CN117950249A - 摄像头模块以及光学装置 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种摄像头模块和光学装置。摄像头模块包括：印刷电路板；设置在所述印刷电路板上的图像传感器；设置在所述印刷电路板上的基座；设置在所述基座上的线轴；驱动磁体和线圈，所述驱动磁体和线圈被配置成在光轴方向上移动所述线轴；传感器，所述传感器被配置成感测所述线轴在所述光轴方向上的移动；设置有所述传感器的基板；设置在所述印刷电路板与所述基座之间的传感器基座；以及与所述线轴耦接的透镜，其中，所述基板包括设置在所述基板的外侧表面上的端子，并且其中，所述基板的所述端子被环氧树脂覆盖。

Description

摄像头模块以及光学装置
本申请为于2022年4月24日提交、申请号为202210451416.X、发明名称为“摄像头模块以及光学装置”的一代分案申请的二代分案申请。上述一代分案申请为于2019年4月29日提交、申请号为201780067478.8、发明名称为“摄像头模块、双摄像头模块、光学装置及和用于制造双摄像头模块的方法”的中国专利申请的分案申请。上述一代分案申请的母案申请的国际申请日为2017年11月1日，国际申请号为PCT/KR2017/012285。
技术领域
根据本发明的示例性和非限制性实施方式的教导一般涉及摄像头模块、双摄像头模块、光学装置及用于制造双摄像头模块的方法。
背景技术
该部分提供了与本发明有关但不一定是现有技术的背景信息。
伴随着各种移动终端的广泛使用的普及以及无线因特网服务的商业化，消费者的与移动终端相关的需求也变得多样化，以允许各种类型的外围设备安装在移动终端上。在其代表性项目中，提到了以图片或视频拍摄对象的摄像头模块。摄像头模块包括：AF(autofocus，自动对焦)摄像头模块，其具有执行响应于至对象的距离自动调节焦距的AF功能的功能；和OIS(optical image stabilization，光学图像稳定)摄像头模块，其具有在拍摄对象时校正用户的手抖(handshake)的功能。
传统的双摄像头模块的缺点在于，在将两个图像传感器安装在PCB(printcircuit board，印刷电路板)上之后，无法在两个图像传感器对准之后对其进行调整，并且两个图像传感器之间的对准由于热或震动而扭曲。
此外，当两个透镜驱动装置被靠近地布置以获得双摄像头的良好性能时，两个透镜驱动装置中的任何一个透镜驱动装置上的磁体的磁力会有问题地影响另一个透镜驱动装置。
另一个问题是，根据设计，可以在摄像头模块中缩短图像传感器的上端和透镜的下端之间的距离，并且在这种情况下，向图像传感器和PCB施加电力的配线可能有问题地干扰传感器基座。
目前的趋势是，伴随着摄像头模块中的透镜的高性能要求，透镜和镜筒各自的直径都增加。然而，与透镜和镜筒的增加的直径不同，透镜驱动装置和传感器基座之间的粘合区域变得相对减小，从而在跌落测试或翻滚测试期间不利地产生透镜驱动装置的脱离。
发明内容
技术主题
本发明的第一示例性实施方式提供了一种双摄像头模块，其被配置成通过在两个图像传感器之间添加柔性材料来在安装两个图像传感器之后调整和对准两个图像传感器(尽管是单个PCB)。此外，本发明提供一种包括双摄像头模块的光学装置。本发明还提供了一种用于制造双摄像头模块的方法。
本发明的第二示例性实施方式提供了一种双摄像头模块，其被配置成使相互影响对两个平行布置的透镜驱动装置的两个磁体的影响的现象最小化。特别地，本发明提供了一种双摄像头模块，其被配置成使各自具有AF反馈功能的两个平行OIS模块中设置有任何一个感测磁体的线轴因另一磁体而从常规位置脱离或倾斜的现象最小化。本发明还提供了一种包括双摄像头模块的光学装置。
本发明的第三示例性实施方式提供了一种摄像头模块，其被配置成具有防止使图像传感器和PCB电导通的配线被传感器基座干扰的结构。本发明还提供了一种包括摄像头模块的光学装置。
本发明的第四示例性实施方式提供了一种摄像头模块，其被配置成具有如下结构，在该结构中，增强了将透镜驱动装置粘附至传感器基座的粘合剂的粘合强度。本发明还提供了一种包括摄像头模块的光学装置。
技术解决方案
根据第一示例性实施方式的双摄像头模块可以包括：第一刚性基板，在第一刚性基板上布置有第一图像传感器；第二刚性基板，第二刚性基板与第一基板间隔开并且在第二刚性基板上布置有第二图像传感器；第三基板，第三基板连接至第一基板和第二基板；以及用于将第一基板连接至第二基板的柔性连接单元，其中，第一基板包括第一侧表面，第二基板包括面向第一侧表面的第二侧表面，并且连接单元将第一基板的第一侧表面连接至第二基板的第二侧表面。
第三基板可以包括本体部、从本体部延伸并连接至第一基板的第一连接部、以及从本体部延伸并连接至第二基板的第二连接部，其中，第一连接部可以与第二连接部间隔开。
第一基板可以包括与第一侧表面相邻的第三侧表面，第二基板可以包括与侧表面相邻的第四侧表面，第一连接部可以连接至第三侧表面，并且第二连接部可以连接至第四侧表面。
第一连接部可以连接至第三侧表面、偏向第三侧表面的两个角中的靠近第二基板的角，并且第二连接部可以连接至四侧表面、偏向第四侧表面的两个侧角中的靠近第一基板的角。
第三基板可以是柔性PCB(柔性印刷电路板)，并且本体部可以设置有连接至外部的连接器。
连接单元可以包括第一移动部和与第一移动部间隔开的第二移动部，其中，第一移动部与第二移动部相接的区域和第二移动部与第一侧表面相接的区域可以关于第一侧表面的中心对称。
第一移动部和第二移动部可以在与第一侧表面平行的截面的截面区域的至少一部分中变小，以允许与第一基板和第二基板间隔开。
连接单元可以具有绝缘特性，并且可以没有用导线形成。
双摄像头模块还可以包括设置在第一基板的下表面和第二基板的下表面处的加强件，并且第一基板和第二基板可以通过用于AA(主动对准)的环氧树脂耦接至加强件。
连接单元可以与第一基板和第二基板一体地形成。
连接单元在宽度方向上的长度可以大于第一基板的第一侧表面在长边方向上的长度的50％，连接单元的宽度方向和第一侧表面的长边方向可以是平行的。
根据第一示例性实施方式的双摄像头模块可以包括：
第一刚性基板，在第一刚性基板上布置有第一图像传感器；第二刚性基板，第二刚性基板与第一基板间隔开并且在第二刚性基板上布置有第二图像传感器；第三基板，其连接至第一基板和第二基板；以及连接部，其设置在第三基板处并且电连接至外部元件，其中，第一基板可以包括第一侧表面，第二基板可以包括面向第一侧表面的第二侧表面，并且其中，第一基板可以包括与第一侧表面相邻的第三侧表面，并且第二基板可以包括与第二侧表面相邻的第四侧表面，并且其中，第三基板可以在第三侧表面处连接至第一基板，第三基板可以在第四侧表面处连接至第二基板，并且第三侧表面和连接部之间的分开距离可以对应于连接部和第四侧表面之间的分开距离。
根据第一示例性实施方式的光学装置可以包括：
主体；
设置在主体上的双摄像头模块；以及
显示部，其设置在主体的一个表面处，以输出由双摄像头模块拍摄的图像，其中，双摄像头模块可以包括：
第一刚性基板，在第一刚性基板上布置有第一图像传感器；第二刚性基板，第二刚性基板与第一基板间隔开并且在第二刚性基板上布置有第二图像传感器；第三基板，其连接至第一基板和第二基板；用于将第一基板连接至第二基板的柔性连接单元，其中，第一基板包括第一侧表面，第二基板包括面向第一侧表面的第二侧表面，并且连接单元将第一基板的第一侧表面连接至第二基板的第二侧表面。
根据第一示例性实施方式的用于制造双摄像头模块的方法可以包括：
将第一图像传感器安装在第一基板上，并将第二图像传感器安装在第二基板上，第二基板与第一基板间隔开并通过连接单元连接至第一基板；
将通过第一透镜模块耦接的第一透镜驱动装置耦接至第一基板；
将通过第二透镜模块耦接的第二透镜驱动装置耦接至第二基板；
将第一基板耦接至加强件；以及
将第二基板耦接至加强件。
将第一透镜驱动装置耦接至第一基板的步骤可以包括：
在第一基板和第一透镜驱动装置通过第一环氧树脂临时粘合的同时，通过将第一透镜模块与第一图像传感器对准来固化(硬化)第一环氧树脂，以及
将第二透镜驱动装置耦接至第二基板的步骤可以包括：
在第二基板和第二透镜驱动装置通过第一环氧树脂临时粘合的同时，通过将第二透镜模块与第二图像传感器对准来固化(硬化)第二环氧树脂，以及
将第二基板耦接至加强件的步骤可以包括：
在第二基板和加强件通过第三环氧树脂临时粘合的同时，通过将第一图像传感器与第二图像传感器对准来固化(硬化)第三环氧树脂。
根据第二示例性实施方式的OIS和OIS双摄像头模块可以提供VCM(音圈电机)、摄像头模块和手机，VCM被配置成减少双摄像头模块中的驱动磁体的部分并且将两个模块保持在最小距离。
第二示例性实施方式可以包括如下结构，在该结构中，感测磁体可以对称地布置，并且产品之间的驱动磁体以最大距离保持。
第二示例性实施方式可以包括如下结构，在该结构中，两个摄像头模块具有相同的致动器结构。
第二示例性实施方式可以被配置为允许OIS霍尔IC与磁体的一部分或全部交叠。此外，第二示例性实施方式可以被配置为允许OIS霍尔IC在驱动时与磁体的一部分或全部交叠。
在第二示例性实施方式中，CLAF(闭环自动对焦)中的AF霍尔IC可以以对称方向设置，并且OIS霍尔IC可以设置在直线部上。
根据第二示例性实施方式的双摄像头模块可以包括：
第一透镜驱动装置，其包括第一壳体，设置在第一壳体内部的第一线轴；设置在第一壳体上的第一磁体；设置在第一线轴处并面向第一磁体的第一线圈；设置在第一壳体下方的第一基座；第一基板，其包括第一电路构件，第一电路构件具有设置成面向第一壳体和第一基座之间的第一磁体的第二线圈；设置在第一线轴处的第一感测磁体；以及设置在第一壳体处以检测第一感测磁体的第一霍尔传感器；和
第二透镜驱动装置，其包括：第二壳体；设置在第二壳体内部的第二线轴；设置在第二壳体上的第二磁体；设置在第二线轴处并面向第二磁体的第三线圈；设置在第二壳体下方的第二基座；第二基板，其包括第二电路构件，第二电路构件具有设置成面向第二壳体和第二基座之间的第二磁体的第四线圈；设置在第二线轴处的第二感测磁体；以及设置在第二壳体处以检测第二感测磁体的第二霍尔传感器，其中，第一透镜驱动装置可以与第二透镜驱动装置间隔开并且彼此相互面向的表面可以平行布置，第一霍尔传感器可以设置在第一壳体的多个角部中的与第二感测磁体间隔最远的角部处，并且第二霍尔传感器可以设置在第二壳体的多个角部中的与第一霍尔传感器间隔最远的角部处。
第一透镜驱动装置还可以包括第一补偿磁体，第一补偿磁体设置在第一线轴处并且与第一感测磁体关于第一光轴对称地形成，第二透镜驱动装置还可以包括第二补偿磁体，第二补偿磁体设置在第二线轴处并且与第二感测磁体关于第二光轴对称地形成。
第一壳体可以包括第一侧表面、面向第一侧表面的第三侧表面、以及在第一和第三侧表面之间的彼此面对的第二和第四侧表面，第二壳体可以包括面向第一侧表面的第五侧表面、面向第五侧表面的第七侧表面、以及在第五和第七侧表面之间的彼此面向的第六和第八侧表面，并且第一霍尔传感器可以设置在第二和第三侧表面之间的角部处，并且第二霍尔传感器可以设置在第六和第七侧表面之间的角部处。
第一磁体可以包括各自设置在第一壳体的第一至第四侧表面处的第一至第四侧磁体，第二磁体可以包括各自设置在第二壳体的第五至第八侧表面处的第五至第八侧磁体，并且第一至第八侧磁体中的每个可以采用平板形状。
第一至第四侧磁体可以与第五至第八侧磁体关于作为假想直线的第一虚拟线对称，并且第一虚拟线可以设置在包括第一光轴和第二光轴的假想平面上，并且可以与第一光轴和第二光轴平行。
第一至第四侧磁体可以关于第一光轴相互对称，并且第五至第八侧磁体可以关于第二光轴相互对称。
第一磁体可以不与第五磁体在垂直于第一光轴的方向上交叠。
第一壳体可以包括设置在第一至第四侧表面之间的第一至第四角部，第一侧磁体可以设置成相比于第四角部更靠近第一角部，第二侧磁体可以设置成相比于第二角部更靠近第一角部，第三侧磁体可以设置成相比于第二角部更靠近第三角部，第四侧磁体可以设置成相比于第四角部更靠近第三角部，第二壳体可以包括设置在第五至第八侧表面之间的第五至第八角部，第五侧磁体可以设置成相比于第八角部更靠近第五角部，第六侧磁体可以设置成相比于第六角部更靠近第五角部，第七侧磁体可以设置成相比于第六角部更靠近第七角部，并且第八侧磁体可以设置成相比于第八角部更靠近第七角部。
第一感测磁体可以设置在第一线轴的与第一壳体的第二侧表面和第三侧表面之间的角部面对的侧表面处，并且第二感测磁体可以设置在第二线轴的与第二壳体的第六和第七侧表面之间的角部面对的侧表面处。
第一侧表面可以设置成与第五侧表面平行，并且第一侧表面可以与第五侧表面在垂直于第一光轴的方向上交叠。
第一透镜驱动装置还可以包括容纳至第一壳体内部中的第一盖构件，并且第二透镜驱动装置还可以包括容纳至第二壳体内部中的第二盖构件，其中，第一盖构件可以与第二盖构件间隔开1mm至5mm。
第一和第二霍尔传感器中的至少一个可以包括温度检测功能。
第一透镜驱动装置还可以包括：第一上弹性构件，其设置在第一线轴的上侧并耦接至第一线轴和第一壳体；第一下弹性构件，其设置在第一线轴的下侧并耦接至第一线轴和第一壳体；以及第一支承构件，其耦接至第一上弹性构件和第一基板，并且第二透镜驱动装置还可以包括：第二上弹性构件，其设置在第二线轴的上侧并耦接至第二线轴和第二壳体；第二下弹性构件，其设置在第二线轴的下侧并且耦接至第二线轴和第二壳体；以及第二支承构件，其耦接至第二上弹性构件和第二基板。
根据第二示例性实施方式的双摄像头模块还可以包括：
PCB；
设置在PCB上的第一图像传感器；
第二图像传感器，其设置在PCB上并与第一图像传感器间隔开；
第一透镜，其设置在与第一图像传感器的位置相对的位置处并耦接至第一线轴；以及
第二透镜，其设置在与第二图像传感器的位置相对的位置处并耦接至第二线轴。
根据第二示例性实施方式的光学装置可以包括：
主体；
双摄像头模块，其设置在主体上以拍摄对象的图像；以及
显示部，其输出由双摄像头模块拍摄的图像，其中，双摄像头模块可以包括：
第一透镜驱动装置，其包括：第一壳体；设置在第一壳体内侧的第一线轴；设置在第一壳体处的第一磁体；设置在第一线轴处并面向第一磁体的第一线圈；设置在第一壳体下方的第一基座；第一基板，其包括第一电路构件，该第一电路构件具有设置成面向第一壳体和第一基座之间的第一磁体的第二线圈；设置在第一线轴上的第一感测磁体；以及第一霍尔传感器，其设置在第一壳体处以检测第一感测磁体；和
第二透镜驱动装置，其包括：第二壳体；设置在第二壳体内侧的第二线轴；设置在第二壳体处的第二磁体；设置在第二线轴处以面向第二磁体的第三线圈；设置在第二壳体下方的第二基座；第二基板，其包括第二电路构件，第二电路构件具有设置成面向第二壳体和第二基座之间的第二磁体的第四线圈；设置在第二线轴上的第二感测磁体；以及第二霍尔传感器，其设置在第二壳体处以检测第二感测磁体，其中
第一透镜驱动装置可以与第二透镜驱动装置间隔开，并且彼此相互面对的表面可以设置为平行，并且第一霍尔传感器可以设置在第一壳体的多个角部中的与第二感测磁体间隔最远的角部处，并且第二霍尔传感器可以设置在第二壳体的多个角部中的与第一霍尔传感器间隔最远的角部处。
当应用短透镜时，可以使用FBL(法兰后焦)，以增加根据第三示例性实施方式的摄像头模块中的透镜设计性能。此时，FBL是从镜筒的下端到图像传感器的顶表面的距离。此外，当腔PCB(腔印刷电路板)应用于根据本示例性实施方式的细长摄像头模块时，可以使用FBL(法兰后焦)。
根据第三示例性实施方式，可以在传感器基座的内侧形成台阶(阶梯)形状。第三示例性实施方式中的透镜FBL可以短至0.80mm至0.89mm，或者当应用腔PCB时可以是1.00mm至1.09mm。
根据第三示例性实施方式的摄像头模块可以包括：
PCB；
设置在PCB的顶表面处的图像传感器；
配线，其连接至图像传感器的顶表面并连接至PCB的顶表面；
本体部，其具有设置在图像传感器上侧处的通孔；
传感器基座，其包括从本体部的周边延伸到下侧以设置在PCB的顶表面上的支承部，其中
本体部的下表面可以包括形成在支承部内侧的第一表面、形成在第一表面内侧的第二表面和形成在第二表面内侧的第三表面，并且其中
第二表面可以设置在比第一表面低的一侧，第三表面可以设置在比第二表面低的一侧，配线的上端可以与第二表面在图像传感器的光轴方向上交叠并且可以设置在第三表面的外侧。
将第三表面连接至第二表面的边界可以与图像传感器在光轴方向上交叠。
边界可以包括与第三表面或第二表面形成钝角或锐角的倾斜部。
电路元件可以置于PCB的第一表面和顶表面之间。
摄像头模块还可以包括设置在与通孔的位置相对应的位置处的滤波器，其中，滤波器可以设置在通过允许传感器基座的一部分凹入而形成的接收表面上。
传感器基座的形成通孔的内表面可以与第三表面形成钝角，并且可以形成为与接收表面形成锐角的倾斜部。
PCB可以包括通过允许PCB的顶表面的一部分凹入而形成的腔表面，并且图像传感器可以设置在腔表面上，并且配线可以连接至图像传感器的顶表面以及连接至PCB的顶表面。
图像传感器的顶表面与第三表面之间的距离可以为0.14mm至0.16mm，第三表面与第二表面之间的距离可以为0.02mm至0.03mm。
第三表面与接收表面之间的距离可以为0.19mm至0.21mm，接收表面与传感器基座的顶表面之间的距离可以为0.23mm至0.29mm，并且传感器基座的顶表面与镜筒的下端之间的距离可以为0.15mm至0.20mm。
第三表面和第二表面之间的距离可以是第三表面和接收表面之间的距离的10％至15％。
摄像头模块还可以包括设置在传感器基座的上侧的透镜驱动装置和耦接至透镜驱动装置的透镜模块，其中，透镜驱动装置可以与传感器基座的顶表面主动地对准。
透镜模块可以包括镜筒和容纳在镜筒中的至少一个透镜，其中镜筒的下端和图像传感器的顶表面之间的距离(即，FBL(法兰后焦))可以是为0.75至0.88。
从第三表面到传感器基座的顶表面的距离可以是图像传感器的厚度的1.20倍至1.67倍。
透镜驱动装置可以包括：壳体；设置在壳体内侧并耦接至透镜的线轴；设置在线轴外侧的线圈；设置在壳体处以面向线圈的磁体；以及耦接至线轴和壳体的弹性构件。
根据第三示例性实施方式的光学装置可以包括：
主体、设置在主体处以拍摄对象图像的摄像头模块、设置在主体上以拍摄对象的图像的摄像头模块、以及设置在主体处以输出由摄像头模块拍摄的图像的显示部，其中摄像模块包括：
PCB；
设置在PCB的顶表面处的图像传感器；
配线，其连接至图像传感器的顶表面并且连接至PCB的顶表面；
本体部，其具有设置在图像传感器上侧的通孔；
传感器基座，其包括从本体部的外侧延伸以设置在PCB的顶表面处的支承部，其中
本体部的下表面可以包括形成在支承部内侧的第一表面、形成在第一表面内侧的第二表面和形成在第二表面内侧的第三表面，并且其中
第二表面可以设置在低于第一表面的一侧，第三表面可以设置在低于第二表面的一侧，并且其中
配线的上端可以与第二表面在图像传感器的光轴方向上交叠，并且可以设置在第三表面的外侧。
根据第四示例性实施方式的摄像头模块可以包括：
PCB；
设置在PCB上的图像传感器；
设置在PCB的顶表面处的传感器基座；
耦接至传感器基座的透镜驱动装置；以及
置于传感器基座和透镜驱动装置之间的粘合剂，其中
粘合剂可以设置在透镜驱动装置的下表面和传感器基座的顶表面处，并且其中
传感器基座可以通过允许传感器基座的顶表面凹入来形成，并且可以包括容纳粘合剂的至少一部分的凹入的凹槽。
传感器基座可以包括：通孔，其形成在与图像传感器的位置相对应的位置处；以及滤波器接收部，其通过允许与传感器基座的顶表面中的通孔的圆周相对应的部分凹入而形成并且设置有滤波器，其中凹槽可以与滤波器接收部间隔开。
凹入的凹槽可以包括第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽形成在滤波器接收部和传感器基座的外侧表面之间并且相互间隔开，其中，第一凹槽可以设置成与第二凹槽平行、在在第二凹槽的基于滤波器接收部的相对侧处，并且第一凹槽和传感器基座的外侧表面之间的距离可以对应于第一凹槽和滤波器接收部之间的距离。
第一凹槽和第二凹槽可以与传感器基座的外侧表面间隔开，并且第一凹槽和第二凹槽中的每个可以沿虚拟直线直地延伸，并且第一凹槽和第二凹槽的延伸长度可以比在对应于滤波器接收部的方向上的长度长。
透镜驱动装置可以包括：
壳体；
设置在壳体内部的线轴；
设置在线轴上的线圈；
设置在壳体处以面向线圈的第一磁体；
耦接至线轴和壳体的弹性构件；
设置在线轴处的第二磁体；以及
设置在基板上以检测第二磁体的传感器，其中，基板可以设置在壳体的侧表面处。
根据第四示例性实施方式的光学装置可以包括主体、设置在主体上以拍摄对象的图像的摄像头模块、以及设置在主体上以输出由摄像头模块拍摄的图像的显示部，其中，摄像头模块可以包括：
PCB；
设置在PCB上的图像传感器；
设置在PCB的顶表面处的传感器基座；
耦接至传感器基座的透镜驱动装置；以及
置于传感器基座和透镜驱动装置之间的粘合剂，并且其中
粘合剂可以设置在透镜驱动装置的下表面和传感器基座的顶表面处，并且传感器基座可以通过允许传感器基座的顶表面凹入而形成，并且传感器基座包括容纳粘合剂的至少一部分的凹槽。
有益效果
通过允许在安装图像传感器之后使能对准，可以通过本发明的第一示例性实施方式减少处理缺陷率。与传统方法相比，可以改善图像传感器的对准质量。可以改善图像传感器与冲击和温度有关的对准变化。更具体地，尽管传统上PCB平坦度因冲击和温度而改变，随之图像传感器的对准改变，但是根据本示例性实施方式，即使存在PCB平坦度改变，也可以调整图像传感器的对准。
通过本发明的第二示例性实施方式，可以使双摄像头模块中的两个摄像头模块的磁体相互影响的磁影响最小化。通过该有利效果，可以使两个摄像头模块之间的分开距离最小化。
通过本发明的第三示例性实施方式，可以确保设置在传感器基座上的滤波器和设置在传感器基座的顶表面上的透镜驱动装置之间的距离。通过该有利效果，可以确保用于透镜对焦的AA(主动对准)空间。此外，通过滤波器损坏上的改善，可以确保冲击可靠性。通过第三示例性实施方式可以使光晕现象最小化。更具体地，可以使从金线和无源元件反射的光再次入射在透镜侧的现象最小化。通过不施加设置在滤波器上的黑掩模以防止传统的光晕现象可以有望成本降低。
通过本发明的第四示例性实施方式，可以防止在跌落测试和翻滚测试期间透镜驱动装置从传感器基座脱离的现象。
附图说明
图1是示出根据本发明第一示例性实施方式的双摄像头模块的PCB及其相关配置的透视图。
图2是示出根据第一示例性实施方式的双摄像头模块的透视图。
图3是根据第一示例性实施方式的第一摄像头模块的分解透视图。
图4是根据第一示例性实施方式的第一摄像头模块的动子的分解透视图。
图5是根据第一示例性实施方式的第一摄像头模块的定子的分解透视图。
图6是根据第一示例性实施方式的第一摄像头模块的AF支承构件的分解透视图。
图7是根据第一示例性实施方式的第二摄像头模块的分解透视图。
图8是根据第一示例性实施方式的第二摄像头模块的AF动子的分解透视图。
图9是根据第一示例性实施方式的第二摄像头模块的OIS动子的分解透视图。
图10是根据第一示例性实施方式的第二摄像头模块的定子的分解透视图。
图11是根据第一示例性实施方式的第二摄像头模块的AF支承构件的分解透视图。
图12是示出加强件耦接至图1中的第一基板和第二基板的状态的透视图。
图13是示出根据修改方式的双摄像头模块的PCB及其相关配置的透视图。
图14是示出根据另一修改方式的双摄像头模块的PCB及其相关配置的透视图。
图15是示出根据第二示例性实施方式的双摄像头模块的透视图。
图16是根据第二示例性实施方式的省略了一些元件的双摄像头模块的透视图。
图17是示出根据第二示例性实施方式的第一透镜驱动装置的分解透视图。
图18是示出根据第二示例性实施方式的第一AF动子及相关配置的分解透视图。
图19是根据第二示例性实施方式的第一OIS动子及其相关配置的分解透视图。
图20是根据第二示例性实施方式的第一定子及其相关配置的分解透视图。
图21是示出根据第二示例性实施方式的第一弹性构件、第一支承构件及其相关配置的分解透视图。
图22是示出根据第二示例性实施方式的省略了一些元件的第一透镜驱动装置的透视图。
图23是示出根据第二示例性实施方式的第二透镜驱动装置的分解透视图。
图24是示出根据第二示例性实施方式的第二AF动子及相关配置的分解透视图。
图25是示出根据第二示例性实施方式的第二OIS动子及相关配置的分解透视图。
图26是示出根据第二示例性实施方式的第二定子及相关配置的分解透视图。
图27是示出根据第二示例性实施方式的第二弹性构件、第二支承构件及其相关配置的分解透视图。
图28是示出根据第二示例性实施方式的省略了一些元件的第二透镜驱动装置的透视图。
图29是根据第二示例性实施方式的从平面看的双摄像头模块的一些元件的透视(概念)图。
图30是根据修改方式的从平面看的双摄像头模块的一些元件的透视(概念)图。
图31是根据第三示例性实施方式的摄像头模块的分解透视图。
图32是根据第三示例性实施方式的摄像头模块的一些元件的截面图。
图33是根据第三示例性实施方式的传感器基座的透视图。
图34是根据第三示例性实施方式的传感器基座的底部透视图。
图35是根据第三示例性实施方式的透镜驱动装置的透视图。
图36是根据第三示例性实施方式的透镜驱动装置的分解透视图。
图37是根据第三示例性实施方式的透镜驱动装置的一些元件的透视图。
图38是根据第三示例性实施方式的透镜驱动装置的一些元件的底部透视图。
图39是沿图35的A-A线截取的截面图。
图40是根据第三示例性实施方式的透镜驱动装置的一些元件的底视图。
图41是根据修改方式的摄像头模块的一些元件的截面图。
图42是根据第三示例性实施方式的光学装置的透视图。
图43是根据第四示例性实施方式的摄像头模块的透视图。
图44是根据第四示例性实施方式的摄像头模块的分解透视图。
图45是根据第四示例性实施方式的摄像头模块的截面图。
图46是图45中的一些元件的局部放大截面图。
图47是根据第四示例性实施方式的摄像头模块的传感器基座的透视图。
图48是根据第四示例性实施方式的摄像头模块的传感器基座的底部透视图。
图49是根据第四示例性实施方式的修改方式的摄像头模块的传感器基座的透视图。
图50是根据基于第四示例性实施方式的另一示例性实施方式的透镜驱动装置的透视图。
图51是根据基于第四示例性实施方式的另一示例性实施方式的透镜驱动装置的分解透视图。
图52是根据基于第四示例性实施方式的另一示例性实施方式的透镜驱动装置的一些元件的透视图。
图53是根据基于第四示例性实施方式的另一示例性实施方式的透镜驱动装置的一些元件的底部透视图。
图54是沿图50的A-A线截取的截面图。
图55是根据基于第四示例性实施方式的另一示例性实施方式的透镜驱动装置的一些元件的底视图。
图56是根据第四示例性实施方式的光学装置的透视图。
具体实施方式
将参考附图详细描述本发明的一些示例性实施方式。在描述每个元件的附图标记时，如果可能的话，对于同一元件将指定相同的附图标记，即使在其他附图中被不同地指示。此外，将省略对一些元件的详细说明，同时如果在理解本发明的示例性实施方式时有障碍，则在本发明的示例性实施方式中进行说明。
在描述本发明示例性实施方式中的元件时，可以使用术语第一、第二、A、B、(a)、(b)等。这些术语仅可以用于将一个元件与另一个元件区分开，并且性质、次序或顺序不受这些术语的限制。当一个元件被称为“接入”、“耦接至”或“连接至”另一个元件时，应该理解该元件可以直接接入、连接或耦接至另一个元件，或者可以在其之间存在中间元件。
以下使用的术语“光轴方向”可以被定义为摄像头模块的透镜模块的光轴方向。同时，“光轴方向”可以与垂直方向、z轴方向和其他方向互换地使用。
在下文中使用的术语“自动对焦功能”可以被定义为如下功能：根据至对象的距离通过在光轴方向上移动透镜模块来调整对象的焦点，以获得对象在图像传感器中的清晰图像。同时，“自动对焦”可以与“AF(自动对焦)”互换地使用。
在下文中使用的术语“手抖校正功能”可以被定义为如下功能：使透镜模块在垂直于光轴的方向上移动或倾斜，以抵消由图像传感器上的外力产生的振动(移动)。同时，“手抖校正功能”可以与“OIS(光学图像稳定)”互换地使用。
本示例性实施方式可以包括第一示例性实施方式、第二示例性实施方式、第三示例性实施方式和第四示例性实施方式。第一示例性实施方式、第二示例性实施方式、第三示例性实施方式和第四示例性实施方式中的技术特征可以互换地、相互地且可推断地应用。例如，第一示例性实施方式、第二示例性实施方式、第三示例性实施方式和第四示例性实施方式中的任何一个示例性实施方式的配置可以通过在不影响或不破坏技术构思的范围内由另一示例性实施方式替换、添加或删除来应用。
<第一示例性实施方式>
现在，将描述根据第一示例性实施方式的光学装置的配置。
光学装置可以是手机、移动电话、智能手机、便携式智能设备、数码相机、笔记本电脑(膝上型电脑)、数字广播终端、PDA(个人数字助理)、PMP(便携式多媒体播放器)和导航设备中的任何一种。然而，本发明不限于此，并且光学装置可以包括能够拍摄图像或照片的任何装置。
光学装置可以包括主体(未示出)、双摄像头模块和显示部(未示出)。然而，可以从光学装置中省略或改变主体、双摄像头模块和显示部中的元件中的任何一个或更多个。
主体可以形成光学装置的外部形状。例如，主体可以包括立方体形状。然而，本发明不限于此。作为修改方式，主体可以是部分倒圆的。主体可以容纳双摄像头模块。主体的一个表面可以设置有显示部。
双摄像头模块可以设置在主体上。双摄像头模块可以设置在主体的一个表面上。双摄像头模块的至少一部分可以容纳在主体中。双摄像头模块可以拍摄对象的图像。
显示部可以设置在主体上。显示部可以设置在主体的一个表面上。即，显示部可以与双摄像头模块设置在同一表面上。替选地，显示部可以设置在主体的其他表面上。显示部可以设置在在设置有双摄像头模块的表面的相对表面处设置的表面上。显示部可以输出由双摄像头模块拍摄的图像。
在下文中，将描述根据本发明第一示例性实施方式的光学装置的配置。
光学装置可以是手机、移动电话、智能手机、便携式智能设备、数码相机、笔记本电脑(膝上型电脑)、数字广播终端，PDA(个人数字助理)、PMP(便携式多媒体播放器)和导航设备中的任何一种。然而，本发明不限于此，并且可以包括能够拍摄图像或照片的任何装置。
光学装置可以包括主体(未示出)、双摄像头模块和显示部(未示出)。然而，可以省略或改变主体、双摄像头模块和显示部中的任何一个或更多个。
主体可以形成光学装置的外部形状。例如，主体可以包括立方体形状。然而，本发明不限于此。作为修改方式，主体可以至少部分地倒圆。主体可以容纳双摄像头模块。主体的一个表面可以设置有显示部。
双摄像头模块可以设置在主体上。双摄像头模块可以设置在主体的一个表面上。双摄像头模块的至少一部分可以容纳在主体中。双摄像头模块可以拍摄对象的图像。
显示部可以设置在主体上。显示部可以设置在主体的一个表面上。即，显示部可以与双摄像头模块设置在同一表面上。替选地，显示部可以设置在主体的其他表面上。显示部可以设置在在设置有双摄像头模块的表面的相对表面处设置的表面上。显示部可以输出由双摄像头模块拍摄的图像。
在下文中，将参照附图描述根据本发明第一示例性实施方式的双摄像头模块的配置。
图1是示出根据本发明的第一示例性实施方式的双摄像头模块的PCB及其相关配置的透视图，图12是示出加强件被耦接至图1中的第一基板和第二基板的状态的透视图。
根据第一示例性实施方式的双摄像头模块可以包括第一图像传感器(10)、第一基板(100)、第二图像传感器(20)、第二基板(200)、第三基板(300)和连接单元(400)。然而，可以从本发明的第一示例性实施方式中省略或改变第一基板(100)、第二基板(200)、第三基板(300)和连接单元(400)中的任何一个。
第一图像传感器(10)可以设置在第一基板(100)处。第一图像传感器(10)可以设置在第一基板(100)的顶表面处。作为修改方式，第一图像传感器(10)可以设置在第一基板(100)的下表面处，以允许有效照片区域通过通孔暴露于上侧。第一图像传感器(10)可以电连接至第一基板(100)。第一图像传感器(10)可以使用SMT(surface mountingtechnology，表面贴装技术)耦接至第一基板(100)。第一图像传感器(10)可以使用倒装芯片技术耦接至第一基板(100)。第一图像传感器(10)可以布置成在光轴方面与第一透镜模块匹配。即，第一图像传感器(10)的光轴和第一透镜模块的光轴可以对准。通过该配置，第一图像传感器(10)可以获得已经穿过第一透镜模块的光。第一图像传感器(10)可以将照射在有效照片区域上的光转换成电信号。第一图像传感器(10)可以是CCD(电荷耦合器件)、MOS(金属氧化物半导体)、CPD和CID中的任何一种。然而，第一图像传感器(10)的类型不限于此，并且第一图像传感器(10)可以包括能够将入射光转换成电信号的任何配置。
第一基板(100)可以在顶表面处设置有第一透镜驱动装置(1000)。第一基板(100)可以设置在第一透镜驱动装置(1000)的下表面处。第一基板(100)可以耦接至第一透镜驱动装置(1000)。第一基板(100)可以与第一图像传感器(10)设置在一起。第一基板(100)可以电连接至第一图像传感器(10)。例如，可以在第一基板(100)和第一透镜驱动装置(1000)之间插入保持器构件。此时，保持器构件可以容纳在第一图像传感器(10)的内侧。在另一示例中，第一基板(100)可以直接与第一透镜驱动装置(1000)设置在一起。此时，第一透镜驱动装置(1000)可以容纳在第一图像传感器(10)的内部。通过该结构，已经穿过耦接至第一透镜驱动装置的第一透镜模块的光可以照射在设置在第一基板(100)上的第一图像传感器上。第一基板(100)可以向第一透镜驱动装置(1000)提供电力(电流)。
第一基板(100)可以具有刚性。第一基板(100)可以是RPCB(刚性印刷电路板)。第一基板(100)可以设置有第一图像传感器(10)。第一基板(100)可以在顶表面处设置有第一图像传感器(10)。第一基板(100)可以形成为4个边的板形状。此时，第一基板(100)的四个边缘中的每个可以倒圆地形成。第一基板(100)的顶表面的面积可以小于第二基板(200)的顶表面的面积。
第一基板(100)的顶表面可以形成有端子(110)。端子(110)可以电连接至设置在第一基板(100)的顶表面处的第一透镜驱动装置(1000)。端子(110)可以耦接至第一下支承构件(1620)。端子(110)和第一下支承构件(1620)的端子部(1624)的下端可以通过焊接耦接。可以从第一基板(100)通过端子(110)向第一线圈(1220)提供电流。
第一基板(100)可以在顶表面处设置有无源元件(120)。无源元件(120)可以设置在第一图像传感器(10)的外部。无源元件(120)可以与第一图像传感器(10)间隔开。无源元件(120)可以用于去除从第一图像传感器(10)产生的噪声。
第一基板(100)可以包括第一侧表面(101)。第一基板(100)可以包括面向第二基板(200)的第二侧表面(201)的第一侧表面(101)。第一基板(100)可以包括第三侧表面(102)。第一基板(100)可以包括与第一侧表面(101)相邻设置的第三侧表面(102)。第一侧表面(101)和第三侧表面(102)可以相邻。第一基板(100)的第一侧表面(101)可以面向第二基板(200)的第二侧表面(201)。第一基板(100)的第三侧表面(102)可以与第二基板(200)的第四侧表面(202)面向相同的方向。
第二图像传感器(20)可以设置在第二基板(200)上。第二图像传感器(20)可以设置在第二基板(200)的顶表面处。作为修改方式，第二图像传感器(20)可以耦接至第二基板的下表面，以允许有效照片区域通过通孔暴露于上侧。第二图像传感器(20)可以电连接至第二基板(200)。第二图像传感器(20)可以使用SMT(表面贴装技术)耦接至第二基板(200)。第二图像传感器(20)可以使用倒装芯片技术耦接至第二基板(200)。第二图像传感器(20)可以布置成在光轴方面与第二透镜模块匹配。即，第二图像传感器(20)的光轴和第二透镜模块的光轴可以对准。通过这种配置，第二图像传感器(20)可以获得已经穿过第二透镜模块的光。第二图像传感器(20)可以将照射在有效照片区域上的光转换成电信号。第二图像传感器(20)可以是CCD(电荷耦合器件)、MOS(金属氧化物半导体)、CPD和CID中的任何一种。然而，第二图像传感器(20)的类型不限于此，并且可以包括能够将入射光转换成电信号的任何配置。
第二基板(200)可以在顶表面处设置有第二透镜驱动装置(2000)。第二基板(200)可以设置在第二透镜驱动装置(2000)的下表面处。第二基板(200)可以耦接至第二透镜驱动装置(2000)。第二基板(200)可以设置有第二图像传感器(20)。第二基板(200)可以电连接至第二图像传感器(20)。例如，可以在第二基板(200)和第二透镜驱动装置(2000)之间插入保持器构件。此时，保持器构件可以容纳在第二图像传感器(20)的内部。在另一示例中，第二基板(200)可以直接与第二透镜驱动装置(2000)设置在一起。此时，第二透镜驱动装置(2000)可以容纳在第二图像传感器(20)的内部。通过该结构，已经穿过耦接至第二透镜驱动装置(2000)的第二透镜模块的光可以照射在设置在第二基板(200)上的第二图像传感器(20)上。第二基板(200)可以向第二透镜驱动装置(2000)提供电力(电流)。
第二基板(200)可以具有刚性。第二基板(200)可以是RPCB(刚性印刷电路板)。第二基板(200)可以设置有第二图像传感器(20)。第二基板(200)可以在顶表面处设置有第二图像传感器(20)。第二基板(200)可以形成为具有4个边的(成角度)的板形状。此时，第二基板(200)的四个边缘中的每个可以倒圆地形成。第二基板(200)的顶表面的面积可以大于第一基板(100)的顶表面的面积。
第二基板(200)的顶表面可以形成有端子(210)。端子(210)可以电连接至设置在第二基板(200)的顶表面处的第二透镜驱动装置(2000)。端子(210)可以耦接至基板(2410)的端子部(2412)。端子(210)和基板(2410)的端子部(2412)的下端可以通过焊接耦接。可以从第二基板(200)通过端子(210)向第二线圈(2220)提供电流。
第二基板(200)可以在顶表面处设置有无源元件(220)。无源元件(220)可以设置在第二图像传感器(20)的外部。无源元件(220)可以与第二图像传感器(20)间隔开。无源元件(220)可以用于去除从第二图像传感器(20)产生的噪声。
第二基板(200)可以包括第二侧表面(201)。第二基板(200)可以包括面向第一基板(100)的第一侧表面(101)的第二侧表面(201)。第二基板(200)可以包括第四侧表面(202)。第二基板(200)可以包括与第二侧表面(201)相邻设置的第四侧表面(202)。第二侧表面(201)和第四侧表面(202)可以相邻。第二基板(200)的第二侧表面(201)可以面向第一基板(100)的第一侧表面(101)。第二基板(200)的第四侧表面(202)可以与第一基板(100)的第三侧表面(102)面向相同的方向。
连接器(30)可以设置在第三基板(300)的本体部(310)上。连接器(30)可以设置在第三基板(300)上。连接器(30)可以电连接至形成光学器件的外部元件。连接器(30)可以是连接部的示例。连接部可以电连接至形成光学器件的外部元件。
第三基板(300)可以连接至第一基板(100)。第三基板(300)可以连接至第二基板(200)。第三基板(300)可以连接至第一基板(100)和第二基板(200)。第三基板(300)可以将第一基板(100)和第二基板(200)电连接至外部元件。第三基板(300)可以设置有连接器(30)。第三基板(300)可以通过连接器(30)电连接至外部元件。第三基板(300)可以具有柔性。第三基板(300)可以是FPCB(柔性印刷电路板)。第三基板(300)的至少一部分的厚度可以比第一基板(100)和第二基板(200)的厚度薄。
第三基板(300)可以与第一基板(100)和第二基板(200)一体地形成。即，第一基板(100)、第二基板(200)和第三基板(300)可以形成为RFPCB(刚性柔性印刷电路板)。
第三基板(300)可以包括本体部(310)、第一连接部(320)和第二连接部(330)。然而，可以从第三基板(300)中省略或改变本体部(310)、第一连接部(320)和第二连接部(330)。
本体部(310)可以耦接至双摄像头的外部元件。本体部(310)可以设置有连接至外部的连接器(30)。本体部(310)可以与第一连接部(320)和第二连接部(330)一体地形成。
第一连接部(320)可以从本体部(310)延伸。第一连接部(320)可以与本体部(310)一体地形成。第一连接部(320)可以连接至第一基板(100)。第一连接部(320)可以与第二连接部(330)间隔开。可以在第一连接部(320)和第二连接部(330)之间形成空间。即，第三基板(300)可以包括通过本体部(310)、第一连接部(320)和第二连接部(330)凹入本体部(310)侧的凹槽。第一连接部(320)可以连接至第一基板(100)的第三侧表面(102)。第一连接部(320)可以通过偏向于第三侧表面(102)的两个角上的靠近第二基板(200)的角而连接至第三侧表面(102)。
第二连接部(330)可以从本体部(310)延伸。第二连接部(330)可以与本体部(310)一体地形成。第二连接部(330)可以连接至第二基板(200)。第二连接部(330)可以与第一连接部(320)间隔开。第二连接部(330)可以连接至第二基板(200)的第四侧表面(202)。第二连接部(330)可以通过偏向于第四侧表面(202)的两个角上的靠近第一基板的角而连接至第四侧表面(202)。
根据第一示例性实施方式的连接单元(400)可以连接成允许第一基板(100)和第二基板(200)在相互限制的范围内移动。在这种情况下，与省略连接单元(400)并且第一基板(100)和第二基板(200)通过RPCB连接的情况相比，存在如下有利效果：即使在第一图像传感器(10)被安装在第一基板(100)上并且第二图像传感器(20)安装在第二基板(200)上的状态下，将第一图像传感器(10)和第二图像传感器(20)对准。同时，连接单元(400)可以限制第一基板(100)和第二基板(200)在水平方向上相互移动，同时允许第一基板(100)和第二基板(200)中的每个在预定范围内倾斜。
最近，对AF摄像头模块和OIS摄像头模块并行设置的双摄像头模块进行了大量研究。同时，图像传感器单独用于所述双摄像头模块中的每个摄像头模块，其中PCB的平坦度极大地影响所述两个图像传感器之间的对准。然而，根据本示例性实施方式，即使PCB的平坦度发生变化，第一图像传感器(10)和第二图像传感器(20)也可以对准。
连接单元(400)可以从第一基板(100)延伸。连接单元(400)可以从第一基板(100)的第一侧表面(101)延伸。连接单元(400)可以从第二基板(200)延伸。连接单元(400)可以从第二基板(200)的第二侧表面(201)延伸。连接单元(400)可以连接第一基板(100)和第二基板(200)。连接单元(400)可以连接第一基板(100)的第一侧表面(101)和第二基板(200)的第二侧表面(201)。此时，第一基板(100)的第一侧表面(101)和第二基板的第二侧表面(201)可以彼此面对。连接单元(400)可以与第一基板(100)和第二基板(200)一体地形成。连接单元(400)可以具有绝缘特性。连接单元(400)可以没有用导线形成。
连接单元(400)可以包括第一移动部(410)和第二移动部(420)。然而，可以从连接单元(400)中省略或改变第一移动部(410)和第二移动部(420)中的任何一个或更多个。此外，第一移动部(410)和第二移动部(420)可以不是间隔开的，而是可以一体地形成。
第一移动部(410)可以与第二移动部(420)间隔开。第一移动部(410)的截面区域可以在其至少一部分上随着远离第一基板(100)而变小。此时，截面区域可以与第一侧表面(101)平行。即，与第一侧表面(101)平行的截面的每个截面区域可以在其至少一部分上随着与第一和第二移动部(410，420)间隔开而变小。第一移动部(410)可以在其至少一部分上随着远离第二基板(200)而变小。第一移动部(410)可以在与第一基板(100)相接的区域处具有与第一基板(100)相同的厚度。第一移动部(410)可以在与第一基板(100)间隔开的区域处具有比第一基板(100)薄的厚度。第一移动部(410)的宽度可以在与第一基板(100)间隔开的区域处比第一移动部(410)的通过第一基板(100)接合的区域的宽度窄。第一移动部(410)可以在通过第二基板(200)接合的区域处具有与第二基板(200)相同的厚度。第一移动部(410)的厚度可以在与第二基板(200)间隔开的区域处比第二基板(200)的薄。第一移动部(410)的宽度可以在与第二基板(200)间隔开的区域处比第一移动部(410)的通过第二基板(200)接合的区域的宽度窄。
第二移动部(420)可以与第一移动部(410)间隔开。第二移动部(420)的截面区域可以在其至少一部分上随着与第一基板(100)间隔开而变小。第二部(420)可以在截面区域的至少一部分上随着与第二基板(200)间隔开而变小。第二移动部(420)可以在与第一基板(100)相接的区域处具有与第一基板(100)相同的厚度。第二移动部(420)可以在与第一基板(100)间隔开的区域处具有比第一基板(100)薄的厚度。第二移动部(420)的宽度可以在与第一基板(100)间隔开的区域处比第二移动部(420)的通过第一基板(100)接合的区域的宽度窄。第二移动部(420)的厚度可以在通过第一基板(100)接合的区域处与第二移动部(420)的与第一基板(100)间隔开的区域的厚度相同。第二移动部(420)的厚度可以在与第二基板(200)隔开的区域处比第一基板(100)的厚度薄。第二移动部(420)的宽度可以在与第二基板(200)间隔开的区域处比第二移动部(420)的通过第二基板(200)接合的区域的宽度窄。
第一移动部(410)与第一侧表面(101)相接的区域和第二移动部(420)与第一侧表面相接的区域可以关于第一侧表面(101)对称。在这种情况下，与第一移动部(410)和第二移动部(420)偏向于第一侧表面(101)的一侧的角的情况相比，第一移动部(410)和第二移动部(420)的水平移动可能更受限制。换句话说，当第一移动部(410)和第二移动部(420)中的任何一个被省略，或者第一移动部(410)和第二移动部(420)二者被设置成偏向于第一侧表面(101)的一侧的角时，可以分散第一移动部(100)和第二移动部(200)平行设置的形状本身。在本示例性实施方式中，第一移动部(410)和第二移动部(420)可以平衡地耦接第一基板(100)和第二基板(200)，由此可以始终保持平行布置的第一基板(100)和第二基板(200)的形状，并且如果需要，第一基板(100)和第二基板(200)中的任何一个可以倾斜以实现第一图像传感器(10)和第二图像传感器(20)的对准。
如图1所示，连接单元(400)的宽度(L2)可以宽于第一基板(100)的宽度(L1)的至少50％。连接单元(400)的在宽度方向上的长度(L2)可以长于第一基板(100)的第一侧表面的在长边方向上的长度(L1)的至少50％。连接单元(400)的宽度(L2)可以是从第一移动部(410)的一侧的远端到第二移动部(420)的另一侧的远端的距离。此时，第一移动部(410)的一侧是远离第二移动部(420)的方向，第二移动部(420)的另一侧可以是远离第一移动部(410)的方向。替选地，连接单元(400)可以采用省略第一移动部(410)和第二移动部(420)之间的空间并且第一移动部(410)和第二移动部(420)一体地形成的形状。此时，连接单元(400)的宽度可以是从连接单元(400)的一侧的远端到连接单元(400)的另一侧的远端的距离。
根据第一示例性实施方式的双摄像头模块还可以包括加强件(40)。
加强件(40)可以设置在第一基板(100)的下表面处以及第二基板(200)的下表面处。加强件(40)可以与第一基板(100)和第二基板(200)设置在一起。加强件(40)的顶表面可以与第一基板(100)和第二基板(200)设置在一起。加强件(40)可以耦接至第一基板(100)的下表面和第二基板(200)的下表面。加强件(40)可以形成为平坦形状。加强件(40)可以包括平板形状。加强件(40)可以是基板。加强件(40)可以具有刚性。用于AA(主动对准)的环氧树脂(未示出)可以置于加强件(40)和第一基板(100)之间以及加强件(40)和第二基板(200)之间。即，第一基板(100)和第二基板(200)可以通过用于主动对准的环氧树脂耦接至加强件(40)。例如，首先将第一基板(100)耦接至加强件(40)，并且可以在第二基板(200)通过环氧树脂预先耦接的同时调整第二基板(200)的耦接状态以使第一图像传感器(10)与第二图像传感器(20)对准之后使环氧树脂硬化。相反，首先将第二基板(200)耦接至加强件(40)，并且可以在第一基板(100)通过环氧树脂预先耦接的同时调整第一基板(100)的耦接状态以使第一图像传感器(10)与第二图像传感器(20)对准之后使环氧树脂硬化。加强件(40)可以一体地形成，并且加强件(40)的顶表面可以通过第一基板(100)和第二基板(200)耦接，同时第一图像传感器(10)的光轴和第二图像传感器(20)的光轴对准。
根据第一示例性实施方式的双摄像头模块可以包括第一摄像头模块和第二摄像头模块。
图2是示出根据第一示例性实施方式的双摄像头模块的透视图，图3是根据第一示例性实施方式的第一摄像头模块的分解透视图，图4是根据第一示例性实施方式的第一摄像头模块的动子的分解透视图，图5是根据第一示例性实施方式的第一摄像头模块的定子的分解透视图，图6是根据第一示例性实施方式的第一摄像头模块的AF支承构件的分解透视图，图7是根据第一示例性实施方式的第二摄像头模块的分解透视图，图8是根据第一示例性实施方式的第二摄像头模块的AF动子的分解透视图，图9是根据第一示例性实施方式的第二摄像头模块的OIS动子的分解透视图，图10是根据第一示例性实施方式的第二摄像头的定子的分解透视图，并且图11是根据第一示例性实施方式的第二摄像头模块的AF支承构件的分解透视图。
第一摄像头模块可以是AF驱动摄像头模块。此时，第一摄像头模块可以被称为“AF摄像头模块”。替选地，第一摄像头模块可以形成有OIS驱动摄像头模块。
第一摄像头模块可以包括第一透镜驱动装置(1000)、第一透镜模块(未示出)、第一红外滤波器(未示出)、第一图像传感器(10)、第一基板(100)和控制器(未示出)。然而，可以从第一摄像头模块中省略或改变第一透镜驱动装置(1000)、第一透镜模块、第一红外滤波器、第一图像传感器(10)、第一基板(100)和控制器中的任何一个或更多个。这里，第一图像传感器(10)和第二图像传感器(20)与之前说明的相同。
第一透镜模块可以包括透镜和镜筒。第一透镜模块可以包括一个或更多个透镜(未示出)和容纳一个或更多个透镜的镜筒。然而，第一透镜模块的一个元件不限于镜筒，并且能够支承一个或更多个透镜的任何保持器结构将足以用于镜筒。第一透镜模块可以通过耦接至第一透镜驱动装置(1000)而与第一透镜驱动装置(1000)一起移动。第一透镜模块可以耦接至第一透镜驱动装置(1000)的内侧。第一透镜模块可以螺纹耦接至第一透镜驱动装置(1000)。第一透镜模块可以使用粘合剂(未示出)耦接至第一透镜驱动装置(1000)。同时，已经穿过第一透镜模块的光可以照射在第一图像传感器(10)上。
第一透镜驱动装置(1000)的端子部(1624)可以耦接至第一基板(100)的端子(110)。第一透镜驱动装置(1000)的端子部(1624)可以通过焊接耦接至第一基板(100)的端子(110)。第一基板(100)的端子(110)可以设置在第一基板(100)的顶表面上的在第三侧表面(102)的相对侧处。第二透镜驱动装置(2000)的端子部(2412)可以耦接至第二基板(200)的端子(210)。第二透镜驱动装置(2000)的端子部(2412)可以通过焊接耦接至第二基板(200)的端子(210)。第二基板(200)的端子(210)可以设置在第二基板(200)的顶表面上的第四侧表面(202)处。此外，第二基板(200)的端子(210)可以设置在第二基板(200)的顶表面上的第四侧表面(202)的相对侧处。
第一透镜驱动装置(1000)可以使用环氧树脂耦接至安装有第一图像传感器(10)的第一基板(100)。第一透镜驱动装置(1000)可以使用环氧树脂与第一图像传感器(10)对准。第一透镜驱动装置(1000)可以直接容纳在第一基板(100)的顶表面上。替选地，可以在第一透镜驱动装置(1000)和第一基板(100)之间插入单独的保持器构件。第二透镜驱动装置(2000)可以使用环氧树脂耦接至安装有第二图像传感器(20)的第二基板(200)。第二透镜驱动装置(2000)可以使用环氧树脂与第二图像传感器(20)对准。第二透镜驱动装置(2000)可以直接容纳在第二基板(200)的顶表面上。替选地，可以在第二透镜驱动装置(2000)和第二基板(200)之间插入单独的保持器构件。
第一红外滤波器可以防止红外区的光入射在第一图像传感器(10)上。第一红外滤波器可以置于第一透镜模块和第一图像传感器(10)之间。第一红外滤波器可以设置在与第一基座(1500)分开设置的保持器构件(未示出)处。然而，第一红外滤波器可以安装在形成在第一基座(1500)的中心处的开口(1510)上。第一红外滤波器可以由膜材料或玻璃材料形成。红外滤波器可以通过在诸如保护盖玻璃和盖玻璃的平坦光学滤波器上涂覆红外截止涂层材料来形成。第一红外可以是红外截止滤波器或红外吸收滤波器。
第一控制器可以安装在第一基板(100)上。第一控制器可以设置在第一透镜驱动装置(1000)的外部。然而，第一控制器也可以设置在第一透镜驱动装置(1000)的内部。第一控制器可以控制提供给形成第一透镜驱动装置(1000)的每个元件的电流的方向、强度和幅值。第一控制器可以通过控制第一透镜驱动装置(1000)来执行第一摄像头模块的AF功能和OIS功能中的任何一个或更多个。即，第一控制器可以通过控制第一透镜驱动装置(1000)使第一透镜模块在光轴方向或垂直于光轴方向的方向上移动或倾斜。此外，第一控制器可以执行AF功能和OIS功能的反馈控制。更具体地，第一控制器可以通过接收由霍尔传感器(未示出)检测到的第一线轴(1210)的位置来控制施加至第一线圈(1220)的电力或电流，从而提供更准确的AF功能。
第一透镜驱动装置(1000)可以包括第一盖构件(1100)、动子(1200)、定子(1300)、第三磁体单元(1410)、第四磁体单元(1420)、第一基座(1500)和AF支承构件(1600)。然而，可以从第一透镜驱动装置(1000)中省略或改变第一盖构件(1100)、动子(1200)、定子(1300)、第三磁体单元(1410)、第四磁体单元(1420)、第一基座(1500)以及AF支承构件(1600)中的任何一个或更多个。特别地，可以从第一修改方式中省略第四磁体单元(1420)。此外，可以第二修改方式中省略第三磁体单元(1410)和第四磁体单元(1420)。
第一透镜驱动装置(1000)可以是AF模块。此时，第二透镜驱动装置(2000)可以是OIS模块。这里，OIS模块还可以执行AF功能。然而，第一透镜驱动装置(1000)可以是OIS模块。第二透镜驱动装置(2000)可以是AF模块。即，第一透镜驱动装置(1000)和第二透镜驱动装置(2000)中的任何一个可以是AF模块，而另一个可以是OIS模块。替选地，第一透镜驱动装置(1000)和第二透镜驱动装置(2000)二者可以是AF模块。替选地，第一透镜驱动装置(1000)和第二透镜驱动装置(2000)二者可以是OIS模块。
第一盖构件(1100)可以与第一壳体(1310)一体地形成。替选地，可以省略第一盖构件(1100)，并且第一壳体(1310)可以用作第一盖构件(1100)。即，第一盖构件(1100)可以是第一壳体(1310)。
第一盖构件(1100)可以形成第一透镜驱动装置(1000)的外部形状。第一盖构件(1100)可以采用底部开口的立方体形状。然而，本发明不限于此。第一盖构件(1100)可以是非磁性物质。如果第一盖构件(1100)由磁性物质形成，则第一盖构件(110)的磁力可能影响第二透镜驱动装置(2000)的第二磁体单元(2320)。第一盖构件(1100)可以由金属材料形成。更具体地，第一盖构件(1100)可以由金属板形成。在这种情况下，第一盖构件(1100)可以屏蔽EMI(Electro Magnetic Interference，电磁干扰)。由于第一盖构件(1100)的这种特性，第一盖构件(1100)可以被称为“EMI屏蔽罩”。第一盖构件(1100)可以屏蔽从第一透镜驱动装置外部产生的无线电波，使其不被引入第一盖构件(1100)。此外，第一盖构件(1100)可以屏蔽从第一盖构件(1100)内部产生的无线电波，使其不被排放到第一盖构件(1100)的外部。然而，第一盖构件(1100)的材料不限于此。
第一盖构件(1100)可以包括上板(1101)和侧板(1102)。第一盖构件(1100)可以包括上板(1101)和从上板(1101)的外侧向下延伸的侧板(1102)。第一盖构件(1100)的侧板(1102)的下端可以安装在第一基座(1500)上。第一盖构件(1100)的侧板(1102)的下端可以耦接至第一基座(1500)的台阶(阶梯，1540)。第一盖构件(1100)可以通过在内表面处部分地或整体地紧密耦接至第一基座(1500)的侧表面而安装在第一基座(1500)上。由第一盖构件(1100)和第一基座(1500)形成的内部空间可以设置有动子(1200)、定子(1300)和AF支承构件(1600)。通过这种结构，第一盖构件(1100)可以保护内部元件免受外部冲击，同时防止外部异物向内引入。然而，本发明不限于此，第一盖构件(1100)的侧板(1102)的下端可以直接耦接至设置在第一基座(1500)的下侧的第一基板(100)。多个侧板的一些部分可以面向第二盖构件(2100)。
第一盖构件(1100)可以包括开口(1110)和延伸部(1120)。然而，可以从第一盖构件(1100)中省略或改变延伸部(1120)。
开口(1110)可以形成在上板(1101)上。开口(1110)可以暴露第一透镜模块。开口(1110)可以形成为在形状上对应于第一透镜模块。开口(1110)的尺寸可以形成为大于第一透镜模块的直径，以允许第一透镜模块通过开口(1110)被组装。同时，通过开口(1110)引入的光可以穿过第一透镜模块。此时，已经穿过第一透镜模块的光可以作为图像被第一图像传感器获得。
延伸部(1120)可以通过从上板(1101)的内侧向下弯曲而延伸。延伸部(1120)可以称为“内轭部”。延伸部(1120)的至少一部分可以插入在第一线轴(1210)上形成的凹槽中。通过这种结构，可以防止第一线轴(1210)在第一透镜模块被螺纹耦接至第一线轴(1210)的过程中旋转。另外，延伸部(1120)可以防止第一线轴(1210)相对于第一盖构件(1100)旋转。
动子(1200)可以耦接至第一透镜模块。动子(1200)可以将第一透镜模块容纳在其内。动子(1200)的内侧可以通过第一透镜模块的外侧被耦接。动子(1200)可以通过与定子(1300)的相互作用与第一透镜模块一起一体地移动。
动子(1200)可以包括第一线轴(1210)和第一线圈(1220)。然而，可以从动子(1200)中省略或改变第一线轴(1210)和第一线圈(1220)中的任何一个或更多个。
第一线轴(1210)可以设置在第一壳体(1310)的内侧。第一线轴(1210)可以容纳至第一壳体(1310)的通孔(1311)中。第一线轴(1210)可以与第一透镜模块耦接。更具体地，第一线轴(1210)的内侧可以通过第一透镜模块的外侧被耦接。第一线轴(1210)可以通过第一线圈(1220)耦接。第一线轴(1210)的下表面可以通过第一下支承构件(1620)耦接。第一线轴(1210)的顶表面可以通过第一上支承构件(1610)耦接。第一线轴(1210)可以相对于第一壳体(1310)在光轴方向上移动。
第一线轴(1210)可以包括通孔(1211)和线圈接收部(1212)。然而，可以从第一线轴(1210)中省略或改变通孔(1211)和线圈接收部(1212)中的任何一个或更多个。
通孔(1211)可以形成在第一线轴(1210)的内侧。通孔(1211)可以形成有上/下开口形状。通孔(1211)可以通过第一透镜模块耦接。通孔(1211)的内侧可以形成有螺纹，该螺纹的形状与形成在第一透镜模块外部上的形状相对应。即，通孔(1211)可以螺纹耦接至第一透镜模块。可以将粘合剂置于第一透镜模块和第一线轴(1210)之间。此时，粘合剂可以是通过UV(紫外线)、热或激光束硬化的环氧树脂。即，第一透镜模块和第一线轴(1210)可以通过UV硬化的环氧树脂和/或热硬化的环氧树脂粘合。
线圈接收部(1212)可以容纳第一线圈(1220)的至少一部分。线圈接收部(1212)可以与第一线轴(1210)的外侧一体地形成。此外，线圈接收部(1212)可以沿着第一线轴(1210)的外侧连续地形成，或者可以以预定间隙与第一线轴(1210)间隔开。例如，线圈接收部(1212)可以通过允许第一线轴(1210)的外侧的一部分相应地凹入成第一线圈(1220)的形状而形成。此时，第一线圈(1220)可以直接缠绕在第一驱动部耦接部(1212)上。在该修改方式中，线圈接收部(1212)可以采用上/下开口形状。此时，第一线圈(1220)可以通过开口区域以预卷绕状态插入线圈接收部(1212)。
第一线圈(1220)可以设置在第一线轴(1210)处。第一线圈(1220)可以设置在第一线轴(1210)的外侧处。第一线圈(1220)可以直接缠绕在第一线轴(1210)的外侧上。第一线圈(1220)可以与第一磁体单元(1320)电相互作用。第一线圈(1220)可以面向第一磁体单元(1320)。在这种情况下，当向第一线圈(1220)提供电流以形成围绕第一线圈(1220)的磁场时，第一线圈(1220)可以通过在第一线圈(1220)和第一磁体单元(1320)之间的电磁相互作用而相对于第一磁体单元(1320)移动。第一线圈(1220)可以移动以进行AF驱动。在这种情况下，第一线圈(1220)可以称为“AF线圈”。
第一线圈(1220)可以包括用于供电的一对引线线缆(未示出)。第一线圈(1220)上的所述一对引线线缆可以电连接至第一下支承构件(1620)。第一线圈(1220)的引线线缆中的每个可以电连接至第一和第二支承单元(1620a，1620b)。在这种情况下，第一线圈(1220)可以通过第一下支承构件(1620)被供电，该第一下支承构件(1620)通过端子部(1624)电连接至第一基板(100)。
定子(1300)可以将动子(1200)容纳在其内。定子(1300)可以作为固定构件通过电磁相互作用来使动子(1200)移动。定子(1300)可以包括第一壳体(1310)和第一磁体单元(1320)。然而，可以从定子(1300)中省略或改变第一壳体(1310)和第一磁体单元(1320)中的任何一个或更多个。
第一壳体(1310)可以设置在第一线轴(1210)的外侧。第一壳体(1310)可以与第一线轴(1210)间隔开。第一壳体(1310)的至少一部分可以采用与第一盖构件(1100)的内侧的形状相对应的形状。特别地，第一壳体(1310)的外侧可以采用与第一盖构件(1100)的侧板(1102)的内侧的形状相对应的形状。例如，第一壳体(1310)可以采用包括四个侧表面的立方体形状。然而，第一壳体(1310)的形状可以采用任何形状，只要该形状可以允许被设置在第一盖构件(1100)的内侧即可。第一壳体(1310)可以由绝缘材料形成。考虑到产率，第一壳体(1310)可以使用注射形成。第一壳体(1310)可以固定在第一基座(1500)上。作为修改方式，可以省略第一壳体(1310)，并且第一磁体单元(1320)可以固定在第一盖构件(1100)上。第一壳体(1310)的顶表面可以通过第一上支承构件(1610)耦接。第一壳体(1310)的下表面可以通过第一下支承构件(1620)耦接。
第一壳体(1310)可以包括第一至第四侧表面(1301，1302，1303，1304)。第一壳体(1310)可以包括连续布置的第一至第四侧表面(1301，1302，1303，1304)。第一壳体(1310)可以包括设置有第一磁体(1321)的第一侧表面(1301)、设置有第三磁体单元(1410)的第二侧表面(1302)、以及设置有第二磁体(1322)的第三侧表面(1303)。第一壳体(1310)可以包括设置有第四磁体单元(1420)的第四侧表面(1304)。第二侧表面(1302)可以面向第八侧表面(2304)。
第一壳体(1310)可以包括通孔(1311)、磁体接收部(1312)和第三磁体单元接收部(1313)。第一壳体(1310)还可以包括第四磁体单元接收部(未示出)。然而，可以从第一壳体(1310)中省略或改变通孔(1311)、磁体接收部(1312)、第三磁体单元接收部(1313)和第四磁体接收部中的任何一个或更多个。
通孔(1311)可以形成在第一壳体(1310)的内侧。通孔(1311)可以采用在第一壳体(1310)上的上/下开口形状。通孔(1311)可以由第一线轴(1210)容纳。通孔(1311)可以可移动地与第一线轴(1210)设置在一起。通孔(1311)可以采用与第一线轴(1210)的形状相对应的形状。
磁体接收部(1312)可以形成在第一壳体(1310)的侧表面处。磁体接收部(1312)可以形成为穿透第一壳体(1310)的孔。替选地，磁体接收部(1312)可以形成为通过允许第一壳体(1310)的一部分凹入而形成的凹槽。磁体接收部(1312)可以容纳第一磁体单元(1320)的至少一部分。可以将粘合剂置于磁体接收部(1312)和第一磁体单元(1320)之间(未示出)。即，磁体接收部(1312)和第一磁体单元(1320)可以通过粘合剂耦接。磁体接收部(1312)可以设置在第一壳体(1310)的内侧。磁体接收部(1312)可以通过允许第一壳体(1310)的内侧的一部分向外凹入而形成。在这种情况下，可以有利地实现与设置在第一磁体单元(1320)内侧的第一线圈(1220)的电磁相互作用。
第三磁体单元接收部(1313)可以形成在第一壳体(1310)的第二侧表面(1302)处。第三磁体单元接收部(1313)可以形成在第一壳体(1310)的外侧处。第三磁体单元接收部(1313)可以通过向内凹入形成在第一壳体(1310)的外侧处。替选地，第三磁体单元接收部(1313)可以形成为穿过第一壳体(1310)的孔。第三磁体单元接收部(1313)可以容纳第三磁体单元(1410)。第三磁体单元接收部(1313)可以容纳第三磁体单元(1410)的至少一部分。第三磁体单元接收部(1313)可以采用与第三磁体单元(1410)的形状相对应的形状。
第四磁体单元接收部可以形成在第一壳体(1310)的第四侧表面(1304)处。第四磁体单元接收部可以形成在第一壳体(1310)的外侧。第四磁体单元接收部可以通过向内凹入形成在第一壳体(1310)的外侧。替选地，第四磁体单元接收部可以形成为穿过第一壳体(1310)的孔。第四磁体单元接收部可以容纳第四磁体单元(1420)。第四磁体单元接收部可以容纳第四磁体单元(1420)的至少一部分。第四磁体单元接收部可以采用与第四磁体单元(1420)的形状相对应的形状。第四磁体单元接收部可以与第三磁体单元接收部(1313)关于第一摄像头模块的光轴对称。
第一磁体单元(1320)可以设置在第一壳体(1310)上。第一磁体单元(1320)可以容纳在第一壳体(1310)的磁体接收部(1312)中。第一磁体单元(1320)可以与第一线圈(1220)电相互作用。第一磁体单元(1320)可以面向第一线圈(1220)。第一磁体单元(1320)可以移动与第一线圈(1220)固定的第一线轴(1210)。第一磁体单元(1320)可以移动第一线圈(1220)以用于AF驱动。在这种情况下，第一磁体单元(1320)可以被称为“AF驱动磁体”。
第一磁体单元(1320)可以包括第一和第二磁体(1321，1322)。第一磁体单元(1320)可以包括相互间隔开的第一和第二磁体(1321，1322)。第一磁体单元(1320)可以包括相互面向的第一和第二磁体(1321，1322)。第一磁体单元(1320)可以包括均面向第一壳体(1310)的侧表面的第一和第二磁体(1321，1322)。第一磁体单元(1320)可以包括设置在第一侧表面(1301)处的第一磁体(1321)和设置在第三侧表面(1303)处的第二磁体(1322)。
第一和第二磁体(1321，1322)可以关于第一摄像头模块的光轴对称。第一和第二磁体(1321，1322)中的每个可以具有关于第一摄像头模块的光轴对称的尺寸和形状。第一和第二磁体(1321，1322)中的每个可以设置在围绕第一摄像头模块的光轴的相应位置上。第一和第二磁体(1321，1322)中的每个可以相互平行设置。第一和第二磁体(1321，1322)中的每个可以设置成允许相同的极性面向内侧。第一和第二磁体(1321，1322)中的每个可以设置成允许N极面向内侧。第一和第二磁体(1321，1322)中的每个可以采用平板形状。在这种情况下，第一和第二磁体(1321，1322)中的每个可以称为“平板磁体”。
第三磁体单元(1410)可以设置在第一壳体(1310)的面向第二壳体(2310)的侧表面处。第三磁体单元(1410)可以设置在第一壳体(1310)的第二侧表面(1302)处。第三磁体单元(1410)可以置于第一磁体(1321)和第二磁体(1322)之间。第三磁体单元(1410)可以小于第一磁体(1321)。第三磁体单元(1410)可以具有比第一磁体(1321)窄的宽度。第三磁体单元(1410)可以具有比第一磁体(1321)薄的厚度。第三磁体单元(1410)的高度可以低于第一磁体(1321)的高度。替选地，第三磁体单元(1410)可以与第一磁体(1321)具有相同的高度。第三磁体单元(1410)可以小于第二磁体(1322)。第三磁体单元(1410)可以设置在连接第一摄像头模块的光轴和第二摄像头模块的光轴的虚拟线上。第三磁体单元(1410)可以布置成允许第一和第二磁体(1321，1322)的相同极性面向内侧。第三磁体单元(1410)可以设置成允许N极面向内侧。替选地，第三磁体单元(1410)可以布置成允许S极面向内侧。
在第一示例性实施方式中，第三磁体单元(1410)布置在形成有平板磁体的AF摄像头模块上，从而使AF摄像头模块的磁体作用于OIS摄像头模块的角磁体的磁力最小化。当在本示例性实施方式中在未校正电流的条件下移除第三磁体单元(1410)时，第二摄像头模块的光轴可以移动超过5μm。
第四磁体单元(1420)可以设置在第一壳体(1310)上。第四磁体单元(1420)可以设置在第一壳体(1310)的第四侧表面(1304)上。第四磁体单元(1420)可以与第三磁体单元(1410)关于第一摄像头模块的光轴对称地设置。第四磁体单元(1420)可以设置在关于第一摄像头模块的光轴与第三磁体单元(1410)的位置相对应的位置处。第四磁体单元(1420)可以形成为具有关于第一摄像头模块的光轴与第三磁体单元(1410)的尺寸和形状相对应的尺寸和形状。第四磁体单元(1420)可以置于第一磁体(1321)和第二磁体(1322)之间。第四磁体单元(1420)可以小于第一磁体(1321)。第四磁体单元(1420)可以具有比第一磁体(1321)窄的宽度。第四磁体单元(1420)可以具有比第一磁体(1321)薄的厚度。第四磁体单元(1420)的高度可以低于第一磁体(1321)的高度。替选地，第四磁体单元(1420)可以具有与第一磁体(1321)相同的高度。第四磁体单元(1420)可以小于第二磁体(1322)。第四磁体单元(1420)可以设置在连接第一摄像头模块的光轴和第二摄像头模块的光轴的虚拟线上。第四磁体单元(1420)可以设置成允许第一和第二磁体(1321，1322)的相同极性面向内侧。第四磁体单元(1420)可以设置成允许与第三磁体单元(1410)相同的极性面向内侧。第四磁体单元(1420)可以设置成允许N极面向内侧。替选地，第四磁体单元(1420)可以设置成允许S极面向内侧。
在第一示例性实施方式中，对应于第三磁体单元(1410)的第四磁体单元(1420)可以布置成抵消作用于第一摄像头模块的AF驱动的第三磁体单元(1410)的影响。替选地，第四磁体单元(1420)可以允许第三磁体单元(1410)对受第一摄像头模块的AF驱动影响的影响施加对称影响。
第一基座(1500)可以设置在第一壳体(1310)的下侧。第一基座(1500)可以设置在第一基板(100)的顶表面处。第一基座(1500)可以通过第一红外滤波器耦接。
第一基座(1500)可以包括开口(1510)、支承部(1520)、端子接收凹槽(1530)和台阶(阶梯)部(1540)。然而，可以从第一基座(1500)中省略或改变开口(1510)、支承部(1520)、端子接收凹槽(1530)和台阶(阶梯)部(1540)中的任何一个或更多个。
开口(1510)可以形成在第一基座(1500)的中心。开口(1510)可以通过垂直穿过第一基座(1500)形成。开口(1510)可以在光轴方向上与第一透镜模块交叠。开口(1510)可以使已经穿过第一透镜模块的光穿过。
支承部(1520)可以从第一基座(1500)的顶表面向上突出。支承部(1520)可以形成在四个角中的每个角处。支承部(1520)可以压配合到第一壳体(1310)。通过该形状，支承部(1520)可以将第一壳体(1310)固定至内部。
端子接收凹槽(1530)可以形成在第一基座(1500)的侧表面处。端子接收凹槽(1530)可以通过允许第一基座(1500)的外侧的侧表面的一部分向内凹入而形成。端子接收凹槽(1530)可以容纳第一下支承构件(1620)的端子部(1624)的至少一部分。端子接收凹槽(1530)可以形成为具有与端子部(1624)的宽度相对应的宽度。
台阶部(1540)可以形成在第一基座(1500)的外侧的下端。台阶部(1540)可以通过从第一基座(1500)的外侧向外突出而形成。台阶部(1540)可以支承第一盖构件(1100)的侧板(1102)的下端。
AF支承构件(1600)可以耦接至第一线轴(1210)并且耦接至第一壳体(1310)。AF支承构件(1600)可以弹性地支承第一线轴(1210)。AF支承构件(1600)可以支承第一线轴(1210)，以相对于第一壳体(1310)移动。AF支承构件(1600)可以在其至少一部分上具有弹性。
AF支承构件(1600)可以包括第一上支承构件(1610)和第一下支承构件(1620)。然而，可以从AF支承构件(1600)中省略或改变第一上支承构件(1610)和第一下支承构件(1620)中的任何一个或更多个。
第一上支承构件(1610)可以耦接至第一线轴(1210)的顶表面并且耦接至第一壳体(1310)的顶表面。第一上支承构件(1610)可以一体地形成。
第一上支承构件(1610)可以包括外部部分(1611)、内部部分(1612)和连接部(1613)。然而，可以从第一上支承构件(1610)中省略或改变外部部分(1611)、内部部分(1612)和连接部(1613)中的任何一个或更多个。
外部部分(1611)可以耦接至第一壳体(1310)。外部部分(1611)可以耦接至第一壳体(1310)的顶表面。
内部部分(1612)可以耦接至第一线轴(1210)。内部部分(1612)可以耦接至第一线轴(1210)的顶表面。
连接部(1613)可以连接外部部分(1611)和内部部分(1612)。连接部(1613)可以弹性地连接外部部分(1611)和内部部分(1612)。连接部(1613)可以具有弹性。
第一下支承构件(1620)可以耦接至第一线轴(1210)的下表面并且耦接至第一壳体(1310)的下表面。第一上支承构件(1610)可以电连接至第一线圈(1220)。第一下支承构件(1620)可以包括第一和第二支承单元(1620a，1620b)。第一和第二支承单元(1620a，1620b)中的每个可以耦接至第一线圈(1220)的一对引线线缆。
第一下支承构件(1620)可以包括外部部分(1621)、内部部分(1622)、连接部(1623)和端子部(1624)。然而，可以从第一下支承构件(1620)中省略或改变外部部分(1621)、内部部分(1622)、连接部(1623)和端子部(1624)中的任何一个或更多个。
外部部分(1621)可以耦接至第一壳体(1310)。外部部分(1621)可以耦接至第一壳体(1310)的下表面。内部部分(1622)可以耦接至第一线轴(1210)。内部部分(1622)可以耦接至第一线轴(1210)的下表面。连接部(1623)可以连接外部部分(1621)和内部部分(1622)。连接部(1623)可以弹性地连接外部部分(1621)和内部部分(1622)。连接部(1623)可以具有弹性。
端子部(1624)可以从外部部分(1621)延伸。端子部(1624)可以通过从外部部分(1621)弯曲而形成。端子部(1624)可以通过从外部部分(1621)向下弯曲而延伸。替选地，作为修改方式，端子部(1624)可以设置成与外部部分(1621)分开的构件。单独设置的端子部(1624)和外部部分(1621)可以通过导电构件耦接。端子部(1624)可以耦接至第一基板(100)。端子部(1624)可以通过焊接耦接至第一基板(100)。端子部(1624)可以容纳在第一基座(1500)的端子接收凹槽(1530)中。
第二摄像头模块可以包括第二透镜驱动装置(2000)、第二透镜模块(未示出)、第二红外滤波器(未示出)、第二图像传感器(10)、第二基板(200)和第二控制器(未示出)。然而，可以从第二摄像头模块中省略或改变第二透镜驱动装置(2000)、第二透镜模块、第二红外滤波器、第二图像传感器(10)、第二基板(200)和第二控制器中的任何一个或更多个。这里，第二图像传感器(20)和第二基板(200)与之前说明的相同。
第二透镜模块可以包括透镜和镜筒。第二透镜模块可以包括一个或更多个透镜(未示出)和容纳一个或更多个透镜的镜筒。然而，第二透镜模块的一个元件不限于镜筒，并且任何能够支承一个或更多个透镜的保持器结构将足以用于镜筒。第二透镜模块可以通过耦接至第二透镜驱动装置(2000)而与第二透镜驱动装置(2000)一起移动。第二透镜模块可以耦接至第二透镜驱动装置(2000)的内侧。第二透镜模块可以螺纹耦接至第二透镜驱动装置(2000)。第二透镜模块可以使用粘合剂(未示出)耦接至第二透镜驱动装置(2000)。同时，已经穿过第二透镜模块的光可以照射在第二图像传感器(20)上。第二透镜模块可以布置成与第一透镜模块的光轴对准。
第二红外滤波器可以防止红外区的光入射在第二图像传感器(20)上。第二红外滤波器可以置于第二透镜模块和第二图像传感器(20)之间。第二红外滤波器可以设置在与第二基座(2500)分开设置的保持器构件(未示出)处。然而，第二红外滤波器可以安装在形成在第二基座(2500)的中心处的开口(2510)上。第二红外滤波器可以由膜材料或玻璃材料形成。第二红外滤波器可以通过在诸如保护盖玻璃和盖玻璃的平坦光学滤波器上涂覆红外截止涂层材料来形成。第二红外滤波器可以是红外截止滤波器或红外吸收滤波器。
第二控制器可以安装在第二基板(200)上。第二控制器可以设置在第二透镜驱动装置(2000)的外部。然而，第二控制器也可以设置在第二透镜驱动装置(2000)的内部。第二控制器可以控制提供给形成第二透镜驱动装置(2000)的每个元件的电流的方向、强度和幅值。第二控制器可以通过控制第二透镜驱动装置(2000)来执行第二摄像头模块的AF功能和OIS功能中的任何一个或更多个。即，第二控制器可以通过控制第二透镜驱动装置(2000)使第二透镜模块在光轴方向或垂直于光轴方向的方向上移动或倾斜。此外，第二控制器可以执行AF功能和OIS功能的反馈控制。更具体地，第二控制器可以通过接收由霍尔传感器(2800)和附加传感器(未示出)检测到的第二线轴(2210)和/或第二壳体(2310)的位置来控制施加至第二线圈(2220)和/或第三线圈(2422)的电力或电流，从而提供更准确的AF功能。
第二透镜驱动装置(2000)可以包括第二盖构件(2100)、AF动子(2200)、OIS动子(2300)、定子(2400)、第二基座(2500)、AF支承构件(2600)、OIS支承构件(2700)和霍尔传感器(2800)。然而，可以从第二透镜驱动装置(2000)中省略或改变第二盖构件(2100)、AF动子(2200)、OIS动子(2300)、定子(2400)、第二基座(2500)、AF支承构件(2600)、OIS支承构件(2700)和霍尔传感器(2800)中的任何一个或更多个。
第二盖构件(2100)可以容纳第二壳体(2310)。第二盖构件(2100)可以与第一盖构件(1100)间隔开。此时，第二盖构件(2100)和第一盖构件(1100)之间的分开距离可以在4mm内。替选地，第二盖构件(2100)和第一盖构件(1100)之间的分开距离可以在3mm内。替选地，第二盖构件(2100)和第一盖构件(1100)之间的分开距离可以在2mm内。替选地，第二盖构件(2100)和第一盖构件(1100)之间的分开距离可以在1mm内。
第二盖构件(2100)可以形成第二透镜驱动装置(2000)的外部形状。第二盖构件(1100)可以采用底部开口的立方体形状。然而，本发明不限于此。第二盖构件(2100)可以是非磁性物质。如果第二盖构件(2100)由磁性物质形成，则第二盖构件(2100)的磁力可能影响第二磁体单元(2320)。第二盖构件(2100)可以由金属材料形成。更具体地，第二盖构件(2100)可以由金属板形成。在这种情况下，第二盖构件(2100)可以屏蔽EMI(电磁干扰)。由于第二盖构件(2100)的这种特性，第二盖构件(2100)可以被称为“EMI屏蔽罩”。第二盖构件(2100)可以屏蔽从第二透镜驱动装置外部产生的无线电波，使其不被引入第二盖构件(2100)。此外，第二盖构件(2100)可以屏蔽从第二盖构件(2100)内部产生的无线电波，使其不被排放到第二盖构件(2100)的外部。然而，第二盖构件(2100)的材料不限于此。
第二盖构件(2100)可以包括上板(2101)和侧板(2102)。第二盖构件(2100)可以包括上板(2101)和从上板(2101)的外侧向下延伸的侧板(2102)。第二盖构件(2100)的侧板(2102)的下端可以安装在第二基座(2500)上。第二盖构件(2100)可以通过在内表面处部分地或整体地紧密耦接至第二基座(2500)的侧表面而安装在第二基座(2500)上。由第二盖构件(2100)和第二基座(2500)形成的内部空间可以设置有AF动子(2200)、OIS动子(2300)、定子(2400)、AF支承构件(2600)和OIS支承构件(2700)。
通过这种结构，第二盖构件(2100)可以保护内部元件免受外部冲击，同时防止外部异物向内引入。然而，本发明不限于此，第二盖构件(2100)的侧板(2102)的下端可以直接耦接至设置在第二基座(1500)的下侧的第二基板(200)。多个侧板(2102)的一些部分可以面向第一盖构件(1100)。
在第二盖构件(2100)的侧板(2102)的长度方向上的距离(参见图11的L2)可以不超过在第一盖构件(1100)的侧板(2102)的长度方向上的长度(参见图11的L1)的1.5倍。
第二盖构件(2100)可以包括开口(2110)和标记部(2120)。然而，可以从第二盖构件(2100)中省略或改变标记部(2120)。
开口(2110)可以形成在上板(2101)上。开口(2110)可以暴露第二透镜模块。开口(2110)可以形成为在形状上对应于第二透镜模块。开口(2110)的尺寸可以形成为大于第二透镜模块的直径，以允许第二透镜模块通过开口(2110)组装。同时，通过开口(2110)引入的光可以穿过第二透镜模块。此时，已经穿过第二透镜模块的光可以作为图像被第二图像传感器获得。
标记部(2120)可以形成在第二盖构件(2100)的上板(2102)处。标记部(2120)可以形成为允许操作者一眼就知道第二盖构件(2100)的方向性。在OIS透镜驱动装置中，方向性在PCB上焊接时是重要的，标记部(2120)可以形成为允许操作者容易地知道OIS透镜驱动装置的方向性。标记部(2120)可以形成在上板(2120)的一侧的角部处。
AF动子(2200)可以耦接至第二透镜模块。AF动子(2200)可以将第二透镜模块容纳在其内。AF动子(2200)的内侧可以通过第二透镜模块的外侧耦接。AF动子(2200)可以通过与OIS动子(2300)和/或定子(2400)的相互作用与第二透镜模块一体地移动。
AF动子(2200)可以包括第二线轴(2210)和第二线圈(2220)。然而，可以从AF动子(2200)中省略或改变第二线轴(2210)和第二线圈(2220)中的任何一个或更多个。
第二线轴(21210)可以设置在第二壳体(2310)的内侧。第二线轴(2210)可以容纳在第二壳体(2310)的通孔(2311)中。第二线轴(2210)可以与第二透镜模块耦接。更具体地，第二线轴(2210)的内侧可以通过第二透镜模块的外侧耦接。第二线轴(2210)可以通过第二线圈(2220)耦接。第二线轴(2210)的下表面可以通过第二下支承构件(2620)耦接。第二线轴(2210)的顶表面可以通过第二上支承构件(2610)耦接。第二线轴(2210)可以相对于第二壳体(2310)在光轴方向上移动。
第二线轴(2210)可以包括通孔(2211)和线圈接收部(2212)。然而，可以从第二线轴(2210)中省略或改变通孔(2211)和线圈接收部(2212)中的任何一个或更多个。
通孔(2211)可以形成在第二线轴(2210)的内侧。通孔(2211)可以形成有上/下开口形状。通孔(2211)可以通过第二透镜模块耦接。通孔(2211)的内侧可以形成有螺纹，该螺纹的形状与形成在第二透镜模块的外侧上的形状相对应。即，通孔(2211)可以螺纹耦接至第二透镜模块。可以将粘合剂置于第二透镜模块和第二线轴(2210)之间。此时，粘合剂可以是通过UV(紫外线)、热或激光束硬化的环氧树脂。即，第二透镜模块和第二线轴(2210)可以通过UV硬化的环氧树脂和/或热硬化的环氧树脂粘合。
线圈接收部(2212)可以容纳第二线圈(2220)的至少一部分。线圈接收部(2212)可以与第二线轴(2210)的外侧一体地形成。此外，线圈接收部(2212)可以沿着第二线轴(2210)的外侧连续地形成，或者可以以预定间隙与第二线轴(2210)间隔开。例如，线圈接收部(2212)可以通过允许第二线轴(2210)的外侧的一部分相应地凹入成第二线圈(2220)的形状而形成。此时，第二线圈(2220)可以直接缠绕在线圈接收部(2212)上。在该修改方式中，线圈接收部(2212)可以采用上开口或底开口形状。此时，第二线圈(2220)可以通过开口区域以预卷绕状态插入线圈接收部(2212)。
第二线圈(2220)可以设置在第二线轴(2210)处。第二线圈(2220)可以设置在第二线轴(2210)的外侧处。第二线圈(2220)可以直接缠绕在第二线轴(2210)的外侧上。第二线圈(2220)可以与第二磁体单元(2320)电相互作用。第二线圈(2220)可以面向第二磁体单元(2320)。在这种情况下，当电流被供应到第二线圈(2220)以形成围绕第二线圈(2220)的磁场时，第二线圈(2220)可以通过在第二线圈(2220)和第二磁体单元(2320)之间的电磁相互作用相对于第二磁体单元(2320)移动。第二线圈(2220)可以移动以用于AF驱动。在这种情况下，第二线圈(2220)可以称为“AF线圈”。
第二线圈(2220)可以包括用于供电的一对引线线缆(未示出)。第二线圈(2220)上的所述一对引线线缆可以电连接至第二上支承构件(2610)。第二线圈(2220)的引线线缆中的每个可以电连接至第三和第四支承单元(2620a，2620b)。在这种情况下，第二线圈(2220)可以通过第二上支承构件(2610)被供电，该第二上支承构件(2610)通过基板(2410)、基板部(2421)和OIS支承构件(2700)电连接至第二基板(200)。
OIS动子(2300)可以移动以用于OIS功能。OIS动子(2300)可以设置在AF动子(2200)的外侧以面向AF动子(2200)。OIS动子(2300)可以移动AF动子(2200)或者可以与AF动子(2200)一起移动。OIS动子(2300)可以由定子(2400)和/或设置在其下方的第二基座(2500)可移动地支承。OIS动子(2300)可以设置在第二盖构件(2100)的内部空间处。
OIS动子(2300)可以包括第二壳体(2310)和第二磁体单元(2320)。然而，可以从OIS动子(2300)中省略或改变第二壳体(2310)和第二磁体单元(2320)中的任何一个或更多个。
第二壳体(2310)可以与第一摄像头模块(1000)的第一壳体(1310)间隔开。第二壳体(2310)可以设置在第二线轴(2210)的外侧。第二壳体(2310)可以与第二线轴(2210)间隔开。第二壳体(2310)的至少一部分可以采用与第二盖构件(2100)的内侧的形状相对应的形状。特别地，第二壳体(2310)的外侧可以采用与第二盖构件(2100)的侧板(2102)的内侧的形状相对应的形状。例如，第二壳体(2310)可以采用包括四个侧表面的立方体形状。然而，第二壳体(2310)的形状可以采用任何形状，只要该形状可以允许设置在第二盖构件(2100)的内侧即可。第二壳体(2310)可以由绝缘材料形成。考虑到产率，第二壳体(2310)可以使用注射形成。第二壳体(2310)是用于OIS驱动的移动部，并且可以与第二盖构件(2100)间隔开。第二壳体(2310)的顶表面可以通过第二上支承构件(2610)耦接。第二壳体(2310)的下表面可以通过第二下支承构件(2620)耦接。
第二壳体(2310)可以包括第五至第八侧表面(2301，2302，2303，2304)。第二壳体(2310)可以包括连续布置的第四至第八侧表面(2301，2302，2303，2304)。第八侧表面(2304)可以面向第二侧表面(1302)。
第二壳体(2310)可以包括通孔(2311)和磁体接收部(2312)。然而，可以从第一壳体(2310)中省略或改变通孔(2311)和磁体接收部(2312)中的任何一个或更多个。
通孔(2311)可以形成在第二壳体(2310)的内侧。通孔(2311)可以采用在第二壳体(2310)上的上/下开口形状。通孔(2311)可以由第二线轴(2210)容纳。通孔(2311)可以可移动地与第二线轴(2210)设置在一起。通孔(2311)可以采用与第二线轴(2210)的形状相对应的形状。
磁体接收部(2312)可以形成在第二壳体(2310)的侧表面处。磁体接收部(2312)可以容纳第二磁体单元(2320)的至少一部分。可以将粘合剂置于磁体接收部(2312)和第二磁体单元(2320)之间(未示出)。即，磁体接收部(2312)和第二磁体单元(2320)可以通过粘合剂耦接。磁体接收部(2312)可以设置在第二壳体(2310)的内侧。磁体接收部(2312)可以通过允许第二壳体(2310)的内侧的一部分向外凹入而形成。在这种情况下，可以有利地实现与设置在第二磁体单元(2320)内侧的第二线圈(2220)的电磁相互作用。磁体接收部(2312)可以采用底部开口的形状。在这种情况下，可以有利地实现与设置在第二磁体单元(2320)的下侧的第三线圈(2422)的电磁相互作用。
第二磁体单元(2320)可以设置在第二壳体(2310)处。第二磁体单元(2320)可以容纳在第二壳体(2310)的磁体接收部(2312)中。第二磁体单元(2320)可以与第二线圈(2220)电相互作用。第二磁体单元(2320)可以面向第二线圈(2220)。第二磁体单元(2320)可以移动由第二线圈(2220)固定的第二线轴(2210)。第二磁体单元(2320)可以移动第二线圈(2220)以用于AF驱动。在这种情况下，第二磁体单元(2320)可以被称为“AF驱动磁体”。此外，第二磁体单元(2320)可以移动以进行OIS驱动。在这种情况下，第二磁体单元(2320)可以被称为“OIS驱动磁体”。因此，第二磁体单元(2320)可以被称为“AF/OIS公共驱动磁体”。
第二磁体单元(2320)可以包括四个角磁体。四个角磁体可以设置成允许N极面向内侧。替选地，四个角磁体可以设置成允许S极面向内侧。四个角磁体可以采用内侧表面大于外侧的大柱状。
定子(2400)可以设置在AF动子(2200)的下侧。定子(2400)可以设置在OIS动子(2300)的下侧。定子(2400)可以移动OIS动子(2300)。此时，AF动子(2200)也可以与OIS动子(2300)一起移动。即，定子(2400)可以移动AF动子(2200)和OIS动子(2300)。定子(2400)可以包括基板(2410)和第三线圈部(2420)。然而，可以从动子(2400)中省略或改变基板(2410)和第三线圈部(2420)中的任何一个或更多个。
基板(2410)可以是FPCB(柔性印刷电路板)。基板(2410)可以设置在第二基座(2500)的顶表面处。基板(2410)可以置于第二基座(2500)和第三线圈部(2420)之间。基板(2410)可以电连接至第三线圈(2422)。基板(2410)可以电连接至第二线圈(2220)。基板(2410)可以通过OIS支承构件(2700)和第二上支承构件(2610)电连接至第二线圈(2220)。
基板(2410)可以包括通孔(2411)和端子部(2412)。然而，可以从基板(2410)中省略或改变通孔(2411)和端子部(2412)中的任何一个或更多个。通孔(2411)可以设置在基板(2410)的中心。通孔(2411)可以形成为垂直穿过基板(2410)。通孔(2411)可以在光轴方向上与第二透镜模块交叠。通孔(2411)可以使已经穿过第二透镜模块的光穿过。
可以通过允许基板(2410)的一部分弯曲来形成端子部(2412)。可以通过允许基板(2410)的一部分向下弯曲来形成端子部(2412)。端子部(2412)的至少一部分可以暴露于外部。端子部(2412)的下端可以与第二基板(200)耦接。端子部(2412)可以焊接到第二基板(200)。基板(2410)可以通过端子部(2412)电连接至第二基板(200)。
第三线圈部(2420)可以设置在基板(2410)的顶表面处。第三线圈部(2420)可以设置在第二基座(2500)上。第三线圈部(2420)可以面向第二磁体单元(2320)。第三线圈部(2420)可以与第二磁体单元(2320)电相互作用。第三线圈部(2420)可以移动第二磁体单元(2320)以进行OIS驱动。第三线圈部(2420)可以包括基板部(2421)和第三线圈(2422)。然而，可以从第三线圈部(2420)中省略或改变基板部(2421)和第三线圈(2422)中的任何一个或更多个。
基板部(2421)可以是FPCB。基板部(2421)可以以FPC(精细图案线圈)形成有第三线圈(2422)。基板部(2421)可以设置在基板(2410)的顶表面处。基板部(2421)可以电连接至基板(2410)。基板部(2421)可以电连接至第三线圈(2422)。
第三线圈(2422)可以以FPC(精细图案线圈)形成在基板部(2421)上。第三线圈(2422)可以设置在基座(2500)上。第三线圈(2422)可以与第二磁体单元(2320)电相互作用。第三线圈(2422)可以面向第二磁体单元(2320)。在这种情况下，当向第三线圈(2422)提供电流以形成围绕第三线圈(2422)的磁场时，第二磁体单元(2320)可以响应于第三线圈(2422)和第二磁体单元(2320)之间的电磁相互作用相对于第三线圈(2422)移动。第三线圈(2422)可以移动第二磁体单元(2320)以进行OIS驱动。在这种情况下，第三线圈(2422)可以称为“OIS线圈”。
第二基座(2500)可以设置在第二壳体(2310)的下侧。第二基座(2500)可以可移动地支承第二壳体(2310)。第二基座(2500)可以设置在第二基板(200)的顶表面处。第二基座(2500)可以通过第二红外滤波器耦接。
第二基座(2500)可以包括开口(2510)、端子接收部(2520)和传感器接收部(2530)。然而，可以从第二基座(2500)中省略或改变开口(1510)、端子接收部(2520)和传感器接收部(2530)中的任何一个或更多个。
开口(2510)可以形成在第二基座(2500)的中心处。开口(2510)可以通过垂直穿过第二基座(2500)形成。开口(2510)可以在光轴方向上与第二透镜模块交叠。开口(2510)可以使已经穿过第二透镜模块的光穿过。
端子接收部(2520)可以形成在第二基座(2500)的侧表面处。端子接收部(2520)可以形成为允许第二基座(2500)的外侧表面的一部分向内凹入。端子接收部(2520)可以容纳基板部(2410)的端子部(2412)的至少一部分。端子接收部(2520)可以形成为具有与端子部(2412)的宽度相对应的宽度。
传感器接收部(2530)可以形成在第二基座(2500)的顶表面处。传感器接收部(2530)可以形成为允许第二基座(2500)的顶表面的一部分向内凹入。传感器接收部(2530)可以形成有凹槽。传感器接收部(2530)可以容纳霍尔传感器(2800)的至少一部分。传感器接收部(2530)可以形成为在形状上对应于霍尔传感器。传感器接收部(2530)可以形成为与霍尔传感器的数量相同的数量。传感器接收部(2530)可以形成为两件。
AF支承构件(2600)可以耦接至第二线轴(2210)和第二壳体(2310)。AF支承构件(2600)可以弹性地支承第二线轴(2210)。AF支承构件(2600)可以相对于第二壳体(2310)可移动地支承第二线轴(1210)。AF支承构件(2600)可以在其至少一部分上具有弹性。
AF支承构件(2600)可以包括第二上支承构件(2610)和第二下支承构件(2620)。然而，可以从AF支承构件(2600)中省略或改变第二上支承构件(2610)和第二下支承构件(2620)中的任何一个或更多个。
第二上支承构件(2610)可以耦接至第二线轴(2210)的顶表面并且耦接至第二壳体(2310)的顶表面。第二上支承构件(2610)可以电连接至第二线圈(2220)。第二上支承构件(2610)可以包括第三和第四支承单元(2610a，2610b)。第三和第四支承单元(2610a，2610b)中的每个可以耦接至第二线圈(2220)的一对引线线缆。
第二上支承构件(2610)可以包括外部部分(2611)、内部部分(2612)、连接部(2613)和耦接部(2614)。然而，可以从第二上支承构件(2610)中省略或改变外部部分(2611)、内部部分(2612)、连接部(2613)和耦接部(2614)中的任何一个或更多个。
外部部分(2611)可以耦接至第二壳体(2310)。外部部分(2611)可以耦接至第二壳体(2310)的顶表面。
内部部分(2612)可以耦接至第二线轴(2210)。内部部分(2612)可以耦接至第二线轴(2210)的顶表面。
连接部(2613)可以连接外部部分(2611)和内部部分(2612)。连接部(2613)可以弹性地连接外部部分(2611)和内部部分(2612)。连接部(2613)可以具有弹性。
耦接部(2614)可以从外部部分(2611)延伸。耦接部(2614)可以从外部部分(2611)向外延伸。耦接部(2614)可以设置在第二壳体(2310)的四个角部处。耦接部(2614)可以耦接至OIS支承构件(2700)。
第二下支承构件(2620)可以耦接至第二线轴(2210)的下表面并且耦接至第二壳体(2310)的下表面。第二上支承构件(2610)可以一体地形成。第二下支承构件(2620)可以包括外部部分(2621)、内部部分(2622)和连接部(2623)。然而，可以从第二下支承构件(2620)中省略或改变外部部分(2621)、内部部分(2622)和连接部(2623)中的任何一个或更多个。
外部部分(2621)可以耦接至第二壳体(2310)。外部部分(2621)可以耦接至第二壳体(2310)的下表面。内部部分(2622)可以耦接至第二线轴(2210)。内部部分(2622)可以耦接至第二线轴(2210)的下表面。连接部(2623)可以连接外部部分(2621)和内部部分(2622)。连接部(2623)可以弹性地连接外部部分(2621)和内部部分(2622)。连接部(2623)可以具有弹性。
OIS支承构件(2700)可以可移动地支承第二壳体(2310)。OIS支承构件(2700)可以相对于定子(2400)可移动地支承OIS动子(2300)。OIS支承构件(2700)的下端可以耦接至第三线圈部(2420)。OIS支承构件(2700)的上端可以耦接至第二上支承构件(2610)。OIS支承构件(2700)可以包括多个配线。替选地，OIS支承构件(2700)可以包括多个片簧。OIS支承构件(2700)可以在其至少一部分上具有弹性。OIS支承构件(2700)可以形成有导电构件。第二线圈部(2420)和第二上支承构件(2610)可以通过OIS支承构件(2700)导电。OIS支承构件(2700)可以形成为四件，以允许分别设置在第二壳体(2310)的四个角部上。
OIS支承构件(2700)和第二壳体(2310)可以设置有阻尼器(未示出)。OIS支承构件(2700)和AF支承构件(2600)可以设置有阻尼器。阻尼器可以防止在AF/OIS反馈驱动过程中可能产生的共振现象。替选地，在该修改方式中，代替阻尼器，可以通过改变OIS支承构件(2700)和/或AF支承构件(2600)的一部分的形状来形成减振部(未示出)。减振部可以通过弯曲或弯折形成。
霍尔传感器(2800)可以用于OIS反馈功能。霍尔传感器(2800)可以是霍尔IC。霍尔传感器(2800)可以检测第二磁体单元(2320)的磁力。霍尔传感器(2800)可以检测第二壳体(2310)的移动。霍尔传感器(2800)可以检测固定在第二壳体(2310)上的第二磁体单元(2320)。霍尔传感器(2800)可以电连接至基板(2410)。霍尔传感器(2800)可以容纳在第二基座(2500)的传感器接收部(2530)中。霍尔传感器(2800)可以设置成两件，以通过相对于光轴相互设置成90°来检测第二壳体(2310)在x轴和y轴分量中的移动。
在下文中，将描述根据第一示例性实施方式的双摄像头模块的制造方法。
双摄像头模块的制造方法可以包括：
将第一图像传感器(10)安装在第一基板(100)上，并将第二图像传感器(20)安装在与第一基板(100)间隔开并通过第一基板(100)和连接单元(400)连接的第二基板(20)上；
将通过第一透镜模块耦接的第一透镜驱动装置(1000)耦接至第一基板(100)；
将通过第二透镜模块耦接的第二透镜驱动装置(2000)耦接至第二基板(200)；
将第一基板(100)耦接至加强件(40)；以及
将第二基板(200)耦接至加强件(40)。
将第一透镜驱动装置(1000)耦接至第一基板(100)的步骤可以包括如下步骤：在第一基板(100)和第一透镜驱动装置(1000)通过第一环氧树脂预先粘合的同时将第一透镜模块和第一图像传感器(10)对准以硬化第一环氧树脂(未示出)。
将第二透镜驱动装置(2000)耦接至第二基板(200)的步骤可以包括如下步骤：在第二基板(200)和第二透镜驱动装置(2000)通过第二环氧树脂预先粘合的同时将第二透镜模块和第二图像传感器(20)对准以硬化第二环氧树脂(未示出)。
将第二基板(200)耦接至加强件(40)的步骤可以包括如下步骤：在第二基板(200)和加强件(40)通过第三环氧树脂预先粘合的同时将第一图像传感器(10)和第二图像传感器(20)对准以硬化第三环氧树脂(未示出)。
这里，将第一透镜驱动装置(1000)耦接至第一基板(100)的步骤和将第二透镜驱动装置(2000)耦接至第二基板(200)的步骤可以允许任何一个步骤在另外步骤之前实现或可以允许两个步骤同时实现。
此外，尽管给出了第一基板(100)首先耦接至加强件(40)并且第二基板(200)稍后耦接至加强件(40)的说明，但是第二基板(200)可以首先耦接至加强件(40)并且第一基板(100)稍后耦接至加强件(40)。此外，加强件(40)不限于平板形钢，而是可以包括用于光学装置的主体壁。
如在第一示例性实施方式中所说明的，可以执行总共三次主动对准以允许完成第一摄像头模块和第二摄像头模块之间的对准。因为连接单元在这些过程中柔性地连接第一基板(100)和第二基板(200)，所以即使第一基板(100)和第二基板(200)中的每个耦接至第一透镜驱动装置(1000)和第二透镜驱动装置(2000)，也可以执行相互对准。另一方面，连接单元(400)限制第一基板(100)和第二基板(200)的相互移动，可以防止在第一基板(100)和第二基板(200)中的任何一个基板首先固定至加强件(40)时其余基板偏离正常位置。
在下文中，将参照附图描述根据修改方式的双摄像头模块的配置。
图13是示出根据修改方式的双摄像头模块的PCB及其相关配置的透视图。
根据修改方式的双摄像头模块可以包括第一图像传感器(10)、第一基板(100)、第二图像传感器(20)、第二基板(200)和第三基板(300)。即，与根据示例性实施方式的双摄像头模块相比，根据修改方式的双摄像头模块可以采用省略连接单元(400)的配置。同时，可以根据本示例性实施方式的说明推断地应用在修改方式的配置中对应于本示例性实施方式的任何配置。
如在本示例性实施方式中那样，该修改方式还具有在安装第一和第二图像传感器(10，20)之后对准的有利效果。然而，与示例性实施方式相比，由于第一基板(100)和第二基板(200)仅通过第三基板连接，因此存在如下缺点：在转移第一和第二基板(100，200)以及将第一和第二基板(100，200)耦接至加强件(40)的步骤中，难以保持第一基板(100)和第二基板(200)的平行对准。
在下文中，将参考附图描述根据另一修改方式的双摄像头模块的配置。
图14是示出根据另一修改方式的双摄像头模块的PCB及其相关配置的透视图。
根据另一修改方式的双摄像头模块可以包括第一图像传感器(10)、第一基板(100)、第二图像传感器(20)、第二基板(200)、第三基板(300)和连接单元(400)。然而，根据另一修改方式的双摄像头模块与根据本示例性实施方式的双摄像头模块的不同之处可以在于，第三基板(300)的形状不同。同时，可以根据本示例性实施方式的说明推断地应用在另一修改方式的配置中对应于本示例性实施方式的任何配置。
第三基板(300)可以包括第一连接部(340)和第二连接部(350)。即，与本示例性实施方式中的第三基板(300)相比，根据另一修改方式的第三基板(300)可以采用省略本体部(310)的形状。此外，可以省略连接器(30)。根据另一修改方式的第三基板(300)的第一连接部(340)可以对应于根据本示例性实施方式的第一连接部(320)，并且根据另一修改方式的第三基板(300)的第二连接部(350)可以对应于根据本示例性实施方式的第三基板(300)的第二连接部(330)。
第一连接部(340)可以利用使用ACF的连接器连接部接合而电连接至外部元件。第一连接部(340)可以连接至第一基板(100)。第一连接部(340)可以与第二连接部(330)间隔开。可以在第一连接部(340)和第二连接部(350)之间设置空间。第一连接部(340)可以连接至第一基板(100)的第三侧表面(102)。第一连接部(340)可以通过偏向第三侧表面(102)的两个角中的靠近第二基板(200)的一侧的角而连接至第三侧表面(102)。
第一连接部(350)可以通过使用ACF的连接器连接部接合而电连接至外部元件。第二连接部(350)可以连接至第二基板(200)。第二连接部(350)可以与第一连接部(340)间隔开。第二连接部(350)可以连接至第二基板(200)的第四侧表面(202)。第二连接部(350)可以通过偏向第四侧表面(202)的两个角中的靠近第一基板(100)的一侧的角而连接至第四侧表面(202)。
<第二示例性实施方式>
在下文中使用的“OIS反馈功能”被定义为对OIS功能进行实时反馈控制的功能。同时，“OIS反馈”可以与“OIS反馈”互换地使用。在下文中使用的“第一AF反馈传感器(3710)”可以被称为“第一霍尔传感器”，并且“第二AF反馈传感器(4710)”可以被称为“第二霍尔传感器”。
在下文中，根据第二示例性实施方式的光学装置可以推断地与根据第一示例性实施方式的光学装置应用。
在下文中，将利用附图描述根据第二示例性实施方式的双摄像头模块的配置。
图15是示出根据第二示例性实施方式的双摄像头模块的透视图。
根据第二示例性实施方式的双摄像头模块可以包括第一摄像头模块和第二摄像头模块。根据第二示例性实施方式的双摄像头模块可以包括双透镜驱动装置。双透镜驱动装置可以包括第一透镜驱动装置(3000)和第二透镜驱动装置(4000)。
第一摄像头模块可以是具有AF反馈功能的OIS摄像头模块。第一摄像头模块可以是总共具有AF功能、AF反馈功能、OIS功能和OIS反馈功能的摄像头模块。
第一摄像头模块可以包括第一透镜驱动装置(3000)、第一透镜模块(未示出)、第一红外滤波器(未示出)、第一PCB(3001)、第一图像传感器(未示出)和第一控制器(未示出)。然而，可以从第一摄像头模块中省略或改变第一透镜驱动装置(3000)、第一透镜模块、第一红外滤波器、第一PCB(3001)、第一图像传感器和第一控制器中的任何一个或更多个。
第一透镜模块可以包括透镜和镜筒。第一透镜模块可以包括一个或更多个透镜和容纳一个或更多个透镜的镜筒。然而，第一透镜模块的一个元件不限于镜筒，并且任何能够支承一个或更多个透镜的保持器结构都可以足以用于镜筒。第一透镜模块可以通过耦接至第一透镜驱动装置(3000)而与第一透镜驱动装置(3000)一起移动。第一透镜模块可以耦接至第一透镜驱动装置(3000)的内侧。第一透镜模块可以螺纹耦接至第一透镜驱动装置(3000)。第一透镜模块可以通过粘合剂(未示出)耦接至第一透镜驱动装置(3000)。同时，已经穿过第一透镜模块的光可以照射在第一图像传感器上。
第一红外滤波器可以防止红外区的光入射在第一图像传感器上。第一红外滤波器可以置于第一透镜模块和第一图像传感器之间。第一红外滤波器可以设置在与第一基座(3430)分开设置的保持器构件(未示出)处。然而，第一红外滤波器可以安装在形成在第一基座(3430)的中心处的通孔(3431)上。第一红外滤波器可以由膜材料或玻璃材料形成。第一红外滤波器可以通过在诸如保护盖玻璃和盖玻璃的平坦光学滤波器上涂覆红外截止涂层材料来形成。第一红外滤波器可以是红外截止滤波器或红外吸收滤波器。
第一PCB(3001)可以支承第一透镜驱动装置(3000)。第一PCB(3001)可以安装有第一图像传感器。例如，第一PCB(3001)的上内侧可以设置有第一图像传感器，并且第一PCB(3001)的上外侧可以设置有保持器构件。替选地，第一PCB(3001)的上内侧可以设置有第一图像传感器，并且第一PCB(3001)的上外侧可以设置有第一透镜驱动装置(3000)。通过该结构，已经穿过容纳在第一透镜驱动装置(3000)中的第一透镜模块的光可以照射在安装在第一PCB(3001)上的第一图像传感器上。第一PCB(3001)可以向第一透镜驱动装置(3000)供电。同时，第一PCB(3001)可以设置有第一控制器，以控制第一透镜驱动装置(3000)。PCB(3001)可以与第二PCB(4001)一体地形成。第一PCB(3001)和/或第二PCB(4001)可以一体地形成。第一PCB(3001)和/或第二PCB(4001)可以分别是光学装置的基板。第一PCB(3001)和/或第二PCB(4001)中的每个可以包括用于电连接至外部的端子。
第一图像传感器可以安装在第一PCB(3001)上。第一图像传感器可以在光轴上与第一透镜模块匹配。通过该结构，第一图像传感器可以获得已经穿过第一透镜模块的光。第一图像传感器可以将照射的光作为图像输出。第一图像传感器可以是CCD(电荷耦合器件)、MOS(金属氧化物半导体)、CPD和CID。然而，第一图像传感器的类型不限于此。
第一控制器可以安装在第一PCB(3001)上。第一控制器可以设置在第一透镜驱动装置(3000)的外侧处。然而，第一控制器也可以设置在第一透镜驱动装置(3000)的内侧处。第一控制器可以控制提供给形成第一透镜驱动装置(3000)的每个元件的电流的方向、强度和幅值。第一控制器可以通过控制第一透镜驱动装置(3000)来执行第一摄像头模块的AF功能。即，第一控制器可以通过控制第一透镜驱动装置(3000)使第一透镜模块在光轴方向上移动。此外，第一控制器可以执行AF功能的反馈控制。更具体地，第一控制器可以通过接收由第一AF反馈传感器(3710)检测到的第一线轴(3210)的位置来控制施加至第一线圈(3220)的电力或电流，从而提供更准确的AF功能。
此外，第一控制器可以通过控制第一透镜驱动装置(3000)来执行第一摄像头模块的OIS功能。即，第一控制器可以通过控制第一透镜驱动装置(3000)使第一透镜模块在垂直于光轴的方向上移动或倾斜。此外，第一控制器可以执行OIS功能的反馈控制。更具体地，第一控制器可以通过接收由第一OIS反馈传感器(3800)检测到的第一壳体(3310)的位置控制施加至第二线圈(3422)的电力或电流来提供更准确的OIS功能。
在下文中，将参考附图描述第一透镜驱动装置的配置。
图16是根据第二示例性实施方式的省略了一些元件的双摄像头模块的透视图，图17是示出根据第二示例性实施方式的第一透镜驱动装置的分解透视图，图18是示出了根据第二示例性实施方式的第一AF动子和相关配置的分解透视图，图19是根据第二示例性实施方式的第一OIS动子及其相关配置的分解透视图，图20是根据第二示例性实施方式的第一定子及其相关配置的分解透视图，图21是示出根据第二示例性实施方式的第一弹性构件、第一支承构件及其相关配置的分解透视图，图22是示出根据第二示例性实施方式的省略了一些元件的第一透镜驱动装置的透视图。
第一透镜驱动装置(3000)可以与第二透镜驱动装置(4000)间隔开。
第一透镜驱动装置(3000)可以设置成与第二透镜驱动装置(4000)平行。
第一透镜驱动装置(3000)可以设置成与第二透镜驱动装置(4000)并排。第一透镜驱动装置(3000)的面向第二透镜驱动装置(4000)的表面可以设置成与第二透镜驱动装置(4000)的表面相互平行。第一透镜驱动装置(3000)的第一侧表面(3301)可以与第二透镜驱动装置(4000)的第五侧表面(4301)平行。第一透镜驱动装置(3000)的第一侧表面(3301)可以在垂直于第一光轴的方向上与第二透镜驱动装置(4000)的第五侧表面(4301)交叠。第一透镜驱动装置(3000)的第一盖构件(3100)可以与第二透镜驱动装置(4000)的第二盖构件(4100)间隔1mm至5mm。即，第一盖构件(3100)和第二盖构件(4100)之间的分开距离(参见图29的L)可以是1mm至5mm。替选地，第一盖构件(3100)和第二盖构件(4100)之间的分开距离(L)可以是1mm至3mm。替选地，第一盖构件(3100)和第二盖构件(4100)之间的分开距离(L)可以是1mm。
第一透镜驱动装置(3000)可以包括第一盖构件(3100)、第一AF动子(3200)、第一OIS动子(3300)、第一定子(3400)、第一弹性构件(31500)、第一支承构件(3600)、第一AF反馈传感器单元(3700)和第一OIS反馈传感器(3800)。然而，可以从第一透镜驱动装置(3000)中省略或改变第一盖构件(3100)、第一AF动子(3200)、第一OIS动子(3300)、第一定子(3400)、第一弹性构件(31500)、第一支承构件(3600)、第一AF反馈传感器单元(3700)和第一OIS反馈传感器(3800)中的任何一个或更多个。在该修改方式中，可以省略第一AF反馈传感器(3700)。
第一盖构件(3100)可以容纳在第一壳体(3310)的内侧。第一盖构件(3100)可以形成第一透镜驱动装置(3000)的外部形状。第一盖构件(3100)可以采用底部开口的立方体形状。然而，本发明不限于此。第一盖构件(3100)可以是非磁性物质。第一盖构件(3100)可以由金属材料形成。更具体地，第一盖构件(3100)可以由金属板形成。在这种情况下，第一盖构件(3100)可以屏蔽EMI(电磁干扰)。由于第一盖构件(3100)的这种特性，第一盖构件(3100)可以被称为“EMI屏蔽罩”。第一盖构件(3100)可以屏蔽从第一透镜驱动装置(3000)外部产生的无线电波，使其不被引入第一盖构件(3100)。此外，第一盖构件(3100)可以屏蔽从第一盖构件(3100)内部产生的无线电波，使其不被排放到第一盖构件(3100)的外部。然而，第一盖构件(3100)的材料不限于此。
第一盖构件(3100)可以包括上板(3101)和侧板(3102)。第一盖构件(3100)可以包括上板(3101)和从上板(3101)的外侧向下延伸的侧板(3102)。第一盖构件(3100)的侧板(3102)的下端可以安装在第一基座(3430)上。第一盖构件(3100)的侧板(3102)的下端可以耦接至第一基座(3430)的台阶(阶梯，3435)。第一盖构件(3100)可以通过在内表面处部分地或整体地紧密耦接至第一基部(3430)的侧表面而安装在第一基部(3430)上。由第一盖构件(3100)和第一基座(3430)形成的内部空间可以设置有第一AF动子(3200)和第一OIS动子(3300)。通过这种结构，第一盖构件(3100)可以保护内部元件免受外部冲击，同时防止外部异物向内引入。然而，本发明不限于此，并且第一盖构件(3100)的侧板(3102)的下端可以直接耦接至设置在第一基座(3430)的下侧的第一基板(3001)。多个侧板(3102)的一些部分可以面向第二盖构件(3100)。
第一盖构件(3100)可以包括开口(3110)。开口(3110)可以形成在上板(3101)上。开口(3110)可以暴露第一透镜模块。开口(3110)可以形成为在形状上对应于第一透镜模块。开口(3110)的尺寸可以形成为大于第一透镜模块的直径，以允许第一透镜模块通过开口(3110)组装。同时，已经穿过开口(3110)的光可以穿过第一透镜模块。此时，已经穿过第一透镜模块的光可以作为图像被第一图像传感器获得。
第一AF动子(3200)可以耦接至第一透镜模块。第一AF动子(3200)可以将第一透镜模块容纳在其内。第一AF动子(3200)的内周表面可以通过第一透镜模块的外周表面耦接。第一AF动子(3200)可以通过与第一OIS动子(3300)的相互作用而与第一透镜模块一体地移动。第一AF动子(3200)可以通过与第一定子(3400)的相互作用而与第一透镜模块一体地移动。
第一AF动子(3200)可以与作为第一摄像头模块的元件的第一透镜模块(其中，第一透镜模块可以被解释为透镜驱动装置的元件)耦接。第一AF动子(3200)可以将第一透镜模块容纳在其内。第一AF动子(3200)的内周表面可以通过第一透镜模块的外周表面耦接。第一AF动子(3200)可以通过与第一OIS动子(3300)和/或第一定子(3400)的相互作用移动。此时，第一AF动子(3200)可以与第一透镜模块一体地移动。同时，第一AF动子(3200)可以移动以用于AF功能。然而，给出的所述描述不限于移动第一AF动子(3200)仅用于AF功能的构件。第一AF动子(3200)也可以移动以用于OIS功能。
第一AF动子(3200)可以包括第一线轴(3210)和第一线圈(3220)。然而，可以从第一AF动子(3200)中省略或改变第一线轴(3210)和第一线圈(3220)中的任何一个或更多个。
第一线轴(3210)可以设置在第一壳体(3310)的内侧。第一线轴(3210)可以设置在第一壳体(3310)的通孔(3311)处。第一线轴(3210)可以关于第一壳体(3310)在光轴方向上移动。第一线轴(3210)可以设置在第一壳体(3310)的通孔(3311)处，以允许沿光轴移动。第一线轴(3210)可以与第一透镜模块耦接。第一线轴(3210)的内周表面可以通过第一透镜模块的外周表面耦接。第一线轴(3210)可以通过第一线圈(3220)耦接。第一线轴(3210)的外周表面可以通过第一线圈(3220)耦接。第一线轴(3210)的顶表面可以与第一上弹性构件(3510)耦接。第一线轴(3210)的下表面可以与第一下弹性构件(3520)耦接。
第一线轴(3210)可以包括通孔(3211)、驱动部耦接部(3212)、上耦接部(3213)和下耦接部(未示出)。然而，可以从第一线轴(3210)中省略或改变通孔(3211)、驱动部耦接部(3212)、上耦接部(3213)和下耦接中的任何一个或更多个。
通孔(3211)可以形成在第一线轴(3210)的内侧。通孔(3211)可以形成有上/下开口形状。通孔(3211)可以通过第一透镜模块耦接。通孔(3211)的内周表面可以形成有螺纹，该螺纹具有与形成在第一透镜模块的外周表面上的形状对应的形状。即，通孔(3211)可以通过第一透镜模块螺纹耦接。可以将粘合剂置于第一透镜模块和第一线轴(3210)之间。此时，粘合剂可以是通过UV(紫外线)、热或激光束硬化的环氧树脂。即，第二透镜模块和第二线轴(2210)可以通过UV硬化的环氧树脂和/或热硬化的环氧树脂粘合。
驱动部耦接部(3212)可以通过第一线圈(3220)耦接。驱动部耦接部(3212)可以形成在第一线轴(3210)的外周表面上。驱动部耦接部(3212)可以通过允许第一线轴(3210)的外周表面的一部分向内凹入而形成有凹槽。此时，驱动部耦接部(3212)可以由第一线圈(3220)的至少一部分容纳。驱动部耦接部(3212)可以与第一线轴(3210)的外周表面一体地形成。例如，驱动部耦接部(3212)可以沿着第一线轴(3210)的外周表面连续地形成。此时，驱动部耦接部(3212)可以缠绕有第一线圈(3220)。在另一示例中，驱动部耦接部(3212)可以形成为多个并且形成为相互间隔开。此时，第一线圈(3220)也可以形成为多个，以分别耦接至驱动部耦接部(3212)。在又一示例中，驱动部耦接部(3212)可以形成为上/下开口形状。此时，第一线圈(3220)可以通过开口部以预卷绕状态插入驱动部耦接部(3212)而耦接。
上耦接部(3213)可以耦接至第一上弹性构件(3510)。上耦接部(3213)可以与第一上弹性构件(3510)的内部部分(3512)耦接。上耦接部(3213)可以通过从第一线轴(3210)的顶表面向上突出而形成。例如，上耦接部(3213)的突起可以通过插入第一上弹性构件(3510)的内部部分(3512)的凹槽或孔中而耦接。此时，上耦接部(3213)的突起可以在插入内部部分(1512)的孔中的状态下熔融，以允许第一上弹性构件(3510)固定在熔融的突起和第一线轴(3210)的顶表面之间。
下耦接部可以与第一下弹性构件(3520)耦接。下耦接部可以与第一下弹性构件(3520)的内部部分(3522)耦接。下耦接部可以通过从第一线轴(3210)的下表面向下突出而形成。例如，下耦接部的突起可以通过插入第一下弹性构件(3520)的内部的凹槽或孔中而耦接。此时，下耦接部的突起可以在插入内部部分(3522)的孔中的状态下熔融，以允许第一下弹性构件(3510)固定在熔融的突起和第一线轴(3210)的下表面之间。
第一线圈(3220)可以设置在第一线轴(3210)处。第一线圈(3220)可以设置在第一线轴(3210)的外周表面处。第一线圈(3220)可以直接缠绕在第一线轴(3210)上。第一线圈(3220)可以面向第一磁体(3320)。在这种情况下，当电流被提供给第一线圈(3220)以形成围绕第一线圈(3220)的磁场时，第一线圈(3220)可以通过第一线圈(3220)和第一磁体(3320)之间电磁相互作用相对于第一磁体(3320)移动。第一线圈(3220)可以与第一磁体(3320)电磁相互作用。第一线圈(3220)可以通过与第一磁体(3320)的电磁相互作用使第一线轴(3210)在光轴方向上相对于第一壳体(3310)移动。此时，第一线圈(3220)可以被称为“AF线圈”。例如，第一线圈(3220)可以是一体地形成的一个线圈。在另一示例中，第一线圈(3220)可以包括多个线圈，每个线圈相互间隔开。第一线圈(3220)可以包括相互间隔开的四个线圈。此时，四个线圈可以设置在第一线轴(3210)的外周表面处，以允许两个相邻形成的线圈之间形成90°。
第一线圈(3220)可以包括用于供电的一对引线线缆。此时，第一线圈(3220)上的所述一对引线线缆可以电连接至作为第一上弹性构件(3510)的可分开元件的第五和第六弹性单元(3505，3506)。即，第一线圈(3220)可以通过第一上弹性构件(3510)接收电力。更具体地，第一线圈(3220)可以顺序地通过第一PCB(3001)、第一基板(3410)、第一支承构件(3600)和第一上弹性构件(3510)接收电力。替选地，第一线圈(3220)可以通过第一下弹性构件(3520)接收电力。
第一OIS动子(3300)可以在内部容纳第一AF动子(3200)的至少一部分。第一OIS动子(3300)可以移动第一AF动子(3200)或者与第一AF动子(3200)一起移动。第一OIS动子(3300)可以通过与第一定子(3400)的相互作用而移动。第一OIS动子(3300)可以移动以用于OIS功能。第一OIS动子(3300)可以与第一AF动子(3200)一体地移动以用于OIS功能。
第一OIS动子(3300)可以包括第一壳体(3310)和第一磁体(3320)。然而，可以从第一OIS动子(3300)中省略或改变第一壳体(3310)和第一磁体(3320)中的任何一个或更多个。
第一壳体(3310)可以设置在第一线轴(3210)的外侧处。第一壳体(3310)可以在内部容纳第一线轴(3210)的至少一部分。例如，第一壳体(3310)可以采用立方体形状。第一壳体(3310)可以包括四个侧表面，以及设置在四个侧表面之间的四个角部。第一壳体(3310)可以设置有第一磁体(3320)。例如，第一壳体(3310)的四个侧表面中的每个可以分别设置有第一磁体(3320)。又例如，第一壳体(3310)的四个角部中的每个可以设置有第一磁体(3320)。第一壳体(3310)的外周表面的至少一部分可以形成为与第一盖构件(3100)的内周表面的形状对应的形状。特别地，第一壳体(3310)的外周表面可以形成为与第一盖构件(3100)的侧板(3102)的内周表面的形状相对应的形状。第一壳体(3310)可以由绝缘材料形成。第一壳体(3310)可以由与第一盖构件(3100)的材料不同的材料形成。考虑到产率，第一壳体(3310)可以以注射形成。第一壳体(3310)的外侧表面可以与第一盖构件(3100)的侧板(3102)的内侧表面间隔开。第一壳体(3310)可以在第一壳体(3310)和第一盖构件(3100)之间的空间中移动以进行OIS驱动。第一壳体(3310)的顶表面可以通过第一上弹性构件(3510)耦接。第一壳体(3310)的下表面可以通过第一下弹性构件(3520)耦接。
第一壳体(3310)可以包括第一至第四侧表面(3301，3302，3303，3304)。第一壳体(3310)可以包括连续设置的第一至第四侧表面(3301，3302，3303，3304)。第一壳体(3310)可以包括设置有第一侧表面磁体(3321)的第一侧表面(3301)、设置有第二侧表面磁体(3322)的第二侧表面(3302)、设置有第三侧表面磁体(3323)的第三侧表面(3303)和设置有第四侧表面磁体(3324)的第四侧表面(3304)。第一透镜驱动装置(3000)处的第一壳体(3310)的第一侧表面(3301)可以面向第二透镜驱动装置(4000)处的第二壳体(4310)的第五侧表面(4301)。第一壳体(3310)可以包括第一侧表面(3301)、与第一侧表面(3301)相对设置的第三侧表面(3303)、以及在第一和第三侧表面(3301，3303)之间相互相对设置的第二和第四侧表面(3302，3304)。
第一壳体(3310)可以包括第一至第四角部(3305，3306，3307，3308)。第一壳体(3310)可以包括设置在第一至第四侧表面(3301，3302，3303，3304)之间的第一至第四角部(3305，3306，3307，3308)。第一角部(3305)可以设置在第一侧表面(3301)和第二侧表面(3302)之间。第二角部(3306)可以设置在第二侧表面(3302)和第三侧表面(3303)之间。第三角部(3307)可以设置在第三侧表面(3303)和第四侧表面(3304)之间。第四角部(3308)可以设置在第四侧表面(1304)和第一侧表面(3301)之间。
第一壳体(3310)可以包括通孔(3311)、驱动部耦接部(3312)、上耦接部(3313)、下耦接部(未示出)和传感器耦接部(3315)。然而，可以从第一壳体(3310)中省略或改变通孔(3311)、驱动部耦接部(3312)、上耦接部(3313)、下耦接部和传感器耦接部(3315)中的任何一个或更多个。
通孔(3311)可以形成在第一壳体(3310)处。通孔(3311)可以形成在第一壳体(3310)的内侧处。通孔(3311)可以形成为垂直地穿透第一壳体(3310)。通孔(3311)可以设置有第一线轴(3210)。通孔(3311)可以可移动地与第一线轴(3210)设置在一起。通孔(3311)的至少一部分可以形成为与第一线轴(3210)的形状对应的形状。形成通孔(3311)的第一壳体(3310)的内周表面可以与第一线轴(3210)的外周表面间隔开。然而，形成通孔(3311)的第一壳体(3310)的内周表面可以通过止动件形成在第一壳体(3310)的内周表面处，该止动件通过向内突出机械地限制第一线轴(3210)在光轴方向上的移动。
驱动部耦接部(3312)可以通过第一磁体(3320)耦接。驱动部耦接部(3312)可以形成在第一壳体(3310)处。驱动部耦接部(3312)可以形成在第一壳体(3310)的内周表面处。在这种情况下，有利的是，设置在驱动部耦接部(3312)上的第一磁体(3320)与设置在第一磁体(3320)内侧的第一线圈(3220)电磁相互作用。驱动部耦接部(3312)可以采用底部开口形状。在这种情况下，有利的是，设置在驱动部耦接部(3312)上的第一磁体(3320)与设置在第一磁体(3320)的下侧的第二线圈(3422)电磁相互作用。驱动部耦接部(3312)可以形成为通过允许第一壳体(3310)的内周表面向外凹入而形成的凹槽。此时，驱动部耦接部(3312)可以设置为多个。同时，多个驱动部耦接部(3312)中的每个可以由第一磁体(3320)容纳。例如，驱动部耦接部(3312)可以通过分成四件来设置。四个驱动部耦接部(3312)中的每个可以与第一磁体(3320)设置在一起。例如，驱动部耦接部(3312)可以形成在第一壳体(3310)的侧表面处。在另一示例中，驱动部耦接部(3312)可以形成在第一壳体(3310)的角部处。
上耦接部(3313)可以与第一上弹性构件(3510)耦接。上耦接部(3313)可以与第一上弹性构件(3510)的外部部分(3511)耦接。上耦接部(3313)可以通过从第一壳体(3310)的顶表面向上突出而形成。例如，上耦接部(3313)的突起可以通过插入第一上弹性构件(3510)的外部部分(3511)的凹槽或孔中而耦接。此时，上耦接部(3313)的突起可以在插入外部部分(3511)的孔中的状态下熔融，以将第一上弹性构件(3510)固定在熔融的突起和第一壳体(3310)的顶表面之间。
下耦接部可以与第一下弹性构件(3520)耦接。下耦接部可以耦接至第一下弹性构件(3520)的外部部分(1521)。下耦接部可以通过从第一壳体(3310)的下表面向下突出而形成。例如，下耦接部的突起可以通过插入第一下弹性构件(3520)的外部部分(3521)的凹槽或孔中而耦接。下耦接部的突起可以在插入外部部分(3521)的孔中的状态下熔融，以将第一下弹性构件(3520)固定在熔融的突起和第一壳体(3310)的下表面之间。
传感器耦接部(3315)可以设置有第一AF反馈传感器单元(3700)的至少一部分。传感器耦接部(3315)可以设置有第一AF反馈传感器(3710)。传感器耦接部(3315)可以形成在第一壳体(3310)上。传感器耦接部(3315)可以形成为通过允许第一壳体(3310)的顶表面的一部分向下凹入而形成的凹槽。此时，传感器耦接部(3315)可以由第一AF反馈传感器(3710)的至少一部分容纳。此外，传感器耦接部(3315)的至少一部分可以形成为在形状上对应于第一AF反馈传感器(3710)。
第一磁体(3320)可以设置在第一壳体(3310)处。第一磁体(3320)可以设置在第一线圈(3220)的外侧处。第一磁体(3320)可以面向第一线圈(3220)。第一磁体(3320)可以与第一线圈(3220)电磁相互作用。第一磁体(3320)可以设置在第二线圈(3422)的上侧。第一磁体(3320)可以面向第二线圈(3422)。第一磁体(3320)可以与第二线圈(3422)电磁相互作用。第一磁体(3320)可以共同用于AF功能和OIS功能。然而，第一磁体(3320)可以包括多个磁体，这些磁体可以分别用于AF功能和OIS功能。例如，第一磁体(3320)可以设置在第一壳体(3310)的侧表面处。此时，第一磁体(3320)可以是平板状磁体。第一磁体(3320)可以采用平板形状。在该修改方式中，第一磁体(3320)可以设置在第一壳体(3310)的角部处。此时，第一磁体(3320)可以是角磁体。第一磁体(3320)可以采用内侧表面比外侧表面宽的宽立方体形状。
第一磁体(3320)可以包括第一至第四侧表面磁体(3321，3322，3323，3324)。第一磁体(3320)可以包括均相互间隔开的第一至第四侧表面磁体(3321，3322，3323，3324)。第一磁体(3320)可以包括各自设置在第一壳体(3310)的第一至第四侧表面(3301，3302，3303，3304)处的第一至第四侧表面磁体(3321，3322，3323，3324)。第一磁体(3320)可以包括设置在第一壳体(3310)的第一侧表面(3301)处的第一侧表面磁体(3321)。第一磁体(3320)可以包括设置在第一壳体(3310)的第二侧表面(3302)处的第二侧表面磁体(3322)。第一磁体(3320)可以包括设置在第一壳体(3310)的第三侧表面(3303)处的第三侧表面磁体(3323)。第一磁体(3320)可以包括设置在第一壳体(3310)的第四侧表面(3304)处的第四侧表面磁体(3324)。
第一侧表面磁体(3321)可以设置在第一壳体(3310)的第一侧表面(3301)处。第一侧表面磁体(3321)可以设置成相比于第四角部(3308)更靠近第一角部(3305)。第二侧表面磁体(3322)可以设置在第一壳体(3310)的第二侧表面(3302)处。第二侧表面磁体(3322)可以设置成相比于第二角部(3306)更靠近第一角部(3305)。第三侧表面磁体(3323)可以设置在第一壳体(3310)的第三侧表面(3303)处。第三侧表面磁体(3323)可以设置成相比于第二角部(3306)更靠近第三角部(3307)。第四侧表面磁体(3324)可以设置在第一壳体(3310)的第四侧表面(3304)处。第四侧表面磁体(3324)可以设置成相比于第四角部(3308)更靠近第三角部(3307)。
第一至第四侧表面磁体(3321，3322，3323，3324)可以关于第一光轴相互对称。第一侧表面磁体(3321)可以与第三侧表面磁体(3323)关于第一光轴对称。第一侧表面磁体(3321)可以设置在关于第一光轴与第三侧表面磁体(3323)对称的位置处。第一侧表面磁体(3321)可以形成为具有与第三侧表面磁体(3323)的尺寸和形状关于第一光轴对称的尺寸和形状。第二侧表面磁体(3322)可以与第四侧表面磁体(3324)关于第一光轴对称。第二侧表面磁体(3322)可以设置在与第四侧表面磁体(3324)关于第一光轴对称的位置处。第二侧表面磁体(3322)可以形成为具有与第四侧表面磁体(3324)的尺寸和形状关于第一光轴对称的尺寸和形状。
第一至第四侧表面磁体(3321，3322，3323，3324)中的每个可以具有平板状形状。在这种情况下，第一至第四侧表面磁体(3321，3322，3323，3324)可以称为“平板状磁体”。第一至第四侧表面磁体(3321，3322，3323，3324)可以设置成允许每个N极面向内侧。替选地，第一至第四侧表面磁体(3321，3322，3323，3324)可以设置成允许每个S极面向内侧。
第一至第四侧表面磁体(3321，3322，3323，3324)可以关于作为假想直线的第一虚拟线与第五至第八侧表面磁体(4321，4322，4323，4324)对称。第一虚拟线可以设置在包括第一光轴和第二光轴的平面上，并且可以与第一光轴和第二光轴平行。此外，第一虚拟线可以以相等的距离与第一光轴和第二光轴间隔开。
第一侧表面磁体(3321)可以在垂直于第一光轴的方向上不与第五侧表面磁体(4321)交叠。替选地，第一侧表面磁体(3321)可以在垂直于第一光轴的方向上与第五侧表面磁体(4321)在相对的表面的30％区域内交叠。替选地，第一侧表面磁体(4321)可以在垂直于第一光轴的方向上与第五侧表面磁体(4321)在相对的表面的50％区域内交叠。
第一磁体(3320)可以形成为具有与第二磁体(4320)的形状对应的形状。第一磁体(3320)可以形成为具有与第二磁体(4320)的宽度相同的宽度。第一磁体(3320)可以具有与第二磁体(4320)相同的高度。第一磁体(3320)可以具有与第二磁体(4320)相同的厚度。第一磁体(3320)设置在第一透镜驱动装置(3000)中的位置可以对应于第二磁体(4320)设置在第二透镜驱动装置(4000)中的位置。第一线圈(3220)可以具有八个侧表面，并且第一磁体(3320)可以设置成面向第一线圈(3220)处的八个侧表面的任何一个侧表面。第一磁体(3320)的长度可以短于第一线圈(3220)的相对表面的长度。第一线圈(3220)可以具有八个侧表面，并且第一感测磁体(3730)可以布置成允许面向第一线圈(3220)中的八个侧表面的任何一个侧表面。第一线圈(3220)可以具有八个侧表面，并且第一补偿磁体(3740)可以设置成允许面向第一线圈(3220)中的八个侧表面的任何一个侧表面。
第一定子(3400)可以设置在第一壳体(3310)的下侧。第一定子(3400)可以设置在第一OIS动子(3300)的下侧。第一定子(3400)可以面向第一OIS动子(3300)。第一定子(3400)可以可移动地支承第一OIS动子(3300)。第一定子(3400)可以使第一OIS动子(3300)移动。此时，第一AF动子(3200)可以与第一OIS动子(3300)一起移动。
第一定子(3400)可以包括第一基板(3410)、第一电路构件(3420)和第一基座(3430)。然而，可以从第一定子(3400)中省略或改变第一基板(3410)、第一电路构件(3420)和第一基座(3430)中的任何一个或更多个。
第一基板(3410)可以向第二线圈(3422)供电。基板(3410)可以与第一电路构件(3420)耦接。第一基板(3410)可以与设置在第一基座(3430)的下侧的第一PCB(3001)耦接。第一基板(3410)可以设置在第一电路构件(3420)的下表面处。第一基板(3410)可以设置在第一基座(3430)的顶表面处。第一基板(3410)可以置于第一电路构件(3420)和第一基座(3430)之间。第一基板(3410)可以通过第一支承构件(3600)耦接。第一基板(3410)可以形成有使第一支承构件(3600)穿过的孔。第一基板(3410)的下表面和第一支承构件(3600)的下端可以通过焊接耦接。
第一基板(3410)可以包括柔性PCB(FPCB，flexible printed circuit board，柔性印刷电路板)。第一基板(3410)可以部分弯曲。第一基板(3410)可以向第一线圈(3220)提供电流。第一基板(3410)可以通过第一支承构件(1600)和第一上弹性构件(3510)向第一线圈(3220)提供电流。第一基板(3410)可以通过第一支承构件(1600)和第一上弹性构件(3510)向第一AF反馈传感器单元(3700)的基板(3720)提供电流。提供给基板(3720)的电流可以用于驱动第一AF反馈传感器(3710)。
第一基板(3410)可以包括开口(3411)和端子部(3412)。然而，可以从第一基板(3410)中省略或改变开口(3411)和端子部(3412)中的任何一个或更多个。
开口(3411)可以形成在第一基板(3410)上。开口(3411)可以形成在第一基板(3410)的中心处。可以通过穿过第一基板(3410)来形成开口(3411)。开口(3411)可以使已经穿过第一透镜模块的光穿过。开口(3411)可以形成为圆形形状。然而，开口(3411)的形状不限于此。
端子部(3412)可以形成在第一基板(3410)上。端子部(3412)可以由第一基板(3410)的向下弯曲的部分形成。端子部(3412)的至少一部分可以暴露于外部。端子部(3412)可以通过焊接耦接至设置在第一基座(3430)的下侧的第一PCB(3001)。端子部(3412)的下端可以直接接触第一PCB(3001)。端子部(3412)可以设置在第一基座(3430)的端子耦接部(3434)处。
第一电路构件(3420)可以设置在第一基座(3430)处。第一电路构件(3420)可以设置在第一基板(3410)处。第一电路构件(3420)可以设置在第一基板(3410)的顶表面处。第一电路构件(3420)可以设置在第一磁体(3320)的下侧。第一电路构件(3420)可以置于第一磁体(3320)和第一基座(3430)之间。第一电路构件(3420)可以通过第一支承构件(1600)耦接。第一电路构件(3420)可以可移动地支承第一OIS动子(3300)。
第一电路构件(3420)可以包括基板部(3421)和第二线圈(3422)。然而，可以从第一电路构件(3420)中省略或改变基板部(3421)和第二线圈(3422)中的任何一个或更多个。
基板部(3421)可以是电路基板。基板部(3421)可以是FPCB。基板部(3421)可以与第二线圈(3422)一体地形成。基板部(3421)可以通过第一支承构件(3600)耦接。基板部(3421)可以形成有孔，第一支承构件(3600)可以穿过该孔。基板部(3421)的下表面和第一支承构件(3600)的下端可以通过焊接耦接。基板部(3421)可以形成有开口。基板部(3421)可以形成有开口，基板部(3421)穿过该开口。基板部(3421)的开口可以形成为对应于第一基板(3410)的开口(3411)。
第二线圈(3422)可以面向第一磁体(3320)。在这种情况下，当向第二线圈(3422)提供电流以形成围绕第二线圈(3422)的磁场时，第一磁体(3320)可以通过第二线圈(3422)和第一磁体(3320)之间的电磁相互作用移动至第二线圈。第二线圈(3422)可以与第一磁体(3320)电磁相互作用。第二线圈(3422)可以通过与第一磁体(3320)的电磁相互作用使第一壳体(3310)和第一线轴(3210)相对于第一基座在垂直于光轴的方向上移动。第二线圈(3422)可以包括至少一个线圈。第二线圈(3422)可以是一体地形成在基板部(3421)处的FP线圈(精细图案线圈)。第二线圈(3422)可以包括均与另一线圈相互间隔开的多个线圈。第二线圈(3422)可以包括均与另一线圈相互间隔开的四个线圈。此时，四个线圈可以设置在基板部(3421)处，以允许相邻的两个线圈相互形成90°。同时，可以分别控制四个线圈中的每个。第二线圈(3422)可以顺序地通过第一PCB(3001)、第一基板(3410)和基板部(3421)接收电力。
第一基座(3430)可以设置在第一基板(3410)的下表面处。第一基座(3430)的顶表面可以与第一基板(3410)设置在一起。第一基座(3430)可以与第一电路构件(3420)设置在一起。第一基座(3430)可以与第一盖构件(3100)耦接。第一基座(3430)可以设置在第一PCB(3001)的顶表面处。然而，可以将单独的保持器构件置于第一基座(3430)和第一PCB(3001)之间。第一基座(3430)可以执行保护安装在第一PCB(3001)上的第一图像传感器的传感器保持器的功能。
第一基座(3430)可以包括通孔(3431)、异物收集部(3432)、传感器耦接部(3433)、端子耦接部(3434)和台阶(阶梯)部(3435)。然而，可以从第一基座(3430)中省略或改变通孔(3431)、异物收集部(3432)、传感器耦接部(3433)、端子耦接部(3434)和台阶部(3435)中的任何一个或更多个。
通孔(3431)可以设置在第一基座(3430)上。通孔(3431)可以形成为垂直穿透第一基座(3430)。通孔(3431)可以设置有红外滤波器。然而，红外滤波器可以耦接至设置在第一基座(3430)的下表面处的单独的保持器构件。已经通过通孔(3431)穿过第一透镜模块的光可以入射在图像传感器上。即，已经穿过第一透镜模块的光可以通过第一电路构件(3420)的开口、第一基板(3410)的开口(3411)和第一基座(3430)的通孔(3431)入射到图像传感器上。通孔(3431)可以形成为具有圆形形状。然而，通孔(3431)的形状不限于此。
异物收集部(3432)可以收集引入第一透镜驱动装置(3000)的异物。异物收集部(3432)可以包括通过允许第一基座(3430)的顶表面向下凹入而形成的凹槽，以及设置在凹槽上的粘合部。粘合部可以包括粘合材料。引入第一透镜驱动装置(3000)的异物可以通过粘合部粘附。
传感器耦接部(3433)可以设置在第一OIS反馈传感器(3800)处。传感器耦接部(3433)可以容纳第一OIS反馈传感器(3800)的至少一部分。传感器耦接部(3433)可以由通过允许第一基座(3430)的顶表面向下凹入而形成的凹槽形成。传感器耦接部(3433)可以与异物收集部(3432)间隔开。传感器耦接部(3433)可以由多个凹槽形成。例如，传感器耦接部(3433)可以形成有两个凹槽。此时，两个凹槽中的每个可以设置有第一OIS反馈传感器(3800)。
端子耦接部(3434)可以与第一基板(3410)的端子部(3412)设置在一起。通过允许第一基座(3430)的一个侧表面的一部分向内凹入，可以形成具有凹槽的端子耦接部(3434)。此时，端子耦接部(3434)可以由第一基板(3410)的端子部(3412)的至少一部分容纳。端子耦接部(3434)的宽度可以形成为对应于第一基板(3410)的端子部(3412)的宽度。端子耦接部(3434)的长度可以形成为对应于第一基板(3410)的端子部(3412)的长度。
台阶部(3435)可以形成在第一基座(3430)的侧表面处。台阶部(3435)可以形成为围绕第一基座(3430)的外周表面。台阶部(3435)可以通过允许第一基座(3430)的侧表面的顶表面凹入来形成。替选地，台阶部(3435)可以通过允许第一基座(3430)的侧表面的下表面突出而形成。台阶部(3435)可以与第一盖构件(3100)的侧板(3102)的下端设置在一起。
第一弹性构件(3500)可以耦接至第一线轴(3210)和第一壳体(3310)。第一弹性构件(3500)可以弹性地支承第一线轴(3210)。第一弹性构件(3500)可以在其至少一部分上具有弹性。第一弹性构件(3500)可以可移动地支承第一线轴(3210)。第一弹性构件(3500)可以相对于第一壳体(3310)在光轴上可移动地支承第一线轴(3210)。即，第一弹性构件(3500)可以以第一线轴(3210)执行AF驱动的方式支承。此时，第一弹性构件(3500)可以被称为“AF弹性构件”。
第一弹性构件(3500)可以包括第一上弹性构件(3510)和第一下弹性构件(3520)。然而，可以从第一弹性构件(3500)中省略或改变第一上弹性构件(3510)和第一下弹性构件(3520)中的任何一个或更多个。
第一上弹性构件(3510)可以设置在第一线轴(3210)的上侧，并且可以耦接至第一线轴(3210)和第一壳体(3310)。第一上弹性构件(3510)可以耦接至第一线轴(3210)和第一壳体(3310)。第一上弹性构件(3510)可以耦接至第一线轴(3210)的顶表面并且耦接至第一壳体(3310)的顶表面。第一上弹性构件(3510)可以弹性地支承第一线轴(3210)。第一上弹性构件(3510)可以在其至少一部分上具有弹性。第一上弹性构件(3510)可以可移动地支承第一线轴(3210)。第一上弹性构件(3510)可以相对于第一壳体(3310)在光轴方向上可移动地支承第一线轴(3210)。第一上弹性构件(3510)可以形成有片簧。
第一上弹性构件(3510)可以形成有多个分开元件。第一上弹性构件(3510)可以包括均与其他单元间隔开的六(6)个弹性单元(3501，3502，3503，3504，3505，3506)。然而，可以从第一上弹性构件(3510)中省略或改变六(6)个弹性单元(3501，3502，3503，3504，3505，3506)中的任何一个或更多个。
第一至第六弹性单元(3501，3502，3503，3504，3505，3506)可以相互间隔开，由此，第一至第六弹性单元(3501，3502，3503，3504，3505，3506)可以用作第一透镜驱动装置(3000)内部的导线。第一至第六弹性单元(3501，3502，3503，3504，3505，3506)可以通过第一支承构件(3600)电连接至第一基板(3410)。第一至第四弹性单元(3501，3502，3503，3504)可以耦接至第一AF反馈传感器单元(3700)的基板(3720)，由此，第一至第四弹性单元(3501，3502，3503，3504)可以电连接至第一AF反馈传感器(3710)。此时，第五和第六弹性单元(3505，3506)可以电连接至第一线圈(3220)。即，第一至第六弹性单元(3501，3502，3503，3504，3505，3506)可以用于向设置在第一壳体(3310)处的AF反馈传感器(3710)和设置在第一线轴(3210)上的第一线圈(3220)提供电力。
第一上弹性构件(3510)可以包括外部部分(3511)、内部部分(3512)、连接部(3513)、耦接部(3514)和端子部(3515)。然而，可以从第一上弹性构件(3510)中省略或改变外部部分(3511)、内部部分(3512)、连接部(3513)、耦接部(3514)和端子部(3515)中的任何一个或更多个。
外部部分(3511)可以耦接至第一壳体(3310)。外部部分(3511)可以耦接至第一壳体(3310)的顶表面。外部部分(3511)可以耦接至第一壳体(3310)的上耦接部(3313)。外部部分(3511)可以包括耦接至第一壳体(3310)的上耦接部(3313)的孔或凹槽。
内部部分(3512)可以耦接至第一线轴(3210)。内部部分(3512)可以耦接至第一线轴(3210)的顶表面。内部部分(3512)可以耦接至第一线轴(3210)的上耦接部(3213)。内部部分(3512)可以包括耦接至第一线轴(3210)的上耦接部(3213)的孔或凹槽。
连接部(3513)可以连接外部部分(3511)和内部部分(3512)。连接部(3513)可以弹性地连接外部部分(3511)和内部部分(3512)。连接部(3513)可以具有弹性。此时，连接部(3513)可以称为“弹性部”。连接部(3513)可以通过弯曲多于两次来形成。
耦接部(3514)可以耦接至第一支承构件(3600)。耦接部(3514)可以通过焊接的方式耦接至第一支承构件(3600)。例如，耦接部(3514)可以包括使第一支承构件(3600)穿过的孔。在另一示例中，耦接部(3514)可以包括通过第一支承构件(3600)耦接的凹槽。耦接部(3514)可以从外部部分(3511)延伸。耦接部(3514)可以从外部部分(3511)延伸到外部。耦接部(3514)可以包括通过弯曲形成的弯曲部。
端子部(3515)可以从外部部分(3511)延伸。端子部(3515)可以电连接至第一AF反馈传感器单元(3700)的基板(3720)。端子部(3515)可以通过焊接的方式耦接至第一AF反馈传感器单元(3700)的基板(3720)的端子。端子部(3515)可以包括总共四件。
第一下弹性构件(3520)可以设置在第一线轴(3210)的下侧，并且可以耦接至第一线轴(3210)和第一壳体(3310)。第一下弹性构件(3520)可以耦接至第一线轴(3210)和第一壳体(3310)。第一下弹性构件(3520)可以耦接至第一线轴(3210)的下表面和第一壳体(3310)的下表面。第一下弹性构件(3520)可以弹性地支承第一线轴(3210)。第一下弹性构件(3520)可以在其至少一部分上具有弹性。第一下弹性构件(3520)可以可移动地支承第一线轴(3210)。第一下弹性构件(3520)可以相对于第一壳体(3310)在光轴方向上可移动地支承第一线轴(3210)。第一下弹性构件(3520)可以形成有片簧。例如，第一下弹性构件(3520)可以一体地形成。
第一下弹性构件(3520)可以包括外部部分(3521)、内部部分(3522)和连接部(3523)。然而，可以从第一下弹性构件(3520)中省略或改变外部部分(3521)、内部部分(3522)和连接部(3523)中的任何一个或更多个。
外部部分(3521)可以耦接至第一壳体(3310)。外部部分(3521)可以耦接至第一壳体(3310)的下表面。外部部分(3521)可以耦接至第一壳体(3310)的下耦接部。外部部分(3521)可以包括耦接至第一壳体(3310)的下耦接部的孔或凹槽。
内部部分(3522)可以耦接至第一线轴(3210)。内部部分(3522)可以耦接至第一线轴(3210)的顶表面。内部部分(3522)可以耦接至第一线轴(3210)的下耦接部。内部部分(3522)可以包括耦接至第一线轴(3210)的下耦接部的孔或凹槽。
连接部(3523)可以连接外部部分(3521)和内部部分(3522)。连接部(3523)可以弹性地连接外部部分(3521)和内部部分(3522)。连接部(3523)可以具有弹性。此时，连接部(3523)可以称为“弹性部”。连接部(3523)可以通过弯曲多于两次来形成。
第一支承构件(3600)可以可移动地支承第一壳体(3310)。第一支承构件(3600)可以弹性地支承第一壳体(3310)。第一支承构件(3600)可以在其至少一部分上具有弹性。此时，第一支承构件(3600)可以被称为“弹性构件”。例如，第一支承构件(3600)可以相对于第一定子(3400)在垂直于光轴的方向上可移动地支承第一壳体(3310)。此时，第一线轴(3210)可以与第一壳体(3310)一体地移动。又如，第一支承构件(3600)可以相对于第一定子(3400)倾斜地支承第一壳体(3310)。即，第一支承构件(3600)可以以第一壳体(3310)和第一线轴(3210)可以执行OIS驱动的方式支承第一壳体(3310)和第一线轴(3210)。此时，第一支承构件(3600)可以被称为“OIS支承构件”。例如，第一支承构件(3600)可以形成有配线。又例如，第一支承构件(3600)可以形成有片簧。
第一支承构件(3600)可以耦接至第一上弹性构件(3510)和第一定子(3400)。第一支承构件(3600)的下端可以耦接至第一基板(3410)。第一支承构件(3600)可以穿过第一基板(3410)。通过该结构，第一支承构件(3600)的下端可以通过焊接耦接至第一基板(3410)的下表面。第一支承构件(3600)的上端可以耦接至第一上弹性构件(3510)的耦接部(1514)。第一支承构件(3600)的上端可以穿过第一上弹性构件(3510)的耦接部(3514)。通过该结构，第一支承构件(3600)的上端可以通过焊接耦接至第一上弹性构件(3510)的耦接部(3514)的顶表面。在该修改方式中，第一支承构件(3600)的下端可以耦接至第一电路构件(3420)的基板部(3421)。第一支承构件(3600)的下端可以耦接至第一基座(3430)。第一支承构件(3600)的上端可以耦接至第一壳体(3310)。然而，第一支承构件(3600)的结构不限于此，并且可以包括能够相对于第一定子(3400)可移动地支承第一OIS动子(3300)的任何结构。
第一支承构件(3600)可以形成有多个分开元件。第一支承构件(3600)可以形成有均相互间隔开的六个(6)支承部(3601，3602，3603，3604，3605，3606)。第一支承构件(3600)可以包括均相互间隔开的第一至第六支承部(3601，3602，3603，3604，3605，3606)。然而，可以从第一支承构件(3600)中省略或改变第一至第六支承部(3601，3602，3603，3604，3605，3606)中的任何一个或更多个。特别地，第一支承构件(3600)可以形成有第一至第六支承部(3601，3602，3603，3604，3605，3606)，以与第一上弹性构件(3510)的第一至第六弹性单元支承(3501，3502，3503，3504，3505，3506)配对。然而，作为修改方式，考虑到对称性，第一支承构件(3600)可以形成有八个支承部。
第一至第六支承部(3601，3602，3603，3604，3605，3606)可以相互间隔开，由此，第一至第六支承部(3601，3602，3603，3604，3605，3606)可以用作第一透镜驱动装置(3000)内的导线。第一至第六支承部(3601，3602，3603，3604，3605，3606)可以耦接至第一基板(3410)。第一至第六支承部(3601，3602，3603，3604，3605，3606)可以耦接至第一上弹性构件(3510)。即，第一至第六支承部(3601，3602，3603，3604，3605，3606)可以电连接第一基板(3410)和第一上弹性构件(3510)。第一支承部(3601)可以耦接至第一弹性单元(3501)，第二支承部(3602)可以耦接至第二弹性单元(3502)，第三支承部(3603)可以耦接至第三弹性单元(3503)，第四支承部(3604)可以耦接至第四弹性单元(3504)，第五支承部(3605)可以耦接至第五弹性单元(3505)，并且第六支承部(3606)可以耦接至第六弹性单元(3506)。第一至第六支承部(3601，3602，3603，3604，3605，3606)中的每个可以是配线。
可以在第一支承构件(3600)上设置阻尼器(未示出)。阻尼器可以设置在第一支承构件(3600)和第一壳体(3310)上。阻尼器可以设置在第一弹性构件(3500)上。阻尼器可以设置在第一弹性构件(3500)和/或第一支承构件(3600)上，以防止由第一弹性构件(3500)和/或第一支承构件(3600)产生的共振现象。可以向第一弹性构件(3500)和第一支承构件(3600)中的任何一个或更多个设置减震部(未示出)。可以通过允许第一弹性构件(3500)和/或第一支承构件(3600)的一部分的形状改变来形成减震部。
可以设置第一AF反馈传感器单元(3700)以用于AF反馈。第一AF反馈传感器单元(3700)可以检测第一线轴(3210)在光轴方向上的移动。第一AF反馈传感器单元(3700)可以实时检测第一线轴(3210)在光轴方向上的移动以提供给控制器。
第一AF反馈传感器单元(3700)可以包括第一AF反馈传感器(3710)、基板(3720)和第一感测磁体(3730)。然而，可以从第一AF反馈传感器单元(3700)中省略或改变第一AF反馈传感器(3710)、基板(3720)和第一感测磁体(3730)中的任何一个或更多个。此外，第一AF反馈传感器单元(3700)还可以包括第一补偿磁体(3740)。然而，第一补偿磁体(3740)是与第一线轴(3210)的位置感测无关的元件，因此，可以将其解释为相对于第一AF反馈传感器单元(3700)的单独元件。
第一AF反馈传感器(3710)可以设置在第一壳体(3310)上。第一AF反馈传感器(3710)可以布置在第一壳体(3310)上。第一AF反馈传感器(3710)可以设置在第一壳体(3310)的角部处。第一AF反馈传感器(3710)可以设置在第一壳体(3310)的多个角部中与第二感测磁体(4730)间隔最远的角部上。第一AF反馈传感器(3710)可以设置在第一壳体(3310)的多个角部中与第二AF反馈传感器(4710)间隔最远的角部上。通过该结构，第一AF反馈传感器(3710)和第二AF反馈传感器(4710)可以在有限的空间内最大化地间隔开。第一AF反馈传感器(3710)可以设置在第一壳体(3310)的第二角部(3306)上。第一AF反馈传感器(3710)可以置于第二和第三侧表面(3302，3303)之间。第一AF反馈传感器(3710)可以设置在连接第二角部(3306)和第四角部(3308)的虚拟直线上。即，第一AF反馈传感器(3710)、第一感测磁体(3730)和第一补偿磁体(3740)都可以设置在连接第一壳体(3310)的第二角部(3306)和第四角部(3308)的虚拟直线上。
第一AF反馈传感器(3710)可以设置在基板(3720)上。第一AF反馈传感器(3710)可以耦接至基板(3720)。第一AF反馈传感器(3710)可以电连接至基板(3720)。第一AF反馈传感器(3710)可以安装在基板(3720)上。可以使用SMT(表面安装器技术)将第一AF反馈传感器(3710)耦接至基板(3720)。第一AF反馈传感器(3710)可以安装在基板(3720)的传感器安装部上。第一AF反馈传感器(3710)可以检测第一感测磁体(3730)。第一AF反馈传感器(3710)可以包括检测磁体的磁场的霍尔IC。第一AF反馈传感器(3710)可以包括霍尔集成驱动器。第一AF反馈传感器(3710)可以包括温度检测功能。
第一AF反馈传感器(3710)固定至第一壳体(3310)，并且第一感测磁体(3730)固定至第一线轴(3210)。当第一感测磁体(3730)与第一线轴(3210)一起移动时，第一AF反馈传感器(3710)内的霍尔IC检测到的磁通密度可以响应于第一AF反馈传感器(3710)和第一感测磁体(3730)的相对位置而改变。第一AF反馈传感器(3710)可以使用霍尔IC的输出电压来检测第一透镜模块的位置，该输出电压与响应于第一AF反馈传感器(3710)和第一感测磁体(3730)的相对位置而改变的磁通密度成比例。
基板(3720)可以设置在第一壳体(3310)上。基板(3720)可以耦接至第一AF反馈传感器(3710)。基板(3720)可以电连接至第一AF反馈传感器(3710)。基板(3720)可以耦接至第一上弹性构件(3510)。基板(3720)可以电连接至第一上弹性构件(3510)的第一至第四弹性单元(3501，3502，3503，3504)。基板(3720)可以包括耦接至第一上弹性构件(3510)的第一至第四弹性单元(3501，3502，3503，3504)的四(4)个端子。基板(3720)和第一上弹性构件(3510)可以通过焊接耦接。基板(3720)的顶表面可以耦接至第一上弹性构件(3510)的第一至第四弹性单元(3501，3502，3503，3504)，并且基板(3720)的下表面可以耦接至第一AF反馈传感器(3710)。
第一感测磁体(3730)可以设置在第一壳体(3310)的第二和第三侧表面(3302，3303)之间的面向第二角部(3306)的侧表面处。第一感测磁体(3730)可以设置在第一线轴(3210)上。第一感测磁体(3730)可以布置在第一线轴(3210)上。第一感测磁体(3730)可以由第一AF反馈传感器(3710)检测。第一感测磁体(3730)可以设置在第一线轴(3210)的角处。第一感测磁体(3730)可以设置成面向第一壳体(3310)的第二角部(3306)。第一感测磁体(3730)可以设置在连接第二角部(3306)和第四角部(3308)的虚拟直线上。第一感测磁体(3730)可以与第一补偿磁体(3740)关于第一线轴(3210)对称。第一感测磁体(3730)可以具有与第一补偿磁体(3740)的磁性相对应的磁性。第一感测磁体(3730)可以设置在第一线轴(3210)的一侧。第一感测磁体(3730)可以在垂直于第一光轴的方向上与第一线圈(3220)交叠。
第一感测磁体(3730)可以设置在第一线圈(3220)的内侧。第一线圈(3220)可以包括八(8)个侧表面，并且第一感测磁体(3730)可以设置在第一线圈(3220)的内侧，以允许面向第一线圈(3220)的八个侧表面中的任何一个侧表面。第一感测磁体(3730)可以设置在第一线圈(3220)的外侧。第一感测磁体(3730)可以置于第一线圈(3220)和第一AF反馈传感器(3710)之间。在这种情况下，由第一AF反馈传感器(3710)检测到的检测值可能较大，因为相比于第一感测磁体(3730)设置在第一线圈(3220)的内侧的情况，第一感测磁体(3730)和第一AF反馈传感器(3710)之间的距离更近。第一感测磁体(3730)可以被磁化为四(4)个极，并且可以考虑与第一AF反馈传感器(3710)的相对位置来设置，以允许仅使用霍尔输出为正的部分。第一感测磁体(3730)可以设置成允许S极形成在上部内侧，N极形成在上部外侧，N极形成在下部内侧，S极形成在下部外侧。
第一补偿磁体(3740)可以设置成实现与第一感测磁体(3730)的磁平衡。第一补偿磁体(3740)可以设置在第一线轴(3210)上。第一补偿磁体(3740)可以布置在第一线轴(3210)上。第一补偿磁体(3740)可以与第一感测磁体(3730)关于第一光轴对称。第一补偿磁体(3740)可以与第一感测磁体(3730)关于第一线轴(3210)对称。第一补偿磁体(3740)可以具有与第一感测磁体(3730)的磁性相对应的磁性。第一补偿磁体(3740)可以设置在第一线轴(3210)的另一侧，该另一侧与第一线轴(3210)的设置有第一感测磁体(3730)的一侧的相对侧对应。第一补偿磁体(3740)可以设置在连接第二角部(3306)和第四角部(3308)的虚拟直线上。第一补偿磁体(3740)可以设置成与第一感测磁体(3730)关于第一光轴对称。通过该结构，可以实现第一感测磁体(3730)和第一补偿磁体(3740)之间的电磁平衡。结果，第一线圈(3220)作用于第一感测磁体(3730)之间的电磁相互作用的影响可以最小化。
第一补偿磁体(3740)可以设置在第一线圈(3220)的内侧。第一线圈(3220)可以包括八(8)个侧表面，并且第一补偿磁体(3740)可以设置在第一线圈(3220)的内侧，以允许面向第一线圈(3220)的八个侧表面的任何一个侧表面。第一补偿磁体(3740)可以设置在第一线圈(3220)的外侧。
可以设置第一OIS反馈传感器(3800)用于OIS反馈。第一OIS反馈传感器(3800)可以检测第一壳体(3310)的移动。第一OIS反馈传感器(3800)可以检测在垂直于第一壳体(3310)和/或第一线轴(3210)的光轴的方向上的移动或倾斜。第一OIS反馈传感器(3800)可以检测第一磁体(3320)。第一OIS反馈传感器(3800)可以检测设置在第一壳体(3310)上的第一磁体(3320)。第一OIS反馈传感器(3800)可以检测第一壳体(3310)的位置。第一OIS反馈传感器(3800)可以检测在垂直于第一壳体(3310)的光轴的方向上的移动量。此时，在垂直于第一壳体(3310)的光轴的方向上的移动量可以对应于第一线轴(3210)的移动量和耦接至第一线轴(3210)的透镜模块的移动量。第一OIS反馈传感器(3800)可以设置在第一定子(3400)上。第一OIS反馈传感器(3800)可以设置在第一基板(3410)的下表面处。第一OIS反馈传感器(3800)可以电连接至第一基板(3410)。第一OIS反馈传感器(3800)可以设置在第一基座(3430)上。第一OIS反馈传感器(3800)可以容纳在形成在第一基座(3430)的顶表面处的传感器耦接部(3433)中。第一OIS反馈传感器(3800)可以是霍尔传感器。第一OIS反馈传感器(3800)可以是霍尔IC(霍尔集成电路)。第一OIS反馈传感器(3800)可以检测第一磁体(3320)的磁力。即，当第一壳体移动时，第一OIS反馈传感器(3800)可以通过检测响应于第一磁体(3320)的移动而改变的磁力的变化来检测第一壳体(3310)的位移量。第一OIS反馈传感器(3800)可以设置为多个。第一OIS反馈传感器(3800)可以包括第一轴传感器(3810)和第二轴传感器(3820)。此时，第一轴传感器(3810)可以检测第一壳体(3310)在x轴(z轴是光轴)方向上的移动，并且第二轴传感器(3820)可以检测第一壳体(3310)在y轴方向上的移动。
第二摄像头模块可以是具有AF反馈功能的OIS摄像头模块。第二摄像头模块可以是具有AF功能、AF反馈功能、OIS功能和OIS反馈功能的所有功能的摄像头模块。
第二摄像头模块可以包括第二透镜驱动装置(4000)、第二透镜模块(未示出)、第二红外滤波器(未示出)、第二PCB(4001)、第二图像传感器(未示出)和第二控制器(未示出)。然而，可以从第二摄像头模块中省略或改变第二透镜驱动装置(4000)、第二透镜模块、第二红外滤波器、第二PCB(4001)、第二图像传感器和第二控制器中的任何一个或更多个。
第二透镜模块可以包括透镜和镜筒。第二透镜模块可以包括一个或更多个透镜(未示出)和容纳一个或更多个透镜的镜筒。然而，第二透镜模块的一个元件不限于镜筒，并且任何能够支承一个或更多个透镜的保持器结构将足以用于镜筒。第二透镜模块可以通过耦接至第二透镜驱动装置(4000)而与第二透镜驱动装置(4000)一起移动。第二透镜模块可以耦接至第二透镜驱动装置(4000)的内侧。第二透镜模块可以螺纹耦接至第二透镜驱动装置(4000)。第二透镜模块可以使用粘合剂(未示出)耦接至第二透镜驱动装置(4000)。同时，已经穿过第二透镜模块的光可以照射在第二图像传感器上。
第二红外滤波器可以防止红外区的光入射在第二图像传感器上。第二红外滤波器可以置于第二透镜模块和第二图像传感器之间。第二红外滤波器可以设置在与第二基座(4430)分开设置的保持器构件(未示出)处。然而，第二红外滤波器可以安装在形成在第二基座(4430)的中心处的通孔(4431)上。第二红外滤波器可以由膜材料或玻璃材料形成。第二红外滤波器可以通过在诸如保护盖玻璃和盖玻璃的平坦光学滤波器上涂覆红外截止涂层材料来形成。第二红外可以是红外截止滤波器或红外吸收滤波器。
第二PCB(4001)可以支承第二透镜驱动装置(4000)。第二PCB(4001)可以安装有第二图像传感器。例如，第二PCB(4001)的内顶表面可以与第二图像传感器设置在一起，并且第二PCB(4001)的上外侧可以与保持器构件设置在一起。替选地，第二PCB(4001)的上外表面可以与第二透镜驱动装置(4000)设置在一起，并且第二PCB(4001)的上内侧可以与第二图像传感器设置在一起。通过该结构，已经穿过容纳在第二透镜驱动装置(4000)内部的第二透镜模块的光可以照射在安装在第二PCB(4001)上的第二图像传感器上。第二PCB(4001)可以向第二透镜驱动装置(4000)供电。同时，第二PCB(4001)可以设置有用于控制第二透镜驱动装置(4000)的第二控制器。第二PCB(4001)可以与第一PCB(3001)一体地形成。第二PCB(4001)和/或第一PCB(3001)可以是光学装置的基板。第一PCB和第二PCB(3001，4001)中的每个可以包括用于电连接至外部的端子。
第二图像传感器可以安装在第二PCB(4001)上。第二图像传感器的光轴和第二透镜模块的光轴可以在其位置匹配，由此，第二图像传感器可以获得已经穿过第二透镜模块的光。第二图像传感器可以将照射的光作为图像输出。第二图像传感器可以是CCD(电荷耦合器件)、MOS(金属氧化物半导体)、CPD和CID。然而，第二图像传感器的类型不限于此。
第二控制器可以安装在第二PCB(4001)上。第二控制器可以设置在第二透镜驱动装置(4000)的外侧。然而，第二控制器也可以设置在第二透镜驱动装置(4000)的内侧。第二控制器可以控制提供给形成第二透镜驱动装置(4000)的每个元件的电流的方向、强度和幅值。第二控制器可以通过控制第二透镜驱动装置(4000)来执行第二摄像头模块的AF功能。即，第二控制器可以通过控制第二透镜驱动装置(4000)使第二透镜模块在光轴方向上移动。此外，第二控制器可以执行AF功能的反馈控制。更具体地，第二控制器可以通过接收由第二AF反馈传感器(4710)检测到的第二线轴(4210)的位置来控制施加至第三线圈(2220)的电力或电流，从而提供更准确的AF功能。此外，第二控制器可以通过控制第二驱动透镜模块(4000)来执行第二摄像头模块的OIS功能。即，第二控制器可以通过控制第二透镜驱动装置(4000)使第二透镜模块在垂直于光轴的方向上移动或倾斜。此外，第二控制器可以执行OIS功能的反馈控制。更具体地，第二控制器可以通过接收由第二OIS反馈传感器(4800)检测到的第二壳体(4310)的位置来控制施加至第四线圈(4422)的电力或电流，从而提供更准确的OIS功能。
在下文中，将参考附图描述第二透镜驱动装置的配置。
图23是示出根据第二示例性实施方式的第二透镜驱动装置的分解透视图，图24是示出根据第二示例性实施方式的第二AF动子和相关配置的分解透视图，图25是示出根据第二示例性实施方式的第二OIS动子和相关配置的分解透视图，图26是示出根据第二示例性实施方式的第二定子和相关配置的分解透视图，图27是示出根据第二示例性实施方式的第二弹性构件、第二支承构件及其相关配置的分解透视图，图28是示出根据第二示例性实施方式的省略了一些元件的第二透镜驱动装置的透视图。
第二透镜驱动装置(4000)可以与第一透镜驱动装置(3000)间隔开。
第二透镜驱动装置(4000)可以与第一透镜驱动装置(3000)平行布置。
第二透镜驱动装置(4000)可以与第一透镜驱动装置(3000)并排布置。第二透镜驱动装置(4000)可以设置成允许面向第一透镜驱动装置(3000)的表面相互平行。第二透镜驱动装置(4000)的第五侧表面(4301)可以在垂直于第二光轴的方向上与第一透镜驱动装置(3000)的第一侧表面(3301)交叠。第二透镜驱动装置(4000)的第二盖构件(4100)可以与第一透镜驱动装置(3000)的第一盖构件(3100)间隔1mm至5mm。即，第一和第二盖构件(3100，4100)之间的分开距离(参见图29的L)可以是1mm至5mm。替选地，第一和第二盖构件(3100，4100)之间的分开距离(L)可以是1mm至3mm。替选地，第一和第二盖构件(3100，4100)之间的分开距离(L)可以是1mm。
第二透镜驱动装置(4000)可以包括第二盖构件(4100)、第二AF动子(4200)、第二OIS动子(4300)、第二定子(4400)、第二弹性构件(4500)、第二支承构件(4600)、第二AF反馈传感器单元(4700)和第二OIS反馈传感器(4800)。然而，可以从第二透镜驱动装置(4000)中省略或改变第二盖构件(4100)、第二AF动子(4200)、第二OIS动子(4300)、第二定子(4400)、第二弹性构件(4500)、第二支承构件(4600)、第二AF反馈传感器单元(4700)和第二OIS反馈传感器(4800)中的任何一个或更多个。在修改方式中，可以改变或省略第二AF反馈传感器单元(4700)。
第二盖构件(4100)可以将第二壳体(4310)容纳在其内。第二盖构件(4100)可以形成第二透镜驱动装置(4000)的外部形状。第二盖构件(4100)可以采用底部开口的立方体形状。然而，本发明不限于此。第二盖构件(4100)可以是非磁性物质。第二盖构件(4100)可以由金属材料形成。
更具体地，第二盖构件(4100)可以由金属板形成。在这种情况下，第二盖构件(4100)可以屏蔽EMI(电磁干扰)。由于第二盖构件(4100)的这种特性，第二盖构件(4100)可以被称为“EMI屏蔽罩”。第二盖构件(4100)可以屏蔽从第二透镜驱动装置(4000)的外部产生的无线电波，使其不被引入第二盖构件(4100)。此外，第二盖构件(4100)可以屏蔽从第二盖构件(4100)内部产生的无线电波，使其不被排放到第二盖构件(4100)的外部。然而，第二盖构件(4100)的材料不限于此。
第二盖构件(4100)可以包括上板(4101)和侧板(4102)。第二盖构件(4100)可以包括上板(4101)和从上板(4101)的外侧向下延伸的侧板(4102)。第二盖构件(4100)的侧板(4102)的下端可以安装在第二基座(4430)上。第二盖构件(4100)的侧板(4102)的下端可以耦接至第二基座(4430)的台阶(阶梯，4435)。第二盖构件(4100)可以通过在内表面处部分地或整体地紧密耦接至第二基座(4430)的侧表面而安装在第二基座(4430)上。由第二盖构件(4100)和第二基座(4430)形成的内部空间可以设置有第二AF动子(4200)和第二OIS动子(4300)。通过这种结构，第二盖构件(4100)可以保护内部元件免受外部冲击，同时防止外部异物向内引入。然而，本发明不限于此，并且第二盖构件(4100)的侧板(4102)的下端可以直接耦接至设置在第二基座(4430)的下侧的第二PCB(4001)。多个侧板(4102)的一些部分可以面向第一盖构件(3100)。
第二盖构件(4100)可以包括开口(4110)。开口(4110)可以形成在上板(4101)上。开口(4110)可以暴露第二透镜模块。开口(4110)可以形成为在形状上对应于第二透镜模块。开口(4110)的尺寸可以形成为大于第二透镜模块的直径，以允许第二透镜模块通过开口(4110)组装。同时，通过开口(4110)引入的光可以穿过第二透镜模块。此时，已经穿过第二透镜模块的光可以作为图像被第二图像传感器获得。
第二AF动子(4200)可以耦接至第二透镜模块。第二AF动子(4200)可以将第二透镜模块容纳在其内。第二AF动子(4200)的内周表面可以通过第二透镜模块的外周表面耦接。第二AF动子(4200)可以通过与第二OIS动子(4300)的相互作用而与第二透镜模块一体地移动。
第二AF动子(4200)可以耦接至作为第二摄像头模块的一个元件的第二透镜模块，其中第二透镜模块可以被解释为透镜驱动装置的元件。第二AF动子(4200)可以将第二透镜模块容纳在其内。第二AF动子(4200)的内周表面可以通过第二透镜模块的外周表面耦接。第二AF动子(4200)可以通过与第二OIS动子(4300)和/或第二定子(4400)的相互作用而移动。此时，第二AF动子(4200)可以与第二透镜模块一体地移动。同时，第二AF动子(4200)可以移动以用于AF功能。然而，第二AF动子(4200)不限于移动以仅用于AF功能的构件。第二AF动子(4200)也可以移动以用于OIS功能。第二AF动子(4200)可以包括第二线轴(4210)和第三线圈(4220)。然而，可以从第二AF动子(4200)中省略或改变第二线轴(4210)和第三线圈(4220)中的任何一个或更多个。
第二线轴(4210)可以设置在第二壳体(4310)的内侧。第二线轴(4210)可以设置在第二壳体(4310)的通孔(4311)处。第二线轴(4210)可以围绕第二壳体(4310)在光轴方向上移动。第二线轴(4210)可以设置在第二壳体(4310)的通孔(4311)处，以沿着光轴移动。第二线轴(4210)可以与第二透镜模块耦接。第二线轴(4210)的内周表面可以通过第二透镜模块的外周表面耦接。第二线轴(4210)可以通过第三线圈(4220)耦接。第二线轴(4210)的外周表面可以通过第三线圈(4220)耦接。第二线轴(4210)的顶表面可以与第二上弹性构件(4510)耦接。第二线轴(4210)的下表面可以耦接至第二下弹性构件(4520)。
第二线轴(4210)可以包括通孔(4211)、驱动部耦接部(4212)、上耦接部(4213)和下耦接部(未示出)。然而，可以从第二线轴(4210)中省略或改变通孔(4211)、驱动部耦接部(4212)、上耦接部(4213)和下耦接部中的任何一个或更多个。
通孔(4211)可以形成在第二线轴(4210)的内侧。通孔(4211)可以形成有上/下开口形状。通孔(4211)可以通过第二透镜模块耦接。通孔(4211)的内周表面可以形成有螺纹，该螺纹的形状与形成在第二透镜模块的外周表面上的形状相对应。即，通孔(4211)可以螺纹连接至第二透镜模块。可以将粘合剂置于第二透镜模块和第二线轴(4210)之间。此时，粘合剂可以是通过UV(紫外线)、热或激光束中的任何一种或更多种硬化的环氧树脂。
驱动部耦接部(4212)可以通过第三线圈(4220)耦接。驱动部耦接部(4212)可以形成在第二线轴(4210)的外周表面处。驱动部耦接部(4212)可以由通过允许第二线轴(4210)的外周表面的一部分向内凹入而形成的凹槽形成。此时，第三线圈(4220)的至少一部分可以容纳在驱动部耦接部(4212)中。驱动部耦接部(4212)可以与第二线轴(4210)的外周表面一体地形成。例如，驱动部耦接部(4212)可以沿着第二线轴(4210)的外周表面连续地形成。
此时，驱动部耦接部(4212)可以缠绕有第三线圈(4220)。在另一示例中，驱动部耦接部(4212)可以形成为均间隔开的多个。此时，第三线圈(4220)可以形成为均耦接至驱动部耦接部(4212)的多个。在又一示例中，驱动部耦接部(4212)可以形成为上开口或下开口形状。此时，第三线圈(4220)可以通过在处于预卷绕状态的同时通过开口区域插入驱动部耦接部(4212)而耦接至驱动部耦接部(4212)。
上耦接部(4213)可以耦接至第二上弹性构件(4510)。上耦接部(4213)可以耦接至第二上弹性构件(4510)的内周表面(4512)。上耦接部(4213)可以从第二线轴(4210)的顶表面向上突出地形成。例如，上耦接部(4213)的突起可以通过插入第二上弹性构件(4510)的内周表面(4512)的凹槽或孔中而耦接。此时，上耦接部(4213)的突起可以在插入内周表面(4512)的孔中的同时熔融，以将第二上弹性构件(4510)固定在熔融的突起和第二线轴之间(4210)。
下耦接部可耦接至第二下弹性构件(4520)。下耦接部可以耦接至第二下弹性构件(4520)的内周表面(4522)。下耦接部可以从第二线轴(4210)的下表面向下突出地形成。例如，下耦接部的突起可以通过插入第二下弹性构件(4520)的内周表面(4522)的凹槽或孔中而耦接。此时，下耦接部的突起可以在插入内周表面(4522)的孔中的同时熔融，以将第二下弹性构件(4520)固定在熔融的突起和第二线轴(4210)之间。
第三线圈(4220)可以设置在第二线轴(4210)处。第三线圈(4220)可以设置在第二线轴(4210)的外周表面处。第三线圈(4220)可以面向第二磁体(4320)。在这种情况下，当电流被提供给第三线圈(4220)以形成围绕第三线圈(4220)的磁场时，第三线圈(4220)可以通过第三线圈(4220)和第二磁体(4320)之间的电磁相互作用相对于第二磁体(4320)移动。第三线圈(4220)可以与第二磁体(4320)电磁相互作用。第三线圈(4220)可以通过与第二磁体(4320)的电磁相互作用使第二线轴(4210)在光轴方向上相对于第二壳体(4310)移动。此时，第三线圈(4220)可以称为“AF线圈”。例如，第三线圈(4220)可以是一体地形成的一个线圈。在另一示例中，第三线圈(4220)可以包括均相互间隔开的多个线圈。第三线圈(4220)可以形成有均相互间隔开的四个(4)线圈。此时，四个线圈可以设置在第二线轴(4210)的外周表面处，以允许两个相邻的线圈相互形成90°。
第三线圈(4220)可以包括用于供电的一对引线线缆。第三线圈(4220)上的所述一对引线线缆可以电连接至作为第二上弹性构件(4510)的可分开元件的第五和第六弹性单元(4505，4506)。即，第三线圈(4220)可以通过第二上弹性构件(4510)接收电力。更具体地，第三线圈(4220)可以顺序地通过第二PCB(4001)、第二基板(4410)、第二支承构件(4600)和第二上弹性构件(4510)接收电力。替选地，第三线圈(4220)可以通过第二下弹性构件(4520)接收电力。
第二OIS动子(4300)可以将第二AF动子(4200)的至少一部分容纳在其内。第二OIS动子(4300)可以移动第二AF动子(4200)或者可以与第二AF动子(4200)一起移动。第二OIS动子(4300)可以通过与第二定子(4400)的相互作用移动。第二个OIS动子(4300)可以移动以用于OIS功能。当移动以用于OIS功能时，第二OIS动子(4300)可以与第二AF动子(4200)一体地移动。
第二OIS动子(4300)可以包括第二壳体(4310)和第二磁体(4320)。然而，可以从第二OIS动子(4300)中省略或改变第二壳体(4310)和第二磁体(4320)中的任何一个或更多个。
第二壳体(4310)可以设置在第二线轴(4210)的外侧。第二壳体(4310)可以将第二线轴(4210)的至少一部分容纳在其内。例如，第二壳体(4310)可以采用立方体形状。然而，第二壳体(4310)可以包括四(4)个侧表面和设置在四个侧表面之间的四(4)个角部。第二壳体(4310)可以设置有第二磁体(4320)。例如，第二壳体(4310)的四个侧表面中的每个可以设置有第二磁体(4320)。在另一示例中，第二壳体(4310)的四个角部中的每个可以设置有第二磁体(4320)。第二壳体(4310)的外周表面的至少一部分可以形成为具有与第二盖构件(4100)的内周表面的形状对应的形状。特别地，第二壳体(4310)的外周表面可以形成为具有与第二盖构件(4100)的侧表面(4102)的内周表面对应的形状。第二壳体(4310)可以由绝缘材料形成。第二壳体(4310)可以由与第二盖构件(4100)不同的材料形成。考虑到产率，第二壳体(4310)可以使用注射形成。第二壳体(4310)的外侧横向表面可以与第二盖构件(4100)的侧板(4102)的内侧表面间隔开。第二壳体(4310)可以在第二壳体(4310)和第二盖构件(4100)之间的分开空间中移动以进行OIS驱动。第二壳体(4310)的顶表面可以通过第二上弹性构件(4510)耦接。第二壳体(4310)的下表面可以通过第二下弹性构件(4520)耦接。
第二壳体(4310)可以包括第五至第八侧表面(4301，4302，4303，4304)。第二壳体(4310)可以包括连续布置的第五至第八侧表面(4301，4302，4303，4304)。第二壳体(4310)可以包括设置有第五侧表面磁体(4321)的第五侧表面(4301)、设置有第六侧表面磁体(4322)的第六侧表面(4302)、设置有第七侧表面磁体(4323)的第七侧表面(4303)、设置有第八侧表面磁体(4324)的第八侧表面(4304)。第二透镜驱动装置(4000)处的第二壳体(4310)的第五侧表面(4301)可以面向第一透镜驱动装置(3000)处的第一壳体(3310)的第一侧表面(3301)。第二壳体(4310)可以包括第五侧表面(4301)、与第五侧表面(4301)相对设置的第七侧表面(4303)、以及在相互相对地设置在第五和第七侧表面(4301，4303)之间的第六和第八侧表面(4302，4304)。
第二壳体(4310)可以包括第五至第八角部(4305，4306，4307，4308)。第二壳体(4310)可以包括设置在第五至第八侧表面(4301，4302，4303，4304)之间的第五至第八角部(4305，4306，4307，4308)。第五角部(4305)可以置于第五侧表面(4301)和第六侧表面(4302)之间。第六角部(4306)可以置于第六侧表面(4302)和第七侧表面(4303)之间。第七角部(4307)可以置于第七侧表面(4303)和第八侧表面(4304)之间。第八角部(4308)可以置于第八侧表面(4304)和第五侧表面(4301)之间。
第二壳体(4310)可以包括通孔(4311)、驱动部耦接部(4312)、上耦接部(4313)、下耦接部(未示出)和传感器耦接部(4315)。然而，可以从第二壳体(4310)中省略或改变通孔(4311)、驱动部耦接部(4312)、上耦接部(4313)、下耦接部和传感器耦接部(4315)中的任何一个或更多个。
通孔(4311)可以形成在第二壳体(4310)处。通孔(4311)可以形成在第二壳体(4310)的内侧。通孔(4311)可以形成为垂直穿透第二壳体(4310)。通孔(4311)可以与第二线轴(4210)设置在一起。通孔(4311)可以可移动地与第二线轴(4210)设置在一起。通孔(4311)的至少一部分可以采用与第二线轴(4210)的形状相对应的形状。形成通孔(4311)的第二壳体(4310)的内周表面可以与第二线轴(4210)的外周表面间隔开。然而，形成通孔(4311)的第二壳体(4310)的内周表面可以形成有向内设置以限制第二线轴(4210)在光轴方向上的机械移动的止动件。
驱动部耦接部(4312)可以通过第二磁体(4320)耦接。驱动部耦接部(4312)可以形成在第二壳体(4310)处。驱动部耦接部(4312)可以形成在第二壳体(4310)的内周表面处。在这种情况下，设置在驱动部耦接部(4312)的第二磁体(4320)与设置在第二磁体(4320)内侧的第三线圈(4220)的电磁相互作用是有利的。驱动部耦接部(4312)可以采用底部开口形状。在这种情况下，设置在驱动部耦接部(4312)处的第二磁体(4320)与设置在第二磁体(4320)的下侧处的第四线圈(4322)的电磁相互作用是有利的。驱动部耦接部(4312)可以形成为通过允许第二壳体(4310)的内周表面向外凹入而形成的凹槽。此时，驱动部耦接部(4312)可以形成为多个。同时，多个驱动部耦接部(4312)中的每个可以由第二磁体(4320)容纳。例如，驱动部耦接部(4312)可以分成四件。四个驱动部耦接部(4312)中的每个可以与第二磁体(4320)设置在一起。例如，驱动部耦接部(4312)可以形成在第二壳体(4310)的侧表面处。在另一示例中，驱动部耦接部(4312)可以形成在第二壳体(4310)的角部处。
上耦接部(4313)可以与第二上弹性构件(4510)耦接。上耦接部(4313)可以与第二上弹性构件(4510)的外周表面(4511)耦接。上耦接部(4313)可以从第二壳体(4310)的顶表面突出地形成。例如，上耦接部(4313)的突起可以通过插入第二上弹性构件(4510)的外周表面(4511)的凹槽或孔中而耦接。此时，上耦接部(4313)的突起可以在插入外周表面(4511)的孔中的同时熔融，以将第二上弹性构件(4510)固定在熔融的突起和第二壳体(4310)的顶表面之间。
下耦接部可耦接至第二下弹性构件(4520)。下耦接部可以耦接至第二下弹性构件(4520)的外周表面(4521)。下耦接部可以从第二线轴(4210)的下表面向下突出地形成。例如，下耦接部的突起可以通过插入第二下弹性构件(4520)的外周表面(4521)的凹槽或孔中而耦接。此时，下耦接部的突起可以在插入外周表面(4521)的孔中的同时熔融，以将第二下弹性构件(4520)固定在熔融的突起和第二壳体(4310)的下表面之间。
传感器耦接部(4315)可以与第二AF反馈传感器单元(4700)的至少一部分设置在一起。传感器耦接部(4315)可以与第二AF反馈传感器(4710)设置在一起。传感器耦接部(4315)可以设置在第二壳体(4310)上。传感器耦接部(4315)可以形成有凹槽，该凹槽通过允许第二壳体(4310)的顶表面的一部分向下凹入而形成。此时，传感器耦接部(4315)可以由第二AF反馈传感器(4710)的至少一部分容纳。此外，传感器耦接部(4315)的至少一部分可以采用与第二AF反馈传感器(4710)的形状相对应的形状。
第二磁体(4320)可以设置在第二壳体(4310)上。第二磁体(4320)可以设置在第三线圈(4220)的外侧处。第二磁体(4320)可以面向第三线圈(4220)。第二磁体(4320)可以与第三线圈(4220)电磁相互作用。第二磁体(4320)可以设置在第四线圈(4422)的顶表面处。第二磁体(4320)可以面向第四线圈(4422)。第二磁体(4320)可以与第四线圈(4422)电磁相互作用。第二磁体(4320)可以共同用于AF功能和OIS功能。然而，第二磁体(4320)可以包括单独用于AF功能和OIS功能的多个磁体。例如，第二磁体(4320)可以设置在第二壳体(4310)的侧表面处。此时，第二磁体(4320)可以采用平板状形状。在该修改方式中，第二磁体(4320)可以设置在第二壳体(4310)的角部处。此时，第二磁体(4320)可以是角磁体。第二磁体(4320)可以采用具有相较于内侧表面更宽的外侧表面的立方体形状。
第二磁体(4320)可以包括第五至第八侧表面磁体(4321，4322，4323，4324)。第二磁体(4320)可以包括均彼此间隔开第五至第八侧表面磁体(4321，4322，4323，4324)。第二磁体(4320)可以包括设置在第二壳体(4310)的第五至第八侧表面(4301，4302，4303，4304)处的第五至第八侧表面磁体(4321，4322，4323，4324)。第二磁体(4320)可以包括设置在第二壳体(4310)的第五侧表面(4301)处的第五侧表面磁体(4321)。第二磁体(4320)可以包括设置在第二壳体(4310)的第六侧表面(4302)处的第六侧表面磁体(4322)。第二磁体(4320)可以包括设置在第二壳体(4310)的第七侧表面(4303)处的第七侧表面磁体(4323)。第二磁体(4320)可以包括设置在第二壳体(4310)的第八侧表面(4304)处的第八侧表面磁体(4324)。
第五侧表面磁体(4321)可以设置在第二壳体(4310)的第五侧表面(4301)处。第五侧表面磁体(4321)可以设置成相比于第八角部(4308)更靠近第五角部(4305)。第六侧表面磁体(4322)可以设置在第二壳体(4310)的第六侧表面(4302)处。第六侧表面磁体(4322)可以设置成相比于第六角部(4306)更靠近第五角部(4305)。第七侧表面磁体(4323)可以设置在第二壳体(4310)的第七侧表面(4303)处。第七侧表面磁体(4323)可以设置成相比于第六角部(4306)更靠近第七角部(4307)。第八侧表面磁体(4324)可以设置在第二壳体(4310)的第八侧表面(4304)处。第八侧表面磁体(4324)可以设置成相比于第八角部(4308)更靠近第七角部(4307)。
第五至第八侧表面磁体(4321，4322，4323，4324)可以关于第二光轴相互对称。第五侧表面磁体(4321)可以关于第二光轴与第七侧表面磁体(4323)对称。第五侧表面磁体(4321)可以设置在关于第二光轴与第七侧表面磁体(4323)对称的位置处。第五侧表面磁体(4321)可以形成为具有关于第二光轴与第七侧表面磁体(4323)的尺寸和形状对称的尺寸和形状。第六侧表面磁体(4322)可以与第八侧表面磁体(4324)关于第二光轴对称。第六侧表面磁体(4322)可以设置在关于第二光轴与第八侧表面磁体(4324)对称的位置处。第六侧表面磁体(4322)可以形成为具有关于第二光轴与第八侧表面磁体(4324)的尺寸和形状对称的尺寸和形状。
第五至第八侧表面磁体(4321，4322，4323，4324)中的每个可以具有平板状形状。在这种情况下，第五至第八侧表面磁体(4321，4322，4323，4324)可以称为“平板状磁体”。第五至第八侧表面磁体(4321，4322，4323，4324)可以设置成允许每个N极面向内侧。替选地，第五至第八侧表面磁体(4321，4322，4323，4324)可以设置成允许每个S极面向内侧。
第五至第八侧表面磁体(4321，4322，4323，4324)可以关于作为假想直线的第一虚拟线与第一至第四侧表面磁体(4321，4322，4323，4324)对称。第一虚拟线可以设置在包括第一光轴和第二光轴的平面上，并且可以与第一光轴和第二光轴平行。此外，第一虚拟线可以以相等的距离与第一光轴和第二光轴间隔开。
第五侧表面磁体(4321)可以在垂直于第二光轴的方向上不与第一侧表面磁体(3321)交叠。替选地，第五侧表面磁体(4321)可以在垂直于第二光轴的方向上在相对的表面的30％区域内与第一侧表面磁体(3321)交叠。替选地，第五侧表面磁体(4321)可以在垂直于第二光轴的方向上在相对的表面的50％区域内与第一侧表面磁体(3321)交叠。
第二磁体(4320)可以形成为具有与第一磁体(3320)的形状对应的形状。第二磁体(4320)可以形成为具有与第一磁体(3320)的宽度相同的宽度。第二磁体(4320)可以具有与第一磁体(3320)相同的高度。第二磁体(4320)可以具有与第一磁体(3320)相同的厚度。第二磁体(4320)设置在第二透镜驱动装置(4000)中的位置可以对应于第一磁体(3320)设置在第一透镜驱动装置(3000)中的位置。第三线圈(4220)可以具有八个侧表面，第二磁体(4320)可以设置成面向第三线圈(4220)处的八个侧表面的任何一个侧表面。第二磁体(4320)的长度可以短于第三线圈(4220)的相对表面的长度。第三线圈(4220)可以具有八个侧表面，第二感测磁体(4730)可以设置成允许面向第三线圈(4220)中的八个侧表面的任何一个侧表面。第三线圈(4220)可以具有八个侧表面，并且第二补偿磁体(4740)可以设置成允许面向第三线圈(4220)中的八个侧表面的任何一个侧表面。
第二定子(4400)可以设置在第二壳体(4310)的下侧处。第二定子(4400)可以设置在第二OIS动子(4300)的下侧处。第二定子(4400)可以面向第二OIS动子(4300)。第二定子(4400)可以可移动地支承第二OIS动子(4300)。第二定子(4400)可以使第二OIS动子(4300)移动。此时，第二AF动子(4200)可以与第二OIS动子(4300)一起移动。
第二定子(4400)可以包括第二基板(4410)、第二电路构件(4420)和第二基座(4430)。然而，可以从第二定子(4400)中省略或改变第二基板(4410)、第二电路构件(4420)和第二基座(4430)中的任何一个或更多个。
第二基板(4410)可以向第四线圈(4422)供电。第二基板(4410)可以与第二电路构件(4420)耦接。第二基板(4410)可以与设置在第二基座(4430)的下侧处的第二PCB(4001)耦接。第二基板(4410)可以设置在第二电路构件(4420)的下表面处。第二基板(4410)可以设置在第二基座(4430)的顶表面处。第二基板(4410)可以置于第二电路构件(4420)和第二基座(4430)之间。第二基板(4410)可以通过第二支承构件(4600)耦接。第二基板(4410)可以形成有使第二支承构件(4600)穿过的孔。第二基板(4410)的下表面和第二支承构件(4600)的下端可以通过焊接耦接。
第二基板(4410)可以包括柔性PCB(FPCB，柔性印刷电路板)。第二基板(4410)可以部分弯曲。第二基板(4410)可以向第三线圈(4220)提供电流。第二基板(4410)可以通过第二支承构件(4600)和第二上弹性构件(4510)向第三线圈(4220)提供电流。第二基板(4410)可以通过第二支承构件(4600)和第二上弹性构件(4510)向第二AF反馈传感器单元(4700)的基板(4720)提供电流。提供给基板(4720)的电流可以用于驱动第二AF反馈传感器(4710)。
第二基板(4410)可以包括开口(4411)和端子部(4412)。然而，可以从第二基板(4410)中省略或改变开口(4411)和端子部(4412)中的任何一个或更多个。
开口(4411)可以形成在第二基板(4410)上。开口(4411)可以形成在第二基板(4410)的中心处。可以通过允许第二基板(4410)穿过而形成开口(4411)。开口(4411)可以使已经穿过第二透镜模块的光穿过。开口(4411)可以形成为圆形形状。然而，开口(4411)的形状不限于此。
端子部(4412)可以形成在第二基板(4410)上。端子部(4412)可以由向下弯曲的第二基板(4410)的一部分形成。端子部(4412)的至少一部分可以暴露于外部。端子部(4412)可以通过焊接的方式耦接至设置在第二基座(4430)的下侧处的第二PCB(4001)。端子部(4412)的下端可以直接接触第二PCB(4001)。端子部(4412)可以设置在第二基座(4430)的端子耦接部(4434)处。
第二电路构件(4420)可以设置在第二基座(4430)处。第二电路构件(4420)可以设置在第二基板(4410)处。第二电路构件(4420)可以设置在第二基板(4410)的顶表面处。第二电路构件(4420)可以设置在第二磁体(4320)的下侧处。第二电路构件(4420)可以置于第二磁体(4320)和第二基座(4430)之间。第二电路构件(4420)可以通过第二支承构件(4600)耦接。第二电路构件(4420)可以可移动地支承第二OIS动子(4300)。
第二电路构件(4420)可以包括基板部(4421)和第四线圈(4422)。然而，可以从第二电路构件(4420)中省略或改变基板部(4421)和第四线圈(4422)中的任何一个或更多个。
基板部(4421)可以是电路基板。基板部(4421)可以是FPCB。基板部(4421)可以与第四线圈(4422)一体地形成。基板部(4421)可以通过第二支承构件(4600)耦接。基板部(4421)可以形成有孔，第二支承构件(4600)可以穿过该孔。基板部(4421)的下表面和第二支承构件(4600)的下端可以通过焊接耦接。基板部(4421)可以形成有开口。基板部(4421)可以形成有穿过基板部(4421)的开口。基板部(4421)的开口可以形成为对应于第二基板(4410)的开口(4411)。
第四线圈(4422)可以面向第二磁体(4320)。在这种情况下，当向第四线圈(4422)提供电流以形成围绕第四线圈(4422)的磁场时，第二磁体(4320)可以通过第四线圈(4422)和第二磁体(4320)之间的电磁相互作用移动至第四线圈(4422)。第四线圈(4422)可以与第二磁体(4320)电磁相互作用。第四线圈(4422)可以通过与第二磁体(4320)的电磁相互作用使第二壳体(4310)和第二线轴(4210)相对于第二基座(4430)在垂直于光轴的方向上移动。第四线圈(4422)可以包括至少一个线圈。第四线圈(4422)可以是一体地形成在基板部(4421)处的FP线圈(精细图案线圈)。第四线圈(4422)可以包括均与另外线圈相互间隔开的多个线圈。第四线圈(4422)可以包括均与另外线圈相互间隔开的四个线圈。此时，四个线圈可以设置在基板部(4421)处，以允许相邻的两个线圈相互形成90°。同时，可以分别控制四个线圈中的每个。第四线圈(4422)可以顺序地通过第二PCB(4001)、第二基板(4410)和基板部(4421)接收电力。
第二基座(4430)可以设置在第二基板(4410)的下表面处。第二基底(4430)的顶表面可以与第二基板(4410)设置在一起。第二基座(4430)可以与第二电路构件(4420)设置在一起。第二基座(4430)可以与第二盖构件(4100)耦接。第二基座(4430)可以设置在第二PCB(4001)的顶表面处。然而，可以将单独的保持器构件置于第二基座(4430)和第二PCB(4001)之间。第二基座(4430)可以执行保护安装在第二PCB(4001)上的第二图像传感器的传感器保持器的功能。
第二基座(4430)可以包括通孔(4431)、异物收集部(4432)、传感器耦接部(4433)、端子耦接部(4434)和台阶(阶梯)部(4435)。然而，可以从第二基座(4430)中省略或改变通孔(4431)、异物收集部(4432)、传感器耦接部(4433)、端子耦接部(4434)和台阶部(4435)中的任何一个或更多个。
通孔(4431)可以设置在第二基座(4430)上。通孔(4431)可以形成为垂直穿透第二基座(4430)。通孔(4431)可以设置有红外滤波器。然而，红外滤波器可以耦接至设置在第二基座(4430)的下表面处的单独的保持器构件。已经通过通孔(4431)穿过第二透镜模块的光可以入射在图像传感器上。即，已经穿过第二透镜模块的光可以通过第二电路构件(4420)的开口、第二基板(4410)的开口(4411)和第二基座(4430)的通孔(4431)入射在图像传感器上。通孔(4431)可以形成为具有圆形形状。然而，通孔(4431)的形状不限于此。
异物收集部(4432)可以收集引入第二透镜驱动装置(4000)的异物。异物收集部(4432)可以包括通过允许第二基座(4430)的顶表面向下凹入而形成的凹槽，以及设置在凹槽上的粘合部。粘合部可以包括粘合材料。引入第二透镜驱动装置(4000)的异物可以通过粘合部粘合。
传感器耦接部(4433)可以设置在第二OIS反馈传感器(4800)处。传感器耦接部(4433)可以容纳第二OIS反馈传感器(4800)的至少一部分。传感器耦接部(4433)可以由凹槽形成，该凹槽通过允许第二基座(4430)的顶表面向下凹入而形成。传感器耦接部(4433)可以与异物收集部(4432)间隔开。传感器耦接部(4433)可以由多个凹槽形成。例如，传感器耦接部(4433)可以形成有两个凹槽。此时，两个凹槽中的每个可以设置有第二OIS反馈传感器(4800)。
端子耦接部(4434)可以与第二基板(4410)的端子部(4412)设置在一起。端子耦接部(4434)可以通过允许第二基座(4430)的一个侧表面的一部分向内凹入而形成具有凹槽。此时，端子耦接部(4434)可以被第二基板(4410)的端子部(4412)的至少一部分容纳。端子耦接部(4434)的宽度可以形成为对应于第二基板(4410)的端子部(4412)的宽度。端子耦接部(4434)的长度可以形成为对应于第二基板(4410)的端子部(4412)的长度。
台阶部(4435)可以形成在第二基座(4430)的侧表面处。台阶部(4435)可以形成为包围第二基座(4430)的外周表面。台阶部(4435)可以通过允许第二基座(4430)的侧表面的顶表面凹入来形成。替选地，台阶部(4435)可以通过允许第二基座(4430)的侧表面的下表面突出而形成。台阶部(4435)可以与第二盖构件(4100)的侧板(4102)的下端设置在一起。
第二弹性构件(4500)可以耦接至第二线轴(4210)并且耦接至第二壳体(4310)。第二弹性构件(4500)可以弹性地支承第二线轴(4210)。第二弹性构件(4500)可以在其至少一部分上具有弹性。第二弹性构件(4500)可以可移动地支承第二线轴(4210)。第二弹性构件(4500)可以相对于第二壳体(4310)在光轴上可移动地支承第二线轴(4210)。即，第二弹性构件(4500)可以以第二线轴(4210)执行AF驱动的方式支承。此时，第二弹性构件(4500)可以被称为“AF弹性构件”。
第二弹性构件(4500)可以包括第二上弹性构件(4510)和第二下弹性构件(4520)。然而，可以从第二弹性构件(4500)中省略或改变第二上弹性构件(4510)和第二下弹性构件(4520)中的任何一个或更多个。
第二上弹性构件(4510)可以设置在第二线轴(4210)的上侧，并且可以耦接至第二线轴(4210)和第二壳体(4310)。第二上弹性构件(4510)可以耦接至第二线轴(4210)和第二壳体(4310)。第二上弹性构件(4510)可以耦接至第二线轴(4210)的顶表面并且耦接至第二壳体(4310)的顶表面。第二上弹性构件(4510)可以弹性地支承第二线轴(4210)。第二上弹性构件(4510)可以在其至少一部分上具有弹性。第二上弹性构件(4510)可以可移动地支承第二线轴(4210)。第二上弹性构件(4510)可以相对于第二壳体(4310)在光轴方向上可移动地支承第二线轴(4210)。第二上弹性构件(4510)可以形成有片簧。
第二上弹性构件(4510)可以形成有多个分开元件。第二上弹性构件(4510)可以包括均与另外单元间隔开的六(6)个弹性单元(4501，4502，4503，4504，4505，4506)。然而，可以从第二上弹性构件(4510)中省略或改变六(6)个弹性单元(4501，4502，4503，4504，4505，4506)中的任何一个或更多个。
第一至第六弹性单元(4501，4502，4503，4504，4505，4506)可以相互间隔开，由此，第一至第六弹性单元(4501，4502，4503，4504，4505，4506)可以用作第二透镜驱动装置(4000)内的导线。第一至第六弹性单元(4501，4502，4503，4504，4505，4506)可以通过第二支承构件(4600)电连接至第二基板(4410)。第一至第四弹性单元(4501，4502，4503，4504)可以耦接至第二AF反馈传感器单元(4700)的基板(4720)，由此，第一至第四弹性单元(4501，4502，4503，4504)可以电连接至第二AF反馈传感器(4710)。此时，第五和第六弹性单元(4505，4506)可以电连接至第三线圈(4220)。即，第一至第六弹性单元(4501，4502，4503，4504，4505，4506)可以用于向设置在第二壳体(4310)处的第二AF反馈传感器(4710)和设置在第二线轴(4210)处的第三线圈(4220)供电。
第二上弹性构件(4510)可以包括外部部分(4511)、内部部分(4512)、连接部(4513)、耦接部(4514)和端子部(4515)。然而，可以从第二上弹性构件(4510)中省略或改变外部部分(4511)、内部部分(4512)、连接部(4513)、耦接部(4514)和端子部(4515)中的任何一个或更多个。
外部部分(4511)可以耦接至第二壳体(4310)。外部部分(4511)可以耦接至第二壳体(4310)的顶表面。外部部分(4511)可以耦接至第二壳体(4310)的上耦接部(4313)。外部部分(4511)可以包括耦接至第二壳体(4310)的上耦接部(4313)的孔或凹槽。
内部部分(4512)可以耦接至第二线轴(4210)。内部部分(4512)可以耦接至第二线轴(4210)的顶表面。内部部分(4512)可以耦接至第二线轴(4210)的上耦接部(4213)。内部部分(4512)可以包括耦接至第二线轴(4210)的上耦接部(4213)的孔或凹槽。
连接部(4513)可以连接外部部分(4511)和内部部分(4512)。连接部(4513)可以弹性地连接外部部分(4511)和内部部分(4512)。连接部(4513)可以具有弹性。此时，连接部(4513)可以称为“弹性部”。连接部(4513)可以通过弯曲多于两次来形成。
耦接部(4514)可以耦接至第二支承构件(4600)。耦接部(4514)可以通过焊接耦接至第二支承构件(4600)。例如，耦接部(4514)可以包括使第二支承构件(4600)穿过的孔。在另一示例中，耦接部(4514)可以包括由第二支承构件(4600)耦接的凹槽。耦接部(4514)可以从外部部分(4511)延伸。耦接部(4514)可以从外部部分(4511)延伸到外部。耦接部(4514)可以包括通过弯曲形成的弯曲部。
端子部(4515)可以从外部部分(4511)延伸。端子部(4515)可以电连接至第二AF反馈传感器单元(4700)的基板(4720)。端子部(4515)可以通过焊接的方式耦接至第二AF反馈传感器单元(4700)的基板(4720)的端子。端子部(4515)可以包括总共四件。
第二下弹性构件(4520)可以设置在第二线轴(4210)的下侧处，并且可以耦接至第二线轴(4210)和第二壳体(4310)。第二下弹性构件(4520)可以耦接至第二线轴(4210)和第二壳体(4310)。第二下弹性构件(4520)可以耦接至第二线轴(4210)的下表面并且耦接至第二壳体(4310)的下表面。第二下弹性构件(4520)可以弹性地支承第二线轴(4210)。第二下弹性构件(4520)可以在其至少一部分上具有弹性。第二下弹性构件(4520)可以可移动地支承第二线轴(4210)。第二下弹性构件(4520)可以相对于第二壳体(4310)在光轴方向上可移动地支承第二线轴(4210)。第二下弹性构件(4520)可以形成有片簧。例如，第二下弹性构件(4520)可以一体地形成。
第二下弹性构件(4520)可以包括外部部分(4521)、内部部分(4522)和连接部(4523)。然而，可以从第二下弹性构件(4520)中省略或改变外部部分(4521)、内部部分(4522)和连接部(4523)中的任何一个或更多个。
外部部分(4521)可以耦接至第二壳体(4310)。外部部分(4521)可以耦接至第二壳体(4310)的下表面。外部部分(4521)可以耦接至第二壳体(4310)的下耦接部。外部部分(4521)可以包括耦接至第二壳体(4310)的下耦接部的孔或凹槽。
内部部分(4522)可以耦接至第二线轴(4210)。内部部分(4522)可以耦接至第二线轴(4210)的顶表面。内部部分(4522)可以耦接至第二线轴(4210)的下耦接部。内部部分(4522)可以包括耦接至第二线轴(4210)的下耦接部的孔或凹槽。
连接部(4523)可以连接外部部分(4521)和内部部分(4522)。连接部(4523)可以弹性地连接外部部分(4521)和内部部分(4522)。连接部(4523)可以具有弹性。此时，连接部(4523)可以称为“弹性部”。连接部(4523)可以通过弯曲多于两次来形成。
第二支承构件(4600)可以可移动地支承第二壳体(4310)。第二支承构件(4600)可以弹性地支承第二壳体(4310)。第二支承构件(4600)可以在其至少一部分上具有弹性。此时，第二支承构件(4600)可以被称为“弹性构件”。例如，第二支承构件(4600)可以相对于第二定子(4400)在垂直于光轴的方向上可移动地支承第二壳体(4310)。此时，第二线轴(4210)可以与第二壳体(4310)一体地移动。在另一示例中，第二支承构件(4600)可以相对于第二定子(4400)倾斜地支承第二壳体(4310)。即，第二支承构件(4600)可以以第二壳体(4310)和第二线轴(4210)可以执行OIS驱动的方式支承第二壳体(4310)和第二线轴(4210)。此时，第二支承构件(4600)可以被称为“OIS支承构件”。例如，第二支承构件(4600)可以形成有配线。在另一示例中，第二支承构件(4600)可以形成有片簧。
第二支承构件(4600)可以耦接至第二上弹性构件(4510)和第二定子(4400)。第二支承构件(4600)的下端可以耦接至第二基板(4410)。第二支承构件(4600)可以穿过第二基板(4410)。通过该结构，第二支承构件(4600)的下端可以通过焊接耦接至第二基板(4410)的下表面。第二支承构件(4600)的上端可以耦接至第二上弹性构件(4510)的耦接部(4514)。第二支承构件(4600)的上端可以穿过第二上弹性构件(4510)的耦接部(4514)。通过该结构，第二支承构件(4600)的上端可以通过焊接耦接至第二上弹性构件(4510)的耦接部(4514)的顶表面。在该修改方式中，第二支承构件(4600)的下端可以耦接至第二电路构件(4420)的基板部(4421)。第二支承构件(4600)的下端可以耦接至第二基座(4430)。第二支承构件(4600)的上端可以耦接至第二壳体(4310)。然而，第二支承构件(4600)的结构不限于此，并且可以包括能够相对于第二定子(4400)可移动地支承第二OIS动子(4300)的任何结构。
第二支承构件(4600)可以形成有多个分开元件。第二支承构件(4600)可以形成有均相互间隔开的六(6)个支承部(4601，4602，4603，4604，4605，4606)。第二支承构件(4600)可以包括相互间隔开的第一至第六支承部(4601，4602，4603，4604，4605，4606)。然而，可以从第二支承构件(4600)中省略或改变第一至第六支承部(4601，4602，4603，4604，4605，4606)中的任何一个或更多个。特别地，第二支承构件(4600)可以形成有第一至第六支承部(4601，4602，4603，4604，4605，4606)，以与第二上弹性构件(4510)的第一至第六弹性单元支承部(4501，4502，4503，4504，4505，4506)配对。然而，作为修改方式，考虑到对称性，第二支承构件(4600)可以形成有八个支承部。
第一至第六支承部(4601，4602，4603，4604，4605，4606)可以相互间隔开，由此，第一至第六支承部(4601，4602，4603，4604，4605，4606)可以用作第二透镜驱动装置(4000)内的导线。第一至第六支承部(4601，4602，4603，4604，4605，4606)可以耦接至第二基板(4410)。第一至第六支承部(4601，4602，4603，4604，4605，4606)可以耦接至第二上弹性构件(4510)。即，第一至第六支承部(4601，4602，4603，4604，4605，4606)可以电连接第二基板(4410)和第二上弹性构件(4510)。第一支承部(4601)可以耦接至第一弹性单元(4501)，第二支承部(4602)可以耦接至第二弹性单元(4502)，第三支承部(4603)可以耦接至第三弹性单元(4503)，第四支承部(4604)可以耦接至第四弹性单元(4504)，第五支承部(4605)可以耦接至第五弹性单元(4505)，第六支承部(4606)可以耦接至第六弹性单元(4506)。第一至第六支承部(4601，4602，4603，4604，4605，4606)中的每个可以是配线。
可以在第二支承构件(4600)上设置阻尼器(未示出)。阻尼器可以设置在第二支承构件(4600)和第二壳体(4310)上。阻尼器可以设置在第二弹性构件(4500)上。阻尼器可以设置在第二弹性构件(4500)和/或第二支承构件(4600)上，以防止由第二弹性构件(4500)和/或第二支承构件(4600)产生的共振现象。可以给第二弹性构件(4500)和第二支承构件(4600)中的任何一个或更多个提供减震部(未示出)。可以通过允许改变第二弹性构件(4500)和/或第二支承构件(4600)的一部分的形状来形成减震部。
第二AF反馈传感器单元(4700)可以被设置成用于AF反馈。第二AF反馈传感器单元(4700)可以检测第二线轴(4210)在光轴方向上的移动。第二AF反馈传感器单元(4700)可以实时检测第二线轴(4210)在光轴方向上的移动以向控制器提供移动。
第二AF反馈传感器单元(4700)可以包括第二AF反馈传感器(4710)、基板(4720)和第二感测磁体(4730)。然而，可以从第二AF反馈传感器单元(4700)中省略或改变第二AF反馈传感器(4710)、基板(4720)和第二感测磁体(4730)中的任何一个或更多个。此外，第二AF反馈传感器单元(4700)还可以包括第二补偿磁体(4740)。然而，第二补偿磁体(4740)是与第二线轴(4210)的位置感测无关的元件，因此，可以将其解释为与第二AF反馈传感器单元(4700)分开的元件。
第二AF反馈传感器(4710)可以设置在第二壳体(4310)上。第二AF反馈传感器(4710)可以布置在第二壳体(4310)上。第二AF反馈传感器(4710)可以设置在第二壳体(4310)的角部处。第二AF反馈传感器(4710)可以设置在第二壳体(4310)的多个角部中的与第一感测磁体(3730)间隔最远的角部上。第二AF反馈传感器(4710)可以设置在第二壳体(4310)的多个角部中的与第一AF反馈传感器(3710)间隔最远的角部上。通过该结构，第二AF反馈传感器(4710)和第一AF反馈传感器(3710)可以在有限的空间内最大化地间隔开。第二AF反馈传感器(4710)可以设置在第二壳体(4310)的第六角部(4306)上。第二AF反馈传感器(4710)可以置于第六和第七侧表面(4302，4303)之间。第二AF反馈传感器(4710)可以设置在连接第六角部(4306)和第八角部(4308)的虚拟直线上。即，所有第二AF反馈传感器(4710)、第二感测磁体(4730)和第二补偿磁体(4740)可以设置在连接第二壳体(4310)的第六角部(4306)和第八角部(4308)的虚拟直线上。
第二AF反馈传感器(4710)可以设置在基板(4720)上。第二AF反馈传感器(4710)可以耦接至基板(4720)。第二AF反馈传感器(4710)可以电连接至基板(4720)。第二AF反馈传感器(4710)可以安装在基板(4720)上。第二AF反馈传感器(4710)可以使用SMT(表面安装器技术)耦接至基板(4720)。第二AF反馈传感器(4710)可以安装在基板(4720)的传感器安装部上。第二AF反馈传感器(4710)可以检测第二感测磁体(4730)。第二AF反馈传感器(4710)可以包括检测磁体的磁场的霍尔IC。第二AF反馈传感器(4710)可以包括霍尔集成驱动器。第二AF反馈传感器(4710)可以包括温度检测功能。
第二AF反馈传感器(4710)固定至第二壳体(4310)，第二感测磁体(4730)固定至第二线轴(4210)。当第二感测磁体(4730)与第二线轴(4210)一起移动时，第二AF反馈传感器(4710)内的霍尔IC检测到的磁通密度可以响应于第二AF反馈传感器(4710)和第二感测磁体(4730)的相对位置而改变。第二AF反馈传感器(4710)可以使用霍尔IC的输出电压来检测第二透镜模块的位置，该输出电压与响应于第二AF反馈传感器(4710)和第二感测磁体(4730)的相对位置而改变的磁通密度成比例。
基板(4720)可以设置在第二壳体(4310)上。基板(4720)可以耦接至第二AF反馈传感器(4710)。基板(4720)可以电连接至第二AF反馈传感器(4710)。基板(4720)可以耦接至第二上弹性构件(4510)。基板(4720)可以电连接至第二上弹性构件(4510)的第一至第四弹性单元(4501，4502，4503，4504)。基板(4720)可以包括耦接至第二上弹性构件(4510)的第一至第四弹性单元(4501，4502，4503，4504)的四(4)个端子。基板(4720)和第二上弹性构件(4510)可以通过焊接耦接。基板(4720)的顶表面可以耦接至第二上弹性构件(4510)的第一至第四弹性单元(4501，4502，4503，4504)，并且基板(4720)的下表面可以耦接至第二AF反馈传感器(4710)。
第二感测磁体(4730)可以设置在第二线轴(4210)的面向第二壳体(4310)的第六和第七侧表面(4302，4303)之间的第六角部(4306)的侧表面处。第二感测磁体(4730)可以设置在第二线轴(4210)上。第二感测磁体(4730)可以布置在第二线轴(4210)上。第二感测磁体(4730)可以由第二AF反馈传感器(4710)检测。第二感测磁体(4730)可以设置在第二线轴(4210)的角处。第二感测磁体(4730)可以设置成面向第二壳体(4310)的第六角部(4306)。第二感测磁体(4730)可以设置在连接第六角部(4306)和第八角部(4308)的虚拟直线上。第二感测磁体(4730)可以与第二补偿磁体(4740)关于第二线轴(4210)对称。第二感测磁体(4730)可以具有与第二补偿磁体(4740)的磁性相对应的磁性。第二感测磁体(4730)可以设置在第二线轴(4210)的一侧。第二感测磁体(4730)可以与第三线圈(4220)在垂直于第二光轴的方向上交叠。
第二感测磁体(4730)可以设置在第三线圈(4220)的内侧。第三线圈(4220)可以包括八(8)个侧表面，第二感测磁体(4730)可以设置在第三线圈(4220)的内侧，以允许面向第三线圈(4220)的八个侧表面的任何一个侧表面。第二感测磁体(4730)可以设置在第三线圈(4220)的外侧。第二感测磁体(4730)可以置于第三线圈(4220)和第二AF反馈传感器(4710)之间。在这种情况下，由第二AF反馈传感器(4710)检测到的检测值可能很大，因为相比于第二感测磁体(4730)设置在第三线圈(4220)的内侧的情况，第二感测磁体(4730)和第二AF反馈传感器(4710)之间的距离更接近。第二感测磁体(4730)可以被磁化为四(4)个极，并且可以考虑与第二AF反馈传感器(4710)的相对位置来设置第二感测磁体(4730)，以允许仅使用霍尔输出为正的部分。第二感测磁体(4730)可以设置成允许S极形成在上部内侧，N极形成在上部外侧，N极形成在下部内侧，S极形成在下部外侧。
第二补偿磁体(4740)可以设置成实现与第二感测磁体(4730)的磁平衡。第二补偿磁体(4740)可以设置在第二线轴(4210)上。第二补偿磁体(4740)可以布置在第二线轴(4210)上。第二补偿磁体(4740)可以与第二感测磁体(4730)关于第二光轴对称。第二补偿磁体(4740)可以与第二感测磁体(4730)关于第二线轴(4210)对称。第二补偿磁体(4740)可以具有与第二感测磁体(4730)的磁性相对应的磁性。第二补偿磁体(4740)可以设置在第二线轴(4210)的另一侧，该另一侧与第二线轴(4210)的设置有第二感测磁体(4730)的一侧的相对侧对应。第二补偿磁体(4740)可以设置在连接第六角部(4306)和第八角部(4308)的虚拟直线上。第二补偿磁体(4740)可以设置成与第二感测磁体(4730)关于第二光轴对称。通过该结构，可以实现第二感测磁体(4730)和第二补偿磁体(4740)之间的电磁平衡。结果，可以使第二感测磁体(4730)作用于第二感测磁体(4730)和第三线圈(4220)之间的电磁相互作用的影响最小化。
第二补偿磁体(4740)可以设置在第三线圈(4220)的内侧。第三线圈(4220)可以包括八(8)个侧表面，第二补偿磁体(4740)可以设置在第三线圈(4220)的内侧，以允许面向第三线圈(4220)的八个侧表面的任何一个侧表面。第二补偿磁体(4740)可以设置在第三线圈(4220)的外侧。
第二OIS反馈传感器(4800)可以被设置成用于OIS反馈。第二OIS反馈传感器(4800)可以检测第二壳体(4310)的移动。第二OIS反馈传感器(4800)可以检测在垂直于第二壳体(4310)和/或第二线轴(4210)的光轴的方向上的移动或倾斜。第二OIS反馈传感器(4800)可以检测第二磁体(4320)。第二OIS反馈传感器(4800)可以检测设置在第二壳体(4310)上的第二磁体(4320)。第二OIS反馈传感器(4800)可以检测第二壳体(4310)的位置。第二OIS反馈传感器(4800)可以检测在垂直于第二壳体(4310)的光轴的方向上的移动量。此时，在垂直于第二壳体(4310)的光轴的方向上的移动量可以对应于第二线轴(4210)的移动量和耦接至第二线轴(4210)的透镜模块的移动量。第二OIS反馈传感器(4800)可以设置在第二定子(4400)上。第二OIS反馈传感器(4800)可以设置在第二基板(4410)的下表面。第二OIS反馈传感器(4800)可以电连接至第二基板(4410)。第二OIS反馈传感器(4800)可以设置在第二基座(4430)上。第二OIS反馈传感器(4800)可以容纳在形成在第二基座(4430)的顶表面处的传感器耦接部(4433)中。第二OIS反馈传感器(4800)可以是霍尔传感器。第二OIS反馈传感器(4800)可以是霍尔IC(霍尔集成电路)。第二OIS反馈传感器(4800)可以检测第二磁体(4320)的磁力。即，当第二壳体(4310)移动时，第二OIS反馈传感器(4800)可以通过检测响应于第二磁体(4320)的移动而改变的磁力的变化来检测第二壳体(4310)的位移量。第二OIS反馈传感器(4800)可以设置成多个。第二OIS反馈传感器(4800)可以包括第一轴传感器(4810)和第二轴传感器(4820)。此时，第一轴传感器(4810)可以检测第二壳体(4310)在x轴(z轴是光轴)方向上的移动，第二轴传感器(4820)可以检测第二壳体(4310)在y轴方向上的移动。
图29是根据第二示例性实施方式的从平面看的双摄像头模块的一些元件的透视(概念)视图。
参照图29，可以确定第一透镜驱动装置(3000)和第二透镜驱动装置(4000)并排间隔开。此时，第一透镜驱动装置(3000)和第二透镜驱动装置(4000)可以以1mm至5mm的分开距离(L)间隔开。第一AF反馈传感器(3710)可以设置在第一壳体(3310)的第二角部(3306)处，第二AF反馈传感器(4710)可以设置在第二壳体(4310)的第六角部(4306)处。即，可以最大化地设置第一AF反馈传感器(3710)和第二AF反馈传感器(4710)。第一侧表面磁体(3321)和第二侧表面磁体(3322)可以偏向第一角部(3305)侧，并且第三侧表面磁体(3323)和第四侧表面磁体(3324)可以偏向第三角部(3307)侧。第五侧表面磁体(4321)和第六侧表面磁体(4322)可以偏向第五角部(4305)侧，第七侧表面磁体(4323)和第八侧表面磁体(4324)可以偏向第七角部(4307)侧。
特别地，在第二示例性实施方式中，第一至第四侧表面磁体(3321，3322，3323，3324)可以与第五至第八侧表面磁体(4321，4322，4323，4324)关于与第一光轴和第二轴平行的第一虚拟线对称，并且间隔开相同的距离，并且第一感测磁体(3730)可以与第二感测磁体(4730)对称，第一补偿磁体(3740)可以与第二补偿磁体(4740)对称，并且第一AF反馈传感器(3710)可以与第二AF反馈传感器(4710)对称。
在第二示例性实施方式中，通过该结构，可以使受第一透镜驱动装置(3000)和第二透镜驱动装置(4000)之间的相互磁力所作用的影响最小化。
在下文中，将参照附图描述根据修改方式的双摄像头模块的配置。
图30是根据修改方式的从平面看的双摄像头模块的一些元件的透视(概念)图。
与根据示例性实施方式的双摄像头模块相比，根据修改方式的双摄像头模块省略了第一AF反馈传感器(3710)和第二AF反馈传感器(4710)。因此，在根据修改方式的双摄像头模块的配置中对除第一AF反馈传感器(3710)和第二AF反馈传感器(4710)之外的其他配置的任何解释可以根据根据本示例性实施方式的双摄像头模块推断地应用。
在该修改方式中，即使省略第一AF反馈传感器(3710)，也可以设置第一感测磁体(3730)和第一补偿磁体(3740)。此时，第一感测磁体(3730)可以是用于磁力平衡而不是用于反馈功能的配置。因此，在该修改方式中，第一感测磁体(3730)可以被称为“第一平衡磁体”。此外，在该修改方式中，第一补偿磁体(3740)可以被称为“第二平衡磁体”。在该修改方式中，即使省略第二AF反馈传感器(4710)，也可以设置第二感测磁体(4730)和第二补偿磁体(4740)。此时，第二感测磁体(4730)可以是用于磁力平衡而不是用于反馈功能的配置。因此，在该修改方式中，第二感测磁体(4730)可以被称为“第三平衡磁体”。此外，在该修改方式中，第二补偿磁体(4740)可以被称为“第四平衡磁体”。
在该修改方式中，第一平衡磁体可以设置成面向第一壳体(3310)的多个角部中的与第三平衡磁体间隔最远的角部。此外，第三平衡磁体可以设置成面向第二壳体(4310)的多个角部中的与第一平衡磁体间隔最远的角部。此时，第一平衡磁体可以设置在第一线轴(3210)处，第三平衡磁体可以设置在第二线轴(4210)处。在该修改方式中，第一平衡磁体、第二平衡磁体、第三平衡磁体和第四平衡磁体可以使第一透镜驱动装置(3000)和第二透镜驱动装置(4000)之间的磁力干扰的影响最小化。
<第三示例性实施方式>
在下文中，将参照附图描述根据第三示例性实施方式的光学装置的配置。
图42是根据第三示例性实施方式的光学装置的透视图。
光学装置可以是手机、移动电话、智能手机、便携式智能设备、数码相机、笔记本电脑(膝上型电脑)、数字广播终端、PDA(个人数字助理)、PMP(便携式多媒体播放器)和导航设备中的任何一种。然而，本发明不限于此，并且可以包括能够拍摄图像或照片的任何装置。
光学装置可以包括主体(5001)、显示部(5002)和摄像头模块(5003)。然而，可以从光学装置中省略或改变主体(5001)、显示部(5002)和摄像头模块(5003)中的任何一个或更多个。
主体(5001)可以形成光学装置的外部形状。例如，主体(5001)可以包括立方体形状。在另一示例中，主体(5001)可以至少部分地倒圆。主体(5001)可以容纳摄像头模块(5003)。主体(5001)的一个表面可以设置有显示部(5002)。
例如，主体(5001)的一个表面可以布置有显示部(5002)和摄像头模块(5003)，并且主体(5001)的另一表面(设置在该一个表面的相对侧上的表面)可以附加地布置有摄像头模块(5003)。
显示部(5002)可以设置在主体(5001)上。显示部(5002)可以设置在主体(5001)的一个表面处。即，显示部(5002)可以设置在与摄像头模块(5003)的表面相同的表面上。替选地，显示部(5002)可以设置在主体(5001)的另一表面上。显示部(5002)可以设置在如下表面上：该表面设置在设置有摄像头模块(5003)的表面的相对表面处。显示部(5002)可以输出由摄像头模块(5003)拍摄的图像。
摄像头模块(5003)可以设置在主体(5001)上。摄像头模块(5003)可以设置在主体(5001)的一个表面上。摄像头模块(5003)的至少一部分可以容纳在主体(5001)中。摄像头模块(5003)可以设置为多个。多个摄像头模块(5003)可以分别设置在主体(5001)的一个表面和主体(5001)的另一表面上。摄像头模块(5003)可以拍摄对象的图像。
在下文中，将参照附图描述根据第三示例性实施方式的摄像头模块的配置。
图31是根据第三示例性实施方式的摄像头模块的分解透视图，图32是根据第三示例性实施方式的摄像头模块的一些元件的截面图，图33是根据第三示例性实施方式的传感器基座的透视图，图34是根据第三示例性实施方式的传感器基座的底部透视图，并且图41是根据修改方式的摄像头模块的一些元件的截面图。
摄像头模块(5003)可以包括透镜驱动装置(5010)、透镜模块(5020)、传感器基座(5030)、滤波器(5040)、图像传感器(5050)、PCB(5060)和控制器(未示出)。然而，可以从摄像头模块(5003)中省略或改变透镜驱动装置(5010)、透镜模块(5020)、传感器基座(5030)、滤波器(5040)、图像传感器(5050)、PCB(5060)和控制器中的任何一个或更多个。
透镜驱动装置(5010)可以设置在传感器基座(5030)的上侧。透镜驱动装置(5010)可以主动地对准在传感器基座(5030)的顶表面上。例如，透镜驱动装置(5010)可以使用通过紫外线和热硬化的环氧树脂耦接至传感器基座(5030)。
透镜模块(5020)可以包括至少一个透镜。透镜模块(5020)可以包括透镜和镜筒。透镜模块(5020)可以包括镜筒和容纳在镜筒中的至少一个透镜。然而，透镜模块(5020)的一个元件不限于透镜模块，并且任何能够支承一个或更多个透镜的保持器结构将足以用于透镜模块。透镜模块(5020)可以耦接至透镜驱动装置(5010)的内侧。透镜模块(5020)可以耦接至透镜驱动装置(5010)的线轴(5210)。透镜模块(5020)可以与线轴(5210)一体地移动。透镜模块(5020)可以使用粘合剂(未示出)耦接至线轴(5210)。例如，透镜模块(5020)可以螺纹耦接至线轴(5210)。同时，已经穿过透镜模块(5020)的光可以照射在图像传感器(5050)上。透镜模块(5020)的顶表面可以设置有用于保护透镜模块(5020)的透镜保护带(5021)。在将透镜模块(5020)组装到透镜驱动装置(5010)之后，可以移除透镜保护带(5021)。
传感器基座(5030)可以设置在PCB(5060)的顶表面处。传感器基座(5030)可以设置在透镜驱动装置(5010)的下侧处。即，传感器基座(5030)可以置于PCB(5060)和透镜驱动装置(5010)之间。传感器基座(5030)可以由绝缘材料形成。传感器基座(5030)可以将图像传感器(5050)容纳在其内。
传感器基座(5030)可以包括主体(5031)和支承部(5032)。然而，可以从传感器基座(5030)中省略或改变主体(5031)和支承部(5032)中的任何一个或更多个。传感器基座(5030)可以包括主体(5031)，该主体(5031)形成在设置在图像传感器(5050)的上侧的通孔(5031a)处。传感器基座(5030)可以包括从主体(5031)的外部向下延伸以设置在PCB(5060)的顶表面处的支承部(5032)。
主体(5031)可以设置在图像传感器(5050)的上侧处。主体(5031)可以形成有通孔(5031a)。主体(5031)可以在外侧处形成有支承部(5032)。主体(5031)可以在顶表面处设置有透镜驱动装置(5010)。
支承部(5032)可以从主体(5031)的外侧向下延伸。支承部(5032)可以设置在PCB(5060)的顶表面处。支承部(5032)可以相对于PCB(5060)支承主体(5031)。通过该结构，主体(5031)可以与PCB(5060)的顶表面(5062)和图像传感器(5050)间隔开。
支承部(5032)的下表面可以形成有两个突起(5032a)。传感器基座(5030)的下表面可以形成有两个突起(5032a)。突起(5032a)可以从支承部(5032)的下表面突出。突起可以形成为引导与PCB(5060)的耦接。即，突起中的每个可以形成为在形状上对应于形成在PCB(5060)上的孔或凹槽，并且可以容纳至孔或凹槽中。
传感器基座(5030)可以包括第一表面(5033)、第二表面(5034)、第三表面(5035)、第一边界表面(5036)、第二边界表面(5037)、接收表面(5038)和内周表面(5039)。然而，可以从传感器基座(5030)中省略或改变第一表面(5033)、第二表面(5034)、第三表面(5035)、第一边界表面(5036)、第二边界表面(5037)、接收表面(5038)和内周表面(5039)中的任何一个或更多个。
主体(5031)的下表面可以包括形成在支承部(5032)内侧的第一表面(5033)。主体(5031)的下表面可以包括形成在第一表面(5033)内侧的第二表面(5034)。主体(5031)的下表面可以包括形成在第二表面(5034)内侧的第三表面(5035)。主体(5031)的下表面可以包括形成在第一表面(5033)和第三表面(5034)之间的第一边界表面(5036)。主体(5031)的下表面可以包括形成在第二表面(5034)和第三表面(5035)之间的第二边界表面(5037)。
主体(5031)的下表面可以从外侧到内侧依次形成有第一表面(5033)、第一边界表面(5036)、第二表面(5034)、第二边界表面(5037)和第三表面(5035)。此时，第二表面(5034)可以设置在低于第一表面(5033)的位置。此外，第三表面(5035)可以设置在低于第二表面(5034)的位置。当然，第三表面(5035)可以设置在低于第一表面(5033)的位置。相反，第一表面(5033)可以设置在高于第二表面(5034)的位置。第二表面(5034)可以设置在高于第三表面(5035)的位置。第一表面(5033)可以设置在高于第三表面(5035)的位置。
第一表面(5033)可以与主体(5031)的下表面上的PCB(5060)的顶表面(5062)间隔最远。电路元件可以置于第一表面(5033)和PCB(5060)的顶表面(5062)之间。即，电路元件可以容纳在由第一表面(5033)和PCB(5060)形成的分开空间中。第一表面(5033)可以形成在第二表面(5034)的外侧处。第一表面(5033)可以形成在第三表面(5035)的外侧处。
第二表面(5034)可以形成在第一表面(5033)和第三表面(5035)之间。第二表面(5034)可以与第一表面(5033)形成阶梯结构。第二表面(5034)可以与配线(5051)在光轴方向上交叠。第二表面(5034)可以与配线(5051)的上端在光轴方向上交叠。配线(5051)可以被容纳在第二表面(5034)和图像传感器(5050)的顶表面之间形成的空间中。配线(5051)可以容纳在由第二表面(5034)和PCB(5060)的顶表面(5062)形成的空间中。第二表面(5034)可以与配线(5051)的上端间隔开。即，可以防止第二表面(5034)与配线(5051)接触。通过这种结构，可以获得配线(5051)的布置空间。即，可以防止配线(5051)被传感器基座(5030)干扰。第二表面(5034)可以形成在第一表面(5033)的内侧处。第二表面(5034)可以形成在第三表面(5035)的外侧处。
第三表面(5035)可以设置在主体(5031)的下表面的最下侧。第三表面(5035)可以与第二表面(5034)形成阶梯结构。第三表面(5035)可以与图像传感器(5050)在光轴方向上交叠。第三表面(5035)可以形成在第一表面(5033)的内侧处。第三表面(5035)可以形成在第二表面(5034)的内侧处。第三表面(5035)可以与传感器基座(5030)的内周表面(5039)形成钝角。在本示例性实施方式中，传感器基座(5030)的顶表面的高度可以通过第三表面(5035)降低，以使得能够在传感器基座(5030)和透镜驱动装置(5010)之间获得AA(主动对准)空间。此外，在本实施方式中，第三空间(5035)可以使由配线(5051)反射的光重新进入透镜模块(5020)的光晕现象最小化。
第一边界表面(5036)可以形成在第一表面(5033)和第二表面(5034)之间。第一边界表面(5036)可以连接第一表面(5033)和第二表面(5034)。第一边界表面(5036)可以包括倾斜部。第一边界表面(5036)可以通过倾斜部形成。第一边界表面(5036)可以与第一表面(5033)和第二表面(5034)形成钝角。第一边界表面(5036)可以与第一表面(5033)和第二表面(5034)中的任何一个或更多个形成直角。
第二边界表面(5037)可以形成在第二表面(5034)和第三表面(5035)之间。第二边界表面(5037)可以连接第二表面(5034)和第三表面(5035)。第二边界表面(5037)可以包括倾斜部。第二边界表面(5037)可以通过倾斜部形成。第二边界表面(5037)可以与第二表面(5034)和第三表面(5035)形成钝角。连接第三表面(5035)和第二表面(5034)的第二边界表面可以与图像传感器(5050)在光轴方向上交叠。第二边界表面(5037)可以与图像传感器(5050)和配线(5051)在光轴方向上相接的区域交叠。第二边界表面(5037)可以分别与第三表面(5035)和第二表面(5034)形成钝角。第二边界表面(5037)可以包括分别与第三表面(5035)和第二表面(5034)形成钝角或直角的倾斜部。
可以通过允许传感器基座的顶表面的一部分凹入来形成接收表面(5038)。接收表面(5038)可以形成在通孔(5031a)的周围。接收表面(5038)可以设置有滤波器(5040)。接收表面(5038)可以形成为具有与滤波器(5040)的形状对应的形状。接收表面(5038)可以与传感器基座(5030)的内周表面(5039)形成锐角。
内周表面(5039)可以形成在接收表面(5038)和第三表面(5035)之间。内周表面(5039)可以连接接收表面(5038)和第三表面(5035)。内周表面(5039)可以形成通孔(5031a)。内周表面(5039)可以与第三表面(5035)形成钝角。内周表面(5039)可以与接收表面(5038)形成锐角。形成通孔(5031a)的传感器基座(5030)的内周表面(5039)可以与第三表面(5035)形成钝角，并且可以形成为与接收表面(5038)形成锐角的倾斜部。形成通孔(5031a)的传感器基座(5030)的内周表面(5039)可以从接收表面(5038)向第三表面(5035)向外凹入。替选地，内周表面(5039)可以与接收表面(5038)和第三表面(5035)形成直角。
在第三示例性实施方式中，图像传感器(5050)的顶表面与第三表面(5035)之间的距离(参见图32的A)可以为0.14mm至0.16mm。第三表面(5035)和第二表面(5034)之间的距离可以为0.02mm至0.03mm。第三表面(5035)和接收表面(5038)之间的距离(参见图32的B)可以为0.19mm至0.21mm。此外，第三表面(5035)和接收表面(5038)之间的距离(参见图32的B)可以为0.20mm。接收表面(5038)与传感器基座(5030)的顶表面之间的距离(参见图32的C)可以为0.23mm至0.29mm。传感器基座(5030)的顶表面和镜筒的下端之间的距离(参见图32的D)可以为0.15mm至0.20mm。第三表面(5035)和第二表面(5034)之间的距离可以是第三表面(5035)和接收表面(5038)之间的距离(B)的10％至15％。此时，FBL(法兰后焦)可以等于图32的A、B、C和D总合计的距离。
在第三示例性实施方式中，第三表面(5035)与传感器基座(5030)的顶表面之间的距离(B+C)可以为0.42mm至0.50mm。此外，图像传感器(5050)的厚度可以为0.30mm至0.35mm。因此，第三表面(5035)与传感器基座(5030)的顶表面之间的距离(B+C)可以是图像传感器(5050)的厚度(从下表面到顶表面的距离)的1.20倍至1.67倍。此外，配线(5051)的从下端到顶表面的距离可以为0.44至0.51。因此，配线(5051)的从下端到顶表面的距离可以是图像传感器(5050)的厚度的1.25倍至1.70倍。
在第三示例性实施方式中，通过从第一表面(5033)、第二表面(5034)和第三表面(5035)延伸的双层阶梯结构提供配线(5051)的逸出空间，可以防止光晕现象。
滤波器(5040)可以设置在与通孔(5031a)的位置相对应的位置处。滤波器(5040)可以设置在通过允许传感器基座(5030)的顶表面的一部分凹入而形成的接收表面(5038)上。滤波器(5040)可以防止红外区的光入射在图像传感器(5050)上。滤波器(5040)可以置于透镜模块(5020)和图像传感器(5050)之间。滤波器(5040)可以设置在传感器基座(5030)上。在另一示例中，滤波器(5040)可以设置在透镜驱动装置(5010)的基座(5500)上。滤波器(5040)可以由膜材料或玻璃材料形成。滤波器(5040)可以通过使红外截止涂层材料涂覆在诸如成像平面保护盖玻璃或盖玻璃的板形滤波器上而形成。例如，滤波器(5040)可以是吸收红外线的红外吸收滤波器。在另一示例中，滤波器(5040)可以是反射红外线的红外反射滤波器。
图像传感器(5050)可以设置在PCB(5060)上。图像传感器(5050)可以设置在PCB(5060)的顶表面(5062)处。图像传感器(5050)可以电连接至PCB(5060)。例如，图像传感器(5050)可以使用SMT(表面贴装技术)耦接至PCB(5060)。在另一示例中，图像传感器(5050)可以通过倒装芯片技术耦接至PCB(5060)。图像传感器(5050)可以设置有与透镜模块(5020)的光轴对准的光轴。即，图像传感器(5050)的光轴和透镜模块(5020)的光轴可以对准。通过该结构，图像传感器(5050)可以获得已经穿过透镜模块(5020)的光。图像传感器(5050)可以将照射在图像传感器(5050)的有效图像区域上的光转换为电信号。图像传感器(5050)可以是CCD(电荷耦合器件)、MOS(金属氧化物半导体)、CPD和CID中的任何一种。然而，图像传感器(150)的类型不限于此，并且能够将入射光转换为电信号的任何配置都可以足以用于图像传感器(5050)。
图像传感器(5050)可以使用配线(5051)与PCB(5060)导电。从图像传感器(5050)的下表面到图像传感器(5050)的顶表面的距离，即厚度，可以为0.30mm至0.35mm。
配线(5051)可以连接至图像传感器(5050)的顶表面并连接至PCB(5060)的顶表面。配线(5051)的上端可以与第二表面(5034)在图像传感器(5050)的光轴方向上交叠，并且可以设置在第三表面(5035)的外侧。配线(5051)可以与传感器基座(5030)间隔开。在本示例性实施方式中，可以防止配线(5051)受到传感器基座(5030)的干扰。
透镜驱动装置(5010)可以设置在PCB(5060)的顶表面(5062)上。PCB(5060)可以设置在透镜驱动装置(5010)的下表面处。PCB(5060)可以与透镜驱动装置(5010)耦接。PCB(5060)可以与图像传感器(5050)设置在一起。PCB(5060)可以电连接至图像传感器(5050)。传感器基座(5030)可以置于PCB(5060)和透镜驱动装置(5010)之间。此时，传感器基座(5030)可以将图像传感器(5050)容纳在其内。在修改方式中，透镜驱动装置(5010)可以直接设置在PCB(5060)上。此时，透镜驱动装置(5010)可以将图像传感器(5050)容纳在其内。通过该结构，已经穿过耦接至透镜驱动装置(5010)的透镜模块(5020)的光可以照射在设置在PCB(5060)上的图像传感器(5050)上。PCB(5060)可以向透镜驱动装置(5010)提供电力(电流)。同时，PCB(5060)可以形成有控制器，以控制透镜驱动装置(5010)。PCB(5060)可以包括FPCB(5061)。即，PCB(5060)可以包括设置有图像传感器(5050)的刚性PCB，以及连接连接器(5070)和刚性PCB的FPCB(柔性PCB)。连接器(5070)可以用于将摄像头模块(5003)电连接至外部元件。可以设置绝缘带(5080)，以在焊接基板(5730)的端子和PCB(5730)的端子之后使焊接部绝缘。
如图41所示的修改方式中所示，PCB(5060)可以包括通过允许顶表面(5062)的一部分部分地凹入而形成的腔表面(5063)。即，PCB(5060)可以形成有腔PCB(腔印刷电路板)。此时，图像传感器(5051)可以连接至图像传感器(5050)的顶表面(5062)。即使在这种情况下，传感器基座(5030)的下端也可以通过形成双层阶梯结构来使光晕现象最小化。
控制器可以设置在PCB(5060)上。例如，控制器可以设置在透镜驱动装置(5010)的内侧。在另一示例中，控制器也可以设置在透镜驱动装置(5010)的外侧。控制器可以控制提供给透镜驱动装置(5010)的线圈(5220)的电流的方向、强度和幅值。控制器可以通过控制透镜驱动装置(10)来执行摄像头模块(5003)的AF功能和OIS功能中的任何一个或更多个。即，控制器可以通过控制透镜驱动装置(5010)使透镜模块(5020)在光轴方向或垂直于光轴方向的方向使移动或倾斜。此外，控制器可以执行AF功能的反馈控制和OIS功能的反馈控制中的任何一个或更多个。更具体地，控制器可以通过控制提供给线圈(5220)的电流并且通过接收由感测单元(5700)检测到的线轴(5210)或壳体(5310)的位置来执行AF反馈控制。控制器的上述反馈控制是实时生成的，以允许执行更准确的AF对焦功能。
在下文中，将参照附图描述根据第三示例性实施方式的透镜驱动装置的配置。
图35是根据第三示例性实施方式的透镜驱动装置的透视图，图36是根据第三示例性实施方式的透镜驱动装置的分解透视图，图37是根据第三示例性实施方式的透镜驱动装置的一些元件的透视图，图38是根据第三示例性实施方式的透镜驱动装置的一些元件的底部透视图，图39是沿图35的线A-A截取的截面图，图40是根据第三示例性实施方式的透镜驱动装置的一些元件的底部视图。
透镜驱动装置(5010)可以包括盖构件(5100)、动子(5200)、定子(5300)、基座(5500)、弹性构件(5600)和感测单元(5700)。然而，可以从根据本示例性实施方式的透镜驱动装置(5010)中省略或改变盖构件(5100)、动子(5200)、定子(5300)、基座(5500)、弹性构件(5600)和感测单元(5700)中的任何一个或更多个。特别地，可以省略感测单元(5700)，因为感测单元(5700)是用于AF反馈功能的配置。
盖构件(5100)可以形成透镜驱动装置(5010)的外部形状。盖构件(5100)可以采用底部开口的立方体形状。然而，盖构件(5100)的形状不限于此。盖构件(5100)可以由非磁性物质制成。如果盖构件(5100)由磁性物质形成，则盖构件(5100)的磁力可能受到磁体(5320)、感测磁体(5710)和补偿磁体(5800)中的任何一个或更多个的影响。盖构件(5100)可以由金属材料形成。更具体地，盖构件(5100)可以由金属板形成。在这种情况下，盖构件(5100)可以屏蔽EMI(电磁干扰)。由于盖构件(5100)的所述特性，盖构件(5100)可以被称为“EMI屏蔽罩”。盖构件(5100)可以连接至PCB(5060)的接地部，盖构件(5100)可以通过该接地部接地。盖构件(5100)可以防止从透镜驱动装置(5010)外部产生的无线电波被引入盖构件(5100)内部。此外，盖构件(5100)可以防止从盖构件(5100)内部产生的无线电波被排放到盖构件(5100)的外部。
盖构件(5100)可以包括上板(5101)和侧板(5102)。盖构件(5100)可以包括上板(5101)和从上板(5101)的外周向下延伸的侧板(5102)。例如，盖构件(5100)可以耦接至基座(5500)。盖构件(5100)的侧板(5102)的一部分可以耦接至基座(5500)。盖构件(5100)的侧板(5102)的下端可以设置在基座(5500)的阶梯部(5435)处。盖构件(5100)的侧板(5102)的内周表面可以直接接触基座(5500)的外侧表面。盖构件(5100)的侧板(5102)的内周表面可以通过粘合剂(未示出)耦接至基座(5500)。在另一示例中，盖构件(5100)可以直接耦接至PCB(5060)的顶表面。由盖构件(5100)和基座(5500)形成的内部空间可以设置有动子(5200)、定子(5300)和弹性构件(5600)，通过该结构，盖构件(5100)可以防止保护内部元件免受外部冲击并防止外部异物被引入其中。
盖构件(5100)可以包括开口(5110)。开口(5110)可以形成在盖构件(5100)的上板(5101)上。开口(5110)可以将透镜模块(5020)暴露到上侧。开口(5110)可以形成为采取与透镜模块(5020)的形状对应的形状。开口(5110)的尺寸可以形成为大于透镜模块(5020)的直径，以允许透镜模块(5020)通过开口(5110)组装。通过开口(5110)引入的光可以穿过透镜模块(5020)。此时，已经穿过透镜模块(5020)的光可以通过图像传感器转换为电信号，并且可以作为图像获得。
动子(5200)可以耦接至作为摄像头模块(5003)的元件之一的透镜模块(5020){然而，透镜模块(5020)也可以被解释为透镜驱动模块(5010)的元件}。动子(5200)可以容纳在透镜模块(5020)的内侧处。动子(5200)的内周表面可以通过透镜模块(5020)的外周表面耦接。动子(5200)可以通过与定子(5300)的相互作用来移动。此时，动子(5200)可以与透镜模块(5020)一体地移动。同时，动子(5200)可以移动以用于AF功能。此时，可以将动子(5200)称为“AF动子”。然而，本说明书不限于仅用于动子(5200)的AF功能移动的构件。动子(5200)也可以移动以用于OIS功能。
动子(5200)可以包括线轴(5210)和线圈(5220)。然而，可以从动子(5200)中省略或改变线轴(5210)和线圈(5220)中的任何一个或更多个。
线轴(5210)可以设置在壳体(5310)的内侧。线轴(5210)可以设置在壳体(5310)的通孔(5311)上。线轴(5210)可以关于壳体(5310)在光轴方向上移动。线轴(5210)可以设置在壳体(5310)的通孔(5311)上，以沿着光轴移动。线轴(5210)可以耦接至透镜模块(5020)。线轴(5210)的内周表面可以通过透镜模块(5020)的外周表面耦接。线轴(5210)可以通过线圈(5220)耦接。线轴(5210)的外周表面可以通过线圈(5220)耦接。线轴(5210)的顶表面可以与上弹性构件(5610)耦接。线轴(5210)的下端可以与下弹性构件(5620)耦接。
线轴(5210)可以包括通孔(5211)、线圈耦接部(5212)、上耦接部(5213)和下耦接部(5214)。然而，可以从线轴(5210)中省略或改变通孔(5211)、线圈耦接部(5212)、上耦接部(5213)和下耦接部(5214)中的任何一个或更多个。
通孔(5211)可以形成在线轴(5210)的内侧。通孔(5211)可以采用上下开口形状。通孔(5211)可以通过透镜模块(5020)耦接。通孔(5211)的内周表面可以形成有与形成在透镜模块(5020)的外周表面上的螺纹相对应的螺纹。即，通孔(5211)可以通过透镜模块(5020)的螺纹耦接。可以将粘合剂置于透镜模块和线轴(5210)之间。此时，粘合剂可以是通过UV、热和激光硬化的环氧树脂。
线圈耦接部(5212)可以通过线圈(5220)耦接。线圈耦接部(5212)可以形成在线轴(5210)的外周表面处。线圈耦接部(5212)可以由通过允许线轴(5210)的外周表面的一部分向内凹入而形成的凹槽形成。此时，线圈耦接部(5212)可以由线圈(5220)的至少一部分容纳。线圈耦接部(5212)可以与线轴(5210)的外周表面一体地形成。例如，线圈耦接部(5212)可以沿着线轴(5210)的外周表面连续地形成。此时，线圈耦接部(5212)可以缠绕有线圈(5220)。在另一示例中，线圈耦接部(5212)可以形成为均彼此间隔开的多个。此时，线圈(5220)也可以形成为多个，以分别耦接至线圈耦接部(5212)。此外，在另一示例中，线圈耦接部(5212)可以形成为上下开口形状。此时，线圈(5220)可以在处于预卷绕状态的同时通过开口部插入并耦接至线圈耦接部(5212)。
上耦接部(5213)可以耦接至上弹性构件(5610)。上耦接部(213)可以耦接至上弹性构件(5610)的内周表面(5612)。上耦接部(5213)可以从线轴(5210)的顶表面向上突出。例如，上耦接部(5213)的突起可以通过插入上弹性构件(5610)的内周表面(5612)的凹槽或孔中而耦接。此时，上耦接部(5213)的突起可以在插入内周表面(5612)的孔中的同时熔融，以将上弹性构件(5610)固定在熔融的突起和线轴(5210)的顶表面之间。
下耦接部(5214)可以耦接至下弹性构件(5620)。下耦接部(5214)可以耦接至下弹性构件(5620)的内周表面(5622)。下耦接部(5214)可以从线轴(5210)的下表面向下突出。例如，下耦接部(5214)的突起可以通过插入下弹性构件(5620)的内周表面(5622)的凹槽或孔中而耦接。此时，下耦接部(5214)的突起可以在插入内周表面(5622)的孔中的同时熔融，以将下弹性构件(5620)固定在熔融的突起和线轴(5210)下表面之间。
线轴(5210)可以包括由感测磁体(5710)容纳的感测磁体接收部(5215)。感测磁体接收部(5215)可以形成在线轴(5210)的一侧处。感测磁体接收部(5215)可以容纳感测磁体(5710)。感测磁体接收部(5215)可以通过从线圈耦接部(5212)向内凹入而形成。
线轴(5210)可以包括由补偿磁体(5800)容纳的补偿磁体接收部(5216)。补偿磁体接收部(5216)可以形成在线轴(5210)的另一侧。补偿磁体接收部(5216)可以容纳补偿磁体(5800)。补偿磁体接收部(5216)可以通过从线圈耦接部(5212)向内凹入而形成。补偿磁体接收部(5216)可以设置成关于线轴(5210)的中心与感测磁体接收部(5215)对称。在这种情况下，当容纳在感测磁体接收部(5215)中的感测磁体(5710)的磁性和容纳在补偿磁体接收部(5216)中的补偿磁体(5800)的磁性是对称的时，在感测磁体(5710)和补偿磁体(5800)之间可以实现电磁平衡，并且因此可以使由感测磁体(5710)作用于线圈(5220)和磁体(5320)之间的电磁相互作用的影响最小化。
线圈(5220)可以设置在线轴(5210)上。线圈(5220)可以设置在线轴(5210)的外周表面处。线圈(5220)可以直接缠绕在线轴(5210)上。线圈(5220)可以面向磁体(5320)。在这种情况下，当向线圈(5220)提供电流以在线圈(5220)周围形成磁场时，线圈(5220)可以响应于线圈(5220)和磁体(5320)之间的电磁相互作用而相对于磁体(5320)移动。线圈(5220)可以与磁体(5320)电磁相互作用。线圈(5220)可以通过与磁体(5320)的电磁相互作用使线轴(5210)相对于壳体(5310)在光轴上移动。例如，线圈(5220)可以是一体地形成的一个线圈。在另一示例中，线圈(5220)可以包括均相互间隔开的多个线圈。线圈(5220)可以包括均相互间隔开的四个线圈。此时，四个线圈可以设置在线轴(5210)的外周表面处，以允许两个相邻的线圈相互形成90°。
线圈(5220)可以包括用于供电的一对引线线缆。此时，线圈(5220)上的所述一对引线线缆可以电连接至作为下弹性构件(5620)的分开元件的第一下弹性单元(5620a)和第二下弹性单元(5620b)。即，线圈(5220)可以通过下弹性构件(5620)接收电力。更具体地，线圈(5220)可以顺序地通过PCB(5060)、基板(5730)和下弹性构件(5620)接收电力。替选地，线圈(5220)可以通过上弹性构件(5610)接收电力。
定子(5300)可以设置在动子(5200)的外侧。定子(5300)可以由设置在其下方的基座(5500)支承。定子(5300)可以设置在盖构件(5100)的内部空间处。定子(5300)可以通过电磁相互作用使动子(5200)移动。
定子(5300)可以包括壳体(5310)和磁体(5320)。然而，可以从定子(5300)中省略或改变壳体(5310)和磁体(5320)中的任何一个或更多个。定子(5300)可以包括设置在线轴(5210)外侧的壳体(5310)。定子(5300)可以包括面向线圈(5220)并固定至壳体(5310)的磁体(5320)。
壳体(5310)可以设置在线轴(5210)的外侧。壳体(5310)可以在内部设置有线轴(5210)。壳体(5310)可以设置有磁体(5320)。壳体(5310)可以耦接至弹性构件(5600)。壳体(5310)的顶表面可以与上弹性构件(5610)耦接。壳体(5310)可以在下表面处耦接至下弹性构件(5620)。壳体(5310)可以形成为具有与盖构件(5100)的内周表面对应的形状。壳体(5310)可以由绝缘材料形成。考虑到产率，壳体可以通过注射形成。壳体(5310)可以固定至基座(5500)的顶表面。替选地，可以省略壳体(5310)，并且可以将磁体(5320)直接固定至盖构件(5100)。
壳体(5310)可以包括第一至第四侧部(5301，5302，5303，5304)。壳体可以包括在第一至第四侧部(5301，5302，5303，5304)之间形成的第一至第四角部(5305，5306，5307，5308)。壳体(5310)可以包括均相互间隔开的第一至第四角部(5305，5306，5307，5308)。
壳体(5310)可以包括形成在第一和第二侧部(5301，5302)之间的第一角部(5305)。壳体(5310)可以包括形成在第二和第三侧部(5302，5303)之间的第二角部(5306)。壳体(5310)可以包括形成在第三和第四侧部(5303，5304)之间的第三角部(5307)。壳体(5310)可以包括形成在第四和第一侧部(5304，5301)之间的第四角部(5308)。此时，传感器(5720)可以设置在第一角部(5305)上。
壳体(5310)可以包括通孔(5311)、磁体耦接部(5312)、上耦接部(5313)、下耦接部和感测单元接收部(5315)。然而，可以从壳体(5310)中省略或改变通孔(5311)、磁体耦接部(5312)、上耦接部(5313)、下耦接部和感测单元接收部(5315)中的任何一个或更多个。
壳体(5310)可以在上侧和下侧开口，以在光轴方向上可移动地容纳线轴(5210)。通孔(5311)可以与线轴(5210)可移动地设置在一起。通孔(5311)可以形成为具有与线轴(5210)的形状对应的形状。通孔(5311)的外周表面可以与线轴(5210)的外周表面间隔开。
壳体(5310)可以包括形成在侧表面处的磁体耦接部(5312)，其形状对应于磁体(5320)的形状以容纳磁体(5320)。磁体耦接部(5312)可以通过容纳磁体(5320)来固定磁体(5320)。磁体耦接部(5312)可以形成为穿透壳体(5310)的侧表面。替选地，磁体耦接部(5312)可以通过凹入壳体(5310)中而形成在壳体(5310)的内周表面处。
壳体(5310)可以包括与上弹性构件(5610)耦接的上耦接部(5313)。上耦接部(5313)可以耦接至上弹性构件(5610)的外周表面(5610)。例如，上耦接部(5313)的突起可以通过插入外周表面(5611)的凹槽或孔中而耦接。此时，上耦接部(5313)的突起可以通过在插入外周表面(5611)的孔中的状态下熔融而固定上弹性构件(5610)。
壳体(5310)可以包括与下弹性构件(5620)耦接的下耦接部。下耦接部可以耦接至下弹性构件(5620)的外部部分(5621)。例如，下耦接部的突起可以通过插入外部部分(5621)的凹槽或孔中而耦接。此时，下耦接部的突起可以通过在插入外部部分(5621)的孔中的状态下熔融而固定下弹性构件(5620)。替选地，下弹性构件(5620)的外部部分(5621)可以通过插入壳体(5310)的下表面和基座(5500)的顶表面之间的方法固定。
壳体(5310)可以形成有感测单元接收部(5315)。感测单元接收部(5315)可以形成在壳体(5310)上。感测单元接收部(5315)可以容纳传感器(5720)的至少一部分。感测单元接收部(5315)可以容纳基板(5730)的至少一部分。感测单元接收部(5315)可以形成在壳体(5310)的第一侧表面(5301)和第一角部(5305)上。更具体地，感测单元接收部(5315)可以包括通过允许壳体(5310)的侧表面向内凹入而形成的凹槽。此外，感测单元接收部(5315)可以包括通过允许第一角部(5305)的一部分凹入而形成的凹槽。通过这种结构，传感器(5720)可以设置在壳体(5310)的第一角部(5305)上。
磁体(5320)可以设置在壳体(5310)上。磁体(5320)可以面向线圈(5220)。磁体(5320)可以固定至壳体(5310)的磁体耦接部(5312)。磁体(5320)可以通过粘合剂粘附至壳体(5310)。磁体(5320)可以通过与线圈(5220)的电磁相互作用来使线圈(5220)移动。磁体(5320)可以不与基板(5740)的本体部(5742)在垂直于光轴的方向上交叠。
磁体(5320)可以包括多个磁体。磁体(5320)可以包括第一至第四磁体(5321，5322，5323，5324)。磁体(5320)可以包括设置在第一侧部(301)的第一磁体(5321)、设置在第二侧部(5302)的第二磁体(5322)、设置在第三侧部(5303)的第三磁体(5323)、和设置在第四侧部(5304)的第四磁体(5324)。
第一至第四磁体(5321，5322，5323，5324)可以相互间隔开。第一至第四磁体(5321，5322，5323，5324)可以设置在壳体(5310)上，以允许两个相邻的磁体相互形成90°。第一磁体(5321)可以与第三磁体(5323)关于壳体(5310)的中心对称。第二磁体(5322)可以与第四磁体(5324)关于壳体(5310)的中心对称。
第一磁体(5321)的中心可以设置成相比于壳体(5310)的第一角部(5305)更靠近第四角部(5308)。即，第一磁体(5321)的中心可以设置成偏向第四角部(5308)侧。第二磁体(5322)的中心可以设置成相比于壳体(5310)的第一角部(5305)更靠近第二角部(5306)。即，第二磁体(5322)的中心可以设置成偏向第二角部(5306)侧。第三磁体(5323)的中心可以设置成相比于壳体(5310)的第三角部(5307)更靠近第二角部(5306)。即，第三磁体(5323)的中心可以设置成偏向第二角部(5306)侧。第四磁体(5324)的中心可以设置成相比于壳体(5310)的第三角部(5307)更靠近第四角部(5308)。即，第四磁体(5324)的中心可以偏向第四角部(5308)侧。在这种情况下，可以使第一至第四磁体(5321，5322，5333，5334)与感测单元(5700)之间的电磁干扰最小化。即，在本示例性实施方式中，可以通过磁体(5320)的形状和布置结构来确保感测单元(5700)的布置空间。
基座(5500)可以设置在线轴(5210)的下侧。基座(5500)可以设置在壳体(5310)的下侧。基座(5500)可以支承定子(5300)。基座(5500)的下侧可以与PCB(5060)设置在一起。基座(5500)可以代替保护安装在PCB(5060)上的图像传感器(5050)的传感器基座(5030)。
基座(5500)可以包括通孔(5510)、端子接收部(5520)和异物收集部(未示出)。
基座(5500)可以包括通孔(5510)，该通孔(5510)形成在与线轴(5210)的通孔(5211)的位置对应的位置处。基座(5500)的通孔(5510)可以通过滤波器(5040)耦接。替选地，滤波器(5040)可以耦接至设置在基座(5500)的下表面处的传感器基座(5030)。
基座(5500)可以包括端子接收部(5520)，在端子接收部(5520)中容纳基板(5730)的端子部(5733)的至少一部分。端子接收部(5520)可以容纳基板(5730)的端子部(5733)的至少一部分。端子接收部(5520)可以通过从基座(5500)的外周表面向内凹入而形成。容纳在端子接收部(5520)中的端子部(5733)可以设置成允许端子暴露于外部。
基座(5500)可以包括收集引入到盖构件(5100)中的异物的异物收集部。异物收集部可以设置在基座(5500)的顶表面处以包括粘合材料并且将异物收集在由盖构件(5100)和基座(5500)形成的内部空间上。
弹性构件(5600)可以耦接至线轴(5210)和壳体(5310)。弹性构件(5600)的至少一部分可以具有弹性。弹性构件(5600)可以相对于壳体(5310)可移动地支承线轴(5210)。弹性构件(5600)可以相对于基座(5500)可移动地支承线轴(5210)。
弹性构件(5600)可以包括耦接至壳体(5310)的顶表面和线轴(5210)的顶表面的上弹性构件(5610)，以及耦接至壳体(5310)下表面和线轴(5210)的下表面的下弹性构件(5620)。
弹性构件(5600)可以包括耦接至线轴(5210)的顶表面和壳体(5310)的顶表面的上弹性构件(5610)。上弹性构件(5610)可以设置在线轴(5210)的顶表面处，并且可以耦接至线轴(5210)和壳体(5310)。上弹性构件(5610)可以耦接至线轴(5210)的顶表面并且耦接至壳体(5310)的顶表面。上弹性构件(5610)可以相对于壳体(5310)弹性地支承线轴(5210)。
上弹性构件(5610)可以包括外部部分(5611)、内部部分(5612)和连接部(5613)。上弹性构件(5610)可以包括与壳体(5310)耦接的外部部分(5611)、耦接至线轴(5210)的内部部分(5612)、以及弹性连接外部部分(5611)和内部部分(5612)的连接部(5613)。
弹性构件(5600)可以包括耦接至线轴(5210)的下表面且耦接至壳体(5310)的下表面的下弹性构件(5620)。下弹性构件(5620)可以设置在线轴(5210)的下侧，并且可以耦接至线轴(5210)和壳体(5310)。下弹性构件(5620)可以耦接至线轴(5210)的下表面和壳体(5310)的下表面。下弹性构件(5620)可以相对于壳体(5310)弹性地支承线轴(5210)。下弹性构件(5620)的外部部分(5621)可以通过被按压在壳体(5310)的下表面和基座(5500)的顶表面之间而被固定。
下弹性构件(5620)可以包括外部部分(5621)、内部部分(5622)和连接部(5623)。下弹性构件(5620)可以包括耦接至壳体(5310)的外部部分(5621)、耦接至线轴(5210)的内部部分(5622)、以及弹性地连接外部部分(5621)和内部部分(5622)的连接部(5623)。
下弹性构件(5620)可以分开地形成为一对，以向线圈(5220)供电。下弹性构件(5620)可以包括弹性地连接线圈(5220)的远端和基板(5730)的第一下弹性单元(5620a)。下弹性构件(5620)可以包括与第一下弹性单元(5620a)间隔开以电连接线圈(5220)的另一远端和基板(5730)的第二下弹性单元(5620b)。
感测单元(5700)可以通过检测透镜模块(5020)的位置信息来提供透镜模块(5020)的位置信息以用于AF反馈功能。感测单元(5700)可以包括感测磁体(5212)、传感器(5720)和基板(5730)。然而，可以从感测单元(5700)中省略或改变感测磁体(5212)、传感器(5720)和基板(5730)中的任何一个或更多个。
感测磁体(5710)可以设置在线轴(5210)的一侧。补偿磁体(5800)可以设置在线轴(5210)的另一侧。传感器(5720)可以通过设置在壳体(5310)处来检测感测磁体(5710)。
感测磁体(5710)可以设置在线轴(5210)处。感测磁体(5710)可以由传感器(5720)检测。感测磁体(5710)可以设置成面向壳体(5310)的第一角部(5305)。感测磁体(5710)可以设置在连接第一角部(5305)和第三角部(5307)的第一虚拟直线(图40的L1)上。感测磁体(5710)可以具有与补偿磁体(5800)的磁性相对应的磁性。感测磁体(5710)可以设置在线轴(5210)的一侧。感测磁体(5710)可以与线圈(5220)在垂直于光轴的方向上交叠。感测磁体(5710)可以设置在线圈(5220)的内侧。感测磁体(5710)可以磁化成具有四个极，并且可以在考虑传感器(5720)的相对位置的情况下来设置，以仅使用霍尔输出以正数输出的部分。
传感器(5720)可以检测感测磁体(5710)。传感器(5720)可以设置在连接第一角部(5305)和第三角部(5307)的第一虚拟直线(L1)的假想直线上。即，传感器(5720)、感测磁体(5710)和补偿磁体(5800)可以全部设置在第一虚拟直线(L1)上。传感器(5720)可以安装在基板(5730)上。传感器(5720)可以安装在基板(5730)的延伸部(5731)上。传感器(5720)可以形成有检测磁体磁场的霍尔传感器(霍尔IC)。
霍尔传感器可以固定在壳体(5310)上，并且感测磁体(5710)可以固定在线轴(5210)上。当感测磁体(5710)与线轴(5210)一起移动时，霍尔传感器内部的霍尔IC检测到的磁通密度可以响应于霍尔传感器和感测磁体(5710)的相对位置而改变。霍尔传感器可以使用霍尔传感器的输出电压来检测透镜模块(5020)的位置，霍尔传感器的输出电压与响应于霍尔传感器和感测磁体(5710)之间的相对位置而改变的磁通密度成比例。
基板(5730)可以与传感器(5720)安装在一起。基板(5730)的至少一部分可以容纳在形成在壳体(5310)上的感测单元接收部(5315)中。基板(5730)可以通过第一下弹性单元(5620a)电连接至线圈(5220)的远端。基板(5730)可以通过第二下弹性单元(5620b)电连接至线圈(5220)的另一远端。即，基板(5730)可以通过下弹性构件(5620)向线圈(5220)供电。
基板(5730)可以包括接触壳体(5310)的侧部的本体部(5732)。基板(5730)可以包括从本体部(5732)向下延伸的端子部(5733)。基板(5730)可以包括从本体部(5732)弯曲以插入壳体(5310)并与传感器(5720)安装在一起的延伸部(5731)。基板(5730)可以是FPCB(柔性印刷电路板)。然而，本发明不限于此。
基板(5730)可以从下侧插入到壳体(5310)的感测单元接收部(5315)中。基板(5730)可以在插入壳体(5310)的感测单元接收部(5315)中时通过粘合剂(未示出)固定。基板(5730)可以布置成允许本体部(5732)在插入壳体(5310)的感测单元接收部(5315)时设置在壳体(5310)的外侧，并允许延伸部(5731)设置在壳体(5310)的内侧。通过这种结构，设置在本体部(5732)下侧的端子部(5733)可以易于耦接以用于与外部元件的导电，并且安装在延伸部(5731)的内表面的传感器(5720)可以以高输出检测设置在内侧的感测磁体(5710)。
延伸部(5731)可以通过从本体部(5732)弯曲而延伸到壳体(5310)的内侧。延伸部(5731)可以与传感器(5720)安装在一起。本体部(5732)可以与壳体(5310)的外侧表面接触。本体部(5732)可以不与磁体(5320)在垂直于光轴的方向上交叠。端子部(5733)可以从本体部(5732)向下延伸。端子部(5733)可以暴露在外部。
透镜驱动装置(5010)可以包括补偿磁体(5800)。补偿磁体(5800)可以具有与感测磁体(5710)的磁性相对应的磁性。补偿磁体(5800)可以设置在线轴(5210)的另一侧。补偿磁体(5800)可以设置在第一虚拟线(L1)上，第一虚拟线(L1)是连接第一角部(5305)和第三角部(5307)的假想直线。补偿磁体(5800)可以关于感测磁体(5710)和线轴(5210)之间的中心对称。通过这种结构，可以实现感测磁体(5710)和补偿磁体(5800)之间的电磁平衡。结果，可以使由感测磁体(5710)作用于线圈(5220)和磁体(5320)之间的电磁相互作用的影响最小化。
在下文中，将描述根据第三示例性实施方式的摄像头模块的操作。
更具体地，将描述根据第三示例性实施方式的摄像头模块(5003)的AF功能。当向线圈(5220)供电时，线圈通过线圈(5220)和磁体(5320)之间的电磁相互作用执行到磁体(5320)的移动。此时，通过线圈(5220)耦接的线轴(5210)与线圈(5220)一体地移动。即，通过透镜模块(5020)在内部耦接的线轴可以相对于壳体(5310)在光轴方向上移动。线轴(5210)的所述移动导致透镜模块(5020)移动得更靠近或远离图像传感器，从而至线圈(5220)的供电可以执行根据本示例性实施方式的对对象的焦点调节。
同时，在根据第三示例性实施方式的摄像头模块(5003)中，应用AF反馈以实现更准确的AF功能。布置在壳体(5310)上的传感器(5720)检测固定至线轴(5210)的感测磁体(5710)的磁场。当线轴进行至壳体(5310)的相对移动时，传感器(5720)和感测磁体(5710)之间的距离改变，从而改变传感器(5720)检测到的磁场量。传感器(5720)使用上述方法检测线轴(5210)在光轴上的移动或线轴(5210)的位置，并将检测值发送到控制器。控制器通过接收的检测值确定是否执行到线轴(5210)的附加移动。这些类型的处理是实时生成的，使得可以通过AF反馈功能更准确地执行根据本发明的摄像头模块(5003)的AF功能。
到目前为止，已经通过能够执行AF功能的AF模块解释了第三示例性实施方式。然而，在修改方式中，壳体(5310)和基座(5500)可以间隔开，并且侧支承构件(配线或片簧)相对于基座(5500)可移动地支承壳体(5310)，并且使OIS线圈部面向基座(5500)的顶表面上的磁体(5320)。即，在本示例性实施方式的修改方式中，还可以与AF功能一起执行OIS功能。
<第四示例性实施方式>
在下文中，“透镜驱动装置”可以与“VCM(音圈马达)”互换使用。在下文中，凹入的凹槽(33)可以与“凹入结构”和“凹入部”互换使用。
“主动对准型模块”方法是如下方法：在图像传感器(6050)、PCB(6060)和传感器基座(6030)被组装之后，在传感器基座(6030)的顶表面上涂覆环氧树脂，并且通过主动对准自动对焦过程在传感器基座(6030)上安装透镜驱动装置(6010)和透镜模块(6020)的组件。
最近的趋势是需要高性能透镜，其中透镜模块(6020)的直径趋向于增大。同时，透镜模块(6020)的直径增大，而相对紧凑的透镜驱动装置(6010)的尺寸在有限的状态下增加，使得传感器基座(6030)和透镜驱动装置(6010)之间的粘合区域减少。特别地，需要在透镜驱动装置(6010)的焊接端子部获得空间，因此，实际粘合面积小于0.4mm。
由于比较例中的窄粘合剂区域，可能在主动对准环氧树脂分配过程中产生风险(由于过度涂覆而导致环氧树脂被引入滤波器(6040)以及由于涂层减少而导致粘合性降低)。此外，在跌落测试和翻滚测试期间，透镜驱动装置(6010)可能脱离。
第四示例性实施方式涉及一种主动对准处理型模块，其在传感器基座的顶表面上的主动对准环氧树脂涂覆区域上形成有凹入结构。
在第四示例性实施方式中，在组装图像传感器(6050)、PCB(6010)和传感器基座(6030)之后，将环氧树脂涂覆在传感器基座(6030)的顶表面上。此时，主动对准环氧树脂必须涂覆在凹入结构上。此后，通过主动对准安装透镜驱动装置(6010)并完成模块。
第四示例性实施方式的特征在于传感器基座(6030)的顶表面应用凹入结构。
在主动对准环氧树脂涂覆表面上施加凹入结构由于将环氧树脂引入凹入部而能够增加与透镜驱动装置(6010)的接触面积，从而增加了根据第四示例性实施方式的主动对准环氧树脂的粘合力。
在这种情况下，由于增加的粘合力，可以防止在跌落测试和翻滚测试之后透镜驱动装置(6010)的脱离。此外，可以省略在未施加凹入结构时作为防止透镜驱动装置(6010)脱离的方法的应用于透镜驱动装置(6010)的附加环氧树脂密封工艺。另外，可以防止由于过度涂覆而可能将主动对准环氧树脂引入滤波器(6040)的现象。
在下文中，将参照附图描述根据第四示例性实施方式的光学装置的配置。
图56是根据本示例性实施方式的光学装置的透视图。光学装置可以包括主体(6001)、显示部(6002)和摄像头模块(6003)。根据第四示例性实施方式的光学装置可以推断地应用根据第三示例性实施方式的光学装置。
在下文中，将参照附图描述根据第四示例性实施方式的摄像头模块的配置。
图43是根据第四示例性实施方式的摄像头模块的透视图，图44是根据第四示例性实施方式的摄像头模块的分解透视图，图45是根据第四示例性实施方式的摄像头模块的截面图，图46是图45中的一些元件的局部放大截面图，图47是根据第四示例性实施方式的摄像头模块的传感器基座的透视图，图48是根据第四示例性实施方式的摄像头模块的传感器基座的底部透视图。
摄像头模块可以包括透镜驱动装置(6010)、透镜模块(6020)、传感器基座(6030)、滤波器(6040)、图像传感器(6050)、PCB(6060)、连接器(6070)、粘合剂(6080)、保护构件(6090)和控制器(未示出)。然而，可以从摄像头模块中省略或改变透镜驱动装置(6010)、透镜模块(6020)、传感器基座(6030)、滤波器(6040)、图像传感器(6050)、PCB(6060)、连接器(6070)、粘合剂(6080)、保护构件(6090)和控制器中的任何一个或更多个。
透镜驱动装置(6010)可以耦接至传感器基座(6030)。透镜驱动装置(6010)可以设置在传感器基座(6030)的顶表面上。透镜驱动装置(6010)可以包括设置在透镜驱动装置(6010)的侧表面处的基板(6730)。透镜驱动装置(6010)可以耦接至透镜模块(6020)。透镜驱动装置(6010)可以使耦接的透镜模块(6020)移动。
透镜模块(6020)可以包括至少一个透镜。透镜模块(6020)可以包括透镜和镜筒。透镜模块(6020)可以包括镜筒，以及容纳在镜筒中的至少一个透镜。然而，透镜模块(6020)的元件不限于镜筒，并且可以满足任何能够支承一个或更多个透镜的保持器结构。透镜模块(6020)可以耦接至透镜驱动装置(6010)的内侧。透镜模块(6020)可以耦接至透镜驱动装置(6010)的线轴(6210)。透镜模块(6020)可以与线轴(6210)一体地移动。透镜模块(6020)可以通过粘合剂(未示出)耦接至线轴(6210)。例如，透镜模块(6020)可以螺纹耦接至线轴(6210)。同时，已经穿过透镜模块(6020)的光可以照射在图像传感器(6050)上。
传感器基座(6030)可以设置在PCB(6060)的顶表面处。传感器基座(6030)可以设置在透镜驱动装置(6010)的下表面。传感器基座(6030)可以置于PCB(6060)和透镜驱动装置(6010)之间。传感器基座(6030)可以在内部容纳图像传感器(6050)。传感器基座(6030)可以由注射材料形成。传感器基座(6030)可以由绝缘材料形成。
传感器基座(6030)可以包括主体部(6031)和支承部(6032)。然而，可以从传感器基座(6030)中省略或改变主体部(6031)和支承部(6032)中的任何一个或更多个。传感器基座(6030)可以包括主体部(6031)，主体部(6031)具有设置在图像传感器(6050)的顶侧的通孔(6031a)。传感器基座(6030)可以包括从主体部(6031)的外侧向下延伸以设置在PCB(6060)的顶表面处的支承部(6032)。
主体部(6031)可以设置在图像传感器(6050)的顶侧。主体部(6031)可以形成有通孔(6031a)。主体部(6031)可以在外侧形成有支承部(6032)。主体部(6031)可以在顶表面处设置有透镜驱动装置(6010)。
支承部(6032)可以从主体部(6031)的外侧向下延伸。支承部(6032)可以设置在PCB(6060)的顶表面处。支承部(6032)可以相对于PCB(6060)支承主体部(6031)。通过该结构，主体部(6031)可以与PCB(6060)的顶表面和图像传感器(6050)间隔开。
支承部(6032)的下表面可以形成有两个突起(6032a)。传感器基座(6030)的下表面可以形成有两个突起(6032a)。突起(6032a)可以从支承部(6032)的下表面突出。可以形成突起(6032a)以引导与PCB(6060)的耦接。即，突起(6032a)中的每个可以通过形成为与PCB(6060)的凹槽或孔的形状对应的形状而容纳在PCB(6060)的凹槽或孔中。此外，第三凹入的凹槽(6037)可以通过支承部(6032)形成在传感器基座(6030)的下表面处。
传感器基座(6030)可以通过允许顶表面凹入而形成，并且可以包括容纳粘合剂(6080)的一部分的凹入的凹槽(6033)。凹入的凹槽(6033)可以通过允许传感器基座(6030)的顶表面凹入来形成。凹入的凹槽(6033)可以容纳粘合剂(6080)的至少一部分。粘合剂(6080)可以沿着凹入的凹槽(6033)涂覆。凹入的凹槽(6033)可以与滤波器接收部(6034)间隔开。凹入的凹槽(6033)可以从传感器基座(6030)的顶表面凹入0.05mm的深度。凹入的凹槽(6033)可以从传感器基座(6030)的顶表面凹入0.03mm至0.05mm的深度。凹入的凹槽(6033)可以形成为0.2mm宽。凹入的凹槽(6033)可以形成为0.2mm至0.3mm的宽度。
凹入的凹槽(6033)可以包括第一凹槽(6033a)和第二凹槽(6033b)。凹入的凹槽(6033)可以形成在滤波器接收部(6034)和传感器基座(6030)的外侧表面之间，并且可以包括相互间隔开的第一凹槽(6033a)和第二凹槽(6033b)。
第一凹槽(6033a)和第二凹槽(6033b)可以形成在滤波器接收部(6034)和传感器基座(6030)的外侧表面之间。第一凹槽(6033a)和第二凹槽(6033b)可以相互间隔开。第一凹槽(6033a)可以与第二凹槽(6033b)平行地设置在第二凹槽(6003b)的关于滤波器接收部(6034)相对的一侧。第一凹槽(6033a)和第二凹槽(6033b)可以与传感器基座(6030)的外侧表面相互间隔开。第一凹槽(6033a)和第二凹槽(6033b)中的每个可以沿假想的直线直地延伸。第一凹槽(6033a)和第二凹槽(6033b)的延伸长度可以长于滤波器接收部(6034)的对应方向的长度。
第一凹槽(6033a)可以形成在滤波器接收部(6034)和传感器基座(6030)的外侧表面之间。第一凹槽(6033a)可以与第二凹槽(6033b)间隔开。第一凹槽(6033a)可以与传感器基座(6030)的外侧表面间隔开。第一凹槽(6033a)和传感器基座(6030)的外侧表面之间的距离可以对应于第一凹槽(6033a)和滤波器接收部(6034)之间的距离。第一凹槽(6033a)可以沿假想的直线直地延伸。第一凹槽(6033a)的延伸长度(参见图49的A)可以长于滤波器接收部(6034)的相应方向的长度(参见图49的B)。
第二凹槽(6033b)可以形成在滤波器接收部(6034)和传感器基座(6030)的外侧表面之间。第二凹槽(6033b)可以与第一凹槽(6033a)间隔开。第二凹槽(6033b)可以与传感器基座(6030)的外侧表面间隔开。第二凹槽(6033b)与传感器基座(6030)的外侧表面之间的距离可以对应于第二凹槽(6033b)与滤波器接收部(6034)之间的距离。第二凹槽(6033b)可沿假想的直线直地延伸。第二凹槽(6033b)的延伸长度(参见图49的A)可以长于滤波器接收部(6034)的相应方向的长度(参见图49的B)。
在修改方式中，凹槽(6033)可以不是直的，而是可以以锯齿形状延伸。此外，凹槽(6033)可以延伸成具有曲率。凹槽(6033)可以形成为多个，每个凹槽间隔开并且布置成直线。凹槽(6033)可以布置成均相对于传感器基座(6030)的顶表面在对角线方向上平行的多个。
在另一修改方式中，凹槽(6033)可以形成在透镜驱动装置(6010)的下表面上而不是传感器基座(6030)的顶表面上。替选地，凹槽(6033)可以形成在传感器基座(6030)的顶表面和透镜驱动装置(6010)的下表面二者上。此时，传感器基座(6030)的凹槽(6003)和透镜驱动装置(6010)的凹槽(6033)可以形成在相应的位置并具有相应的形状。
传感器基座(6030)可以包括形成在与图像传感器(6050)的位置对应的位置处的通孔(6031a)。传感器基座(6030)可以包括滤波器接收部(6040)，该滤波器接收部(6040)通过允许传感器基座(6030)的顶表面上的与通孔(6031a)的周围相对应的部分凹入并且布置有滤波器(6040)而形成。
滤波器接收部(6034)可以通过允许传感器基座(6030)的顶表面的一部分凹入来形成。滤波器接收部(6034)可以形成在通孔(6031a)的周围。滤波器接收部(6034)可以由滤波器(6040)的至少一部分容纳。滤波器接收部(6034)可以具有与滤波器(6040)的形状相对应的形状。
传感器基座(6030)可以包括第一凹入部(6035)和第二凹入部(6036)。可以通过允许传感器基座(6030)的侧表面凹入来形成第一凹入部(6035)。第一凹入部(6035)可以在透镜驱动装置(6010)处容纳基板(6730)的端子(6733)。即，第一凹入部(6035)可以在透镜驱动装置(6010)处布置有基板(6730)的端子(6733)。可以通过允许传感器基座(6030)的侧表面凹入来形成第二凹入部(6036)。第二凹入部(6036)可以形成在第一凹入部(6037)的相对侧。第二凹入部(6036)的宽度可以窄于第一凹入部(6037)的宽度。第二凹入部(6036)可以包括凹入表面和倾斜地连接凹入表面和传感器基座(6030)的侧表面的倾斜部。
传感器基座(6030)可以包括第三凹入部(6037)。可以通过允许传感器基座(6030)的下表面的一部分凹入来形成第三凹入部(6037)。可以通过传感器基座(6030)的主体部(6031)与PCB(6060)之间的第三凹入部(6037)形成空间，并且该空间可以与图像传感器(6050)布置在一起。
滤波器(6040)可以设置在与通孔(6031a)的位置相对应的位置处。滤波器(6040)可以设置在滤波器接收部(6034)上，该滤波器接收部(6034)通过允许传感器基座(6030)的顶表面的一部分凹入而形成。滤波器(6040)可以屏蔽红外区的光，使其不入射在图像传感器(6050)上。滤波器(6040)可以置于透镜模块(6020)和图像传感器(6050)之间。滤波器(6040)可以设置在传感器基座(6030)上。在另一示例中，滤波器(6040)可以设置在透镜驱动装置(6010)的基座(6500)处。滤波器(6040)可以由膜材料或玻璃材料形成。滤波器(6040)可以通过在诸如保护盖玻璃和盖玻璃的平坦光学滤波器上涂覆红外截止涂层材料来形成。例如，滤波器(6040)可以是红外截止滤波器或红外吸收滤波器。在另一示例中，滤波器(6040)可以是红外反射滤波器。
图像传感器(6050)可以设置在PCB(6060)上。图像传感器(6050)可以设置在PCB(6060)的顶表面上。图像传感器(6050)可以电连接至PCB(6060)。例如，图像传感器(6050)可以使用SMT(表面贴装技术)耦接至PCB(6060)。在另一示例中，图像传感器(6050)可以通过倒装芯片技术耦接至PCB(6060)。图像传感器(6050)可以设置成关于光轴与透镜模块(6020)对准。即，图像传感器(6050)的光轴和透镜模块(6020)的光轴可以对准。通过该配置，图像传感器(6050)可以获得已经穿过透镜模块(6020)的光。图像传感器(6050)可以将照射在图像传感器(6050)的有效图像区域上的光转换为电信号。图像传感器(6050)可以是CCD(电荷耦合器件)、MOS(金属氧化物半导体)、CPD和CID中的任何一种。然而，图像传感器(6050)的类型不限于此，并且图像传感器(6050)可以包括能够将入射光转换为电信号的任何配置。图像传感器(50)可以通过配线电导通至PCB(60)。
PCB(6060)可以在上表面处设置有传感器基座(6030)。PCB(6060)可以设置在传感器基座(6030)的下表面处。PCB(6060)可以与透镜驱动装置(6010)耦接。PCB(6060)可以设置有图像传感器(6050)。PCB(6060)可以与图像传感器(6050)电连接。传感器基座(6030)可以置于PCB(6060)和透镜驱动装置(6010)之间。此时，传感器基座(6030)可以在内侧容纳图像传感器(6050)。通过该结构，已经穿过耦接至透镜驱动装置(6010)的透镜模块(6020)的光可以照射在设置在PCB(6020)上的图像传感器(6050)上。PCB(6060)可以向透镜驱动装置(6010)提供电力(电流)。同时，PCB(6060)可以设置有控制器，以控制透镜驱动装置(6010)。PCB(6060)可以包括FPCB(6061)。
PCB(6060)可以包括设置有图像传感器(6050)的刚性PCB(PCB刚性)和连接刚性PCB和连接器(6070)的FPCB(柔性PCB)。可以使用连接器(6070)以将摄像头模块(6003)电连接至外部元件。
粘合剂(6080)可以置于传感器基座(6030)和透镜驱动装置(6010)之间。粘合剂(6080)可以设置在透镜驱动装置(6010)的下表面和传感器基座(6030)的顶表面处。粘合剂(6080)可以设置在传感器基座(6030)的凹入的凹槽(6033)处。粘合剂(6080)可以涂覆在传感器基座(6030)的凹入的凹槽(6033)上。粘合剂(6080)可以是环氧树脂。
保护构件(6080)可以涂覆在基板(6730)的端子(6733)和PCB(6060)上。保护构件(6080)可以防止基板(6730)的端子(6733)暴露于外部。保护构件(6080)可以是环氧树脂。
在下文中，将参考附图描述根据修改方式的传感器基座。
图49是根据本发明第四示例性实施方式的修改方式的摄像头模块上的传感器基座的透视图。
与本示例性实施方式相比，该修改方式中的传感器基座(6030)可以另外包括凹槽(6038)。
可以通过允许传感器基座(6030)的顶表面凹入来形成凹槽(6038)。凹槽(6038)可以容纳粘合剂(6080)的至少一部分。粘合剂(6080)可以沿凹槽(6038)涂覆。凹槽(6038)可以与滤波器接收部(6034)间隔开。凹槽(6038)可以与凹入的凹槽(6033)间隔开。凹槽(6038)和凹入的凹槽(6033)可以交替地设置在滤波器接收部(6034)的周围。凹槽(6038)可以以大于凹入的凹槽(6033)的宽度的宽度延伸。
凹槽(6038)可以包括第三凹槽和第四凹槽。第三凹槽和第四凹槽可以置于滤波器接收部(6034)和传感器基座(6030)的外侧表面之间。第三凹槽和第四凹槽可以相互间隔开。第三凹槽可以与第四凹槽平行地设置在第四凹槽的关于滤波器接收部(6034)相对的一侧。第三凹槽和第四凹槽可以与传感器基座(6030)的外侧表面间隔开。第三凹槽和第四凹槽中的每个可以沿假想的直线直地延伸。第三凹槽和第四凹槽的长度(参见图49的C)可以对应于滤波器接收部(6034)的相应方向的长度(参见图49的C)。
在下文中，将结合附图描述根据第四示例性实施方式的另一示例性实施方式的透镜驱动装置的配置。根据第四示例性实施方式的另一示例性实施方式的透镜驱动装置可以应用根据本示例性实施方式的摄像头模块，而不是第四示例性实施方式的透镜驱动装置(参见图43和44)。根据第四示例性实施方式的另一示例性实施方式的透镜驱动装置的说明可以依据根据第四示例性实施方式的透镜驱动装置的说明推断地应用。
图50是根据基于第四示例性实施方式的另一示例性实施方式的透镜驱动装置的透视图，图51是根据基于第四示例性实施方式的另一示例性实施方式的透镜驱动装置的分解透视图，图52是根据基于第四示例性实施方式的另一示例性实施方式的透镜驱动装置的一些元件的透视图，图53是根据基于第四示例性实施方式的另一示例性实施方式的透镜驱动装置的一些元件的底部透视图，图54是沿图50的线A-A截取的截面图，并且图55是根据基于第四示例性实施方式的另一示例性实施方式的透镜驱动装置的一些元件的底视图。
透镜驱动装置(6010)可以包括盖构件(6100)、动子(6200)、定子(6300)、基座(6500)、弹性构件(6600)和感测单元(6700)。然而，可以从透镜驱动装置(6010)中省略或改变盖构件(6100)、动子(6200)、定子(6300)、基座(6500)、弹性构件(6600)和感测单元(6700)中的任何一个或更多个。特别地，可以省略感测单元(6700)，因为感测单元(6700)是用于AF反馈功能的配置。
盖构件(6100)可以形成透镜驱动装置(6010)的外部形状。盖构件(6100)可以是底部开口的立方体形状。然而，盖构件(6100)的形状不限于此。盖构件(6100)可以具有非磁性物质。如果盖构件(6100)由磁性物质形成，则盖构件(6100)的磁力可能受到磁体(6320)、感测磁体(6710)和补偿磁体(6800)中的任何一个或更多个的影响。盖构件(6100)可以由金属材料形成。更具体地，盖构件(6100)可以由金属板形成。在这种情况下，盖构件(6100)可以屏蔽EMI(电磁干扰)。由于盖构件(6100)的这种特性，盖构件(6100)可以被称为“EMI屏蔽罩”。盖构件(6100)可以连接至PCB(6060)的接地部。通过这种结构，盖构件(6100)可以接地。盖构件(6100)可以防止从透镜驱动装置(6010)外部产生的无线电波进入盖构件(6100)。此外，盖构件(6100)可以防止从盖构件(6100)内部产生的无线电波被排放到盖构件(6100)的外侧。
盖构件(6100)可以包括上板(6101)和侧板(6102)。盖构件(6100)可以包括上板(6101)和从上板(6101)的外周向下延伸的侧板(6102)。例如，盖构件(6100)可以耦接至基座(6500)。盖构件(6100)的侧板(6102)的一部分可以耦接至基座(6500)。盖构件(6100)的侧板(6102)的下端可以设置在基座(6500)的阶梯部(6435)处。盖构件(6100)的侧板(6102)的内周表面可以直接接触基座(6500)的外侧表面。盖构件(6100)的侧板(6102)的内侧表面可以通过粘合剂(未示出)耦接至基座(6500)。在另一示例中，盖构件(6100)可以直接耦接至PCB(6060)的顶表面。由盖构件(6100)和基座(6500)形成的内部空间可以设置有动子(6200)、定子(6300)和弹性构件(6600)。通过这种结构，盖构件(6100)可以保护内部元件免受外部冲击并同时防止异物从外部穿透。盖构件(6100)可以包括开口(6110)。
开口(6110)可以形成在盖构件(6100)的上板(6101)上。开口(6110)可以向上暴露透镜模块(6020)。开口(6110)可以形成为具有与透镜模块(6020)的形状对应的形状。开口(6110)的尺寸可以形成为大于透镜模块(6020)的直径，以允许透镜模块(6020)通过开口(6110)组装。通过开口(6110)引入的光可以穿过透镜模块(6020)。此时，已经穿过透镜模块(6020)的光可以由图像传感器转换为电信号并且作为图像获得。
动子(6200)可以耦接至透镜模块(6020)(然而，透镜模块(6020)可以被解释为透镜驱动装置(6010)的元件之一，其是摄像头模块(6003)的一个元件)。动子(6200)可以容纳在透镜模块(6020)的内侧。动子(6200)的内周表面可以通过透镜模块(6020)的外周表面耦接。动子(6200)可以通过与定子(6300)的相互作用而移动。此时，动子(6200)可以与透镜模块(6020)一体地移动。同时，动子(6200)可以被移动以用于AF功能。此时，动子(6200)可以称为“AF动子”。然而，本说明书不限于使动子(6200)移动仅用于AF功能的构件。动子(6200)也可以移动用于OIS功能。
动子(6200)可以包括线轴(6210)和线圈(6220)。然而，可以从动子(6200)中省略或改变线轴(6210)和线圈(6220)中的任何一个或更多个。
线轴(6210)可以设置在壳体(6310)的内侧。线轴(6210)可以设置在壳体(6310)的通孔(6311)上。线轴(6210)可以围绕壳体(6310)在光轴方向上移动。线轴(6210)可以设置在壳体(6310)的通孔(6311)上，以沿光轴移动。线轴(6210)可以耦接至透镜模块(6020)。线轴(6210)的内周表面可以通过透镜模块(6020)的外周表面耦接。线轴(6210)可以通过线圈(6220)耦接。线轴(6210)的外周表面可以通过线圈(6220)耦接。线轴(6210)的顶表面可以与上弹性构件(6610)耦接。线轴(6210)的下端可以与下弹性构件(6620)耦接。
线轴(6210)可以包括通孔(6211)、线圈耦接部(6212)、上耦接部(6213)和下耦接部(6214)。然而，可以从线轴(6210)中省略或改变通孔(6211)、线圈耦接部(6212)、上耦接部(6213)和下耦接部(6214)中的任何一个或更多个。
通孔(6211)可以形成在线轴(6210)的内侧。通孔(6211)可以采用上下开口形状。通孔(6211)可以通过透镜模块(6020)耦接。通孔(6211)的内周表面可以形成有与形成在透镜模块(6020)的外周表面上的螺纹相对应的螺纹。即，通孔(6211)可以通过透镜模块(6020)的螺纹耦接。可以将粘合剂置于透镜模块和线轴(6210)之间。此时，粘合剂可以是通过UV、热和激光硬化的环氧树脂。
线圈耦接部(6212)可以通过线圈(6220)耦接。线圈耦接部(6212)可以形成在线轴(6210)的外周表面处。线圈耦接部(6212)可以由通过允许线轴(6210)的外周表面的一部分向内凹入而形成的凹槽形成。此时，线圈耦接部(6212)可以由线圈(6220)的至少一部分容纳。线圈耦接部(6212)可以与线轴(6210)的外周表面一体地形成。例如，线圈耦接部(6212)可以沿着线轴(6210)的外周表面连续地形成。此时，线圈耦接部(6212)可以缠绕有线圈(6220)。在另一示例中，线圈耦接部(6212)可以形成为均相互间隔开的多个。此时，线圈(6220)也可以形成为多个，以分别耦接至线圈耦接部(6212)。此外，在另一示例中，线圈耦接部(6212)可以形成为上部或底部开口形状。此时，线圈(6220)可以在处于预卷绕状态的同时通过开口部插入并耦接至线圈耦接部(6212)。
上耦接部(6213)可以耦接至上弹性构件(6610)。上耦接部(6213)可以耦接至上弹性构件(6610)的内周表面(6612)。上耦接部(6213)可以从线轴(6210)的顶表面向上突出。例如，上耦接部(6213)的突起可以通过插入上弹性构件(6610)的内周表面(6612)的凹槽或孔中而耦接。此时，上耦接部(6213)的突起可以在插入内周表面(6612)的孔中的同时熔融，以将上弹性构件(6610)固定在熔融的突起和线轴(6210)的顶表面之间。
下耦接部(6214)可以耦接至下弹性构件(6620)。下耦接部(6214)可以耦接至下弹性构件(6620)的内周表面(6622)。下耦接部(6214)可以从线轴(6210)的下表面向下突出。例如，下耦接部(6214)的突起可以通过插入下弹性构件(6620)的内周表面(6622)的凹槽或孔中而耦接。此时，下耦接部(6214)的突起可以在插入内周表面(6622)的孔中的同时熔融，以将下弹性构件(6620)固定在熔融的突起和线轴(6210)的下表面之间。
线轴(6210)可以包括由感测磁体(6710)容纳的感测磁体接收部(6215)。感测磁体接收部(6215)可以形成在线轴(6210)的一侧。感测磁体接收部(6215)可以容纳感测磁体(6710)。感测磁体接收部(6215)可以通过从线圈耦接部(6212)向内凹入而形成。
线轴(6210)可以包括由补偿磁体(6800)容纳的补偿磁体接收部(6216)。补偿磁体接收部(6216)可以形成在线轴(6210)的另一侧。补偿磁体接收部(6216)可以容纳补偿磁体(6800)。补偿磁体接收部(6216)可以通过从线圈耦接部(6212)向内凹入而形成。补偿磁体接收部(6216)可以设置成与感应磁体接收部(6215)关于线轴(6210)的中心对称。在这种情况下，当容纳在感测磁体接收部(6215)中的感测磁体(6710)的磁性和容纳在补偿磁体接收部(5216)中的补偿磁体(6800)的磁性对称时，可以实现感测磁体(6710)和补偿磁体(6800)之间的电磁平衡，结果，可以使感测磁体(6710)作用于线圈(6220)和磁体(6320)之间的电磁相互作用的影响最小化。
线圈(6220)可以设置在线轴(6210)上。线圈(6220)可以设置在线轴(6210)的外周表面处。线圈(6220)可以直接缠绕在线轴(6210)上。线圈(6220)可以面向磁体(6320)。在这种情况下，当向线圈(6220)提供电流以在线圈(6220)周围形成磁场时，线圈(6220)可以响应于线圈(6220)和磁体(6320)之间的电磁相互作用而相对于磁体(6320)移动。线圈(6220)可以与磁体(6320)电磁相互作用。线圈(6220)可以通过与磁体(6320)的电磁相互作用使线轴(6210)相对于壳体(6310)在光轴上移动。例如，线圈(6220)可以是一体地形成的一个线圈。在另一示例中，线圈(6220)可以包括多个线圈，每个线圈相互间隔开。线圈(6220)可以包括均相互间隔开的四个线圈。此时，四个线圈可以设置在线轴(6210)的外周表面处，以允许两个相邻的线圈相互形成90°。
线圈(6220)可以包括用于供电的一对引线线缆。此时，线圈(6220)上的所述一对引线线缆可以电连接至作为下弹性构件(6620)的分开元件的第一下弹性单元(6620a)和第二下弹性单元(6620b)。即，线圈(6220)可以通过下弹性构件(6620)接收电力。更具体地，线圈(6220)可以顺序地通过PCB(6060)、基板(6730)和下弹性构件(6620)接收电力。替选地，线圈(6220)可以通过上弹性构件(6610)接收电力。
定子(6300)可以设置在动子(6200)的外侧。定子(6300)可以由设置在其下方的基座(6500)支承。定子(6300)可以设置在盖构件(6100)的内部空间处。定子(6300)可以通过电磁相互作用使动子(6200)移动。
定子(6300)可以包括壳体(6310)和磁体(6320)。然而，可以从定子(6300)中省略或改变壳体(6310)和磁体(6320)中的任何一个或更多个。定子(6300)可以包括设置在线轴(6210)外侧的壳体(6310)。定子(6300)可以包括面向线圈(6220)并固定至壳体(6310)的磁体(6320)。
壳体(6310)可以设置在线轴(6210)的外侧。壳体(6310)可以在内侧与线轴(6210)设置在一起。壳体(6310)可以设置有磁体(6320)。壳体(6310)可以耦接至弹性构件(6600)。壳体(6310)的顶表面可以与上弹性构件(6610)耦接。壳体(6310)可以在下表面处耦接至下弹性构件(6620)。壳体(6310)可以形成为具有与盖构件(6100)的内周表面对应的形状。壳体(6310)可以由绝缘材料形成。考虑到产率，壳体(6310)可以使用注射形成。壳体(6310)可以固定至基座(6500)的顶表面。替选地，可以省略壳体(6310)，并且可以将磁体(6320)直接固定至盖构件(6100)。
壳体(6310)可以包括第一至第四侧部(6301，6302，6303，6304)。壳体(6310)可以包括在第一至第四侧部(6301，6302，6303，6304)之间形成的第一至第四角部(6305，6306，6307，6308)。壳体(6310)可以包括均相互间隔开的第一至第四角部(6305，6306，6307，6308)。
壳体(6310)可以包括形成在第一和第二侧部(6301，6302)之间的第一角部(6305)。壳体(6310)可以包括形成在第二和第三侧部(6302，6303)之间的第二角部(6306)。壳体(6310)可以包括形成在第三和第四侧部(6303，6304)之间的第三角部(6307)。壳体(6310)可以包括形成在第四和第一侧部(6304，6301)之间的第四角部(6308)。此时，传感器(6720)可以设置在第一角部(6305)上。
壳体(6310)可以包括通孔(6311)、磁体耦接部(6312)、上耦接部(6313)、下耦接部和感测单元接收部(6315)。然而，可以从壳体(6310)中省略或改变通孔(6311)、磁体耦接部(6312)、上耦接部(6313)、下耦接部和感测单元接收部(6315)中的任何一个或更多个。
壳体(6310)可以在上侧和下侧开口，以在光轴方向上可移动地容纳线轴(6210)。通孔(6311)可以与线轴(6210)可移动地设置在一起。通孔(6311)可以形成为具有与线轴(6210)的形状对应的形状。通孔(6311)的外周表面可以与线轴(6210)的外周表面间隔开。
壳体(6310)可以包括形成在侧表面处的磁体耦接部(6312)，其形状对应于磁体(6320)的形状以容纳磁体(6320)。磁体耦接部(6312)可以通过容纳磁体(6320)来固定磁体(6320)。磁体耦接部(6312)可以形成为穿透壳体(6310)的侧表面。替选地，磁体耦接部(6312)可以通过凹入壳体(6310)中而形成在壳体(6310)的内周表面处。
壳体(6310)可以包括与上弹性构件(6610)耦接的上耦接部(6313)。上耦接部(6313)可以耦接至上弹性构件(6610)的外周表面(6611)。例如，上耦接部(6313)的突起可以通过插入外周表面(6611)的凹槽或孔中而耦接。此时，上耦接部(6313)的突起可以通过在插入外周表面(6611)的孔中的状态下熔融而固定上弹性构件(6610)。
壳体(6310)可以包括与下弹性构件(6620)耦接的下耦接部。下耦接部可以耦接至下弹性构件(6620)的外部部分(6621)。例如，下耦接部的突起可以通过插入外部部分(6621)的凹槽或孔中而耦接。此时，下耦接部的突起可以通过在插入外部部分(6621)的孔中的状态下熔融而固定下弹性构件(6620)。替选地，下弹性构件(6620)的外部部分(6621)可以通过插入壳体(6310)的下表面和基座(6500)的顶表面之间的方法固定。
壳体(6310)可以形成有感测单元接收部(6315)。感测单元接收部(6315)可以形成在壳体(6310)上。感测单元接收部(6315)可以容纳传感器(6720)的至少一部分。感测单元接收部(6315)可以容纳基板(6730)的至少一部分。感测单元接收部(6315)可以形成在壳体(6310)的第一侧表面(6301)和第一角部(6305)上。更具体地，感测单元接收部(6315)可以包括通过允许壳体(6310)的侧表面向内凹入而形成的凹槽。此外，感测单元接收部(6315)可以包括通过允许第一角部(6305)的一部分凹入而形成的凹槽。通过该结构，传感器(6720)可以设置在壳体(6310)的第一角部(6305)上。
磁体(5320)可以设置在壳体(6310)上。磁体(6320)可以面向线圈(6220)。磁体(6320)可以固定至壳体(6310)的磁体耦接部(6312)。磁体(6320)可以通过粘合剂粘附至壳体(6310)。磁体(6320)可以通过与线圈(6220)的电磁相互作用来使线圈(6220)移动。磁体(6320)可以不与基板(6740)的本体部(6742)在垂直于光轴的方向上交叠。
磁体(6320)可以包括多个磁体。磁体(6320)可以包括第一至第四磁体(6321，6322，6323，6324)。磁体(6320)可以包括设置在第一侧部(6301)的第一磁体(6321)、设置在第二侧部(6302)的第二磁体(6322)、设置在第三侧部(6303)的第三磁体(6323)、和设置在第四侧部(6304)的第四磁体(6324)。
第一至第四磁体(6321，6322，6323，6324)可以相互间隔开。第一至第四磁体(6321，6322，6323，6324)可以设置在壳体(6310)上，以允许两个相邻的磁体相互形成90°。第一磁体(6321)可以与第三磁体(6323)关于壳体(6310)的中心对称。第二磁体(6322)可以与第四磁体(6324)关于壳体(6310)的中心对称。
第一磁体(6321)的中心可以设置成相比于壳体(6310)的第一角部(6305)更靠近第四角部(6308)。即，第一磁体(6321)的中心可以设置成偏向第四角部(6308)侧。第二磁体(6322)的中心可以设置成相比于壳体(6310)的第一角部(6305)更靠近第二角部(6306)。即，第二磁体(6322)的中心可以设置成偏向第二角部(6306)侧。第三磁体(6323)的中心可以设置成相比于壳体(6310)的第三角部(6307)更靠近第二角部(6306)。即，第三磁体(6323)的中心可以设置成偏向第二角部(6306)侧。第四磁体(6324)的中心可以设置成相比于壳体(6310)的第三角部(6307)更靠近第四角部(6308)。即，第四磁体(6324)的中心可以偏向第四角部(6308)侧。在这种情况下，可以使第一至第四磁体(6321，6322，6333，6334)与感测单元(6700)之间的电磁干扰最小化。即，在本示例性实施方式中，可以通过磁体(6320)的形状和布置结构确保感测单元(6700)的布置空间。
基座(6500)可以设置在线轴(6210)的下侧。基座(6500)可以设置在壳体(6310)的下侧。基座(6500)可以支承定子(6300)。基座(6500)的下侧可以与PCB(6060)设置在一起。基座(6500)可以代替保护安装在PCB(6060)上的图像传感器(6050)的传感器基座(6030)。
基座(6500)可以包括通孔(6510)、端子接收部(6520)和异物收集部(未示出)。
基座(6500)可以包括形成在与线轴(6210)的通孔(6211)的位置对应的位置处的通孔(6510)。基座(6500)的通孔(6510)可以通过滤波器(6040)耦接。替选地，滤波器(6040)可以耦接至设置在基座(6500)的下表面处的传感器基座(6030)。
基座(6500)可以包括端子接收部(6520)，在该端子接收部(6520)中容纳基板(6730)的端子部(6733)的至少一部分。端子接收部(6520)可以容纳基板(6730)的端子部(6733)的至少一部分。端子接收部(6520)可以通过从基座(6500)的外周表面向内凹入而形成。容纳在端子接收部(6520)中的端子部(6733)可以设置成允许端子暴露于外部。
基座(6500)可以包括收集引入到盖构件(6100)中的异物的异物收集部。异物收集部可以设置在基座(6500)的顶表面处以包括粘合材料并且将异物收集在由盖构件(6100)和基座(6500)形成的内部空间上。
弹性构件(6600)可以耦接至线轴(6210)和壳体(6310)。弹性构件(6600)的至少一部分可以具有弹性。弹性构件(6600)可以相对于壳体(6310)可移动地支承线轴(6210)。弹性构件(6600)可以相对于基座(6500)可移动地支承线轴(6210)。
弹性构件(6600)可以包括耦接至壳体(6310)的顶表面和线轴(6210)的顶表面的上弹性构件(6610)，以及耦接至壳体(6310)的下表面和线轴(6210)的下表面的下弹性构件(6620)。
弹性构件(6600)可以包括耦接至线轴(6210)的顶表面和壳体(6310)的顶表面的上弹性构件(6610)。上弹性构件(6610)可以设置在线轴(6210)的顶表面处，并且可以耦接至线轴(6210)和壳体(6310)。上弹性构件(6610)可以耦接至线轴(6210)的顶表面并且耦接至壳体(6310)的顶表面。上弹性构件(6610)可以相对于壳体(6310)弹性地支承线轴(6210)。
上弹性构件(6610)可以包括外部部分(6611)、内部部分(6612)和连接部(6613)。上弹性构件(6610)可以包括与壳体(6310)耦接的外部部分(6611)、耦接至线轴(6210)的内部部分(6612)、以及弹性地连接外部部分(6611)和内部部分(6612)的连接部(6613)。
弹性构件(6600)可以包括耦接至线轴(6210)的下表面和壳体(6310)的下表面的下弹性构件(6620)。下弹性构件(6620)可以设置在线轴(6210)的下侧，并且可以耦接至线轴(6210)和壳体(6310)。下弹性构件(6620)可以耦接至线轴(6210)的下表面和壳体(6310)的下表面。下弹性构件(6620)可以相对于壳体(6310)弹性地支承线轴(6210)。下弹性构件(6620)的外部部分(6621)可以通过被压在壳体(6310)的下表面和基座(6500)的顶表面之间而被固定。
下弹性构件(6620)可以包括外部部分(6621)、内部部分(6622)和连接部(6623)。下弹性构件(6620)可以包括耦接至壳体(6310)的外部部分(6621)、耦接至线轴(6210)的内部部分(6622)、以及弹性地连接外部部分(6621)和内部部分(6622)的连接部(6623)。
下弹性构件(6620)可以形成有一对以向线圈(6220)供电。下弹性构件(6620)可以包括弹性地连接线圈(6220)的远端和基板(6730)的第一下弹性单元(6620a)。下弹性构件(6620)可以包括与第一下弹性单元(6620a)间隔开以电连接线圈(6220)的另一远端和基板(6730)的第二下弹性单元(6620b)。
感测单元(6700)可以通过检测透镜模块(6020)的位置信息来提供透镜模块(6020)的位置信息以用于AF反馈功能。感测单元(6700)可以包括感测磁体(6212)、传感器(6720)和基板(6730)。然而，可以从感测单元(6700)中省略或改变感测磁体(6212)、传感器(6720)和基板(6730)中的任何一个或更多个。
感测磁体(6710)可以设置在线轴(6210)的一侧。补偿磁体(6800)可以设置在线轴(6210)的另一侧。传感器(6720)可以通过设置在壳体(6310)处来检测感测磁体(6710)。
感测磁体(6710)可以设置在线轴(6210)处。传感器(6720)可以检测感测磁体(6710)。感测磁体(6710)可以设置成面向壳体(6310)的第一角部(6305)。感测磁体(6710)可以设置在连接第一角部(6305)和第三角部(6307)的第一虚拟直线(图10的L1)上。感测磁体(6710)可以具有与补偿磁体(6800)的磁性相对应的磁性。感测磁体(6710)可以设置在线轴(6210)的一侧。感测磁体(6710)可以与线圈(6220)在垂直于光轴的方向上交叠。感测磁体(6710)可以设置在线圈(6220)的内侧。感测磁体(6710)可以被磁化成四个极，并且可以在考虑传感器(6720)的相对位置的情况下来设置感测磁体(6710)，以仅使用霍尔输出以正数输出的部分。
传感器(6720)可以检测感测磁体(6710)。传感器(6720)可以设置在连接第一角部(6305)和第三角部(6307)的第一虚拟直线(L1)的假想直线上。即，传感器(6720)、感测磁体(6710)和补偿磁体(6800)可以全部设置在第一虚拟直线(L1)上。传感器(6720)可以安装在基板(6730)上。传感器(6720)可以安装在基板(6730)的延伸部(6731)上。传感器(6720)可以形成有检测磁体的磁场的霍尔传感器(霍尔IC)。
霍尔传感器可以固定在壳体(6310)上，并且感测磁体(6710)可以固定在线轴(6210)上。当感测磁体(6710)与线轴(6210)一起移动时，霍尔传感器内部的霍尔IC检测到的磁通密度可以响应于霍尔传感器和感测磁体(6710)的相对位置而改变。霍尔传感器可以使用霍尔传感器的输出电压来检测透镜模块(6020)的位置，霍尔传感器的输出电压与响应于霍尔传感器和感测磁体(6710)之间的相对位置而改变的磁通密度成比例。
基板(6730)可以安装有传感器(6720)。基板(6730)的至少一部分可以容纳在形成在壳体(6310)上的感测单元接收部(6315)中。基板(6730)可以通过第一下弹性单元(6620a)电连接至线圈(6220)的远端。基板(6730)可以通过第二下弹性单元(6620b)电连接至线圈(6220)的另一远端。即，基板(6730)可以通过下弹性构件(6620)向线圈(6220)供电。
基板(6730)可以包括与壳体(6310)的侧部接触的本体部(6732)。基板(6730)可以包括从本体部(6732)向下延伸的端子部(6733)。基板(6730)可以包括从本体部(6732)弯曲以插入壳体(6310)并安装有传感器(6720)的延伸部(6731)。基板(6730)可以是FPCB(柔性印刷电路板)。然而，本发明不限于此。
基板(6730)可以从下侧插入到壳体(6310)的感测单元接收部(6315)中。基板(6730)可以在插入壳体(6310)的感测单元接收部(6315)的同时通过粘合剂(未示出)固定。基板(6730)可以布置成在插入壳体(6310)的感测单元接收部(6315)时允许本体部(6732)设置在壳体(6310)的外侧，并允许延伸部(6731)设置在壳体(6310)的内侧。通过这种结构，设置在本体部(6732)下侧的端子部(6733)可以易于耦接用于与外部元件的导电，并且安装在延伸部(6731)的内表面的传感器(6720)可以以高输出检测设置在内侧的感测磁体(6710)。
延伸部(6731)可以通过从本体部(6732)弯曲而延伸到壳体(6310)的内侧。延伸部(6731)可以与传感器(6720)安装在一起。本体部(6732)可以与壳体(6310)的外侧表面接触。本体部(6732)可以不与磁体(6320)在垂直于光轴的方向上交叠。端子部(6733)可以从本体部(6732)向下延伸。端子部(6733)可以暴露在外侧。
透镜驱动装置(6010)可以包括补偿磁体(6800)。补偿磁体(6800)可以具有与感测磁体(6710)的磁性相对应的磁性。补偿磁体(6800)可以设置在线轴(6210)的另一侧。补偿磁体(6800)可以设置在第一虚拟线(L1)上，第一虚拟线(L1)是连接第一角部(6305)和第三角部(6307)的假想直线。补偿磁体(6800)可以关于感测磁体(6710)和线轴(6210)之间的中心对称。通过这种结构，可以实现感测磁体(6710)和补偿磁体(6800)之间的电磁平衡。结果，可以使由感测磁体(6710)作用于线圈(6220)和磁体(6320)之间的电磁相互作用的影响最小化。
在下文中，将描述根据第四示例性实施方式的摄像头模块的操作。
更具体地，将描述根据第四示例性实施方式的摄像头模块(6003)的AF功能。当向线圈(6220)供电时，线圈(6220)通过线圈(6220)和磁体(6320)之间的电磁相互作用执行至磁体(6320)的移动。此时，通过线圈(6220)耦接的线轴(6210)与线圈(6220)一体地移动。即，在内侧通过透镜模块(6020)耦接的线轴(6210)可以相对于壳体(6310)在光轴方向上移动。通过线轴(6210)的所述移动导致透镜模块(6020)移动至更靠近图像传感器(6050)或远离图像传感器(6050)，由此向线圈(6220)供电可以执行根据本示例性实施方式的对对象的焦点调节。
同时，在根据第四示例性实施方式的摄像头模块(6003)中，应用AF反馈以实现更准确的AF功能。布置在壳体(6310)上的传感器(6720)检测固定至线轴(6210)的感测磁体(6710)的磁场。当线轴(6210)移动了针对壳体(6310)的相对移动时，传感器(6720)和感测磁体(6710)之间的距离改变，从而改变传感器(6720)检测到的磁场量。传感器(6720)使用上述方法检测线轴(6210)在光轴上的移动或线轴(6210)的位置，并将检测值发送至控制器。控制器通过接收的检测值确定是否执行对线轴(6210)的附加移动。这些类型的处理是实时生成的，使得可以通过AF反馈功能更准确地执行根据本发明的摄像头模块(6003)的AF功能。
到目前为止，已经通过能够执行AF功能的AF模块解释了第四示例性实施方式。然而，在第四示例性实施方式的修改方式中，壳体(6310)和基座(6500)可以间隔开，并且侧支承构件(配线或片簧)相对于基座(6500)可移动地支承壳体(6310)，并且可以使OIS线圈部面向基座(6500)的顶表面上的磁体(6320)。即，在本示例性实施方式的修改方式中，还可以与AF功能一起执行OIS功能。
尽管已经解释了本公开，其中形成本公开的示例性实施方式的所有组成元件在一个实施方式中组合，或者在一个实施方式中操作，但是本公开不限于此。即，只要在本发明的目的范围内，所有元件可以通过允许选择性地组合一个或更多个元件来操作。此外，如本文所用，诸如“包括(includes)”、“包括(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“包含(comprises)”和/或“包含(comprising)”的术语意味着除非另有说明，否则内置有相关元件，使得所提及的元件不被排除而是可能进一步包括在内。
除非另外定义，否则本文使用的包括技术和科学术语的所有术语具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如在常用词典中定义的那些术语应被解释为具有与其在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或者过于正式的意义，除非在本文中明确定义。前面的解释仅用于说明本发明的技术构思，因此，本领域技术人员应该理解，在不脱离发明的保护范围的情况下，可以对上述示例进行各种修改和改正。
本发明公开的示例性实施方式不是为了限制本发明的技术构思而是为了解释本发明，因此，本发明的技术构思不受示例性实施方式的限制。本发明的保护范围应由以下权利要求来解释，并且等同范围内的所有技术构思应被解释为包括在本发明的权利范围内。
本发明的方案还包括：
(1).一种双摄像头模块，包括：
第一基板，在所述第一基板上布置有第一图像传感器并且所述第一基板具有刚性；
第二基板，所述第二基板与所述第一基板间隔开并且在所述第二基板上布置有第二图像传感器，并且所述第二基板具有刚性；
第三基板，所述第三基板连接至所述第一基板和所述第二基板；以及
连接单元，所述连接单元用于将所述第一基板连接至所述第二基板并且所述连接单元具有柔性，
其中，所述第一基板包括第一侧表面，并且所述第二基板包括面向所述第一侧表面的第二侧表面，并且
其中，所述连接单元将所述第一基板的所述第一侧表面连接至所述第二基板的所述第二侧表面。
(2).根据方案(1)所述的双摄像头模块，其中，所述第三基板包括本体部、从所述本体部延伸并连接至所述第一基板的第一连接部、以及从所述本体部延伸并连接至所述第二基板的第二连接部，并且
其中，所述第一连接部与所述第二连接部间隔开。
(3).根据方案(2)所述的双摄像头模块，其中，所述第一基板包括与所述第一侧表面相邻的第三侧表面，所述第二基板包括与所述第二侧表面相邻的第四侧表面，并且
其中，所述第一连接部连接至所述第三侧表面，并且所述第二连接部连接至所述第四侧表面。
(4).根据方案(3)所述的双摄像头模块，其中，所述第一连接部连接至所述第三侧表面、偏向所述第三侧表面的两个角中的靠近所述第二基板的角，并且所述第二连接部连接至所述第四侧表面、偏向所述第四侧表面的两个侧角中的靠近所述第一基板的角。
(5).根据方案(2)所述的双摄像头模块，包括布置在所述第三基板上并且连接至外部的连接器，
其中，所述第三基板是柔性PCB(柔性印刷电路板)，并且其中，所述连接器设置在所述本体部上。
(6).根据方案(5)所述的双摄像头模块，其中，所述第一基板包括与所述第一侧表面相邻的第三侧表面，所述第二基板包括与所述第二侧表面相邻的第四侧表面，并且
其中，所述第一连接部连接至所述第三侧表面，并且所述第二连接部连接至所述第四侧表面。
(7).根据方案(6)所述的双摄像头模块，其中，所述第三侧表面与所述连接器之间的分开距离对应于所述连接器与所述第四侧表面之间的分开距离。
(8).根据方案(1)所述的双摄像头模块，其中，所述连接单元包括第一移动部和与所述第一移动部间隔开的第二移动部，并且，
其中，所述第一移动部与所述第一侧表面相接的区域和所述第二移动部与所述第一侧表面相接的区域关于所述第一侧表面的中心对称。
(9).根据方案(8)所述的双摄像头模块，其中，所述第一移动部和所述第二移动部在与所述第一侧表面平行的截面的截面区域的至少一部分上变小，以允许与所述第一基板和所述第二基板间隔开。
(10).根据方案(1)所述的双摄像头模块，其中，所述连接单元具有绝缘特性，并且没有用导线形成。
(11).根据方案(1)所述的双摄像头模块，包括加强件，所述加强件设置在所述第一基板的下表面处和所述第二基板的下表面处，
其中，所述第一基板和所述第二基板通过用于主动对准的环氧树脂耦接至所述加强件。
(12).根据方案(1)所述的双摄像头模块，其中，所述连接单元与所述第一基板和所述第二基板一体地形成。
(13).根据方案(1)所述的双摄像头模块，其中，所述连接单元在宽度方向上的长度大于所述第一基板的所述第一侧表面在长边方向上的长度的50％。
(14).根据方案(13)所述的双摄像头模块，其中，所述连接单元的宽度方向和所述第一侧表面的长边方向平行。
(15).一种光学装置，包括：
主体；
设置在所述主体上的双摄像头模块；以及
显示部，所述显示部设置在所述主体的一个表面处，以输出由所述双摄像头模块拍摄的图像，
其中，所述双摄像头模块包括：
第一基板，在所述第一基板上布置有第一图像传感器并且所述第一基板具有刚性；
第二基板，所述第二基板与所述第一基板间隔开并且在所述第二基板上布置有第二图像传感器，并且所述第二基板具有刚性；
第三基板，所述第三基板连接至所述第一基板和所述第二基板；以及
连接单元，所述连接单元用于将所述第一基板连接至所述第二基板并且所述连接单元具有柔性，
其中，所述第一基板包括第一侧表面，并且所述第二基板包括面向所述第一侧表面的第二侧表面，并且
其中，所述连接单元将所述第一基板的所述第一侧表面连接至所述第二基板的所述第二侧表面。
(16).一种用于制造双摄像头模块的方法，包括：
将第一图像传感器安装在第一基板上，并且将第二图像传感器安装在第二基板上，所述第二基板与所述第一基板间隔开并且通过连接单元连接至所述第一基板；
将通过第一透镜模块耦接的第一透镜驱动装置耦接至所述第一基板；
将通过第二透镜模块耦接的第二透镜驱动装置耦接至所述第二基板；
将所述第一基板耦接至加强件；以及
将所述第二基板耦接至所述加强件。
(17).根据方案(16)所述的用于制造双摄像头模块的方法，其中，将所述第一透镜驱动装置耦接至所述第一基板的步骤包括：在所述第一基板和所述第一透镜驱动装置通过第一环氧树脂临时粘合的同时，通过将第一透镜模块与第一图像传感器对准来固化所述第一环氧树脂。
(18).根据方案(17)所述的用于制造双摄像头模块的方法，其中，将所述第二透镜驱动装置耦接至所述第二基板的步骤包括：在所述第二基板和所述第二透镜驱动装置通过所述第二环氧树脂临时粘合的同时，通过将所述第二透镜模块与所述第二图像传感器对准来固化第二环氧树脂。
(19).根据方案(18)所述的用于制造双摄像头模块的方法，其中，将所述第二基板耦接至所述加强件的步骤包括：在所述第二基板和所述加强件通过第三环氧树脂临时粘合的同时，通过将所述第一图像传感器与所述第二图像传感器对准来固化所述第三环氧树脂。
(20).根据方案(19)所述的用于制造双摄像头模块的方法，其中，所述双摄像头模块包括：
第一基板，在所述第一基板上布置有第一图像传感器并且所述第一基板具有刚性；
第二基板，所述第二基板与所述第一基板间隔开并且在所述第二基板上布置有第二图像传感器，并且所述第二基板具有刚性；
第三基板，所述第三基板连接至所述第一基板和所述第二基板；以及
连接单元，所述连接单元用于将所述第一基板连接至所述第二基板并且所述连接单元具有柔性，
其中，所述第一基板包括第一侧表面，所述第二基板包括面向所述第一侧表面的第二侧表面，并且其中，所述连接单元将所述第一基板的所述第一侧表面连接至所述第二基板的所述第二侧表面。

Claims (22)

1.一种摄像头模块，包括：
印刷电路板；
设置在所述印刷电路板上的图像传感器；
设置在所述印刷电路板上的基座；
设置在所述基座上的线轴；
驱动磁体和线圈，所述驱动磁体和线圈被配置成在光轴方向上移动所述线轴；
传感器，所述传感器被配置成感测所述线轴在所述光轴方向上的移动；
设置有所述传感器的基板；
设置在所述印刷电路板与所述基座之间的传感器基座；以及
与所述线轴耦接的透镜，
其中，所述基板包括设置在所述基板的外侧表面上的端子，并且
其中，所述基板的所述端子被环氧树脂覆盖。
2.根据权利要求1所述的摄像头模块，其中，所述线圈与所述基板电连接。
3.根据权利要求1所述的摄像头模块，其中，所述基板的所述端子与所述印刷电路板耦接。
4.根据权利要求1所述的摄像头模块，其中，所述环氧树脂是被配置成防止所述基板的所述端子暴露于外部的保护构件。
5.根据权利要求1所述的摄像头模块，其中，所述环氧树脂连接所述基板的所述端子的外表面和所述印刷电路板的上表面。
6.根据权利要求1所述的摄像头模块，其中，所述基座包括设置有所述基板的所述端子的至少一部分的的端子接收部。
7.根据权利要求6所述的摄像头模块，其中，所述基座的所述端子接收部包括从所述基座的外侧表面向内凹入形成的凹槽。
8.根据权利要求1所述的摄像头模块，其中，所述透镜驱动装置包括设置在所述基座上并包括上板和侧板的盖构件，
其中，所述盖构件的所述侧板包括设置在与所述基板的所述端子对应的位置处的第一侧板，并且
其中，所述基板的所述端子在垂直于所述光轴方向的方向上不与所述盖构件的所述第一侧板交叠。
9.根据权利要求1所述的摄像头模块，包括设置在所述传感器基座与所述透镜驱动装置之间的粘合剂，
其中，所述粘合剂设置在所述传感器基座的上表面和所述透镜驱动装置的下表面上，并且
其中，所述传感器基座包括凹槽，所述凹槽形成为从所述传感器基座的上表面凹入并容纳所述粘合剂的至少一部分。
10.根据权利要求1所述的摄像头模块，包括设置在所述图像传感器与所述透镜之间的滤波器，
其中，所述传感器基座包括设置在与所述图像传感器对应的位置处的通孔，以及形成在所述传感器基座的上表面上并设置有所述滤波器的滤波器接收部。
11.根据权利要求10所述的摄像头模块，其中，所述传感器基座包括设置在所述滤波器接收部与所述传感器基座的外侧表面之间并相互间隔开的第一凹槽和第二凹槽，并且
其中，所述第一凹槽相对于所述滤波器接收部与所述第二凹槽相对设置。
12.根据权利要求11所述的摄像头模块，其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽与所述传感器基座的外侧表面间隔开，
其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽中的每一个沿假想直线直地延伸，并且
其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽中的每一个的延伸长度大于所述滤波器接收部在相应方向上的长度。
13.根据权利要求1所述的摄像头模块，包括设置在所述图像传感器与所述透镜之间的滤波器，
其中，所述传感器基座包括设置有所述滤波器的滤波器接收部，
其中，所述传感器基座包括彼此相对的第一侧表面和第二侧表面，以及彼此相对的第三侧表面和第四侧表面，并且
其中，所述传感器基座的第一侧表面的尺寸大于所述传感器基座的第三侧表面的尺寸。
14.根据权利要求1所述的摄像头模块，其中，所述传感器基座包括与所述印刷电路板的凹槽或孔耦接的突起。
15.根据权利要求1所述的摄像头模块，包括设置在所述线轴上的感测磁体，
其中，所述传感器被配置成感测所述感测磁体。
16.一种摄像头模块，包括：
印刷电路板；
设置在所述印刷电路板上的图像传感器；
设置在所述印刷电路板上的基座；
设置在所述基座上的线轴；
驱动磁体和线圈，所述驱动磁体和线圈被配置成在光轴方向上移动所述线轴；
传感器，所述传感器被配置成感测所述线轴在所述光轴方向上的移动；
设置有所述传感器的基板；以及
设置在所述印刷电路板与所述基座之间的传感器基座，
其中，所述基板包括与所述印刷电路板耦接的端子，并且
其中，所述基板的所述端子被环氧树脂覆盖。
17.根据权利要求16所述的摄像头模块，其中，所述环氧树脂是被配置成防止所述基板的所述端子暴露于外部的保护构件。
18.根据权利要求16所述的摄像头模块，其中，所述环氧树脂连接所述基板的所述端子的外表面和所述印刷电路板的上表面。
19.根据权利要求16所述的摄像头模块，其中，所述基座包括设置有所述基板的所述端子的至少一部分的端子接收部。
20.一种光学装置，包括：
主体；
设置在所述主体上的根据权利要求1至19中任一项所述的摄像头模块；以及
显示部分，所述显示部分设置在所述主体的一个表面处以输出由所述摄像头模块拍摄的图像。
21.一种摄像头模块，包括：
印刷电路板；
设置在所述印刷电路板上的图像传感器；
设置在所述印刷电路板上的透镜驱动装置；以及
设置在所述印刷电路板与所述透镜驱动装置之间的传感器基座。
22.一种摄像头模块，包括：
第一透镜驱动装置，所述第一透镜驱动装置包括第一盖构件、设置在所述第一盖构件中的第一线轴、设置在所述第一盖构件中并被配置成沿第一光轴移动所述第一线轴的第一线圈和第一驱动磁体、设置在所述第一线轴上的第一感测磁体、以及被配置成感测所述第一感测磁体的第一传感器；以及
第二透镜驱动装置，所述第二透镜驱动装置包括第二盖构件、设置在所述第二盖构件中的第二线轴、设置在所述第二盖构件中并被配置成沿第二光轴移动所述第二线轴的第三线圈和第二驱动磁体、以及设置在所述第二线轴上的第二感测磁体，
其中，所述第一盖构件的第一侧板和所述第二盖构件的第五侧板彼此面对，
其中，所述第一驱动磁体包括设置在所述第一线圈与所述第一侧板之间的第一磁体，
其中，所述第二驱动磁体包括设置在所述第三线圈与所述第五侧板之间的第五磁体，
其中，所述第一磁体的至少一部分在从所述第一光轴朝向所述第二光轴的方向上不与所述第五磁体交叠，
其中，所述第一盖构件包括多个角区域，所述多个角区域包括与所述第五磁体间隔最远的第一角区域，
其中，所述第一传感器设置在所述第一角区域处，
其中，所述第一盖构件的所述第一侧板和所述第二盖构件的所述第五侧板在从所述第一光轴朝向所述第二光轴的方向上交叠，
其中，所述第一侧板设置在所述第一盖构件的两个角区域之间，并且
其中，对于所述两个角区域中的一个角区域与所述两个角区域中的另一角区域，所述第一磁体更靠近所述一个角区域。
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