CN101550539B - 一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法 - Google Patents

一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法,所采用的镀膜机包括真空室、磁控溅射源、线性离子源和兼具公转和自转的工件托架,工件托架安装在真空室内部,其特征在于:包括如下步骤:(1)、将陶瓷阀芯在酒精、丙酮溶液中进行超声清洗,干燥后,悬挂固定于工件托架上,使磁控溅射源与线性离子源环绕在陶瓷阀芯周围;(2)、在磁控溅射源上安装由过渡金属制成的金属靶,对陶瓷阀芯进行离子轰击;(3)、开启磁控溅射源电源,对陶瓷阀芯进行第一层薄膜沉积;(4)、启动线性离子源,对陶瓷阀芯进行第二层薄膜沉积;(5)、对陶瓷阀芯进行第三层薄膜沉积。本发明通过对陶瓷阀芯进行三层防护薄膜沉积,可以极大幅度地提高陶瓷阀芯的耐磨密封性能和使用寿命。

Description

一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法
技术领域
本发明涉及一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法。
背景技术
随水资源环境的日益严峻,节约用水已备受人们的关注。通常来说,龙头质量好与坏,阀芯是关键。目前,市场上常用阀芯材料有橡胶、不锈钢、金属、陶瓷等,其中比较而言,陶瓷阀芯具有密封性好、耐热性高、价格低、对水质污染较小、开关轻便灵活、长寿命等综合优点,因此,已成为市场上中高档龙头产品的首选阀芯材料。与其它阀芯龙头相比,陶瓷阀芯用的节水型龙头一般可达开合数十万次不漏一滴水,节约用水可高达30%~50%。然而,陶瓷阀芯质地硬、脆、难加工,且对水质要求较高(水中杂质或氧化物会导致平滑的陶瓷接触面磨损而产生缝隙,最终失去防漏水功能),这使其广泛应用受到严重限制。
一般而言,在使用过程中,为降低陶瓷阀芯的摩擦磨损,陶瓷阀芯片必需经过严格精密的后续表面抛光处理,且为提高其密封特性和进一步降低磨损、延长寿命,阀芯片上都涂敷有一定的润滑密封硅脂。然而,在长期的龙头开关使用过程中,冷热水流一方面对硅脂的冲刷去除会导致其密封性降低、摩擦磨损增加、使用手感干涩;另一方面水流冲刷过硅脂后会含残留有一定的有害化学元素成分,这长期对人体健康会造成一定影响,因此,在能源、环保和生物医学的迅猛发展下,为使陶瓷阀芯在长期服役期间内保持良好的节水、密封、防漏、使用舒适感等功能,及尽可能的降低其对人体的健康危害,必须对陶瓷阀芯表面进行后续的耐磨润滑处理。然而,从目前的表面耐磨处理手段来看,热喷涂、激光合金化、渗氮等常用材料耐磨处理技术并不适用于陶瓷表面的耐磨润滑处理。
发明内容
本发明提供了一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法,利用该方法可以在陶瓷阀芯表面沉积一层硬度高、摩擦系数低、具有良好的耐磨耐蚀性和化学惰性的类金刚石碳膜涂层的防护薄膜,解决了传统水龙头陶瓷阀芯磨损大、寿命短的缺陷,同时还解决了合成硬质耐磨薄膜过程中,薄膜和陶瓷基体间结合力差、残余应力高、易剥落、表面粗糙的问题。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:该在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法,所采用的镀膜机包括真空室、磁控溅射源、线性离子源和兼具公转和自转的工件托架,工件托架安装在真空室内部,其特征在于:包括如下步骤:
(1)、将陶瓷阀芯先在丙酮溶液中进行超声清洗,再在酒精溶液中进行超声清洗,干燥后,悬挂固定于工件托架上,使磁控溅射源与线性离子源环绕在陶瓷阀芯周围;
(2)、在磁控溅射源上安装由过渡金属制成的金属靶,将真空室抽真空至小于2.0×10-5Torr后,通入惰性气体,开启线性离子源,调整陶瓷阀芯的负偏压为0~300V,对陶瓷阀芯进行离子轰击,工作时间为5~40分钟后,关闭线性离子源;
(3)、对陶瓷阀芯进行第一层薄膜沉积,调整陶瓷阀芯的负偏压为-50~-200V,开启磁控溅射源电源,调整磁控溅射源的工作电流为2~3A,通入惰性气体,工作时间为:10~15分钟;
这时,第一层薄膜为过渡金属单质薄膜层;
(4)、对陶瓷阀芯进行第二层薄膜沉积,保持步骤(3)中的工作条件不变,立刻启动线性离子源,调整线性离子源的工作电流为0.1~0.2A;同时通入含碳气体,工作时间为10~15分钟;
这时,第二层薄膜为过渡金属的硬质碳化物薄膜层;
(5)、对陶瓷阀芯进行第三层薄膜沉积,设置线性离子源的工作电流为0.1~0.2A,线性离子源的工作电压为:1000~1300V,调整陶瓷阀芯的负偏压为-50~-200V,工作时间为:60~100分钟。
这时,第三层薄膜为类金刚石碳膜层,类金刚石碳膜(DLC)是一类定义广泛的非晶态多功能碳材料,具有类似金刚石的优异性能,尤其是它的高硬度、低摩擦系数、良好的耐磨耐蚀性和化学惰性,使其非常适用于耐磨耐蚀涂层。且DLC膜技术具有沉积温度低、生长面积大、性能可调、膜表面光滑的优点,因此在机械、电子、生物等领域具有良好应用前景。
过渡金属可以为铬,也可以为钛,也可以为钨。
当过渡金属为时,本发明陶瓷阀芯表面的薄膜沿垂直方向自里向外依次为Cr过渡层、CrC层、DLC碳膜涂层结构,最外层为DLC层,即为Cr/CrC/DLC的碳膜多层结构。
当过渡金属为钛时,本发明陶瓷阀芯表面的薄膜沿垂直方向自里向外依次为Ti过渡层、TiC层、DLC碳膜涂层结构,最外层为DLC层,形成Ti/TiC/DLC的碳膜涂层结构。钛具有极好的韧性,TiC薄膜具有良好的耐磨性。
当过渡金属为单质钨时,本发明陶瓷阀芯表面的薄膜沿垂直方向自里向外依次为W过渡层、WC层、DLC碳膜涂层结构,最外层为DLC层,形成W/WC/DLC的碳膜涂层结构。
作为改进,所述步骤(4)中通入的含碳气体为甲烷或乙炔。
与现有技术相比,本发明的优点在于:①采用大面积线性离子源,以含碳氢气体为碳源,合成的类金刚石碳膜的膜基结合力好,摩擦系数低,硬度高;②选用合适的过渡层,即第一层薄膜和第二层薄膜,大幅提高了第三层薄膜——类金刚石碳膜涂层和陶瓷阀芯之间的结合力;③通过调控镀膜过程中的工作条件,限制温度升高,防止沉积过程中陶瓷阀芯因过热退火而发生性能改变;④被镀陶瓷阀芯悬挂固定在工件架上,以公-自转的方式可以实现数百片阀芯的大面积均匀镀膜;⑤、通过第三层——类金刚石碳膜涂层作为陶瓷阀芯的表层,可以极大幅度地提高水龙头陶瓷阀芯的耐磨密封性能和使用寿命,节约用水。
附图说明
图1为本发明实施例一的流程图。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
实施例一:
本发明提供了一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法,所采用的镀膜机包括真空室、磁控溅射源、线性离子源和兼具公转和自转的工件托架,工件托架安装在真空室内部,其包括如下步骤:参见图1所示
(1)、将陶瓷阀芯先在丙酮溶液中进行超声清洗,再在酒精溶液中进行超声清洗,干燥后,悬挂固定于工件托架上,使磁控溅射源与线性离子源环绕在陶瓷阀芯周围;
(2)、在磁控溅射源上安装单质铬靶,将真空室抽真空至1.6×10-5Torr后,通入氩气,开启线性离子源,调整陶瓷阀芯的负偏压为200V,对陶瓷阀芯进行离子轰击,工作时间为40分钟后,关闭线性离子源;
(3)、对陶瓷阀芯进行第一层薄膜沉积,调整陶瓷阀芯的负偏压为-200V,开启磁控溅射源电源,调整磁控溅射源的工作电流为3A,通入氩气,气体压强为1.6mTorr,工作时间为10分钟;
(4)、对陶瓷阀芯进行第二层薄膜沉积,保持步骤(3)中的工作条件不变,立刻启动线性离子源,调整线性离子源的工作电流为0.2A;同时通入乙炔气体,乙炔气体气压为0.5mTorr,温度小于100℃,工作时间为10分钟;
(5)、对陶瓷阀芯进行第三层薄膜沉积,设置线性离子源的工作电流为0.2A,线性离子源的工作电压为:1300V,调整陶瓷阀芯的负偏压为-200V,工作时间为:60分钟。
碳膜涂层厚度为1.5μm,呈黑色,经测定类金刚石碳膜涂层的膜基结合力达40N以上,摩擦系数在0.1以下,在0.05左右,纳米压痕硬度达20GPa以上。沉积碳膜涂层大面积均匀,装炉量大,成本低,易于工业化规模生产。
实施例二:
与实施例一不同的是,在步骤(2)中,磁控溅射源上安装的为单质钛靶。
实施例三:
与实施例一不同的是,在步骤(2)中,磁控溅射源上安装的为单质钨靶。

Claims (3)

1.一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法,所采用的镀膜机包括真空室、磁控溅射源、线性离子源和兼具公转和自转的工件托架,工件托架安装在真空室内部,其特征在于:包括如下步骤:
(1)、将陶瓷阀芯先在丙酮溶液中进行超声清洗,再在酒精溶液中进行超声清洗,干燥后,悬挂固定于工件托架上,使磁控溅射源与线性离子源环绕在陶瓷阀芯周围;
(2)、在磁控溅射源上安装由过渡金属制成的金属靶,将真空室抽真空至小于2.0×10-5Torr后,通入惰性气体,开启线性离子源,调整陶瓷阀芯的负偏压为0~300V,对陶瓷阀芯进行离子轰击,工作时间为5~40分钟后,关闭线性离子源;
(3)、对陶瓷阀芯进行第一层薄膜沉积,调整陶瓷阀芯的负偏压为-50~-200V,开启磁控溅射源电源,调整磁控溅射源的工作电流为2~3A,通入惰性气体,工作时间为:10~15分钟;
(4)、对陶瓷阀芯进行第二层薄膜沉积,保持步骤(3)中的工作条件不变,立刻启动线性离子源,调整线性离子源的工作电流为0.1~0.2A;同时通入含碳气源,工作时间为10~15分钟;
(5)、对陶瓷阀芯进行第三层薄膜沉积,设置线性离子源的工作电流为0.1~0.2A,线性离子源的工作电压为:1000~1300V,调整陶瓷阀芯的负偏压为-50~-200V,工作时间为:60~100分钟。
2.根据权利要求1所述的在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法,其特征在于:所述步骤(2)中过渡金属为铬或钛或钨。
3.根据权利要求1或2所述的在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法,其特征在于:所述步骤(4)中通入的含碳气源为甲烷或乙炔。
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