CN118139931A

CN118139931A - 固化性树脂组合物、固化膜、层叠体、拍摄装置、半导体装置、层叠体的制造方法和具有接合电极的元件的制造方法

Info

Publication number: CN118139931A
Application number: CN202280069200.5A
Authority: CN
Inventors: 野元飒; 盐岛太郎; 七里德重; 佐藤宪一朗; 出口英宽
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 2021-12-23
Filing date: 2022-12-22
Publication date: 2024-06-04

Abstract

本发明的目的在于提供：即使在制成具有厚度的膜的情况下，在氮气氛下的高温时也不易发生膜破裂的固化性树脂组合物；使用了该固化性树脂组合物的固化膜；具有该固化膜的层叠体；具有该层叠体的拍摄装置和半导体装置；该层叠体的制造方法；以及该层叠体的制造中使用的具有接合电极的元件的制造方法。本发明的固化性树脂组合物包含聚酰亚胺和倍半硅氧烷，相对于上述倍半硅氧烷100重量份，上述聚酰亚胺的含量为0.5重量份以上且50重量份以下。

Description

固化性树脂组合物、固化膜、层叠体、拍摄装置、半导体装置、层叠体的制造方法和具有接合电极的元件的制造方法

技术领域

本发明涉及固化性树脂组合物、使用了该固化性树脂组合物的固化膜、具有该固化膜的层叠体、具有该层叠体的拍摄装置和半导体装置、该层叠体的制造方法、以及该层叠体的制造中使用的具有接合电极的元件的制造方法。

背景技术

随着半导体装置的高性能化，层叠多个半导体芯片的三维化正在推进。在这样的层叠有多个半导体芯片的层叠体的制造中，首先，通过镶嵌法在2枚形成有电极的元件的电极面形成包含铜的接合电极被绝缘膜包围的接合面。然后，以接合面的接合电极彼此相向的方式将2枚元件重叠，实施热处理，由此制造层叠体(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-191081号公报

发明内容

发明要解决的课题

在上述层叠体的制造中，在电极的接合时进行400℃、4小时这样的高温处理，因此对用于形成上述接合面的绝缘层要求高耐热性。因此，在以往的层叠体中，使用Si₃N₄、SiO₂这样的绝缘性的无机材料作为绝缘层。然而，由无机材料形成的绝缘层在元件中容易产生翘曲，如果在元件中产生翘曲，则在制成层叠体时电极的连接位置偏移、或电极破裂，因此有时层叠体的连接可靠性变低。另外，近年来半导体装置的高性能化推进，元件大型化、薄化，因此元件的翘曲变得更容易产生。

为了抑制这样的元件的翘曲，考虑使用包含有机化合物的绝缘层，但存在包含有机化合物的绝缘层不耐热的问题。与此相对，也考虑使用耐热性的有机化合物，但为了制成绝缘层，需要制成一定程度的厚度的膜，将以往的耐热性的有机化合物制成厚膜时，存在无法耐受氮气氛下、400℃、4小时这样的高温处理而发生膜破裂的问题。

本发明的目的在于提供：即使在制成具有厚度的膜的情况下，在氮气氛下的高温下也不易发生膜破裂的固化性树脂组合物；使用了该固化性树脂组合物的固化膜；具有该固化膜的层叠体；具有该层叠体的拍摄装置和半导体装置；该层叠体的制造方法；以及该层叠体的制造中使用的具有接合电极的元件的制造方法。

用于解决课题的手段

本发明包括以下的公开内容。以下，对本发明进行详述。

[公开1]

一种固化性树脂组合物，其包含聚酰亚胺和倍半硅氧烷，相对于上述倍半硅氧烷100重量份，上述聚酰亚胺的含量为0.5重量份以上且50重量份以下。

[公开2]

根据公开1中记载的固化性树脂组合物，其中，上述聚酰亚胺具有硅氧烷键。

[公开3]

根据公开2中记载的固化性树脂组合物，其中，上述聚酰亚胺的主链结构中的碳原子与硅原子之比C/Si为17以下。

[公开4]

根据公开1～3中任一项记载的固化性树脂组合物，其中，上述聚酰亚胺的重均分子量为1000以上且20000以下。

[公开5]

根据公开1～4中任一项记载的固化性树脂组合物，其中，在上述聚酰亚胺的至少一个末端具有噁嗪环或酰亚胺环结构。

[公开6]

根据公开1～5中任一项记载的固化性树脂组合物，其中，上述聚酰亚胺的至少一个末端具有下述式(1)～(6)中的任一结构。

[化学式1]

[公开7]

根据公开1～6中任一项记载的固化性树脂组合物，其中，上述倍半硅氧烷具有下述式(7)所示的结构。

[化学式2]

在此，R⁰、R¹和R²各自独立地表示直链状、支链状或环状的脂肪族基团、芳香族基团或氢。上述脂肪族基团和上述芳香族基团可以具有取代基也可以不具有取代基。m、n分别表示1以上的整数。

[公开8]

一种固化膜，其是使用公开1～7中任一项记载的固化性树脂组合物而形成的。

[公开9]

一种层叠体，其是在具有电极的第1元件与具有电极的第2元件之间具有公开8中记载的固化膜的层叠体，

上述第1元件的电极与上述第2元件的电极借助贯通上述固化膜的贯通孔而电连接。

[公开10]

根据公开9中记载的层叠体，其在上述第1元件与上述第2元件之间具有无机层。

[公开11]

根据公开9或10中记载的层叠体，其在上述贯通孔的表面具有阻挡金属层。

[公开12]

一种拍摄装置，其具有公开9～11中任一项记载的层叠体。

[公开13]

一种半导体装置，其具有公开9～11中任一项记载的层叠体。

[公开14]

一种层叠体的制造方法，其包括：

在具有电极的第1元件和具有电极的第2元件的形成有电极的面上使公开1～7中任一项记载的固化性树脂组合物成膜，在溶剂干燥后使其固化而形成固化膜的工序；

在各上述固化膜形成贯通孔的工序；

用导电性材料填充各上述贯通孔的工序；

对上述第1元件和第2元件的填充了导电性材料的那侧的表面进行研磨而形成接合电极的工序；以及

将形成有上述接合电极的上述第1元件和形成有上述接合电极的第2元件以上述接合电极彼此接合的方式贴合的工序。

[公开15]

一种具有接合电极的元件的制造方法，其包括：

在具有电极的元件的形成有电极的面上将公开1～7中任一项记载的固化性树脂组合物成膜，在溶剂干燥后使其固化而形成固化膜的工序；

在上述固化膜形成贯通孔的工序；

用导电性材料填充上述贯通孔的工序；以及

对上述元件的表面进行研磨而形成接合电极的工序。

[公开16]

一种层叠体，其是在支撑基板与第3元件之间具有公开8或9中记载的固化膜的层叠体，

上述第3元件具有第1面和第2面，上述第1面层叠有与上述第3元件电连接的多个芯片，

在上述第1面与上述支撑基板之间具有上述固化膜。

[公开17]

根据公开16中记载的层叠体，其在上述支撑基板与固化膜之间具有无机层。

[公开18]

根据公开16或17中记载的层叠体，其在上述第3元件的第2面上进一步具有第4元件，上述第3元件与第4元件电连接。

[公开19]

一种拍摄装置，其具有公开16～18中任一项记载的层叠体。

[公开20]

一种半导体装置，其具有公开16～18中任一项记载的层叠体。

本发明的固化性树脂组合物含有聚酰亚胺。

通过在固化性树脂组合物中使用聚酰亚胺，从而即使在制成具有厚度的固化膜的情况下也能够制成在高温处理中不易发生膜破裂的固化膜。

上述聚酰亚胺优选具有硅氧烷键。

通过使上述聚酰亚胺具有硅氧烷键，从而与固化性树脂组合物中所含的倍半硅氧烷的相容性提高，因此能够抑制涂布时聚酰亚胺析出所导致的凹凸(表面粗糙)。

在上述聚酰亚胺具有硅氧烷键的情况下，上述聚酰亚胺的主链结构中的碳原子与硅原子之比C/Si优选为17以下。

通过使聚酰亚胺的主链结构中的碳原子与硅原子之比为上述范围，从而与固化性树脂组合物中所含的倍半硅氧烷的相容性进一步提高，因此在涂布时能够进一步抑制表面粗糙。上述C/Si更优选为16.5以下，进一步优选为16以下。上述C/Si的下限没有特别限定，从实用上和进一步提高400℃耐热性的观点出发，优选为4以上。

需要说明的是，上述聚酰亚胺的主链结构中的碳原子与硅原子之比C/Si为重复单元内的C、Si之比，不包含两末端的C、Si。另外，上述C/Si可以通过利用¹H-NMR、¹³C-NMR和²⁹Si-NMR来得到上述聚酰亚胺的结构，再根据主链的重复单元计测C原子和Si原子的数量而求出。

另外，在重视对由氧气氛下的高温导致的膜破裂进行抑制的情况下，还优选上述聚酰亚胺不具有硅氧烷键、或者主链结构中的碳原子与硅原子之比C/Si为20以上。

通过使上述聚酰亚胺不具有硅氧烷键或聚酰亚胺的主链结构中的碳原子与硅原子之比为上述范围，从而即使在由于设备、制造方法的制约等而必须在比氮气氛下更苛刻的氧气氛下制造层叠体的情况下，也能够制成在高温处理中不易发生膜破裂的固化膜。上述C/Si更优选为21以上。需要说明的是，在通常的层叠体的制造中，由于在氮气氛下进行元件的接合，所以如果在氮气氛下的高温下绝缘层不发生破裂，则能够发挥充分的连接可靠性。

上述聚酰亚胺优选具有多个芳香环。

通过使上述聚酰亚胺具有多个芳香环，从而即使在制成具有厚度的固化膜的情况下，也能够制成在各种条件下的高温处理中不易发生膜破裂的固化膜。

上述聚酰亚胺优选在至少一个末端具有噁嗪环或酰亚胺环结构，更优选在两个末端具有噁嗪环或酰亚胺环结构。

通过使上述聚酰亚胺在末端具有噁嗪环或酰亚胺环结构，能够进一步抑制制成厚膜时的表面粗糙。需要说明的是，上述噁嗪环和酰亚胺环结构可以具有取代基。

其中，上述聚酰亚胺进一步优选在至少一个末端具有下述式(1)～(6)中的任一结构，特别优选在两末端具有下述式(1)～(6)中的任一结构。需要说明的是，下述式中的“*”表示与上述聚酰亚胺的末端以外的部分的键合部位。

[化学式3]

上述聚酰亚胺的重均分子量优选为1000以上且20000以下。

通过使上述聚酰亚胺的重均分子量为上述范围，从而与倍半硅氧烷的相容性提高，能够进一步提高处理性。上述重均分子量更优选为2000以上，进一步优选为3000以上，更优选为18000以下，进一步优选为15000以下。

需要说明的是，上述聚酰亚胺的重均分子量通过凝胶渗透色谱(GPC)法以聚苯乙烯换算分子量的形式进行测定。可以将洗脱溶剂设为THF，作为柱而使用时间-MB-M6.0×150mm(Waters公司制)或其同等品，通过聚苯乙烯标准而算出。

相对于后述的倍半硅氧烷100重量份，上述聚酰亚胺的含量为0.5重量份以上且50重量份以下。

通过将聚酰亚胺的含量设为上述范围，从而即使在制成具有厚度的固化膜的情况下，也能够制成在高温处理中不易发生膜破裂的固化膜。相对于倍半硅氧烷100重量份，上述聚酰亚胺的含量优选为0.7重量份以上，更优选为0.75重量份以上，进一步优选为1重量份以上，优选为20重量份以下，更优选为10重量份以下，进一步优选为5重量份以下。

本发明的固化性树脂组合物含有倍半硅氧烷。

通过使用有机物的固化性树脂组合物的固化膜作为绝缘层，从而柔软性提高，能够抑制元件的翘曲而提高电连接可靠性。另外，通过在固化性树脂组合物中使用倍半硅氧烷，能够制成耐热性优异的绝缘层。

上述倍半硅氧烷优选具有下述式(7)所示的结构。通过使倍半硅氧烷具有式(7)的结构，从而耐热性进一步提高，并且能够进一步抑制电极的偏移、破裂而提高电连接可靠性。

[化学式4]

上述式(1)中，R⁰各自独立地表示直链状、支链状或环状的脂肪族基团、芳香族基团或氢。上述脂肪族基团和上述芳香族基团可以具有取代基也可以不具有取代基。上述R⁰优选为苯基、碳原子数为1～20的烷基或芳基烷基，更优选为苯基。通过使R⁰为苯基、碳原子数为1～20的烷基或芳基烷基，能够发挥更高的耐热性。

上述式(1)中，R¹和R²各自独立地表示直链状、支链状或环状的脂肪族基团、芳香族基团或氢。上述脂肪族基团和上述芳香族基团可以具有取代基也可以不具有取代基。上述R¹和R²优选为苯基、碳原子数为1～20的烷基或芳基烷基，更优选为苯基或甲基。通过使R¹和R²为苯基、碳原子数为1～20的烷基或芳基烷基，能够发挥更高的耐热性。

上述式(1)中，m、n分别为1以上的整数，表示重复单元数。上述m优选为30以上，更优选为50以上，优选为100以下。上述n优选为1以上，更优选为3以上，优选为8以下，更优选为6以下。

上述倍半硅氧烷优选具有反应性部位。

通过使用具有反应性部位的倍半硅氧烷作为固化性树脂组合物的固化性树脂，从而即使在进行400℃的加热处理的情况下也能够进一步抑制固化性树脂组合物的固化膜的破裂。另外，倍半硅氧烷的耐热性优异，因此能够进一步抑制在制造层叠体、使用层叠体的电子部件时进行的高温处理所导致的固化膜的分解。作为上述反应性部位，例如可举出羟基、烷氧基等。作为具有上述反应性部位的倍半硅氧烷，例如可举出上述式(7)所示的倍半硅氧烷。需要说明的是，虽然在结构式中未示出，但上述式(7)所示的倍半硅氧烷在两末端具有来自于原料的反应性官能团。

上述倍半硅氧烷的含量在上述固化性树脂组合物中的固体成分量100重量份中优选为85重量份以上，更优选为90重量份以上，进一步优选为95重量份以上。上述倍半硅氧烷的含量在上述固化性树脂组合物中的固体成分量100重量份中优选为99重量份以下，更优选为98重量份以下。

上述倍半硅氧烷的重均分子量没有特别限定，优选为5000以上且150000以下。通过使倍半硅氧烷的分子量为上述范围，从而涂布时的成膜性提高，平坦化性能进一步提高，并且能够进一步抑制电极的偏移、破裂。上述倍半硅氧烷的分子量更优选为10000以上，进一步优选为30000以上，更优选为100000以下，进一步优选为70000以下。

需要说明的是，上述倍半硅氧烷的重均分子量通过凝胶渗透色谱(GPC)法以聚苯乙烯换算分子量的形式进行测定。可以将洗脱溶剂设为THF，作为柱而使用时间-MB-M6.0×150mm(Waters公司制)或其同等品，通过聚苯乙烯标准而算出。

具有上述式(7)的结构的倍半硅氧烷例如可以通过使下述式(8)所示的化合物(8)与下述式(9)所示的化合物(9)进行反应而得到。

[化学式5]

上述式(8)中，R⁰和R¹表示与上述式(7)中的R⁰和R¹相同的官能团。

[化学式6]

上述式(9)中，R²表示与上述式(7)中的R²相同的官能团。上述式(9)中，h表示自然数，优选为3～6，更优选为3或4。

具有上述式(7)的结构的化合物也可以通过代替上述化合物(9)而使具有R²的卤代硅氧烷(例如末端经氯化的二甲基硅氧烷等)与上述化合物(8)进行反应而得到。

上述化合物(8)例如可以通过使下述式(10)所示的化合物(10)那样的盐与下述式(11)所示的化合物(11)进行反应而得到。需要说明的是，上述化合物(8)也可以通过使用X为氢的化合物(11)，在与化合物(10)反应后进行水解而得到。

[化学式7]

上述式(10)中，R⁰表示与上述式(7)中的R⁰相同的官能团。

[化学式8]

上述式(11)中，R¹是指与上述式(7)中的R¹相同的官能团，X是指氢、氯或羟基。

上述化合物(10)例如可以通过将下述式(12)所示的化合物(12)在1价碱金属氢氧化物和水的存在下、有机溶剂的存在下或不存在下进行水解、缩聚来制造。作为1价碱金属氢氧化物，可以使用氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铯等。

[化学式9]

上述式(12)中，R⁰是指与上述式(7)中的R⁰相同的官能团。

本发明的固化性树脂组合物优选含有促进固化反应的催化剂。

通过使固化性树脂组合物具有催化剂，能够使固化性树脂组合物更完全地固化，能够进一步抑制由高温处理引起的固化膜的分解。

作为上述催化剂，例如可举出：二月桂酸二丁基锡、乙酸亚锡等有机锡化合物、环烷酸锌等金属羧酸盐、乙酰丙酮锆等氧化锆化合物、钛化合物等。其中，从进一步抑制使固化性树脂组合物固化而成的固化膜的热分解的方面出发，优选乙酰丙酮锆。

上述催化剂在固化性树脂组合物固化后也存在。即，通过使本发明的固化性树脂组合物固化而形成的固化膜优选含有促进固化反应的催化剂。

上述催化剂的含量没有特别限定，相对于上述固化性树脂组合物中的倍半硅氧烷100重量份，优选为0.01重量份以上且10重量份以下。通过将催化剂的含量设为上述范围，能够进一步促进固化性树脂组合物的固化。上述催化剂的含量更优选为0.1重量份以上，进一步优选为0.2重量份以上，更优选为7重量份以下，进一步优选为5重量份以下。

上述固化性树脂组合物优选含有能够与具有上述反应性部位的倍半硅氧烷的反应性部位进行反应的多官能交联剂。

能够与倍半硅氧烷的反应性部位进行反应的多官能交联剂对具有上述反应性部位的倍半硅氧烷的聚合物间进行交联，由此固化物的交联密度上升，高温中的分解被进一步抑制。其结果是，能够进一步抑制因高温处理中的分解气体的产生而导致的空隙的产生、由此导致的连接时的电极的偏移或电连接可靠性的降低。作为上述多官能交联剂，例如在上述反应性部位为硅烷醇基的情况下，可举出：二甲氧基硅烷化合物、三甲氧基硅烷化合物、二乙氧基硅烷化合物、三乙氧基硅烷化合物等烷氧基硅烷化合物等、或通过四甲氧基硅烷化合物和四乙氧基硅烷化合物的缩合而得到的硅酸酯低聚物等。其中，从提高交联密度和提高耐热性的观点出发，优选硅酸酯低聚物。作为烷氧基硅烷化合物的例子，有二甲氧基二甲基硅烷、三甲氧基甲基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、四丁氧基硅烷等，作为硅酸酯低聚物的例子，可举出硅酸酯MS51、MS56、MS57、MS56S(均为Mitsubishi Chemical公司制)、硅酸乙酯40、硅酸乙酯48、EMS485(均为COLCOAT公司制)等。

上述多官能交联剂的含量没有特别限定，相对于上述固化性树脂组合物中的固化性树脂100重量份，优选为1重量份以上且50重量份以下。通过将多官能交联剂的含量设为上述范围，能够将固化膜的交联密度设为优选的范围，且将热处理时的固化膜的硬度设为上述范围。上述多官能交联剂的含量更优选为3重量份以上，进一步优选为3.2重量份以上，更优选为30重量份以下，进一步优选为20重量份以下。

上述固化性树脂组合物可以根据需要含有粘度调节剂、填充剂、密合赋予剂、溶剂等其他添加剂。

本发明的固化性树脂组合物的用途没有特别限定，即使在制成具有厚度的固化膜的情况下，在氮气氛下也不易引起由高温导致的膜破裂，因此，能够适合用作将具有电极的2个元件的电极间电连接而制造层叠体时的绝缘层。

使用这样的本发明的固化性树脂组合物形成的固化膜也是本发明之一。

另外，如下的层叠体也是本发明之一，该层叠体是在具有电极的第1元件与具有电极的第2元件之间具有本发明的固化膜的层叠体，上述第1元件的电极与上述第2元件的电极借助贯通上述固化膜的贯通孔而电连接(以下，也简称为层叠体或层叠体A)。以下，对本发明的层叠体进行说明。

本发明的层叠体在具有电极的第1元件与具有电极的第2元件之间具有本发明的固化膜，上述第1元件的电极与上述第2元件的电极借助贯通上述固化膜的贯通孔而电连接。

设置于第1元件的电极(以下，也称为第1电极)与第2元件的电极(以下，也称为第2电极)之间的固化膜作为绝缘层发挥作用，由此能够抑制电流的短路。以往的绝缘层使用Si₃N₄、SiO₂这样的硬的无机材料，因此在形成绝缘层时、形成层叠体时产生翘曲的情况下，无法通过应力缓和来消除翘曲，其结果是，容易引起元件的翘曲和由此导致的电极的偏移、破裂。在本发明中，通过使用柔软性比无机材料高的固化膜作为绝缘层，能够发挥高电连接可靠性。特别是，本发明的固化膜即使在制成厚膜的情况下也不易发生膜破裂，因此能够制成具有更高的电连接可靠性的层叠体。另外，以往的绝缘层通过蒸镀而形成，因此形成需要花费时间，但本发明的层叠体的固化膜例如可以通过固化性树脂组合物的涂布、固化而形成，因此能够提高生产效率。

需要说明的是，在此，电连接是指利用填充于上述贯通孔的导电性材料等将第1电极和第2电极连接的状态。

上述第1元件和第2元件没有特别限定，可以使用形成有元件、布线和电极的电路元件。例如，可以使用：设置有像素部(像素区域)的传感器电路元件、搭载有执行与固体拍摄装置的动作有关的各种信号处理的逻辑电路等外围电路部的电路元件等。

上述第1元件和第2元件所具有的电极的材料和上述导电性材料没有特别限定，可以使用金、铜、铝等以往公知的电极材料。

上述固化膜的厚度没有特别限定，优选为10μm以上且300μm以下。

通过使固化膜的厚度为上述范围，能够进一步发挥作为绝缘层的功能，并且能够进一步抑制电极的偏移、破裂。上述固化膜的厚度更优选为20μm以上，进一步优选为30μm以上，更优选为200μm以下，进一步优选为100μm以下。

本发明的层叠体优选在上述第1元件与上述第2元件之间具有无机层。

通过在第1元件与第2元件之间设置无机层，能够制成绝缘性提高且连接可靠性更优异的层叠体。需要说明的是，以往的层叠体由于使用了由具有10～20μm左右的厚度的无机材料形成的绝缘层，所以无法消除元件和层叠体的翘曲，成为连接可靠性降低的原因，但在本发明的层叠体中，由于绝缘层为上述固化膜，所以如果使上述无机层的厚度变薄，则能够发挥无机层的效果，并且也能够消除元件和层叠体所产生的翘曲。

上述无机层的材料没有特别限定，例如可举出Si₃N₄、SiO₂、Al₂O₃等。其中，从绝缘性和耐热性优异的方面出发，优选Si₃N₄、SiO₂。

从进一步提高层叠体的连接可靠性的观点出发，上述无机层的厚度优选为1nm以上，更优选为5nm以上，进一步优选为10nm以上，优选为1μm以下，更优选为500nm以下，进一步优选为100nm以下。

本发明的层叠体优选在上述贯通孔的表面具有阻挡金属层。

阻挡金属层具有防止填充于贯通孔的导电性材料(例如在Cu电极的情况下为Cu原子)向固化膜中扩散的作用。通过在贯通孔的表面设置阻挡金属层，从而填埋贯通孔的导电性材料除了与电极接触的面以外被阻挡金属层覆盖，因此能够进一步抑制由导电性材料向固化膜的扩散而导致的短路、导通不良。上述阻挡金属层的材料可以使用钽、氮化钽、氮化钛、氧化硅、氮化硅等公知的材料。

上述阻挡金属层的厚度没有特别限定，从进一步提高层叠体的连接可靠性的观点出发，更优选为1nm以上，进一步优选为10nm以上，更优选为100nm以下，进一步优选为50nm以下。

在此，将示意性地表示本发明的层叠体的一个方式的图示于图1。如图1所示，本发明的层叠体成为如下结构：具有电极3的第1元件1与第2元件2借助固化膜4而粘接，第1元件1和第2元件2上的电极3通过填充至设置于固化膜4的贯通孔5的导电性材料而电连接。以往的层叠体中，相当于绝缘层的固化膜4的部分为硬的无机材料，因此，在元件、层叠体发生翘曲的情况下，无法通过应力缓和来消除翘曲，容易发生电极的偏移、破裂。本发明通过在绝缘层使用具有柔软性的有机化合物，能够消除元件、层叠体的翘曲，因此能够抑制电极的偏移、破裂。

在图2中示出示意性地表示本发明的层叠体的一个方式的图。在图2的方式中，在固化膜4之间设置有无机层6，绝缘性进一步提高。需要说明的是，本发明的无机层6的厚度可以比以往的层叠体的绝缘层格外薄，因此不会成为消除元件、层叠体的翘曲时的阻碍。另外，在图2中，无机层6设置于固化膜4之间，但也可以设置于第1元件1和第2元件2上。另外，在图2中，无机层6分别设置于第1元件1侧和第2元件2侧的固化膜4上，但也可以仅设置于任一者。此外，在图2的方式中，在贯通孔5的表面设置有阻挡金属层7。通过在贯通孔5的表面形成阻挡金属层7，从而填充于贯通孔5内的导电性材料不易扩散至固化膜4，因此能够进一步抑制短路、导通不良。

作为制造本发明的层叠体的方法，例如可举出具有如下工序的层叠体的制造方法：在具有电极的第1元件和具有电极的第2元件的形成有电极的面上使本发明的固化性树脂组合物成膜，在溶剂干燥后使其固化而形成固化膜的工序；在各上述固化膜形成贯通孔的工序；用导电性材料填充各上述贯通孔的工序；对上述第1元件和第2元件的填充了导电性材料的那侧的表面进行研磨而形成接合电极的工序；以及将形成有上述接合电极的上述第1元件和形成有上述接合电极的第2元件以上述接合电极彼此接合的方式贴合的工序。这样的层叠体的制造方法也是本发明之一。

本发明的层叠体的制造方法首先进行如下工序：在具有电极的第1元件的形成有电极的面上将本发明的固化性树脂组合物成膜，在溶剂干燥后使其固化而形成固化膜。

上述具有电极的第1和第2元件以及固化性树脂组合物可以使用与本发明的层叠体的具有电极的第1和第2元件、以及本发明的固化性树脂组合物相同的物质。本发明的固化膜即使在制成厚膜的情况下也不易发生膜破裂，因此能够提高电连接可靠性。

上述成膜的方法没有特别限定，可以使用旋涂法等以往公知的方法。

溶剂干燥条件没有特别限定，从减少残留溶剂提高固化膜的耐热性的观点出发，优选的是，在优选70℃以上、更优选100℃以上、优选250℃以下、更优选200℃以下的温度加热例如10分钟、优选15分钟、更优选30分钟、进一步优选1小时左右。

固化条件没有特别限定，从使固化反应充分进行、进一步提高耐热性的观点出发，优选的是，在优选200℃以上、更优选220℃以上、优选400℃以下、更优选300℃以下的温度加热例如30分钟以上、优选1小时、更优选2小时以上左右。加热时间的上限没有特别限定，从抑制固化膜的热分解的观点出发，优选为3小时以下。

本发明的层叠体的制造方法接下来进行在上述固化膜形成贯通孔的工序。

上述贯通孔可以被图案化。形成上述贯通孔的方法没有特别限定，可以通过CO₂激光等的激光照射、蚀刻等形成。需要说明的是，在元件的电极面上形成有其他层的情况下，上述贯通孔以也贯通上述其他层而使元件的电极面露出的方式形成。

本发明的层叠体的制造方法接下来根据需要进行形成无机层和/或阻挡金属层的工序。

上述无机层和阻挡金属层可以使用与本发明的层叠体相同的无机层和阻挡金属层。上述无机层和阻挡金属层可以通过溅射、蒸镀等形成。

形成上述无机层的工序优选在形成上述固化膜的工序之前和/或之后进行。上述阻挡金属层的形成优选在形成上述贯通孔的工序之后进行。

本发明的层叠体的制造方法接下来进行用导电性材料填充上述贯通孔的工序。作为填充上述导电性材料的方法，可以使用镀敷等。

上述导电性材料可以使用与本发明的层叠体的导电性材料相同的导电性材料。

本发明的层叠体的制造方法接下来进行对上述第1元件的填充了导电性材料的那侧的表面进行研磨而形成接合电极的工序。

通过磨削将在不需要的部分形成的上述导电性材料除去，由此形成可将形成于2枚元件的电极彼此连接的接合电极。上述研磨优选将利用导电性材料形成的层平坦化除去，直至固化膜露出为止，或者在存在上述无机层的情况下无机层露出为止。

上述研磨方法没有特别限定，例如可以使用化学机械研磨法等。

这样的具有接合电极的元件的制造方法也是本发明之一，该制造方法包括：在具有电极的元件的形成有电极的面上使本发明的固化性树脂组合物成膜，在溶剂干燥后使其固化而形成固化膜的工序；在上述固化膜形成贯通孔的工序；用导电性材料填充上述贯通孔的工序；以及对上述元件的表面进行研磨而形成接合电极的工序。

具有上述接合电极的元件是：用于通过以元件间的接合电极彼此接合的方式进行贴合从而形成层叠体的构件。关于上述元件、固化膜、固化性树脂组合物、其他构成和各工序，与关于本发明的固化性树脂组合物、层叠体和层叠体的制造方法的说明相同。

本发明的层叠体的制造方法接下来进行将形成有上述接合电极的上述第1元件和形成有上述接合电极的第2元件以上述接合电极彼此接合的方式进行贴合的工序。

作为贴合第1元件和第2元件的方法，可举出通过热处理使电极和连接电极熔融而进行连接的方法等。上述热处理通常为400℃4小时左右。

本发明的层叠体的用途没有特别限定，由于具有高电连接可靠性，特别是即使在使薄的元件彼此接合的情况下也能够抑制元件、层叠体的翘曲、破裂，因此能够适合用于构成半导体装置、拍摄装置的层叠体。

具有这样的本发明的层叠体的半导体装置和具有本发明的层叠体的拍摄装置也是本发明之一。

作为使用了本发明的固化膜的层叠体，除了上述层叠体A以外，还可举出：在元件上层叠有电连接的多个芯片、且元件的层叠有芯片的面与支撑基板借助本发明的固化膜而粘接的结构的层叠体。在这样的结构的层叠体中，支撑基板与元件和各芯片未电连接，因此，本发明的固化膜没有直接保护电连接的路径。但是，本发明的固化膜即使在成为厚膜的情况下也不易在高温时发生膜破裂，因此能够抑制由膜破裂引起的元件和芯片的翘曲、破裂，因此能够提高元件与各芯片之间的电连接可靠性。

如下的层叠体也是本发明之一(以下，称为层叠体B)，该层叠体是在支撑基板与第3元件之间具有本发明的固化膜的层叠体，上述第3元件具有第1面和第2面，上述第1面层叠有与上述第3元件电连接的多个芯片，在上述第1面与上述支撑基板之间具有上述固化膜。

本发明的层叠体B具有支撑基板。作为上述支撑基板，例如可举出玻璃、单晶硅等。

本发明的层叠体B具备具有第1面和第2面的第3元件，上述第1面层叠有与上述第3元件电连接的多个芯片。

上述第3元件可以使用与上述第1元件和第2元件相同的元件。作为上述芯片，例如可举出存储电路元件、逻辑电路元件等。这些多个芯片可以是单一种类，也可以是不同种类的组合。

另外，上述“电连接”是指与上述层叠体A的电连接相同的含义。

本发明的层叠体B优选在上述支撑基板与上述固化膜之间具有无机层。

通过在支撑基板与固化膜之间进一步设置无机层，能够进一步提高绝缘性。关于上述无机层，可以使用与上述层叠体A的无机层相同的无机层。

本发明的层叠体B优选在上述第3元件的上述第2面上进一步具有第4元件，且上述第3元件与上述第4元件电连接。

上述第4元件可以使用与上述第1～3元件相同的元件。

在此，将示意性地表示本发明的层叠体B的一个方式的图示于图3。如图3所示，本发明的层叠体B成为如下结构：在第3元件8的第1面上层叠有与第3元件8电连接的多个芯片9，在作为第1面的相反面的第2面上层叠有与第3元件8电连接的第4元件10，此外，第3元件8的第1面与支撑基板11借助固化膜4而层叠。以往的层叠体由于相当于绝缘层的固化膜4的部分为硬的无机材料，所以在元件、层叠体产生翘曲的情况下，无法通过应力缓和来消除翘曲，有时会发生元件、芯片的破裂。在本发明的层叠体B中，通过在固化膜中使用本发明的固化性树脂组合物的固化膜，而能够通过应力缓和来消除元件、芯片的翘曲，因此能够对元件赋予高的电连接可靠性。另外，本发明的固化膜即使在制成厚膜的情况下也不易发生由高温导致的膜破裂，因此能够进一步抑制元件、芯片的翘曲和破裂。

在图4中示出示意性地表示本发明的层叠体的一个方式的图。在图4的方式中，除了图3的方式以外，在固化膜4与支撑基板之间设置有无机层6，绝缘性进一步提高。需要说明的是，本发明的无机层6的厚度可以比以往的层叠体的绝缘层格外薄，因此不会成为消除元件、层叠体的翘曲时的阻碍。

作为制造本发明的层叠体B的方法，例如可举出具有如下工序的层叠体的制造方法：在上述第3元件的第1面上使本发明的固化性树脂组合物成膜，在溶剂干燥后使其固化而形成固化膜的工序；以及将形成有上述固化膜的上述第3元件的第1面与上述支撑基板贴合的工序。

上述层叠体B的制造方法进行如下工序：首先在上述第3元件的第1面上使本发明的固化性树脂组合物成膜，在溶剂干燥后使其固化而形成固化膜。

本发明的固化性树脂组合物即使在制成厚膜的固化膜的情况下也不易发生由高温导致的膜破裂，因此能够抑制元件、芯片的翘曲、破裂，能够对元件间赋予高的电连接可靠性。上述成膜的方法和条件与上述层叠体A的制造方法相同。

上述层叠体B的制造方法接下来根据需要进行形成无机层的工序。

上述无机层的形成方法与上述层叠体A的制造方法相同。

上述层叠体B的制造方法接下来进行将形成有上述固化膜的上述第3元件的第1面与上述支撑基板贴合的工序。

作为将上述第3元件与上述支撑基板贴合的方法，可举出通过热处理使表面化学键合而粘接的方法等。上述热处理通常为400℃4小时左右。

本发明的层叠体B的用途没有特别限定，由于具有高电连接可靠性，特别是即使在使薄的元件彼此接合的情况下也能够抑制元件、层叠体的翘曲、破裂，因此，能够适合用于构成半导体装置、拍摄装置的层叠体。

具有这样的本发明的层叠体B的半导体装置和拍摄装置也是本发明之一。

发明效果

根据本发明，能够提供：即使在制成具有厚度的膜的情况下，在氮气氛下的高温时也不易发生膜破裂的固化性树脂组合物；使用了该固化性树脂组合物的固化膜；具有该固化膜的层叠体；具有该层叠体的拍摄装置和半导体装置；该层叠体的制造方法；以及该层叠体的制造中使用的具有接合电极的元件的制造方法。

附图说明

图1是示意性地表示本发明的层叠体的一个方式的图。

图2是示意性地表示本发明的层叠体的一个方式的图。

图3是示意性地表示本发明的层叠体的一个方式的图。

图4是示意性地表示本发明的层叠体的一个方式的图。

具体实施方式

以下，举出实施例更详细地说明本发明的方式，但本发明并不仅限定于这些实施例。

(1)主聚合物A的制造

向安装有回流冷凝器、温度计和滴液漏斗的反应容器中加入苯基三甲氧基硅烷(东京化成工业公司制，重均分子量：198.29)320g、氢氧化钠8.8g、水6.6g和2-丙醇263mL。在氮气流下，一边搅拌一边开始加热。从回流开始起继续搅拌6小时后，在室温下静置1晩。然后，将反应混合物转移至过滤器，用氮气进行加压并过滤。将所得到的固体用2-丙醇清洗1次，过滤后在80℃进行减压干燥，由此得到了无色固体(DD-ONa)330g。

接下来，在安装有回流冷凝器、温度计和滴液漏斗的反应容器中加入环戊基甲醚20g、2-丙醇2.4g、离子交换水14g、三氯甲基硅烷(东京化成工业公司制，重均分子量：115.03)7.25g，在氮气氛下，在室温下进行搅拌。接下来，在滴液漏斗中加入上述得到的化合物(DD-ONa)8g、环戊基甲醚20g，制成浆料状，用30分钟滴加至反应器，滴加结束后继续搅拌30分钟。反应后停止搅拌，进行静置，分成有机层和水层。所得到的有机层通过水洗而成为中性后，用膜滤器除去渣滓，使用旋转蒸发仪在60℃减压浓缩，得到了9.5g的无色固体。将该无色固体用乙酸甲酯10g清洗，进行减压干燥，得到了无色粉末状的固体(DD(Me)-OH)6.2g。

在氮气氛下，将倍半硅氧烷衍生物(DD(Me)-OH)(150g)、八甲基环四硅氧烷(D4)(54.4g)、硫酸(15.2g)、甲苯(176g)、4-甲基四氢吡喃(43.9g)加入到反应器中，加热至100℃，搅拌5小时。向反应混合物中注入水，用甲苯萃取水层。将合并的有机层用水、碳酸氢钠水溶液、饱和食盐水清洗后，用无水硫酸钠干燥。将该溶液在减压下浓缩，将残渣通过再沉淀(2-丙醇：乙酸乙酯＝50：7，重量比)进行纯化，得到了化合物(式(13))(152g)。通过¹H-NMR和GPC分析确认得到的白色固体是硅氧烷基相对于倍半硅氧烷基的比例(α)为4.1、重均分子量为36000的硅化合物。

[化学式10]

(2)主聚合物B

(SR-13的详细情况)

使用由无规结构构成的倍半硅氧烷SR-13(小西化学公司制)。

(3)聚酰亚胺C-BSI的制造

(制造方法、结构)

在100mL烧瓶上安装冷凝管、机械搅拌器、Dean-Stark管、油浴、温度计保护管。将4,4’-(六氟异亚丙基)二邻苯二甲酸酐(6FDA)(DAIKIN工业公司制)11.1g、双氨基丙基四甲基二硅氧烷(PAM-E，Shin-Etsu Silicone公司制)7.8g、苯甲醚92.1g投入到烧瓶中，进行搅拌。在100℃将烧瓶加热1小时后，在170℃的油浴中回流1小时。将溶液冷却至室温，加入琥珀酸酐(东京化成公司制)1.22g和甲磺酸(东京化成公司制)0.32g，在120℃搅拌10分钟后，在170℃的油浴中回流1小时，得到了在下述式(14)的结构的两末端具有上述式(1)的结构的聚酰亚胺C-BSI(重均分子量：9900)。

[化学式11]

在此，k为重复单元数。

(4)聚酰亚胺C-CF₃BMI的制造

在100mL烧瓶上安装冷凝管、机械搅拌器、Dean-Stark管、油浴、温度计保护管。将4,4’-(六氟异亚丙基)二邻苯二甲酸酐(DAIKIN工业公司制)11.1g、双氨基丙基四甲基二硅氧烷(PAM-E，Shin-Etsu Silicone公司制)7.8g、苯甲醚92.1g投入到烧瓶中，进行搅拌。在100℃将烧瓶加热1小时后，在170℃的油浴中回流1小时。将溶液冷却至室温，加入三氟甲基马来酸酐(Apollo Scientific公司制)2.0g和0.1w％对苯二酚乙醇溶液(东京化成公司制)0.2g，在120℃搅拌10分钟后，在170℃的油浴中回流1小时，得到了在上述式(14)的两末端具有上述式(2)的结构的聚酰亚胺C-CF₃BMI(重均分子量：10000)。

(5)聚酰亚胺C-BO的制造

在100mL烧瓶上安装冷凝管、机械搅拌器、Dean-Stark管、油浴、温度计保护管。将4,4’-(六氟异亚丙基)二邻苯二甲酸酐(DAIKIN工业公司制)11.1g、双氨基丙基四甲基二硅氧烷(PAM-E，Shin-Etsu Silicone公司制)7.8g、苯甲醚92.1g投入到烧瓶中，进行搅拌。在100℃将烧瓶加热1小时后，在170℃的油浴中回流1小时。将溶液冷却至室温，加入苯酚(东京化成公司制)1.0g和多聚甲醛(东京化成公司制)0.6g，在110℃搅拌3小时后，一边搅拌一边放冷至室温，得到了在上述式(14)的两末端具有上述式(3)的结构的聚酰亚胺C-BO(重均分子量：5600)。另外，将PAM-E与6FDA的摩尔比从1：0.83变更为1：0.50，由此得到了重均分子量为2200的聚酰亚胺C-BO。

(6)聚酰亚胺C-BMI的制造

不添加对苯二酚溶液，使用马来酸酐(东京化成公司制)1.2g来代替三氟甲基马来酸酐，除此以外，与聚酰亚胺C-CF₃BMI的制造同样地操作，得到了在上述式(14)的两末端具有上述式(4)的结构的聚酰亚胺C-BMI(重均分子量：12700)。

(7)聚酰亚胺C-BCI的制造

使用柠康酸酐(东京化成公司制)1.3g来代替马来酸酐，除此以外，与聚酰亚胺C-BMI的制造同样地操作，得到了在上述式(14)的两末端具有上述式(5)的结构的聚酰亚胺C-BCI(重均分子量：9600)。另外，将PAM-E与6FDA的摩尔比从1：0.83变更为1：0.95和1：0.97，由此得到了重均分子量为25000、56000的聚酰亚胺C-BCI。

(8)聚酰亚胺C-PEPA的制造

使用4-苯基乙炔基邻苯二甲酸酐(东京化成公司制)3.0g来代替马来酸酐，除此以外，与聚酰亚胺C-BMI的制造同样地操作，得到了在上述式(14)的两末端具有上述式(6)的结构的聚酰亚胺C-PEPA(重均分子量：9900)。

(9)聚酰亚胺D的制造

使用300mL茄形烧瓶来代替100mL茄形烧瓶，使用DDSQ-01(日本材料技研公司制)37.0g来代替4,4’-(六氟异亚丙基)二邻苯二甲酸酐，使用235.0g的苯甲醚来代替92.1g的苯甲醚，除此以外，与聚酰亚胺C-BCI的制造同样地操作，得到了在下述式(15)的结构的两末端具有上述式(5)的结构的聚酰亚胺D(重均分子量：10000)。

[化学式12]

在此，k为重复单元数。

(10)聚酰亚胺E的制造

使用4,4’-(4,4’-异亚丙基二苯氧基)二邻苯二甲酸酐(BPADA，东京化成公司制)13.0g来代替4,4’-(六氟异亚丙基)二邻苯二甲酸酐，使用117.7g的苯甲醚，除此以外，与聚酰亚胺C-BCI的制造同样地操作，得到了在下述式(16)的结构的两末端具有上述式(5)的结构的聚酰亚胺E(重均分子量：9900)。

[化学式13]

在此，k为重复单元数。

(11)聚酰亚胺F的制造

在100mL烧瓶上安装冷凝管、机械搅拌器、Dean-Stark管、油浴、温度计保护管。将4,4’-(4,4’-异亚丙基二苯氧基)二邻苯二甲酸酐(BPADA，东京化成公司制)9.9g、2,2’-双(三氟甲基)联苯胺(TFDB，东京化成公司制)6.4g、苯甲醚79.6g投入到烧瓶中，进行搅拌。在100℃将烧瓶加热1小时后，在170℃的油浴中回流1小时，得到了在下述式(17)的结构的两末端具有NH₂的聚酰亚胺F(重均分子量：55000)。

[化学式14]

在此，k为重复单元数。

(12)聚酰亚胺G的制造

使用双(1,3-二氧代-1,3-二氢异苯并呋喃-5-羧酸)1,4-亚苯酯(TAHQ，东京化成公司制)11.5g来代替4,4’-(六氟异亚丙基)二邻苯二甲酸酐，除此以外，与聚酰亚胺C-BCI的制造同样地操作，得到了在下述式(18)的结构的两末端具有上述式(5)的结构的聚酰亚胺G(重均分子量：10000)。

[化学式15]

在此，k为重复单元数。

(实施例1)

将100重量份的主聚合物A、交联剂(Silicate MS-51,MITSUBISHI CHEMICAL公司制)3.2重量份、催化剂(ZC-162，Matsumoto Fine Chemical公司制)0.2重量份、聚酰亚胺C-BSI 1重量份、作为溶剂的苯甲酸乙酯67.5重量份混合，由此得到了固化性树脂组合物。

(实施例2～9、11～15、比较例1～4)

除了将组成设为如表1、2所示以外，与实施例1同样地操作，得到了固化性树脂组合物。

(实施例10)

将溶剂从苯甲酸乙酯设为苯甲醚与MEK的1：1混合溶剂，将组成设为如表1所示，除此以外，与实施例1同样地操作，得到了固化性树脂组合物。

(比较例5)

使用EBECRYL3605(DAICEL-ALLNEX公司制)作为主聚合物，相对于EBECRYL3605100重量份，配合1重量份的PERBUTYL H(日油公司制)和1重量份的重均分子量为9600的C-BCI，由此得到了固化性树脂组合物。

＜评价＞

对于实施例和比较例中得到的固化性树脂组合物，进行以下的评价。将结果示于表1、2。

(膜破裂的评价)

向8英寸的硅晶片(表面粗糙度＜0.1μm)中央喷出15g的固化性树脂组合物，使用旋涂机(ACT-400II；ACTIVE公司制)，以转速500rpm进行12秒钟旋涂，在125℃的烘箱中进行10分钟溶剂干燥，由此得到了70μm的树脂膜。将该树脂膜在300℃进行1小时加热处理，得到了固化膜。对于所得到的固化膜，使用真空工艺高速加热炉(VPO-650，UNITEMP公司制)，在氮气氛下以400℃进行3小时热处理，按照下述基准评价成膜性。

○：在加热处理后无膜破裂

×：在加热处理后发生了膜破裂

××：在溶剂干燥时发生了膜破裂

(表面粗糙的评价)

对于通过与上述膜破裂的评价相同的方法得到的固化膜，通过使用了激光显微镜(OLS4100，奥林巴斯公司制)的合并拍摄(日文：貼り合わせ撮影)获得固化膜表面的任意的3000μm×600μm范围的高度分布图像，测定最高点与最低点的高度的差异，由此评价表面粗糙的程度。需要说明的是，表中()内的数值表示高度差异的值(μm)。需要说明的是，对于比较例2、3，由于在溶剂干燥时发生了膜破裂，因此未进行评价。

○：高度差异为1μm以下

×：高度差异超过1μm

(大气烘箱中400℃时的膜破裂的评价)

向8英寸的硅晶片(表面粗糙度＜0.1μm)中央喷出15g的固化性树脂组合物，使用旋涂机(ACT-400II；ACTIVE公司制)，以转速500rpm进行12秒钟旋涂，在125℃的烘箱中进行10分钟溶剂干燥，由此得到了70μm的树脂膜。将该树脂膜在300℃加热处理1小时，得到了固化膜。对于所得到的固化膜，使用马弗炉(FP413，Yamato Scientific公司制)在大气下以400℃进行3小时热处理，按照下述基准评价大气烘箱400℃时的成膜性。需要说明的是，对于比较例1～5，由于膜破裂评价为×或××，所以未进行评价。

○：在加热处理后无膜破裂

×：在加热处理后发生了膜破裂[表1]

[表2]

产业上的可利用性

根据本发明，能够提供：即使在制成具有厚度的膜的情况下在高温时也不易发生膜破裂的固化性树脂组合物；使用了该固化性树脂组合物的固化膜；具有该固化膜的层叠体；具有该层叠体的拍摄装置和半导体装置；该层叠体的制造方法；以及该层叠体的制造中使用的具有接合电极的元件的制造方法。

附图标记说明

1：第1元件

2：第2元件

3：电极

4：固化膜

5：贯通孔

6：无机层

7：阻挡金属层

8：第3元件

9：芯片

10：第4元件

11：支撑基板

Claims

1.一种固化性树脂组合物，其包含聚酰亚胺和倍半硅氧烷，相对于所述倍半硅氧烷100重量份，所述聚酰亚胺的含量为0.5重量份以上且50重量份以下。

2.根据权利要求1所述的固化性树脂组合物，其中，所述聚酰亚胺具有硅氧烷键。

3.根据权利要求2所述的固化性树脂组合物，其中，所述聚酰亚胺的主链结构中的碳原子与硅原子之比C/Si为17以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的固化性树脂组合物，其中，所述聚酰亚胺的重均分子量为1000以上且20000以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的固化性树脂组合物，其中，在所述聚酰亚胺的至少一个末端具有噁嗪环或酰亚胺环结构。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的固化性树脂组合物，其中，所述聚酰亚胺的至少一个末端具有下述式(1)～(6)中的任一结构：

7.根据权利要求1～6中任一项所述的固化性树脂组合物，其中，所述倍半硅氧烷具有下述式(7)所示的结构：

在此，R⁰、R¹和R²各自独立地表示直链状、支链状或环状的脂肪族基团、芳香族基团或氢；所述脂肪族基团和所述芳香族基团具有或不具有取代基；m、n分别表示1以上的整数。

8.一种固化膜，其是使用权利要求1～7中任一项所述的固化性树脂组合物而形成的。

9.一种层叠体，其是在具有电极的第1元件与具有电极的第2元件之间具有权利要求8所述的固化膜的层叠体，

所述第1元件的电极与所述第2元件的电极借助贯通所述固化膜的贯通孔而电连接。

10.根据权利要求9所述的层叠体，其在所述第1元件与所述第2元件之间具有无机层。

11.根据权利要求9或10所述的层叠体，其在所述贯通孔的表面具有阻挡金属层。

12.一种拍摄装置，其具有权利要求9～11中任一项所述的层叠体。

13.一种半导体装置，其具有权利要求9～11中任一项所述的层叠体。

14.一种层叠体的制造方法，其包括：

在具有电极的第1元件和具有电极的第2元件的形成有电极的面上使权利要求1～7中任一项所述的固化性树脂组合物成膜，在溶剂干燥后使其固化而形成固化膜的工序；

在各所述固化膜形成贯通孔的工序；

用导电性材料填充各所述贯通孔的工序；

对所述第1元件和第2元件的填充了导电性材料的那侧的表面进行研磨而形成接合电极的工序；以及

将形成有所述接合电极的所述第1元件和形成有所述接合电极的第2元件以所述接合电极彼此接合的方式贴合的工序。

15.一种具有接合电极的元件的制造方法，其包括：

在具有电极的元件的形成有电极的面上将权利要求1～7中任一项所述的固化性树脂组合物成膜，在溶剂干燥后使其固化而形成固化膜的工序；

在所述固化膜形成贯通孔的工序；

用导电性材料填充所述贯通孔的工序；以及

对所述元件的表面进行研磨而形成接合电极的工序。

16.一种层叠体，其是在支撑基板与第3元件之间具有权利要求8或9所述的固化膜的层叠体，

所述第3元件具有第1面和第2面，所述第1面层叠有与所述第3元件电连接的多个芯片，

在所述第1面与所述支撑基板之间具有所述固化膜。

17.根据权利要求16所述的层叠体，其在所述支撑基板与所述固化膜之间具有无机层。

18.根据权利要求16或17所述的层叠体，其在所述第3元件的第2面上进一步具有第4元件，所述第3元件与所述第4元件电连接。

19.一种拍摄装置，其具有权利要求16～18中任一项所述的层叠体。

20.一种半导体装置，其具有权利要求16～18中任一项所述的层叠体。