CN1186781C - 稳定的磁存贮单元 - Google Patents

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Abstract

一种稳定的磁存贮单元，包括：一具有内部区和一对端部区57-58的数据存储层50和稳定材料55-56，该端部区靠近该数据存储层50的一对相对边，该材料固定端部区57-58中的磁化至一预定方向。一种用于稳定磁存贮单元的方法，包括施加一磁场的步骤，该磁场旋转磁存贮单元的数据存储层(50)的一对相对侧面区中的磁化以朝向一预定方向并且减少在磁存贮单元的一对相对端部区57-58中的自由磁极，借此减少端部区57-58中的不可预知的切换性能的可能性。

Description

稳定的磁存贮单元
技术领域
本发明涉及磁存贮器领域。更具体地，本发明涉及在磁存贮器中提供一种稳定的磁存贮单元。
背景技术
诸如磁随机存取存贮器(MRAM)等磁存贮器通常包括一磁存贮单元阵列。每个磁存贮单元通常包括一数据存储层和一参考层。数据存储层通常是在可以通过施加外部磁场而改变的取向上的磁化图形的一层磁性材料或一磁性材料薄膜，该参考层通过是一层磁性材料，其中的磁化被固定或“钉住”在一特定方向上。
在磁存贮单元的数据存储层中的磁化图形通过包括两个不同的磁化区——其内部区和边缘区。在内部区中的磁化通常对准的是一般称为的数据存储层的易磁化磁化轴(easy axis)。在边缘区中的磁化趋于沿相应的边对准。在磁存贮单元的数据存储层中的总磁化取向根据内部区的磁化以及边缘区的磁化产生。
通常，磁存贮单元的状态依赖于其数据存储和参考层的相对磁化取向。如果一磁存贮单元的数据存储层的总磁化取向平行于其参考层的磁化取向，则该磁存贮单元通常处于低电阻状态。相反，如果其数据存储层的总磁化取向反平行于其参考层的磁化取向，则该磁存贮单元通常处于高电阻状态。
通常，存储在磁存贮单元中的位的逻辑状态通过施加外部磁场被写入，该磁场改变数据存储层中的总磁化取向。该外部磁场可称作切换磁场，该切换磁场在其高和低电阻状态之间切换磁存贮单元。稳定磁存贮单元可被定义为一种保持其高或低电阻状态直到被一适当定义的切换磁场切换为止的磁存贮单元。
磁存贮器的制造工艺通常在靠近单个磁存贮单元的数据存储层的边缘地方产生表面不规则性。例如，这种表面不规则性可以由在形成数据存储层的边缘的构图步骤中的不精确引起。在磁存贮器中，当在光刻范围内形成较小的元件以便实现较高的存储密度时，这种影响通常变得更加明显。不幸的是，这种表面不规则性可致使个别的磁存贮单元不稳定。例如，这种表面不规则性可在数据存储层的边缘区中产生具有不可预测或随机的取向和切换性能的磁图形。
使这些负面影响最小化的一种现有解决方案是将每个数据存储层构成为具有沿其易磁化轴伸长的尺寸的矩形。与来自边缘的作用相比，这种结构通常增加了易磁化轴对数据存储层中的最终磁化方向的作用。不幸的是，在写操作中，这种矩形配置通常需要更多的能量以翻转数据存储层中的磁化方向，从而增加了使用这种结构的MRAM的功耗。另外，这种矩形磁存贮单元通常限制了可以被包含在MRAM中的总的存贮单元密度。
发明内容
本发明公开了一种稳定的磁存贮单元，包括一具有内部区和一对端部区的数据存储层，该对端部区靠近该数据存储层的一对相对边。该稳定的磁存贮单元包括一稳定材料，该材料将端部区的磁化固定至一预定方向，借此在端部区中消除了随机取向的磁化图形，从而导致该磁存贮单元的可预测的切换性能。
本发明还公开了一种用于稳定磁存贮单元的方法，该方法采用了一系列写入场(write field)，以便在磁存贮单元的端部区中消除随机定向的磁化图形。
本发明的其它性能和优点将根据下面的详细描述而变得明白。
附图说明
本发明根据其具体的示范性实施例进行描述，因此对附图进行参考，其中：
图1a-1b描述了一稳定的磁存贮单元实施例；
-图2a-2b描述了在数据存储层中用于磁存贮单元的两个稳定状态的磁化取向；
图3示出了一种用于稳定一磁存贮单元的方法；
图4是一包括磁存贮单元阵列的磁存贮器的顶视图。
具体实施方式
图1a-1b描述了一稳定的磁存贮单元40的实施例。磁存贮单元40包括一存储可变磁场的数据存储层50和一具有固定磁取方向的参考层54。磁存贮单元40还包括在靠近数据存储层50的相对边缘的一对端部区57-58中的一些固定磁化取向的稳定材料层55-56。
在该实施例中，磁存贮单元40包括位于数据存储层50与参考层54之间的隧道阻挡层52。磁存贮单元40的这种结构可被称作自旋(spin)隧道器件，在该器件的读操作期间，电荷通过隧道阻挡层52迁移。这种通过隧道阻挡层52的电荷迁移是由于公知的自旋隧道现象并且在一读电压加到磁存贮单元40时发生。在一替换实施例中，一巨型磁阻(GMR)结构可被用于磁存贮单元40中。
图1a示出了磁存贮单元40的截面图。图1b示出了磁存贮单元40的剖面顶视图。端部区57-58对应于数据存储层50的一对相对边，该对相对边垂直于数据存储层50的易磁化轴。数据存储层50的易磁化轴与图示的x轴平行。
在一实施例中，稳定材料层55-56固定端部区57-58中的磁化取向到一基本上平行于y轴的方向。在一替换实施例中，稳定材料层55-56固定端部区57-58中的磁化取向到一基本上反平行于y轴的方向。
稳定材料55-56不仅固定在端部区57-58中的磁化方向，而且提供了用于层50-54的边缘的绝缘并防止电耦合至用于提供对磁存贮单元40的读写访问的导体。在一个实施例中，稳定材料55-56为镍氧化物材料，该镍氧化物材料提供反铁磁性能以固定端部区57-58并且提供适当的绝缘性能。在另外的一些实施例中，诸如Fe2O3或永磁材料等其它反铁磁材料可用于稳定材料55-56。
在其中的磁存贮单元40为GMR结构的一些实施例中，可不需要稳定材料55-56的绝缘性能，使得诸如镍锰等材料是适用的。在这样的实施例中，稳定材料55-56将用作用于相邻GMR单元的导体以及用于各个GMR单元边缘的导体。
在一个实施例中，尺寸dx和dy被选择为基本上相等并且构成用于数据存储层50的正方形。与采用矩形存贮单元时获得的相比，该数据存储层50的正方形可增强在MRAM中获得的密度。这样，对于一给定的最小部件尺寸，与矩形磁存贮单元相比，在一给定的基片面积上可以形成更多的正方形磁存贮单元。在其它的实施例中，可以采用矩形。
参考层54可以是诸如镍铁(NiFe)等坡莫合金层，该层被耦合至一固定坡莫合金层磁化取向的反铁磁层。反铁磁材料可以是铁锰(FeMn)或镍锰(NiMn)。用于该反铁磁材料的可替换材料包括NiO、TbCo、PtMn和IrMn。
图2a-2b说明了在数据存储层50中用于磁存贮单元40的两个稳定状态的磁化取向。图2a示出了第一稳定状态，而图2b示出了第二稳定状态。
响应施加的切换磁场，在数据存储层50的内部的磁化围绕x轴和数据存储层50的易磁化轴旋转。在数据存储层50的内部的磁化在第一稳定状态中基本上取向与x轴反平行的方向，而在第二稳定状态中基本上取向与x轴平行的方向。
在端部区57-58中的磁场被固定在基本上垂直于数据存储层50的易磁化轴的方向上。这样防止了第一或第二稳定状态的其中之一比另一个更稳定。
图3示出一种用于稳定磁存贮单元40的方法。该方法采用了一偏置磁场，以便在施加一切换磁场之前，最小化在数据存储层50中随机取向的磁化图形的小区域。该偏置磁场减小了在数据存储层50的侧面区域中的自由磁极数，这样减少了不需要的范围内的成核位置(nucleation site)。数据存储层50的侧面区域是靠近与易磁化轴平行的数据存储层50的相对边的区域。
包括步骤100-106的用于稳定磁存贮单元40的方法被作为一个例子描述，其中，在数据存储层40内部的磁化取向基本上在正x方向，而在端部区57-58中的磁化方向处于正y方向。
在步骤102中，施加一磁场以旋转端部区57-58中的磁化朝向所需的方向并且减少端部区57-58中的自由磁极。在一个实施例中，该所需的方向是正y方向(Hy+)。在该例中，在步骤102中施加的磁场处于正y方向。在步骤102开始时，由于在数据存储层50的侧面区中的磁化处于正x方向，因此磁化的反转通过旋转而不是域核化(domainmucleation)进行。该Hy+磁场对端部区57-58起一偏置磁场的作用，以减少自由磁极数并且对准端部区57-58中的磁化到正y方向上。
在步骤104中，施加一磁场以旋转数据存储层50内部的磁化取向，使其朝向所需的逻辑状态。该步骤写磁存贮单元40为一对应位的所需第一或第二逻辑状态。在该例中，采用一在负x方向(Hx-)上的磁场将磁化方向旋转到负x方向。在步骤104后，在端部区57-58中和数据存储层50的侧面区中的磁化主要处于正y方向。磁化的反转是通过旋转而不是域核化。在步骤104后的数据存储层中的总磁化最靠近负x方向和易磁化轴。
在步骤106中，在步骤102中施加的磁场被消除。在数据存储层50的内部区中的磁化变成主要取向x轴方向。
在步骤108中，在步骤104中施加的磁场被消除。在数据存储层50中的磁化保持在定义所需逻辑状态的方向，该方向在本例中为负x方向。
在另一实施例中，在步骤102之前，施加一磁场以减少在数据存储层50的侧面区中的自由磁极。该磁场的方向通过读当前的位状态来确定。该磁场被施加在与当前的位状态相同的方向上。在该例中，在步骤100中施加的磁场是一在正x方向(Hx+)上的磁场。
不管端部区57-58怎样如图1a-1b所示固定，方法步骤100-108都可用于磁存贮单元40。
图4是包括一磁存贮单元阵列的磁存贮器10的顶视图，该阵列由磁存贮单元40和另外的磁存贮单元41-43一起构成。磁存贮器10还包括导体20-21和30-31的阵列，允许对磁存贮单元40-43的读写访问。导体30-31是顶部导体，而导体20-21是正交的低部导体。每个磁存贮单元40-43具有尺寸dx和dy。
通过施加电流至导体20-21和30-31，磁存贮单元40-43被稳定并且其逻辑状态被操纵。例如，根据右手定则，在+x方向施加到导体30的一电流在数据存储层50中产生在+y方向上的磁场(Hy+)。在-x方向施加到导体30的一电流在数据存储层50中产生在-y方向上的磁场。类似地，在+y方向施加到导体20的一电流在数据存储层50中产生在+x方向上的磁场(Hx+)，而在-y方向施加到导体20的一电流在数据存储层50中产生在-x方向上的磁场(Hx-)。这些感应的磁场Hx+、Hx-、Hy+、Hy-可以用于稳定和/或写磁存贮单元40的逻辑状态。
本发明的上述详细描述被提供用于说明的目的并且不认为是穷举的或者是将本发明限于所公开的精确实施例。因此，本发明的范围由后附的权利要求定义。

Claims (18)

1、一种磁存贮单元，包括：
一具有内部区和一对端部区的数据存储层(50)，该对端部区(57-58)靠近该数据存储层的一对相对边；
其特征在于还包括：
材料(55-56)，该材料在数据存储层(50)的上表面上与端部区(57-58)重叠，该材料(55-56)在提供一用于该磁存贮单元的绝缘层的同时，通过固定端部区(57-58)中的磁化至一预定方向来稳定该磁存贮单元。
2、权利要求1的磁存贮单元，其中该预定方向是垂直于数据存储层(50)的易磁化轴。
3、权利要求1的磁存贮单元，其中该相对边垂直于数据存储层(50)的易磁化轴。
4、权利要求1的磁存贮单元，其中该材料(55-56)是一种还提供绝缘性能的反铁磁材料。
5、权利要求4的磁存贮单元，其中该反铁磁材料是镍氧化物。
6、权利要求4的磁存贮单元，其中该反铁磁材料是Fe2O3。
7、权利要求1的磁存贮单元，其中该材料(55-56)是一种永磁体。
8、一种用于稳定磁存贮单元的方法，其特征在于包括步骤：
施加一磁场，该磁场使磁存贮单元的数据存储层(50)的一对相对端部区(57-58)中的磁化取向旋转，以减少在该端部区(57-58)中的自由磁极；
施加一磁场，该磁场使数据存储层(50)的内部区中的磁化方向旋转到逻辑状态所需的方向。
9、权利要求8的用于稳定磁存贮单元的方法，其中，该逻辑状态采用下列附加步骤被写入磁存贮单元：在施加一旋转端部区(57-58)中的磁化的磁场之前，施加一减少在数据存储层(50)的一对相对侧面区中的自由磁极的磁场。
10、权利要求8的用于稳定磁存贮单元的方法，其中，该逻辑状态采用下列附加步骤被写入磁存贮单元：
消除旋转端部区(57-58)中的磁化的磁场；
消除旋转内部区中的磁化取向的磁场。
11、权利要求8的方法，其中所需方向平行于数据存储层(50)的易磁化轴。
12、权利要求8的方法，其中旋转相对端部区(57-58)中的磁化的磁场正交于旋转内部区中的磁化取向的磁场。
13、权利要求8的方法，还包括步骤：施加一减少在数据存储层(50)的一对相对侧面区中的自由磁极的磁场。
14、权利要求8的方法，其中施加一减少在数据存储层(50)的一对相对侧面区中的自由磁极的磁场的步骤在施加旋转相对端部区(57-58)中的磁化的磁场之前进行。
15、权利要求14的方法，其中减少侧面区中的自由磁极的磁场平行于旋转内部区中的磁化取向的磁场。
16、权利要求8的方法，还包括消除旋转数据存储层(50)的相对端部区(57-58)中的磁化的磁场的步骤。
17、权利要求8的方法，还包括消除旋转数据存储层(50)的内部区中的磁化取向的磁场的步骤。
18、权利要求8的方法，还包括在磁存贮单元中提供稳定材料(55-56)的步骤，该稳定材料(55-56)固定端部区(57-58)中的磁化至预定方向。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6163477A (en) * 1999-08-06 2000-12-19 Hewlett Packard Company MRAM device using magnetic field bias to improve reproducibility of memory cell switching
US20020055190A1 (en) * 2000-01-27 2002-05-09 Anthony Thomas C. Magnetic memory with structures that prevent disruptions to magnetization in sense layer
US6172904B1 (en) * 2000-01-27 2001-01-09 Hewlett-Packard Company Magnetic memory cell with symmetric switching characteristics
US6205053B1 (en) * 2000-06-20 2001-03-20 Hewlett-Packard Company Magnetically stable magnetoresistive memory element
US6236590B1 (en) 2000-07-21 2001-05-22 Hewlett-Packard Company Optimal write conductors layout for improved performance in MRAM
US6351409B1 (en) * 2001-01-04 2002-02-26 Motorola, Inc. MRAM write apparatus and method
US6404674B1 (en) 2001-04-02 2002-06-11 Hewlett Packard Company Intellectual Property Administrator Cladded read-write conductor for a pinned-on-the-fly soft reference layer
US6538920B2 (en) 2001-04-02 2003-03-25 Manish Sharma Cladded read conductor for a pinned-on-the-fly soft reference layer
US6803616B2 (en) * 2002-06-17 2004-10-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Magnetic memory element having controlled nucleation site in data layer
US6538917B1 (en) * 2001-09-25 2003-03-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Read methods for magneto-resistive device having soft reference layer
US6545906B1 (en) * 2001-10-16 2003-04-08 Motorola, Inc. Method of writing to scalable magnetoresistance random access memory element
US6570783B1 (en) 2001-11-15 2003-05-27 Micron Technology, Inc. Asymmetric MRAM cell and bit design for improving bit yield
JP3769241B2 (ja) 2002-03-29 2006-04-19 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
JP3808799B2 (ja) * 2002-05-15 2006-08-16 株式会社東芝 磁気ランダムアクセスメモリ
US7095646B2 (en) * 2002-07-17 2006-08-22 Freescale Semiconductor, Inc. Multi-state magnetoresistance random access cell with improved memory storage density
US6812538B2 (en) * 2003-02-05 2004-11-02 Applied Spintronics Technology, Inc. MRAM cells having magnetic write lines with a stable magnetic state at the end regions
JP3813942B2 (ja) 2003-04-25 2006-08-23 株式会社東芝 磁気ランダムアクセスメモリ
US6807092B1 (en) * 2003-06-13 2004-10-19 Infineon Technologies Ag MRAM cell having frustrated magnetic reservoirs
US6944053B2 (en) * 2003-06-17 2005-09-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Magnetic memory with structure providing reduced coercivity
US6956763B2 (en) * 2003-06-27 2005-10-18 Freescale Semiconductor, Inc. MRAM element and methods for writing the MRAM element
US6967366B2 (en) * 2003-08-25 2005-11-22 Freescale Semiconductor, Inc. Magnetoresistive random access memory with reduced switching field variation
US6961263B2 (en) * 2003-09-08 2005-11-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory device with a thermally assisted write
US7129098B2 (en) * 2004-11-24 2006-10-31 Freescale Semiconductor, Inc. Reduced power magnetoresistive random access memory elements
JP4468258B2 (ja) 2005-07-15 2010-05-26 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
US8200869B2 (en) * 2006-02-07 2012-06-12 Seagate Technology Llc Storage system with alterable background behaviors
US20100035309A1 (en) * 2008-08-06 2010-02-11 Luca Technologies, Inc. Analysis and enhancement of metabolic pathways for methanogenesis
US7999338B2 (en) * 2009-07-13 2011-08-16 Seagate Technology Llc Magnetic stack having reference layers with orthogonal magnetization orientation directions
ITMO20110061A1 (it) * 2011-03-16 2012-09-17 C R D Ct Ricerche Ducati Trent O S R L Ruota per biciclette a pedalata assistita

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3480922A (en) * 1965-05-05 1969-11-25 Ibm Magnetic film device
JPS5033623B1 (zh) * 1969-08-16 1975-11-01
JPH0850710A (ja) * 1994-04-07 1996-02-20 Read Rite Corp 絶縁酸化物交換層を有する磁気抵抗効果式変換器
JP3767930B2 (ja) * 1995-11-13 2006-04-19 沖電気工業株式会社 情報の記録・再生方法および情報記憶装置
US5756366A (en) * 1995-12-21 1998-05-26 Honeywell Inc. Magnetic hardening of bit edges of magnetoresistive RAM
US5650958A (en) * 1996-03-18 1997-07-22 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junctions with controlled magnetic response
US5748524A (en) * 1996-09-23 1998-05-05 Motorola, Inc. MRAM with pinned ends
US5946228A (en) * 1998-02-10 1999-08-31 International Business Machines Corporation Limiting magnetic writing fields to a preferred portion of a changeable magnetic region in magnetic devices
US6081445A (en) * 1998-07-27 2000-06-27 Motorola, Inc. Method to write/read MRAM arrays

Also Published As

Publication number Publication date
CN1247367A (zh) 2000-03-15
JP2000100153A (ja) 2000-04-07
EP0986065A2 (en) 2000-03-15
EP0986065A3 (en) 2000-12-27
US6205051B1 (en) 2001-03-20
US6072717A (en) 2000-06-06

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ASAAAS 12, Patent Application Publication o Pub. No.: US 2015/0332748A1

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