CN118043280A - 气密封装元件以及元件模块 - Google Patents
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Abstract
在以往的气密封装元件中，将器件晶片与盖晶片接合的密封部沿着半导体基板的晶体取向形成。因此，存在器件晶片产生破裂，配置于器件晶片之上的电路破坏或者布线被切断而产生器件的动作不良的课题。在本公开所涉及的气密封装元件(100)中，其特征在于，器件晶片(1)具有在俯视观察时从盖晶片(2)伸出的伸出区域(21)，密封部(10)在俯视观察时为多边形，多边形的面对伸出区域(21)的边(11a)形成在与器件晶片(1)的晶体取向不同的方向上。
Description
技术领域
本公开涉及气密封装元件以及元件模块。
背景技术
通过微细加工技术将传感器、致动器等集成化于硅基板等之上的器件亦即微机电系统(MEMS：Micro Electro Mechanical Systems)器件正在实用化。作为MEMS器件的例子，可列举红外线传感器、陀螺仪传感器以及加速度传感器等。
红外线传感器中的非冷却红外线传感器如被称为热型传感器那样将入射的红外线转换成热。为此，具有将对象物的温度变化作为电信号变化来读出的结构，并具有将传感器(拍摄元件)从基材热隔离以提高检测灵敏度的隔热构造。
具体而言，红外线传感器为了提高隔热性而配置于密闭的真空空间即配置于真空封装的内部。此时，对于真空封装的成为盖(lid)的部件，已知使用红外线透过率高的低含氧的硅、ZnS，或形成防反射膜(AR涂层：Anti-Reflection Coating)。
另一方面，作为真空封装的制造方法，提出了将制造MEMS器件的器件晶片和与器件晶片对置的盖晶片在真空气氛下接合而形成多个真空封装的晶片级封装(Wafer LevelPackage)(例如参照专利文献1。)。
专利文献1：日本特表2003-531475号公报(段落0010～0015，图1～图4)
由晶片级封装构成的气密封装元件必然是设置于器件晶片的用于电连接的接合焊盘比盖晶片露出的构造，而成为器件晶片的接合部比盖晶片伸出的构造。于是，应力集中在器件晶片所伸出的边的密封部与器件晶片相接的部位。
然而，形成于半导体基板之上的元件或电路、布线等构造物沿着半导体基板的晶体取向形成。在这样的结构的以往的晶片等级气密封装中，将器件晶片与盖晶片接合的密封部也沿着器件晶片的晶体取向配置。
于是，集中后的应力所作用的方向与器件半导体基板的解理方向一致。因此，存在器件晶片产生破裂，配置于器件晶片之上的电路破坏或者布线被切断而产生器件的动作不良的课题。
发明内容
本公开公开了用于解决上述那样的课题的技术，其目的在于，获得防止器件晶片的破裂且可靠性高的气密封装元件。
本公开所涉及的气密封装元件的特征在于，具备：器件晶片，在安装面设置有半导体电路和用于将该半导体电路与外部电连接的端子；盖晶片，配置成与安装面对置；以及密封部，夹设在器件晶片与盖晶片之间，形成在器件晶片与盖晶片之间收容半导体电路的真空气氛的密闭空间，器件晶片具有在俯视观察时从盖晶片伸出的伸出区域，端子设置于伸出区域，密封部在俯视观察时为多边形，多边形的面对伸出区域的边形成在与器件晶片的晶体取向不同的方向上。
本公开所涉及的元件模块的特征在于，具备：电路基板、安装于电路基板的气密封装元件、以及安装于电路基板并与端子电连接的电子部件，该气密封装元件的特征在于，具有：器件晶片，在安装面设置有半导体电路和用于将该半导体电路与外部电连接的上述端子；盖晶片，配置成与安装面对置；以及密封部，夹设在器件晶片与盖晶片之间，形成在器件晶片与盖晶片之间收容半导体电路的真空气氛的密闭空间，器件晶片具有在俯视观察时从盖晶片伸出的伸出区域，端子设置于伸出区域，密封部在俯视观察时为多边形，多边形的面对伸出区域的边形成在与器件晶片的晶体取向不同的方向上。
根据本公开，能够缓和密封部与器件晶片所接触的部位的应力，因此能够获得防止器件晶片的破裂且可靠性高的气密封装元件或元件模块。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的气密封装元件的盖晶片部分的透视俯视图。
图2是与图1的II-II线对应的剖视图。
图3是放大图1中的区域A的局部放大图。
图4是实施方式2所涉及的气密封装元件的盖晶片部分的透视俯视图。
图5是实施方式2的变形例所涉及的气密封装元件的盖晶片部分的透视俯视图。
图6是实施方式3所涉及的气密封装元件的盖晶片部分的透视俯视图。
图7是表示边13与器件晶片1的晶体取向的关系的图。
图8是实施方式4所涉及的气密封装元件的盖晶片部分的透视俯视图。
图9是实施方式5所涉及的元件模块的俯视图。
图10是与图9的IX-IX线对应的剖视图。
图11是以往的气密封装元件的盖晶片部分的透视俯视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本公开的实施方式所涉及的气密封装元件以及元件模块进行说明。对相同的或对应的构成要素标注相同的附图标记，有时省略重复说明。这在说明书的全文中通用。
实施方式1
使用图1至图3，对实施方式1所涉及的气密封装元件100进行说明。图1是气密封装元件的盖晶片部分的透视俯视图。图2是与图1的II-II线对应的剖视图。图3是放大图1中的区域A的局部放大图。
首先，对气密封装元件的基本结构进行说明。
一般而言，硅基板被加工成其晶体取向成为相对于基板面平行且正交的两个方向。器件晶片1以及盖晶片2均通过加工硅基板来制造。在图1至图9以及图11中，器件晶片1以及盖晶片2配置成其晶体取向与图中所示的X轴或Y轴平行。器件晶片1以及盖晶片2的外形是与X轴或Y轴平行的长方形。
如图1、图2所示，器件晶片1和盖晶片2在俯视观察时即从Z轴方向观察的情况下，使器件晶片1的一部分从盖晶片2伸出，使相互平坦的面彼此平行地对置，并通过密封部10接合。
密封部10由在器件晶片1的安装面1a之上形成图案而成的第一基底层31、在盖晶片2的与安装面1a对置的表面之上形成图案而成的第二基底层32、以及夹设在第一基底层31与第二基底层32之间并填充第一基底层31与第二基底层32之间的密封材料层33构成。第一基底层31和第二基底层32均无缝隙且连续地形成图案而成，也被称为密封环。
密封材料层33由焊料材料构成。但是，焊料材料相对于器件晶片1的表面(安装面1a)以及盖晶片2的表面的润湿性低，难以以原样将器件晶片1与盖晶片2接合。为此，第一基底层31和第二基底层32由与焊料材料的润湿性良好且与各晶片的密接性良好的材料形成，以作为用于粘接各晶片与密封材料层33的中间层发挥功能。
对于这样的材料，例如密封材料层33为无铅焊料，第一基底层31与第二基底层32的材质为镍，但并不限制于此，而可以选择任意的材料。但是，由于高温焊料、AuSn焊料的环境负荷、价格高，所以无铅焊料是优选的。
通过这样构成的密封部10，由器件晶片1、盖晶片2以及密封部10包围的密闭空间22保持成真空气氛。为了确保该真空容积，密封部10以50～150μm的厚度形成，在本实施方式中，具有100μm的厚度。此外，虽然密闭空间22内被称为真空气氛，但并不意味着完全的真空，而是可以为保持隔热性所需的真空度。
在器件晶片1的安装面1a的比密封部10靠内侧的区域20，分别配置有红外线用的拍摄元件3、扫描电路4以及读出电路5。其中，将包括拍摄元件3、扫描电路4以及读出电路5并配置于区域20的MEMS以及半导体元件称为半导体电路7。半导体电路7配置在保持成隔热性优异的真空气氛的密闭空间22的内部，而提高作为红外线传感器的可靠性。
在盖晶片2，用于保持真空度的被称为吸气剂的未图示的气体吸附剂形成于被第二基底层32包围的部位。另外，有时形成用于增加真空容积的凹陷。并且，有时在盖晶片2的外表面形成用于提高红外线的透过率的被称为AR涂层的防反射膜。
在俯视观察时即从Z轴方向观察的情况下，器件晶片1具有从盖晶片2伸出的区域，将该伸出的区域称为伸出区域21。在伸出区域21的安装面1a设置有多个用于将半导体电路7与外部电连接的端子8(接合焊盘)。端子8与半导体电路7经由设置于安装面1a的未图示的布线而电连接。
这样构成的端子8通过线材等而与未图示的电路基板等电连接，由此作为后述的元件模块200(图9、图10)发挥功能。
以上述的结构为前提，对本公开的气密封装元件100的特征性结构进行说明。如图1所示，在俯视观察时即从Z轴方向观察的情况下，密封部10的形状是由边11a、11b、11c以及11d构成的多边形。如上所述，器件晶片1以及盖晶片2的晶体取向与X轴或Y轴平行。相对于此，密封部10的边均不与X轴或Y轴平行，而是形成在与器件晶片1以及盖晶片2的晶体取向不同的方向上。
图3所示的辅助线y-y是与Y轴平行的直线。面对伸出区域21的边11a与辅助线y-y呈角度θ。这里，角度θ不是零度或90度。
接下来，对本公开的实施方式1中的气密封装传感器的效果进行说明。
图2中的点D是器件晶片1从盖晶片2伸出的一侧的器件晶片1与密封部10的接触点。
气密封装元件100在真空气氛中暂时被设为高温从而密封材料层33的焊料材料熔融并在其后被降温，由此在器件晶片1与盖晶片2之间形成密闭空间22。用于密封材料层33的焊料的线膨胀系数大于用于器件晶片1以及盖晶片2的硅的线膨胀系数。因此，在通常的使用状态下，从点D向盖晶片的方向(+Z方向)以及从点D向半导体电路的方向(-X方向)的残余应力作用于点D。
图11是以往的气密封装元件900的盖晶片部分的透视俯视图。在以往的气密封装元件中，形成于半导体基板之上的元件或电路、布线等构造物沿着半导体基板的晶体取向形成。另外，将器件晶片与盖晶片接合的密封部10也沿着器件晶片的晶体取向配置。
作为与图11的II-II线对应的剖视图引用图2来进行说明。与作用于点D的残余应力同样地，残余应力作用于边16a的附图右侧的端16f整体。即，作用于边16a的残余应力沿着端16f集中作用。端16f与图中的Y轴平行，且与器件晶片的解理方向即晶体取向一致。因此，存在器件晶片产生破裂，配置于器件晶片之上的电路破坏或者布线被切断而产生器件的动作不良的问题。
相对于此，在本公开的实施方式1中的气密封装元件100中，边11a配置成相对于器件晶片1的晶体取向倾斜角度θ。即，集中后的应力所作用的方向从晶体取向偏离角度θ，从而缓和了应力集中。因此，能够避免器件晶片1的破裂、配置于器件晶片1之上的电路的破坏或者由布线的切断而导致的器件的动作不良。由此，能够得到可靠性高的气密封装元件。
在与以往的气密封装相同地角度θ为0，即密封部10的边11a相对于器件晶片1的晶体取向平行的情况下，在我们的可靠性试验中，在器件晶片1与密封部10的接触点亦即点D的部位产生了裂缝，其结果，密闭空间22的气密被破坏，气密封装元件100产生了动作不良。但是，使角度θ从0增加的结果，在可靠性试验中未产生动作不良。
另一方面，由于半导体电路7、端子8等的外形与晶体方向平行地配置，因此随着将角度θ设定得大，气密封装元件中的用于设置密封部10的面积变大，从而产生器件尺寸增加的问题。由于半导体电路7的面积越大，角度θ所带来的影响越大，因此需要进行选择以使得气密封装元件的尺寸收敛在允许的范围内。因此，角度θ的优选的角度为超过0度且5度以下，更优选为1度以上且3度以下。
本实施方式中的器件晶片以及盖晶片的密封环由电解镀镍形成。基于电解镀镍的密封环的宽度使用现有的照相制版技术来形成，可以根据光掩模的图案来形成任意的角度θ。
如上所述，实施方式1所涉及的气密封装元件100具备：器件晶片1，在安装面1a设置有半导体电路7以及用于将半导体电路7与外部电连接的端子8；盖晶片2，配置为与安装面1a对置；以及密封部10，夹设在器件晶片1与盖晶片2之间，形成在器件晶片1与盖晶片2之间收容半导体电路7的真空气氛的密闭空间22。
这里，器件晶片1具有在俯视观察时从盖晶片2伸出的伸出区域21。端子8设置于伸出区域21。密封部10在俯视观察时为多边形，面对伸出区域21的边11a形成在与器件晶片1的晶体取向不同的方向上。
并且，面对伸出区域21的边11a与器件晶片1的晶体取向所成的角度θ优选为超过0度且5度以下，进一步优选为1度以上且3度以下。
根据这样的结构，由于边11a配置成相对于器件晶片1的晶体取向倾斜角度θ，所以集中后的应力所作用的方向从晶体取向偏离角度θ。因此，起到如下所述的效果，即由于缓和了应力集中，因此能够避免器件晶片1的破裂、配置于器件晶片1之上的电路的破坏、或者由布线的切断导致的器件的动作不良，能够得到可靠性高的气密封装元件。
实施方式2
对实施方式2所涉及的气密封装元件110进行说明。在实施方式1中，将密封部10的所有的边构成为不与器件晶片1的晶体取向平行。在实施方式2中，使密封部10的面对伸出区域21的边11a不与晶体取向平行，其他边构成为与晶体取向平行。
图4是实施方式2所涉及的气密封装元件110的盖晶片部分的透视俯视图。
实施方式2所涉及的气密封装元件110的密封部10具有边11a、12b、12c、12d。边12b、12c、12d的材料、截面构造等与边11a、11b、11c、11d相同。
虽然边12b、12c、12d与实施方式1中的边11b、11c、11d分别对应，但与以往的气密封装元件同样地配置为与X轴或Y轴平行。即，边12b、12c、12d配置为与器件晶片1的晶体取向平行。在边12b、12c、12d所面对的部分，器件晶片1不从盖晶片2伸出，边12b、12c、12d不面对伸出区域。
将器件晶片1之上的半导体电路7与外部电连接的布线配置成在除了面对伸出区域21的边11a以外的部分不与密封部10交叉。
即，在实施方式2中，不存在应力的集中、器件晶片1的破裂、配置于器件晶片1之上的电路的破坏、或者由布线的切断导致的器件的动作不良这样的担忧的不面对伸出区域21的密封部10的边12b、12c、12d，与以往的气密封装同样地形成在与器件晶片1的晶体取向相同的方向上。
其他部分与实施方式1同样，省略说明。
在实施方式2中，也与实施方式1同样地起到应力缓和的效果。另外，实施方式2相对于实施方式1能够减小气密封装元件110的尺寸。在由于器件布局的制约而不能倾斜密封环的所有的边来扩大气密封装元件110的尺寸的情况下是有效的。
此外，密封部10的面对伸出区域21的边也可以不是与晶体取向不平行的单一的边。
图5是实施方式2的变形例所涉及的气密封装元件111的盖晶片部分的透视俯视图。与气密封装元件110不同，在气密封装元件111中密封部10的面对伸出区域21的边由不与晶体取向平行的边11a和与边11a连续的与晶体取向平行的边12e以及12f构成。这里，边11a的长度比边12e以及12f的长度长。
即便这样使密封部10的面对伸出区域21的边中的一部分存在与晶体取向平行的部分，只要构成为其大部分不与晶体取向平行，也能对应力集中的缓和发挥一定的效果，这一点予以备注。
实施方式3
参照图6以及图7，对实施方式3所涉及的气密封装元件120进行说明。
在实施方式1中，密封部10的面对伸出区域21的边设为单一的边11a。相对于此，在实施方式3中，将密封部10的面对伸出区域21的边设为多个，且配置为锯齿形。
图6是实施方式3所涉及的气密封装元件120的盖晶片部分的透视俯视图。实施方式3所涉及的气密封装元件120的密封部10具有边12b、12c、12d以及面对伸出区域21的边13。边13是连续的且由配置成锯齿形的多个边13a、13b、13c构成。边12b、12c、12d以及边13的材料、截面构造相同。边13与边11a同样地是密封部10的面对伸出区域21的边，均是配置成不与晶体取向(纸面X方向以及Y方向)平行的具有屈曲点的连续的不与晶体取向平行的边。
图7是表示边13与器件晶片1的晶体取向的关系的图。在图7中，除了说明所需的部分以外，未图示而省略。图7所示的两条辅助线y-y是与Y轴平行的直线，即辅助线y-y表示与晶体取向相同的方向。
边13a、13b、13c均配置成不与晶体取向(纸面X方向以及Y方向)平行。边11a、11b、11c与辅助线y-y所成的角度分别为θ1、θ2、θ3。θ1、θ2、θ3的绝对值既可以相同也可以分别不同。
θ1以及θ3在从辅助线y-y观察时沿顺时针方向测量角度，另一方面，θ2在从辅助线y-y观察时沿逆时针方向测量角度。即，可以说θ1以及θ3与θ2的符号不同、或者相对于辅助线y-y(晶体取向)呈锯齿形。
图7中的W是边13相对于X轴方向所占的宽度。例如，考虑如下情况：相对于实施方式1中的边11a的长度，将实施方式3中的边13a、13b、13c的长度分别设为1/3，将实施方式1中的角度θ和实施方式3中的角度θ1、θ2、θ3设定为相同。于是，与在实施方式1中边11a相对于X轴方向所占的宽度相比较，能够将W设为1/3。
即，如实施方式3所示，通过将密封部10的面对伸出区域21的边设为配置成锯齿形的多个边，能够抑制气密封装元件的尺寸增加。
其他部分省略说明。
如上所述，实施方式3所涉及的气密封装元件120具备：器件晶片1，在安装面1a设置有半导体电路7以及用于将半导体电路7与外部电连接的端子8；盖晶片2，配置为与安装面1a对置；以及密封部10，夹设在器件晶片1与盖晶片2之间，形成在器件晶片1与盖晶片2之间收容半导体电路7的真空气氛的密闭空间22。
这里，器件晶片1具有在俯视观察时从盖晶片2伸出的伸出区域21。端子8设置于伸出区域21。密封部10在俯视观察时为多边形，具有形成在与器件晶片1的晶体取向不同的方向上的面对伸出区域21的边13a。这里，在实施方式3中，边13是配置成锯齿形的边13a、13b、13c。
根据这样的结构，起到与实施方式1所示的气密封装元件100同样的效果。除了上述以外，在实施方式3所涉及的气密封装元件120中，通过将密封部10的面对伸出区域21的边设为配置成锯齿形的多个边，还起到能够抑制气密封装元件的尺寸增加的效果。
此外，在实施方式3中，密封部10的面对伸出区域21的边被分割成三部分并且设为配置成锯齿形的形状，但也可以分割成两部分并且设为配置成V字形的形状。另外，分割数量可以为4个以上，所分割的长度也可以不相等。另外，即使相对于配置成锯齿形的或者配置成V字形的多个边，伴随配置成与晶体取向平行的边，也能够抑制气密封装元件的尺寸增加。
实施方式4
参照图8对实施方式4所涉及的气密封装元件130进行说明。在实施方式1至3中，对伸出区域21位于气密封装元件的一边的情况进行了说明，但在实施方式4中对在气密封装元件的两边存在伸出区域的情况进行说明。
图8是实施方式4所涉及的气密封装元件130的盖晶片部分的透视俯视图。
在实施方式4中，器件晶片1设置有两处从盖晶片2伸出的部分。一个与实施方式1相同，是伸出区域21，另一个是伸出区域21a。
作为第2伸出区域的伸出区域21a与作为第1伸出区域的伸出区域21隔着密闭空间22配置在相反侧。在伸出区域21a的安装面1a也配置有多个与拍摄元件3、扫描电路4以及读出电路5经由未图示的布线而电连接的端子8(接合焊盘)。
实施方式4中的密封部10的形状是由边11a、12b、14c以及12d构成的多边形。边11a面对伸出区域21并且形成在与晶体取向不同的方向上。边12b以及12d形成在与晶体取向相同的方向上。
边14c面对伸出区域21a，并且形成在与器件晶片1的晶体取向不同的方向上。边14c的材料、截面构造等与边11a、12b、12d相同。其他部分省略说明。
在如以上那样构成的实施方式4所涉及的气密封装元件130中，也与实施方式1同样地起到应力缓和的效果。
此外，虽然第1伸出区域21与第2伸出区域21a隔着密闭空间22配置在相反侧，但例如也可以如边11a和边12b侧那样以相邻的方式配置。另外，伸出区域也可以配置在三个以上的边。
实施方式5
在实施方式5中，对将实施方式1～4中说明的气密封装元件与其他电子部件一起安装于电路基板的元件模块进行说明。图9和图10用于对实施方式5所涉及的元件模块的结构进行说明。图9是实施方式5所涉及的元件模块的俯视图，图10是与图9的X-X线对应的剖视图。
此外，虽然使用气密封装元件100对气密封装元件部分的结构进行说明，但也可以与实施方式1～4中的任一个同样，替换为气密封装元件110、111、120和130中的任一个。另外，省略同样部分的说明，并且引用图1至图8。
如图9、图10所示，实施方式5所涉及的元件模块200在电路基板202的安装面203之上安装有气密封装元件100、和包括电阻、电容器等部件204以及半导体器件205等在内的电子部件206。
而且，是将安装后的电子部件通过未图示的引线接合等而与气密封装元件100的端子8电连接而成为元件模块200的方式。在本实施方式5中，气密封装元件100和电子部件206使用热固化型的导电性粘接剂208固定于电路基板202。另外，虽然未图示，但设置了构成元件模块200所需的其他部件、罩等。
实施方式5所涉及的元件模块200具备在实施方式1～4的任一个中说明的气密封装元件，相对于振动、冲击具有坚固性。例如，在使用作为红外线传感器发挥功能的气密封装元件100的情况下，能够得到相对于振动、冲击具有坚固性，防止器件晶片的破裂且可靠性高的红外线传感器。
本公开并不限定于上述的实施例，而是包括各种变形例。例如，为了易于理解地说明本公开，而对上述的实施例详细地进行了说明，但并非必须限定于具备所说明的所有结构。
另外，可以将某个实施例的结构的一部分置换为其他实施例的结构，另外，也可以对某个实施例的结构加入其他实施例的结构。另外，可以对各实施例的结构的一部分进行其他结构的追加、削除、置换。
附图标记说明
1...器件晶片；1a...安装面；2...盖晶片；3...拍摄元件；4...扫描电路；5...读出电路；7...半导体电路；8...端子(接合焊盘)；10...密封部；11a、11b、11c、11d、12b、12c、12d、12e、12f、13、13a、13b、13c...边；21；21a...伸出区域；22...密闭空间；31...第一基底层；32...第二基底层；33...密封材料层；100、110、11、120、130...气密封装元件；200...元件模块；202...电路基板；206...电子部件；θ、θ1、θ2、θ3...角度。
Claims (7)
1.一种气密封装元件，其特征在于，
具备：
器件晶片，在安装面设置有半导体电路以及用于将该半导体电路与外部电连接的端子；
盖晶片，配置成与所述安装面对置；以及
密封部，夹设在所述器件晶片与所述盖晶片之间，形成在所述器件晶片与所述盖晶片之间收容所述半导体电路的真空气氛的密闭空间，
所述器件晶片具有在俯视观察时从所述盖晶片伸出的伸出区域，
所述端子设置于所述伸出区域，
所述密封部在俯视观察时为多边形，所述多边形的面对所述伸出区域的边形成在与所述器件晶片的晶体取向不同的方向上。
2.根据权利要求1所述的气密封装元件，其特征在于，
所述多边形的不面对所述伸出区域的边形成在与所述器件晶片的晶体取向相同的方向上。
3.根据权利要求1或2所述的气密封装元件，其特征在于，
面对所述伸出区域的边与所述器件晶片的晶体取向所成的角度超过0度且为5度以下。
4.根据权利要求1或2所述的气密封装元件，其特征在于，
面对所述伸出区域的边与所述器件晶片的晶体取向所成的角度为1度以上且3度以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的气密封装元件，其特征在于，
面对所述伸出区域的边包括配置成V字形或锯齿形的边。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的气密封装元件，其特征在于，
所述密封部由在所述安装面形成图案而成的第一基底层、在所述盖晶片的与所述安装面对置的表面形成图案而成的第二基底层、以及填充所述第一基底层与所述第二基底层之间的密封材料层形成，对所述密封材料层使用无铅焊料，对所述第一基底层和所述第二基底层使用镍。
7.一种元件模块，其特征在于，
具备：电路基板；安装于所述电路基板的权利要求1～6中任一项所述的气密封装元件；以及安装于所述电路基板并与所述端子电连接的电子部件。
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