CN118028762A - 一种悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统，包括磁控阴极、蒸发源、阴极电源及气体供应装置，阳离子源等；所述磁控阴极安装于真空卷绕室与真空蒸镀室隔离部分，磁控阴极正下方安装蒸发源，磁控阴极接电源负极，真空蒸镀室接电源正极，所述磁控阴极下面有柔性基材悬浮通过，蒸发源蒸发镀层材形成的气态粒子向柔性基材表面运动并在柔性基材表面成膜，磁控阴极以形成吸附阳离子的阴极电场和约束阳离子运动的约束磁场，阳离子以高速度撞击到柔性基材表面时，利用阳离子轰击力对蒸发成膜层原子进行轰击，减少膜层中的孔隙和缺陷，轰击力使柔性基材表面镀层更致密，膜层与基材结合牢度更高，提高成膜的整体密实度和成膜质量。
Description
技术领域
本申请属于蒸发镀膜领域，尤其涉及一种悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统。
背景技术
悬浮式蒸发卷绕镀膜是一种以物理气象沉积为原理的镀膜技术，该方式为在真空环境下连续传送柔性基材（如薄膜等），在张力作用下使柔性基材悬浮通过蒸发源上方蒸镀区域，在该柔性基材上蒸镀金属或非金属膜后，悬浮基材的热量传导到后冷却主辊进行冷却，并通过卷绕完成镀膜过程。
因蒸镀过程自身特点，膜材分子运动能量低，镀层与基材结合牢度低，膜层致密度低，成膜质量相比其他非蒸镀方式有明显差异，由此可见，现有技术有待于进一步地改进和提高。
发明内容
本发明提供了一种悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统，用以解决蒸发镀膜镀层与基材结合牢度低，膜层致密度低的问题。
为实现上述目的，本发明提供了以下技术方案：
一种悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统，包括磁控阴极、蒸发源、阴极电源、气体供应装置；
所述磁控阴极安装于真空卷绕室与真空蒸镀室隔离部分，磁控阴极正下方安装蒸发源，磁控阴极接电源负极，真空蒸镀室接电源正极，所述磁控阴极下面有柔性基材悬浮通过，蒸发源蒸发镀材形成的气态粒子向柔性基材表面运动并在柔性基材表面成膜；
磁控阴极能够吸引阳离子朝向柔性基材表面运动，磁控阴极表面形成约束磁场，以捕获阳离子形成轰击区，阳离子轰击到悬浮的柔性基材表面，使柔性基材镀层更致密，提升膜层与基材结合力，使镀膜牢度更高。
本发明的悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统，通过设置平面的磁控阴极板以形成吸附阳离子的阴极电场和约束阳离子运动的约束磁场，阳离子以高速度撞击到柔性基材表面时，利用阳离子轰击力对蒸发的镀膜离子进行锤击，减少膜层中的孔隙和缺陷，轰击力使柔性基材表面镀层更致密，膜层与基材结合牢度更高，提高镀膜的整体密实度和成膜质量。
在优选的实现方式中，所述磁控阴极包括环形的磁控组件，环形的磁控组件中部磁铁极性与四周的磁铁极性相反，磁控组件能够在磁控阴极表面形成环形的约束磁场，使阳离子在约束磁场作用下运动持续轰击柔性基材表面。
通过设置环形的磁铁组件，使磁铁组件中部与四周磁性相反，从而可以产生环形的约束磁场，这种磁场分布的特性使得磁场线在磁铁的外部形成一个闭合的环形路径，当阳离子靠近这样的磁场时，它们会受到洛伦兹力的作用，这个力垂直于磁场线和离子的运动方向，使阳离子在约束磁场作用下做回旋运动，持续轰击镀膜材料使其牢固结合在柔性基材表面实现高质量镀膜。
在优选的实现方式中，所述磁控组件的磁铁通过绝缘固定件设于蒸发源上方且磁铁所在平面与柔性基材表面平行。
在磁控组件中，使用绝缘固定件固定磁铁组件，绝缘固定件的主要功能是提供电气隔离，确保磁铁组件与电源系统之间不会发生直接接触，防止因电气短路导致的设备损坏或故障，从而提高了整个系统的稳定性和可靠性。
在优选的实现方式中，磁控阴极表面距离与柔性基材距离小于15mm，以保证柔性基材悬浮通过轰击区并轰击镀膜层。
当磁控阴极表面与柔性基材的距离小于15mm时，由于磁控阴极与柔性基材之间的距离较近，磁场的作用可以更为直接和有效地作用于柔性基材镀层面，磁场线能够更为集中地穿出并作用于柔性基材镀层表面。这有助于对镀层进行轰击，从而提高镀层的致密性和结合牢度。
在优选的实现方式中，所述磁控阴极设置一个或多个，以形成正对蒸发源的主轰击区和位于主轰击区前侧和后侧的次轰击区。
主轰击区直接正对蒸发源，离子流密度最高，为必要的轰击区，柔性基材在此区域上形成均匀且致密的镀层，前侧和后侧的次轰击区虽然离子流密度相对较低，对柔性基材进行前处理和后处理，它们的存在有助于改善镀层的均匀性，提高镀层与基材的结合力，当柔性材料连续经过主轰击区和两个次轰击区时，柔性基材能够逐渐适应并保持稳定的传输状态，这种连续的轰击过程有助于减少柔性基材在传输过程中的振动或形变，从而确保镀层的均匀性和一致性。
在优选的实现方式中，气体供应装置向真空蒸镀室充可离化气体且真空度保持小于0.5帕，便于形成电离轰击。
气体供应装置向真空蒸镀室充入可离化气体，保持真空度小于0.5帕可以确保蒸镀室内始终维持适宜的电离条件，从而提高蒸镀过程的稳定性和连续性，充入的可离化气体（如氩气等惰性气体）在蒸镀室内，产生更强离化，当受到电场的作用时，容易发生电离，产生大量的离子和电子，阳离子在阴极电场作用下向磁控阴极移动，被阴极磁场捕获并约束在磁场内，形成旋轮线运动，并轰击镀层，蒸发材料能够更好的附着在柔性基材表面，增强其与基材的结合力，提高镀层的附着力，同时，电离轰击还有助于改善镀层的均匀性和致密度，减少缺陷和孔洞，从而提高镀层的质量。
在优选的实现方式中，还包括辅助离子源，辅助离子源向真空蒸镀室内充入阳离子以增加离子密度，提高轰击效果。
通过设置辅助离子源充入大量的阳离子到真空蒸镀室内，这些阳离子与蒸镀室内原有的离子和电子共同构成了更为稠密的离子环境，离子密度的增加意味着单位时间内有更多的阳离子能够轰击到膜层原子或分子上，从而提高了轰击的频率和强度，这有助于在柔性基材表面形成更加均匀、致密的镀层，增强蒸发材料与柔性基材的结合力，提高镀层的附着力，减少镀层中的缺陷和孔洞。
在优选的实现方式中，所述磁控阴极的两端无柔性基材覆盖区域安装屏蔽装置，以保护磁控阴极不受轰击。
磁控阴极的两端若存在无柔性基材覆盖的区域，这些区域会受到离子轰击的影响，导致磁控阴极受损或性能下降，因此，在这些区域安装屏蔽装置如金属或特殊合金，主要作用在于阻挡离子流，防止其直接轰击到磁控阴极的无覆盖区域，确保磁控阴极的稳定运行，延长其使用寿命。
在优选的实现方式中，真空卷绕室内设有收放卷系统，包括放卷器、导辊、展平辊及收卷器，柔性基材经过放卷器，导辊，展平辊，能够悬浮进入磁控阴极下方蒸镀区域。
当柔性基材经过放卷器、导辊、展平辊后，悬浮进入磁控阴极下方的蒸镀区域，避免了与固定装置或其他部件的物理接触，从而减少了基材表面被划伤或损坏的风险，柔性基材在蒸镀区域内保持悬浮状态，可以确保其与蒸发源之间的距离保持一致，从而使得蒸镀材料能够更加均匀地沉积在基材表面，有助于提高蒸镀层的均匀性和一致性。
在优选的实现方式中，还包括主冷却辊，镀膜完成的柔性基材绕过主冷却辊后进入收卷器收卷。
镀膜完成后，柔性基材的表面温度较高，如果直接进行收卷，可能会导致镀层内部应力分布不均，甚至出现变形或开裂。设置的主冷却辊能够有效地降低基材的表面温度，使镀层在冷却过程中逐渐固化，从而确保镀层的稳定性和基材的平整性。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1绘示了本申请悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统的一种示意性实施方式示意图；
图2绘示了本申请悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统的另一种示意性实施方式示意图；
图3绘示了本申请磁控阴极的一种示意性实施方式示意图。
标号说明：
1-磁控阴极；10-磁控组件；100-磁铁；101-绝缘固定件；2-蒸发源；3-电源；4-气体供应装置；5-真空卷绕室；50-放卷器；51-导辊；52-展平辊；53-收卷器；6-真空蒸镀室；7-柔性基材；8-主冷却辊；9-辅助离子源。
具体实施方式
在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
下面结合说明书附图，对本发明进行说明。
具体采取的方案是：
如图1-3所示，本发明提供了一种悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统，包括真空室，真空室通过抽真空系统抽真空，真空室分真空蒸镀室6和真空卷绕室5，卷绕室设有收放卷绕系统，包括放卷器50、多个导辊51、展平辊52、收卷器53，真空蒸镀室6内设置蒸发源2，蒸发源2的上侧设置磁控阴极1，真空蒸镀室6接电源3正极，磁控阴极1接电源3负极。
工作过程是柔性基材7经过放卷器50，导辊51，展平辊52，悬浮进入磁控阴极1下方蒸镀区域，蒸发源2蒸发形成的气态粒子向柔性基材7表面运动并在柔性基材7表面成膜；
蒸镀的同时，磁控阴极1吸引阳离子向阴极表面运动，磁控阴极1表面形成的约束磁场捕获靠近的阳离子，气体供应装置4充入离化气体加速电离，磁控阴极表面形成轰击区，使阳离子对通过轰击区下方的柔性基材7表面进行轰击，使柔性基材7表面形成的镀层致密度提高，并与基材结合良好。
蒸镀过程后，柔性基材7脱离磁控阴极1的轰击区，经过主冷却辊8，收卷区辊系，进入收卷器53收卷，完成一个工作循环。
本发明的悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统，通过设置平面的磁控阴极1以形成吸附阳离子的阴极电厂和约束阳离子运动的约束磁场，阳离子以高速度撞击到柔性基材7表面时，利用阳离子轰击力对蒸发的镀膜粒子进行锤击，减少膜层中的孔隙和缺陷，轰击力使柔性基材7表面镀层更致密，膜层与基材结合牢度更高，提高镀膜的整体密实度和成膜质量。
作为本申请的一个优选的实施方式，磁控阴极1包括环形的磁控组件10，环形的磁控组件10中部磁铁100极性与四周的磁铁100极性相反，磁控组件10能够在磁控阴极1表面形成环形的约束磁场，使阳离子在约束磁场作用下运动持续轰击柔性基材7表面。
通过设置环形的磁控组件，使磁控组件中部的磁铁100与四周磁铁磁性相反，从而可以产生环形的约束磁场，这种磁场分布的特性使得磁场线在磁铁100的外部形成一个闭合的环形路径，当阳离子靠近这样的磁场时，它们会受到洛伦兹力的作用，这个力垂直于磁场线和离子的运动方向，使阳离子在约束磁场作用下做回旋运动，持续轰击镀膜材料使其牢固结合在柔性基材7表面实现高质量镀膜。
作为本实施方式下的一个优选的实施例，磁控组件10的磁铁100通过绝缘固定件101设于蒸发源2上方且磁铁100所在平面与柔性基材7表面平行，使用绝缘固定件101固定磁铁100，绝缘固定件101的主要功能是提供电气隔离，确保磁铁100与电源3系统之间不会发生直接接触，防止因电气短路导致的设备损坏或故障，从而提高了整个系统的稳定性和可靠性。
作为本申请的一个优选的实施方式，磁控阴极1表面距离与柔性基材7距离小于15mm，以保证柔性基材7悬浮通过轰击区。
当磁控阴极1表面与柔性基材7的距离小于15mm时，由于磁控阴极1与柔性基材7之间的距离较近，磁场的作用可以更为直接和有效地作用于柔性基材7，磁场线能够更为集中地穿出并作用于柔性基材7表面，这有助于引导离子按照特定的轨迹对镀层进行轰击，从而提高镀层的均匀性和致密性。
作为本申请的一个优选的实施方式，参见图2，磁控阴极1设置一个或多个，以形成正对蒸发源2的主轰击区和位于主轰击区前侧和后侧的次轰击区。
主轰击区直接正对蒸发源2，离子流密度最高，为必要的轰击区，柔性基材7在此区域上形成均匀且致密的镀层，前侧和后侧的次轰击区，虽然离子流密度相对较低，对柔性基材7进行前处理和后处理，它们的存在有助于改善镀层的均匀性，提高镀层与基材的结合力，当柔性材料连续经过主轰击区和两个次轰击区时，柔性基材7能够逐渐适应并保持稳定的传输状态，这种连续的轰击过程有助于减少柔性基材7在传输过程中的振动或形变，从而确保镀层的均匀性和一致性。
作为本申请的一个优选的实施方式，气体供应装置4向真空蒸镀室6充可离化气体且真空度保持小于0.5帕，便于形成电离轰击。
气体供应装置4向真空蒸镀室6充入可离化气体，气体供应装置包括流量计，阀门管路等，气体包括但不限于氩气，氧气，氮气等可离化气体，保持真空度小于0.5帕可以确保蒸镀室内始终维持适宜的电离条件，从而提高蒸镀过程的稳定性和连续性，充入的可离化气体（如氩气等惰性气体）在蒸镀室内，产生更强离化，当受到电场的作用时，发生电离产生大量的离子和电子，阳离子在向磁控阴极1移动时能够有效地对蒸发源2产生的原子或分子进行轰击，通过电离轰击，蒸发材料能够以更高的能量附着在柔性基材7表面，增强其与基材的结合力，提高镀层的附着力，同时，电离轰击还有助于改善镀层的均匀性和致密度，减少缺陷和孔洞，从而提高镀层的质量。
作为本申请的一个优选的实施方式，还包括辅助离子源9，辅助离子源9向真空蒸镀室6内充入阳离子以增加离子密度，提高轰击效果。
通过设置辅助离子源9充入大量的阳离子到真空蒸镀室6内，这些阳离子与蒸镀室内原有的离子和电子共同构成了更为稠密的离子环境，离子密度的增加意味着单位时间内有更多的阳离子能够轰击到蒸发源2释放的原子或分子上，从而提高了轰击的频率和强度，这有助于在柔性基材7表面形成更加均匀、致密的镀层，增强蒸发材料与柔性基材7的结合力，提高镀层的附着力，减少镀层中的缺陷和孔洞。
作为本申请的一个优选的实施方式，磁控阴极1的两端无柔性基材7覆盖区域安装屏蔽装置，以保护磁控阴极1不受轰击。
磁控阴极1的两端若存在无柔性基材7覆盖的区域，这些区域会受到离子轰击的影响，导致磁控阴极1受损或性能下降，因此，在这些区域安装屏蔽装置如金属或特殊合金，主要作用在于阻挡离子流，防止其直接轰击到磁控阴极1的无覆盖区域，保磁控阴极1的稳定运行，延长其使用寿命。
此外，磁控阴极与蒸发源2之间接直流或中频电源3，蒸发源2可以是电阻蒸发源，感应加热蒸发源，电子束蒸发源，及其他类蒸发源包括多种膜材混合蒸发源。
此外，离子源包括但不限于条形离子源，霍尔离子源，射频离子源等阳离子源，离子源还可采用氩离子源，但不限于采用其它其它气体类型阳离子源。
此外，阴极电源包括但不限于直流电源，中频电源，脉冲电源等镀膜电源，且通过调整电源功率控制轰击强度。
本发明中未述及的地方采用或借鉴已有技术即可实现。
以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统，其特征在于，包括磁控阴极、蒸发源、阴极电源，气体供应装置；
所述磁控阴极安装于真空卷绕室与真空蒸镀室隔离部分，磁控阴极正下方安装蒸发源，磁控阴极接电源负极，真空蒸镀室接电源正极，所述磁控阴极下面有柔性基材悬浮通过，蒸发源蒸发镀材形成的气态粒子向柔性基材表面运动并在柔性基材表面成膜；
磁控阴极能够吸引阳离子朝向柔性基材表面运动，磁控阴极表面形成约束磁场，以捕获阳离子形成轰击区，阳离子轰击到悬浮的柔性基材表面，使柔性基材镀层更致密，提升膜层与基材结合力，使镀膜牢度更高。
2.根据权利要求1所述的一种悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统，其特征在于，所述磁控阴极包括环形的磁控组件，环形的磁控组件中部磁铁极性与四周的磁铁极性相反，磁控组件能够在磁控阴极表面形成环形的约束磁场，使阳离子在约束磁场作用下运动持续轰击柔性基材表面。
3.根据权利要求2所述的一种悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统，其特征在于，所述磁控组件的磁铁通过绝缘固定件设于蒸发源上方且磁铁所在平面与柔性基材表面平行。
4.根据权利要求1所述的一种悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统，其特征在于，磁控阴极表面距离与柔性基材距离小于15mm，以保证柔性基材悬浮通过轰击区。
5.根据权利要求1所述的一种悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统，其特征在于，所述磁控阴极设置一个或多个，以形成正对蒸发源的主轰击区和位于主轰击区前侧和后侧的次轰击区。
6.根据权利要求1所述的一种悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统，其特征在于，气体供应装置向真空蒸镀室充可离化气体且真空度保持小于0.5帕，便于形成电离轰击。
7.根据权利要求1所述的一种悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统，其特征在于，还包括辅助离子源，辅助离子源向真空蒸镀室内充入阳离子以增加离子密度，提高轰击效果。
8.根据权利要求1所述的一种悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统，其特征在于，所述磁控阴极的两端无柔性基材覆盖区域安装屏蔽装置，以保护磁控阴极不受轰击。
9.根据权利要求1所述的一种悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统，其特征在于，真空卷绕室内设有收放卷系统，包括放卷器、导辊、展平辊及收卷器，柔性基材经过放卷器，导辊，展平辊，能够悬浮进入磁控阴极下方蒸镀区域。
10.根据权利要求9所述的一种悬浮式卷绕磁控阴极轰击蒸发成膜系统，其特征在于，还包括主冷却辊，镀膜完成的柔性基材绕过主冷却辊后进入收卷器收卷。
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Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4037747A1 (de) * | 1989-11-27 | 1991-05-29 | Kansai Paint Co Ltd | Verfahren zur herstellung gedruckter schaltungsplatten, -tafeln oder dergleichen |
| US6171659B1 (en) * | 1996-07-12 | 2001-01-09 | Recherche et d{acute over (e)}veloppement du groupe Cockerill Sambre, en abr{acute over (e)}g{acute over (e)} | Process for the formation of a coating on a substrate and device for the use this process |
| US20040194988A1 (en) * | 2003-03-21 | 2004-10-07 | Ga-Lane Chen | EMI-shielding assembly and method for making same |
| CN101045988A (zh) * | 2006-03-30 | 2007-10-03 | 甘国工 | 金属板带表面改性的生产设备 |
| CN101063192A (zh) * | 2006-04-28 | 2007-10-31 | 甘国工 | 金属板带真空镀膜设备 |
| CN201372309Y (zh) * | 2009-03-31 | 2009-12-30 | 兰州真空设备有限责任公司 | 双冷却镀膜辊悬浮真空连续卷绕镀膜机 |
| US20140076718A1 (en) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | Vapor Technologies, Inc. | Remote Arc Discharge Plasma Assisted Processes |
| WO2014156129A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | 株式会社神戸製鋼所 | 成膜装置及び成膜方法 |
| CN114015998A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-02-08 | 山东省宝丰镀膜有限公司 | 一种双面卷绕镀膜机 |
| CN115198245A (zh) * | 2022-07-18 | 2022-10-18 | 浙江弘康半导体技术股份有限公司 | 一种氧化物高阻隔膜、制备的方法以及真空卷绕镀膜设备 |
| CN116815141A (zh) * | 2023-06-25 | 2023-09-29 | 长鑫存储技术有限公司 | 物理气相沉积装置和方法 |
| CN117355628A (zh) * | 2021-05-28 | 2024-01-05 | 应用材料公司 | 用于在半导体处理期间产生磁场的设备 |
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4037747A1 (de) * | 1989-11-27 | 1991-05-29 | Kansai Paint Co Ltd | Verfahren zur herstellung gedruckter schaltungsplatten, -tafeln oder dergleichen |
| US6171659B1 (en) * | 1996-07-12 | 2001-01-09 | Recherche et d{acute over (e)}veloppement du groupe Cockerill Sambre, en abr{acute over (e)}g{acute over (e)} | Process for the formation of a coating on a substrate and device for the use this process |
| US20040194988A1 (en) * | 2003-03-21 | 2004-10-07 | Ga-Lane Chen | EMI-shielding assembly and method for making same |
| CN101045988A (zh) * | 2006-03-30 | 2007-10-03 | 甘国工 | 金属板带表面改性的生产设备 |
| CN101063192A (zh) * | 2006-04-28 | 2007-10-31 | 甘国工 | 金属板带真空镀膜设备 |
| CN201372309Y (zh) * | 2009-03-31 | 2009-12-30 | 兰州真空设备有限责任公司 | 双冷却镀膜辊悬浮真空连续卷绕镀膜机 |
| US20140076718A1 (en) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | Vapor Technologies, Inc. | Remote Arc Discharge Plasma Assisted Processes |
| WO2014156129A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | 株式会社神戸製鋼所 | 成膜装置及び成膜方法 |
| CN117355628A (zh) * | 2021-05-28 | 2024-01-05 | 应用材料公司 | 用于在半导体处理期间产生磁场的设备 |
| CN114015998A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-02-08 | 山东省宝丰镀膜有限公司 | 一种双面卷绕镀膜机 |
| CN115198245A (zh) * | 2022-07-18 | 2022-10-18 | 浙江弘康半导体技术股份有限公司 | 一种氧化物高阻隔膜、制备的方法以及真空卷绕镀膜设备 |
| CN116815141A (zh) * | 2023-06-25 | 2023-09-29 | 长鑫存储技术有限公司 | 物理气相沉积装置和方法 |
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