CN1237827A - 谐振器结构 - Google Patents
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Abstract
无线电通讯装置的谐振器结构。将至少一个谐振器元件和至少一个开关元件在同一处理过程期间集成在同一基片中。这在采用桥式BAW谐振器和微型机械开关的时候是特别有利的。将开关结构和谐振器集成在同一基片上，能够制造出非常紧凑、为多系统移动通信装置所需的滤波器和谐振器结构。另一方面，利用BAW谐振器的特殊性能，即BAW谐振器可以集成在基片，比如硅和砷化镓的表面上。这些开关可以用MESFET晶体管实现。
Description
本发明涉及无线电通讯设备的谐振器结构。
移动通讯的发展使得手持装置更加趋于小型化和复杂化。最近这一发展对手持装置提出了新的要求，即手持装置应当支持数种不同的标准和电信系统。对数种不同的系统予以支持即意味着在手持装置的RF部件中需要几套滤波器和其它RF组件。除此较为复杂以外，手持装置的尺寸不应因如此广泛的支持而有所增加。
现有技术移动电话所采用的RF滤波器通常是分立的声表面波(SAW)滤波器或陶瓷滤波器。这一方案对于单个标准电话来说已经足够，但它不能在不增加移动电话的尺寸的基础上支持数种电信系统。
声表面波(SAW)谐振器的结构类似于图1所示结构。声表面波谐振器利用固体表面的表面声学振动模式，在这些模式中振动局限在固体的表面，离开表面则很快地衰减。SAW谐振器通常包括压电层100和两个电极122、124。利用SAW谐振器可以产生诸如滤波器之类的各种谐振器结构。SAW谐振器的优点是尺寸非常小，缺点是不能承受大功率。
在半导体晶片，比如硅(Si)或砷化镓(GaAs)晶片上制造薄膜体声波谐振器的技术已经公知。例如，在K.M.Lakin和J.S.Wang于Feb.1,1981发表于Applied Physics Letters,Vol.38,No.3，第125-127页的题目为“Acoustic Bulk Wave Composite Resonators”的文章中，披露了一种体声波谐振器，它包括溅射于硅(Si)薄膜片上的氧化锌(ZnO)薄膜压电层。另外，在Hiroaki Satoh、Yasuo Ebata、Hitoshi Suzuki和Choji Narahara于1985年发表于I5 Proc.39thAnnual Symp.Freq.Control，第36l-366页的题目为“An Air-Gap TypeComposite Thin Film Resonators”的文章中，披露了具有桥结构的体声波谐振器。
图2表示了具有桥结构的体声波谐振器的一个例子。该结构包括淀积于基片200上的薄膜130。谐振器还包括位于该薄膜上的底电极110，压电层100和顶电极120。刻蚀去牺牲层，可以在薄膜和基片之间产生一个间隙210。该间隙起声学隔离器的作用，基本上将振动谐振器结构与基片隔离开。
体声波谐振器还未得到广泛的应用，部分是由于目前还没有可行的方法将这样的谐振器和其它电路组合在一起。但是，BAW谐振器与SAW谐振器相比有一些优点。例如，BAW结构对大功率电平有较好的耐受力。
目前微型机械装置也在开发之中。微型机械装置通常是利用淀积、构图和刻蚀技术在硅基片上产生所需要的结构而获得的。例如，图3示意了一种微型机械开关的结构。微型机械开关包括悬臂400、位于基片200上的接触焊盘430和接触条440，接触条440在接触焊盘430之间产生接触用，以及两个电极410、420。悬臂电极410形成于悬臂上，而基片电极420形成于基片上。接触条形成于悬臂的一端，而悬臂的另一端固定到基片上，固定装置优选采用支撑件405，以便将悬臂从基片表面上抬起。在微型机械开关工作的时候在悬臂和基片电极之间耦合有DC电压。该DC电压在悬臂和开关的基片电极之间产生静电力。静电力使悬臂弯曲，导致接触条与基片接触焊盘430接触。在D.L.Polla和L.F.Francis于July 1996发表于MRS Bulletin，第59-65页的题目为“Ferroelectric Thin Films in Microelctromechanical SystemsApplications”的文章中，披露了其它几种微型机械结构，该文章在本文引用为参考。
本发明的目的是制造能够允许体声波谐振器和其它电路以有利的方式集成在一起的结构。本发明的另一个目的是提供开关式谐振器结构。本发明的另一个目的是提供很小尺寸的这类结构。本发明的进一步目的在于减少多系统移动通讯装置所需要的滤波器结构的尺寸。
这些目的可以通过将谐振器元件和开关元件集成在同一基片中而达到。优选在同一处理过程期间将谐振器元件和开关元件集成在该基片中。
根据本发明的谐振器结构的特征在于，在独立权利要求的特征部分针对谐振器结构所描述的内容。根据本发明的移动通讯装置的特征在于，在独立权利要求的特征部分针对移动通讯装置所描述的内容。从属权利要求描述了本发明的具有进一步优点的实施例。
根据本发明，将至少一个谐振器元件和至少一个开关元件在同一处理过程期间集成在同一基片中。这在采用桥式BAW谐振器和微型机械开关的时候是特别有利的，因为用于产生桥结构的同样处理步骤可以被用于产生微型机械开关结构。将开关结构和谐振器组合在同一基片上，能够制造出非常紧凑、为多系统移动通讯装置所需的滤波器和谐振器结构。
根据本发明的另一方面，利用的BAW谐振器的特殊性能，即BAW谐振器可以集成在通常用于有源电路的基片，比如硅(Si)和砷化镓(GaAs)的表面上。根据本发明的该方面，这些开关可以用晶体管例如MESFET晶体管实现。
下面结合附图对本发明作详细描述。附图中：
图1示意了根据现有技术的声表面波谐振器；
图2示意了根据现有技术的体声波谐振器；
图3示意了根据现有技术的微型机械开关结构；
图4是具有桥结构的体声波谐振器的剖面图；
图5是图4结构的顶视图；
图6是另一具有桥结构的体声波谐振器的剖面图；
图7示意了具有通孔结构的体声波谐振器；
图8示意了经声学镜结构与基片隔离的体声波谐振器；
图9示意了具有堆叠结构的体声波谐振器；
图10示意了根据本发明的一个开关和谐振器结构；
图11示意了根据本发明的又一个开关和谐振器结构；
图12a,12b,12c示意了用体声波谐振器可以获得的各种滤波器结构；
图13示意了根据本发明体声波谐振器和微型机械开关在调制器结构中的用途；
图14示意了体声波谐振器和开关元件在振荡器结构中的用途；
图15示意了根据本发明开关式谐振器组在移动通讯装置中的应用；以及
图16示意了可以在本发明有利实施例中使用的MOSFET晶体管开关。
附图中相同的参考标号指代相同的部件。
根据本发明，在单个基片上实现了开关装置，比如微型机械开关和谐振器。所述谐振器是声表面波(SAW)或体声波(BAW)谐振器。
体声波谐振器通常制造在硅(Si)、砷化镓(GaAs)、玻璃或陶瓷基片上。广泛使用的一类陶瓷基片是氧化铝。BAW装置通常利用各种薄膜制造技术，例如溅射、真空蒸发或化学汽相淀积加以制造。BAW装置利用压电薄膜层来产生体声波。典型BAW装置的谐振频率范围在0.5GHz和5GHz之间，具体数值取决于装置的尺寸和材料。BAW谐振器具有晶体谐振器的典型串联和并联谐振特点。谐振频率主要由谐振器的材料和谐振器的各层的尺度确定。
典型的BAW谐振器由三个基本元件组成：
声学方式工作的压电层，
压电层的相对端上的电极，以及
与基片的声学隔离。
压电层可以例如是ZnO、AlN、ZnS或其它任何可以按薄膜形状制造的压电材料。进一步的例子是，铁电陶瓷也可以作为压电材料使用。例如，PbTiO3和Pb(ZrxTi1-x)03和所谓的锆钛酸镧铅家族的其它成员也可以使用。
优选情况是，用来构成电极层的材料是具有高声学阻抗的导电材料。这些电极可以由任何适当的金属材料构成，比如钨(W)，铝(Al)，铜(Cu)，钼(Mo)，镍(Ni)，钛(Ti)，铌(Nb)，银(Ag)，金(Au)，和钽(Ta)。
声学隔离可以利用例如下列技术完成：采用基片通孔，采用微型机械桥结构，或采用声学镜面结构。
但是，本发明不限于这三种技术，因为任何其它的使谐振器和基片隔离的手段都可以同样采用。
在通孔和桥结构中，声学反射表面是位于装置的上方和下方的空气界面。桥结构通常是利用牺牲层制成的，该牺牲层被刻蚀掉，产生自由立式的结构。利用牺牲层使得种类广泛的基片材料得以利用，因为基片不必作非常大的改动，正如通孔结构那样。
桥结构可以例如利用蚀刻坑结构实现。图4和5示意了具有蚀刻坑的一个BAW。图4和5给出了基片200、薄膜层130、底电极110、压电层100和顶电极120。图4是这一结构的剖面图，而图5是该结构的顶视图。在该蚀刻坑结构中，蚀刻坑210是在淀积了至少薄膜层130之后在BAW结构下刻蚀得到的。
图6示意了另一种制造桥结构的方法。在淀积BAW结构的其它层之前，首先淀积一个牺牲层140并加以构图。然后BAW结构的其余部分在牺牲层140上部分淀积和构图。在BAW结构的其余部分完成之后，刻蚀去牺牲层140。图6还给出了基片200、薄膜层130、底电极110、压电层100和顶电极120。
牺牲层优选利用金属或聚合物作为制造材料加以实现。例如，牺牲层可以利用铜(Cu)作为材料制备。聚合物优选是这样的聚合物，它能够抵抗在淀积其它各层之后可能达到的较高温度。例如，聚合物可以是特氟隆或其衍生物，聚苯硫，聚醚醚酮(polyetheretherketone)，聚(对亚苯基苯并二咪唑)，聚(对亚苯基苯并二噁唑)，聚(对亚苯基苯并二咪唑)，聚(对亚苯基苯并二噻唑)，聚酰亚胺，聚酰亚胺硅氧烷，乙烯醚，聚苯基，帕里纶N，帕里纶F，或苯环丁烯。
牺牲层可以用现有技术所采用的其它任何材料构成，比如氧化锌(ZnO)。但是，如前所述优选使用金属或聚合物。
在通孔结构中，通过将基片在BAW谐振器结构的主要部位下的部分蚀刻去，可以使谐振器和基片声学隔离。图7示意了BAW谐振器的通孔结构。图7表示了基片200、薄膜层130、底电极110、压电层100、和顶电极120。通孔211是贯穿整个基片刻蚀的。由于这种要求的蚀刻，通孔结构通常仅用Si或GaAs基片实现。
将BAW谐振器和基片隔离的另一方法是利用声学镜面结构。声学镜面结构通过使声波反射回谐振器结构而实现隔离功能。一个声学镜通常包括厚度为中心频率处四分之一波长的数层，交替层具有不同的声学阻抗。声学镜中的层数是奇数，通常范围是3到9。两个相继层的声学阻抗的比值应当大到对于BAW谐振器呈现尽可能低的声学阻抗，而不是基片材料的较高阻抗。高阻层材料可以例如是金(Au)，钼(Mo)或钨(W)，低阻层材料可以例如是硅(Si)，多晶硅(poly-Si)，二氧化硅(SiO2)，铝(Al)，或聚合物。因为在利用声学镜结构的结构中，谐振器与基片是隔离的，并且基片未作非常大的改动，因此可以采用许多种材料作为基片。
聚合物层可以由任何具有低损耗特性和低声学阻抗的聚合物材料构成。优选采用的聚合物应能够抵抗至少350摄氏度高温，因为在淀积声学镜结构的其它各层和其它结构期间可以获得较高温度。聚合物层可以由聚酰亚胺，cyclotene，一种碳基材料，硅基材料或其它任何适当的材料。
图8是处于声学镜结构上方的BAW谐振器的实例。图8给出了基片200，底电极110，压电层100，和顶电极120。声学镜结构150在此例中包括三层150a,150b。其中两层150a由第一材料构成，第三层150b处于这两层之间并由第二种材料构成。第一和第二种材料的声学阻抗不同，如前所述。这些材料的顺序在本发明的不同实施例中是不同的。在本发明的某些实施例中，高声阻的材料可以处于中间，而低声阻的材料处于该中间材料的两端。在本发明的其它实施例中，其顺序可以是相反的。在本发明的一些实施例中底电极可以作为声学镜的一层。
图9给出可以用在本发明有利实施例中的另一BAW谐振器结构。图9表示了具有两个压电层100的谐振器层叠结构。除了底电极110和顶电极120外，层叠结构需要一个中间电极115，它和地电位相连。图9还示意了薄膜层130、基片200和使结构和基片隔离的蚀刻坑210。
为清楚起见，说明书的各附图中没有绘出制造微型电子和微型机械结构通常所需要的任何钝化层。
在本发明的一种实施例中，微型机械开关用于执行向和从体声波谐振器和声表面波谐振器的信号切换。任何与图3所述相类似的微型机械开关结构都可以使用在根据本发明的结构之中。通过按照产生期望开关功能的理想方式将不止一个的图3基本开关进行组合和加以控制，可以制造出诸如多极开关之类的更为复杂的开关结构。图13表示了一种更为复杂的开关结构的示例，它将在本说明书稍后部分说明。
在本发明的一个有利实施例中，开关元件和谐振器元件是在相同的处理过程中制造的，由此开关和谐振器元件具有在同样的加工步骤中制造出的层。例如，淀积在基片上的金属层可以在后续的构图之后构成BAW谐振器的一个电极和微型机械开关的一个电极。这在采用桥型BAW谐振器和微型机械开关的时候特别有利，因为被用来产生桥结构的同样加工步骤可以被用来制造微型机械开关结构。例如，桥结构下的牺牲层和开关悬臂下的牺牲层可以是单个构图层的一部分，这些牺牲层在稍后阶段被刻蚀去。
在基片由硅、砷化镓或适于用作为集成电路基片的一些其它材料制成的此类实施例中，可以在同一基片上实现除开关晶体管之外的其它元件。例如，在同一基片上可以集成诸如放大器之类的其它电路，这一做法使得移动通讯装置的几乎所有RF元件都可以集成到单个基片上。
根据本发明的谐振器和开关结构可以用于例如实现开关式滤波器组。根据本发明的开关式滤波器组301的一个可能的应用如图10所示。图10可以例如用于对发送或接收频段的一个窄段滤波。滤波器组301包括通带相对较窄的几个通带滤波器300，由此通过将具有所需中心频率的滤波器切换至使用状态可以选择频段的一部分进行工作。在这些滤波器的第一端口的开关320用于选择所采用的滤波器。由于相邻滤波器的通带在一定程度上重叠，所以如果所有的其它滤波器即未用滤波器连接到另一端口由此引起第二端口的加载那么在第二滤波器端口的滤波器匹配是非常困难的。未使用的滤波器将呈现与频率有关的电抗，这在第二端口看来是分路电抗。这一问题可以利用到每个滤波器的第二开关320加以解决，如图10所示。在滤波器的通带相对隔开的此类应用中，在滤波器的第二端口即滤波器的输出端口处可以不需要开关。图10的滤波器组结构可以用于限制接收机从单个接收频段接收的噪声和干扰信号。在发射侧，这样的滤波器组可以清除由发射电路在期望发射频率之外产生的噪声。
在本发明的各种实施例中滤波器组301可以包括一或多个滤波器。图17仅表示了一个例子。
在本发明的另一有利实施例中，滤波器组可以用于在不同的工作频段之间选择，比如用在经设计与具有不同工作频段的一个以上网络通讯的移动通讯装置中。图11是根据这类实施例的结构。在图11，开关320仅仅用在滤波器300的输入端口。在该例子中，两个滤波器300的通带充分分离，所以在使用中呈现给滤波器输出端口的分路电抗不会过多影响使用中的滤波器的通带。在滤波器的输入端口设置开关320其目的是选择所需要的滤波器。图11所示的配置可以用在接收机结构和发射机结构中。
利用体声波谐振器实现的滤波器可以包括一个以上的谐振器。图12a,12b,12c表示了各种滤波器结构，该滤波器结构可以用在本发明的各实施例中。图12a是由数个具有单个压电层的体声波谐振器300构成的滤波器。采用梯形拓扑结构的数个谐振器在大多数情况下其滤波性能比仅用单个谐振器要好。图12b的滤波器结构是利用堆叠结构的体声波谐振器300’构成的滤波器结构。该滤波器包括串联的谐振器300’，在谐振器之间有短路电感307。图12c的滤波器结构是供窄通带工作用的。该结构除了采用短路电容308代替短路电感以外，其余类似于图12b结构。图12a,12b,12c的各种结构可以用于例如图10和11所示的开关式滤波器组结构。
体声波谐振器可以用于实现如前所述的滤波器。体声波谐振器还可以用作为调制器，来产生调幅信号和调相信号。如果在电极之间施加基本上恒定的电压那么谐振器的谐振频率等等诸如此类的特性略有变化，这是因为谐振器在谐振器沿一个方向弯曲的时候的频率响应不同于其未被弯曲的响应。这一特性可以产生可调谐谐振器和滤波器。另外，该特性可以使用于利用体声波谐振器实现的调制器结构中。由于调制波形的频率通常远低于射频载波的频率，调制波形构成射频载波的一个非常缓慢变化的偏差。由此，谐振频率根据调制波形随时间变化。当频率在谐振器的串联和并联谐振频率之间的射频载波被馈送到谐振器时，谐振器使RF载波信号按调制低频信号的函数衰减，产生幅度调制。
体声波谐振器的特性的变化还可以利用于相位调制中。因为谐振器的相移效果在该谐振器的谐振频率有尖锐的最大值，谐振器的谐振频率的改变对于频率在谐振器未经调制的谐振频率处或附近的射频载波来说将产生有显著变化的相移。
图13示意了本发明的一个有利实施例，它包括用作为调制器的体声波谐振器。图13表示了移动通讯之中的双频段调制器的结构。该双频段调制器结构500从第一射频载波源520接收第一射频载波，从第二射频载波源525接收第二射频载波。这两个载波首先在利用体声波谐振器构成的带通滤波器300中作带通滤波，然后这些带通信号流经起低频限波作用的电容器505，从而防止低频调制信号传播到带通滤波器和载波信号源。
从调制信号源530接收调制低频信号。该调制信号在低通滤波器535中作低通滤波，然后流经起高频限波作用的电感510，从而防止其传播到低通滤波器和调制信号源。从电感510，调制信号流向包括两个微型机械开关320的第一开关电路320a。第一开关电路用于选择拟调制的载波信号。根据第一开关电路的两个开关的位置，调制信号被导向第一射频载波信号线或第二射频载波信号线，然后流向调制器315a,315b之一。图13还示意了作调制器用途的可行谐振器配置的两个例子，即串联的谐振器315b和并联的谐振器315a。在串联配置中，需要一个电感515提供谐振器315b的低频接地。第二开关电路320b用于选择供发射的调制信号。为清楚起见，在图13中未绘示控制开关320位置的信号线。由虚线500包围的双频段调制器结构组件可以有利地制造在单个芯片上。
图14是本发明的进一步有利实施例。图14示意了公知的Colpitts类型的振荡器电路。采用由微型机械开关320和体声波谐振器300构成的体声波谐振器和开关组302，为振荡器电路提供数个工作频率。所需要的工作频率是通过用开关320之一选择相应的谐振器而选定的。这种振荡器结构可以有利地用于例如多频段移动通讯装置中。为清楚起见，图20未表示控制开关320位置的信号线。根据本发明的谐振器和开关结构还可以用在许多其它振荡器结构中，而图14仅是其一个示例。由于Colpitts振荡器为本领域的技术人员所公知，本文不再详细说明图14的振荡器的结构和功能。
在图15，表示了根据本发明进一步有利实施例的移动通讯装置的框图。移动通讯装置的接收机部分包括对接收信号滤波的第一接收机开关式滤波器组302a，对接收信号放大的接收机放大器605，对接收信号进一步滤波的第二接收机开关式滤波器组302b，将接收信号转换到基带的混频器610对信号解调和解码的接收机电路630和产生可听接收信号的耳机650或扬声器650。发射部分包括传声器656，将拟发射的信号编码和执行其它必要信号处理的发射机电路635，产生调制射频信号的调制器615，第一发射器开关滤波器组302d，发射机放大器606，和第二发射机开关式滤波器组302c。移动通讯装置还包括天线601，振荡器电路620，控制电路640，显示器652和键盘654。控制电路640控制接收机和发射机电路以及振荡器电路的操作，以及经显示器652向用户显示信息，并且经键盘654从用户接收指令。开关式滤波器组302a,302b,302c,302d可以例如具有图10所示的结构或图11所示的结构，或者图10和11结构的组合，这取决于移动通讯装置工作频段的个数和宽度。开关式滤波器组302a,302b,302c,302d还可以采用其它结构。开关式接收机滤波器组302a,302b用于限制接收机从接收频段接收的噪声和干扰信号。在发射侧，开关式发射滤波器组302c,302d可以清除发射电路在所需发射频率之外产生的噪声。振荡器电路620可以包括具有开关式谐振器组的振荡器，比如图14所示。振荡器电路620还可以包括将不需要的噪声从振荡器电路的输出中除去的开关滤波器电路。
在本发明的进一步有利的实施例中，开关是利用有源半导体元件比如MESFET或MOSFET晶体管或PIN二极管或者其它具有较快开关速度和低的接通时电阻的有源开关实现的。图16示意了基于MOSFET的开关结构的一个例子，它可以使用于本发明的实施例中。该开关是一种SP2T(单刀双掷)开关。这个开关有两个RF输入端RF1、RF2和一个RF输出端RFOUT，以及两个控制输入端SW1、SW2。开关的状态是经在输入端SW1和SW2之一上施加正的控制电压和对另一输入端施加零控制电压而选定的。当晶体管T1在控制电压的作用下转入导通状态时，信号RF1流入输出端RFOUT，而信号RF2经晶体管T3短路至地。当晶体管T2在控制电压的作用下转入导通状态时，信号RF2流入输出端RFOUT，而信号RF1经晶体管T4短路至地。由于本领域的技术人员熟知许多其它的能够工作在高频的晶体管开关结构，所以这样的结构将不再详细描述。
根据本发明的进一步有利实施例中，在其上谐振器和开关装置被淀积的基片还固定其它的组件。例如，基片还为其它组件提供线路连接，所述线路连接是以导电图形的形式实现在基片表面上的。其后诸如集成电路之类的组件可以焊接在该基片上。例如，利用倒装片焊接技术可以将拆包的集成电路直接焊接在基片上。这样的实施例在将玻璃当作基片材料的时候特别有利，因为成本低廉的玻璃基片可以允许制造较大的基片，由此这样的基片除了淀积的谐振器和开关结构外还可以包容其它组件。
根据本发明的谐振器和开关结构有利地使用于大致400MHz或其以上的频率，即BAW谐振器可以使用的频率处。
本发明提供经济可行的组合谐振器和开关组合结构，因为这样的结构可以一次制造过程即可完成。本发明还允许制造尺寸非常小的复杂的开关式谐振器和滤波器结构，这是构筑多系统移动通讯装置方面是明显的进步。
根据上文的描述，对于本领域的技术人员来说很明显可以在本发明的范围内作各种修改。尽管对本发明的优选实施例作了详细说明，显然可以对其作许多的修改和变更，而不会脱离本发明的真实精神和范畴。例如谐振器可以是SAW或BAW谐振器，而开关元件可以是晶体管或微型机械开关。本发明的一个重要特性是谐振器和开关元件已经至少经过在基片上淀积多层并加以构图而制备。
Claims (11)
1．谐振器结构，包括具有在一基片上的至少一个谐振器，所述谐振器是至少经过在基片上淀积多层并加以构图而制备的，其特征在于所述谐振器结构包括通过至少在该基片上淀积多层并加以构图而制备的至少一个开关元件。
2．根据权利要求1所述的谐振器结构，其特征在于所述至少一个开关元件中至少有一个具有至少一个晶体管。
3．根据权利要求1所述的谐振器结构，其特征在于所述至少一个谐振器中至少有一个是微型机械开关。
4．根据权利要求1所述的谐振器结构，其特征在于所述至少一个谐振器中至少有一个是体声波谐振器。
5．根据权利要求1所述的谐振器结构，其特征在于所述至少一个谐振器中至少有一个是声表面波谐振器。
6．根据权利要求1所述的谐振器结构，其特征在于所述至少一个开关元件中至少有一个具有至少一层，该至少一层是同一层的一部分，在所述同一层中所述至少一个开关元件中的所述至少一层构成其一部分。
7．根据权利要求1所述的谐振器结构，其特征在于所述谐振器结构包括至少一个滤波器。
8．根据权利要求1所述的谐振器结构，其特征在于所述谐振器结构包括至少一个调制器。
9．根据权利要求1所述的谐振器结构，其特征在于所述谐振器结构是开关式滤波器组的开关式谐振器组。
10．根据权利要求1所述的谐振器结构，其特征在于所述至少一个晶体管是集成在该基片上的。
11．移动通讯装置，其特征在于所述移动通讯装置包括：
谐振器结构，所述谐振器结构包括在一基片上的至少一个谐振器，所述谐振器是通过至少在该基片上淀积多层并加以构图而制备的：以及
通过至少在该基片上淀积多层并加以构图而制备的至少一个开关元件。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101278479B (zh) * | 2005-09-30 | 2011-04-13 | Nxp股份有限公司 | 薄膜体声波（baw）谐振器或相关改进 |
| CN101115325B (zh) * | 2006-07-28 | 2011-05-11 | 中国科学院声学研究所 | 一种适合单芯片集成的调频硅微电容传声器系统 |
Families Citing this family (72)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI108583B (fi) * | 1998-06-02 | 2002-02-15 | Nokia Corp | Resonaattorirakenteita |
| JP2000209063A (ja) * | 1998-11-12 | 2000-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜圧電素子 |
| US6600252B2 (en) | 1999-01-14 | 2003-07-29 | The Regents Of The University Of Michigan | Method and subsystem for processing signals utilizing a plurality of vibrating micromechanical devices |
| US6593831B2 (en) | 1999-01-14 | 2003-07-15 | The Regents Of The University Of Michigan | Method and apparatus for filtering signals in a subsystem including a power amplifier utilizing a bank of vibrating micromechanical apparatus |
| US6577040B2 (en) * | 1999-01-14 | 2003-06-10 | The Regents Of The University Of Michigan | Method and apparatus for generating a signal having at least one desired output frequency utilizing a bank of vibrating micromechanical devices |
| US6566786B2 (en) | 1999-01-14 | 2003-05-20 | The Regents Of The University Of Michigan | Method and apparatus for selecting at least one desired channel utilizing a bank of vibrating micromechanical apparatus |
| FI107660B (fi) | 1999-07-19 | 2001-09-14 | Nokia Mobile Phones Ltd | Resonaattorirakenne |
| EP1153405B1 (en) * | 1999-12-10 | 2006-09-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electronic devices including micromechanical switches |
| DE10003704A1 (de) * | 2000-01-28 | 2001-08-09 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung mit Bandpaßfiltern |
| DE10007577C1 (de) | 2000-02-18 | 2001-09-13 | Infineon Technologies Ag | Piezoresonator |
| EP1273099A1 (en) * | 2000-04-06 | 2003-01-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Tunable filter arrangement comprising resonators. |
| AU2001255868A1 (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-07 | The Regents Of The University Of Michigan | Method and apparatus for filtering signals in a subsystem including a power amplifier utilizing a bank of vibrating micromechanical apparatus |
| US6384697B1 (en) * | 2000-05-08 | 2002-05-07 | Agilent Technologies, Inc. | Cavity spanning bottom electrode of a substrate-mounted bulk wave acoustic resonator |
| GB0014630D0 (en) * | 2000-06-16 | 2000-08-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Bulk accoustic wave filter |
| SE0101184D0 (sv) * | 2001-04-02 | 2001-04-02 | Ericsson Telefon Ab L M | Micro electromechanical switches |
| US6690251B2 (en) * | 2001-04-11 | 2004-02-10 | Kyocera Wireless Corporation | Tunable ferro-electric filter |
| US7394430B2 (en) * | 2001-04-11 | 2008-07-01 | Kyocera Wireless Corp. | Wireless device reconfigurable radiation desensitivity bracket systems and methods |
| US7221243B2 (en) * | 2001-04-11 | 2007-05-22 | Kyocera Wireless Corp. | Apparatus and method for combining electrical signals |
| US7746292B2 (en) * | 2001-04-11 | 2010-06-29 | Kyocera Wireless Corp. | Reconfigurable radiation desensitivity bracket systems and methods |
| US7154440B2 (en) * | 2001-04-11 | 2006-12-26 | Kyocera Wireless Corp. | Phase array antenna using a constant-gain phase shifter |
| US7174147B2 (en) * | 2001-04-11 | 2007-02-06 | Kyocera Wireless Corp. | Bandpass filter with tunable resonator |
| DE60225795T2 (de) | 2001-04-25 | 2009-04-16 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Anordnung mit zwei piezoelektrischen schichten und verfahren zum betreiben einer filtereinrichtung |
| US6621368B2 (en) | 2001-06-06 | 2003-09-16 | Remec Oy | Dynamic range extension for an electronic circuit |
| FI118400B (fi) * | 2001-08-21 | 2007-10-31 | Nokia Corp | Pietsosähköisiä resonaattoreita käsittävä suodinrakenne |
| US7176845B2 (en) * | 2002-02-12 | 2007-02-13 | Kyocera Wireless Corp. | System and method for impedance matching an antenna to sub-bands in a communication band |
| US7184727B2 (en) * | 2002-02-12 | 2007-02-27 | Kyocera Wireless Corp. | Full-duplex antenna system and method |
| US7180467B2 (en) * | 2002-02-12 | 2007-02-20 | Kyocera Wireless Corp. | System and method for dual-band antenna matching |
| KR100499126B1 (ko) * | 2002-06-20 | 2005-07-04 | 삼성전자주식회사 | 유기막 멤브레인을 이용한 액츄에이터 |
| JP4075503B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2008-04-16 | ソニー株式会社 | マイクロマシンおよびその製造方法 |
| US6944432B2 (en) * | 2002-11-12 | 2005-09-13 | Nokia Corporation | Crystal-less oscillator transceiver |
| AU2003274553A1 (en) | 2002-11-19 | 2004-06-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Duplexer and method of isolating an rx-band and a tx-band |
| FR2852165A1 (fr) * | 2003-03-06 | 2004-09-10 | St Microelectronics Sa | Procede de realisation d'un microresonateur piezolectrique accordable |
| JP2004281742A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Japan Science & Technology Agency | 半導体素子、半導体センサーおよび半導体記憶素子 |
| KR100599083B1 (ko) * | 2003-04-22 | 2006-07-12 | 삼성전자주식회사 | 캔틸레버 형태의 압전 박막 공진 소자 및 그 제조방법 |
| US6927651B2 (en) * | 2003-05-12 | 2005-08-09 | Agilent Technologies, Inc. | Acoustic resonator devices having multiple resonant frequencies and methods of making the same |
| US20040227578A1 (en) * | 2003-05-14 | 2004-11-18 | Miikka Hamalainen | Acoustic resonance-based frequency synthesizer using at least one bulk acoustic wave (BAW) or thin film bulk acoustic wave (FBAR) device |
| US7720443B2 (en) | 2003-06-02 | 2010-05-18 | Kyocera Wireless Corp. | System and method for filtering time division multiple access telephone communications |
| US6862441B2 (en) * | 2003-06-09 | 2005-03-01 | Nokia Corporation | Transmitter filter arrangement for multiband mobile phone |
| EP1505720B1 (en) * | 2003-08-06 | 2018-07-18 | Synergy Microwave Corporation | Tunable frequency, low phase noise and low thermal drift oscillator |
| JP2005136588A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Sharp Corp | 圧電薄膜共振器、フィルタ、フィルタバンク、フィルタバンク一体型電力増幅器および高周波通信装置 |
| DE10352642B4 (de) * | 2003-11-11 | 2018-11-29 | Snaptrack, Inc. | Schaltung mit verringerter Einfügedämpfung und Bauelement mit der Schaltung |
| US20050148065A1 (en) | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Intel Corporation | Biosensor utilizing a resonator having a functionalized surface |
| FI20040162A0 (fi) | 2004-02-03 | 2004-02-03 | Nokia Oyj | Viitevärähtelijän taajuuden vakauttaminen |
| US7248845B2 (en) * | 2004-07-09 | 2007-07-24 | Kyocera Wireless Corp. | Variable-loss transmitter and method of operation |
| EP1833172B1 (en) * | 2004-12-28 | 2012-04-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Balance/unbalance filter module and communication apparatus |
| JP2006203304A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 圧電薄膜共振器及びそれを用いた発振器並びにそれを内蔵した半導体集積回路 |
| CN101213631B (zh) * | 2005-05-02 | 2012-03-28 | 爱普科斯公司 | 电容性射频微机电系统器件及其制造方法 |
| EP1886403B1 (en) * | 2005-05-20 | 2018-12-26 | Synergy Microwave Corporation | Tunable oscillator having series and parallel tuned resonant circuits |
| US20060273866A1 (en) * | 2005-06-07 | 2006-12-07 | Nokia Corporation | Film bulk acoustic wave resonator with differential topology |
| US7299529B2 (en) * | 2005-06-16 | 2007-11-27 | Intel Corporation | Film bulk acoustic resonator (FBAR) process using single-step resonator layer deposition |
| US7378781B2 (en) | 2005-09-07 | 2008-05-27 | Nokia Corporation | Acoustic wave resonator with integrated temperature control for oscillator purposes |
| US20070089513A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-26 | Rosenau Steven A | Resonator based transmitters for capacitive sensors |
| EP1786096A3 (en) * | 2005-11-15 | 2007-06-27 | Synergy Microwave Corproation | Low cost multi-octave-band tunable oscillator having low and uniform phase noise |
| US7548762B2 (en) * | 2005-11-30 | 2009-06-16 | Kyocera Corporation | Method for tuning a GPS antenna matching network |
| JP2007174438A (ja) | 2005-12-23 | 2007-07-05 | Toshiba Corp | フィルタ回路及びフィルタを備えた無線通信システム |
| US7675388B2 (en) * | 2006-03-07 | 2010-03-09 | Agile Rf, Inc. | Switchable tunable acoustic resonator using BST material |
| DE102006023165B4 (de) * | 2006-05-17 | 2008-02-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines akustischen Spiegels aus alternierend angeordneten Schichten hoher und niedriger akustischer Impedanz |
| EP1976015B1 (en) | 2007-03-26 | 2014-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Switching element, method for manufacturing the same, and display device including switching element |
| JP5136134B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2013-02-06 | ソニー株式会社 | バンドパスフィルタ装置、その製造方法、テレビジョンチューナおよびテレビジョン受信機 |
| US7777595B2 (en) * | 2008-04-30 | 2010-08-17 | John Mezzalingua Associates, Inc. | Multi-channel filter assemblies |
| US8742870B2 (en) * | 2008-09-08 | 2014-06-03 | Optis Cellular Technology, Llc | Reconfigurable filter apparatus |
| DE102008049668B4 (de) * | 2008-09-30 | 2016-05-04 | Intel Deutschland Gmbh | Hochfrequenz-Vorstufe und Empfänger |
| US20110076974A1 (en) * | 2009-01-31 | 2011-03-31 | Sei-Joo Jang | Flexible wireless network system and method of use |
| WO2012079038A2 (en) * | 2010-12-10 | 2012-06-14 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method, system, and apparatus for resonator circuits and modulating resonators |
| WO2015084456A2 (en) | 2013-09-18 | 2015-06-11 | The Regents Of The University Of California | Tunable q resonator |
| US10547287B2 (en) * | 2017-02-03 | 2020-01-28 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Filter and front end module including the same |
| US10511286B2 (en) * | 2017-02-03 | 2019-12-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Variable frequency filter |
| CN117060880A (zh) * | 2017-07-25 | 2023-11-14 | 株式会社村田制作所 | 高频滤波器、多工器、高频前端电路以及通信装置 |
| JP6889423B2 (ja) * | 2018-02-05 | 2021-06-18 | 株式会社村田製作所 | フィルタ装置、高周波フロントエンド回路、および通信装置 |
| KR20200078084A (ko) * | 2018-12-21 | 2020-07-01 | 삼성전기주식회사 | 프론트 엔드 모듈 |
| US10979019B2 (en) * | 2019-06-11 | 2021-04-13 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Reconfigurable resonator devices, methods of forming reconfigurable resonator devices, and operations thereof |
| CN111384923A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-07-07 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种小型化格型晶体滤波器 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4570139A (en) * | 1984-12-14 | 1986-02-11 | Eaton Corporation | Thin-film magnetically operated micromechanical electric switching device |
| JPH03178206A (ja) * | 1989-12-06 | 1991-08-02 | Nec Corp | モノリシック集積回路化発振器 |
| US5075641A (en) * | 1990-12-04 | 1991-12-24 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | High frequency oscillator comprising cointegrated thin film resonator and active device |
| US5747857A (en) * | 1991-03-13 | 1998-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic components having high-frequency elements and methods of manufacture therefor |
| JPH0546111U (ja) * | 1991-11-21 | 1993-06-18 | 三菱電機株式会社 | 弾性表面波発振器 |
| JPH06125A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 炊飯器 |
| JPH07109816B2 (ja) * | 1992-10-13 | 1995-11-22 | 松下電器産業株式会社 | 電子音響集積回路およびその製造方法 |
| WO1994014240A1 (en) * | 1992-12-11 | 1994-06-23 | The Regents Of The University Of California | Microelectromechanical signal processors |
| US5382930A (en) | 1992-12-21 | 1995-01-17 | Trw Inc. | Monolithic multipole filters made of thin film stacked crystal filters |
| US5373268A (en) | 1993-02-01 | 1994-12-13 | Motorola, Inc. | Thin film resonator having stacked acoustic reflecting impedance matching layers and method |
| US5619061A (en) | 1993-07-27 | 1997-04-08 | Texas Instruments Incorporated | Micromechanical microwave switching |
| JPH08148968A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜圧電素子 |
| US5714917A (en) | 1996-10-02 | 1998-02-03 | Nokia Mobile Phones Limited | Device incorporating a tunable thin film bulk acoustic resonator for performing amplitude and phase modulation |
| US5873154A (en) | 1996-10-17 | 1999-02-23 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for fabricating a resonator having an acoustic mirror |
| US5808527A (en) * | 1996-12-21 | 1998-09-15 | Hughes Electronics Corporation | Tunable microwave network using microelectromechanical switches |
| US5872493A (en) | 1997-03-13 | 1999-02-16 | Nokia Mobile Phones, Ltd. | Bulk acoustic wave (BAW) filter having a top portion that includes a protective acoustic mirror |
| US6312816B1 (en) * | 1998-02-20 | 2001-11-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | A-site- and/or B-site-modified PbZrTiO3 materials and (Pb, Sr, Ca, Ba, Mg) (Zr, Ti, Nb, Ta)O3 films having utility in ferroelectric random access memories and high performance thin film microactuators |
-
1998
- 1998-06-02 FI FI981245A patent/FI106894B/fi not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-05-27 US US09/321,339 patent/US6242843B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-02 EP EP99304277A patent/EP0962999A3/en not_active Ceased
- 1999-06-02 JP JP11154477A patent/JP2000030594A/ja active Pending
- 1999-06-02 EP EP08004288A patent/EP1936733B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-02 CN CN99106965A patent/CN1130790C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101278479B (zh) * | 2005-09-30 | 2011-04-13 | Nxp股份有限公司 | 薄膜体声波（baw）谐振器或相关改进 |
| CN101115325B (zh) * | 2006-07-28 | 2011-05-11 | 中国科学院声学研究所 | 一种适合单芯片集成的调频硅微电容传声器系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1936733B1 (en) | 2011-09-21 |
| JP2000030594A (ja) | 2000-01-28 |
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| EP0962999A3 (en) | 2001-05-16 |
| CN1130790C (zh) | 2003-12-10 |
| FI106894B (fi) | 2001-04-30 |
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