CN118160069A - 激光照射装置、激光照射方法以及显示器的制造方法 - Google Patents
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2021/040657 WO2023079648A1 (ja) | 2021-11-04 | 2021-11-04 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及びディスプレイの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN118160069A true CN118160069A (zh) | 2024-06-07 |
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ID=86240821
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202180103205.0A Pending CN118160069A (zh) | 2021-11-04 | 2021-11-04 | 激光照射装置、激光照射方法以及显示器的制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7781175B2 (https=) |
| CN (1) | CN118160069A (https=) |
| WO (1) | WO2023079648A1 (https=) |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3196132B2 (ja) * | 1992-11-16 | 2001-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 液晶ディスプレイ基板の製造方法、半導体結晶の評価方法、半導体結晶薄膜の製造方法及び半導体結晶薄膜の製造装置 |
| JP4056577B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2008-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザー照射方法 |
| JP3528577B2 (ja) * | 1998-03-04 | 2004-05-17 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法及びアニール装置 |
| JP2002158173A (ja) | 2000-09-05 | 2002-05-31 | Sony Corp | 薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体装置、半導体薄膜の製造方法、及び半導体薄膜製造装置 |
| JP2002217125A (ja) | 2001-01-23 | 2002-08-02 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 表面処理装置及び方法 |
| JP2009135430A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2010141190A (ja) | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Shimadzu Corp | レーザ結晶化装置 |
| JP6623078B2 (ja) | 2016-02-23 | 2019-12-18 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザアニール方法及びレーザアニール装置 |
| JP6764305B2 (ja) | 2016-10-04 | 2020-09-30 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置、半導体装置の製造方法、及び、レーザ照射装置の動作方法 |
| JP7184678B2 (ja) | 2019-03-08 | 2022-12-06 | Jswアクティナシステム株式会社 | レーザ処理装置 |
-
2021
- 2021-11-04 WO PCT/JP2021/040657 patent/WO2023079648A1/ja not_active Ceased
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023079648A1 (ja) | 2023-05-11 |
| JPWO2023079648A1 (https=) | 2023-05-11 |
| JP7781175B2 (ja) | 2025-12-05 |
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