
图12是表示具有本实施方式的半导体装置的电子机器的图。
图13是说明本发明实施方式1的半导体装置制造方法的图。
图14是说明本发明实施方式1的半导体装置制造方法的图。
图15是说明本发明实施方式1的变形例的半导体装置制造方法的图。
图16是说明本发明实施方式1的变形例的半导体装置制造方法的图。
图中：1-半导体装置，10-半导体基板，12-集成电路，14-钝化膜，16-焊点，18-应力缓冲层，20-布线层，22-树脂层，23-第1凹部，24-贯穿孔，26-第2凹部，28-外部端子，30-第2树脂层，40-半导体芯片。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本发明的实施方式。
图1～图7及图13～图16是说明本发明实施方式的半导体装置制造方法的图。在本实施方式中，如图1所示，使用半导体基板10。在半导体基板10上形成集成电路12。在将半导体基板10切成多个半导体芯片的情况下，在半导体基板10中形成多个集成电路12，各半导体芯片具有各集成电路12。
在半导体基板10的表面上可以形成钝化膜14。例如，也可由SiO2或SiN等无机材料来形成钝化膜14。或由多层形成钝化膜14。此时，也可由有机材料形成至少1层(例如表面层)。在半导体基板10(其表面)上形成焊点16。焊点16电连接于集成电路(例如半导体集成电路)12。钝化膜14避开焊点16的至少中央部来形成。
也可在半导体基板10上形成应力缓冲层18。应力缓冲层18也可在半导体基板10上涂布树脂前体(例如热固化性树脂前体)来形成，也可在半导体基板10上通过旋涂扩展树脂前体而形成。应力缓冲层18可由多层形成，也可由1层形成。应力缓冲层18是电绝缘层。应力缓冲层18也可由聚酰亚胺树脂、硅酮改质聚酰亚胺树脂、环氧树脂、硅酮改质环氧树脂、苯并环丁烯(BCB：benzocyclobutene)、聚苯并唑(PBO：polybenzoxazole)等形成。应力缓冲层18不含导电性粒子。应力缓冲层18也可由具有遮光性的材料形成。
应力缓冲层18也可由具有感应放射线(光线(紫外线、可视光线)、X射线、电子线)的性质的放射线感应性树脂前体形成。作为放射线感应性树脂前体(例如感光性树脂前体)，有照射放射线的部分的溶解性减少而变为不溶性的负型与照射放射线的部分的溶解性增加的正型。
应力缓冲层18也可避开焊点16形成。应力缓冲层18也可避开半导体基板10的切断用区域来形成。应力缓冲层18也可连续或一体地形成于半导体基板10上后再进行图形形成。也可在半导体基板10的多个区域(形成多个集成电路12的区域)的各个中形成应力缓冲层18。此时，在相邻的应力缓冲层18之间有间隙。
在应力缓冲层18上形成布线层20。布线层20可由1层形成，也可由多层形成。例如，也可由溅射法层叠TiW层及Cu层，在其上通过电镀形成Cu层。该形成方法中可适用公知技术。布线层20通过焊点16上(与焊点16电连接)地形成。布线层20从焊点16上开始形成于应力缓冲层18上。
布线层20也可具有脊(land)(比线宽的部分)地形成。脊用于在其上设置外部端子28。
在应力缓冲层18上形成树脂层22。在本申请中，树脂层22包含固化(聚合)前的状态(树脂前体)及固化(聚合)后的状态(树脂)两者。树脂层22也可由焊料抗蚀剂形成。树脂层22覆盖布线层20(例如其整体)形成。树脂层22也可覆盖(例如完全覆盖)应力缓冲层18地形成。树脂层22也可露出半导体基板10的切断用区域(避开切断用区域)地形成。树脂层22不包含导电性粒子。树脂层22也可由具有遮光性的材料形成。树脂层22也可在连续或一体地形成于半导体基板10上后图形形成。也可在半导体基板10的多个区域的各个中(形成多个集成电路12的区域)形成树脂层22。相邻的树脂层22之间有间隙。
树脂层22也可由热固化性树脂前体来形成。树脂层22也可由具有对放射线感应(光线(紫外线、可视光线)、X射线、电子线)的性质的放射线感应性树脂前体(例如感光性树脂前体)形成。
如图2所示，在树脂层22上形成第1凹部23。第1凹部23形成于树脂层22的与布线层20(例如脊)交迭的区域中。第1凹部23由第1方法形成。第1方法可以包含平版印刷术。例如，树脂层22由放射线感应性树脂前体形成，向其照射放射线，进行图形形成(例如显影)。作为放射线感应性树脂前体(例如感光性树脂前体)，有照射放射线(例如光)的部分的溶解性减少而变为不溶性的负型和照射放射线(例如光)的部分的溶解性增加的正型。
进一步详细说明第1凹部23的形成方法(第1方法)。在图13及图14所示实例中，在曝光工序中，通过减少放射线的照射量(例如缩短照射时间、降低光的强度)，形成第1凹部23。如图13所示，在树脂层22的上方配置掩模50，经掩模50向树脂层22照射放射线60。在本实施方式中，作为一例，使用正型的放射线感应性树脂前体。掩模50具有相对放射线60的遮蔽部分52和相对放射线60的透过部分54。掩模50包含玻璃基材，经玻璃基材向树脂层22照射放射线60。
在本工序中，放射线60的照射量比通常的情况(例如在树脂层22中形成具有直线延伸的壁面的开口的情况)少。因此，放射线60未到达树脂层22的下部(接触布线20的部分)。放射线60不仅垂直而且还倾斜入射到树脂层22。对应于掩模50的图形形成形状(透过部分54的图形形成形状)来向树脂层22照射垂直入射的放射线60。倾斜入射的放射线60从掩模50的遮蔽部分52与透过部分54的边界绕回地照射到树脂层22。因此，在掩模50的遮蔽部分52与透过部分54的正下方附近，随着从透过部分52的中央部向遮蔽部分54的方向前进，放射线60向树脂层22的照射缓慢减少，照射放射线60的深度缓慢变浅。由此，可将树脂层22中通过放射线60的照射溶解性增加的部分形成凹部形状。之后，在显影工序中，溶解及去除树脂层22的溶解性增加的部分，如图14所示，形成第1凹部23。
作为第1凹部23的形成方法(第1方法)的变形例，在图15及图16所示实例中，在显影工序中，通过减少基于显影的溶解量(例如缩短显影时间、降低显影液的浓度)，形成第1凹部23。首先如图15所示进行曝光工序。在本工序中，可适用上述方式(参照图13)中说明的内容，但在本变形例中，照射足够量(例如可在树脂层22中形成具有直线延伸的壁面的开口的程度)的放射线60。因此，放射线60到达树脂层22的下部(接触布线20的部分)。放射线60照射到树脂层22的交迭于透过部分52的部分上。如图15所示，放射线60也可通过向树脂层22的倾斜入射，以比透过部分54的幅度大的幅度照射。之后，在显影工序中，使树脂层22的溶解性增加的部分溶解，但在本变形例中，因为减少基于显影的溶解量来进行，所以如图16所示，可仅去除树脂层22的溶解性增加的部分的局部。显影液从树脂层22的表面(与布线20相反的面)浸入，从溶解性增加的部分的中央部向端部方向前进，浸入深度缓慢变浅。因此，可如图16所示，形成第1凹部23。
另外，即使在进行通常的曝光及显影工序的情况下，树脂层22的开口多不形成直线状的壁面，而是随着从开口的中央部向端部前进的残余树脂层22的厚度变大的曲线状壁面，这样可由该残余来形成第1凹部23。
图3是第1凹部23的放大截面。第1凹部23在其内表面的任一点上，在该点的接触平面(截面中为切线)与树脂层22(具体而言是第1凹部23的开口端部)的上表面(截面中为切线)的在第1凹部23的外侧所成的角度α在90度以上。第1凹部23，在其内表面被垂直于树脂层22(具体而言是第1凹部23的开口端部)的上表面的面切断时，所形成的剖面为如图3所示的曲线。第1凹部23也可形成为其内表面为平缓的曲面。第1凹部23也可形成为其内宽沿深度方向前进而变小。第1凹部23也可形成为其内表面不具备角。
如图4所示，使树脂层22固化。树脂层22的固化过程也可是使布线层20钝化(例如形成氧化膜)。例如，在由热固化性树脂前体来形成树脂层22的情况下，加热树脂层22并使固化(聚合)。在本实施方式中，当使树脂层22固化时，在树脂层22中形成第1凹部23，但因为布线层20未露出，所以可防止布线层20钝化。因此，可去除布线层20的活化工序，简化过程。
如图5所示，在树脂层22中形成贯穿孔24。贯穿孔24的形成在树脂层22固化之后进行。通过去除第1凹部23的底部来形成贯穿孔24。
贯穿孔24的形成通过第2方法进行。第2方法与第1凹部23的形成方法(第1方法)不同。第2方法例如可以是干蚀刻。
另外，在布线层20中形成第2凹部26。第2凹部26可以形成为与贯穿孔24交迭。第2凹部26可以形成为其整个开口位于贯穿孔24内。在第2凹部26的形成中可以适用蚀刻(例如干蚀刻)法。第2凹部26的形成方法可以与贯穿孔24的形成相同。也可形成贯穿孔24，并接着形成第2凹部26。
图6是第2凹部26的放大截面。第2凹部26在其内表面的任一点上的接触平面(截面中为切线)与布线层22(具体而言是第2凹部26的开口端部)的上表面(截面中为切线)的在第2凹部26的外侧所成的角度β在90度以上。第2凹部26在其内表面被垂直于布线层20(具体而言是第2凹部26的开口端部)的上表面的面切断时，其剖面为图6所示的曲线。第2凹部26也可形成为其内表面为平缓的曲面。第2凹部26也可形成为其内宽沿深度方向前进而变小。第2凹部26也可形成为其内表面不具有角。
如图7所示，形成外部端子28。在布线层20的第2凹部26中形成外部端子28。外部端子28接合于第2凹部26地形成。外部端子28也可接触树脂层22的贯穿孔24的内表面。外部端子28可由软焊料(soft solder)或硬焊料(hard solder)之一形成。作为软焊料，也可使用不含铅的焊料(下面称为无铅焊料)。作为无铅焊料，也可使用锡-银(Sn-Ag)类、锡-铋(Sn-Bi)类、锡-锌(Sn-Zn)类或锡-铜(Sn-Cu)类的合金，也可向这些合金中添加银、铋、锌、铜中的至少之一。在外部端子28的形成中可适用公知技术。
如图7所示，也可在树脂层22上形成第2树脂层30。应力缓冲层18的内容也可适用于第2树脂层30。第2树脂层30包围外部端子28地设置。第2树脂层也可覆盖外部端子28的一部分(例如根部)。第2树脂层30也可覆盖树脂层22(例如完全覆盖)地形成。第2树脂层30也可在覆盖半导体基板10的整体形成后图形形成。也可在覆盖外部端子28地设置第2树脂层30后，从外部端子28的上端部中去除第2树脂层30。可在图形形成中适用应力缓冲层18的图形形成中说明的内容。或者，通过使用激光或灰化，也可去除第2树脂层30的一部分。
本发明实施方式的半导体晶片具有半导体基板10。在半导体基板10中形成多个集成电路12(参照图1)，在表面形成焊点16。焊点16电连接于各集成电路12。与焊点16电连接地形成布线层20。在布线层20上形成树脂层22。在布线层20上形成外部端子28。可以包围外部端子28地形成第2树脂层30。在树脂层22中形成贯穿孔24。在布线层20中形成第2凹部26。贯穿孔24及第2凹部26也可交迭地形成。也可在贯穿孔24内形成第2凹部26的整个开口。外部端子28也可接触树脂层22的贯穿孔24的内表面。
如图6所示，第2凹部26形成为在其内表面的任一点上的接触平面(截面中为切线)与布线层20(具体而言是第2凹部26的开口端部)的上表面(截面中为切线)的在第2凹部26的外侧所成的角度β在90度以上。因此，布线层20难以断线。
另外，在本实施方式中，外部端子28设置成接合在第2凹部26上。因此，通过第2凹部26，布线层20与外部端子28的接合强度提高。另外，通过形成第2凹部26，布线层20与外部端子28的接触面积变大，所以布线层20与外部端子28的电气连接性能提高。其它细节如上所述。
如图7所示，通过例如刀具(或刀片)32等切断(例如划片或切割)半导体基板10。这样可得到半导体装置。
图8及图9是说明根据本实施方式的半导体装置，图8是图9的VIII-VIII线剖面图。半导体装置具有半导体芯片40。半导体芯片40可从半导体基板10中切出。半导体装置的其它细节对应于半导体晶片的内容。
图10中示出安装上述实施方式中说明的半导体装置1的电路基板1000。作为具有该半导体装置的电子机器，图11中示出笔记本型个人计算机2000，图12中示出便携电话3000。
本发明不限于上述实施方式，可进行各种变形。
例如，本发明包含实质上与实施方式中说明的结构相同的结构(例如功能、方法及结果相同的结构或目的及结果相同的结构)。另外，本发明包含置换实施方式中说明的结构的非本质的部分的结构。另外，本发明包含可实现与实施方式中说明的结构相同的作用效果的结构或实现相同目的的结构。另外，本发明包含向实施方式中说明的结构中附加公知技术的结构。

Claims (27)

1、一种半导体装置的制造方法，包含以下工序：
(a)在形成集成电路、含有电连接于所述集成电路上的焊点的半导体基板上形成与所述焊点电连接的布线层；
(b)覆盖所述布线层地形成树脂层；
(c)在所述树脂层的与所述布线层交迭的区域中，通过第1方法按照留下所述树脂层的底部而不让所述布线层的表面露出的方式，对所述树脂层进行蚀刻，形成第1凹部；
(d)通过与所述第1方法不同的第2方法，去除所述第1凹部的底部，在所述树脂层中形成贯穿孔，并且进一步对所述布线层的一部分进行蚀刻，在所述布线层中形成第2凹部，以便即使在其内表面的任一点上，在该点的接触平面与所述布线层的上表面的在所述第2凹部的外侧所成的角度在90度以上；
(e)在所述布线层的所述第2凹部中设置外部端子。
2、根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述(c)工序中，形成所述第1凹部，以便即使在其内表面的任一点上，在该点的接触平面与所述树脂层的上表面的在所述第1凹部的外侧所成的角度在90度以上。
3、根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
在上述(b)工序中，由热固化性树脂前体来形成所述树脂层，
在所述(d)工序之前，加热所述热固化性树脂前体。
4、根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
由对放射线感应的树脂前体来形成所述树脂层，
所述第1方法包含向所述树脂前体照射所述放射线及显影。
5、根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述第2方法是干蚀刻。
6、根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
由焊料抗蚀剂形成所述树脂层。
7、根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述第1凹部在其内表面被垂直于所述树脂层的上表面的面切断时形成的剖面为曲线状。
8、根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述第2凹部在其内表面被垂直于所述布线层的上表面的面切断时形成的剖面为曲线状。
9、根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述第1凹部形成为其内宽随着深度增加而变小。
10、根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述第2凹部形成为其内宽随着深度增加而变小。
11、根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述第2凹部形成为其整个开口位于所述贯穿孔内。
12、一种半导体装置，包含：
半导体芯片，形成有集成电路并且含有电连接于所述集成电路上的焊点；
布线层，与所述焊点电连接，具有凹部，且所述凹部，即使在其内表面的任一点上，在该点的接触平面与所述布线层的上表面的在所述凹部的外侧所成的角度在90度以上；
外部端子，设置成接合在所述布线层的所述凹部上；和
树脂层，形成有贯穿孔，以所述贯穿孔与所述凹部交迭地设置在所述布线层上。
13、根据权利要求12所述的半导体装置，其中，
所述凹部的内表面，在被垂直于所述布线层的上表面的面切断时形成的剖面为曲线状。
14、根据权利要求12或13所述的半导体装置，其中，
所述凹部的内宽形成为随着深度增加而变小。
15、根据权利要求12或13所述的半导体装置，其中，
所述凹部的整个开口位于所述贯穿孔内。
16、根据权利要求12或13所述的半导体装置，其中，
所述树脂层的所述贯穿孔的内表面接触所述外部端子。
17、根据权利要求12或13所述的半导体装置，其中，
还具有形成于所述半导体芯片上的应力缓冲层，
所述布线层形成于所述应力缓冲层上。
18、根据权利要求12或13所述的半导体装置，其中，
所述树脂层由焊料抗蚀剂形成。
19、一种电路基板，安装有权利要求12～18中任一项所述的半导体装置。
20、一种电子机器，具有权利要求12～18中任一项所述的半导体装置。
21、一种半导体晶片，包含：
半导体基板，形成有多个集成电路并含有电连接于所述各集成电路上的焊点；
布线层，与所述焊点电连接，具有凹部，且所述凹部，即使在其内表面的任一点上，在该点的接触平面与所述布线层的上表面的在所述凹部的外侧所成的角度在90度以上；
外部端子，设置成接合在所述布线层的所述凹部上；和
树脂层，形成有贯穿孔，以所述贯穿孔与所述凹部交迭地设置在所述布线层上。
22、根据权利要求21所述的半导体晶片，其中，
所述凹部的内表面，在被垂直于所述布线层的上表面的面切断时形成的剖面为曲线状。
23、根据权利要求21或22所述的半导体晶片，其中，
所述凹部的内宽形成为随着深度增加而变小。
24、根据权利要求21或22所述的半导体晶片，其中，
所述凹部的整个开口位于所述贯穿孔内。
25、根据权利要求21或22所述的半导体晶片，其中，
所述树脂层的所述贯穿孔的内表面接触所述外部端子。
26、根据权利要求21或22所述的半导体晶片，其中，
还具有形成于所述半导体基板上的应力缓冲层，
所述布线层形成于所述应力缓冲层上。
27、根据权利要求21或22所述的半导体晶片，其中，
所述树脂层由焊料抗蚀剂形成。
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