CN117966279A - 籽晶粘接剂和籽晶粘接方法以及碳化硅晶体的生长方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种籽晶粘接剂和籽晶粘接方法以及碳化硅晶体的生长方法，涉及半导体技术领域。该籽晶粘接剂包括质量比为1：(0.1～1)的粘接剂主体和吸气剂；吸气剂为粉末状且分散于粘接剂主体中，吸气剂包括从钛、锆、钽和铌组成的群组中选择的任意一种或多种的组合。通过在粘接剂主体中加入吸气剂，使得粘接剂主体在裂解产生气体时，吸气剂能够对产生的气体进行吸附，缓解粘接剂主体的缩聚和重排，减少气体聚集形成空洞，直至粘接剂主体彻底碳化形成稳定的碳结构，具有较佳的均匀性和稳定性。籽晶粘接方法使用了上述的籽晶粘接剂，有利于后续晶体生长的质量。

Description

籽晶粘接剂和籽晶粘接方法以及碳化硅晶体的生长方法

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种籽晶粘接剂和籽晶粘接方法以及碳化硅晶体的生长方法。

背景技术

碳化硅(SiC)是一种由碳和硅元素稳定结合而成的晶体材料。其独特的结构特性使其具有诸多优异的物理和化学性质，如高温稳定性、高硬度、耐腐蚀性等。这些特性使得碳化硅在许多领域具有重要的应用价值，尤其是在能源、电子、半导体、陶瓷和涂层等领域。与其他材料相比，如氮化硅(SiN)和氧化硅(SiO₂)，碳化硅具有更高的热稳定性和化学稳定性。它在高温下仍能保持优异的机械性能，同时具有较低的热膨胀系数，使其在高温应用中具有更好的性能。因此采用碳化硅材料制备的半导体器件适用于高电压、大电流、高温、高频等场景，前景十分广阔。

目前碳化硅晶体生长时，通常会存在生长初期晶体质量较差的情况，从而影响整体的晶体质量。

鉴于此，特提出本申请。

发明内容

本申请的目的在于提供一种籽晶粘接剂和籽晶粘接方法以及碳化硅晶体的生长方法，能够改善碳化硅晶体生长的晶体质量。

本申请是这样实现的：

第一方面，本申请提供了一种籽晶粘接剂，其包括：质量比为1：(0.1～0.6)的粘接剂主体和吸气剂；吸气剂为粉末状且分散于粘接剂主体中，吸气剂包括从钛、锆、钽和铌组成的群组中选择的一种或多种的组合。

第二方面，本申请还提供了一种籽晶粘接方法，其包括：使用上述籽晶粘接剂将籽晶粘贴于目标粘接面，然后对籽晶粘接剂进行真空热压固化。

第三方面，本申请还提供了一种碳化硅晶体的生长方法，其包括：先按照上述籽晶粘贴方法粘贴籽晶，然后再进行晶体生长。

本申请具有以下有益效果：

本申请通过在粘接剂主体中加入特定的分散的粉末状吸气剂，使得粘接剂在粘接籽晶后进行热压固化时，粘接剂主体因加热裂解产生的气体能够被吸气剂进行吸收，从而缓解了粘接剂主体因产生的大量气体的运动而导致的缩聚和重排，进而使得粘接剂在热压固化过程中能够较为均匀的(基本不会产生气洞)彻底碳化形成稳定的碳结构，具有较佳的均匀性和稳定性，从而有利于后续晶体生长的质量。并且，吸气剂在晶体生长的高温中，释放出气体而不会影响其结构，同时其能够进一步与碳化后的粘接剂主体反应生成高熔点、高硬度的碳化物，提高粘接层的稳定性和强度，从而进一步提高籽晶粘贴的稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例1得到的晶体的背面图像；

图2为本发明实施例2得到的晶体的背面图像；

图3为本发明实施例3得到的晶体的背面图像；

图4为本发明实施例4得到的晶体的背面图像；

图5为本发明实施例5得到的晶体的背面图像；

图6为本发明实施例6得到的晶体的背面图像；

图7为本发明实施例7得到的晶体的背面图像；

图8为本发明实施例8得到的晶体的背面图像；

图9为本发明实施例9得到的晶体的背面图像；

图10为本发明实施例10得到的晶体的背面图像；

图11为本发明对比例1得到的晶体的背面图像；

图12为本发明对比例2得到的晶体的背面图像。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。

发明人通过研究发现，碳化硅晶体在生长之前，需要粘贴籽晶，籽晶粘贴的质量会对后续的碳化硅晶体生长产生影响，而目前碳化硅晶体生长初期晶体质量欠佳主要是由于粘接剂形成的粘接层均匀性和稳定性较差。发明人进一步研究发现，籽晶多采用胺类、树脂类粘接剂进行粘接，在采用粘接剂粘接时通常能够保持较佳的均匀性，但是当对粘接剂进行热压固化时，粘接剂会面临高温环境(在晶体生长工艺中或者之前的预处理)，粘接剂碳化过程会裂解产生气体，释放出小分子物质如H₂O、CH₄、H₂、CO和CO₂。产生的气体会在粘接剂内部移动，一部分最终释放到外部，而部分气体可能在粘接剂中团聚，形成粘接空洞，这就导致了粘接剂在高温下彻底碳化之后存在不均匀和稳定性变差的问题。粘接剂的不均匀和稳定性差会导致其传热能力的不均匀。比如，粘接剂的局部存在空洞，空洞中气相导热性差，会导致小范围内籽晶温度梯度较大，籽晶在晶体生长初期发生升华和二次结晶，导致晶体质量下降。

基于以上研究发现，发明人创造性的提出了在籽晶粘接剂中增加特定的吸气剂，来避免粘接剂裂解产生的气体导致粘接剂不均匀的问题，进而提高晶体生长质量。具体实施方案如下：

本申请的一些实施方式提供了籽晶粘接剂，其包括质量比为1：(0.1～0.6)的粘接剂主体和吸气剂；吸气剂为粉末状且分散于所述粘接剂主体中，吸气剂包括从钛、锆、钽和铌组成的群组中选择的一种或多种的组合。

以上方案中选用的钛、锆、钽和铌对常见的籽晶粘接剂热解产生的气体具有较佳的吸收作用，因此，在现有常见的粘接剂主体成分中分散以上金属中的一种或多种组合的粉末状吸气剂，可以使得在不影响粘接剂本身粘接性能的基础上，在粘接剂热压固化过程中，吸气剂能够吸收主要粘接成分热解产生的气体，避免了避免气体聚集在粘接剂主体中形成空洞或气体释放产生的流动而形成的不规则孔隙结构，使得固化后的粘接层具有较佳的均匀性。并且，以上吸气剂在高温的晶体生长环境下释放气体后还能够与碳化后的粘接剂反应生成碳化物(例如碳化钽、碳化铌等)，提高粘接层的稳定性和强度，进而提高晶体生长的质量。

需要说明的是，本申请实施方式中的多种指代的是两种或者两种以上的多种物质的组合。本申请实施方式中的吸气剂包括以上例举的金属的组合，但不限于仅仅是含有以上群组中的金属。

进一步地，为了优化粘接剂的性能，一些实施方式中，吸气剂的粒径小于5μm。吸气剂的粒径越小，籽晶粘接剂更趋于均匀，并且具有更大的比表面积，更有利于籽晶粘接剂中各位置产生的气体被吸气剂吸附。应理解，小分子量的气体会吸附在吸气剂颗粒的表面，当吸气剂具有更大的表面积时，其吸附能力提高。粘接剂主体裂解产生的气体被均匀分布的吸气剂所吸附后，不容易聚集成团导致空洞，因此使得籽晶粘接剂在碳化前后均保持较佳的均一性。较佳的实施方式中，吸气剂的粒径小于1μm，更优选小于100nm，平均粒径约为50nm。

一些实施方式中，吸气剂选自钛、锆、钽和铌中的一种或多种的组合，较佳地，吸气剂选自钽和铌中的一种或两种的组合。进一步地，吸气剂的所选用的钛、锆、钽和铌的纯度均大于99％，如此能够保证吸气剂的对气体的吸收性能。

粘接剂主体和吸气剂的质量比可选择为1：0.1、1：0.2、1：0.3、1：0.4、1：0.5、1：0.6、1：0.7、1：0.8、1：0.9或1：1等。需要说明的是，当吸气剂含量较少时，可能存在吸气能力不足的情况，导致产生的大量气体无法被吸附而在粘接剂主体中转移、聚集，导致整个籽晶粘接剂均匀性下降；而如果吸气剂含量较多，则可能因籽晶粘接剂中粘接剂主体含量过低，不能实现有效粘接，并且粘接剂主体在固化乃至最终碳化之后形成的骨架结构较少，导致粘接性能下降。因此，一些实施方式中，粘接剂主体与吸气剂的质量比为1：(0.2～0.4)，例如1：(0.2～0.3)。以上选择的吸气剂的含量能够更好地兼顾籽晶粘接剂的吸气能力和粘接强度。

一些实施方式中，粘接剂主体包括但不限于树脂粘接剂、天然糖类粘接剂以及碳素粘接剂中的至少一种。树脂粘接剂选自酚醛树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和光刻胶中的至少一种，碳素粘接剂可以是石墨胶。这些粘接剂主体能够满足籽晶粘接需求。

进一步地，为了使得该籽晶粘接剂具有较佳的黏度，以便于进行粘接操作，同时有利于吸气剂在粘接剂主体中的均匀分散，该籽晶粘接剂通常还包括溶剂，溶剂可选择无水乙醇、二甲基乙酰胺、丙酮、甲苯或二甲苯等。并且为了使得籽晶粘接剂具有较佳的黏度，粘接剂主体与溶剂的质量比为(1～9)：1，优选(1～3)：1。

应理解地，溶剂主要用于减小粘接剂黏度，对应不同的粘接剂主体，溶剂种类和比例也不相同，例如环氧树脂稀释比例一般为2：1。

需要说明的是，粘接剂主体与吸气剂可以通过机械搅拌的方式混合均匀，当然一些实施方式中也可以采用超声等方式进行分散。

相应地，基于以上的籽晶粘接剂，本申请的一些实施方式还提供一种籽晶粘接方法，使用前述实施方式中的籽晶粘接剂将籽晶粘贴于目标粘接面。

其中，目标粘接面可以是籽晶托的表面，即使用籽晶粘接剂将籽晶粘贴于籽晶托；在其他实施方式中，目标粘接面也可以是其他需要固定籽晶的表面，比如坩埚盖体的内表面。

具体地，一些实施方式中，粘接籽晶的具体操作可以是将籽晶通过籽晶粘接剂直接粘贴于目标粘接面。

在一些情况下，籽晶的表面和目标粘接面的形状可能存在不够匹配，使得直接粘贴的效果不够好，因此可以在籽晶与目标粘接面之间使用石墨缓冲层，增加籽晶与目标粘接面的适配性。因此，一些实施方方式中，粘接籽晶的具体操作也可以是将籽晶通过籽晶粘接剂粘贴于石墨缓冲层，将石墨缓冲层通过籽晶粘接剂粘贴于目标粘接面。

进一步地，在将籽晶粘贴于目标粘接面之后，籽晶粘接方法还包括：对籽晶粘接剂进行真空热压固化。

进行真空热压固化的工序是在晶体生长工艺之前进行的，目的是使籽晶粘接剂能够提前被加热固化，使籽晶粘接牢固。在真空热压固化的过程中，籽晶粘接剂释放的气体一部分释放到外部，一部分在籽晶粘接剂内部被吸气剂吸收，避免没有及时或者无法排出的气体而造成粘接剂层的不均匀性。

虽然真空热压固化也是具有一定的高温，但比晶体生长工艺的温度低很多，而且升温速度会相对较慢，也相对可控。因此在真空热压固化的过程中能够合理控制温度，使籽晶粘接剂中的气体释放速率可控，避免因为温度过高或者升温速度过快等因素导致气体释放过快，导致籽晶粘接剂中形成气洞，影响籽晶粘接剂的均匀性。

具体地，在一些实施方式中，对籽晶粘接剂进行真空热压固化的过程中，温度按照以下方式控制：

从室温升温至第一预设温度，保温预设时长；从第一预设温度升温至第二预设温度；其中，第一预设温度为150～250℃，第二预设温度为350～550℃，且从第一预设温度升温至第二预设温度的升温速率不大于60℃/h。

以上实施方式中，分成两段式真空热压固化，第一段从室温升温至第一预设温度，是为了使籽晶粘接剂能够在较低温度下使得溶剂挥发。在第一预设温度保温预设时长，可以使籽晶粘接剂主体中的溶剂有充分时间挥发，并实现粘接剂主体的初步固化。示例性地，第一预设温度可选择150℃、170℃、180℃、190℃、200℃、210℃、220℃、230℃、240℃或250℃等，需要说的是，第一预设温度可以根据具体选择的溶剂的挥发温度进行选择，预设时长可以根据需要进行调整，比如5min～180min，通常温度越高时间约短，溶剂含量越高时间越长。

在从第一预设温度升温到第二预设温度的过程中，粘接剂主体发生裂解和碳化，释放出小分子气体。相当一部分小分子气体释放到籽晶粘接剂之外，另一部分在籽晶粘接剂内被吸气剂吸收。如果不在晶体生长工艺之前令籽晶粘接剂碳化，而是在晶体生长工艺中碳化，那么可能会因为晶体生长工艺的温度高，在1000℃之前温度不可控，导致粘接剂主体的碳化速率不可控，那么原本均匀分布的粘接剂主体会因为有机物的裂解、缩聚等，粘接剂主体重新分布，也就导致完全碳化后的分布又变的不均匀。

以上实施方式中，从第一预设温度升温至第二预设温度的升温速率需要控制在不大于60℃/h。如此可有效避免过快的升温速率而导致过快地碳化、裂解以及释放小分子气体。在此升温速率下，吸气剂能够及时地吸收小分子气体，避免引起气体聚集形成气洞，避免有机物的缩聚和重新排布导致原本固化后呈均匀分布的籽晶粘接剂再次变得不均匀。

在温度达到第二预设温度后，也可以维持预设时长，保证粘接剂主体完全碳化。例如，第二预设温度的保持时间为60min。

一些实施方式中，真空热压固化的压力为0.055～0.55MPa。真空热压时腔室的气压小于100Pa，压力越小，越有利于粘接剂裂解产生的气体向外释放。

以上籽晶粘接方法中，通过在籽晶粘接剂中设置吸气剂以及合理地控制升温速度，使得粘接剂主体直至彻底碳化形成稳定的碳结构，其热失重趋近于零，保证粘接效果的均一性和稳定性。在后续晶体生长工艺的升温过程中，气体从吸气剂上脱吸附并释放至真空腔室，吸气剂与部分碳化后的粘接剂主体反应生成稳定的碳化物(比如TiC、ZrC、TaC)，这些碳化物为高熔点、高硬度化合物，能够提高粘接层的稳定性和强度。

相应地，本发明的一些实施方式还提供了一种碳化硅晶体的生长方法，其包括：先按照上述籽晶粘贴方法粘贴籽晶，然后再进行晶体生长。

以下结合实施例和对比例对本申请的特征和性能作进一步的详细描述。

实施例1

本实施例提供了一种籽晶粘接剂以及使用该籽晶粘接剂进行籽晶粘接和碳化硅晶体生长方法。籽晶粘接剂的成分为粘接剂主体、钽粉末以及溶剂，粘接剂主体、钽粉末以及溶剂的质量比为1：0.3：0.5；其中，粘接剂主体为酚醛树脂，溶剂为无水乙醇，钽粉末的粒径小于3μm。

籽晶粘接剂的制备过程为：将无水乙醇和酚醛树脂的粘度混合，再加入到钽粉末，进行搅拌，使钛粉末均匀分散于粘接剂主体中，得到籽晶粘接剂。

籽晶粘接和碳化硅晶体生长过程如下：

使用上述籽晶粘接剂将籽晶粘贴于籽晶托，然后进行真空热压固化。真空热压固化的过程中，先从室温升温至200℃，升温速率为100℃/h；保温60min；再从200℃升温至450℃，升温速率为50℃/h，保温120min。其中，真空热压固化的压力为0.2MPa，且保持真空热压时腔室的气压小于100Pa。

真空热压固化步骤完成后，进行晶体生长工艺。具体地，将粘接好的籽晶装入准密封结构的生长坩埚，然后放进生长腔内。先抽真空至腔室压力至10pa，以排除腔内的水和氧等气体。然后充入惰性气体Ar至压力500torr。保持压力并升温到坩埚顶中心处温度2200℃并稳定2h，腔室压力按线性斜率2h降到5Torr，晶体开始生长。生长持续100h后再次充入Ar将腔室压力按固定斜率2h升高到500torr，晶体生长结束，控制坩埚顶中心处温度以2℃/min的速率降低到1000℃后，关闭加热功率自然降温12h后开炉取出晶体。

晶体生长完成后，从籽晶托上取下晶体，去除籽晶粘接剂，观察晶体背面。

实施例2

本实施例提供了一种籽晶粘接剂以及使用该籽晶粘接剂进行籽晶粘接和碳化硅晶体生长方法。籽晶粘接剂的成分为粘接剂主体、钽粉末以及溶剂，粘接剂主体、钽粉末以及溶剂的质量比为1：0.2：0.5；其中，粘接剂主体为酚醛树脂，溶剂为无水乙醇，钽粉末的粒径小于3μm。

籽晶粘接剂的制备过程为：将无水乙醇和酚醛树脂的粘度混合，再加入到钽粉末，进行搅拌，使钛粉末均匀分散于粘接剂主体中，得到籽晶粘接剂。

籽晶粘接和碳化硅晶体生长过程如下：

使用上述籽晶粘接剂将籽晶粘贴于籽晶托，然后进行真空热压固化。真空热压固化的过程中，先从室温升温至200℃，先从室温升温至200℃，升温速率为200℃/h；保温60min；再从200℃升温至450℃，升温速率为30℃/h，保温120min。其中，真空热压固化的压力为0.2MPa，且保持真空热压时腔室的气压小于100Pa。

真空热压固化步骤完成后，进行晶体生长工艺，具体工艺同实施例1。晶体生长完成后，从籽晶托上取下晶体，去除籽晶粘接剂，观察晶体背面。

实施例3

本实施例提供了一种籽晶粘接剂以及使用该籽晶粘接剂进行籽晶粘接和碳化硅晶体生长方法。籽晶粘接剂的成分为粘接剂主体、钽粉末以及溶剂，粘接剂主体、钽粉末以及溶剂的质量比为1：0.5：0.5；其中，粘接剂主体为酚醛树脂，溶剂为无水乙醇，钽粉末的粒径为0.05～1μm。

籽晶粘接剂的制备过程为：将无水乙醇和酚醛树脂的粘度混合，再加入到钽粉末，进行搅拌，使钛粉末均匀分散于粘接剂主体中，得到籽晶粘接剂。

籽晶粘接和碳化硅晶体生长过程如下：

使用上述籽晶粘接剂将籽晶粘贴于籽晶托，然后进行真空热压固化。真空热压固化的过程中，先从室温升温至200℃，升温速率为50℃/h；保温60min；再从200℃升温至450℃，升温速率为30℃/h，保温120min。其中，真空热压固化的压力为0.2MPa，且保持真空热压时腔室的气压小于100Pa。

真空热压固化步骤完成后，进行晶体生长工艺，具体工艺同实施例1。晶体生长完成后，从籽晶托上取下晶体，去除籽晶粘接剂，观察晶体背面。

实施例4

本实施例的步骤与实施例1基本相同，其不同之处仅在于，用铌粉末替代钽粉末。

实施例5

本实施例的步骤与实施例1基本相同，其不同之处仅在于，用钛粉末替代钽粉末。

实施例6

本实施例的步骤与实施例1基本相同，其不同之处仅在于，用锆粉末替代钽粉末。

实施例7

本实施例的步骤与实施例1基本相同，其不同之处仅在于，钽粉末的平均粒径为5um。

实施例8

本实施例的步骤与实施例1基本相同，其不同之处仅在于，真空热压步骤直接从室温以100℃/h的升温速率升温至450℃，保温120min。

实施例9

本实施例的步骤与实施例1基本相同，其不同之处仅在于，真空热压步骤为：先从室温升温至200℃，升温速率为100℃/h；保温60min；再从200℃升温至600℃，升温速率为50℃/h，保温60min。

实施例10

本对比例的步骤与实施例1基本相同，其不同之处仅在于，真空热压步骤为：先从室温升温至200℃，升温速率为100℃/h；保温60min；再从200℃升温至450℃，升温速率为100℃/h，保温120min。

对比例1

本对比例的步骤与实施例1基本相同，其不同之处仅在于，粘接籽晶所使用的籽晶粘接剂中未加入任何吸气剂。

对比例2

本对比例的步骤与实施例1基本相同，其不同之处仅在于，粘接剂主体和钽粉末的质量比为1：0.8。

图1至图10分别依次为本申请实施例1～10得到的晶体的背面图像；图11-图12为对比例1和2得到的晶体的背面图像。从图1至图6可见，使用了添加有钛、锆、钽、铌中任一者的籽晶粘接剂来粘接籽晶，最终生长得到的晶体背面光滑、平整、色泽均匀，意味着籽晶粘接剂在晶体生长工艺过程中保持了较佳的均匀性，能够改善晶体生长质量。从图7和图1进行对比，可以看出吸气剂的含量超过本申请的特定范围限定时，会导致粘接层的性能下降而导致晶体生长质量下降。从图8和图1进行对比，可以看出直接不采用两段式升温程序会使得粘接层的均匀性变差，从而影响晶体生长质量。从图9和图1进行对比，可以看出第二预设温度过高会导致气体释放不能很好地被吸收剂吸收而导致晶体生长质量变差。从图10和图1进行对比，可以看出，升温速率过高会导致热解产的气体过快而不利于吸气剂的吸收，进而影响粘接层结构的均匀性，导致晶体生长质量变差。从图11可见，未添加吸气剂的对比例所得到的晶体背面粗糙、不均匀，可推断其籽晶粘接剂在晶体生长工艺中未能够保持较佳均匀性，可能发生缩聚和重排，导致晶体生长质量较差。从图12可见，吸气剂的含量过高，会导致粘接剂本身的粘接性能受到影响，进而影响晶体生长质量。

综上所述，本申请实施例通过在粘接剂主体中加入特定的分散的粉末状吸气剂，使得粘接剂在粘接籽晶后进行热压固化时，粘接剂主体因加热裂解产生的气体能够被吸气剂进行吸收，从而缓解了粘接剂主体因产生的大量气体的运动而导致的缩聚和重排，进而使得粘接剂在热压固化过程中能够较为均匀的(基本不会产生气洞)彻底碳化形成稳定的碳结构，具有较佳的均匀性和稳定性，从而有利于后续晶体生长的质量。并且，吸气剂在晶体生长的高温中，释放出气体而不会影响其结构，同时其能够进一步与碳化后的粘接剂主体反应生成高熔点、高硬度的碳化物，提高粘接层的稳定性和强度，从而进一步提高籽晶粘贴的稳定性。

以上仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种籽晶粘接剂，其特征在于，其包括：质量比为1：(0.1～0.6)的粘接剂主体和吸气剂；所述吸气剂为粉末状且分散于所述粘接剂主体中，所述吸气剂包括从钛、锆、钽和铌组成的群组中选择的任意一种或多种的组合。

2.根据权利要求1所述的籽晶粘接剂，其特征在于，所述吸气剂的粒径小于5μm，优选地，所述吸气剂的粒径小于1μm。

3.根据权利要求1所述的籽晶粘接剂，其特征在于，所述粘接剂主体与所述吸气剂的质量比为1：(0.2～0.4)。

4.根据权利要求1所述的籽晶粘接剂，其特征在于，所述吸气剂包括从钽和铌组成的群组中选择的一种或多种的组合。

5.根据权利要求1～4任一项所述的籽晶粘接剂，其特征在于，所述粘接剂主体选自树脂粘接剂、天然糖类粘接剂以及碳素粘接剂中的至少一种；

优选地，所述树脂粘接剂选自酚醛树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和光刻胶中的至少一种。

6.根据权利要求1～4任一项所述的籽晶粘接剂，其特征在于，其还包括溶剂，所述粘接剂主体与所述溶剂的质量比为(1～9)：1；

优选地，所述溶剂选自无水乙醇、二甲基乙酰胺、丙酮、甲苯和二甲苯中的至少一种。

7.一种籽晶粘接方法，其特征在于，其包括：使用权利要求1-6中任一项所述的籽晶粘接剂将籽晶粘贴于目标粘接面，然后对所述籽晶粘接剂进行真空热压固化。

8.根据权利要求7所述的籽晶粘接方法，其特征在于，对所述籽晶粘接剂进行真空热压固化的过程中，温度按照以下方式控制：

从室温升温至第一预设温度，保温预设时长；

从所述第一预设温度升温至第二预设温度；

其中，所述第一预设温度为150～250℃，所述第二预设温度为350～550℃，且从所述第一预设温度升温至所述第二预设温度的升温速率不高于60℃/h；优选地，所述第一预设温度下的保温时间为5min～180min，所述第二预设温度下的保温时间大于30min；

和/或，热压的压力为0.055MPa～0.55MPa。

9.根据权利要求7所述的籽晶粘接方法，其特征在于，使用所述籽晶粘接剂将籽晶粘贴于所述目标粘接面的步骤包括：

将所述籽晶通过所述籽晶粘接剂直接粘贴于所述目标粘接面；

或者，将所述籽晶通过所述籽晶粘接剂粘贴于石墨缓冲层，将所述石墨缓冲层通过所述籽晶粘接剂粘贴于所述目标粘接面。

10.一种碳化硅晶体的生长方法，其特征在于，其包括：先按照权利要求7～9任一项所述的籽晶粘贴方法粘贴籽晶，然后再进行晶体生长。