CN1235054C - 低功率供应电压侦测电路 - Google Patents

Abstract

一种供应电压侦测电路，使用于当非挥发性存储器装置在供应电压低于一侦测点时，可避免其擦除(Erasing)及程序化(Programming)。一低电压侦测装置耦接到低电压供应来源，并且具有一电路，可在当供应电压输入的供应电压值低于一预定低电压临界值时，能提供第一未准备(Not-Ready)信号。此未准备信号可避免对非挥发性存储器的擦除或程序化的操作。根据本发明的低电压侦测装置所能侦测的电压位准变化可控制在0.3伏特范围内，而不会受到此装置制造条件或者温度的差异而影响。

Description

低功率供应电压侦测电路

技术领域

本发明有关于一种电压侦测装置，特别是有关于一种不会受到装置本身因操作温度或是制造过程的不同而造成对于临限电压值的变化所影响，因此具有稳定电压侦测操作的电压侦测装置。

背景技术

闪存(Flash EPROM)在非挥发性储存集成电路中具有举足轻重的角色。这些闪存在芯片中具有可电性擦除(Electrically Erasing)、程序化(Programming)或是读取存储单元(Memory Cell)的能力。因为这些闪存可通过施予电压到这些装置中，借此以程序化或是擦除其所储存的数据，因此，加入闪存的系统则必须提供这些闪存供应电压(Vcc)与程序化电压(Vpp)。对于目前逐渐采用低电压作为操作电压的系统而言，幸运地，大部份的闪存都可被设计为在低电压(约1.8伏特)到高电压(约12伏特)电压来源下，可顺利地完成程序化的操作。

然而，仍有一点必须注意，当计算机系统例如个人数字助理(PDA)系统使用闪存作为其储存媒介时，会随着电池的电压下降而可能影响到整个装置的操作。而会发生何种情况呢？此时，控制信号以及在系统中的程序化或是电性擦除的操作过程，将无法保证有效，而这些装置可能还可以使用，但是，所进行的程序化或是擦除的操作可能是错误的。在某些情况下，没有必要的操作有可能会因而产生，这些将会进而缩小芯片的寿命。

供应电压侦测电路也因此被设计作为监控电压的变化，一旦当电池的电压低于一预定的范围时，这些电路将会产生一未准备信号(Not-Ready Signals)，以通知系统作为因应之据。例如图1所示的电路图，供应非挥发性存储器存储单元12的操作电压Vcc除了耦接到此非挥发性存储器存储单元12之外，还耦接到一低电压侦测装置14。当所供应的操作电压小于一低电压值时，则此低电压侦测装置14将会输出一低电压侦测信号(Low Voltage Detector Signal，LVcc)以代表所供应的操作电压之值已小于安全值。但是，大部份的侦测电路具有供应电压约为3.3伏特。但是对于低电压的侦测电路(例如1.8伏特)而言，电压减少的幅度将会使这些侦测电路相当难设计，除此之外，降低功率的消耗与芯片所占的面积也是增加此侦测电路整体复杂性的因素。

图2显示传统的功率侦测装置200的电路方块图。串行的电阻R1与R2在功率供应电压VDD以及接地电位之间串接。而电阻R3与一NMOS晶体管M1也连接到功率供应电压VDD以及接地电位之间。而此NMOS晶体管M1的栅极连接到在电阻R1与R2之间的节点N1，而同时一电容器C1一端连接到此节点N1与接地电位之间。串行连接的一PMOS晶体管M3与NMOS晶体管M2连接到此功率供应电压VDD与接地电位之间，其中，PMOS晶体管M3的另一源/漏极则连接到此功率供应电压VDD，而NMOS晶体管M2的另一源/漏极则连接至接地电位。PMOS晶体管M3与NMOS晶体管M2的栅极则连接到节点N2，而此节点N2位于电阻R3与NMOS晶体管M1之间。除此之外，一电容器C2也连接到节点N2与功率供应电压VDD之间。

CMOS晶体管M4与M5具有与晶体管M2与M3相同的结构。晶体管M4与M5的栅极连接到在晶体管M2与M3之间的节点N3。而晶体管M4与M5之间的栅极经过一电容器C3连接到接地电位。而节点N4晶体管M4与M5所连接的节点。此CMOS晶体管M2与M3的输入端与输出端分别为节点N2与N3。而CMOS晶体管M4与M5的输入端与输出端分别为节点N3与N4。

当功率供应电压VDD从接地电位(Ground，底下简称GND)的电位位准上升到一预定的电压位准时，则将会输出一高电压脉冲以代表低电压侦测信号(Low Voltage Detector Signal)LVCC。此功能可通过一端连接到接地电压位准的电容器C1与C3，以及一端连接到功率供应电压VDD的电容器C2所完成。当所供应的功率为功率供应电压VDD的电位时，这些电容器C1、C2与C3则将不会被充电，因此，节点N1、N2与N3将会具有相同的电压位准，如功率供应电压VDD或是接地电位GND。而节点N4首先会变成高电位，而电容器C1、C2、与C3将会依序充电，而在节点N1、N2与N3的电压位准将会是VX＝VDD*R2/(R1+R2)、接地电压以及功率供应电压VDD，因此，节点4的输出将会变成低电压位准。

如上所描述，当VX电压高于晶体管M1的临限电压(Thresholdvoltage)时，晶体管节点N4会变成低电压位准。当VX电压低于晶体管M1的临限电压(Threshold voltage)时，晶体管节点N4会变成高电压位准。因此，此电路将可以侦测功率供应电压VDD高于或是低于VTH1*(R1+R2)/R2，VTH1晶体管M1的临限电压。若是调整电阻R1与R2之值以及晶体管M1的栅极宽度/长度比(Width/Length)，则可以调整侦测的电压范围。

一般而言，此电路可以告知低电池电压位准，并进而在此低电池电压位准毁坏整个系统前停止任何的操作。但是，此电路若是在高速操作的系统时，将会使整个操作电压的范围因而变的相当窄。因为如图2所示的传统侦测电路所能侦测的电压决定于晶体管M1的临限电压值。如此，将会使这个电路有相当大的制造变化差异(ManufacturingVariation)，以及温度的影响因素。除此之外，(R1+R2)/R2的斜率将会使整个情况更糟糕。由于上述的考虑因素，可以知道所能侦测的电压的最大值与最小值将可能大于0.5伏特，严重影响电路的表现与适用性。

上述的情况会发生的理由详述如下。在图2中的电路电路仿真软件PSPICE^TM仿真其操作。首先，先假设在仿真期间，温度固定，因此仅需要考虑制造过程的差异所造成的影响。因为晶体管M1的临限电压具有制造上的差异值约±0.1到±0.2伏特，(假设电阻R1的值等于电阻R2的值)，侦测的电压位准将会二倍于制造过程的差异值。如图3所示，功率供应电压VDD为一直流上升电压，而节点N1的电压位准将会线性地跟着功率供应电压VDD变化，而节点N4的电压位准也就是图2的侦测电路的输出。在电阻R1维持在相同电阻值条件下，电阻R2的阻值减少将会此仿真的线条更加的平(Flatter)，因此，将会有相当大的侦测电压位准差异。在此以参数k值代表(R1+R2)/R2，则当对于k值的临限值差异等于一，也就是最小的k值时，侦测电压位准差异将会是k倍。

为了解释温度依赖性所造成的影响，请参照图4。对于NMOS晶体管与PMOS晶体管的传统模式，其具有温度的依赖性约-2mV/℃，类似已解释的内容，临限值的差异将会由参数k值大小影响侦测电压位准差异，而k值大于一的值，因此，此差异将会造成如放大器般的结果。

考虑到制造上的差异与温度的依赖性两个因素，将不可能设计一低电压侦测装置，其所侦测的电压位准差异将低于0.5伏特。

虽然传统的电压侦测装置可在高电压时运作的非常好(约大于3V)，然而其不可避免地需要减少由于制造上的差异与温度上的依赖性所造成侦测范围的最大值与最小值之间的变化程度。

由上述图2的传统电压侦测装置可知，要降低变化量到低于一很小的电压变化量，例如0.4伏特，似乎不太可能达成。因此，无法达到较高的侦测精确度。

发明内容

本发明的目的提供一种电压侦测装置，其可以较高的准确性监控供应电压的变化。除此之外，更能减少因为制作工艺上的差异或是操作温度的变化所造成对于电压侦测装置的影响。

为了达上述的目的，本发明提供一种低功率供应电压侦测电路，用以接收一供应电压，包括一比较电压产生器、一参考电压产生器与一差异放大器。上述的比较电压产生器根据供应电压产生并输出一比较电压。参考电压产生器根据供应电压用以一线性相依关系产生一参考电压。差异放大器耦接到比较电压产生器与参考电压产生器，用以接收比较电压与参考电压并输出一低电压侦测信号，其中当参考电压大于比较电压时，低电压侦测信号将为一第一电压位准，用以表示供应电压低于一预定侦测电压值，当参考电压小于比较电压时，低电压侦测信号将为一第二电压位准，用以表示供应电压高于预定侦测电压值。

上述的低功率供应电压侦测电路，其中比较电压产生器根据在供应电压增加时，比较电压亦同时增加，但当该供应电压超过一预定电压值时，比较电压将会趋近一固定电压值。

上述的低功率供应电压侦测电路，其中比较电压产生器包括一分压电路，其中分压电路分为两组据以分压供应电压，其中第一组包括一第一电阻，第二组包括一第二电阻与一晶体管，其中当供应电压增加时，比较电压为两组队供应电压分压中的第二组分压值，但当供应电压超过第二组中的该晶体管的一临限电压值后，比较电压将会趋近临限电压值。

上述的低功率供应电压侦测电路，其中参考电压产生器根据供应电压之值，线性地输出参考电压，其中当供应电压减少时，参考电压也线性地减少，当供应电压增加时，参考电压亦线性地增加。而此参考电压产生器对供应电压经过一分压电路作分压后线性地输出参考电压值，其中分压电路分为两组据以分压供应电压。第一组包括一晶体管，第二组包括一电阻，而参考电压即为第二组的分压。

为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明。

附图说明

图1说明一种传统的电压侦测装置方块图；

图2说明图1中的传统电压侦测装置详细电路图；

图3说明图2中的传统电压侦测装置的电路仿真结果；

图4说明图2中的传统电压侦测装置，考虑操作温度的变化所得的电路仿真结果；

图5说明一种电压侦测装置详细电路图；

图6说明图5中的电压侦测装置的方块图；

图7说明图5中的电压侦测装置的节点N1与N2的电压变化图；

图8说明图5中的电压侦测装置的节点N1与N2的另一个电压变化图；

图9说明本发明一较佳实施例的电压侦测装置的详细电路图；

图10理想的参考电压值，与根据本发明图9较佳实施例的电压侦测装置所产生的实际参考电压值的比较图。

图号说明

12：非挥发性存储器存储单元

14：低电压侦测装置              200：功率侦测装置

R1、R2、R3：电阻

M1、M2、MVT、M12：NMOS晶体管

M3、MPL、M11：PMOS晶体管

N1、N2、N3、N4：节点            C1、C2：电容器

M4、M5：CMOS晶体管              R3：电阻

MVT：NMOS晶体管                 N2：节点

500：输出电压侦测电路           940：反相器

510、610、910：比较电压产生器

520、620、920：差异放大器

530、630、930：参考电压产生器

具体实施方式

请参照图5，为一种电压侦测电路。而其电路方块图，则如图6所示的内容。首先，先参照图6的电压侦测电路600，在中间部分为一差异放大器(Different Amplifier)620，而左边部分为一比较电压产生器610，右边为一参考电压产生器630。比较电压产生器610与参考电压产生器630分别输出一比较电压(Comparative Voltage)与一参考电压(Reference Voltage)给差异放大器620。而此差异放大器620具有相当好的功能，能在比较电压的位准(Comparative Voltage Potential)高于参考电压时，将会输出接近功率供应电压VDD电压位准的一高电压值，而相反地，若是比较电压的位准低于参考电压时，将会输出一低电压值。

而其详细的电路图请参照图5，并描述如下。在图5中，一由电阻R3与NMOS晶体管MVT串接的电路连接到功率供应电压VDD与接地电位之间，其中电阻R3的一端连接到功率供应电压VDD，而NMOS晶体管MVT的一源/漏极端则接地。NMOS晶体管MVT的栅极及与电阻R3连接的源/漏极端则同时连接到节点N2。而这些器件则组成一比较电压产生器510，如同图6中所示的比较电压产生器610，以便产生比较电压的位准。

而图6中的差异放大器620则与图5中所示的差异放大器520相同，由晶体管M1到M5所组成。晶体管M1与M2类似的NMOS晶体管，也就是具有相同的栅极宽度/长度比(Gate Width/Gate Lengthratio)，而其源极连接在一起。晶体管M1的栅极连接到在比较电压产生器510中的节点N2，而晶体管M2的栅极连接到参考电压产生器530的节点N1，此如同图6中所示的参考电压产生器630。晶体管M1的漏极连接到PMOS晶体管M3的栅极与漏极，也就是图标中的节点N3。晶体管M3与M4类似的PMOS晶体管，也就是具有相同的栅极宽度/长度比(Gate Width/Gate Length ratio)，而其源极连接在一起(节点N3)，而其源极则同样接到功率供应电压VDD。晶体管M2与M4的漏极则连接到节点N4，此节点N4即为输出电压侦测电路500的输出。

参考电压产生器530由两个电阻R1与R2所组成，此串接的电阻R1与R2连接于功率供应电压VDD与接地电位之间。而电阻R1与R2连接点节点N1，此节点N1当成此参考电压产生器530对差异放大器520的输入端。

这些电路的操作方法详述如下。图5中所描述的整个电路用以作为低功率侦测的电路。参考电压产生器530使用非常简单的电路设计，在节点N1的电压位准可轻易地获得，即VN1＝R2/(R1+R2)*VDD。相同地，在比较电压产生器510中，节点N2的电压位准可依照底下的公式获得：

VN2＝RMVT/(RMVT+R3)，当VN2＜VTH；

VN2＝VTH，当VN2＞＝VTH

在此VTH代表NMOS晶体管MVT的临限电压，而RMVT则代表NMOS晶体管MVT的电阻值。当考虑到节点N1与N2的电压位准时，也就是VN1与VN2时，因为这两个电压值有不同的电压变化，所以，会如图7所示在某一点有交会处。因此，功率供应电压VDD的侦测电压位准为当节点N1与N2的电压位准相等时，也就是VN1＝VN2时。

因为NMOS晶体管MVT的临限电压会因为制造上的差异有约±0.1到±0.2伏特的变化，或是对于温度的依赖性约-2mV/℃，因此，当操作的温度从-45℃到95℃时，最大的临限电压值与最小的临限电压值的差异将会非常的大。也因为如上所述相同的理由，虽然节点N1的电压会线性地跟着功率供应电压VDD之值，然而因为临限值得差异变化将会由一参数k的大小值而影响到所侦测电压位准的变化，此参数k大于一之值，因此，低功率侦测的电路所输出的结果将会是此差异变化值得放大值。

虽然传统的电压侦测装置可在高电压时运作的非常好(约大于3V)，然而其不可避免地需要减少由于制造上的差异与温度上的依赖性所造成侦测范围的最大值与最小值之间的变化程度。

在图5中，比较电压(VN2)的位准由比较电压产生器510所产生，而其值最主要由晶体管MVT的临限值所决定。而参考电压(VN1)由参考电压产生器530所产生。如果比较电压产生器510所能产生的比较电压VN2可如同图8所示产生理想的比较电压VN2值，则电压侦测电路500由于制成上的差异与操作温度的差异所造成的侦测错误情形将会非常明显的减少。因此，此问题端视如何产生如图8所示的理想的比较电压VN2值。

本发明所提供一较佳实施例的电压侦测电路，如图9所示的一实施例的电压侦测电路详细电路图，将可具有相当接近此理想的比较电压输出的功能。在图9中，包含在中间部分一差异放大器(DifferentAmplifier)920，而左边部分为一比较电压产生器910，右边为一参考电压产生器930。比较电压产生器910与参考电压产生器930分别输出一比较电压(Comparative Voltage)与一参考电压(Reference Voltage)给差异放大器920。而差异放大器920的输出则经过一反相器(Inverter)940输出一低电压侦测信号(Low Voltage Detector Signal，底下简称LVCC)。此LVCC信号若是在节点N4的电位为逻辑低电位时，则输出接近功率供应电压VDD之值，若是在节点N4的电位为逻辑高电位时，则输出零电位。上述的LVCC电压位准用以代表功率供应电压VDD是否低于一预定的侦测电压位准，若低于此侦测电压位准，则LVCC电压位准将为高电位，若高于此侦测电压位准，则LVCC电压位准将为低电位。

上述的比较电压产生器910可由两分压部分串接所组成，利用此分压部分输出比较电压。而此第一部份的分压可由例如一电阻R2所组成，而此第二部分的分压可由例如一NMOS晶体管MVT与电阻R1串接的电路所组成。因此，如图所示，电阻R2、NMOS晶体管MVT与电阻R1串接在功率供应电压VDD与接地电位之间，其中电阻R3的一端连接到功率供应电压VDD，而NMOS晶体管MVT的一源/漏极端则接到电阻R1，并由电阻R1的另外一端接地。NMOS晶体管MVT的栅极及与电阻R3连接的源/漏极端则同时连接到节点N2。而这些器件则组成一比较电压产生器910，以便产生比较电压的位准。

而图9中所示的差异放大器920由晶体管M1到M5所组成。晶体管M1与M2类似的NMOS晶体管，也就是具有相同的栅极宽度/长度比(Gate Width/Gate Length ratio)，而其源极连接在一起。晶体管M1的栅极连接到在比较电压产生器910中的节点N2，而晶体管M2的栅极连接到参考电压产生器930的节点N1。晶体管M1的漏极连接到PMOS晶体管M3的栅极与漏极，也就是图标中的节点N3。晶体管M3与M4类似的PMOS晶体管，也就是具有相同的栅极宽度/长度比(Gate Width/Gate Length ratio)，而其源极连接在一起(节点N3)，而其源极则同样接到功率供应电压VDD。晶体管M2与M4的漏极则连接到节点N4。

参考电压产生器930由两分压部分所组成，利用对功率供应电压VDD的分压以便产生参考电压。而参考电压与功率供应电压VDD线性地相依(Linearly Dependent)，也就是说，当功率供应电压VDD减少时，参考电压会线性地减少，当功率供应电压VDD增加时，参考电压会线性地增加。至于线性地增加的比率，则必须视两分压部分的功能而定。而本发明的一特点，即利用分压的调整而进而稳定地控制并输出此参考电压。

此两分压部分的第一部份例如是由一PMOS晶体管MPL所组成，此PMOS晶体管MPL的栅极接地，使此晶体管保持在开启(TurnON)的状态。而第二分压部分则可由例如一电阻R2所组成，当然，本发明也不限制在具有固定电阻值的电阻或是晶体管所组成，也可由可调整阻值得可变电阻所组成，此根据设计上的需要而定。此串接的PMOS晶体管MPL与电阻RL连接于功率供应电压VDD与接地电位之间。而PMOS晶体管MPL与电阻RL连接点节点N1，此节点N1当成此参考电压产生器930对差异放大器920的输入端。通过调整PMOS晶体管MPL的栅极宽度/栅极长度比(Ratio of Gate Width/GateLength)，即可控制参考电压产生器930所输出的参考电压。

而图9的实施例电路图，与图5所描述的电压侦测电路非常接近，除了有部分的差异。这些差异包括，首先，一PMOS晶体管MPL取代图5中所示的参考电压产生器530中的电阻R1，其次是，电容器CCPA1与CCAP2加到此电路中。其中电容器CCPA1包括一端接地，而另外一端则接到节点N1，以便稳定参考电压产生器930所输出的参考电压。而电容器CCPA2包括一端接地，而另外一端则接到晶体管MVT的源极端(节点N2)，以便稳定比较电压产生器910所输出的比较电压。在图9中，PMOS晶体管MPL与一电阻RL串接在一起，一端连接到功率供应电压VDD，而另外一端则接地。当功率供应电压VDD的电压位准高于晶体管MPL的临限电压值时，晶体管MPL将会关闭，而节点N1的电压位准将会很快地降到接地位准。

请参照图10，理想的参考电压值，与根据本发明图9较佳实施例的电压侦测装置所产生的实际参考电压值的比较图。其显示使用一PMOS晶体管MPL以取代原有的电阻将会是非常实际且有其特殊的功效。

如上所解释，在节点N1与N2的电压值VN1与VN2的交叉点是一个非常重要的点，从此点以上，当功率供应电压VDD增加时，VN2将大于VN1，因此图9较佳实施例的电压侦测装置所输出的一低电压侦测信号(LVCC)将会输出一接近零电位之值。而若是从此点以下，则当功率供应电压VDD减少时，VN1将大于VN2，因此，LVCC将会输出一接近功率供应电压VDD的高电压值。因此，在此交叉点所供应的功率相当的重要。一般而言，若是电路设计的规格要求侦测点在例如1.2伏特，但容许变化值从1.1伏特到1.3伏特。因此，有两个目的可以达成，首先，如何控制此侦测点，其次是如何控制差异以符合此规格的要求。

以此规格为例，此要求将很容易达成。在如图9中的较佳实施例的电压侦测装置，有两种选择可改变侦测点，第一个选择维持所有的参数在此电路中都不改变，唯一改变的是电阻R1的电阻值。当对电阻R1从零开始加入电阻值后，节点N2的电压位准VN2将会上升，进而影响交叉点的位置并最后影响侦测点。第二个选择即维持在此电路中的所有参数都不变，除了PMOS晶体管MPL的栅极宽度/栅极长度比(Ratio ofGate Width/Gate Length)。调整晶体管MPL的栅极宽度/栅极长度比可改变晶体管MPL的电流，并且因而影响在节点N1的电压位准。因为VN1与VN2的交叉点最关键的点，此调整晶体管MPL的栅极宽度/栅极长度比将可达成调整控制侦测点的目的。

关于上述的第二项选择，为了达到侦测点控制在一预定的范围内，如上述的0.3伏特的规格为例，将会非常不容易。从图8中所示的理想的参考电压位准波形可知，比较电压产生器的制作工艺差异与温度的依赖性将不会影响侦测的差异。而在图9中的较佳实施例的电压侦测装置中可知，若电阻R1的值固定，节点N1的电压VN1将会固定，因此，在此电路中唯一会影响侦测点差异的因素则为晶体管MPL。虽然晶体管MPL本身亦有制作工艺上的差异与温度的依赖性，但是若小心地选择电阻RL的电阻值，其特性将会使温度的依赖性所造成的影响变得相对地非常小。而此设计将会使侦测点的变动范围可控制在上述的预定范围内，而不需考虑制作工艺差异与温度的变化。

虽然本发明已以一较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (9)

1、一种低功率供应电压侦测电路，用以接收一供应电压，其特征在于：包括

一比较电压产生器，根据该供应电压产生并输出一比较电压；

一参考电压产生器，根据该供应电压用以根据一线性相依关系产生一参考电压；

一差异放大器，耦接到该比较电压产生器与该参考电压产生器，用以接收该比较电压与该参考电压并输出一低电压侦测信号，

当该参考电压大于该比较电压时，该低电压侦测信号将为一第一电压位准，用以表示该供应电压低于一预定侦测电压值，

当该参考电压小于该比较电压时，该低电压侦测信号将为一第二电压位准，用以表示该供应电压高于该预定侦测电压值。

2、如权利要求1所述的低功率供应电压侦测电路，其特征在于：该比较电压产生器根据在该供应电压增加时，该比较电压也同时增加，但当该供应电压超过一预定电压值时，该比较电压将会趋近一固定电压值。

3、如权利要求2所述的低功率供应电压侦测电路，其特征在于：该比较电压产生器包括一分压电路，其中该分压电路分为两组据以分压该供应电压，其中该第一组包括一第一电阻，该第二组包括一第二电阻与一晶体管，其中

当该供应电压增加时，该比较电压为该两组队供应电压分压中的该第二组分压值，

但当该供应电压超过该第二组中的该晶体管的一临限电压值后，该比较电压将会趋近该临限电压值。

4、如权利要求1所述的低功率供应电压侦测电路，其特征在于：该参考电压产生器根据该供应电压之值，线性地输出该参考电压，其中当该供应电压减少时，该参考电压也线性地减少，当该供应电压增加时，该参考电压也线性地增加。

5、如权利要求4所述的低功率供应电压侦测电路，其特征在于：该参考电压产生器对该供应电压经过一分压电路作分压后线性地输出该参考电压值，其中该分压电路分为两组据以分压该供应电压，其中该第一组包括一晶体管，该第二组包括一电阻，而该参考电压即为该第二组的分压。

6、如权利要求5所述的低功率供应电压侦测电路，其特征在于：该参考电压可根据该第一组中的该晶体管的一栅极宽度/栅极长度比调整大小，据以调整该晶体管的一临限电压值而控制该低电压侦测信号的电压位准。

7、如权利要求1所述的低功率供应电压侦测电路，其特征在于：在该比较电压产生器的输出端还包括一电容器，保持该比较电压的电位。

8、如权利要求1所述的低功率供应电压侦测电路，其特征在于：在该参考电压产生器的输出端还包括一电容器，保持该参考电压的电位。

9、如权利要求1所述的低功率供应电压侦测电路，其特征在于：还包括一反相装置，接收该差异放大器的输出，并将该输出反相后据以输出该低电压侦测信号。

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