CN1196107C - 用于抛光磁头浮动块的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明为用于抛光磁头浮动块减小处理致台阶的方法，包括：一杆沿抛光板径向往返运动，并使有抛光面的抛光板旋转，对磁头浮动块的空气轴承面抛光，该杆包括有薄膜磁头件的磁头浮动块。使抛光板以第一速旋转作高度抛光的第一抛光步骤，使抛光板以等于或小于第一速的第二速旋转作精抛光的第二抛光步骤，在第二步中，第二速如此设置，使得沿抛光板旋转方向的平均线速等于或小于0.032米/秒(最好0.008米/秒)。以减小处理致台阶。

Description

用于抛光磁头浮动块的方法
技术领域
本发明涉及用于抛光磁头浮动块(silder)的方法，所述磁头浮动块包括用于在记录介质例如硬盘上进行记录或再现信息的薄膜磁头元件。
背景技术
在磁记录装置例如硬盘驱动器中，在磁头浮动块中配备有用于进行读或写磁信息的薄膜磁头元件，所述薄膜磁头元件设置为对着记录介质例如硬盘的记录表面。
磁头浮动块呈六面体的形状，在其一个表面上形成有一对平行的滑轨。滑轨的表面对着记录介质的记录表面，其被称为空气轴承表面(ABS)(或空气承载表面)。由于记录介质的旋转而在记录表面和空气轴承表面之间发生的气流使磁头浮动块稍微和记录介质分开(一般称为空气承载)。薄膜磁头元件垂直于空气轴承表面被形成在该表面上，下文把该表面称为元件形成表面。
关于通过抛光形成空气轴承表面的方法，日本未审专利公开No.132456/1995披露了一种方法，其中使一个盘形板旋转，并使要被抛光的物体沿着板的直径方向摆动，从而对要被抛光的物体抛光。据说利用这种方法，在抛光处理进行一半时，使板旋转方向的平均速度小于摆动方向的速度，可以阻止产生划痕。
一般地说，薄膜磁头元件被形成在预定的基底上，所述基底具有多层结构，其中包括不同种类的绝缘层、磁层等。但是，构成基底和构成元件的材料的硬度是不同的。因而，众所周知，为了形成空气轴承表面，在平行于薄膜叠置方向的磁头浮动块的多层元件的端面上进行抛光，将在被抛光的表面上产生处理导致(by-processed)的台阶。具体地说，因为构成元件的材料比构成基底的材料的硬度低，所以在空气轴承表面上的多层元件端面的一部分成为下凹的，换句话说，成为低于基底部件的一部分。结果，当磁头浮动块被装配在硬盘驱动器中时，薄膜磁头元件的多层部件部分和硬盘的表面之间的距离不能足够短，因而难于改善用于记录和再现的信号的磁场强度。
在上述的抛光方法中，根本没有考虑在空气轴承表面上的处理导致的台阶，故可以想到，不能减小该在空气轴承表面上的跟随加工的台阶。
在另一方面，提出了一些抛光方法，其目的在于减小该处理导致的台阶。
例如，日本来审专利公开134316/1998和245333/1997披露了一种用于抛光磁头的方法，在所述方法中，按照预定的步骤利用校正环和模型工件进行在板中嵌入研磨料的预处理，并且使进行预处理的板旋转，同时在板上滴落不包含研磨料的溶液。
日本未审专利公开180389/1997披露了一种利用一种研磨具抛光磁头浮动块的空气承载面(空气轴承面)的方法，所述研磨具具有板状的研磨具主体和被固定在研磨具主体的表面上的研磨料颗粒。所述的研磨料被嵌入，其中的一部分暴露在外面。
日本未审专利公开84657/1993披露了一种利用研磨具和阴离子表面活性剂与两性的表面活性剂的混合溶液抛光磁头的空气承载表面的方法。所述研磨具由具有比锡大的刚性以便支撑研磨料的锡相和青铜相组合而成的材料制成。
然而，在上述的每种技术中，没有考虑抛光板的转速，虽然这些方法都是为了减小处理导致的台阶。
发明内容
本发明是针对上述的问题提出的，其目的在于提供一种用于抛光磁头浮动块的方法，利用所述方法，在磁头浮动块的多层元件端面(要被抛光的表面)上的处理导致的台阶之高度可以被容易地减小，借以能够实现高精度的抛光。
按照本发明的第一方面的用于抛光磁头浮动块的方法是一种用于抛光磁头浮动块的方法，其中利用具有一抛光表面的抛光板抛光磁头浮动块的多层元件端面，在所述端面上以多层结构形成一薄膜磁头元件，所述方法包括：借助于设置抛光板在第一速度下旋转以抛光磁头浮动块之多层元件端面的第一抛光步骤，在开始第二抛光步骤之前，进行用于除去在第一抛光步骤中产生的杂质的清洁步骤。借助于设置抛光板在等于或小于第一速度的第二速度下旋转以抛光在清洁步骤中清洁的磁头浮动块的多层元件端面的第二抛光步骤，其中，在第二抛光步骤中，第二速度被如此设置，使得沿抛光板的旋转方向上的平均线速度等于或小于0.032米/秒并大于零；和在第二抛光步骤中，磁头浮动块被设置为沿着一几乎和抛光板的旋转方向垂直的方向作往返运动。
在按照本发明的第一方面的用于抛光磁头浮动块的方法中，借助于在第一速度下旋转的抛光板进行第一抛光步骤，借助于在比第一速度低的第二速度下旋转的抛光板进行第二抛光步骤。第二速度被这样设置，使得沿抛光板的旋转方向的平均线速度等于或小于0.032米/秒。
在按照本发明的第二方面的用于抛光磁头浮动块的方法中，利用具有抛光表面的抛光板抛光该磁头浮动块的多层元件端面，在所述端面上以多层结构形成该薄膜磁头元件，所述方法包括借助于设置抛光板在第一速度下旋转以抛光磁头浮动块的多层元件端面的第一抛光步骤，和借助于设置磁头浮动块沿着几乎和第一抛光步骤中的抛光板的旋转方向垂直的方向往返运动，同时把抛光板设置为停止，抛光在第一抛光步骤中处理的磁头浮动块的多层元件端面的第二抛光步骤。
在按照本发明的第二方面的用于抛光磁头浮动块的方法中，借助于在第一速度下旋转的抛光板进行第一抛光步骤，借助于在抛光板被设置为停止的同时，设置磁头浮动块沿着和在第一抛光步骤抛光板的旋转方向几乎垂直的方向作往返运动，进行第二抛光步骤。
在按照本发明的第一方面的用于抛光磁头浮动块的方法中，最好第二速度被这样设置，使得在第二抛光步骤中，沿抛光板的旋转方向的平均线速度等于或小于0.008米/秒。
此外，在按照本发明的第第一或二方面的用于抛光磁头浮动块的方法中，最好使用不含有抛光颗粒的抛光液体进行第二抛光步骤。此外，最好使用包括抛光颗粒的抛光液体进行第一抛光步骤。最好第一抛光步骤和第二抛光步骤被设置成利用一个并且相同的抛光设备连续地进行。
在按照本发明的第三方面的用于抛光磁头浮动块的方法中，在开始第二抛光步骤之前进行一用于除去在第一抛光步骤中产生的杂质的清洁步骤。在这种抛光方法中，可以减少杂质对第二抛光步骤的影响，因为在开始第二抛光步骤之前，几乎所有的杂质都被除去了。其中所述杂质包括在第一抛光步骤中使用的抛光研磨料，在第一抛光步骤中新产生的抛光余留物以及其它物质。
在按照本发明的第三方面的用于抛光磁头浮动块的方法中，在清洁步骤中可以通过利用预定的溶剂擦除抛光板上的杂质，从而除去所述杂质。此外，在清洁步骤中，可以在抛光板旋转的同时供应预定的溶剂，利用被设置在抛光板的抛光表面上的用于除去杂质的部件除去抛光板上的杂质。最好是，第一抛光步骤、清洁步骤和第二抛光步骤利用一个并且相同的抛光设备连续地进行。
附图说明
本发明的其它目的、特点和优点由下面的说明将会更加清楚看出。
图1是一磁头浮动块的外表结构的透视图，其用于按照本发明用于抛光磁头浮动块的方法的一实施例；
图2是表示图1所示的磁头浮动块中的薄膜磁头元件的结构的拆开的透视图；
图3是当从箭头方向观看时，图2所示的磁头浮动块中的薄膜磁头元件的沿III-III取的截面图；
图4是表示在按照本发明的用于抛光磁头浮动块的方法中使用的抛光装置之外表结构的一个例子透视图；
图5是表示图4所示的抛光装置之主要部件的操作示意图；
图6是表示沿抛光板的转动方向的速度和沿包括磁头浮动块之杆的往返运动方向的速度的透视图；
图7说明按照本发明的用于抛光磁头浮动块的方法的步骤；
图8说明在第一抛光步骤中抛光表面的径向位置和沿着抛光板的旋转方向以及沿着杆的往返运动方向的每个速度之间的关系；
图9说明在第二抛光步骤中抛光表面的径向位置和沿着抛光板的旋转方向以及沿着杆的往返运动方向的每个速度之间的关系；
图10说明沿着抛光板的旋转方向的平均线速度和在空气轴承表面上的处理导致的台阶之间的关系；
图11表示沿着杆的往返运动的方向的速度对处理导致的台阶的影响。
具体实施方式
首先参照图1到图3说明一磁头浮动块的结构和应用按照本发明的一个实施例的用于抛光磁头浮动块的方法。
图1表示按照本发明的一个实施例应用抛光磁头浮动块方法的磁头浮动块的结构。图2表示薄膜磁头元件1的结构。图3表示当从箭头方向看时，图2所示的磁头浮动块中的薄膜磁头元件的沿III-III取的截面图。磁头浮动块2被固定在一被设置在硬盘(未示出)中的启动器臂(未示出)的端部上。启动器臂例如通过音圈电动机(未示出)的驱动力旋转。借助于所述旋转，磁头浮动块2在横跨轨迹线的方向上和记录介质(未示出)例如硬盘的记录表面一道移动。
如图1所示，磁头浮动块2是一个基本上呈六面体形的块，其一侧(图中为上侧)被这样设置，使得靠近地面对着记录介质的记录表面。在面对着记录介质的记录表面的那侧上形成一对平行的滑轨2A。滑轨2A的一个表面被称为空气轴承表面(ABS)2E。当记录介质旋转时，在记录介质的记录表面和空气轴承表面2E之间产生的气流使磁头浮动块2移动一个微小的量，使得沿相对于记录表面为相反的方向Y离开记录表面。因而，在空气轴承表面2E和记录介质之间具有一个规则的间隙。薄膜磁头元件1被提供在和磁头浮动块2的空气轴承表面2E垂直的元件形成表面2G上，其在图1中是在左侧的一个侧端面。
如图2和3所示，薄膜磁头元件1包括用于再现被记录在记录介质上的磁信息的再现磁头部分1A和用于在记录介质上记录磁信息的记录磁头部分1B。再现磁头部分1A例如具有多层结构，其中包括绝缘层11，底屏蔽层12，底屏蔽间隙层13，顶屏蔽间隙层14，和顶屏蔽层15，它们按照这个顺序被层叠在浮动块2的由陶瓷材料或类似的材料制成的基底2D上。例如绝缘层11的厚度是2微米到10微米，并且由AI2O3(氧化铝)制成。例如底屏蔽层12的厚度是1微米到3微米，并由NiFe(镍和铁的合金：坡莫合金)制成。底屏蔽间隙层13和顶屏蔽间隙层14的厚度例如分别是10纳米到100纳米(nm)，并分别由AI2O3或AIN(氮化铝)制成。顶屏蔽层15的厚度例如是1微米到4微米，并由磁材料例如NiFe制成。此外，顶屏蔽层15同时具有作为记录磁头部分1B的底部磁极的功能。
在底屏蔽间隙层13和顶屏蔽间隙层14之间隐藏着一MR(磁阻)元件1C。MR元件1C被置于靠近空气轴承表面2E的部分上，以便读出被写在记录介质上的信息。MR元件1C包括MR膜20，其由AMR(各向异性的磁阻Anisotropic Magneto-Resistive)膜和GMR(巨人牌磁阻Giant Magneto-Resistive)膜构成。AMR膜具有包括由NiFe或其类似物制成的磁层的单层结构。GMR膜具有包括多层例如软磁层，由CoFe(钴铁合金)或其类似物制成的铁磁层，由MnPt(锰和铂的合金)或其类似物制成的反铁磁层，由Cu(铜)或其类似物制成的非磁金属层构成的多层结构。
如图2所示，在沿轨迹宽度的方向(图中X方向)上MR膜20的两侧上，形成有由硬磁材料或其类似物制成的磁域控制膜30A和30B。构成磁域控制膜30A和30B的目的在于通过沿某个方向对MR膜20施加定向的偏置磁场抑制产生巴克豪森噪声。一对引线层33A和33B分别和MR膜20电气相连，它们沿轨迹宽度的方向被彼此面对地设置，并使得MR膜20在它们之间。引线层33A和33B由钽(Ta)或其类似物制成，其中的每一个被形成在底屏蔽间隙层13和顶屏蔽间隙层14之间。引线层33A和33B以离开空气轴承表面2E分别向侧边延伸，使得其和输出端子33C、33D电气相连，所述输出端子在顶屏蔽间隙层14上被形成预定的图形，在其间夹着被形成在顶屏蔽间隙层14上的未示出的开口部分。
如图3所示，记录磁头部分1B例如包括书写间隙层41，其位于顶屏蔽层15上，例如由AI2O3绝缘膜制成，厚度为0.1微米到0.5微米。书写间隙层41包括开口部分41A，其位于相应于下面将要详细说明的薄膜线圈43和45的中心的位置。在书写间隙层41上，分别形成有厚度为1微米到3微米的薄膜线圈43和盖住薄膜线圈43的光刻胶层44，它们例如夹着厚度为1.0微米到5.0微米的光刻胶层42。在光刻胶层44上，分别形成有厚度为1微米到3微米的薄膜线圈45和盖住薄膜线圈43的光刻胶层46。
在书写间隙层41和光刻胶层42、44和46上，形成有顶磁极47，其厚度大约3微米，由具有高的饱和磁通密度的磁性材料例如NiFe或FeN(氮化铁)制成。顶磁极47和顶屏蔽层15接触，并通过被提供在相应于薄膜线圈43或45之中心的位置的书写间隙层41的开口部分41A和顶屏蔽层15磁耦合。在顶磁极47上，虽然图2和图3没有示出，形成有厚度为20微米到30微米的由AI2O3制成的覆层，使得盖住整个顶磁极47。利用这种结构，记录磁头部分1B记录信息。即，通过薄膜线圈43、45的电流在顶磁极47和作为底磁极的顶屏蔽层15之间产生磁通，并且在写间隙层41的附近产生的磁通使记录介质磁化。
具有这种结构的薄膜磁头元件1的操作如下。具体地说，借助于通过向记录磁头部分1B的薄膜线圈43和45送入电流，产生用于写操作的磁通，从而在记录介质上记录信息。在另一方面，借助于向再现磁头部分1A的MR膜20送入检测电流，检测由记录介质的信号磁场引起的电阻的变化，从而读出在记录介质上记录的信息。
在由陶瓷材料制成的基底2D，由AI2O3(氧化铝)制成的绝缘层11，和由磁性材料例如NiFe(镍和铁的合金：坡莫合金)制成的底屏蔽层12和顶屏蔽层15当中，每种材料的硬度不同。因而，当通过抛光形成具有上述结构的磁头浮动块2的空气轴承表面时，在磁头浮动块2的多层元件的端面(即空气轴承表面)上产生处理导致(by-processed)的一台阶，如图3所示。为了解决这个问题，在按照本实施例的用于抛光磁头浮动块的方法中采用下述的措施，使得能够有效地减小处理导致的台阶。
下面说明按照实施例的用于抛光磁头浮动块的方法中使用的抛光设备。
图4是用于抛光磁头浮动块的空气轴承表面2E的抛光设备的外形图。抛光设备8具有托架80和抛光板81。托架80是一个长的部件，其保持着杆5，杆5中包括多个磁头浮动块2(图1)，在磁头浮动块2上形成有至少一个薄膜磁头元件(图1)。抛光板81自由地旋转，其由由金刚石研磨料或其类似物构成，所述研磨料被嵌入在抛光表面81A上，所述抛光表面81A是由锡(sn)或其类似物制成的圆形板的顶面。利用黏合剂或其类似物把杆5固定到托架80上。
此外，在抛光板81上，提供有由AI2O3或其类似物制成的清洁环810，使得其本身能够旋转。在这种情况下，在本发明中，清洁环80相应于“用于除去杂质的部件”。
在清洁环810的上方，配备有具有抛光颗粒的研磨液体811(下文称为软膏)和没有抛光颗粒的研磨液体812(下文称为溶剂)，它们被存储在未示出的容器中。软膏811和溶剂812可以滴落，从而通过清洁环810被提供给抛光表面81A上。
作为软膏811和溶剂812的主要成分，例如最好使用以异链烷烃为基础的烃溶剂，其沸点例如大于100℃，最好大于120℃，溶度参数SP值小于10，最好小于8。另一方面，作为软膏811的添加物，例如，最好使用无研磨料型(free-abrasive-typed)的脂肪酸/植物油基的抛光软膏合成物，其包括至少一种天然油和脂肪或脂肪酸，无研磨料型的细乙醇基抛光软膏合成物，其包括至少一种在分子中具有乙醇羟基根的合成物，或者无研磨料型的脂肪酸酯基的抛光软膏合成物，其包括至少一种脂肪酸酯。作为溶剂812的添加物，例如可以使用乙炔乙二醇/磷酸盐基的(添加物)(用于精处理的研磨油合成物，其由乙炔乙二醇化合物和磷酸盐化合物组成)，非离子的表面活性剂，或脂肪酸/植物油基的添加物(包括天然油和脂肪或者脂肪酸中至少一种物质的研磨油合成物)。对于软膏811和溶剂812的添加物，其添加的数量例如被设置为等于或大于0.01wt％。
抛光设备8具有呈矩形实心形状的底座800和直立在底座800的顶上的侧框架801。在底座800的顶上，提供有上述的抛光板81，使其能够旋转。在侧框架801上，支撑一滑动体850，其可以沿着抛光板81的抛光表面81A移动。滑动体850被保持得能够借助于形成在侧框架801上的一对平行轨851的引导而滑动。在两个导轨851之间提供有进给螺栓852，进给螺栓852和被形成在滑动体850中的阴螺纹(未示出)啮合。被安装在侧框架801上的用于滑动的电动机(未示出)可驱动进给螺栓852旋转，使得滑动体850沿着导轨851水平地运动。使滑动体850水平运动的滑动机构可使托架80沿抛光板81的抛光表面81A的直径方向往返运动，使得杆5同样地和整个抛光表面81A接触。
滑动体850由被导轨851支撑着的滑动底座855和被保持在滑动底座855上以使得能够升降的的升降体855构成。在滑动底座855上，形成有沿垂直方向延伸的导槽841，形成在升降体840上的一被引导的部分(未示出)和导槽相841相接合，使得能够滑动。此外，如图4所示，在滑动体855上，提供有进给螺栓842，使得其平行于导槽841延伸，并且进给螺栓842和形成在升降体840内的阴螺纹(未示出)啮合。安装在滑动底座855上的用于升降的电动机(未示出)使进给螺栓842转动，使得升降体840沿着导槽841升降。驱动升降体840进行升降的升降机构使杆5沿着接近和离开抛光板81的方向移动。
托架80被设置为借助于图中未示出的一圆形运动机构以相对于抛光表面81A几乎垂直的轴线为中心以一个预定的角度作往返的圆形运动，同时沿抛光板81的径向作往返直线运动。因而，杆5的纵向和抛光表面81A的旋转方向形成的角度可以被连续地改变。结果，可防止在杆5中的磁头浮动块2的空气轴承表面2E(图1)上沿着抛光板81的旋转方向发生划痕(被称为污点)。
下面参照图5到图9说明按照本实施例的用于抛光磁头浮动块的方法。
图5是说明在执行按照本实施例的用于抛光磁头浮动块的方法时抛光设备8的主要部分的操作的方块图。图6是用于确定沿抛光板81的旋转方向相对于包括磁头浮动块的杆5的线速度VX以及沿着杆5的往返运动的方向相对于抛光板81的抛光表面81A的线速度VY的透视图。图7是用于说明在用于抛光磁头浮动块的方法中的每个步骤的流程图。
首先，作为抛光处理的预处理，在抛光板81的抛光表面81A中嵌入用于抛光的研磨料(图7的步S101)。嵌入研磨料的处理按下述进行。例如，在抛光板81的抛光表面81A上提供一抛光表面的校正夹具。例如，在包括金刚石研磨料的软膏被供给抛光表面81A的同时，使抛光板81以预定的速度旋转30分钟以上，所述金刚石研磨料的平均颗粒直径小于1/4微米。
接着，进行在托架80上放置杆5的操作(步S102)。杆5包括多个磁头浮动块2(图1)，在每个磁头浮动块上，利用薄膜形成工艺形成至少一个薄膜磁头元件1(图1)。该放置工作是在滑动体850(图4)运动从而和抛光板81分开(例如，图4中底座800的左侧)并且升降体840(图4)例如升高的条件下进行的。操作者例如使用专门设计的工具和夹具利用黏合剂把杆5的和空气轴承表面2E相反的一表面固定在托架80上。附带说明，虽然在本实施例中把一个杆5固定在托架80上，但是也可以把两个以上的杆5相互平行地固定在托架上。
关于在托架80上设置杆5的方向，例如，最好如图6那样放置。即，抛光板81被设置成，使其沿着一个方向转动，即，从和磁头浮动块2上的元件形成表面2G相反的表面2F开始处理到元件形成表面2G侧的方向。更具体地说，抛光板81被设置为沿图3的Z方向运动。这是因为，据信可以有效地避免这样的情况：由于杂质例如浮在抛光表面81A上方的抛光研磨料和由抛光产生的抛光遗留物积聚在基底2D和薄膜磁头元件部分1之间的小的处理导致的台阶L(图3)中，而使处理导致的台阶L进一步扩大。
在杆5被放置在托架80上之后，使滑动体850(图4)滑动，从而把托架80移动到抛光板81上方的位置。接着，使升降体840(图4)降低，从而使被保持在托架80上的杆5和抛光板81的抛光表面81A接触。
然后，执行第一抛光步骤(也称为利用软膏抛光高度的步骤)(步S103)。首先，例如，利用大约3kgf的载荷把杆5压在抛光板81上，然后一滴一滴地在抛光表面81A上的清洁环810的位置滴落具有抛光颗粒的研磨液体(软膏)，同时开始抛光板81的旋转运动和清洁环810的自转运动。从而开始对杆5中的磁头浮动块2(图1)之空气轴承表面2E(图1)的高度作抛光操作。
在另一方面，几乎在抛光板81开始旋转的同时，使滑动体850(图4)开始在预定的运动范围内往返运动。借助于该往返运动，杆5在沿着抛光板81的抛光表面81A的径向在外部区域和内部区域之间往复运动，从而和整个抛光表面81A均匀地接触。
附带说明，几乎在抛光板81开始旋转和杆5开始往返运动的同时，使保持该托架80的一回转体(未示出)开始以预定的角度作往复回转运动。上述托架80的回转运动使得由抛光板81的旋转方向和杆5的纵向形成的角度发生改变。因而，可防止产生沿着杆5的某个方向延伸的被称为污点的划痕。第一抛光步骤例如在图8所示的条件下进行大约两分钟，所述条件将在下面说明。
图8表示在第一抛光步骤中的抛光条件的曲线的例子。在该图中，横轴表示杆5沿着抛光表面81A的径向的位置，垂直轴表示沿着抛光板81的旋转方向相对于杆5的线速度VX，和沿着杆5的往返运动的方向相对于抛光板81的抛光表面81A的速度VY。
在图8所示的例子中把抛光板81的转数设置为50(转/分)(rpm)。沿着抛光板81旋转的方向相对于杆5的线速度VX表示在最内部位置时的最小值VX(min)＝0.523m/s(米/秒)，并表示在最外部位置时的最大值VX(max)＝1.047m/s。在这种情况下，沿旋转方向的平均线速度VX1(av.)是0.785m/s。沿着杆5在抛光表面81A的径向作往返运动的方向的速度VY表示在往返运动的路径两端的最小值VY(min)＝0m/s，并表示在往返运动的路径中心的最大值VY(max.)＝0.013m/s。
不过，在第一抛光步骤中沿旋转方向的平均线速度VX1(av.)不限于上述的值(0.785m/s)。所述的值例如可以在0.157到1.570m/s(10到100rpm)的范围内改变，最好例如在0.417到1.099m/s(30到70rpm)的范围内改变。沿着杆5的往返运动方向的速度VY的最大值VY(max.)也不限于上述的值(0.013m/s)。所述的值例如可以在0.010到0.015m/s(大约0.013m/s的±20％)的范围内改变，最好例如在0.012到0.014m/s(大约0.013m/s的±10％)的范围内改变。
在完成高度抛光处理之后，升降体840(图4)和滑动体850(图4)被这样驱动，使得被保持在托架80上的杆5和抛光板81分开，并处于待用位置。
接着，进行清洁抛光板81的抛光表面81A的步骤(步S104)。所述清洁步骤如下。利用由丙酮或其类似物组成的有机溶剂擦抛光表面81A，或者使抛光板81和清洁环810旋转，同时在抛光表面81A上滴落溶剂812。结果，可以减少杂质，例如浮动在抛光表面81A上的抛光颗粒和抛光剩余物。
在完成清洁步骤之后，借助于升降体840(图4)和滑动体850(图4)使升降体840(图4)降低，从而使得被保持在托架80上的杆5和抛光板81的抛光表面81A接触。在这种状态下，执行第二抛光步骤(精加工抛光处理)(步S105)。
在第二抛光步骤中，在利用大约3kgf的载荷把杆5压在抛光板81上并一滴一滴地在抛光表面81A上通过旋转的清洁环810滴落没有抛光颗粒的研磨液体(溶液)的同时，抛光板81开始旋转。因而，开始进行在杆5中的磁头浮动块2的空气轴承抛光表面(图1)的精加工抛光操作。在这一步，如下所述，沿抛光板81的旋转方向的线速度被降低到比第一步的高度抛光处理的速度足够低的速度。
在另一方面，几乎在抛光板81开始旋转的同时，使滑动体850(图4)开始在预定的运动范围内往返运动。借助于往返运动，杆5在沿着抛光板81的抛光表面81A的径向在外部区域和内部区域之间往复运动。附带说明，托架80以和第一抛光步骤情况类似的方式在一个预定的角度范围内作往返转动。第二抛光步骤例如在下面将要说明的图9所示的条件下进行大约3分钟。
图9表示第二抛光步骤的抛光条件的一个示例的曲线。在该图中，横轴表示杆5沿着抛光表面81A的径向的位置，垂直轴表示沿着抛光板81的旋转方向相对于杆5的线速度VX，和沿着杆5的往返运动的方向相对于抛光板81的抛光表面81A的速度VY。
在这一步，把抛光板81的转数例如设置为极低的转数，例如0.1rpm。在这种情况下，如图10所示，沿着旋转的方向的线速度的最小值VX(min)＝0.001m/s，沿着旋转的方向的线速度的最大值VX(max)＝0.002m/s。沿旋转方向的平均线速度VX2(av.)是0.0015m/s。关于沿着杆5的往返运动的方向的速度VY，最好设置为和第一步的高度抛光处理的情况下的速度相同，即，速度的最大值VY(max.)＝0.013m/s。
不过，在第二抛光步骤沿旋转方向的平均线速度VX2(av.)不限于上述的值(0.0015m/s)。所述的值例如可以在0.00016到0.03142m/s(0.01到2.00rpm)的范围内改变，最好在0.00016到0.00785m/s(0.01到0.50rpm)的范围内改变。沿着杆5的往返运动方向的速度的最大值VY(max.)例如可以在0.010到0.015m/s的范围内改变。
图10表示在第二抛光步骤中沿抛光板81的旋转方向的平均线速度对空气轴承表面2E上的处理导致的台阶L的影响。在该图中，横轴表示在抛光板81旋转方向上的平均线速度VX2(av.)(单位：m/s)，垂直轴表示处理导致的台阶L(单位nm)。符号‘◆’代表不进行清洁步骤的数据，符号‘1’表示进行清洁步骤的数据。
首先讨论不进行清洁步骤的情况。在相关技术中，抛光步骤不分为在较高的抛光速度下的第一抛光步骤和在极低速度下的第二抛光步骤，因而在整个抛光步骤中，以恒定的转速进行抛光(如，0.785m/s)。例如，空气轴承表面2E的处理导致的台阶L在上述相关技术中大约是5nm。与此相反，如本实施例那样，如图10所示，在第二抛光步骤的沿旋转方向的平均线速度VX2被设置为极低的速度例如0.032m/s的情况下，则处理导致的台阶h大约为2.9nm。和相关技术的情况下相比，处理导致的台阶大约减小了40％。此外，在第二抛光步骤的沿旋转方向的平均线速度VX2(av.)被设置为极低的速度例如0.008m/s的情况下，和沿旋转方向的平均线速度VX2(av.)被设置为0.032m/s的情况下的处理导致的台阶L(＝大约2.9nm)相比，该处理导致的台阶L(＝大约2.3nm)减小了20％。
下面描述在开始第二抛光步骤之前进行清洁步骤的情况。当进行清洁步骤时，如图10所示，处理导致的台阶L被进一步减小。在这种情况下，例如，在第二抛光步骤的沿旋转方向的平均线速度VX2(av.)被设置为0.032m/s的情况下，处理导致的台阶L大约为2.5nm。和不进行清洁步骤的情况下处理导致的台阶L(＝大约2.9nm)相比，处理导致的台阶大约减小了14％。此外，在沿旋转方向的平均线速度VX2(av.)被设置为0.008m/s的情况下，处理导致的台阶L大约为2.0nm，和不进行清洁步骤的情况下处理导致的台阶L(＝大约2.3nm)相比，处理导致的台阶大约减小了13％。
考虑上述情况之后，可以理解，沿抛光板81的旋转方向的平均线速度VX2(av.)越低，处理导致的台阶L则越小，而不管是否进行清洁步骤。例如，最好在精抛光处理的第二步沿旋转方向的平均线速度VX2(av.)被设置为等于或小于0.032m/s，而被设置为等于或小于0.008m/s更好。实际上，最好在第一抛光步骤抛光板81的转数被设置为50rpm，第二抛光步骤的转数被设置为0.01到2rpm。作为参考，处理导致的台阶L随沿抛光板81的旋转方向的平均线速度VX2(av.)的减小而减小的原因可假定如下。即，当抛光板81相对于要被抛光的物体(杆5)的线速度较低时，抛光颗粒施加于要被抛光的物体(杆5)上的载荷可以被更均匀地分布。
此外，如图10所示，可以看出，在开始第二抛光步骤之前，进行清洁步骤使得处理导致的台阶被进一步减小。这可以认为是因为通过清洁步骤而使抛光表面81A上的杂质减少的缘故。结果，可以避免上述杂质在小的处理导致的台阶L中的积聚引起台阶进一步扩大，所述小的台阶是在第一抛光步骤中在基底2D和薄膜磁头元件部分之间产生的。
附带说明，作为一种清洁方法，如上所述，利用有机溶剂擦除抛光板81的抛光表面81A的方法，或者使抛光板81和清洁环810旋转，同时在抛光板81的抛光表面81A上提供不含研磨料的溶剂的方法是优选的。不过，其它方法也是可以接受的。当然，可以省略清洁步骤，因为即使在不进行清洁步骤的情况下，处理导致的台阶L确实被减小了。
图11表示在第二抛光步骤中沿抛光板81的径向该杆5的往返速度对处理导致的台阶L的影响。在该图中，横轴表示在第二抛光步骤中沿抛光板81的旋转方向的平均线速度VX2(av.)(单位：m/s)，垂直轴表示处理导致的台阶L(单位nm)。符号‘◇’代表杆5沿抛光板81的径向的往返速度的最大值VY(max)等于图9所示的一个数值(0.013m/s)的情况下的数据。符号‘□’表示该杆5(沿抛光板81的径向)的往返速度的最大值VY(max)是上述数值的50％的情况下的数据。符号‘△’表示该杆5的往返速度的最大值VY(max)是上述数值的70％的情况下的数据。
如图11所示，可以理解，关于处理导致的台阶的尺寸，即使沿杆5的往返运动方向的速度的最大值VY(max)被减小50％，甚至被减小70％，也没有明显的重大差别。
如上所述，按照本实施例，进行该空气轴承表面2E(图1)之精抛光的第二抛光步骤是在沿抛光板81的旋转方向的线速度VX被减小到极低的速度下进行的。结果，可以容易地减小在磁头浮动块2的多层元件端面(空气轴承表面)上产生的处理导致的台阶L。
此外，按照本实施例，在开始第二抛光步骤之前，在抛光板81的抛光表面81A上进行清洁步骤。因而，浮动的杂质例如抛光颗粒，抛光余留物之类可以被除去，使得减少杂质对精抛光的影响。结果，可以进一步减小在磁头浮动块2的多层元件端面上产生的处理导致的台阶L，因而可以改善抛光的精度。
在上述的实施例中，在第二抛光步骤中，抛光板81被设置为以极低的速度旋转。不过，本发明不限于上述的说明。在第二抛光步骤中，可以把抛光板81设置为完全停止，只通过使杆5沿抛光板81的抛光表面81A的径向往返运动，从而进行精加工抛光。在这种情况下，在第二抛光步骤的抛光条件的其它的参数(沿杆5的往返运动方向的速度VY，杆5上的载荷，抛光处理的时间等)和上述实施侧的情况下的类似。
在本发明的改型中，在第二抛光步骤中，抛光板81的旋转被设置为停止(沿旋转方向的平均线速度VX2(av.)＝0m/s)。结果，如图10和11所示，可以进一步减小处理导致的台阶。具体地说，在不进行清洁步骤的情况下的处理导致的台阶L和在进行清洁步骤的情况下的处理导致的台阶L大约分别是1.2nm和1.0nm。和沿旋转方向的平均线速度VX2(av.)被设置为0.032m/s的情况相比，该处理导致的台阶h被减少50％以上。
因而，在第二抛光步骤中，当抛光板81不旋转，只通过杆5的往返运动进行精抛光时，处理导致的台阶L被显著地减小。其原因可以认为和抛光板81被设置在极低的速度下旋转的情况类似。即，当抛光板81相对于被抛光的物体(杆5)的相对线速度较低时，抛光颗粒施加于要被抛光的物体(杆5)上的载荷可以被更均匀地分布。
虽然至此借助于给出的实施例说明了本发明，但是本发明不限于这些实施例，其可以具有许多改变。例如，在上述的实施例中，在第一抛光步骤和清洁步骤之间，曾经把杆5设置为和抛光板81一度分开。不过，可以在第一抛光步骤被完成之后，便进行清洁步骤，而不设置杆5和抛光板81分开。此外，在第一抛光步骤被完成之后，可以立即转移到第二抛光步骤，而不进行清洁步骤。
此外，薄膜磁头元件1不限于具有AMR膜或GMR膜，而可以具有其它的MR膜，例如TMR(沟道型磁阻)膜。此外，可以应用本发明的对象不限于形成有具有记录磁头和再现磁头的复合式薄膜磁头的磁头浮动块。例如，可以应用于只形成有再现磁头或者只形成有记录磁头的磁头浮动块。
如上所述，按照本发明的第一方面的用于抛光磁头浮动块的方法，进行空气轴承表面的精抛光处理的第二抛光步骤被设置成在沿抛光板的旋转方向的平均线速度被定为基本等于或小于第一抛光步骤的平均线速度的条件下进行。因而，通过极容易的方法，便可以使在磁头浮动块的多层元件端面上产生的处理导致的台阶被有效地减小。
此外，按照本发明的第二方面的用于抛光磁头浮动块的方法，在第一抛光步骤之后，借助于磁头浮动块的往返运动而不使抛光板旋转，设置第二抛光步骤对空气轴承表面进行精抛光。因而，可以使在磁头浮动块的多层元件端面上产生的处理导致的台阶被进一步减小。
此外，按照本发明的第三方面的用于抛光磁头浮动块的方法，除去上述步骤之外，还设置在第一抛光步骤和第二抛光步骤之间进行的清洁步骤。因而，可以减少浮动在抛光板上的杂质例如抛光颗粒和抛光余留物之类对精抛光的影响。因而，可以使在磁头浮动块的多层元件端面上产生的处理导致的台阶被进一步减小。
在上述情况当中，尤其是在利用一个并且相同的抛光设备进行抛光时，可以以低的成本进行磁头浮动块的抛光处理，并且不需要大空间以安置此设备。
显然，根据上述的教导，本发明可以有多种改进和变型。因此，应当理解，本发明的范围只由所附的权利要求限定，而不由特定的实施例限定。

Claims (9)

1.一种用于抛光磁头浮动块的方法，其中利用具有一抛光表面的抛光板抛光磁头浮动块的多层元件端面，在所述端面上以多层结构形成一薄膜磁头元件，所述方法包括：
借助于设置抛光板在第一速度下旋转以抛光磁头浮动块之多层元件端面的第一抛光步骤，
在开始第二抛光步骤之前，进行用于除去在第一抛光步骤中产生的杂质的清洁步骤，
借助于设置抛光板在等于或小于第一速度的第二速度下旋转以抛光在清洁步骤中清洁的磁头浮动块的多层元件端面的第二抛光步骤，
其中，在第二抛光步骤中，第二速度被如此设置，使得沿抛光板的旋转方向上的平均线速度等于或小于0.032米/秒并大于零；和
在第二抛光步骤中，磁头浮动块被设置为沿着一几乎和抛光板的旋转方向垂直的方向作往返运动。
2.如权利要求1所述的用于抛光磁头浮动块的方法，其特征在于，在第二抛光步骤中，第二速度被如此设置，使得沿抛光板的旋转方向上的平均线速度等于或小于0.008米/秒。
3.如权利要求1所述的用于抛光磁头浮动块的方法，其特征在于，使用不含有抛光磨料的抛光液体进行第二抛光步骤。
4.如权利要求1所述的用于抛光磁头浮动块的方法，其特征在于，使用含有抛光磨料的抛光液体进行第一抛光步骤。
5.如权利要求1所述的用于抛光磁头浮动块的方法，其特征在于，在清洁步骤中利用所述预定的溶剂擦除抛光板上的杂质，从而除去杂质。
6.如权利要求1所述的用于抛光磁头浮动块的方法，其特征在于，在清洁步骤中，在抛光板旋转的同时供应预定的溶剂，利用被设置在抛光板之抛光表面上的用于除去杂质的部件除去抛光板上的杂质。
7.如权利要求1所述的用于抛光磁头浮动块的方法，其特征在于，第一抛光步骤和第二抛光步骤利用一个并且相同的抛光设备连续地进行。
8.如权利要求1所述的用于抛光磁头浮动块的方法，其特征在于，第一抛光步骤、清洁步骤和第二抛光步骤利用一个并且相同的抛光设备连续地进行。
9.如权利要求6所述的用于抛光磁头浮动块的方法，其特征在于，第一抛光步骤，清洁步骤和第二抛光步骤利用一个并且相同的抛光设备连续地进行。
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