CN1190693C - 液晶显示器件 - Google Patents
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Abstract
一种液晶显示器件，包含一对基板和位于该对基板之间的液晶层。一片基板包含多个电极以施加基本上与基板平行的电场于液晶层，至少一个电极的保护层，在保护层或电极上形成的取向层。取向层适合于使AC残留图像小于8%，结果得到高品质图像显示，没有因AC残留图像而出现的失效。
Description
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器件，其中在近似平行于基板平坦表面的方向上施加电场以驱动液晶。液晶显示器件就应用而言是特别有效的，因为在其中减少了由纯交流(AC)驱动引起的残留图像，提供了优良的显示特性，并且有卓越的生产率。
发明背景
在普通液晶显示器件中，应用以扭曲向列显示系统为代表的纵向电场系统，其中，驱动夹持在一对基板之间的液晶层的电极，由在该对基板相互对置形成的透明电极构成，施加在近似垂直于基板表面的方向上提供的电场，以驱动液晶。
另一方面，开发了一种横向电场系统，其中，施加于液晶的电场在近似于平行基板表面的方向上被提供。作为该系统的一个例子，应用了一对梳形电极，其中，提供近似平行于电极表面的电场的电极在基板之一上形成，该内容公开在日本专利公报No 21,907/1988、美国专利说明书No 4,345,249、欧洲专利No 91/10,936、日本专利公开No 222,397/1994和160,878/1994等。不必要的是，这些文献中所公开的电极是透明的，并应用了具有高导电率的不透明金属电极。
在如上述文献所公开的、施加于液晶的电场的方向为近似平行于基板表面的方向的显示系统中，迄今，在日本专利公开No159,786/1995中，提出了一种减少从一开始就存在的显示不均匀性，例如边缘畴的方法。但是，完全没有述及，消除在应力试验如高温工作试验或类似试验中发生的显示不均匀性和改善生产率所需要的结构等。
发明内容
本发明申请人发现，就上述横向电场系统的液晶显示器件而论，通常AC驱动在高温55℃或类似温度下进行，会形成导致显示缺陷的残留图像(这称作AC残留图像)。
为了消除这种显示不均匀性，本发明申请人进行了刻苦的努力，从而证实，只要AC残留图像低于某一百分率，就不会观察到显示不均匀性。还发现，为模拟显示不均匀性引起的显示缺陷，有效的是使用特定取向膜并增加取向膜和液晶分子的相互作用。
还发现，在取向膜中的、一般用于改善与基板粘合性的硅烷偶联剂对显示不均匀性有影响。
本发明旨在提供一种能够显示高质量图像的、消除了由AC残留图像引起的显示缺陷的液晶显示器件。
本发明的特征在于下述(1)～(8)中所述的结构。
(1)液晶显示器件，包括：一对基板和夹持于这对基板之间的液晶层，至少该对基板之一装有多个电极以施加电场于液晶层；一层保护膜，它保护至少多个电极之一；以及一层取向膜，它是为覆盖保护膜或电极而形成的，其中，保护膜的膜厚为0.1μm～0.7μm，取向膜的AC残留图像小于8％。
(2)液晶层的比电阻为1010Ω·cm或更高。
(3)至少一层在(1)或(2)中的取向膜是含有至少一种聚合物和低聚物的有机聚合物，其中，具有施加于胺组分或酸物质(sentence)的长链烷基基团的重物质，为总摩尔量的至少5％，最多30％。
(4)在(3)中的聚合物和低聚物的重均分子量为至少2,000，最多30,000。
(5)在(3)或(4)中的聚合物和低聚物含有至少一个主链型和端基型的长链亚烷基基团。
(6)在(1)至(5)中的取向膜是有机聚合物，它是含长链亚烷基基团的酰氨基酸酰亚胺型聚合物和/或低聚物、酰胺-酰亚胺型聚合物和/或低聚物亚氨基硅氧烷型聚合物和/或低聚物或酰胺-酰亚胺型聚合物和/或低聚物。
(7)液晶显示器件，包含：一对基板和夹持在这对基板之间的液晶层，
至少这对基板之一装有至少一对电极，用于施加电场于液晶层，
保护膜，用于保护多个电极和
在保护膜和电极上形成的取向膜，其中
保护膜的膜厚为小于0.5μm，以及
取向膜的AC残留图像为小于8％。
(8)(1)～(6)中的保护膜的膜厚度为0.1μm～0.7μm。
附图简述
图1是表示一片基板的简化结构的截面示意图，用以描述本发明的液晶显示器件的第一实施例；
图2是表示在单元像素中各个电极的结构的平面示意图，用以描述本发明的液晶显示器件的第一实施例；
图3是等效电路图，用以描述本发明的液晶显示器件的第一实施例的驱动结构；
图4是本发明的液晶显示器件中的摩擦角和偏转片的角的说明图；
图5是评价B-V特性变化的测量系统的方块图；和
图6是像素电极和钝化膜的重叠部分的断面图。
实施本发明的最佳方式
现参照附图较详细地叙述本发明如下。顺便提一下，在本发明中，本发明的权利要求范围并不被限制于如下实施例。
实施例1
图1是表示一片基板的简化结构的断面示意图，用以描述本发明的液晶显示器件的第一实施例。
所示基板是在横向电场系统的液晶显示器件中的在其上形成电极的基板。1是公用电极，2是栅绝缘膜，3是像素电极，4是钝化膜(绝缘膜)，5是取向膜，7是构成在其上形成电极的基板的玻璃基板，11是薄膜晶体管，和12是图像信号电极。
另外，图2是表示在一个单元像素中各个电极结构的平面示意图，用以描述本发明的液晶显示器件的第一实施例。9是扫描信号电极，以及，10是无定形Si。
扫描信号电极9是公用电极1在抛光的玻璃基板7上形成，在扫描信号电极9和公用电极1的表面被氧化铝膜涂覆，氧化铝膜是铝(Al)的阳极氧化物膜。
形成由氮化硅(SiN)膜制成的栅绝缘膜2和无定形硅(a-Si)膜10，用以覆盖扫描信号电极9和公用电极1，n型a-Si膜、像素电极3和图像信号电极12在该a-Si膜10上形成。
在底涂层中的采用铬(Cr)的、在上层中采用铝(Al)的层叠电极，用作像素电极3和图像信号电极12。膜厚总计为0.2μm。
扫描信号电极9、公用电极1、像素电极3和图像信号电极12的材料并不限于上述材料，所用材料不受限制，只要它们是具有低电阻的金属材料即可。例如，也可提供的有金属如铬、铝、铜或铌等，合金如CrMo或AlTiTa等，或者在底层采用铝而在上层采用铬的层叠结构。
像素电极3和图像信号电极12具有的结构是，如图2所示，两者均平行于条形公用电极1，并且与扫描信号电极9交叉，和一个晶体管元件(薄膜晶体管TFT)11和金属电极组在一个基板上形成。
因此，在一个基板上的像素电极3和公用电极1之间形成的电场近似平行于基板表面。
电极的排列并不限于图2所示者。也可提供使像素上液晶的驱动方向为双向的结构，例如：公用电极1和像素电极3为锯齿形的结构，或者公用电极1和像素电极3不平行于图像信号电极12的结构。
像素个数是1,024(×3)×768，像素间距在横向(即，公用电极之间)上为88μm，在纵向(即，扫描信号电极之间)上为264μm。另外，与具有晶体管元件的基板相对的基板(未示出)在其上装有R、G和B三色的条形滤色片。
为了使表面变平的透明树脂层叠在该滤色片上。采用环氧树脂作为透明树脂的材料。另外，将聚酰亚胺基取向膜涂布在透明树脂上。
图3是等效电路图，用以描述本发明的液晶显示器件的第一实施例的驱动结构。13是垂直扫描电路，14是图像信号驱动电路，15是电源电路/控制器，17是显示部件(液晶面板)，以及，18是公用电极驱动电路。
驱动LSI与显示部件17相连，垂直扫描电路13和图像信号驱动电路14均与此相连，以及扫描信号电压、图像信号电压和同步信号等由电源电路/控制器15供电，以进行图像显示。
图4是本发明的液晶显示器件中的摩擦角和偏转片的角的说明图。6是电场方向，19是摩擦方向，和20是偏转片的透射轴。
在该图中，在上基板和下基板(在上面形成滤色片的基板，和在上面形成电极的基板)上形成的取向膜的摩擦方向19彼此大致平行，与所施加的电场的方向6的夹角fLC为75°。
将二块偏转片(如，Nitto Denko公司制造的产品，商品名G1220DU)安装在液晶面板的上方和下方。一块偏转片的偏转光透射抽近似平行于摩擦方向19，即75°，而另一块偏转片的偏转光透射轴与摩擦方向19近似正交(-15°)。通常借此得到严密的特性。
在两基板之间夹持着含有作为主成分的、在其端基具有三个氟基团的并且具有正介电各向异性Δε的化合物的液晶。在钝化膜4中使用SiN，该膜厚在0.1～0.7μm的范围。即，本发明人发现，通过减少钝化膜的膜厚，增加了取向膜的平坦区域，如图6所示，从而减少了取向膜的AC残留图像。
图6(a)是在钝化膜4的膜厚足够大时，像素电极3和钝化膜4的重叠部分的截面图。图6(b)是在钝化膜4的膜厚为0.1～0.7μm时，像素电极3和钝化膜4的重叠部分的截面图。
因为钝化膜4的膜厚在图6(b)中是薄的，所以与图6(a)相比较，如图所示，取向膜5被修平一个X的量。
取向膜5的取向控制力由所谓的摩擦处理产生。修平导致摩擦区增加，导致取向膜5的取向控制力得到改善。
所以，通过改善取向膜5的取向控制力，能够抑制AC残留图像，从而在没有显示不均匀性的情况下进行高品质的图像显示。
此外，以相同的电场强度施加到一部分对显示的开/关作用有极大贡献的液晶层时，取向膜5小的膜厚能使施加于取向膜界面的电场强度减少。即，通过减少施加于取向膜界面的电场强度，AC残留图像受到抑制。
顺便提一下，钝化膜4的膜厚小于0.5μm是可取的。然而，当膜太薄时，它就不能保护像素电极3等。当其厚时，AC残留图像不减少。因此，厚度范围必须为0.1～0.7μm。具体地说，在比较检验钝化膜4的膜厚和AC残留图像的剩余程度(亮度差)时，在膜厚0.7μm的情况下，AC残留图像为8％以下，并得到良好图像显示。
在形成该钝化膜4时，应用等离子体化学气相淀积。形成该膜约花费25min。
使用由2，2-双[4-(对氨基苯氧基)苯基丙烷]和1，2，4，5-苯四酸二水合物制造的聚酰亚胺取向膜作为取向膜5。其膜厚为50nm。
关于取向膜的其它材料，作为与四羧酸二水合物共聚的、如下通过1代表的胺，使用苯二胺、二亚苯基二胺、三亚苯基二胺、通式1所代表的化合物
[通式1]
(其中X代表直接键、-O-、-CH2-、-SO2-、-CO-、-CO2-或-CONH-)，或者具有如下通式2所代表的结构的化合物
[通式2]
(其中X是直接键)
例如双(氨基苯氧基)二苯基化合物等。
具体例子包括对苯二胺、间苯二胺、4，4’-二氨基三联苯、4，4’-二氨基二苯砜、3，3’-二氨基二苯砜、4，4’-二氨基二苯基苯甲酸酯、4，4’-二氨基二苯基甲烷、2，2’-(4，4’-二氨基二苯基)丙烷、4，4’-双(对氨基苯氧基)二苯砜、4，4’-双(间氨基苯氧基)二苯砜、4，4’-双(对氨基苯氧基)二苯醚、4，4’-双(对氨基苯氧基)二苯酮、4，4’-双(对-氨基苯氧基)二苯甲烷和2，2’-[4，4’-双(对氨基苯氧基)二苯基]丙烷。
另外还有下述通式3所代表的4，4’-二氨基-3-氨基甲酰基二苯醚
[通式3]
和下述通式4的二氨基硅氧烷化合物。
[通式4]
另外，可与前述共聚的无卤基二胺的例子包括
4，4’-二氨基二苯醚-3-碳酰胺、
3，3’-二氨基二苯砜、
3，3’-二甲基-4，4’-二氨基二苯醚、
1，6-二氨基甲烷、
2，2’-双[4-(4-氨基苯氧基)二苯基]丙烷、
2，2’-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]甲烷、
2，2’-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜、
2，2’-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]酮、
2，2’-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]联苯、
2，2’-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]环己烷、
2，2’-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]甲基环己烷、
双[4-(4-氨基苯甲酰氧基)苯甲酸]丙烷、
双[4-(4-氨基苯甲酰氧基)苯甲酸]环己烷、
双[4-(4-氨基苯甲酰氧基)苯甲酸]甲基环己烷、
双[4-(4-氨基甲基苯甲酰氧基)苯甲酸]丙烷、
双(4-氨基苯甲酰氧基)丙烷、
双(4-氨基苯甲酰氧基)甲烷、
双[2-(4-氨基苯氧基)苯基]甲烷、
双[2-(4-氨基苯氧基)-3，5-二甲基苯基]甲烷、
双[2-(4-氨基苯氧基)-3，4，5-三甲基苯基]甲烷、
双[2-(4-氨基苯氧基)-3，5，6-三甲基苯基]甲烷、
双[2-(4-氨基苯氧基)-3，5-二乙基苯基]甲烷、
双[2-(4-氨基苯氧基)-5-正丙基苯基]甲烷、
双[2-(4-氨基苯氧基)-5-异丙基苯基]甲烷、
双[2-(4-氨基苯氧基)-5-甲基-3-异丙基苯基]甲烷、
双[2-(4-氨基苯氧基)-5-正丁基苯基]甲烷、
双[2-(4-氨基苯氧基)-5-异丁基苯基]甲烷、
双[2-(4-氨基苯氧基)-3-甲基-5-叔丁基苯基]甲烷、
双[2-(4-氨基苯氧基)-5-环己基苯基]甲烷、
双[2-(4-氨基苯氧基)-3-甲基-5-环己基苯基]甲烷、
双[2-(4-氨基苯氧基)-5-甲基-3-环己基苯基]甲烷、
双[2-(4-氨基苯氧基)-5-苯基苯基]甲烷、
双[2-(4-氨基苯氧基)-3-甲基-5-苯基苯基]甲烷、
1，1-双[2-(4-氨基苯氧基)-5-甲基苯基]甲烷、
1，1-双[2-(4-氨基苯氧基)-5-二甲基苯基]乙烷、
1，1-双[2-(4-氨基苯氧基)-5-甲基苯基]丙烷、
1，1-双[2-(4-氨基苯氧基)-3，5-二甲基苯基]丙烷、
2，2-双[2-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、
2，2-双[2-(4-氨基苯氧基)-3，5-二甲基苯基]丙烷、
1，1-双[2-(4-氨基苯氧基)-5-甲基苯基]丁烷、
2，2-双[2-(4-氨基苯氧基)-3，5-二甲基苯基]丁烷、
1，1-双[2-(4-氨基苯氧基)-5-甲基苯基]-3-甲基丙烷、
1，1-双[2-(4-氨基苯氧基)-3，5-二甲基苯基]环已烷、
1，1-双[2-(4-氨基苯氧基)-5-甲基苯基]-3-3-5-三甲基环己烷等，还有二氨基硅氧烷类。但是，例子并不限于这些。
同时，作为酸组分的具有长链亚烷基基团的化合物和其它可共聚化合物的例子能够包括：辛基琥珀酸二酐、十二烷基琥珀酸二酐、辛基丙二酸二酐、十亚甲基双1，2，4-苯三酸二酐、十亚甲基双偏苯三酸酯二酐、
2，2-双[4-(3，4-二羧基苯氧基)苯基]辛基四羧酸二酐、
2，2-双[4-(3，4-二羧基苯甲酰氧基)苯基]十三碳烷四羧酸二酐、
2，2-双[4-(3，4-二羧基苯氧基)苯基]十三碳烷四羧酸二酐、硬脂酸、硬脂酰氯、1，2，4，5-苯四甲酸二酐、甲基-1，2，4，5-苯四甲酸二酐、3，3’，4，4’-二苯基甲羧酸二酐、二亚甲基-1，2，4-苯三酸酐、
3，3’，4，4’-双环己烷四羧酸二酐、
3，3’，4，4’-苯甲酮四羧酸二酐、
3，3’，4，4’-二苯基甲烷四羧酸二酐、
3，3’，4，4’-二苯醚四羧酸二酐、
3，3’，4，4’-二苯砜四羧酸二酐、
2，3，6，7-萘四羧酸二酐、
3，3’，4，4’-二苯基丙烷四羧酸二酐、
2，2-双[4-(3，4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷四羧酸二酐、
2，2-双[4-(3，4-二羧基苯氧基)苯基]六氟丙烷四羧酸二酐、
2，2-双[4-(3，4-二羧基苯甲酰氧基)苯基]丙烷四羧酸二酐、
环戊烷四羧酸二酐、1，2，3，4-环丁烷四羧酸二酐、二环[2.2.2]辛-7-烯(Octaen)-2，3，5，6-回羧酸二酐、
1，2，3，4-环戊烷四羧酸二酐、和
1，2，3，4-丁烷四羧酸二酐等。
此外，取向膜的形成不仅采用一种印刷法，而且采用一种湿法如旋转涂布法或棒涂法等都能够容易地进行。但是，当采用印刷法形成如常规的取向膜时，省去了在形成膜之后的构图等工序，尤其能够改善生产率。
通过测量在纯AC驱动时B-V特性(亮度-电压特性)是否发生变化(当白显示进行并保持30min时，初始亮度B和在半色调下保持30分钟后的亮度B之间的变化给出在通常驱动下的最大亮度显示，也测量了亮度-电压特性)，能够直接判断如此制作的液晶显示器件在纯AC驱动下形成的残留图像的存在或不存在。即，当B-V特性变化时，在分别进行不同显示的两个区中，在显示之后的B-V特性是不同的，即使在输入相同电压时，B-V特性也有差异，结果在两个区中发生亮度差异，这是作为残留图像的形式被观察到的。
图5是评价B-V特性变化用的测量系统的方块图。21是恒温器，22是监视窗(玻璃窗)，23是数字万用表，24是测量控制器，25是样品(液晶显示器件)，26是背光，27是公用电压电源、28是信号电压电源，以及29是栅电压电源。
液晶显示器件25作为样品，在与背光26一道保持温度稳定4小时或更长时间后，进行测定。液晶面板25经受纯AC驱动(AC驱动)，同时DC元件在普通电压为0V下是0。
液晶显示器件25的栅极经受DC驱动，输入16V到栅极上。公用电压为固定值0V。来自亮度系统的输出作为亮度值通过数字万用表输入到测量控制器24。
又，在AC驱动前后的B-V曲线变化按下述次序(1)～(3)测量。
(1)在信号电压Vsig自0V增加时，依次测量亮度Bb(Vsig)。
(2)在亮度达到最大值的信号电压Vmax下，驱动进行30min。
(3)在信号电压Vsig从Vmax减少到0V时，依次测量亮度Ba(Vsig)。
从而能够得到纯AC驱动前后的亮度变化值ΔB(Vsig)。
ΔB(Vsig)(％)＝[Ba(Vsig)-Bb(Vsig)]/Bb(Vsig) ··(1)
顺便提一下，测量在55℃下进行，结果，ΔB(Vsig)小于8％，得到了良好的显示特性。
在形成取向膜时，通过诸如紫外线/臭氧辐照等方法改善基板涂布性能时，取向膜易于更均匀地在整个表面上形成，进一步改善了电极的覆盖。另外，在钝化膜薄到某种程度时，裂痕变大，和裂痕处的涂布性能通过诸如紫外线/臭氧辐照等方法能够容易地得到改善，从而进一步改善取向膜的覆盖。
下面，参照表1叙述本发明第二至第十实施例。
实施例2至10
采取与实施例1相同的方式制作液晶显示器件并对其进行评价，只是下述诸项有所不同。即，取向膜的膜厚为0.3μm，形成钝化膜所需要的时间为约15min。
即使这样制作的液晶显示器件在55℃下经历半色调显示500hr，也不发生显示缺陷。
对于液晶显示器件，测定了AC残留图像，其结果示于表1。
表1
| 二胺组分 | 酸组分 | 重均分子量* | AC残留图像** | |
| 实施例2 | 2，2’-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]联苯 | 辛基琥珀酸二酐 | 12000 | ＜8％ |
| 实施例3 | 双[2-(4-氨基苯氧基)-5-环己基苯基]甲烷 | 2，2-双[4-(3，4-二羧基苯氧基)苯基]辛基四羧酸二酐 | 7290 | ＜8％ |
| 实施例4 | 1.1-双[2-(4-氨基苯氧基)-3，5-二甲基苯基]乙烷 | 3，3’，4，4’-双环己烷-四羧酸二酐 | 3930 | ＜8％ |
| 实施例5 | 2，2-双[2-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷 | 2，3，6，7-萘四羧酸二酐 | 18530 | ＜8％ |
| 实施例6 | 1，1-双[2-(4-氨基苯氧基)-5-甲基苯基]丁烷 | 2，2-双[4-(3，4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷四羧酸二酐 | 19000 | ＜8％ |
| 实施例7 | 1，1-双[2-(4-氨基苯氧基)-3，5-二甲基苯基]环己烷 | 2，2-双[4-(3，4-二羧基苯甲酰氧基)苯基]丙烷四羧酸二酐 | 27000 | ＜8％ |
| 实施例8 | 1，1-双[2-(4-氨基苯氧基)-5-甲基苯基]-3，3，5-三甲基环己烷 | 环戊烷四羧酸二酐 | 8510 | ＜8％ |
| 实施例9 | 双[4-(4-氨基苯甲酰氧基)苯甲酸]丙烷 | 1，2，3，4-环丁烷四羧酸二酐 | 24180 | ＜8％ |
| 实施例10 | 双[2-(4-氨基苯氧基)-5-正丙基苯基]甲烷 | 1，2，3，4-环戊烷四羧酸二酐 | 22390 | ＜8％ |
| 比较例1 | 间苯二胺 | 1，5双[4-(3，4-二羧基苯甲酰氧基)苯基]十氟戊烷四羧酸二酐+1，2，3，4-丁烷四羧酸二酐 | 4000 | 12％ |
*重均分子量以聚苯乙烯作标样计算
**按在本说明书叙述中的式1定义
另外，[H]图像显示30min，然后经历黑色显示。同时，在0～40℃和55℃下目视观察残留图像。其结果示于表2。
表2
| AC残留图像 | 使用温度0～40℃ | 使用温度55℃ | |
| 实施例1-10 | ＜8％ | ○○ | ○○ |
| 比较例2 | 8-12％ | ○ | △ |
| 比较例1 | ＞12％ | × | × |
目视观察
○○：未见残留图像。
○：残留图像在3min内消失。
△：残留图像在10min内消失。
×：残留图像在10min之后仍能看到。
从表1和表2发现，当AC残留图像为8～12％时，在使用温度范围内残留图像消失较快，而当AC残留图像为8％以下时，残留图像在高温下或者在使用温度范围内均不出现并保持良好的显示品质。
为比较上述的本发明实施例的效果，叙述比较例如下。
比较例1
按照与实施例1相同的方式制作液晶显示器件并进行评价，只是下述内容有所不同。
即，将1.0mol％间苯二胺溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮中。向其中加入0.1mol 1，5-双[4-(3，4-二羧基苯甲酰氧基)苯基]十氟戊烷四羧酸二酐，在40℃下进行2hr反应，形成含有侧链型氟基的低聚物，其重均分子量近似为4,000，系以聚苯乙烯为标样计算得到的。另外，加入0.9mol 1，2，3，4-丁烷四羧酸二酐，在20℃下反应8hr，在130℃下反应1hr，得到聚低聚物酰氨基酸酰亚胺清漆，其中含有氟基团的低聚物比例为约10％。将该清漆稀释至浓度6％，加入γ-氨基丙基三乙氧基硅烷，加入量按固体含量计为0.3wt％。此后，进行印刷，在200℃下进行热处理30min，形成约70nm的取向膜。
这样形成的显示器件按与上述相同的方式进行测定。结果，AC残留图像大于12％，并且该残留图像仍保持下去。
比较例2
按与实施例1相同的方式制作液晶显示器件，只是下述内容有所不同。
即，使3，4-二羧基-1，2，3，4-四氢-1-萘琥珀酸二酐、对苯二胺和1-十六烷氧基-2，4-二氨基苯在N-甲基-2-吡咯烷酮中于室温下反应10hr，形成聚酰氨基酸中间体溶液。
向所得聚酰氨基酸中间体溶液中加入乙酸酐和吡啶，作为酰亚胺化(imidation)催化剂，在50℃下反应3hr，形成聚酰亚胺树脂。将所得清漆稀释至浓度6％，进行印刷成形。在200℃下进行热处理30min，形成近似70nm的取向膜。
对其进行评价。结果，AC残留图像为10％。残留图像在使用温度范围内稍有保留。残留图像在55℃高温下则保留下去。
工业可应用性
如上所述，按照本发明，应用无侧链型结构的聚酰亚胺取向膜，能够抑制液晶显示器件的AC残留图像，所述液晶显示器件包括一对基板和在该对基板之间被夹持的液晶层，该对基板中的至少一片附有多个电极以用于施加近似平行于基板表面的电场于液晶层，形成的保护膜用以保护多个电极中的至少一个，形成的取向膜于保护膜或电极之上，这样便能够提供高品质图像显示而没有显示的不均匀性。
Claims (11)
1.一种液晶显示器件，包括：一对基板和被夹持在该对基板之间的液晶层，
该对基板中的至少一片附有多个电极以用于施加电场于液晶层，提供保护膜以保护多个电极中的至少一个，并形成取向膜以覆盖保护膜或电极，其特征在于：
保护膜的膜厚为0.1μm-0.7μm；且
取向膜的AC残留图像小于8％。
2.一种液晶显示器件，包括：一对基板和被夹持在该对基板之间的液晶层，
该对基板中的至少一片附有多个电极以用于施加基本上平行于基板的电场于液晶层，提供保护膜以保护多个电极中的至少一个，并形成取向膜以覆盖保护膜或电极；其中保护膜的膜厚为0.1μm-0.7μm；且纯AC驱动前后的亮度变化值ΔB(Vsig)小于8％，亮度变化值如下表示：
ΔB(Vsig)(％)＝[Ba(Vsig)＝Bb(Vsig)]/Bb(Vsig) ··(1)
其中Bb(Vsig)表示纯AC驱动之前的亮度，Ba(Vsig)表示纯AC驱动之后的亮度。
3.一种液晶显示器件，包括：一对基板和被夹持在该对基板之间的液晶层，
该对基板中的至少一片附有多个电极以用于施加电场于液晶层，形成取向膜以覆盖电极，其中：
膜厚度范围为0.1μm-0.7μm；且
取向膜的AC残留图像小于8％。
4.一种液晶显示器件，包括：一对基板和被夹持在该对基板之间的液晶层，
该对基板中的至少一片附有多个电极以用于施加基本上平行于基板的电场于液晶层，且形成取向膜以覆盖电极；以及
纯AC驱动前后的亮度变化值ΔB(Vsig)小于8％，亮度变化值如下表示：
ΔB(Vsig)(％)＝[Ba(Vsig)-Bb(Vsig)]/Bb(Vsig) ··(1)
其中Bb(Vsig)表示纯AC驱动之前的亮度，Ba(Vsig)表示纯AC驱动之后的亮度。
5.按照权利要求1～4中任何一项的液晶显示器件，其特征在于：液晶层的比电阻为1010Ω·cm或更高。
6.按照权利要求1～4中任何一项的液晶显示器件，其特征在于：至少一层取向膜是含有至少一种聚合物和低聚物的有机聚合物，其中，具有施加于胺组分或酸物质的长链烷基基团的重物质为总摩尔量的至少5％，最多30％。
7.按照权利要求6的液晶显示器件，其特征在于：所述聚合物和低聚物的重均分子量为至少2,000，最多30,000。
8.按照权利要求6的液晶显示器件，其特征在于：所述聚合物和低聚物含有至少一个主链型和端基型的长链亚烷基基团。
9.按照权利要求1的液晶显示器件，其特征在于：取向膜是有机聚合物，它是含有长链亚烷基基团的酰氨基酸酰亚胺型聚合物和/或低聚物、酰胺-酰亚胺型聚合物和/或低聚物、亚氨基硅氧烷型聚合物和/或低聚物、酰胺-酰亚胺型聚合物和/或低聚物。
10.按照权利要求1的液晶显示器件，其特征在于：AC残留图像和55℃下纯AC驱动前后的亮度变化值小于8％。
11.按照权利要求1的液晶显示器件，其特征在于：取向膜是无侧链型结构的取向膜。
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