CN118160069A - 激光照射装置、激光照射方法以及显示器的制造方法 - Google Patents

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小林直之
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3196132B2 (ja) * 1992-11-16 2001-08-06 東京エレクトロン株式会社 液晶ディスプレイ基板の製造方法、半導体結晶の評価方法、半導体結晶薄膜の製造方法及び半導体結晶薄膜の製造装置
JP4056577B2 (ja) * 1997-02-28 2008-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射方法
JP3528577B2 (ja) * 1998-03-04 2004-05-17 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法及びアニール装置
JP2002158173A (ja) 2000-09-05 2002-05-31 Sony Corp 薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体装置、半導体薄膜の製造方法、及び半導体薄膜製造装置
JP2002217125A (ja) 2001-01-23 2002-08-02 Sumitomo Heavy Ind Ltd 表面処理装置及び方法
JP2009135430A (ja) * 2007-10-10 2009-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2010141190A (ja) 2008-12-12 2010-06-24 Shimadzu Corp レーザ結晶化装置
JP6623078B2 (ja) 2016-02-23 2019-12-18 株式会社ブイ・テクノロジー レーザアニール方法及びレーザアニール装置
JP6764305B2 (ja) 2016-10-04 2020-09-30 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、半導体装置の製造方法、及び、レーザ照射装置の動作方法
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