CN118056038A - 多晶碳化硅基板的制造方法 - Google Patents

多晶碳化硅基板的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明的课题是提供在不改变多晶碳化硅基板的品质的情况下实现降低制造成本的多晶碳化硅基板(33)的制造方法。本发明的解决手段是，其特征在于，具有：碳层形成工序，该工序在第一基底基材(11)的表面形成碳层(21)来制造第二基底基材(12)；多晶碳化硅成膜工序，该工序通过化学气相生长法将多晶碳化硅膜(31)在第二基底基材的表面成膜；碳层露出工序，该工序去除在第二基底基材的表面成膜的多晶碳化硅膜的外周端部而使碳层露出；以及多晶碳化硅分离工序，该工序在氧环境下使露出的碳层燃烧，将多晶碳化硅膜从去除碳层后的第二基底基材分离，在不会使第一基底基材消失的情况下实现其再利用，因此具有能够降低多晶碳化硅基板的制造成本的效果。

Description

多晶碳化硅基板的制造方法
技术领域
本发明涉及贴合有单晶碳化硅的例如碳化硅半导体等所使用的多晶碳化硅基板的制造方法，特别地，涉及在不改变多晶碳化硅基板的品质的情况下实现降低制造成本的多晶碳化硅基板的制造方法。
背景技术
碳化硅(SiC)在具有2.2～3.3eV的宽禁带宽度的宽带隙半导体中由于其优异的物理化学的特性作为耐环境性半导体材料正在进行研究开发。特别是，近年来，碳化硅作为高耐压高输出电子设备、高频电子设备、面向蓝色到紫外的短波长光器件的材料受到关注，现在正积极地进行研究开发。但是，碳化硅难以制造优质的大口径单晶，到目前为止阻碍了碳化硅器件的应用化。
为了解决该问题，开发了使用单晶碳化硅基板作为晶种进行升华再结晶的改良型雷利法。根据改良型雷利法，能够在控制单晶SiC的结晶多型(4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC等)、形状、载体型以及浓度的同时使单晶碳化硅生长。并且，通过改良型雷利法的最优化，结晶缺陷密度显著减少，实现了在碳化硅基板(供于碳化硅器件的基板)上形成肖特基二极管(SBD)或场效应晶体管(MOSFET)等电子设备。
但是，使用单晶碳化硅基板作为晶种的改良型雷利法，单晶碳化硅的结晶生长速度低以及将单晶碳化硅晶锭经过以主要由切割和研磨构成的工序加工成晶片状时的加工费用增加导致碳化硅基板的制造成本高。并且，制造成本的高度也是妨碍碳化硅器件的应用化的主要原因，强烈希望开发能够廉价地提供半导体器件用途、特别是高耐压高输出电子元件用途的碳化硅基板的技术。
在这样的技术背景下，采取了各种降低碳化硅基板的制造成本的方法。例如，在专利文献1中公开了将单晶碳化硅基板和多晶碳化硅基板贴合而成的碳化硅基板的制造方法。即，公开了通过至少将微管的密度为30个/cm2以下的单晶碳化硅基板与多晶碳化硅基板贴合，并且将贴合的上述单晶碳化硅基板薄膜化从而提供给碳化硅器件的碳化硅基板的制造方法。另外，对于碳化硅半导体器件的活性层，单晶碳化硅基板发挥作用，下部的机械支撑部、散热部分是多晶碳化硅基板承担作用的结构，能够将整个碳化硅基板与由单晶碳化硅构成的基板同等处理。
然而，在通过专利文献1的方法将单晶碳化硅基板与多晶碳化硅基板贴合来制造碳化硅基板的情况下，由于在单晶碳化硅基板与多晶碳化硅基板的接合界面形成的氧化膜的影响，在纵型功率半导体器件用途中存在基板垂直方向的电阻增大的问题，另外，还存在界面结构相对于碳化硅的器件制作工艺中的加热处理温度(＞1200℃)不稳定等问题。
因此，在专利文献2所公开的碳化硅基板的制造方法中，通过采用不伴随单晶碳化硅基板与多晶碳化硅基板的接合界面处的氧化膜的形成的接合方法来解决上述问题。即，在专利文献2中所公开的碳化硅基板的制造方法是对单晶碳化硅基板的结晶结构造成损伤而形成第一非晶质层，对多晶碳化硅基板的结晶结构也造成损伤而形成第二非晶质层，并且在使第一非晶质层与第二非晶质层接触的同时第一非晶质层与第二非晶质层接触的状态下进行热处理，从而实现了在单晶碳化硅基板与多晶碳化硅基板的接合界面上不伴随上述氧化膜的形成的接合方法。
并且，在高耐压高输出电子元件中，为了抑制电力损失而要求降低元件的电阻，在通过专利文献2所公开的方法制造的具有碳化硅基板的机械支撑部等的多晶碳化硅基板中，不会产生作为单晶碳化硅的课题的因导入高浓度氮而引起的结晶缺陷，因此，能够成为由低电阻的支撑基板(即多晶碳化硅基板)构成的碳化硅基板。
此外，由于多晶碳化硅是几十μm以下的细小单晶碳化硅粒集合而成的材料，因此，在多晶碳化硅的内部以高密度存在晶粒边界。如果单晶碳化硅在制造器件时或者器件动作时被施加应力，则因以应力集中的部位为起点且龟裂沿着结晶面传播的所谓的劈开而容易被破坏。但是，由于在多晶碳化硅内部的上述晶粒边界处其龟裂传播受到阻碍，因此，多晶碳化硅相对于单晶碳化硅的断裂韧性值高，难以被破坏。
因此，通过专利文献2所公开的方法制造的碳化硅基板具有还能够应对作为更高的高耐压高输出电子元件用途而被热切期待的薄板化的优点。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-117533号公报。
专利文献2：日本特许第6061251号公报。
专利文献3：日本特开2001-316821号公报(参照段落号0014)。
发明内容
发明要解决的课题
然而，以往，用于制造碳化硅基板的多晶碳化硅基板通过以下的方法制造。例如，向由碳(C)构成的基底基材上供给硅(Si)系原料和碳系原料，通过化学气相生长法(CVD：Chemical Vapor Deposition)将多晶碳化硅成膜后，将该多晶碳化硅从基底基材分离来制造(参照专利文献3)或者使用烧结助剂等对微结晶碳化硅粉末进行加压成型，然后，在碳化硅的升华温度以下的温度条件下使碳化硅粉末彼此附着来制造。
通过前者的方法(专利文献3)制造的多晶碳化硅基板，能得到金属杂质的浓度显著低且没有空孔的致密基板，而在通过后者的方法制造的多晶碳化硅基板中残留很多空孔。因此，作为用于制造上述碳化硅基板的多晶碳化硅基板，优选通过前者的方法制造。
但是，通过化学气相生长法制造多晶碳化硅基板的前者的方法仍然存在制造成本高的问题。
首先，为了将成膜的多晶碳化硅从基底基材分离，采用在含氧的环境(氧环境)下使基底基材燃烧而分离多晶碳化硅的“燃烧法”或者通过磨削或研磨去除基底基材而分离多晶碳化硅的“加工法”。但是，无论哪种方法，每次制造多晶碳化硅基板时基底基材消失，因此，基底基材浪费，相应地多晶碳化硅基板的制造成本变高。
进一步，当通过“燃烧法”去除基底基材时，需要通过磨削等使在基底基材的表面成膜的多晶碳化硅的外周端部露出，将在氧环境下露出的基底基材长时间燃烧的作业，另外，通过“加工法”去除基底基材时，也需要长时间的磨削作业，因此，多晶碳化硅基板的制造成本变高。
本发明是着眼于这样的问题点而完成的，其课题在于提供在不改变多晶碳化硅基板的品质的情况下实现降低制造成本的多晶碳化硅基板的制造方法。
用于解决课题的手段
即，本发明的第一发明是一种多晶碳化硅基板的制造方法，其特征在于，所述多晶碳化硅基板的制造方法具有：碳层形成工序，该工序在第一基底基材的表面形成碳层来制造第二基底基材；多晶碳化硅成膜工序，该工序通过化学气相生长法将多晶碳化硅膜在上述第二基底基材的表面成膜；碳层露出工序，该工序去除在上述第二基底基材的表面成膜的多晶碳化硅膜的外周端部而使上述碳层露出；以及多晶碳化硅膜分离工序，该工序在氧环境下使露出的碳层燃烧，将多晶碳化硅膜从去除了该碳层后的第二基底基材分离。
另外，本发明的第二发明的特征在于，在第一发明所述的多晶碳化硅基板的制造方法中，在上述多晶碳化硅分离工序之后具有磨削工序，该工序对分离后的多晶碳化硅膜表面进行磨削来平坦化。
第三发明的特征在于，在第一发明或第二发明所述的多晶碳化硅基板的制造方法中，在上述碳层形成工序中，在第一基底基材的表面涂布有机抗蚀剂，对成膜的有机抗蚀剂膜进行热处理而形成上述碳层。
第四发明的特征在于，在第一发明或第二发明所述的多晶碳化硅基板的制造方法中，在上述碳层形成工序中，通过使用碳靶的溅射法在第一基底基材的表面形成上述碳层。
第五发明的特征在于，在第一发明或第二发明所述的多晶碳化硅基板的制造方法中，在上述碳层形成工序中，在第一基底基材的表面粘贴碳片而形成上述碳层。
然后，本发明的第六发明的特征在于，在第一发明～第五发明中任一项所述的多晶碳化硅基板的制造方法中，由单晶碳化硅、多晶碳化硅、烧结碳化硅或蓝宝石构成上述第一基底基材。
第七发明的特征在于，在第一发明～第五发明中任一项所述的多晶碳化硅基板的制造方法中，由各向同性碳基材和在该碳基材的表面成膜的碳化硅膜的复合体构成上述第一基底基材。
另外，第八发明的特征在于，在第一发明～第七发明中任一项所述的多晶碳化硅基板的制造方法中，上述第一基底基材在其表面具有延伸至第一基底基材的外周缘的槽。
发明的效果
根据本发明的多晶碳化硅基板的制造方法，由于由第一基底基材和在其表面形成的碳层构成使多晶碳化硅膜成膜的第二基底基材，因此，使在上述第一基底基材的表面形成的碳层燃烧，能够将多晶碳化硅膜从去除该碳层后的第二基底基材分离。
因此，能够在不会使第一基底基材消失的情况下实现其再利用，因此具有能够降低多晶碳化硅基板的制造成本的效果。
附图说明
图1是表示本发明的多晶碳化硅基板的制造工序的说明图。
图2是由各向同性碳基材和在该碳基材的表面成膜的碳化硅膜的复合体构成的第一基底基材的说明图。
图3是表示实施例1中使用的第一基底基材(多晶碳化硅)的“再利用次数(次)”与制造的多晶碳化硅基板的“翘曲(μm)”的关系以及上述第一基底基材的“再利用次数(次)”与多晶碳化硅基板的“电阻率(Ωcm)”的关系的图。
具体实施方式
以下，使用附图详细说明本发明的实施方式，但是本发明当然不限于以下的实施方式，能够采用属于本发明的技术范围的各种方式。
首先，本发明的多晶碳化硅基板的制造方法具有：碳层形成工序，该工序在第一基底基材的表面形成碳层来制造第二基底基材；多晶碳化硅成膜工序，该工序通过化学气相生长法将多晶碳化硅膜在上述第二基底基材的表面成膜；碳层露出工序，该工序去除在上述第二基底基材的表面成膜的多晶碳化硅膜的外周端部而使上述碳层露出；以及多晶碳化硅膜分离工序，该工序在氧环境下使露出的碳层燃烧，将多晶碳化硅膜从去除该碳层后的第二基底基材分离。
(1)碳层形成工序
如图1(A)～(B)所示，碳层形成工序是在圆盘状的第一基底基材11表面形成碳层21来制造第二基底基材12的工序。
需要说明的是，基底基材是指使覆膜形成(生长)的基底的材料，第一基底基材11由作为形成碳层21的基底的材料构成，第二基底基材12由第一基底基材11和在其表面形成的碳层21构成，作为用于使多晶碳化硅膜生长的基底的材料。
(1-1)第一基底基材
要求第一基底基材11具有1200℃以上、优选1300℃以上的耐热性以及即使在500℃以上的氧环境下也不会燃烧且不会消失的特性，例如，可举出由单晶碳化硅、多晶碳化硅、烧结碳化硅或蓝宝石构成的基材材料。进一步，如图2所示，也能够使用由各向同性碳基材10和通过化学气相生长法(CVD)在该碳基材10的表面成膜的碳化硅膜(例如多晶碳化硅膜)20的复合体13构成的基材材料。在这种情况下，多晶碳化硅膜的膜厚为1μm～100μm，优选为10μm～30μm。
(1-2)碳层
为了在第一基底基材11的表面形成碳层21，例如能够通过旋涂机涂布有机抗蚀剂，在200℃左右的条件下对形成的有机抗蚀剂膜进行加热从而从有机抗蚀剂膜中排除溶剂成分后，在1000℃左右的条件下使其碳化而形成碳层21。上述碳层21在膜厚0.1μm～10μm的范围内形成，优选在膜厚0.5μm～2μm的范围内形成。
另外，也可以通过使用碳靶的溅射法形成碳层来代替使用有机抗蚀剂的方法。例如，也可以在压力调整为1×10-1Pa以下的高真空处理室内，将氩等离子体照射到碳靶上，通过溅射法使碳层21在第一基底基材11的表面成膜。溅射成膜的碳层在膜厚0.1μm～5μm的范围内成膜，优选在膜厚1μm～2μm的范围内成膜。
进一步，也可以在第一基底基材11的表面粘贴碳片而形成碳层。即，也可以在第一基底基材11的表面涂布粘接剂，经由该粘接剂粘贴碳片。需要说明的是，作为粘接剂，可以使用碳系粘接剂，另外，作为碳片，可以使用挠性石墨片或者PGS石墨片(松下株式会社(Panasonic Corporation)制，商品名)。作为碳片，能够使用厚度0.01mm～1.5mm范围的片，优选厚度为0.2mm～0.5mm范围的片。
(2)多晶碳化硅成膜工序
如图1(C)所示，多晶碳化硅成膜工序是通过化学气相生长法(CVD)将多晶碳化硅膜31在第二基底基材12的表面成膜的工序，例如，将第二基底基材固定在成膜装置的反应炉内，在减压状态下一边使氩等非活性气体流动一边使炉内升温至生长温度(例如1400℃)，达到生长温度后停止非活性气体，通过使原料气体以及载气流动从而能够将多晶碳化硅膜31在第二基底基材12的表面成膜。
(2-1)原料气体
作为原料气体，只要能够将多晶碳化硅膜成膜即可，没有特别的限定，能够使用通常使用的Si系原料气体、C系原料气体。
例如，作为硅(Si)系原料气体，除了能够使用硅烷(SiH4)之外，还能够使用一氯硅烷(SiH3Cl)、二氯硅烷(SiH2Cl2)、三氯硅烷(SiHCl3)、四氯硅烷(SiCl4)等具有蚀刻作用的含Cl的氯系含Si原料气体(氯化物系原料)。
作为碳(C)系原料气体，例如，能够使用甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)、丙烷(C3H8)、乙炔(C2H2)等烃。
除了上述之外，四甲基硅烷[(CH3)4Si]、三氯甲基硅烷(CH3Cl3Si)、三氯苯基硅烷(C6H5Cl3Si)、二氯甲基硅烷(CH4Cl2Si)、二氯二甲基硅烷[(CH3)2SiCl2]、氯三甲基硅烷[(CH3)3SiCl]等同时含有Si和C的气体也能够作为原料气体使用。
(2-2)作为载气，只要能够在不阻碍成膜的情况下使原料气体向第二基底基材展开，就能够使用通常使用的载气。例如，能够使用热传导率优异、对碳化硅具有蚀刻作用的氢(H2)。
(2-3)另外，当多晶碳化硅基板应用于高耐压高输出电子元件用途时，需要降低多晶碳化硅膜的电阻率，向多晶碳化硅膜内导入氮或者磷等杂质(掺杂气体)。并且，氮或者磷的导入浓度例如为1×1019/cm3以上。
(3)碳层露出工序
如图1(D)所示，碳层露出工序是去除在第二基底基材12的表面成膜的多晶碳化硅膜31的外周端部并使碳层21的外周端部露出的工序。
如图1(C)所示，通过上述多晶碳化硅成膜工序，也将多晶碳化硅膜31在第二基底基材12的外周部成膜，因此，将其例如投入到端面加工装置中，从成膜的多晶碳化硅膜31的端面向内侧磨削0.01mm～0.5mm左右从而能够使碳层21的外周端部露出。
(4)多晶碳化硅膜分离工序
多晶碳化硅膜分离工序是在氧环境下使外周端露出的图1(D)的碳层21燃烧，如图1(E)所示那样将多晶碳化硅膜31从第一基底基材11(从第二基底基材去除了碳层21的第一基底基材11)分离的工序。
即，如图1(D)所示，通过在例如1000℃的含氧环境(氧环境)下对碳层21的外周端露出且在表面成膜有多晶碳化硅膜31的第二基底基材12进行加热，第一基底基材11与多晶碳化硅膜31之间的碳层21被燃烧，能够从第一基底基材11分离两片多晶碳化硅膜31。
另外，当上述第一基底基材11在其表面具有延伸至第一基底基材11的外周缘的带状的槽时，在碳层露出工序中上述槽的开口端全部或一部分露出而作为空气导入孔发挥作用，因此，具有能够使夹在第一基底基材11与多晶碳化硅膜31之间的碳层高效地燃烧的优点。例如，当将碳片粘贴于具有槽的第一基底基材11表面时，在碳层露出工序中上述槽的开口端露出而能够作为空气导入孔发挥作用。
需要说明的是，作为槽的尺寸，能够举例深度为0.01mm～1mm的范围且宽度为0.1mm～3mm的范围，并且，作为槽数，能够举例长1条～10条的范围、宽1条～10条的范围。
(5)磨削工序
本发明的多晶碳化硅基板的制造方法也可以在多晶碳化硅膜分离工序之后具有磨削工序，该工序对分离后的多晶碳化硅膜表面进行磨削来平坦化。
即，对从第一基底基材11分离的图1(F)所示的多晶碳化硅膜31的生长最表面32a和生长背面32b进行磨削来平坦化，例如，能得到厚度0.35mm左右的多晶碳化硅基板33。
实施例
以下，也举出比较例对本发明的实施例进行具体说明。
[实施例1]
通过旋涂机在由多晶碳化硅构成的圆盘状的第一基底基材上涂布有机抗蚀剂(东京应化工业株式会社制，基于环氧树脂的抗蚀剂材料：TMMRTM/FS2000)，以200℃对形成的有机抗蚀剂膜进行加热来排除溶剂成分后，以1000℃使该有机抗蚀剂膜碳化，形成膜厚0.5μm的碳层来制造第二基底基材。
然后，使用化学气相生长法将厚度1.35mm的多晶碳化硅膜在第二基底基材两面上成膜。作为成膜条件，反应炉内压力为5kPa，生长温度为1350℃，二氯硅烷(SiH2Cl2)气体和乙炔(C2H2)气体分别为1000sccm、500sccm，以5000sccm导入作为载气的氢气。
然后，将两面成膜有多晶碳化硅膜的圆盘状的第二基底基材投入端面加工装置中，对该第二基底基材的外周部进行0.05mm端面磨削，使上述碳层的外周端露出。
然后，在1000℃的大气环境中，将外周端露出的碳层加热24小时使其燃烧，将多晶碳化硅从第一基底基材(从第二基底基材去除了碳层的第一基底基材)分离后，将多晶碳化硅的表面侧和背面分别磨削0.5mm进行平坦化，制造了多晶碳化硅基板。
[比较例]
圆盘状的基底基材使用各向同性碳，在与实施例1相同的条件下在上述基底基材的两面将厚度1.35mm的多晶碳化硅膜成膜。
然后，将两面成膜有多晶碳化硅膜的基底基材的外周部进行0.05mm端面磨削而使作为基底基材的各向同性碳的外周端露出，在1000℃的大气环境中使外周端露出的各向同性碳(基底基材)燃烧而将多晶碳化硅分离后，将多晶碳化硅的表面侧和背面分别磨削0.5mm进行平坦化，制造比较例的多晶碳化硅基板。
[确认]
考察实施例1的多晶碳化硅基板和比较例的多晶碳化硅基板的“翘曲”和“电阻率”，如表1所示，“翘曲”和“电阻率”的值没有发现显著性差异。
但是，在比较例中，各向同性碳(基底基材)燃烧需要长时间，具有每次制造多晶碳化硅基板时各向同性碳(基底基材)被浪费的弊端。
表1
实施例1 比较例
翘曲 30μm 32μm
电阻率 0.018Ωcm 0.015Ωcm
[实施例2]
除了使用碳粘接剂(日清纺化学株式会社制，商品名ST-201)将厚度0.3mm的挠性石墨片(东洋炭素株式会社制，商品名PERMA-FOIL)粘贴于由多晶碳化硅构成的圆盘状的第一基底基材上，并形成碳层以外，与实施例1同样地进行，制造了实施例2的多晶碳化硅基板。
然后，考察实施例2的多晶碳化硅基板和上述比较例的多晶碳化硅基板的“翘曲”和“电阻率”，如表2所示，“翘曲”和“电阻率”的值没有发现显著性差异。
表2
实施例2 比较例
翘曲 35μm 32μm
电阻率 0.014Ωcm 0.015Ωcm
[实施例3]
再利用实施例1中使用的圆盘状的第一基底基材(多晶碳化硅)在与实施例1相同的条件下反复制造多晶碳化硅基板，考察制造的多晶碳化硅基板的“翘曲”和“电阻率”，得到图3所示的结果。
需要说明的是，图3是表示实施例1中使用的第一基底基材(多晶碳化硅)的“再利用次数(次)”与制造的多晶碳化硅基板的“翘曲(μm)”的关系以及上述第一基底基材的“再利用次数(次)”与多晶碳化硅基板的“电阻率(Ωcm)”的关系的图。
[确认]
(1)多晶碳化硅基板的“翘曲(μm)”
如图3的符号“●”所示，使用第一次的第一基底基材(多晶碳化硅)时为“翘曲＝30μm”(参照实施例1)，使用第五次的第一基底基材时为“翘曲大致29μm”，使用第十次的第一基底基材时为“翘曲大致34μm”，使用第50次的第一基底基材时为“翘曲大致32μm”，使用第100次的第一基底基材时为“翘曲大致33μm”。
由此确认，多晶碳化硅基板的“翘曲(μm)”大致恒定而不依赖于第一基底基材的再利用次数，并且，相对于比较例的“翘曲＝32μm”，没有发现显著性差异。
(2)多晶碳化硅基板的“电阻率(Ωcm)”
如图3的符号“▲”所示，使用第一次的第一基底基材(多晶碳化硅)时为“电阻率＝0.018Ωcm”(参照实施例1)，使用第五次的第一基底基材时为“电阻率大致0.019Ωcm”，使用第十次的第一基底基材时为“电阻率大致0.019Ωcm”，使用第50次的第一基底基材时为“电阻率大致0.017Ωcm”，使用第100次的第一基底基材时为“电阻率大致0.015Ωcm”。
由此确认，多晶碳化硅基板的“电阻率(Ωcm)”也大致恒定而不依赖于第一基底基材的再利用次数，并且，相对于比较例的“电阻率＝0.015Ωcm”，没有发现显著性差异。
工业实用性
根据本发明的多晶碳化硅基板的制造方法，在不改变多晶碳化硅基板的品质的情况下实现降低制造成本，因此，具有作为贴合单晶碳化硅而用于碳化硅半导体等的多晶碳化硅基板的制造方法而使用的工业实用性。
附图标记说明
10：各向同性碳基材。
11：第一基底基材。
12：第二基底基材。
13：复合体。
20：碳化硅膜。
21：碳层。
31：多晶碳化硅膜。32a：生长最表面。
32b：生长背面。
33：多晶碳化硅基板。

Claims (8)

1.一种多晶碳化硅基板的制造方法，其特征在于，
所述多晶碳化硅基板的制造方法具有：
碳层形成工序，该工序在第一基底基材的表面形成碳层来制造第二基底基材；
多晶碳化硅成膜工序，该工序通过化学气相生长法将多晶碳化硅膜在上述第二基底基材的表面成膜；
碳层露出工序，该工序去除在上述第二基底基材的表面成膜的多晶碳化硅膜的外周端部而使上述碳层露出；以及
多晶碳化硅膜分离工序，该工序在氧环境下使露出的碳层燃烧，将多晶碳化硅膜从去除了该碳层后的第二基底基材分离。
2.如权利要求1所述的多晶碳化硅基板的制造方法，其特征在于，
在上述多晶碳化硅膜分离工序之后具有磨削工序，该工序对分离后的多晶碳化硅膜表面进行磨削来平坦化。
3.如权利要求1或2所述的多晶碳化硅基板的制造方法，其特征在于，
在上述碳层形成工序中，在第一基底基材的表面涂布有机抗蚀剂，对成膜的有机抗蚀剂膜进行热处理而形成上述碳层。
4.如权利要求1或2所述的多晶碳化硅基板的制造方法，其特征在于，
在上述碳层形成工序中，通过使用碳靶的溅射法在第一基底基材的表面形成上述碳层。
5.如权利要求1或2所述的多晶碳化硅基板的制造方法，其特征在于，
在上述碳层形成工序中，在第一基底基材的表面粘贴碳片而形成上述碳层。
6.如权利要求1～5中任一项所述的多晶碳化硅基板的制造方法，其特征在于，
由单晶碳化硅、多晶碳化硅、烧结碳化硅或蓝宝石构成上述第一基底基材。
7.如权利要求1～5中任一项所述的多晶碳化硅基板的制造方法，其特征在于，
由各向同性碳基材和在该碳基材的表面成膜的碳化硅膜的复合体构成上述第一基底基材。
8.如权利要求1～7中任一项所述的多晶碳化硅基板的制造方法，其特征在于，
上述第一基底基材在其表面具有延伸至第一基底基材的外周缘的槽。
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