CN1267588C - 一种硼酸铝晶须的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种硼酸铝晶须的制备方法。一种硼酸铝晶须的制备方法,利用固相反应方法制备硼酸铝晶须,其特征是:利用[NH4Al(SO4)2.12H2O]和NH4HCO3、为原料制备Al2O3前驱体,将这种前驱体包覆在纳米TiB2表面,形成复合粒子;在加热过程中,纳米TiB2中的B被氧化为B2O3,这种B2O3颗粒细小,呈无定形态,活性很强,并被吸附在絮状Al2O3前驱体内;随着加热温度的升高,在1000℃~1200℃复合粒子逐渐生长为硼酸铝晶须。本发明在1000℃~1200℃的低温度下,通过固相反应获得硼酸铝晶须。

Description

一种硼酸铝晶须的制备方法
                               技术领域
本发明涉及一种硼酸铝晶须的制备方法。
                               背景技术
硼酸铝晶须(9Al2O3.2B2O3)属于氧化物型晶须,具有耐高温、耐酸碱、抗化学腐蚀、热绝缘和电绝缘等优异性能,可以作为铝基复合材料、工程塑料、水泥、陶瓷等的添加剂,以提高其抗压、抗拉能力、增强粘结能力和抗蚀性等,在航空航天、新型陶瓷及生物材料等领域具有广泛用途。
虽然9Al2O3.2B2O3晶须与SiC、Si3N4具有相似的机械性质,但其制备价格却仅为SiC、Si3N4制备价格的三分之一到几十分之一,是一种非常值得研究和开发的材料体系。目前其主要的制备方法包括:
(1)熔融法:将氧化铝和硼酸或氧化硼混合,在2100℃下熔融,然后冷却成长为晶须。该法只能成长为数十微米以上的晶须。
(2)气相法:在1000℃~1400℃下,将水蒸汽通入大气状态的氟化铝和氧化硼中,可得硼酸铝晶须。该法不易操作。
(3)内部熔融法:将氧化铝或者在高温下生成氧化铝的化合物与氧化硼在1200℃~1400℃下反应,氧化硼同时起助剂的作用,最终得到硼酸铝晶须。该法只能得到大尺寸的晶须,并且由于氧化硼起助剂的作用使生成的晶须溶解,收率降低。
(4)外部熔融法:在1000℃以上,在氧化铝和生产氧化硼的原料中加入与反应无关的助熔剂(如碱金属氧化物、硫酸盐或碳酸盐),在1000℃~1200℃成长为晶须,反应后用水处理,除去助熔剂,分离出晶须。此法较熔融法和气相法的反应温度低,能耗低,收率高。
(5)以三碱硫酸铝[M3Al(SO4)3](M为碱金属)与硼的氧化物、氯酸盐或碱金属硼酸盐为原料,以硼和铝的摩尔比为4∶6~2∶9进行混合,该混合物在700~1200℃温度范围内反应,得到硼酸铝晶须。
查阅日本、美国、中国的专利及文章,还没有利用固相反应方法制备硼酸铝晶须的报道。
                               发明内容
本发明的目的是:在低温下,通过固相反应获得硼酸铝晶须。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种硼酸铝晶须的制备方法,其特征是包括下述步骤:1).原料的选取:a).平均粒径为50~80nm的TiB2粉末与固相特纯级工业硫酸铝铵[NH4Al(SO4)2.12H2O]的质量比为1∶10~20,特纯级工业硫酸铝铵[NH4Al(SO4)2.12H2O]溶于水中0.13g/ml水溶液;b).纳米TiB2粉与分散剂的质量比为1∶30~60,以PEG400、PEG1000、PEG2000混合液为分散剂,分散剂各成分的质量比为1∶1∶1;c).纳米TiB2与NH4HCO3的质量比为1∶10~20,NH4HCO3配制成浓度为0.1g/ml的水溶液;
2).将分散剂混合液倒入硫酸铝铵液体中,搅拌,加入纳米TiB2粉,继续搅拌,将碳酸氢铵液体用滴管滴入含有TiB2的硫酸铝铵液体中,继续搅拌,混合液为亮黑色;
3).将混合液在阴暗处放置10~20小时后,倒掉上层液体,将下层物质放入恒温烘箱中,控制温度为60℃,12小时后,取出样品;
4).在有氧的环境中加热包覆型混合粉至1000℃~1200℃,最终获得硼酸铝晶须。
具体实现过程详述如下:
1).原料的选取:a).平均粒径为50~80nm的TiB2粉与固相特纯级工业硫酸铝铵[NH4Al(SO4)2.12H2O]的质量比为1∶10~20,30℃时,以特纯级工业硫酸铝铵[NH4Al(SO4)2.12H2O]溶于水中配制成0.13g/ml的水溶液,水浴加热至50℃并保温,电动搅拌,转速500r/min;
b).纳米TiB2与分散剂的质量比为1∶30~60,以PEG400、PEG1000、PEG2000混合液为分散剂,分散剂各成分的质量比为1∶1∶1,混合,用玻璃棒搅拌约20分钟成糊状混合液;
c).固相TiB2与NH4HCO3的质量比为1∶10~20,NH4HCO3配制成浓度为0.1g/ml的水溶液;
2).将分散剂混合液倒入硫酸铝铵液体中,继续电动搅拌约10分钟,加入平均粒径为50~80nm的TiB2粉,继续搅拌,将碳酸氢铵液体用滴管滴入含有TiB2的硫酸铝铵液体中,控制滴速为10ml/min,待碳酸氢铵全部滴完后,控制水温50℃和转速500r/min不变,继续搅拌3小时,混合液为亮黑色;
3).将混合液在阴暗处放置10~20小时后,液体出现分层,倒掉上层液体,加入无水乙醇,无水乙醇与TiB2粉的质量比为30~60∶1,搅拌均匀,再放置半小时,再倒掉上层液体;将下层物质放入恒温烘箱中,控制温度为60℃,12小时后,取出样品,此时样品为泥状物,具有粘性;
4).将这种泥状物放入氧化铝坩埚中,在箱式炉中灼烧,升温参数如下:
0℃→800℃,5℃/min,
800℃→T℃,3℃/min,T℃保温2小时,(T为1000℃~1200℃),
在有氧的环境中加热包覆型混合粉至1000℃~1200℃,使混合粉内发生固相反应:
最终获得硼酸铝晶须。
本发明在纳米TiB2表面包覆絮状Al2O3前驱体。在有氧的碱性环境中加热包覆型复合粉,使TiB2中的B被O以B2O3的形式置换出来,同时吸附在絮状Al2O3前驱体的微孔中。随着加热温度的升高,超细无定形活性B2O3与Al2O3逐渐发生固相反应,在1000℃~1200℃的低温度下,生长为硼酸铝晶须。本发明在低温下,通过固相反应获得硼酸铝晶须。
                                附图说明
图1是本发明的制备工艺流程图
图2是本发明制备的硼酸铝晶须SEM图
图3是本发明复合粉1200℃灼烧后的XRD分析图
                              具体实施方式
硼酸铝晶须的制备工艺流程如图1所示。
实例1:
将13克特纯工业硫酸铝铵溶于50ml水中,水浴加热至50℃并保温,电动搅拌,转速500r/min。在另一容器中配制PEG400、PEG1000、PEG2000各10克的混合液,用玻璃棒搅拌约20分钟后,将糊状混合液倒入硫酸铝铵液体中,继续电动搅拌约10分钟。随后加入1克纳米TiB2粉,继续搅拌。
与此同时,在第三个容器中将10克碳酸氢铵加入50ml水中,配制成有刺激性气味的液体,将这种液体用滴管滴入含有TiB2的硫酸铝铵液体中,控制滴速为10ml/min。可以看见混合液体中出现絮状胶体,反应比较剧烈,有气泡产生。待碳酸氢铵全部滴完后,控制水温和转速不变,继续搅拌3小时,混合液为亮黑色。
将混合液在阴暗处放置10小时后,液体出现分层,倒掉上层液体,加入30ml无水乙醇,搅拌均匀,再放置半小时,又可以见到明显分层的液体,再倒掉上层液体。
将下层物质放入恒温烘箱中,控制温度为60℃,12小时后,取出样品。此时样品为泥状物,具有粘性。
将这种泥状物放入氧化铝坩埚中,在箱式炉中灼烧。升温参数如下:
0℃→800℃      5℃/min
800℃→1200℃   3℃/min    1200℃保温2小时
取出样品为粉红色。利用SEM观察形貌为晶须(见图2),XRD分析主晶相为9Al2O3.2B2O3,同时含有TiO2(见图3)。
实例2
将10克特纯工业硫酸铝铵溶于50ml水中,水浴加热至50℃并保温,电动搅拌,转速500r/min。在另一容器中配制PEG400、PEG1000、PEG2000各10克的混合液,用玻璃棒搅拌约20分钟后,将糊状混合液倒入硫酸铝铵液体中,继续电动搅拌约10分钟。随后加入0.5克纳米TiB2粉,继续搅拌。
与此同时,在第三个容器中将10克碳酸氢铵加入50ml水中,配制成有刺激性气味的液体,将这种液体用滴管滴入含有TiB2的硫酸铝铵液体中,控制滴速为10ml/min。可以看见混合液体中出现絮状胶体,反应比较剧烈,有气泡产生。待碳酸氢铵全部滴完后,控制水温和转速不变,继续搅拌3小时,混合液为亮黑色。
将混合液在阴暗处放置10小时后,液体出现分层,倒掉上层液体,加入30ml无水乙醇,搅拌均匀,再放置半小时,又可以见到明显分层的液体,再倒掉上层液体。
将下层物质放入恒温烘箱中,控制温度为60℃,12小时后,取出样品。此时样品为泥状物,具有粘性。
将这种泥状物放入氧化铝坩埚中,在箱式炉中灼烧。升温参数如下:
0℃→800℃     5℃/min
800℃→1200℃  3℃/min    1200℃保温2小时
取出样品为粉红色。利用SEM观察形貌为晶须,XRD分析主晶相为9Al2O3.2B2O3,同时含有TiO2
实例3
将10克特纯工业硫酸铝铵溶于50ml水中,水浴加热至50℃并保温,电动搅拌,转速500r/min。在另一容器中配制PEG400、PEG1000、PEG2000各10克的混合液,用玻璃棒搅拌约20分钟后,将糊状混合液倒入硫酸铝铵液体中,继续电动搅拌约10分钟。随后加入0.5克纳米TiB2粉,继续搅拌。
与此同时,在第三个容器中将10克碳酸氢铵加入50ml水中,配制成有刺激性气味的液体,将这种液体用滴管滴入含有TiB2的硫酸铝铵液体中,控制滴速为10ml/min。可以看见混合液体中出现絮状胶体,反应比较剧烈,有气泡产生。待碳酸氢铵全部滴完后,控制水温和转速不变,继续搅拌3小时,混合液为亮黑色。
将混合液在阴暗处放置15小时后,液体出现分层,倒掉上层液体,加入30ml无水乙醇,搅拌均匀,再放置半小时,又可以见到明显分层的液体,再倒掉上层液体。
将下层物质放入恒温烘箱中,控制温度为60℃,12小时后,取出样品。此时样品为泥状物,具有粘性。
将这种泥状物放入氧化铝坩埚中,在箱式炉中灼烧。升温参数如下:
0℃→800℃     5℃/min
800℃→1050℃  3℃/min    1050℃保温2小时
取出样品为粉红色。利用SEM观察形貌为晶须,XRD分析主晶相为9Al2O3.2B2O3,同时含有TiO2

Claims (2)

1.一种硼酸铝晶须的制备方法,其特征是包括下述步骤:1).原料的选取:a).平均粒径为50~80nm的TiB2粉末与固相特纯级工业硫酸铝铵NH4Al(SO4)2.12H2O的质量比为1∶10~20,特纯级工业硫酸铝铵NH4Al(SO4)2.12H2O溶于水中配制成0.13g/ml的水溶液;b).纳米TiB2粉与分散剂的质量比为1∶30~60,以PEG400、PEG1000、PEG2000混合液为分散剂,分散剂各成分的质量比为1∶1∶1;c).纳米TiB2与NH4HCO3的质量比为1∶10~20,NH4HCO3配制成浓度为0.1g/ml的水溶液;
2).将分散剂混合液倒入硫酸铝铵液体中,搅拌,加入纳米TiB2粉,继续搅拌,将碳酸氢铵液体用滴管滴入含有TiB2的硫酸铝铵液体中,继续搅拌,混合液为亮黑色;
3).将混合液在阴暗处放置10~20小时后,倒掉上层液体,将下层物质放入恒温烘箱中,控制温度为60℃,12小时后,取出样品;
4).在有氧的环境中加热包覆型混合粉至1000℃~1200℃,最终获得硼酸铝晶须。
2.根据权利要求1所述的一种硼酸铝晶须的制备方法,其特征是其具体步骤如下:
1).原料的选取:a).平均粒径为50~80nm的TiB2粉与固相特纯级工业硫酸铝铵NH4Al(SO4)2.12H2O的质量比为1∶10~20,30℃时,以特纯级工业硫酸铝铵NH4Al(SO4)2.12H2O溶于水中配制成0.13g/ml水溶液,水浴加热至50℃并保温,电动搅拌,转速500r/min;b).纳米TiB2粉与分散剂的质量比为1∶30~60,以PEG400、PEG1000、PEG2000混合液为分散剂,分散剂各成分的质量比为1∶1∶1,混合,用玻璃棒搅拌约20分钟成糊状混合液;c).固相TiB2与NH4HCO3的质量比为1∶10~20,NH4HCO3配制成浓度为0.1g/ml的溶液;
2).将分散剂混合液倒入硫酸铝铵液体中,继续电动搅拌约10分钟,加入纳米TiB2粉,继续搅拌,将碳酸氢铵液体用滴管滴入含有TiB2的硫酸铝铵液体中,控制滴速为10ml/min,待碳酸氢铵全部滴完后,控制水温50℃和转速500r/min不变,继续搅拌3小时,混合液为亮黑色;
3).将混合液在阴暗处放置10~20小时后,液体出现分层,倒掉上层液体,加入无水乙醇,无水乙醇与TiB2粉的质量比为30~60∶1,搅拌均匀,再放置半小时,再倒掉上层液体;将下层物质放入恒温烘箱中,控制温度为60℃,12小时后,取出样品,此时样品为泥状物,具有粘性;
4).将这种泥状物放入氧化铝坩埚中,在箱式炉中灼烧,升温参数如下:
0℃→800℃,5℃/min,
800℃→T℃,3℃/min,T℃保温2小时,T为1000℃~1200℃,获得硼酸铝晶须。
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CN106555225B (zh) * 2016-10-12 2018-10-19 宜春学院 一种制备硼酸铝晶须高温烧结方法
CN106702487B (zh) * 2016-12-19 2018-01-30 滨州渤海活塞有限公司 一种磷铁硼酸铝晶须预制体制造方法
CN110577413B (zh) * 2019-08-27 2022-02-25 广东工业大学 一种硼酸铝晶须及其制备方法和应用

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100366579C (zh) * 2006-09-22 2008-02-06 北京工业大学 合金包覆型TiB2粉末的制备方法

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