CN117964401A - 一种耐磨瓷砖及其制备工艺 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 94
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 69
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 12
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical group Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical group CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 12
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 9
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- CCERQOYLJJULMD-UHFFFAOYSA-M magnesium;carbanide;chloride Chemical compound [CH3-].[Mg+2].[Cl-] CCERQOYLJJULMD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MTEZSDOQASFMDI-UHFFFAOYSA-N 1-trimethoxysilylpropan-1-ol Chemical compound CCC(O)[Si](OC)(OC)OC MTEZSDOQASFMDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims description 4
- MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N octyltriethoxysilane Chemical group CCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229960003493 octyltriethoxysilane Drugs 0.000 claims description 4
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 claims description 3
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 2
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011449 brick Substances 0.000 abstract description 30
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 abstract description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 abstract description 4
- 230000035807 sensation Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 abstract description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 18
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 5
- 229910002656 O–Si–O Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000002431 foraging effect Effects 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910014472 Ca—O Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 2
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 2
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 2
- OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-2-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)C(CN1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)=O OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWWQQSDRUYSMAR-UHFFFAOYSA-N 1-[(4-hydroxyphenyl)methyl]-1,2,3,4-tetrahydroisoquinoline-6,7-diol;hydrochloride Chemical group Cl.C1=CC(O)=CC=C1CC1C2=CC(O)=C(O)C=C2CCN1 SWWQQSDRUYSMAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-N-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)acetamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)NC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 6-[(5S)-5-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-2-oxo-1,3-oxazolidin-3-yl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C[C@H]1CN(C(O1)=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- 229910018516 Al—O Inorganic materials 0.000 description 1
- ZDWQSEWVPQWLFV-UHFFFAOYSA-N C(CC)[Si](OC)(OC)OC.[O] Chemical compound C(CC)[Si](OC)(OC)OC.[O] ZDWQSEWVPQWLFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- ZQYZLRKRUCDMQI-UHFFFAOYSA-N boron strontium Chemical compound [Sr].[B] ZQYZLRKRUCDMQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical class [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
本发明涉及瓷砖技术领域，尤其涉及一种耐磨瓷砖及其制备工艺。耐磨瓷砖的制备工艺，包括如下步骤：在成品瓷砖上施加至少两次硅溶胶；将施加有硅溶胶的所述成品瓷砖进行烘烤处理，得到所述耐磨瓷砖。采用硅酸酯、硅烷、催化剂等原料，通过化学自组装方式在瓷砖表面形成杂化SiO2膜，再通过350‑450℃的高温处理将多余的甲基基团，同时高温会使SiO2轻微的熔渗到瓷砖表面，达到稳定砖面耐磨等级的作用。由于至少在瓷砖的表面施加了2次硅溶胶，形成的杂化Si‑O‑Si纳米膜层并不会影响瓷砖原本的颜色及纹理，反而会提高成品砖的通透性，即，获得的耐磨瓷砖较于原始的成品砖光泽度和光感均不变，但耐磨性有大幅提升。
Description
技术领域
本发明涉及瓷砖技术领域，尤其涉及一种耐磨瓷砖及其制备工艺。
背景技术
现有的哑光成品砖表面多较为粗糙，以使其具有较好的哑光特性，但在耐磨等级测试中，表面粗糙会增加研磨介质(刚玉粉)与测试样品表面的剪切力，使其更容易被磨损，故深色的哑光成品砖的耐磨等级测试较难达到750砖3级的水平。
目前，有许多方法都是通过调整釉料来改善深色哑光砖耐磨效果。例如，专利CN202210703701.6《一种莫来石增强透明釉及其制备方法和应用》中提到通过添加莫来石来提高釉面耐磨性能；专利CN202011107547.3《一种镁铝尖晶石耐磨全抛釉及其制备方法和应用》中提到通过加入镁铝尖晶石/高硼锶熔块来提高釉面耐磨性能；专利CN202011422354.7《一种耐磨釉料及其制备方法》中提到加入碳纤维和形状记忆金属颗粒来提高釉面耐磨性能；专利CN202311014604.7《一种哑光防滑易洁超耐磨钻石釉、瓷砖及其制备方法》中提到加入锆英砂/Ca-O、Mg-O的熔块来提高釉面耐磨性能。综上，现有技术中的大部分研究都是通过调整Al2O3(Al-O)、MgO(Mg-O)、CaO(Ca-O)、SiO2(Si-O)在釉料中的比例，烧制后使上述组分重结晶形成新的体系，来增强釉料的耐磨性能。对于采用常规釉料且已制备完成的成品哑光砖，却没有较好的方式来提高其耐磨性能。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种耐磨瓷砖及其制备工艺，旨在改善现有技术中采用常规釉料(非耐磨型釉料)获得的瓷砖没有较好的方式提升其耐磨性能的技术问题。
为实现上述目的，本发明提出一种耐磨瓷砖的制备工艺，包括如下步骤：在成品瓷砖上施加至少两次硅溶胶；将施加有硅溶胶的所述成品瓷砖进行烘烤处理，得到所述耐磨瓷砖。
本方案从成品砖再加工的方向对砖面的耐磨性进行提升，用含硅原料、无机盐材料将(Si-O)和/或(Mg-O)等结构以化学成膜自组装的方式附着在瓷砖表面，通过化学自组装在瓷砖表面形成杂化SiO2膜，再通过350-450℃的高温烘烤处理使杂化SiO2膜熔渗进釉层中，相当于在表面釉层增加Si-O结构，达到稳定砖面耐磨等级的作用，同时还可以去除多余的甲基基团，表面剩余[O-Si-O]n。形成的杂化Si-O-Si纳米膜层并不会影响瓷砖原本的颜色及纹理，反而会提高(哑光)成品砖的通透性，即，获得的耐磨瓷砖较于原始的成品砖光泽度和光感均不变，但在光学显微镜下观察砖面的平均粗擦度有所降低。
特别的，本方案至少要在瓷砖的表面施加2次硅溶胶，这主要是由于仅施加一次硅溶胶时，容易在瓷砖表面呈现“泛彩”效果，影响原始瓷砖的砖面纹理展示，施加至少两次硅溶胶后，可以达到色中和效果，不影响瓷砖原先的装饰效果。并且，通过上述方案获得耐磨瓷砖，哑光深色砖(如深灰色)的耐磨等级至少可稳定在750转3级，哑光浅色砖(如米色，米灰色)耐磨等级至少可稳定在1500转3级。
优选地，所述硅溶胶的制备步骤包括：在密封条件下，将包括乙醇、酸催化剂、硅酸酯和硅烷的原料于室温下搅拌混合均匀，陈化至少7天，得到所述硅溶胶。
本方案中硅溶胶的原料包括：无水乙醇、酸催化剂、硅酸酯和硅烷，上述原料的质量比为17-20：0.5-0.7：1：0.85-1.49，获得硅溶胶可稳定在乙醇中长期保存；上述原料混合均匀后，需要陈化至少7天，经过该陈化工序有利于二氧化硅充分水解形成稳定胶束，后期自组装过程可减少其镀膜缺陷，如可避免制得的耐磨瓷砖表面泛白。
优选地，施加所述硅溶胶的方式包括提拉、喷涂或滚涂。
优选地，采用提拉的方式施加所述硅溶胶时，将所述成品瓷砖浸没在所述硅溶胶内，第一次提拉的速度为1600-1800um/s，静置10-20min取出；再次将所述成品瓷砖浸没在所述硅溶胶内，第二次提拉的速度为1000-1200um/s，静置10-20min取出。提拉涂覆硅溶胶时，单次镀膜会使砖面泛彩，光散射形成彩虹七色，影响砖面光感，因此本方案通过二次镀膜来达到色中和效果，经过验证第一次镀膜的提拉速度控制为1600-1800um/s，第二次镀膜的提拉速度为1000-1200um/s，能达到较好的色中和，不影响砖面装饰效果。
优选地，所述烘烤温度为350-450℃，烘烤时间为60-120min。通过350-400℃的高温处理将多余的甲基基团，表面剩余[O-Si-O]n，同时高温会使得SiO2有轻微的熔渗到瓷砖表面，相当于在表面釉层增加Si-O结构，达到稳定深色砖耐磨等级的作用。
优选地，所述硅烷为辛基三乙氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷。
优选地，所述硅酸酯为正硅酸四乙酯、四甲氧基硅烷。
优选地，所述酸催化剂为盐酸或冰乙酸。
优选地，所述硅溶胶的制备步骤包括：将无水乙醇、甲基氯化镁、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷(KH-560)混合后反应30min，得到A组分；无水乙醇、甲基氯化镁、KH-560的质量比为(20-30)：1：(1.1.-3.1)；
再将无水乙醇、酸催化剂、正硅酸四乙酯和组分A搅拌混合均匀，四者的质量比为(17-20)：(0.5-0.7)：1：(1.13.-1.49)，陈化至少7天得到硅溶胶。本方案获得一种特殊的硅溶胶，该硅溶胶施加在成品砖表面后耐磨性可以得到进一步提升。具体的，通过甲基氯化镁和KH-560进行环氧结构开环合成，将Mg-O接枝在三乙氧基硅烷上，再通过与正硅酸四乙酯进行酸催化反应，最后通过加热去甲基(-CH3)得到Mg-O-R-[O-Si-O]n的结构。
除此之外，本发明还提出一种耐磨瓷砖，由上述任一项所述的耐磨瓷砖的制备工艺制备得到。耐磨瓷砖具有上述制备工艺相同的有益效果，在此不再一一赘述。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：本方案采用硅酸酯、硅烷、催化剂等原料，通过化学自组装方式在瓷砖表面形成杂化SiO2膜，再通过350-400℃的高温处理将多余的甲基基团，表面剩余[O-Si-O]n，同时高温会使得SiO2有轻微的熔渗到瓷砖表面，相当于在表面釉层增加Si-O结构，达到稳定砖面耐磨等级的作用。由于至少在瓷砖的表面施加了2次硅溶胶，形成的杂化Si-O-Si纳米膜层并不会影响瓷砖原本的颜色及纹理，反而会提高(哑光)成品砖的通透性，即，获得的耐磨瓷砖较于原始的成品砖光泽度和光感均不变，但耐磨性有大幅提升。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅为本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为原始成品瓷砖和本发明制得的耐磨瓷砖在经过耐磨等级测试后的实物图，左侧为原始成品瓷砖(有明显磨损痕迹)，右侧为耐磨瓷砖。
本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
一种耐磨瓷砖的制备工艺，包括如下步骤：
在成品瓷砖上施加至少两次硅溶胶；
将施加有硅溶胶的所述成品瓷砖进行烘烤处理，得到所述耐磨瓷砖。所述烘烤温度为350-450℃，烘烤时间为60-120min。
施加所述硅溶胶的方式包括提拉、喷涂或滚涂；采用提拉的方式施加所述硅溶胶时，将所述成品瓷砖浸没在所述硅溶胶内，第一次提拉的速度为1600-1800um/s，静置10-20min取出；再次将所述成品瓷砖浸没在所述硅溶胶内，第二次提拉的速度为1000-1200um/s，静置10-20min取出；
部分瓷砖由于经过磨边或抛光处理，表面存在较多杂质。因此，本方案针对这类瓷砖还可以增加清洁工序：将待镀膜成品瓷砖置于超声波清洗机中进行超声处理，时长为10min左右；取出后置于烘箱中，于120℃干燥30min，避免成品瓷砖的水分过多影响后续的镀膜工序，干燥后取出冷却至室温。
所述硅溶胶的制备步骤包括：
将包括乙醇、酸催化剂、硅酸酯和硅烷的原料于室温下搅拌混合均匀，陈化至少7天，得到所述硅溶胶。所述硅烷为辛基三乙氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷；所述硅酸酯为正硅酸四乙酯、三甲氧基硅烷；所述酸催化剂为盐酸或冰乙酸。
或，所述硅溶胶的制备步骤包括：将无水乙醇、甲基氯化镁、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷混合后反应30-60min，得到A组分；将无水乙醇、酸催化剂、正硅酸四乙酯和组分A搅拌混合均匀，陈化至少7天得到硅溶胶。
以下结合具体实施例对本发明的技术方案作进一步详细说明，应当理解，以下实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本方案中下述实施例和对比例采用的成品瓷砖为清远市简一陶瓷有限公司生产的批次为D9185880BS的深灰色砖(深色砖)、D9185914BS的米灰色砖(浅色砖)。
空白组
清远市简一陶瓷有限公司生产的D9185880BS深灰色砖、D9185914BS浅色砖(原始的成品瓷砖)。
实施例1
一种耐磨瓷砖的制备工艺，包括如下步骤：
将成品瓷砖(上述深色砖、浅色砖)放入烧杯中加满水，在超声波清洗机超声处理10min，取出放入烘箱中于120℃烘烤30min，取出后冷却；
将硅溶胶装入500ml烧杯中，将装有硅溶胶的烧杯放置于浸渍提拉机夹具的正下方，将清洗后的成品瓷砖固定在夹具上进行提拉工序；提拉时空气湿度尽量控制在30％以内，再将成品瓷砖浸没在硅溶胶内，第一次提拉的速度为1700um/s，静置15min后取出(取出后瓷砖表面的杂化SiO2膜会立即成型)；1min之后再次将成品瓷砖浸没在硅溶胶内，第二次提拉的速度为1150um/s，静置20min后，将镀膜成品瓷砖放入马弗炉中，于350℃烘烤1h；
所述硅溶胶的制备步骤包括：将434g无水乙醇、18g盐酸(0.1M)、26g TEOS(正硅酸四乙酯)和22g MTEOS(甲基三乙氧基硅烷)混合后密封，在室温下搅拌2h，搅拌速度为500r/min，搅拌均匀后置于阴凉处陈化7天。上述实施例瓷砖表面获得的膜层重复结构为：-[Si4O7]n-。
实施例2
一种耐磨瓷砖的制备工艺，包括如下步骤：
将成品瓷砖(D9185880BS深灰色砖、D9185914BS浅色砖)放入烧杯中加满水，在超声波清洗机超声处理12min，取出放入烘箱中于115℃烘烤35min，取出后冷却；
将硅溶胶装入500ml烧杯中，将装有硅溶胶的烧杯放置于浸渍提拉机夹具的正下方，将清洗后的成品瓷砖固定在夹具上进行提拉工序；提拉时空气湿度尽量控制在30％以内，再将成品瓷砖浸没在硅溶胶内，第一次提拉的速度为1600um/s，静置20min后取出；1min之后再次将成品瓷砖浸没在硅溶胶内，第二次提拉的速度为1100um/s，静置20min后，将镀膜成品瓷砖放入马弗炉中，于380℃烘烤1.5h；
所述硅溶胶的制备步骤包括：将421.4g无水乙醇、18g盐酸(0.1M)、26g TEOS(正硅酸四乙酯)和34.6g辛基三乙氧基硅烷混合后密封，在室温下搅拌2h，搅拌速度为500r/min，搅拌均匀后置于阴凉处陈化7天。上述实施例瓷砖表面获得的膜层重复结构为：C8H17-[Si2O3.5]n-。
对比例1
本对比例中各项制备步骤和参数与实施例1相同，不同之处在于：对比例1中仅在瓷砖表面进行了一次提拉工序来施加硅溶胶。
对比例2
本对比例中各项制备步骤和参数与实施例1相同，不同之处在于：对比例2中的陈化时间仅为5天。
将空白组、实施例1-2及对比例1-2的瓷砖进行性能检测，具体的检测结果如下表所示：
注：1.瓷砖耐磨等级测试采用GB/T 3810.7-2016进行测试(钢珠+刚玉粉进行研磨，以转速等级来表征)，由于该测试结果中是对已磨损的试样与未磨损的试样进行观察对比，通过是否可观察到可见磨损痕迹来评价有釉砖的耐磨性，而浅色砖磨损后的内表较深色砖磨损后的内表更为不明显，因此，米灰色砖(浅色砖)比深灰色砖(深色砖)的耐磨等级高一些；“合格”是指通过750转或1500转的耐磨测试，“不合格”则是未通过；
2.耐候性测试：采用氙灯老化测试仪模拟自然环境下日光老化，根据
《GB16259-2008》的内容修改设置程序1(程序1单次循环为42min/温度38℃/黑板温度63℃/湿度65％/光强380nm/无喷淋→18min/温度38℃/黑板温度63℃/湿度65％/光强420nm/有喷淋→20min/温度20℃/黑板温度38℃/湿度38％/光强0(无光照)/无喷淋)，进行氙灯老化测试循环30次后(总辐照量约为60Kw·h-1·m2)，观测膜层情况是否出现色差、黄变、脱落现象；
3.耐腐蚀性测试：按GB/T 3810.13-2016测试0.1mol/L的盐酸浸泡24h和饱和氢氧化钙(参考氢氧化钾)8h后的膜层情况是否出现泛白、脱落、腐蚀痕迹。
由上表中空白组和实施例1-2的测试结果可知，较于原始的成品瓷砖，本方案的成品瓷砖在表面镀膜后，获得的耐磨瓷砖耐磨等级有较大幅度的提升，而光(泽)度和装饰效果与原始成品瓷砖保持不变。此外，成品瓷砖表面形成的膜层还具有较好的耐候性和耐腐蚀性，不容易在瓷砖表面脱落，具有较长的使用寿命。
由实施例1与对比例1-2的检测结果可知，当仅在瓷砖表面进行一次提拉镀膜时，获得的膜层表面具有较为明显的“泛彩”效果，将会影响原始成品瓷砖表面纹理图案的呈现；而陈化时间过短时，瓷砖表面形成的膜层不太完整(存在小凸点)，耐磨性能较差。
实施例3
一种耐磨瓷砖的制备工艺，包括如下步骤：
将成品瓷砖(上述深色砖、浅色砖)放入烧杯中加满水，在超声波清洗机超声处理12min，取出放入烘箱中于115℃烘烤35min，取出后冷却；
将硅溶胶装入500ml烧杯中，将装有硅溶胶的烧杯放置于浸渍提拉机夹具的正下方，将清洗后的成品瓷砖固定在夹具上进行提拉工序；提拉时空气湿度尽量控制在30％以内，再将成品瓷砖浸没在硅溶胶内，第一次提拉的速度为1600um/s，静置20min后取出；1min之后再次将成品瓷砖浸没在硅溶胶内，第二次提拉的速度为1200um/s，静置20min后，将镀膜成品瓷砖放入马弗炉中，于400℃烘烤1.5h；
硅溶胶的制备步骤包括：将429.7g无水乙醇、15g甲基氯化镁和55.3gKH-560混合后反应30min，得到A组分；再将147g无水乙醇、18g盐酸(0.1M)、26g TEOS(正硅酸四乙酯)和309gA组分混合后密封，在室温下搅拌2.5h，搅拌速度为500r/min，搅拌均匀后置于阴凉处陈化7天。上述实施例瓷砖表面获得的膜层重复结构为：Mg-O-C3H6-O-C3H6-[Si2O3.5]n-。
将实施例3获得的耐磨瓷砖进行性能检测，具体的检测结果如下表所示：
由实施例3的检测结果可知，本实施例中的硅溶胶原料中引入了甲基氯化镁，将该硅溶胶通过提拉工艺施加在成品砖表面后，其耐磨性可以得到进一步提升，此外，光泽度有小幅度的改善，耐候性和耐腐蚀性同样较好。
当然，瓷砖上施加的硅溶胶也可以进行3次提拉工序，3次提拉后的获得的耐磨瓷砖耐磨等级与2次提拉时的耐磨等级近似，但由于成本更大、生产周期更长，因此，在实际生产中多仅进行二次提拉工序。
实施例4
本实施例中各项制备步骤和参数与实施例1相同，不同之处在于，提拉速度不同，详见下表：
| 第一次提拉的速度 | 第二次提拉的速度 | |
| 实施例1 | 1700um/s | 1150um/s |
| 实施例4-1 | 1600um/s | 1200um/s |
| 实施例4-2 | 1800um/s | 1100um/s |
| 实施例4-3 | 1500um/s | 1000um/s |
| 实施例4-4 | 1450um/s | 1300um/s |
将实施例4获得的耐磨瓷砖进行性能检测，具体的检测结果如下表所示：
由实施例4的检测结果可知，限定两次提拉的速度对瓷砖表面膜层是否会“泛彩”有较大影响，将第一次提拉的速度限定为1600-1800um/s，第二次提拉的速度为1000-1200um/s时，获得的耐磨瓷砖表面不会“泛蓝”，原始成品瓷砖的图案、纹理装饰效果可以得到较好的呈现。
实施例5
本实施例中各项制备步骤和参数与实施例1相同，不同之处在于，烘烤温度不同，详见下表：
| 烘烤温度 | |
| 实施例1 | 350℃ |
| 实施例5-1 | 380℃ |
| 实施例5-2 | 400℃ |
| 实施例5-3 | 420℃ |
| 实施例5-4 | 450℃ |
| 实施例5-5 | 320℃ |
将实施例5获得的耐磨瓷砖进行性能检测，具体的检测结果如下表所示：
由实施例5的检测结果可知，烘烤温度主要是对瓷砖的耐磨性和耐候性有影响，本方案优选的烘烤温度为350-450℃，在该温度范围内，具有较好的耐磨效果和耐候性。当温度低于350℃，耐磨等级变差，耐候性也有所降低，出现膜层脱落的情况。
实施例6
一种耐磨瓷砖的制备工艺，包括如下步骤：
将成品瓷砖(上述深色砖、浅色砖)放入烧杯中加满水，在超声波清洗机超声处理10min，取出放入烘箱中于120℃烘烤30min，取出后冷却；
将硅溶胶装入500ml烧杯中，将装有硅溶胶的烧杯放置于浸渍提拉机夹具的正下方，将清洗后的成品瓷砖固定在夹具上进行提拉工序；提拉时空气湿度尽量控制在30％以内，再将成品瓷砖浸没在硅溶胶内，第一次提拉的速度为1600um/s，静置10min后取出；1min之后再次将成品瓷砖浸没在硅溶胶内，第二次提拉的速度为1200um/s，静置10min后，将镀膜成品瓷砖放入马弗炉中，于400℃烘烤90min；
硅溶胶的制备步骤包括：将225g无水乙醇、10g甲基氯化镁和15g KH-560混合后反应60min，得到A组分；再将351g无水乙醇、15.5g盐酸(0.1M)、8.5g TEOS(正硅酸四乙酯)和125gA组分混合后密封，在室温下搅拌2h，搅拌速度为500r/min，搅拌均匀后置于阴凉处陈化7天。
将实施例6获得的耐磨瓷砖进行性能检测，具体的检测结果如下表所示：
注：实施例6的耐候性测试采用氙灯老化测试仪程序1循环测试50次后(总辐照量提高为100Kw·h-1·m2)观测膜层情况。
由实施例6的检测结果可知，在对提拉速度、烘烤温度和硅溶胶制备原料的质量比进行优选限定后，深色砖的耐磨等级可提升至1500转3级，浅色砖的耐磨等级可以提升至2100转4级，光泽度保持在哑光砖的范围内，耐候性得到进一步的改善。此外，瓷砖表面在任何角度下均不会出现泛彩的现象，具有较好的装饰效果。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种耐磨瓷砖的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：
在成品瓷砖上施加至少两次硅溶胶；
将施加有硅溶胶的所述成品瓷砖进行烘烤处理，得到所述耐磨瓷砖。
2.根据权利要求1所述的耐磨瓷砖的制备工艺，其特征在于，所述硅溶胶的制备步骤包括：将包括乙醇、酸催化剂、硅酸酯和硅烷的原料于室温下搅拌混合均匀，陈化至少7天，得到所述硅溶胶。
3.根据权利要求1所述的耐磨瓷砖的制备工艺，其特征在于，施加所述硅溶胶的方式包括提拉、喷涂或滚涂。
4.根据权利要求1或3所述的耐磨瓷砖的制备工艺，其特征在于，采用提拉的方式施加所述硅溶胶时，将所述成品瓷砖浸没在所述硅溶胶内，第一次提拉的速度为1600-1800um/s，静置10-20min取出；
再次将所述成品瓷砖浸没在所述硅溶胶内，第二次提拉的速度为1000-1200um/s，静置10-20min取出。
5.根据权利要求1所述的耐磨瓷砖的制备工艺，其特征在于，所述烘烤温度为350-450℃，烘烤时间为60-120min。
6.根据权利要求2所述的一种耐磨瓷砖的制备工艺，其特征在于，所述硅烷为辛基三乙氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷。
7.根据权利要求2所述的一种耐磨瓷砖的制备工艺，其特征在于，所述硅酸酯为正硅酸四乙酯、四甲氧基硅烷。
8.根据权利要求2所述的一种耐磨瓷砖的制备工艺，其特征在于，所述酸催化剂为盐酸或冰乙酸。
9.根据权利要求1或2所述的一种耐磨瓷砖的制备工艺，其特征在于，所述硅溶胶的制备步骤包括：
将无水乙醇、甲基氯化镁、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷混合后反应30-60min，得到A组分；
将无水乙醇、酸催化剂、正硅酸四乙酯和组分A搅拌混合均匀，陈化至少7天得到硅溶胶。
10.一种耐磨瓷砖，其特征在于，由权利要求1-9任一项所述的耐磨瓷砖的制备工艺所制备得到。
Priority Applications (1)
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| CN202410107602.0A CN117964401A (zh) | 2024-01-25 | 2024-01-25 | 一种耐磨瓷砖及其制备工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN117964401A true CN117964401A (zh) | 2024-05-03 |
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ID=90863686
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| Country | Link |
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