CN1208959A - 高频集成电路装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种高频电源模块,为制造此模块,要采用一种用于高频集成电路的多层衬底。衬底包括第一衬底层、第一金属层、空腔、第一通孔。第一衬底层具有在其上形成第一布线层的第一表面,第一金属层至少间接地形成于第一衬底层之上。空腔穿透第一衬底层形成以使第一金属的暴露部位露出,第一通孔开设在第一金属层的暴露部位处并贯穿第一金属层。

Description

高频集成电路装置及其制造方法
本发明涉及一种高频集成电路装置，特别是一种适用于蜂窝电话，或类似设施的发射功率放大器/模块中的高频集成电路。
在日本专利申请公开昭63-292660中公开了一种带有一多层布线板的常规高频集成电路装置，如图4所示。图中，该装置主要包括一个顺序层压一绝缘板24和薄金属层26而构成的叠层体25。特别是，一个第一绝缘板24被作为底层，一个第一薄金属层26在第一绝缘板24上形成。然后，一个第二绝级板24和一个第二薄金属层26依次在第一薄金属层26上形成。一个第三绝缘板24在第二薄金属层26上形成。空腔形成于第三绝缘板24内以露出第二薄金属层26的部位27，电子元件28被固着于暴露部位27。类似地，在第一绝缘板24内开有空腔以露出第一薄金属层26的部位27，电子元件28被固着于暴露部位27。
电子元件28产生的热量被直接传送给薄金属层26并仅沿横向(即图4中的水平方向)在薄金属层26内运行。然而，如果一个钋镓砷场效应晶体管(PoGaAs FET)或类似的电源部件被固着于薄金属层26的暴露部位27时，金属层26不能将热量从电源部件充分地辐射出去。因此，金属层26的尺寸需要被增大。相应地，图4中所示的装置不能被用来制造一个内置一个电源部件、近似0.2cm3大小的微型功率放大器/模块。
图5是在日本专利申请公开平7-50489中公开的一个多层印刷布线板的剖视图。如图中所示，布线板包括一个具有绝缘板层的叠层体29。叠层体29还包括在它的表面上的垫板30及贯穿垫板30形成的通孔31。另外，芯片载体集成电路(“IC”)32被设置在通孔31上方的垫板30上，由芯片载体集成电路IC32产生的热量通过垫板30和通孔31辐射到空气中。另外，一些经过通孔辐射的热量被横向(即图5中的水平方向)从孔31传送至薄接地层33，该薄接地层在叠层体29中的绝缘层之间层压形成。然后，热量从接地层33辐射层至空气中。
在上述常规装置中，只有薄接地层33和辐射通孔31将热量从片状载体IC32中辐射出去。所以，为了充分地将热量从一个钋镓砷场效应晶体管或另一个电源装置元件辐射出去，需要将薄接地层33尺寸增大或增加其数量。然而，如果接地层33的尺寸或数量被增加，该装置就不能被用来形成一个体积大约为0.2cm3的微型功率放大器/模块。
图6所示为另一个常规微型功率放大器/模块。图中模块包括一个具有布线层8a的陶瓷衬底35，一块厚的外部散热板36固着于衬底35的背面。另外，在陶瓷衬底35内开有空腔并露出散热板36的一个部位37，一个电源装置元件2被安装在暴露部位37上。
尽管热量能够被充分地通过散热板36从电源装置元件2辐射出去，模块必须通过插入厚的外部辐射板36被装配起来。因此，制造模块的工艺复杂而且成本昂贵。相应地，常规的装置不能被用来制造体积近似0.2cm3的廉价的微型功放器/模块。
如上所述，对于图4、图5中所示的常规装置，如不增大包容在叠层体内的金属层的尺寸，该装置就不能充足地将热量从电源装置元件辐射出去。结果是这些装置的尺寸必须被显著地增大，而且体积大约为0.2cm3并内置有一个钋镓砷场效应晶体管或类似电源装置的微型功放器/模块无法被制造出来。
另外在图6所示的常规装置中厚的散热板不是在叠层体内层压而成的，而是由外部插入装置体内。所以常规装置的生产工艺复杂旦成本高。
本发明的一个目的是提供一种能够被廉价制造，且能够用来制造容积大约为0.2cm3的微型功率放大器/模块的高频集成电路装置，它包括一种其中厚的板间层被层压的多层衬底结构。
为了实现上述和其它目的，本发明提供一种用于高频集成电路装置的多层衬底。此衬底包括：一个具有在其上形成第一布线层的第一表面的第一衬底层；一个至少是间接地形成于所说的第一衬底层上的第一金属层；一个穿透所说的第一衬底层形成的以便所说的第一金属层的暴露部位被露出的空腔；及设置在所说的第一金属层的所说暴露部位的贯穿所说的第一金属层的第一通孔。
为了进一步实现上述和其它目的，本发明还提供一种用于制造高频集成电路装置的多层衬底的制造方法。该方法包括下列步骤：(a)形成具有第一表面的第一衬底层；(b)在所说的第一衬底层的所说的第一表面上形成第一布线层；(c)至少是间接地在所说的第一衬底层上形成第一金属层；(d)形成一个穿透所说的第一衬底层的空腔，以便露出所说的第一金属层的暴露部位；(e)在所说的第一金属层的所说的暴露部位处形成一个贯穿所说的第一金属层的第一通孔。
参照附图对本发明的最佳实施例进行详细描述，将使本发明的目的和优点更为明显。
图1(a)为本发明的第一实施例中的高频集成电路装置的部件分解透视图；
图1(b)为本发明的第一实施例中的高频集成电路装置的横截面图；
图1(c)为本发明的第一实施例的另一个例子中的高频集成电路装置的横截面图；
图1(d)为本发明的第一实施例的另一个例子中的高频集成电路装置的横截面图；
图1(e)为图1(b)、1(c)或1(d)的一个平面图的一个例子；
图1(f)为图1(b)、1(c)或1(d)的一个横截面平面图的一个例子；
图2为展示1(a)和1(b)中所示的装置的热量辐射特性的横截面图；
图3为本发明的第二个实施例中的高频集成电路装置的横截面图；
图4为第一个常规高频集成电路装置的横截面透视图；
图5为第二个常规高频集成电路装置的横截面图；
图6为第三个常规高频集成电路装置的横截面图。
下面对最佳实施例的描述公开了具体的结构和元件。然而，最佳实施例仅仅是本发明的一些例子，下面描述的具体特点仅仅被用来使该实施例更易于描述，并提供一个本发明的整体构思。因此，一个技术熟练人员将很容易地意识到本发明不只限于下面描述的具体实施例。另外，为了清晰和简洁，本发明中一些为本领域技术熟练人员周知的结构和元件就略去不述了。
图1(a)为本发明的第一个实施例中的高频集成电路装置的部件分解透视图，图1(b)为该装置的横截面图。如图中所示，该装置包括一个多层衬底1，电源装置元件2和其它固定在衬底1上的芯片组件3(即一个片状电阻、电容等)。另外，多层衬底1的侧面上设置有输入/输出导线通孔4、电源引线通孔5和散热导线通孔6。另外，为了保护衬底1，在衬底1的上表面上方设置一个电磁屏蔽和内部保护金属盖7。
如图1(b)所示，多层衬底1包括一个衬底层(即基底材料层)10。电路布线层(即传导层)8和9设置在基底材料层10的上下表面上。另外，一粘附层14被层压于传导层9之上，一金属层11被层压在粘附层14上。一第二基底材料层13被层压于金属层11之上，一第二金属层12被层压于基底材料层13上。
另外，通过平底钻将基底材料层10、传导层9和粘附层14开扩孔直到金属层11被露出来，从而在多层衬底1上形成凹陷空腔15。在空腔15形成后，电源装置元件2就直接安装在金属层11的暴露部位上。另外，电源装置元件2通常用树脂密封并具有由金属层制成的一个安装面(即背面)。所以，元件2通常是通过焊料18固定在空腔15里的金属层11上。
另外，热力柱(即辐射通孔)16被设置在空腔15的底面并贯穿金属层11、基底材料层13和金属层12。只要通孔16连接了金属层11和12，就无需完全地贯穿层11、12和13。因此，通孔16的上部接触将电源装置元件2安装在空腔15内的焊料18。另外，在多层衬底1的其它部位开设多个通孔17并将衬底1的叠层8至14全部贯穿。此外，通孔6开设在衬底1的侧面。如图1(b)所示，通孔16和17可以充满一种绝缘树脂或其它绝缘电介质。
图1(c)和1(d)所示为第一实施例中高频集成电路装置的横截面图的其它例子。如在横截面上所示，第一和第二金属层11和12的图案是不同的。另外，图1(e)是图1(b)，1(c)或1(d)的一个平面图的一个例子，图1(f)是图1(b)，1(c)或1(d)在金属层1 1处所取的横截平面图的一个例子。
下面结合图2描述第一实施例的热量辐射特性。如图中所示，安装在空腔15里的电源装置元件2所产生的热量被直接传送给金属层11和通孔16(在图2中热量流动的方向即箭头A的指向)。然后，一些传送给通孔16的热量被传输至金属层11、金属层12和空气中(或传输至移动电话或类似设施的安装衬底处)。一些从装置2或孔16传输至金属层11的热量在金属层11内沿横向(即图2中的水平方向)传送至通孔6和通孔17。然后，送至通孔6和通孔17的热量又沿孔6和17传送到金属层12和大气(或一安装衬底)中。送到金属层12的热量在金属层12内横向扩散，被传输到通孔6和通孔17并经通孔6和17传送到空气(或安装衬底)中。
如上所述，从电源装置2产生的热量从空腔15传输给通孔16、金属层11和金属层12。金属层11的厚度大于或等于50μm，所以源于装置2和空腔15的热量被金属层11直接有效地吸收，横向扩散并被传导至通孔6和17。另外通孔16同时将来自电源装置元件2的热量传送至空气和金属层12，通孔6和17同样地传输热量至金属层12。金属层12的厚度大于或等于50μm热量，所以，接收到的源于通孔6、16和17的热量被直接、有效地吸收，横向扩散并被传导至通孔6和17。
如上所解释的，多层衬底1提供许多通道可使来自电源放置元件2的热量能被快速扩散并被散离元件2，因此，衬底1的热阻抗被极大地减少，还有，多层结构1是能被低成本有效地制造的叠层结构。
图3是本发明第二个实施例中的高频集成电路装置的横截面图。第二个实施例与第一个实施例类似除了它具有两个额外的金属层21和23(每个厚度均为50μm)，一个额外的基底材料层22和一个额外的粘附层20。粘附层20与金属层12层压，金属层21附着于粘附层20。另外，基底材料层22与金属层21层压，金属层23与基底材料层23层压。
在本实施例中。因加入了基底材料层22从而中间层的数量增加。另外，第二实施例的散热性能极佳并和第一实施例的性能相类似。
为了进一步阐明本发明的构思，下面将描述第一实施例的一个详细的例子。在该例中，图1(a)中的多层衬底1长10.0mm，宽10.0mm，厚0.8mm。另外安装在多层衬底1上的电源装置元件2的输出功率为1.1W，一片状电阻3、片状电容3和其它芯片组件3被安装在衬底1上。另外，在衬底1的侧面开设有两个输入/输出导线通孔4，三个电源引线通孔5和九个辐射导线通孔6。然后，一个黄铜制成的金属盖7被固置在整个衬底上的上方以保护衬底1。整个装配完毕的模块长10.0mm，宽10.0mm，高2.0mm即体积是0.2cm3。
下面介绍制造多层衬底1的方法。基底材料层10由环氧玻璃钢板制成，厚300μm，其绝缘常数为10.5。然后，传导电路层8和9被设置在基底材料层10的上、下表面，且厚度均为18μm，随后，蚀刻传导层8和9以形成特定的布线图案。
类似地，基底材料层13由环氧玻璃钢板制成，厚100μm，其绝缘常数是4.2。然后，铜质的金属层11和12分别设置在基底材料层13的上、下表面，且厚度均为70μm。为了实现最佳散热，金属层11和12的厚度最好是大于或等于50μm。然后，再蚀刻金属层11和12以形成特定的布线图案。
对于其上安装有高频电路的基底材料层10，可以采用适宜于带状传输线的具有高绝缘常数的环氧玻璃钢板。然而，在本例中，采用了具有常规绝缘常数的廉价环氧玻璃钢板，因为基底材料层13被用来作为多层衬底1的内层。
其后，环氧玻璃钢板体系制成的粘附层14夹在传导电路层9和金属层11之间。粘附层的厚度为150μm，其绝缘常数为4.2。当粘附层14最开始夹在传导电路层9和金属层11之间时是软的。然而，当它经过某些工艺处理(如加热)后，粘附层14就变得坚硬而和基底材料层13类似。
在处理过粘附层14后，贯穿层8-14钻出通孔17。特别地，贯穿多层衬底1的全部叠层的十一个通孔17的直径均为0.3mm。然后，通过在衬底1的一个表面的中心部位进行平底钻开扩孔操作直到铜质的金属11露出而形成空腔15。空腔15长2.7mm，宽4.9mm。随后，从空腔15底面贯穿金属层12钻出通孔16。特别是，贯穿金属层11和12的九个通孔16的直径均为0.5mm。然后，在通孔16和17的内表面上喷镀铜，并将通孔16和17充满绝缘体(即绝缘电介质，油墨金属等等)。
随后，在使用掩膜时，在传导电路层8的上表面和金属层12的下表面上喷镀铜，从而在电路层8和金属层12上形成的布线图案中不会出现短路。然后，电路层8和金属层12的表面被覆盖一层绝缘电介质。
其后，将焊料18放在空腔内用来设置电源装置元件的部位。另外，在传导电路层8上设置电路组件3的部位也放置焊料。然后，将电源装置元件2放在空腔15内的焊料18上，组件3放在电路层8上的焊料上，将焊料加热再冷却即可将元件2和组件3安装在衬底1上。
随后，进行一道清洁工序将装置弄干净，可以在电源装置元件2上覆盖一层绝缘介质从而使它不能在空腔15内移动。然后，盖7被放在多层衬底1上。
如上所述，本发明的各个实施例提供许多通路以将源于电源装置元件2的大量热量辐射出去。因此，这些实施例减小了衬底的热阻抗并能防止电源装置元件2因过热而被烧坏。
根据本发明的高频多层衬底，在安装有电源装置元件的空腔的底部的金属层上开设有辐射通孔。所以，可以获得优良的热辐射性能，且可以相当低成本地制造出体积约为0.2cm3的模块。
上述最佳实施例的描述是使一个本领域技术熟练人员制造或使用本发明。还有，对于那些本领域的熟练技术人员来说，这些实施例的多种变化方案是相当明显的。所以，本发明不只限定于这些所描述的一些实施例，而是覆盖权利要求书所描述的最大范围。

Claims (50)

1、一种用于高频集成电路装置中的多层衬底，其特征在于：它包括有
具有在其上形成第一布线层的第一表面的第一衬底层；
至少是间接地在所说的第一衬底层上形成的第一金属层；
穿透所说的第一衬底层从而使所说的第一金属层的暴露部位露出而形成的空腔；
设在所说的第一金属层的暴露部位并贯穿所说的第一金属层的第一通孔；及
第二衬底层，所说的第一金属层形成于所说的第二和第一衬底层之间。
2、根据权利要求1所述的衬底，其特征在于：它还包括一个安装在所说的空腔内的半导体装置。
3、根据权利要求1所述的衬底，其特征在于：它还包括形成于所说的第一衬底层的第二表面的第二布线层和设置在所说的第一布线层上的芯片组件。
4、根据权利要求1所述的衬底，其特征在于：它还包括一个第二布线层和一个粘附层，其中所说的第二布线层设置在所说的粘附层和第一衬底层之间；
所说的粘附层设置在所说的第一金属层和所说的第二布线层之间；
所说的空腔穿透所说的第二布线层和所说的粘附层而形成。
5、根据权利要求1所述的衬底，其特征在于：它还包括一第二金属层，其中
所说的第二衬底层设置在所说的第二金属层和所说的第一金属层之间；
所说的第一通孔贯穿所说的第二衬底层和所说的第二金属层形成。
6、根据权利要求4所述的衬底，其特征在于：它还包括一第二金属层，其中
所说的第二衬底层设置在所说的第二金属层和所说的第一金属层之间；
所说的第一通孔是贯穿所说的第二衬底层和所说的第二金属层形成的；
所说的粘附层是设置在所说的第一金属层和所说的第二布线层之间。
7、根据权利要求1所述的衬底，其特征在于：它还包括
在所说的空腔外，并贯穿所说的第一衬底层、所说的第一布线层和所说的第一金属层而开设的一个第二通孔。
8、根据权利要求6所述的衬底，其特征在于：它还包括在所说的空腔外，并贯穿所说的第一衬底层、第一布线层、所说的第二布线层、所说的粘附层、所说的第一金属层、所说的第二衬底层和所说的第二金属层而开设的一个第二通孔。
9、根据权利要求6所述的衬底，其特征在于：它还包括一个第二粘附层和一个第三金属层，其中，所说的第二粘附层设置于所说的第三金属层和所说的第二金属层之间，所说的第一通孔是贯穿所说的第二粘附层和所说的第三金属层开设的。
10、根据权利要求9所述的衬底，其特征在于：它还包括一个第三衬底层和一个第四金属层，其中，所说的第三衬底层被设置在所说的第四金属层和所说的第三金属层之间。
11、根据权利要求1所述的衬底，其特征在于：它还包括一个在所说的多层衬底的侧面上开设的输入/输出导线通孔和在所说的多层衬底的侧面上开设的电源引线通孔。
12、根据权利要求1所述的衬底，其特征在于：它还包括在所说的多层衬底的一侧面上开设的辐射通孔。
13、根据权利要求1所述的衬底，其特征在于：所说的第一衬底层包括一层环氧玻璃树脂。
14、根据权利要求1所述的衬底，其特征在于：所说的第一、第二衬底层均包括一层环氧玻璃树脂。
15、根据权利要求1所述的衬底，其特征在于：所说的第一金属层的厚度大于或等于50μm。
16、根据权利要求5所述的衬底，其特征在于：所说的第一金属层的厚度大于或等于50μm，所说的第二金属层的厚度大于或等于50μm。
17、根据权利要求6所述的衬底，其特征在于：所说的第一金属层的厚度大于或等于50μm，所说的第二金属层的厚度大于或等于50μm。
18、根据权利要求9所述的衬底，其特征在于：所说的第一金属层的厚度大于或等于50μm，所说的第二金属层的厚度大于或等于50μm。所说的第三金属层的厚度大于或等于50μm。
19、根据权利要求4所述的衬底，其特征在于：所说的第一金属层比所说的第二布线层厚。
20、根据权利要求1所述的衬底，其特征在于：所说的第一通孔充满了绝缘电介质。
21、根据权利要求7所述的衬底，其特征在于：所说的第一、第二通孔充满了绝缘电介质。
22、一种制造用于高频集成电路装置中的多层衬底的方法，其特征在于：它包括如下步骤：
(a)在第一衬底层的第一表面上形成第一布线层；
(b)至少间接地在所说的第一衬底上形成第一金属层；
(c)穿透所说的衬底层以便使所说的第一金属层的暴露部位被露出而形成空腔；
(d)在所说的第一金属层的所说的暴露部位形成贯穿所说的第一金属层的通孔；
(e)至少间接地在所说的第一金属层上形成第二衬底层，从而使所说的第一金属层位于所说的第二衬底层和所说的第一衬底层之间。
23、根据权利要求22所述的方法，其特征在于：它还可包括下列步骤：
(f)在所说的空腔内安装半导体装置。
24、根据权利要求22所述的方法，其特征在于：它还可包括下列步骤：
(f)在所说的第一衬底层的第二表面上形成一个第二布线层；
(g)在所说的第一布线层上设置芯片组件。
25、根据权利要求22所述的方法，其特征在于：它还可包括下列步骤：
(f)形成第二布线层；及
(g)形成粘附层，
其中，所说的第二布线层被设置在所说的粘附层和所说的第一衬底层之间；所说的粘附层被设置在所说的第一金属层和所说的第二布线层之间；所说的空腔是穿透所说的第二布线层和所说的粘附层。
26、根据权利要求22所述的方法，其特征在于：它还可包括下列步骤：
(f)形成第二金属层，其中所说的第二衬底层被设置在所说的第二金属层和所说的第一金属层之间，所说的第一通孔是贯穿所说的第二衬底层和所说的第二金属层开设的。
27、根据权利要求25所述的方法，其特征在于：它还可包括下列步骤：
(h)形成第二金属层，其中所说的第二衬底层被设置在所说的第二金属层和所说的第一金属层之间，所说的第一通孔是贯穿所说的第二衬底层和所说的第二金属层开设的，所说的粘附层被设置在所说的第一金属层和所说的第二布线层之间。
28、根据权利要求22所述的方法，其特征在于：它还可包括下列步骤：
(f)在所说的空腔外并贯穿所说的第一衬底层、所说的第一布线层和所说的第一金属层而开设第二通孔。
29、根据权利要求27所述的方法，其特征在于：它还可包括下列步骤：
(i)在所说的空腔外，贯穿所说的第一衬底层、所说的第一布线层、所说的第二布线层、所说的粘附层、所说的第一金属层、所说的第二衬底层和所说的第二金属层而开设第二通孔。
30、根据权利要求27所述的方法，其特征在于：它还可包括下列步骤：
(i)形成第二粘附层；
(j)形成第三金属层，其中，所说的第二粘附层位于所说的第三金属层和所说的第二金属层之间，所说的第一通孔是贯穿所说的第二粘附层和所说的第三金属层开设的。
31、根据权利要求30所述的方法，其特征在于：它还可包括下列步骤：
(k)形成第三衬底层，
(l)形成第四金属层，其中所说的第三衬底层被设置在所说的第四金属层和所说的第三金属层之间。
32、根据权利要求22所述的方法，其特征在于：它还可包括下列步骤：
(f)在所说的多层衬底的一侧表面上开设输入/输出导线通孔；
(g)在所说的多层衬底的一侧表面上开设一个电源引线通孔。
33、根据权利要求22所述的方法，其特征在于：它还可包括下列步骤：
(f)在所说的多层衬底的一侧表面上开设一个辐射通孔。
34、根据权利要求22所述的方法，其特征在于：所说的第一衬底层包括一层环氧玻璃树脂。
35、根据权利要求22所述的方法，其特征在于：所说的第一、第二衬底层均包括一层环氧玻璃树脂。
36、根据权利要求22所述的方法，其特征在于：所说的第一金属层的厚度大于或等于50μm。
37、根据权利要求26所述的方法，其特征在于：所说的第一金属层的厚度大于或等于50μm，其中，所说的第二金属层的厚度大于或等于50μm。
38、根据权利要求27所述的方法，其特征在于：所说的第一金属层的厚度大于或等于50μm，其中，所说的第二金属层的厚度大行或等于50μm。
39、根据权利要求30所述的方法，其特征在于：所说的第一金属层的厚度大于或等于50μm，所说的第二金属层的厚度大行或等于50μm。所说的第三金属层的厚度大于或等于50μm。
40、根据权利要求25所述的方法，其特征在于：所说的第一金属层比所说的第二布线层厚。
41、根据权利要求22所述的方法，其特征在于：所说的第一通孔充满了绝缘电介质。
42、根据权利要求28所述的方法，其特征在于：所说的第一、第二通孔充满了绝缘电介质。
43、一种制造用于高频集成电路装置中的多层衬底的方法，其特征在于：它包括如下步骤：
(a)提供一个包括具有上下表面的第一绝缘层的第一衬底，在所说的上表面上形成第一金属层，在所说的下表面形成第二金属层；
(b)提供一个包括具有上下表面的第二绝缘层的第二衬底，在所说的上表面上形成第三金属层，在所说的下表面上形成第四金属层；
(c)连接所说的第一衬底和所说的第二衬底，以使所说的第二金属层至少间接地设置在所说的第三金属层上。
(d)在所说的第一衬底内形成空腔；
(e)至少所说的第一衬底和所说的第二衬底中的一个内开设一个第一通孔。
44、根据权利要求43所述的方法，其特征在于：所说的步骤(c)还包括下列步骤：
(c1)通过至少是间接地将粘附层夹在所说的第二金属层和所说的第三金属层之间而连接所说的第一衬底和所说的第二衬底。
45、根据权利要求43所述的方法，其特征在于：所说的步骤(d)还包括下列步骤：
(d1)穿透所说的第一金属层、所说的第一绝缘层、和所说的第一衬底的第二金属层以使所说的第二衬底的第三金属层露出而开设所说的空腔。
46、根据权利要求45所述的方法，其特征在于：它还可包括下列步骤：
(f)在所说的空腔的底面开设至少贯穿至少所说的第二衬底的一部分的第二通孔。
47、根据权利要求46所述的方法，其特征在于：它还可包括下列步骤：
(g)在所说的空腔的所说底面安装半导体装置。
48、根据权利要求43所述的方法，其特征在于：所说的步骤(e)还包括下列步骤：
(e1)贯穿所说的第一衬底和所说的第二衬底开设所说的第一通孔。
49、根据权利要求43所述的方法，其特征在于：它还可包括下列步骤：
(f)在所说的空腔的底面，至少贯穿所说的第二衬底的一部分的所说的第二通孔，
(g)在所说的空腔的底面安装半导体装置，其中所说的步骤(c)还包括下列步骤：
(c1)通过至少是将粘附层间接地夹在所说的第二金属层和所说的第三金属层之间而连接所说的第一衬底和所说的第二衬底，
所说的步骤(d)包括以下步骤：
(d1)穿透所说的第一金属层、所说的第一绝缘层和所说的第一衬底的第二金属层，使所说的第二衬底的第三金属层露出而开设所说空腔。
所说的步骤(e)还包括下列步骤：
(e1)贯穿所说的第一衬底和所说的第二衬底开设所说的第一通孔。
50、根据权利要求49所述的方法，其特征在于：它还可包括下列步骤：
(h)在所说的第一金属层上形成电路组件。
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