CN101278479B - 薄膜体声波（baw）谐振器或相关改进 - Google Patents
薄膜体声波（baw）谐振器或相关改进 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101278479B CN101278479B CN2006800359959A CN200680035995A CN101278479B CN 101278479 B CN101278479 B CN 101278479B CN 2006800359959 A CN2006800359959 A CN 2006800359959A CN 200680035995 A CN200680035995 A CN 200680035995A CN 101278479 B CN101278479 B CN 101278479B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- dielectric material
- resonator
- baw resonator
- material region
- metal area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 title description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 18
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 35
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 4
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/0211—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/174—Membranes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/175—Acoustic mirrors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
薄膜体声波(BAW)谐振器，例如SBAR或FBAR，用于操作频率在1GHz数量级的RF选择性滤波器。BAW谐振器包括两侧分别是第一和第二表面的压电层(14)，在第一表面延伸的第一电极(16)，在第二表面延伸的第二电极(12)，以及确定谐振器基本厚度扩展(TE)模型激励区域的第一和第二电极重叠区域(R1)的延伸。在第一电极(16)的相同层面以及电极周围区域设置电介质材料(18)可以降低谐振器的插入损耗。构成电介质材料(18)的材料与构成其围绕的第一电极(16)材料质量不同，典型地在5％到15％。电介质材料(18)的质量可以低于或高于第一电极(16)的质量。电介质材料(18)平面化提高了器件的性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种体声波(BAW)谐振器，具体地但不排除应用于高于1GHz射频(RF)选择功能的滤波器，例如移动通讯和无线联通装置。本发明还涉及一种降低体声波(BAW)谐振器通频带插入损耗的方法。
背景技术
薄膜体声波滤波器的基本构件是使用薄膜体声波谐振器(FBAR)或固体安装体声波谐振器(SBAR或SMR)技术的BAW谐振器。通频带低插入损耗是这种滤波器的核心要求。典型地，视线了2到3dB的插入损耗，在许多规范中最好低于1dB。
近年来的调查表明要改进BAW器件的性能。
J.Kaitila等人2003年在IEEEUltrasonics Symposium，Honolulu，P84的“Spurious Resonance Free Bulk Acoustic Wave Resonators”，公开了一种通过在每个谐振器周围采用框架区来减少不必要驻波的方法。据说，这种方法在一定程度上减少了能量损耗，但是尚未有足够的理由解释为什么这样的结构可以减少损耗。
US 2002/0030424 A1公开了通过包括AT切割石英晶片的上下表面的期间结构来抑制由于在高频压电谐振器中产生的不和谐模式导致的副振荡模。顶部激励电极即主电极设置在顶部表面的预定区域，底部激励电极设置在底部表面的整个区域上。在主电极周围的顶部表面上设置了第二电极，但是主电极和第二电极的并列边缘之间留有间隙。第二电极配置用于抑制寄生模式。在一些实施例中，主电极和第二电极的材料具有不同的材料密度，例如构成第二电极的银的密度低于构成主电极的金的密度。此外，第二电极的厚度大于主电极的厚度以限制能量俘获物质波仅为主振动。在使用金和银分别作为主电极和第二电极的情况下，第二电极的厚度大约是主电极厚度的两倍。此外还需要设定主电极和第二电极的截止频率，使得第二电极的截止频率(f3)高于主电极的截止频率(f1)，间隙的截止频率(f2)高于f3，即f1＜f3＜f2。
更早的研究，R.F.Milsom等人2002年在IEEE UltrasonicsSymposium，Munich，P963的“Combined acoustic-EM simulation onthin-film bulk acoustic wave filters”确定了薄膜BAW谐振器的主要损耗机理原本是声损耗，除了在电阻是主要损耗源的振动频率fr(最大导纳频率)附近很窄范围内的频率。还清楚的是，通过观察，未解释的损耗随着频率强烈变化，而薄膜层的粘度和其他材料相关机理不是主要原因。例如，反共振fa的声损耗远大于共振损耗，这两个频率仅相差约3％。根据这种强烈的频率相关性，可以得出结论，可能的原因是离开每个谐振器的行波声波能量的不必要辐射，伴随不必要的厚度扩展(TE)模式驻波能量。行波声波在FBAR情况下是兰姆波，在SBAR情况下是表面声波和弹性波。然而，在新的二维模型发展前，精确机理既没有定性也没有定量。因此没有有效的补救可以引入。
发明内容
本发明的目的是减少BAW谐振器中的损耗以及BAW滤波器中的插入损耗。
根据本发明的第一方面，提出了一种体声波(BAW)谐振器，包括第一和第二层以及介入压电层，所述第一和第二层分别包括第一和第二重叠的金属区域作为电极，所述第一层还包括在重叠的区域外且至少部分围绕第一金属区的电介质材料区，其中所述电介质材料具有与第一金属区的质量不同的质量。
根据本发明的第二方面，提出了一种滤波器，包括根据本发明第一方面的多个BAW谐振器。
根据本发明的第三方面，提出了一种包括滤波器的射频设备，所述滤波器包括根据本发明第一方面的多个BAW谐振器。
根据本发明的第四方面，提出了一种减少包括多个体声波(BAW)谐振器的滤波器的通频带中的插入损耗的方法，每个所述BAW谐振器包括第一层和第二层和介入压电层，所述第一和第二层分别包括第一和第二重叠的金属区域作为电极，所述方法包括在重叠的区域以外并且至少部分围绕第一金属区的第一层中形成电介质材料区，其中所述电介质材料具有与所述第一金属区质量不同的质量。
第一和第二金属区的重叠区域确定了基本TE模式的激励区。
本发明基于BAW谐振器二维(2D)模式的实现，这种(否则为低损耗)器件能量损耗的主要来源是从BAW谐振器窄频带上的声波强辐射，即本发明中的“辐射带”。FBAR中的辐射带限定的很好，而在SBAR中能带边缘限定的不够好，但是广义上出现相同的效应。模型示出了辐射带是每个谐振器占有区域内外薄膜结构所使用的材料之间的关系特性。在根据本发明制造的BAW滤波器中，选择各层使辐射带在滤波器通频带上或下切换，以消除这一主要的插入损耗源。理想情况下，总的相对偏移量正好可以防止辐射带和通频带的重叠，没有带间小的空白，否则SBAR中不必要的表面声波和FBAR中的兰姆波将会增多且由此产生的损耗将占优势。
本发明实施例中，电介质材料和第一金属区的质量差在5％到15％。
在一个示例中，电介质材料的质量大于第一金属区的质量。例如电介质材料是相对较重或高质量的电介质材料如五氧化二钽(Ta2O5)，而第一金属区是相对较低质量的导体如铝(Al)。这一结构把辐射带降频到滤波器通频带相对的频率。
在另一个示例中，电介质材料的质量小于第一金属区的质量。例如第一金属区是相对较重或高质量的导体如铂(Pt)，而电介质材料是相对较轻或低质量的电介质材料例如五氧化二钽(Ta2O5)。在电介质材料质量小于第一金属区质量的另一个示例中，第一金属区是较重或高质量的导体如钼(Mo)而电介质材料是相对较轻或低质量的电介质材料如二氧化硅(SiO2)。这些结构把辐射带提高到滤波器通频带相对的频率。
如果需要，电介质材料可作成平面材料，与第一金属区具有相同的厚度且部分围绕。
附图说明
将参考附图作为示例描述本发明，其中：
图1是穿过SBAR各层的截面；
图2是穿过FBAR各层的截面；
图3示出了FBAR内部区域R1中五种最重要横向导模的色散曲线；
图4示出了与SiO2平面化的FBAR外部区域R2中五种最重要横向导模的色散曲线；
图5示出了SBAR内部区域R1中五种最重要横向导模的色散曲线；
图6示出了与SiO2平面化的SBAR外部区域R2中五种最重要横向导模的色散曲线；
图7示出了FBAR导纳Y的量级，虚线代表1D模型，实线代表2D模型；
图8示出了FBAR导纳Y的相位，虚线代表1D模型，实线代表2D模型；
图9示出了SBAR导纳Y的量级，虚线代表1D模型，实线代表2D模型；
图10示出了SBAR导纳Y的相位，虚线代表1D模型，实线代表2D模型；
图11示出了宽度为100μm的FBAR导纳|Y|的量级，顶层包括厚度为100nm的铝，与厚度同样是100nm的Ta2O5电介质层平面化；虚线代表1D模型，实线代表2D模型；
图12示出了宽度为100μm的FBAR导纳的相位，顶层包括厚度为100nm的铝，与厚度同样是100nm的Ta2O5电介质层平面化；虚线代表1D模型，实线代表2D模型；
图13示出了非平面型FBAR各层的截面；
图14示出了FBAR各层截面，第12和16层的位置与在图2和图13中的位置相反；以及
图15示出了根据本发明制造的带有至少一个BAW谐振器射频收发器的结构框图。
附图中，对应的特征用相同的参考数字表示。
具体实施方式
图1和图2描述了现有工艺的BAW器件以及辐射带存在的影响。然后，描述了克服辐射带影响的措施。
图1所示的SBAR包括典型地是硅(Si)的衬底10，组成SBAR整个区域。在衬底上形成包括交替的低(L)和高(H)机械阻抗层的声波布拉格反射器BR，典型地分别是二氧化硅(SiO2)和五氧化二钽(Ta2O5)。布拉格反射器BR上设置有压电结构。所述压电结构包括在底层L2上的底部电极12，典型地覆盖压电层14下表面区域，该区域大于顶层L1上的顶部电极16区域。底部电极12典型地是钛和铂(Ti/Pt)，而压电层14典型地包括氮化铝(AlN)。顶部电极16典型地包括铝(Al)，位于压电层14上表面中心的有限区域。顶部电极16可以是任何合适的形状，例如圆形、椭圆形或矩形，例如带有圆角的任意四边形。
正如在截面中所看见的，SBAR包括内部区域R1(或区域类型1)和外部区域R2(或区域类型2)。内部区域R1由顶部电极16、压电层14全部区域、底部电极12、布拉格反射器BR以及顶部电极层16下方的衬底10有效地限定。外部区域R2(或区域类型2)包括L1层、L2层、布拉格反射器BR以及衬底10上由顶部电极16限定区域以外的那些区域。描述至此的SBAR结构都是典型器件。
图1中的外部区域R2包括附加的电介质层18，围绕着顶部电极层16，会在下面描述本发明时讨论。
图2示出了典型FBAR各层截面。比较图1中的SBAR结构，布拉格反射器被空气间隙11代替。典型的FBAR是在硅衬底10上沉积底部电极12、顶部电极16以及压电层14，然后微细加工硅衬底10以形成位于与顶部电极16重叠的底部电极12下方的那部分空气间隙11。仍如图2所示，L1层是压电层14上方外部区域中的附加电介质材料18，典型地为五氧化二钽。附加电介质材料18的厚度内部区域R1中顶部电极16的厚度相同，如图2所示，但是在另一个实施例中，电介质材料18的厚度也可以与顶部电极16的不同。当电介质材料18的厚度与顶部电极16的厚度相同时，它被称为平面型材料。组成如图1所示的SBAR外部区域R2的电介质材料18可以是平面型材料。图2所示的FBAR典型地的宽度是200μm，包括铝和顶层L1中的平面化五氧化二钽电介质材料的顶部电极16的厚度是100nm。
操作中，当在顶部和底部电极12、16之间施加交流信号时，在压电层会激发声波振动。通用的任何类型薄膜BAW谐振器的简单1D模型假设声波振动是单纯纵向的，仅在如图1和图2所示的x3方向上有运动，也就是垂至于各层。这种振动即是厚度扩展(TE)模式。该1D模型还假设在外部区域R2中没有振动。模型描述了所需的谐振器行为，而不是实际行为，但是在一些情况下对器件性能给出了相当准确的预测。然而，预测的声波振动只影响“激励”场。它忽略了由此“激励”场激发的W波(图1和图2)，W波可以在其他方向上传播，尤其是与各层平行的x1方向。(由于各层取向，没有损耗来源于忽略x2依赖性)。这些不必要的模式具有复杂的方式，带有耦合剪切(主要x1方向)和纵向(主要x3方向)运动。这些模式之间的能量转化以及电极边缘的散射增加了不必要的损耗。在SBAR中，一些模式可以通过反射器把能量从谐振器中泄露出去。平面化层可以降低由于模式转化造成的散射和损耗。
对于任何给出的导模，(归一化)波数Ω的x1分量与频率之间的关系可被描述为色散曲线。图3和图4分别示出了FBAR内部区域R1和外部区域R2的色散曲线，图5和图6示出了对应SBAR的等效曲线。在两种情况下，顶层L1都是与二氧化硅(SiO2)电介质层平面化。这些图的惯例是将频率显示在y轴，将波数的实部显示在x轴的正轴Re(Ω1)，将波数的虚部显示在x轴的负轴Im(Ω1)。在这些示例中，五种最重要的导模被表示出来。这些在FBAR中是广义兰姆波，在SBAR的模式1和模式2中是表面弹性波(也就是它们以某些频率通过反射器将能量泄露到衬底中)，在模式3和模式4中是表面声波。在两种谐振器形式中，模式1是激励最强的，因为在感兴趣的频率范围上振动形式与“激励”场密切对应。波导模式典型地有两个重要特征截止频率fc1和fc2。先考察FBAR(图3和图4)。低于fc1时，模式1的波数是复杂的，事实上模式1和模式2是共轭复数(模式1的曲线隐藏在模式2曲线的下面)。高于fc2时，模式1的波数是虚构的。在频率fc1和fc2之间，模式1的波数是实数，意味着该模式可以在x1方向上无衰减地传播。其效果是在频率fc1和fc2之间模式1的声能从谐振器向外传播至外部区域R2，引起在该频率范围上的实际能量损耗，在图3和图4中定义为“辐射带”，RB。在一些薄膜BAW谐振器和滤波器的设计中，现在它被明确为能量损耗的重要组成部分。
图7到图10示出了典型FBAR(图7和图8)以及SBAR(图9和图10)的导纳量级和相位相对于频率的曲线。虚线代表1D模型，实线代表2D模型。FBAR和SBAR的层组合使得其共振频率和反共振频率均出现在“辐射带”。因此滤波器的通频带和“辐射带”重叠。在FBAR简单的1D模型(图7)中，有效假定了理想谐振器，低于共振频率fr时相位为+90度，在共振频率fr和反共振频率fa之间时相位为-90度，高于反共振频率fa时相位为+90度。由于模式1在辐射带辐射造成损耗的影响在相位响应附近最为明显(图8)。除了在模式1的色散曲线中存在一些差异外，该影响在SBAR(图10)中的影响是相似的。尤其是SBAR模式1的波数在所有频率下都是复杂的，在高于fc1的虚构部分，它和通过反射器的损失相关。这一相对较小的损耗实际上是有用的，足以有效抑制FBAR等效响应中低于fr时可能产生的所有不必要共振，而全部损耗相对于FBAR没有明显增加。这一点可以从两个器件反共振附近的比较角度看出。这些不必要共振的自动抑制，，在SBAR中具有层状结构，去除了对框架区域的需求。在FBAR和SBAR中损耗(以及一些波纹)的组成是模式转化成横向导模而非模式1的结果。这可以由平面化减到最小，也就是在外部区域增加电介质材料18使得L1层的厚度与整个结构的厚度在任何地方都相同，如图2中的示例所示。然而，平面化不能减少模式1的辐射，而是根据本发明通过措施降低损耗。
本发明揭示了一个事实，即限定薄膜BAW滤波器通频带的频率间隔是每个谐振器内部(电极)区域R1层叠的特性，而限定“辐射带”的频率间隔是谐振器周围外部(非重叠)区域R2层叠的特性。因此原则上，它们是独立的，建议选取限定两个区域的层叠材料时，要使这两个频率带不重叠，因此消除了滤波器通频带中模式1的辐射。可以使用很多不同方法来实现。在本方法第一个示例中，轻质(低质量)导体例如铝(Al)用作顶部电极16，重质(高质量)电介质材料如五氧化二钽(Ta2O5)用作周围电介质材料18。这将“辐射带”下移至相对于滤波器通频带的频率。在本方法第二个示例中，相对较重的导体，如铂(Pt)，用作顶部电极16，而相对较轻的电介质材料，如五氧化二钽(Ta2O5)，用作周围电介质材料18。在本方法第三个示例中，相对较重的顶部电极16是钼(Mo)，相对较轻的电介质材料18是二氧化硅(SiO2)。第二个和第三个示例给出的材料组合使辐射带上移至相对于通频带的频率。形成顶部电极16和电介质材料18材料的相对质量决定了分别是R1和R2的内部区域和外部区域间的频率切换。这一切换的量是最上层密度和厚度的作用。除了考虑质量负荷外，另一个需要考虑的重要因素是由于压电层14表面短路造成的滤波器通频带频率的下降。理想情况下，总的相对偏移量正好可以防止辐射带和通频带的重叠，没有带间小的空白。过度切换可能导致更多的能量转化为模式1以外的其他模式，相应地增加了损耗和波动。正因如此，当Pt作为电极时，Ta2O5可能是合适的平面化材料。Pt是这两种材料中较重的一种，因此对于这种组合“辐射带”还是使频率切换上移。
图11和图12示出了应用了建议方案后的结果。它表明预测的量级(图11)和相位(图12)对应于带有宽度为100μm，厚度为100nmAl顶部电极16以及100nm厚Ta2O5平面化周围电介质材料18的FBAR。虚线代表1D模型，实线代表2D模型。比较由包括共振频率fr和非共振频率fa(如图7所示)的辐射带获得的相位响应时，响应在这两个频率下具有更为尖锐、垂直的相变。设计使用本发明所制造谐振器的滤波器以及应用所述辐射带偏移量能够实现更低的插入损耗。通过类推图7，相应的具有相同顶部电极和平面化电介质材料的SBAR将具有更低的损耗，还具有最小波动的优势。
为了简洁起见，BAW薄膜器件的制造不再描述，因为在许多出版物中都能获得制造细节，例如H-P.Lobl等人的“Solidly mounted acousticwave(BAW)filters for the GHz range”，IEEE Ultrasonics Symposium，Munich，，P897，2002年。出于同样的原因，没有揭示平面化，因为可以在PCT专利申请2005/034345中获得相关细节，且可以通过化学机械抛光(CMP)来实现。在选择顶部电极16和周围电介质(或平面化)材料18时，5％到15％的频率切换可转换为内部区域R1和外部区域R2的声有源部分之间大约5％到15％的质量差异。声有源部分意味着底部电极以上及包括底部电极的所有层。通过一个包括Al顶部电极16的内部区域R1以及五氧化二钽电介质材料18的外部区域R2的BAW示例，两个区域的厚度都需要在100nm到300nm。
典型地，利用上述方法降低BAW滤波器插入损耗不会对其他层厚度或掩蔽布局造成任何变化，只是谐振器区域和压电层厚度的微小调整。仅要求这些变化能够维持滤波器中心频率和电阻抗最后在匹配50欧姆。
图13示出了一种FBAR，它的周围电介质材料18不是平面化材料而是比顶部电极16或厚或薄。这允许在内部区域和外部区域R1和R2中完全自由选择上层的厚度，相应地可以自由实现“辐射带”和滤波器通频带之间偏移量的优化。图1所示的SBAR的顶部电极16与电介质材料18的厚度也可以不相同。然而非平面结构可能导致更多的损耗，由于模式转换为其他模式而非模式1。
图14示出了FBAR的另一个实施例，其中最靠近衬底10是电极层即电极16的功能相当于图1、图2和图13中所示实施例中的“顶部电极”。压电层14另一面上的电极，即电极12的功能相当于图1、图2和图13中所示实施例中的“底部电极”12。内部区域R1(或区域类型1)由电极16和电极12的重叠区域限定。外部区域R2(或区域类型2)包括围绕电极16的电介质材料18。还可以，在压电层14上形成电介质材料180，且使之围绕电极12。如前所述实施例，内部和外部区域R1，R2由电极16和电介质材料18的材料的相对质量决定，本实施例中的质量差异大约为5％到15％。
采用最优“辐射带”偏移量和平面型材料可以使声损耗最大程度下降。
所述方法可应用于所有薄膜BAW滤波器，尤其是射频(RF)滤波器。应用中，在射频时的极低插入损耗是至关重要的。具有较低损耗时，接收路径的灵敏度提高，传力路径的电池功率消耗降低。中频(IF)也需要较低的损耗。另一个应用是基于BAW谐振器的振荡器。此时，较低损耗导致较高的Q因子以及较低相位噪声。
图15示出了收发器的结构框图，该收发器应用的滤波器采用根据本发明制造的BAW谐振器。接收器包括连接于双工机或双工器22的天线20，双工机具有分支与超外差接收机部分Rx以及发射机部分Tx相连。接收机部分Rx包括由BAW谐振器形成的RF滤波器24，具有与双工器/双工机22相连的输入以及与低噪声放大器(LNA)26相连的输出。LNA26发出RF信号的频率在连有本机振荡器30的混合器28中降频转频至中频(IF)。从混合器28发出的IF输出在IF滤波器32中滤波，然后输送到连有第二本机振荡器36的第二混合器34，以混合IF信号频率降至较低频率例如基带。信号在低通滤波器38中过滤，然后在基带阶段40中处理，在终端42上形成输出。在接收器部分Rx的未示出替代实施例中，Rx作为直接转换接收器。
发射器部分Tx包括输入终端44用于信息，例如语言或数据的发射，输入终端与基带部分46相连。基带部分46的输出在混合器48中升频转频，振荡器50与该混合器相连。混合器48的输出信号在由BAW谐振器形成的带通滤波器52中滤波，然后输送到功率放大器54。功率放大器54的输出输送到双工器/双工机22。
在本发明的上述描述中，只要是电介质材料18描述为围绕电极12时，电介质材料都可以全部或仅部分围绕电极12。
在本发明的上述描述中，只要是电介质材料18描述为围绕电极12时，电介质材料都可以接触电极12或由间隙隔离，尽管出现间隙时本发明的有利影响会降低。任何间隙都最好远小于声波波长。在2GHz时声波波长典型地约为3微米，而间隙应当小于1微米，这一尺寸比例与频率相反。
在本说明书和权利要求书中，元件前的单词“a”或“an”不排除多个这样的元件出现。此外，单词“包括”不排除所列元件或步骤以外的元件或步骤出现。
权利要求书中置于括号中间的任何参考标号都不能被认为是对权利要求书范围的限制。
通过阅读本发明，本专业技术人员应该知道其他改进。这些改进可能与其他在BAW滤波器和元件的设计、制造及使用中已知的特征相关，可以用于替代或补充此处已描述的特征。
工业应用性
射频器件和设备。
Claims (17)
1.一种体声波BAW谐振器，包括第一和第二层(L1，L2)以及介入压电层(14)，第一和第二层(L1，L2)分别包括第一和第二重叠的金属区(16，12)作为电极，第一层(L1)还包括在重叠的区域(R1)外且至少部分围绕第一金属区(16)的电介质材料区(18)，其中所述电介质材料区(18)与第一金属区(16)的质量差被选择为适于降低从BAW谐振器发出的声波辐射所导致的能量损耗。
2.根据权利要求1所述的BAW谐振器，其特征在于，所述电介质材料区(18)和第一金属区(16)的质量差异在5％到15％。
3.根据权利要求2所述的BAW谐振器，其特征在于，所述电介质材料区(18)的质量小于所述第一金属区(16)的质量。
4.根据权利要求3所述的BAW谐振器，其特征在于，所述第一金属区(16)包括铂，以及所述电介质材料区(18)包括五氧化二钽。
5.根据权利要求3所述的BAW谐振器，其特征在于所述第一金属区(16)包括钼，以及所述电介质材料区(18)包括二氧化硅。
6.根据权利要求2所述的BAW谐振器，其特征在于所述电介质材料区(18)的质量大于所述第一金属区(16)的质量。
7.根据权利要求6所述的BAW谐振器，其特征在于所述第一金属区(16)包括铝，以及所述电介质材料区(18)包括五氧化二钽。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的BAW谐振器，其特征在于所述电介质材料区(18)具有与所述第一金属区(16)相同的厚度。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的BAW谐振器，其特征在于所述第二层(L2)包括在重叠的区域(R1)以外的、并且至少部分地围绕所述第二金属区(12)的电介质材料区(180)。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的BAW谐振器，其中所述电介质材料区(18)与所述第一金属区(16)间隔开。
11.根据权利要求1至7中任一项所述的BAW谐振器，其特征在于所述谐振器包括固体安装体声波谐振器(SBAR)。
12.根据权利要求1至7中任一项所述的BAW谐振器，其特征在于所述谐振器包括薄膜体声波谐振器(FBAR)。
13.一种滤波器，包括多个根据权利要求1至7中任一项所述的BAW谐振器。
14.一种射频设备，包括滤波器，所述滤波器包括多个根据权利要求1至12中任一项所述的BAW谐振器。
15.一种减少滤波器通频带中的插入损耗的方法，所述滤波器包括多个体声波BAW谐振器，每个所述BAW谐振器包括第一和第二层(L1，L2)以及介入压电层(14)，第一和第二层(L1，L2)分别包括第一和第二重叠的金属区(16，12)作为电极，所述方法包括在第一层(L1)中形成位于重叠的区域(R1)外且至少部分围绕第一金属区(16)的电介质材料区(18)，其中所述电介质材料区(18)与第一金属区(16)的质量差被选择为适于降低从BAW谐振器发出的声波辐射所导致的能量损耗。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于：形成具有与第一金属区(16)厚度相同的电介质材料区(18)。
17.根据权利要求15或16所述的方法，其特征在于所述电介质材料区(18)与所述第一金属区(16)的质量差异在5％到15％。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP05109109.8 | 2005-09-30 | ||
| EP05109109 | 2005-09-30 | ||
| PCT/IB2006/053534 WO2007036897A2 (en) | 2005-09-30 | 2006-09-28 | Improvements in or relating to thin-film bulk-acoustic wave (baw) resonators |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101278479A CN101278479A (zh) | 2008-10-01 |
| CN101278479B true CN101278479B (zh) | 2011-04-13 |
Family
ID=37762485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2006800359959A Expired - Fee Related CN101278479B (zh) | 2005-09-30 | 2006-09-28 | 薄膜体声波（baw）谐振器或相关改进 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8008993B2 (zh) |
| EP (1) | EP1935093A2 (zh) |
| JP (1) | JP2009510884A (zh) |
| CN (1) | CN101278479B (zh) |
| WO (1) | WO2007036897A2 (zh) |
Families Citing this family (72)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100107389A1 (en) * | 2002-01-11 | 2010-05-06 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating an electrode for a bulk acoustic resonator |
| AU2003259512A1 (en) * | 2002-09-12 | 2004-04-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Bulk acoustic wave resonator with means for suppression of pass-band ripple in bulk acoustic wave filters |
| US8981876B2 (en) | 2004-11-15 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
| US7791434B2 (en) * | 2004-12-22 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric |
| JP4772866B2 (ja) * | 2005-05-27 | 2011-09-14 | エヌエックスピー ビー ヴィ | バルク音波共振器装置 |
| JP5279068B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2013-09-04 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振子、フィルタ、通信モジュール、および通信装置 |
| WO2009132011A2 (en) * | 2008-04-24 | 2009-10-29 | Skyworks Solutions, Inc. | Bulk acoustic wave resonator |
| WO2009133511A1 (en) | 2008-04-29 | 2009-11-05 | Nxp B.V. | Bulk acoustic wave resonator |
| US9673778B2 (en) | 2009-06-24 | 2017-06-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Solid mount bulk acoustic wave resonator structure comprising a bridge |
| US8248185B2 (en) | 2009-06-24 | 2012-08-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure comprising a bridge |
| US10461719B2 (en) * | 2009-06-24 | 2019-10-29 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
| US9520856B2 (en) | 2009-06-24 | 2016-12-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
| US8902023B2 (en) | 2009-06-24 | 2014-12-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
| EP2299593A1 (en) | 2009-09-18 | 2011-03-23 | Nxp B.V. | Laterally coupled bulk acoustic wave device |
| US8456257B1 (en) * | 2009-11-12 | 2013-06-04 | Triquint Semiconductor, Inc. | Bulk acoustic wave devices and method for spurious mode suppression |
| US9450561B2 (en) | 2009-11-25 | 2016-09-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave (BAW) resonator structure having an electrode with a cantilevered portion and a piezoelectric layer with varying amounts of dopant |
| US8796904B2 (en) | 2011-10-31 | 2014-08-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer |
| US9243316B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation |
| US8823470B2 (en) | 2010-05-17 | 2014-09-02 | Cts Corporation | Dielectric waveguide filter with structure and method for adjusting bandwidth |
| TWI449332B (zh) * | 2010-07-29 | 2014-08-11 | Univ Nat Sun Yat Sen | 體聲波薄膜共振器及其製造方法 |
| FI20106063A (fi) | 2010-10-14 | 2012-06-08 | Valtion Teknillinen | Akustisesti kytketty laajakaistainen ohutkalvo-BAW-suodatin |
| US8791776B2 (en) * | 2011-01-19 | 2014-07-29 | Wei Pang | Acoustic wave resonator having a gasket |
| US8962443B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-02-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
| US9154112B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-10-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge |
| US9048812B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer |
| US9083302B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator |
| US9203374B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-12-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator comprising a bridge |
| US9099983B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-08-04 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator device comprising a bridge in an acoustic reflector |
| US9148117B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-29 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements |
| US9425764B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-08-23 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features |
| US9136818B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked acoustic resonator comprising a bridge |
| US9991871B2 (en) | 2011-02-28 | 2018-06-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator comprising a ring |
| US9444426B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-09-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature |
| US9525397B2 (en) | 2011-03-29 | 2016-12-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising acoustic reflector, frame and collar |
| US9590165B2 (en) | 2011-03-29 | 2017-03-07 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising aluminum scandium nitride and temperature compensation feature |
| US9246473B2 (en) * | 2011-03-29 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising collar, frame and perimeter distributed bragg reflector |
| US9490418B2 (en) | 2011-03-29 | 2016-11-08 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising collar and acoustic reflector with temperature compensating layer |
| US9490770B2 (en) | 2011-03-29 | 2016-11-08 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising temperature compensating layer and perimeter distributed bragg reflector |
| US9490771B2 (en) | 2012-10-29 | 2016-11-08 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising collar and frame |
| US9401692B2 (en) | 2012-10-29 | 2016-07-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator having collar structure |
| US9484882B2 (en) * | 2013-02-14 | 2016-11-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator having temperature compensation |
| US8575820B2 (en) | 2011-03-29 | 2013-11-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator |
| US9030279B2 (en) | 2011-05-09 | 2015-05-12 | Cts Corporation | Dielectric waveguide filter with direct coupling and alternative cross-coupling |
| US9130255B2 (en) | 2011-05-09 | 2015-09-08 | Cts Corporation | Dielectric waveguide filter with direct coupling and alternative cross-coupling |
| US9030278B2 (en) | 2011-05-09 | 2015-05-12 | Cts Corporation | Tuned dielectric waveguide filter and method of tuning the same |
| US9130256B2 (en) | 2011-05-09 | 2015-09-08 | Cts Corporation | Dielectric waveguide filter with direct coupling and alternative cross-coupling |
| RU2468507C1 (ru) * | 2011-05-20 | 2012-11-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" | Резонатор на основе высших типов объемных акустических волн |
| US8330325B1 (en) | 2011-06-16 | 2012-12-11 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer |
| US8350445B1 (en) | 2011-06-16 | 2013-01-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge |
| FI124732B (en) * | 2011-11-11 | 2014-12-31 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt | Laterally connected bulk wave filter with improved passband characteristics |
| US9130258B2 (en) | 2013-09-23 | 2015-09-08 | Cts Corporation | Dielectric waveguide filter with direct coupling and alternative cross-coupling |
| US10050321B2 (en) | 2011-12-03 | 2018-08-14 | Cts Corporation | Dielectric waveguide filter with direct coupling and alternative cross-coupling |
| US9666921B2 (en) | 2011-12-03 | 2017-05-30 | Cts Corporation | Dielectric waveguide filter with cross-coupling RF signal transmission structure |
| US10116028B2 (en) | 2011-12-03 | 2018-10-30 | Cts Corporation | RF dielectric waveguide duplexer filter module |
| US9583805B2 (en) | 2011-12-03 | 2017-02-28 | Cts Corporation | RF filter assembly with mounting pins |
| US9608592B2 (en) | 2014-01-21 | 2017-03-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic wave resonator (FBAR) having stress-relief |
| CN102571027A (zh) * | 2012-02-27 | 2012-07-11 | 浙江瑞能通信科技有限公司 | 基于全金属布拉格反射层的薄膜体声波谐振器结构 |
| KR101918282B1 (ko) * | 2012-03-23 | 2018-11-13 | 삼성전자주식회사 | 체적 음향 공진기를 이용한 ｒｆ 필터 및 ｒｆ 트랜시버 |
| US9331666B2 (en) * | 2012-10-22 | 2016-05-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Composite dilation mode resonators |
| US9450565B2 (en) * | 2013-03-12 | 2016-09-20 | Qorvo Us, Inc. | Border ring mode suppression in solidly-mounted bulk acoustic wave resonator |
| WO2015157510A1 (en) | 2014-04-10 | 2015-10-15 | Cts Corporation | Rf duplexer filter module with waveguide filter assembly |
| US9929714B2 (en) | 2014-04-13 | 2018-03-27 | Texas Instruments Incorporated | Temperature compensated bulk acoustic wave resonator with a high coupling coefficient |
| KR101973422B1 (ko) * | 2014-12-05 | 2019-04-29 | 삼성전기주식회사 | 벌크 탄성파 공진기 |
| US10483608B2 (en) | 2015-04-09 | 2019-11-19 | Cts Corporation | RF dielectric waveguide duplexer filter module |
| US11081769B2 (en) | 2015-04-09 | 2021-08-03 | Cts Corporation | RF dielectric waveguide duplexer filter module |
| US9985194B1 (en) | 2015-05-13 | 2018-05-29 | Qorvo Us, Inc. | Spurious mode suppression in bulk acoustic wave resonator |
| US10608611B2 (en) * | 2016-03-10 | 2020-03-31 | Qorvo Us, Inc. | Bulk acoustic wave resonator with electrically isolated border ring |
| US10277194B2 (en) | 2017-09-15 | 2019-04-30 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Acoustic MEMs resonator and filter with fractal electrode and method for producing the same |
| DE102018101442B4 (de) * | 2018-01-23 | 2019-09-12 | RF360 Europe GmbH | BAW-Resonator mit erhöhtem Gütefaktor |
| US11233496B2 (en) | 2018-02-21 | 2022-01-25 | Vanguard International Semiconductor Singapore Pte. Ltd. | Acoustic resonator and filter with electrode having zig-zag edge and method for producing the same |
| US11437691B2 (en) | 2019-06-26 | 2022-09-06 | Cts Corporation | Dielectric waveguide filter with trap resonator |
| TWI721934B (zh) * | 2020-10-22 | 2021-03-11 | 台灣奈米碳素股份有限公司 | 製造具特定共振頻率之薄膜體聲波共振裝置的方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1237827A (zh) * | 1998-06-02 | 1999-12-08 | 诺基亚流动电话有限公司 | 谐振器结构 |
| WO2005034345A1 (en) * | 2003-10-06 | 2005-04-14 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Resonator structure and method of producing it |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3585418A (en) * | 1969-07-22 | 1971-06-15 | Clevite Corp | Piezoelectric resonators and method of tuning the same |
| KR20000076295A (ko) * | 1998-01-16 | 2000-12-26 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 박막 압전 소자 |
| FI107660B (fi) * | 1999-07-19 | 2001-09-14 | Nokia Mobile Phones Ltd | Resonaattorirakenne |
| JP2001244778A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-09-07 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 高周波圧電振動子 |
| US6424237B1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-07-23 | Agilent Technologies, Inc. | Bulk acoustic resonator perimeter reflection system |
| DE10200741A1 (de) * | 2002-01-11 | 2003-07-24 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer topologieoptimierten Elektrode für einen Resonator in Dünnfilmtechnologie |
| JP3879643B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2007-02-14 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子、圧電フィルタ、通信装置 |
-
2006
- 2006-09-28 JP JP2008532959A patent/JP2009510884A/ja active Pending
- 2006-09-28 CN CN2006800359959A patent/CN101278479B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-28 WO PCT/IB2006/053534 patent/WO2007036897A2/en active Application Filing
- 2006-09-28 US US12/088,721 patent/US8008993B2/en active Active
- 2006-09-28 EP EP06809429A patent/EP1935093A2/en not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1237827A (zh) * | 1998-06-02 | 1999-12-08 | 诺基亚流动电话有限公司 | 谐振器结构 |
| WO2005034345A1 (en) * | 2003-10-06 | 2005-04-14 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Resonator structure and method of producing it |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101278479A (zh) | 2008-10-01 |
| EP1935093A2 (en) | 2008-06-25 |
| US20090153268A1 (en) | 2009-06-18 |
| US8008993B2 (en) | 2011-08-30 |
| JP2009510884A (ja) | 2009-03-12 |
| WO2007036897A3 (en) | 2007-07-05 |
| WO2007036897A2 (en) | 2007-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101278479B (zh) | 薄膜体声波（baw）谐振器或相关改进 | |
| KR101130145B1 (ko) | 공진기 구조체, 필터, 공진기 구조체의 제조 방법과 이들을사용하는 송/수신기 | |
| US7408287B2 (en) | Film bulk acoustic wave resonator, film bulk acoustic wave resonator filter and method of manufacturing film bulk acoustic wave resonator | |
| CN102754342B (zh) | 压电薄膜谐振器、通信模块、通信装置 | |
| JP5147932B2 (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタ、通信モジュール、および通信装置 | |
| US9385684B2 (en) | Acoustic resonator having guard ring | |
| US8084919B2 (en) | Piezoelectric thin-film resonator, filter using the same, and duplexer using the same | |
| US7804383B2 (en) | Coupled lamb wave resonators filter | |
| US8058768B2 (en) | Bulk acoustic wave resonator device | |
| US7952257B2 (en) | Piezoelectric thin-film resonator | |
| US7586390B2 (en) | Bulk acoustic wave resonator, bulk acoustic wave filter, RF module including bulk acoustic wave resonator and/or filter, and bulk acoustic wave oscillator | |
| US7719388B2 (en) | Resonator operating with bulk acoustic waves | |
| US7477115B2 (en) | Piezoelectric resonator, method of manufacturing piezoelectric resonator, and filter, duplexer, and communication device using piezoelectric resonator | |
| US7719390B2 (en) | Dual mode piezoelectric filter, method of manufacturing the same, high frequency circuit component and communication device using the same | |
| JP2011082817A (ja) | 弾性波デバイス、フィルタ、通信モジュール、通信装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110413 Termination date: 20170928 |