CN1196401A - 大面积类金刚石碳膜低温制备方法及装置 - Google Patents

大面积类金刚石碳膜低温制备方法及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1196401A
CN1196401A CN 97103251 CN97103251A CN1196401A CN 1196401 A CN1196401 A CN 1196401A CN 97103251 CN97103251 CN 97103251 CN 97103251 A CN97103251 A CN 97103251A CN 1196401 A CN1196401 A CN 1196401A
Authority
CN
China
Prior art keywords
vacuum chamber
vacuum
workpiece
chamber
magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 97103251
Other languages
English (en)
Other versions
CN1065925C (zh
Inventor
夏立芳
孙明仁
马欣新
孙跃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harbin Institute of Technology
Original Assignee
Harbin Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Harbin Institute of Technology filed Critical Harbin Institute of Technology
Priority to CN97103251A priority Critical patent/CN1065925C/zh
Publication of CN1196401A publication Critical patent/CN1196401A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1065925C publication Critical patent/CN1065925C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提出一种材料表面大面积类金刚石碳膜低温制备方法及装置,具体说是在密闭的真空室内充入含碳气体,并对工件施加负高压电脉冲,激发等离子体,在工件温度不变的条件下,在其表面形成一层膜基间无界面的大面积类金刚石碳膜。其装置为一个具有封闭磁场的真空室,室外设高压脉冲电源及磁场,室内设工件台或支架及高电压引入电极,以及油冷、水冷系统。采用本发明可以对成批工件,在其表面制取一层无界面的高结合力的类金刚石碳膜。

Description

大面积类金刚石碳膜低温制备方法及装置
本发明提出一种在材料表面淀积一层类金刚石碳膜的方法及装置。
现有的类金刚石碳(DLC)膜的制备方法有以下几种,1.离子束淀积,2,离子束辅助淀积,3.射频溅射淀积,4.磁控溅射淀积,5.真空阴极弧淀积,6.直流辉光放电淀积,7.射频辉光放淀积和激光等离子体淀积。但是这些方法都受有一定的局限性。离子束淀积和离子束辅助淀积,虽然可以在保持工件在较低温度下获得良好结合力的DLC膜,但它是个视线过程,只适用于平板型零件,而对非平板型工件表面很难获得均匀的DLC膜。后几种方法虽然没有视线过程,但他们制取的DLC膜是纯淀积层,膜基间有明显的界面,膜基结合力很差,为了提高膜基结合力,一般要求基材加热到500℃左右。有的工艺本身要求温度在500℃以上,因而对滚动轴承类零件,其最终热处理温度低于200℃的工件不能采用。
本发明的目的是提出一种实用的、大面积类金刚石碳(DLC)膜的低温制备方法和装置,在各种形状的金属、非金属、陶瓷、高分子和半导体材料制品表面上,在室温或基材温度不高于150℃条件下,获得与基材没有界面的结合力很好的,厚度从nm至μm量级的类金刚碳膜,以提高其硬度,耐磨性、耐蚀性、降低摩擦系数,以及获得各种特殊的物理、化学性能。
本发明的目的是通过下述方法和设备实现的,在放置有上述材料工件的具有背底真空1×10-4Pa的真空室内,充以甲烷气或乙炔气至气压7~1×10-1Pa,以放在工作台上的工件为阴极,真空室壁为阳极,施加2~30KV脉冲电压,发生脉冲辉光放电,分解甲烷气或乙炔气,产生含碳等离子体,其中含碳离子在电场作用下,冲向工件表面,部分注入工件表面,部分碳淀积在工件表面,多次脉冲,多次重复这种作用,最终在工件表面形成无界面的类金刚石碳(DLC)膜。本发明产生含碳等离子体的方法,主要为低气压含碳气体在高电压脉冲作用下,发生辉光放电。所采用含碳气体一般为甲烷气或乙炔气,也可以采用有机液体的挥发气,如苯、丙酮等。气压一般为7~1×10-1Pa。所采用的高电压脉冲为:峰值电压2~30KV,脉宽10~200μs,重复频率:50~400Hz。
实现本发明的装置为一密闭真空室,极限真空为1×10-4Pa,其结构及工作示意图如图1。真空室壁用水冷却,工作台用由冷却,工作台可公转和自转。产生辉光放电的脉冲电压、脉宽、重复频率连续可调,脉冲可以连续施加,也可以断续施加。脉冲电压、脉宽、频率及施加方式,根据工件尺寸、数量、排布,膜厚及工件允许工作温度而定。本发明装置主要包括真空室,真空室四周用永磁或电磁产生的封闭磁场,高压脉冲电源,真空系统和供气系统,真空室壁和工作台的冷却系统,以及工作台的公转自转传动系统,其中用永磁条或电磁线圈在真空室7四周构成封闭磁场,工件5按装在支架3上,支架3与真空室壁用高压电极2绝缘并与真空室外高压脉冲电源1连接,真空系统通过抽气口6与真空室连通,工件支架3可以公转、自转、正转、反转,并用变压器油冷却,真空室壁用水冷却,真空室7由奥氏体不锈钢制成,供气系统通过进气口8与真空室7连通,真空室形状可以是圆桶形、方形、可以是卧式或立式,四周封闭磁场用永久磁铁南、北极相间排列于真空室外侧,使真室内壁的会切磁场形成沿室壁的封闭磁场,或用磁场线圈,其排例使真空室内沿内壁产生封闭磁场。
本发明可用于各种精密传动耐磨件、特别是在空间环境下工作的航天飞行器零件作固体润滑膜和耐磨层,各种难加工材料的切削刀具、计算机磁介质保护膜,如计算机硬盘、磁头等表面的减摩、耐磨保护膜、电绝缘膜,光学保护膜等。轴承钢GCr15制滚动轴承的内外环滚道和钢球,利用本发明,在表面制备各一层类金刚石碳膜,结合力很好,基体性能不变,摩擦系数由0.75降至0.15以下,表面硬度Hk为11~13GPa,耐磨性提高10倍以上。钛合金TC4先进行等离子体基离子注入N,再在表面周本发明制备一层DLC膜,其摩擦系数由0.45降至0.15以下,耐磨性提高20倍以上。用超硬高速钢制齿轮剃齿刀,径多弧离子镀TiN后,再径30KV,C2H2介质脉冲辉光放电制取DLC层后,剃齿时,切削热减少,被梯齿轮表面粗糙度改善,剃齿刀使用寿命提高3倍以上。谐波齿轮柔轮柔性轴承用20KV脉冲电压辉光放电制取DLC膜,既作固体润滑剂,又作耐磨层,制取的DLC膜与基材没有界面,膜基结合力好,因而在齿轮传动过程中,柔轮和柔性轴承径多次循环弯曲变形,但DLC膜无剥落现象发生。
图1为本发明的装置结构示意图
图2为本发明实施例X线光电子能谱成分深度分布图
图3为本发明实施例激光喇曼光谱图
图4为未经本发明表面淀积DLC的轴承钢GCr15的摩擦系数随摩擦转数变化曲线
图5为本发明实施例摩擦系数随摩擦转数变化曲线
实施例1.轴承钢GCr15制滚动轴承,用乙炔气作介质,气压为4×10-1Pa,在脉冲电压20KV,脉宽20μs和重复频率60Hz条件下,辉光放电持续2h,制取DLC膜,用X线光电子能谱仪进行成分深度分析结果如图2,可见膜基间没有界面,没有成分突变,经激光喇曼光谱测定为DLC膜,如图3。有DLC和无DLC的GCr15摩擦副的摩擦系数变化曲线如图4,其耐磨性提高10倍以上,接触疲劳寿命提高10倍以上。
实施例2.超硬高速钢W6Mo5Cr4V2Al2制齿轮剃齿刀,表面经多弧离子镀TiN 2μm,然后用乙炔气作介质,气压为2×10-1Pa,在脉冲电压为30KV,脉宽30μs,重复频率为60Hz条件下,脉冲辉光放电持续3h,在表面制取一层DLC膜,切削寿命提高3-5倍。
实施例3.TC4钛合金,经等离子体基离子注入N,然后再用乙炔气,气压为5×10-1Pa,脉冲电压20KV,脉宽20μs,重复频率80Hz条件下,脉冲辉光放电持续2h,在表面形成一层DLC,其摩擦系数由0.45下降至0.15以下,耐磨性提高100倍。

Claims (5)

1.一种大面积类金刚石碳膜低温制备方法,其特征在于:该方法包括下列步骤:将工件放在加有磁场的密闭真空室内,其真空度为≤1×10-4Pa,磁场为封闭磁场,磁场强度为1000-3000高斯,充以含碳气体,至气压为7~1×10-1Pa,以工件为阴极,室壁为阳极,施加2~30KV的脉冲电压,脉宽为10~200μs,重复频率50~400Hz,激发辉光放电,产生含碳等离子体,并在工件表面注入和淀积一层类金刚石碳(以下称DLC)膜。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:激发含碳等离子体的方法,是在真空室内充以含碳气体在气压为7~1×10-1Pa条件下,用高压脉冲电激发辉光放电,其所用含碳气体,可以是甲烷、乙炔,也可以是苯、丙酮等有机液体的挥发气,可以是单一的气体,也可以是含碳气体与氢的混合气。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述的工件是机器零件、工模具、半导体器件、计算机硬盘、磁头、人工关节,光学器件及陶瓷器件等,可以是单个工件,也可以是成批工件,可以是金属及其合金,陶瓷材料、半导体材料、复合材料,高分子材料等。
4.一种用于权利要求1至3所述方法的装置,包括真空室,真空室四周用永磁或电磁产生的封闭磁场,高压脉冲电源,真空系统和供气系统,真空室壁和工作台的冷却系统,以及工作台的公转自转传动系统,其特征在于:用永磁务或电磁线圈在真空室[7]四周构成封闭磁场,工件[5]按装在支架[3]上,支架[3]与真空室壁用高压电极[2]绝缘并与真空室外高压脉冲电源[1]连接,真空系统通过抽气口[6]与真空室连通,工件支架[3]可以公转、自转、正转、反转,并用变压器油冷却,真空室壁用水冷却,真空室[7]由奥氏体不锈钢制成,供气系统通过进气口[8]与真空室[7]连通。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于:真空室形状可以是圆桶形、方形、可以是卧式或立式,四周封闭磁场用永久磁铁南、北极相间排列于真空室外侧,使真室内壁的会切磁场形成沿室壁的封闭磁场,或用磁场线圈,其排例使真空室内沿内壁产生封闭磁场。
CN97103251A 1997-04-17 1997-04-17 大面积类金刚石碳膜低温制备方法及装置 Expired - Fee Related CN1065925C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN97103251A CN1065925C (zh) 1997-04-17 1997-04-17 大面积类金刚石碳膜低温制备方法及装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN97103251A CN1065925C (zh) 1997-04-17 1997-04-17 大面积类金刚石碳膜低温制备方法及装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1196401A true CN1196401A (zh) 1998-10-21
CN1065925C CN1065925C (zh) 2001-05-16

Family

ID=5166605

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN97103251A Expired - Fee Related CN1065925C (zh) 1997-04-17 1997-04-17 大面积类金刚石碳膜低温制备方法及装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1065925C (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101550539B (zh) * 2009-05-14 2011-08-10 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法
CN108396306A (zh) * 2018-01-12 2018-08-14 华南理工大学 一种低温沉积硬度可控的类金刚石复合薄膜的方法
CN110965040A (zh) * 2019-12-04 2020-04-07 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 用于制备dlc的镀膜设备及其应用
CN112342543A (zh) * 2019-08-08 2021-02-09 精镭光电科技股份有限公司 利用雷射将高分子材料烧结披覆于金属表面的方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08325096A (ja) * 1995-05-31 1996-12-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 化学蒸着装置
CN1153226A (zh) * 1995-12-26 1997-07-02 中国科学院金属研究所 一种在大型异形部件表面涂覆低应力非金属膜的方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101550539B (zh) * 2009-05-14 2011-08-10 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法
CN108396306A (zh) * 2018-01-12 2018-08-14 华南理工大学 一种低温沉积硬度可控的类金刚石复合薄膜的方法
CN112342543A (zh) * 2019-08-08 2021-02-09 精镭光电科技股份有限公司 利用雷射将高分子材料烧结披覆于金属表面的方法
CN112342543B (zh) * 2019-08-08 2023-08-18 精镭光电科技股份有限公司 利用雷射将高分子材料烧结披覆于金属表面的方法
CN110965040A (zh) * 2019-12-04 2020-04-07 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 用于制备dlc的镀膜设备及其应用
CN110965040B (zh) * 2019-12-04 2021-04-16 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 用于制备dlc的镀膜设备及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN1065925C (zh) 2001-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0731190B1 (en) Process for the formation of carbon coatings
US5473165A (en) Method and apparatus for altering material
CN109943824B (zh) 一种高硬度导电的碳基薄膜的制备方法
Wu et al. Characterization of carburized layer on T8 steel fabricated by cathodic plasma electrolysis
CN103320772B (zh) 一种金属内表面改性的装置和方法
Lei et al. Wear and corrosion properties of plasma-based low-energy nitrogen ion implanted titanium
JP2005500440A (ja) ナノ構造の機能層を形成する方法、およびこれにより作製される被覆層
JP2002504189A (ja) 基板の真空被覆方法および装置
EP2122006B1 (en) Methods and apparatus for forming diamond-like coatings
CN106498348A (zh) 一种使用液态金属制备柔性电子线路的方法与装置
CN109082647B (zh) 铝合金表面dlc防护薄膜制备方法
CN104294343A (zh) 一种钢铁表面类金刚石复合渗碳层的制备方法
CN1065925C (zh) 大面积类金刚石碳膜低温制备方法及装置
CN104109842A (zh) 一种表面渗铪+渗碳的耐高温不锈钢及其制备方法
JP4990959B2 (ja) 厚膜dlc被覆部材およびその製造方法
CN1032376C (zh) 弧光离子渗碳与共渗技术及其装置
CN109457227A (zh) 一种直流磁控溅射法制备光电催化氧化钛电极的方法
CN1390976A (zh) 双辉放电无氢渗碳共渗装置及工艺
JP5360603B2 (ja) 非晶質炭素被覆部材の製造方法
Kwon et al. Geometric effect of ion nitriding on the nitride growth behavior in hollow tube
CN108878260B (zh) 一种低摩擦含氟洋葱碳膜及其直接在硅基底上制备的方法
CN103628060A (zh) 一种表面渗钼+沉积氮化钛的新型电极材料及其制备方法
JP5880474B2 (ja) 真空成膜装置
RU2434074C1 (ru) Способ низкотемпературного азотирования в плазме несамостоятельного дугового разряда низкого давления титановых сплавов вт6 и вт16
CN220352214U (zh) 软基材料表面高密度等离子体均匀渗氮装置

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee