JP5118532B2 - スパッタリング装置およびスパッタリング方法 - Google Patents
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Description
前記プラズマガンに電力を供給するプラズマガン電源と、
前記ターゲットにバイアス電圧を印加するバイアス電源と、
を備え、
前記プラズマ中の荷電粒子によりスパッタリングされた前記ターゲットの材料が、前記基板において凝集を起こさないよう、前記プラズマの放電電流が前記プラズマガン電源を用いて調整され、かつ、前記バイアス電圧が前記バイアス電源を用いて調整され、
前記荷電粒子としてプラスイオンを用い、前記材料からなる堆積膜の前記基板での成膜レートを固定する場合、
前記凝集を起こさない前記放電電流は、前記凝集を起こす前記放電電流よりも少なく、かつ、前記凝集を起こさない前記バイアス電圧は、前記凝集を起こす前記バイアス電圧よりもマイナス電圧側に高い、スパッタリング装置を提供する。
プラズマガンから放出されたプラズマを前記真空成膜室内に輸送し、その後、
前記プラズマ中の荷電粒子によりスパッタリングされた前記ターゲットの材料が、前記基板において凝集を起こさないよう、前記プラズマの放電電流および前記ターゲットに印加するバイアス電圧を調整し、
前記荷電粒子としてプラスイオンを用い、前記材料からなる堆積膜の前記基板での成膜レートを固定する場合、
前記凝集を起こさない前記放電電流は、前記凝集を起こす前記放電電流よりも少なく、かつ、前記凝集を起こさない前記バイアス電圧は、前記凝集を起こす前記バイアス電圧よりもマイナス電圧側に高い、スパッタリング方法も提供する。
21 輸送空間
22 円柱プラズマ
23 第1の電磁コイル
24A、24B 棒磁石
36 真空ポンプ
37 バルブ
27 シートプラズマ
28 ボトルネック部
29 通路
30 真空成膜室
31 成膜空間
32 第2の電磁コイル
33 第3の電磁コイル
34A 基板ホルダ
34B 基板(シリコン基板)
35A ターゲットホルダ
35B ターゲット(Cuターゲット)
38 永久磁石
40 プラズマガン
41 カソードユニット
41A ガラス管
41B 蓋部材
50 プラズマガン電源
52 バイアス電源
70 電力発生部
100 スパッタリング装置
A アノード
G1、G2 中間電極
K カソード
R1、R2 抵抗素子
S 主面
Claims (5)
- 基板およびターゲットを格納する真空成膜室と、
カソードユニットを有して、前記カソードユニットおよびアノード間の放電により、前記真空成膜室内にプラズマを形成可能なプラズマガンと、
前記プラズマガンに電力を供給するプラズマガン電源と、
前記ターゲットにバイアス電圧を印加するバイアス電源と、
を備え、
前記プラズマ中の荷電粒子によりスパッタリングされた前記ターゲットの材料が、前記基板において凝集を起こさないよう、前記プラズマの放電電流が前記プラズマガン電源を用いて調整され、かつ、前記バイアス電圧が前記バイアス電源を用いて調整され、
前記荷電粒子としてプラスイオンを用い、前記材料からなる堆積膜の前記基板での成膜レートを固定する場合、
前記凝集を起こさない前記放電電流は、前記凝集を起こす前記放電電流よりも少なく、かつ、前記凝集を起こさない前記バイアス電圧は、前記凝集を起こす前記バイアス電圧よりもマイナス電圧側に高い、スパッタリング装置。 - 前記プラズマによって前記基板に伝わる熱量が、前記放電電流および前記バイアス電圧により制御されている請求項1記載のスパッタリング装置。
- 前記堆積膜は、電解メッキによる電極配線形成時の下地電極膜である、請求項1記載のスパッタリング装置。
- 前記プラズマガンと前記真空成膜室との間に、前記プラズマガンから放出された円柱状のプラズマを磁界によりシート状に変形可能な磁界発生手段を備える、請求項1ないし3のいずれかに記載のスパッタリング装置。
- 基板およびターゲットを真空成膜室内に格納した後、前記真空成膜室内を減圧し、
プラズマガンから放出されたプラズマを前記真空成膜室内に輸送し、その後、
前記プラズマ中の荷電粒子によりスパッタリングされた前記ターゲットの材料が、前記基板において凝集を起こさないよう、前記プラズマの放電電流および前記ターゲットに印加するバイアス電圧を調整し、
前記荷電粒子としてプラスイオンを用い、前記材料からなる堆積膜の前記基板での成膜レートを固定する場合、
前記凝集を起こさない前記放電電流は、前記凝集を起こす前記放電電流よりも少なく、かつ、前記凝集を起こさない前記バイアス電圧は、前記凝集を起こす前記バイアス電圧よりもマイナス電圧側に高い、スパッタリング方法。
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