CN117693808A - 球排列掩模和球排列掩模的制造方法 - Google Patents
球排列掩模和球排列掩模的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117693808A CN117693808A CN202180100886.5A CN202180100886A CN117693808A CN 117693808 A CN117693808 A CN 117693808A CN 202180100886 A CN202180100886 A CN 202180100886A CN 117693808 A CN117693808 A CN 117693808A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plating
- layer
- plating layer
- resist
- ball alignment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 191
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 84
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 7
- 239000002659 electrodeposit Substances 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 229960002089 ferrous chloride Drugs 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L iron dichloride Chemical compound Cl[Fe]Cl NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
球排列掩模(1)例如具有第一镀敷层(10)、第二镀敷层(20)和膜层(30)。在第一镀敷层(10)形成有用于排列导电性球的开口图案(11)。第二镀敷层(20)设置在第一镀敷层(10)的第一镀敷表面(10b)。膜层(30)设置在第二镀敷层(20)的第二镀敷表面(20a)。第二镀敷表面(20a)朝向与第一镀敷表面(10b)相同的方向。开口图案(11)中包含的贯通孔(12)在第一镀敷表面(10b)处穿通。
Description
技术领域
本发明涉及球排列掩模和球排列掩模的制造方法。
背景技术
专利文献1记载有用于在电子电路基板排列导电性球的掩模。在该掩模上形成有用于在基板的电极部排列导电性球的开口图案。开口图案包含多个贯通孔。
在使用这样的掩模在电子电路基板或半导体晶片等被搭载物的电极部排列导电性球的情况下,在电极部的表面,在搭载导电性球的位置预先涂敷焊剂。为了防止在排列导电性球时焊剂附着在掩模上,在掩模的与被搭载物相接侧的表面形成有用于避开焊剂的凹部。成为开口图案的多个贯通孔设置于该凹部。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-192777号公报
发明内容
发明要解决的课题
专利文献1中记载的掩模通过电铸法制作。图14是用于说明现有的球排列掩模的制造方法的图。图14相当于表示从专利文献1的图9A(e)所示的状态起形成第二段电铸层的状态的图。
在第一段电铸层的表面形成抗蚀剂后,在该表面电沉积金属,由此形成用于避免焊剂的凹部。此时,作为凹部边缘的部分即图14的箭头D所示的部分的电流密度变高,因此,该部分的板厚比其他部分的板厚厚差t1。第二段电铸层的厚度越厚,则差t1的值越大。因此,存在板厚的精度恶化这样的问题。
本发明正是为了解决上述课题而完成的。本发明的目的是提供一种能够提高板厚度精度的球排列掩模。本发明的另一目的是提供一种用于制造这种球排列掩模的方法。
用于解决课题的手段
本发明的球排列掩模具有:金属层,在其第一表面形成有凹部;以及膜层,其以不会堵塞凹部的方式设置在金属层的第一表面。在金属层形成有用于排列导电性球的开口图案。开口图案中包含的贯通孔在凹部的底面处穿通。
本发明的球排列掩模具有:第一镀敷层,其形成有用于排列导电性球的开口图案;第二镀敷层,其以不会堵塞开口图案的方式设置在第一镀敷层的第一镀敷表面;以及膜层,其设置在第二镀敷层的第二镀敷表面。第二镀敷表面朝向与第一镀敷表面相同的方向。开口图案中包含的贯通孔在第一镀敷表面处穿通。
本发明的球排列掩模的制造方法具有以下步骤:第一步骤,在母材上形成与开口图案对应的第一抗蚀剂;第二步骤,在第一步骤之后,通过对母材进行镀敷而形成第一镀敷层;第三步骤,在第二步骤之后,以堵塞由第一抗蚀剂形成在第一镀敷层的贯通孔的方式,在第一镀敷层的第一镀敷表面形成第二抗蚀剂;第四步骤,在第三步骤之后,通过对第一镀敷表面进行镀敷而在第一镀敷表面形成第二镀敷层;第五步骤,在第四步骤之后,以堵塞由第二抗蚀剂形成在第二镀敷层的开口的方式,在第二镀敷层的第二镀敷表面层叠膜;以及第六步骤,在第五步骤之后,去除膜中的堵塞开口的部分。
发明效果
根据本发明,能够提高球排列掩模的板厚的精度。
附图说明
图1是用于说明实施方式1的球排列掩模的图。
图2是将图1的A部放大后的俯视图。
图3是表示图2所示的球排列掩模中的形成有开口图案和凹部的部分的B-B剖面的图。
图4是表示图2所示的球排列掩模中的形成有识别标记的部分的C-C剖面的图。
图5是表示实施方式1的球排列掩模的制造方法的例子的流程图。
图6是用于说明球排列掩模的制造方法的图。
图7是用于说明球排列掩模的制造方法的图。
图8是用于说明球排列掩模的制造方法的图。
图9是表示球排列掩模的其他例子的图。
图10是表示球排列掩模的其他例子的图。
图11是表示球排列掩模的制造方法的其他例子的流程图。
图12是用于说明球排列掩模的制造方法的图。
图13是用于说明球排列掩模的制造方法的图。
图14是用于说明现有的球排列掩模的制造方法的图。
具体实施方式
以下,参照附图进行详细的说明。适当简化或省略重复的说明。在各图中,相同的标号表示相同的部分或相当的部分。
实施方式1
图1是用于说明实施方式1的球排列掩模1的图。球排列掩模1隔着纱2设置在框3上。纱2配置在球排列掩模1的周围。通过纱2对球排列掩模1赋予张力。
图2是将图1的A部放大后的俯视图。图3是表示图2所示的球排列掩模1中的形成有开口图案11和凹部6的部分的B-B剖面的图。球排列掩模1用于在被搭载物的电极部排列导电性球。被搭载物包含电子电路基板和半导体晶片等。在图3中,为了表示球排列掩模1的使用时的状态,用虚线表示基板4和涂敷在基板4的电极部上的焊剂5。
在球排列掩模1的与基板4相对的表面上形成有用于避开焊剂5的凹部6。图2和图3表示形成在球排列掩模1的一个凹部6。也可以在球排列掩模1形成多个图2和图3所示的凹部6。球排列掩模1包含第一镀敷层10、第二镀敷层20和膜层30。
第一镀敷层10通过镀敷法形成。在第一镀敷层10形成有用于在基板4的电极部排列导电性球的开口图案11。开口图案11包含多个贯通孔12。贯通孔12在第一镀敷层10的第一镀敷表面10a和第一镀敷表面10b处穿通。第一镀敷表面10a在将导电性球排列在基板4的电极部时朝向与基板4的基板表面4a相同的方向。第一镀敷表面10b朝向与第一镀敷表面10a朝向的方向相反的方向。当导电性球排列在基板4的电极部时,第一镀敷表面10b面对基板表面4a。基板4的基板表面4a是搭载导电性球的面。
第二镀敷层20通过镀敷法形成。第二镀敷层20设置在第一镀敷层10的第一镀敷表面10b。第二镀敷层20也可以与第一镀敷层10一体地形成。第二镀敷层20以不会堵塞开口图案11的方式形成。图2和图3表示第二镀敷层20以包围开口图案11的周围的方式设置在第一镀敷表面10b的优选例。
膜层30由膜形成。膜是将树脂成形为薄膜而成的。作为一例,膜层30由抗蚀剂等干膜形成。膜层30设置在第二镀敷层20的第二镀敷表面20a。第二镀敷表面20a朝向与第一镀敷表面10b朝向的方向相同的方向。图2和图3表示膜层30以包围开口图案11的周围的方式设置在第二镀敷表面20a的优选例。在更优选的例子中,膜层30以不会从第二镀敷表面20a溢出的方式设置在第二镀敷表面20a的区域内。优选膜层30的边缘配置在距第二镀敷表面20a的边缘10μm~20μm左右的内侧。在本实施方式所示的例子中,膜层30的厚度大于第二镀敷层20的厚度。
图4是表示图2所示的球排列掩模1中的形成有识别标记21的部分的C-C截面的图。在第二镀敷层20形成有识别标记21。识别标记21用于在基板4的电极部排列导电性球时对球排列掩模1和基板4进行定位。优选识别标记21通过电解处理形成。作为一例,识别标记21通过基于交流电源的电解标记而形成在第二镀敷表面20a。在第二镀敷表面20a中的形成有识别标记21的部分未设置膜层30。即,识别标记21没有被膜层30覆盖。膜层30以包围识别标记21的周围的方式设置在第二镀敷表面20a。
接下来,还参照图5~图8说明制造球排列掩模1的方法。图5是表示实施方式1的球排列掩模1的制造方法的例子的流程图。图6~图8是用于说明球排列掩模1的制造方法的图。
首先,在S101中,进行形成与开口图案11对应的第一抗蚀剂42的第一步骤。具体而言,在第一步骤中,首先,如图6的(a)所示,准备导电性的母材40。接着,如图6的(b)所示,在母材40的表面40a层叠干膜抗蚀剂41。接着,如图6的(c)所示,对干膜抗蚀剂41中的与开口图案11对应的部分进行曝光,然后进行显影。由此,如图6的(d)所示,在母材40的表面40a形成与开口图案11对应的第一抗蚀剂42。另外,在该例子中使用了干膜抗蚀剂41,但是,也可以代替干膜抗蚀剂41而使用液体抗蚀剂。
在第一步骤之后,在S102中,进行形成作为第一段镀敷层的第一镀敷层10的第二步骤。具体而言,在第二步骤中,通过镀敷法对母材40的表面40a进行镀敷。如果采用电铸法作为镀敷法,则在第二步骤中,在母材40的表面40a电沉积金属。由此,如图6的(e)所示,在表面40a形成第一镀敷层10。在表面40a中的存在第一抗蚀剂42的部分不电沉积金属。在第一镀敷层10由第一抗蚀剂42形成贯通孔12。贯通孔12贯通第一镀敷层10的第一镀敷表面10a和第一镀敷表面10b。
在第二步骤之后,在S103中,进行形成用于形成凹部6的一部分的第二抗蚀剂43的第三步骤。具体而言,在第三步骤中,首先,如图7的(a)所示,在第一镀敷层10的第一镀敷表面10b层叠干膜抗蚀剂44。接着,如图7的(b)所示,对干膜抗蚀剂44中的与凹部6对应的部分进行曝光,然后进行显影。由此,如图7的(c)所示,以堵塞形成在第一镀敷层10的贯通孔12的方式,在第一镀敷层10的第一镀敷表面10b形成第二抗蚀剂43。另外,在该例子中使用了干膜抗蚀剂44,但是,也可以代替干膜抗蚀剂44而使用液体抗蚀剂。
在第三步骤之后,在S104中,进行形成作为第二段镀敷层的第二镀敷层20的第四步骤。具体而言,在第四步骤中,通过镀敷法对第一镀敷层10的第一镀敷表面10b进行镀敷。如果采用电铸法作为镀敷法,则在第四步骤中,在第一镀敷层10的第一镀敷表面10b电沉积金属。由此,如图7的(d)所示,在第一镀敷表面10b形成第二镀敷层20。在第一镀敷表面10b中的存在第二抗蚀剂43的部分不电沉积金属。在本实施方式所示的例子中,以包围由第一抗蚀剂42形成在第一镀敷层10的贯通孔12的周围的方式层叠第二镀敷层20。
在第一镀敷表面10b形成第二镀敷层20后,如图7的(e)所示,使用剥离液去除第一抗蚀剂42和第二抗蚀剂43(S105)。第一抗蚀剂42的去除也可以在第三步骤之前进行,但是,在第四步骤之后集中去除更加有效率,因而优选。
在第四步骤之后,在S106中,进行层叠膜的第五步骤。在此,对使用干膜抗蚀剂31作为该膜的例子进行说明。具体而言,在第五步骤中,如图8的(a)所示,在第二镀敷层20的第二镀敷表面20a层叠干膜抗蚀剂31。干膜抗蚀剂31以堵塞由第二抗蚀剂43形成在第二镀敷层20的开口(镀敷凹部)的方式,设置在整个第二镀敷表面20a。
在第五步骤之后,在S107中,进行去除干膜抗蚀剂31的不需要的部分的第六步骤。具体而言,在第六步骤中,如图8的(b)所示,对干膜抗蚀剂31中的与凹部6对应的部分以外的部分进行曝光,然后进行显影。由此,如图8的(c)所示,干膜抗蚀剂31中的以堵塞第二镀敷层20的该开口的方式设置的部分被去除。干膜抗蚀剂31中的残留在第二镀敷表面20a的部分是膜层30。
最后,将第一镀敷层10从母材40分离。由此,能够得到图2和图3所示的球排列掩模1。
在本实施方式所示的例子中,凹部6的内壁由第二段第二镀敷层20和膜层30双方形成。不需要仅由第二镀敷层20全部形成凹部6的内壁。因此,能够使形成凹部6所需的第二段第二镀敷层20的厚度比以往那样全部由镀敷层形成的情况薄。如果第二镀敷层20的厚度薄,则相当于图9所示的差t1的值也变小。因此,能够提高球排列掩模1的板厚的精度。
另外,对于在S107中进行显影后成为膜层30的干膜抗蚀剂31,如果考虑球排列掩模1的使用环境,则优选耐溶剂性能高的干膜抗蚀剂。例如,要求即使在使用碱性的清洗液清洗球排列掩模1的情况下,膜层30也不容易从第二镀敷层20剥离。
在满足这样的条件的干膜抗蚀剂31中,能够比较廉价地得到的干膜抗蚀剂的厚度由规格决定。因此,在想要仅由膜层30形成凹部6的内壁时,有时不能实现与顾客希望的设计值对应的深度的凹部6。例如,考虑能够使用厚度为25μm、30μm、50μm的干膜抗蚀剂31的情况。在这种情况下,在凹部6的内壁仅由膜层30形成时,凹部6的深度限于25μm、30μm、50μm、55μm(25μm+30μm)、75μm(25μm+50μm)等。仅通过膜层30无法形成深度为40μm的凹部6。
另一方面,如果是本实施方式所示的球排列掩模1,则凹部6的内壁的一部分由第二段第二镀敷层20形成,因此,能够将凹部6的深度设定成顾客希望的值。进而,凹部6的内壁的一部分由膜层30形成,因此,与仅由第二镀敷层20形成凹部6的内壁的情况相比,能够提高球排列掩模1的均匀性,提高板厚的精度。另外,对使用干膜抗蚀剂31作为用于形成膜层30的膜的例子进行了说明,但是,也可以代替干膜抗蚀剂31而使用丝网印版中使用的膜厚精度高的直观膜等。
为了提高球排列掩模1的板厚的精度,优选第二镀敷层20的厚度薄。因此,优选在第五步骤中层叠在第二镀敷层20的第二镀敷表面20a的干膜抗蚀剂31的厚度比第二镀敷层20的厚度厚。由此,能够使第二镀敷层20的厚度比膜层30的厚度薄(小)。具体而言,优选第二镀敷层20的厚度为20μm以下。
另外,在球排列掩模1形成有多个凹部6的情况下,可以在各凹部6形成开口图案11,也可以在一部分凹部6不形成开口图案11。此外,在球排列掩模1形成有多个凹部6的情况下,为了排出空气或为了利用纱2的张力控制开口图案11的松弛或变形,也可以经由槽连接相邻的凹部6。图9和图10分别是表示球排列掩模1的其他例子的图。图9和图10表示多个凹部6经由直线状的槽32连接的例子。在图9所示的例子和图10所示的例子中,凹部6经由槽32连接,因此,开口图案11的周围并非完全被第二镀敷层20包围。
接着,对形成识别标记21的方法进行说明。以下的说明是形成识别标记21的方法的一例。
例如,在第六步骤中,除了与凹部6对应的部分以外,使得覆盖第二镀敷层20的第二镀敷表面20a的部分的一部分也不曝光。该一部分是与识别标记21对应的部分。然后进行显影,由此,除了干膜抗蚀剂31中的与凹部6对应的部分之外,该一部分也被去除。
在第六步骤之后,进行形成定位用的识别标记21的第七步骤。具体而言,在第七步骤中,在第二镀敷层20的第二镀敷表面20a中的通过在第六步骤中去除干膜抗蚀剂31的上述一部分而露出的部分(以下,也称作“第二镀敷表面20a的露出部分”)形成识别标记21。
在通过电解标记形成识别标记21的情况下,将未图示的电极和第二镀敷表面20a的露出部分浸入电解液中,将该电极和第二镀敷层20与交流电源(未图示)连接。于是,在第二镀敷层20侧成为阳极时,金属离子从第二镀敷表面20a的露出部分溶解到电解液中。溶出到电解液中的该金属离子在电解液中与OH基反应,变为浓色。然后,当极性切换而第二镀敷层20侧成为阴极时,在电解液中变色的金属离子返回第二镀敷层20而被电沉积。由此,在第二镀敷表面20a的露出部分形成比其他部分深的颜色的被膜。即,该被膜成为识别标记21。
在上述例子中,能够同时进行形成膜层30的步骤和形成识别标记21的步骤。即,不需要仅为了形成识别标记21而进行层叠处理、曝光处理和显影处理。换言之,如果在第二镀敷层20形成识别标记21,则不需要仅为了形成膜层30而进行层叠处理、曝光处理和显影处理。因此,与以往的制造方法相比,作业负荷不会显著增加。
在本实施方式中,作为最优选的例子,对通过电铸法形成由第一镀敷层10和第二镀敷层20构成的金属层的例子进行了说明。电铸法是镀敷法的一例。作为其他例子,也可以通过非电解镀敷法这样的电解镀敷以外的镀敷法形成相当于第一镀敷层10的镀敷层和相当于第二镀敷层20的镀敷层。
另外,在通过非电解镀敷法形成金属层的情况下,与通过电铸法形成金属层的情况相比,虽然能够提高板厚精度,但是,形成金属层的速度变慢。但是,如果是本实施方式所示的例子,则能够通过活用干膜抗蚀剂31,减小金属层的厚度。因此,能够缩短形成金属层所需的时间,即使在采用非电解镀敷法的情况下,也能够防止生产效率恶化。
图11是表示球排列掩模1的制造方法的其他例子的流程图。图12和图13是用于说明球排列掩模1的制造方法的图。以下,对不进行两阶段镀敷而形成相当于第一镀敷层10与第二镀敷层20的合计厚度的金属层,利用含有氯化亚铁等蚀刻液腐蚀金属层而造成凹部6的例子进行说明。
首先,在S201中,进行形成与开口图案11对应的第一抗蚀剂42的第一步骤。S201所示的第一步骤与S101所示的第一步骤相同。在第一步骤之后,在S202中进行形成金属层50的第二步骤。金属层50的形成通过镀敷法进行。在该例子中,也可以使用液体抗蚀剂代替干膜抗蚀剂41。
例如,在第二步骤中,通过镀敷法对母材40的表面40a进行镀敷。如果采用电铸法作为镀敷法,则在第二步骤中,在母材40的表面40a电沉积金属。由此,如图12的(a)所示,在表面40a形成金属层50。在表面40a中的存在第一抗蚀剂42的部分不电沉积金属。在金属层50通过第一抗蚀剂42形成通孔12。金属层50的厚度相当于上述第一镀敷层10的厚度与第二镀敷层20的厚度之和。即,金属层50的表面50a是相当于第一镀敷表面10a的表面。金属层50的表面50b是相当于第二镀敷表面20a的表面。
在第二步骤之后,在S203中,进行形成用于形成凹部6的一部分的第三抗蚀剂45的第三步骤。具体而言,在第三步骤中,首先,如图12的(b)所示,在金属层50的表面50b层叠干膜抗蚀剂46。接着,如图12的(c)所示,对干膜抗蚀剂46中的与凹部6对应的部分以外的部分进行曝光,然后进行显影。由此,如图12的(d)所示,以包围由第一抗蚀剂42形成在金属层50的贯通孔12的周围的方式,在金属层50的表面50b形成第三抗蚀剂45。
在第三步骤之后,在S204中,进行在金属层50的表面50b形成凹部6a的第四步骤。凹部6a最终成为凹部6的一部分。
具体而言,在第四步骤中通过半蚀刻处理腐蚀金属层50。由此,如图13的(a)所示,在表面50b中的未被第三抗蚀剂45覆盖的部分形成凹部6a。凹部6a距表面50b的深度d1相当于第二镀敷层20的厚度。通过在第四步骤中形成凹部6a,由第一抗蚀剂42形成在金属层50的贯通孔12在表面50a和凹部6a的底面6b处开口。底面6b是成为凹部6的底面的面。底面6b相当于第一镀敷层10的第一镀敷表面10b。
在金属层50的表面50b形成凹部6a后,如图13的(b)所示,使用剥离液去除第一抗蚀剂42和第三抗蚀剂45(S205)。由此,能够得到与图7的(e)所示的结构实质上相同的结构。
在第四步骤之后,在S206中,进行层叠干膜抗蚀剂31的第五步骤。S206所示的第五步骤与S106所示的第五步骤相同。
在第五步骤之后,在S207中,进行去除干膜抗蚀剂31的不需要的部分的第六步骤。S207所示的第六步骤与S107所示的第六步骤相同。由此,能够以不会堵塞凹部6a的方式在金属层50的表面50b设置膜层30。图13的(c)表示在金属层50的表面50b设置有膜层30的状态。图13的(c)相当于图8的(c)。最后,通过从母材40剥离金属层50,能够在不进行两阶段镀敷的情况下得到球排列掩模1。
第一镀敷层10和第二镀敷层20是上述金属层50的一例。因此,在通过蚀刻处理形成凹部6a的该例子中,也能够起到与通过镀敷法形成第一镀敷层10和第二镀敷层20的上述例子起到的效果相同的效果。即,凹部6的内壁由金属层50和膜层30双方形成。能够以厚度精度高的膜层30形成凹部6的一部分,因此,能够使容易产生厚度精度偏差的金属层50变薄。由此,能够提高球排列掩模1的板厚的精度。
膜层30的厚度精度高,因此,凹部6的深度偏差主要依赖于凹部6a的深度偏差。在通过蚀刻处理形成凹部6a的情况下,凹部6a越深,则其偏差越大。如果是具有膜层30的上述例子,则能够减小由蚀刻液腐蚀金属层50的量即凹部6a的深度。因此,根据该例子,能够提高凹部6的精度。在该例子中,也优选凹部6a距表面50b的深度d1小于膜层30的厚度。
此外,在通过蚀刻处理形成凹部6a的上述例子中,也可以通过与上述方法相同的方法,在金属层50的表面50b形成识别标记21。例如,识别标记21通过基于交流电源的电解标记形成在表面50b。由此,膜层30以包围识别标记21的周围的方式设置在表面50b。
在本实施方式中,对膜层30由膜形成的例子进行了说明。作为其他例子,膜层30也可以由液体抗蚀剂形成。在这种情况下,在S106中,在第二镀敷层20的第二镀敷表面20a涂敷液体抗蚀剂。另外,在S206中,在金属层50的表面50b涂敷液体抗蚀剂。
产业上的可利用性
本发明能够应用于用于将导电性球排列在被搭载物的电极部的掩模。
标号说明
11:球排列掩模;2:纱;3:框;4:基板;4a:基板表面;5:焊剂;6:凹部;6a:凹部;6b:底面;10:第一镀敷层;10a:第一镀敷表面;10b:第一镀敷表面;11:开口图案;12:贯通孔;20:第二镀敷层;20a:第二镀敷表面;21:识别标记;30:膜层;31:干膜抗蚀剂;32:槽;40:母材;40a:表面;41:干膜抗蚀剂;42:第一抗蚀剂;43:第二抗蚀剂,44:干膜抗蚀剂;45:第三抗蚀剂;46:干膜抗蚀剂;50:金属层;50a~50b:表面。
Claims (7)
1.一种球排列掩模,该球排列掩模具有:
金属层,在其第一表面形成有凹部;以及
膜层,其以不会堵塞所述凹部的方式设置在所述金属层的所述第一表面;
在所述金属层形成有用于排列导电性球的开口图案,
所述开口图案中包含的贯通孔在所述凹部的底面处穿通。
2.根据权利要求1所述的球排列掩模,其中,
所述凹部距所述第一表面的深度小于所述膜层的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的球排列掩模,其中,
在所述金属层形成有定位用的识别标记,
所述膜层以包围所述识别标记的周围的方式设置在所述第一表面。
4.一种球排列掩模,该球排列掩模具有:
第一镀敷层,其形成有用于排列导电性球的开口图案;
第二镀敷层,其以不会堵塞所述开口图案的方式设置在所述第一镀敷层的第一镀敷表面;以及
膜层,其设置在所述第二镀敷层的第二镀敷表面;
所述第二镀敷表面朝向与所述第一镀敷表面相同的方向,
所述开口图案中包含的贯通孔在所述第一镀敷表面处穿通。
5.根据权利要求4所述的球排列掩模,其中,
所述第二镀敷层的厚度小于所述膜层的厚度。
6.根据权利要求4或5所述的球排列掩模,其中,
在所述第二镀敷层形成有定位用的识别标记,
所述膜层以包围所述识别标记的周围的方式设置在所述第二镀敷表面。
7.一种球排列掩模的制造方法,其用于制造球排列掩模,该球排列掩模具有用于排列导电性球的开口图案,所述球排列掩模的制造方法具有以下步骤:
第一步骤,在母材上形成与所述开口图案对应的第一抗蚀剂;
第二步骤,在所述第一步骤之后,通过对所述母材进行镀敷而形成第一镀敷层;
第三步骤,在所述第二步骤之后,以堵塞由所述第一抗蚀剂形成在所述第一镀敷层的贯通孔的方式,在所述第一镀敷层的第一镀敷表面形成第二抗蚀剂;
第四步骤,在所述第三步骤之后,通过对所述第一镀敷表面进行镀敷而在所述第一镀敷表面形成第二镀敷层;
第五步骤,在所述第四步骤之后,以堵塞由所述第二抗蚀剂形成在所述第二镀敷层的开口的方式,在所述第二镀敷层的第二镀敷表面层叠膜;以及
第六步骤,在所述第五步骤之后,去除所述膜中的堵塞所述开口的部分。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2021/027525 WO2023007543A1 (ja) | 2021-07-26 | 2021-07-26 | ボール配列マスク及びボール配列マスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117693808A true CN117693808A (zh) | 2024-03-12 |
Family
ID=85086359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202180100886.5A Pending CN117693808A (zh) | 2021-07-26 | 2021-07-26 | 球排列掩模和球排列掩模的制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117693808A (zh) |
TW (1) | TWI803974B (zh) |
WO (1) | WO2023007543A1 (zh) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4512772B2 (ja) * | 2004-02-23 | 2010-07-28 | 株式会社プロセス・ラボ・ミクロン | 導電性ボール定置用マスクの製造方法 |
JP4930776B2 (ja) * | 2007-01-30 | 2012-05-16 | 澁谷工業株式会社 | ボール配列マスク |
JP4798631B2 (ja) * | 2007-02-17 | 2011-10-19 | 九州日立マクセル株式会社 | 半田ボールの配列用マスクとその製造方法 |
JP5479959B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2014-04-23 | 日本特殊陶業株式会社 | はんだバンプを有する配線基板の製造方法、はんだボール搭載用マスク |
JP6302430B2 (ja) * | 2015-06-08 | 2018-03-28 | 株式会社ボンマーク | ボール配列用マスクの製造方法 |
JP6277239B2 (ja) * | 2016-09-02 | 2018-02-07 | マクセルホールディングス株式会社 | 配列用マスク |
-
2021
- 2021-07-26 WO PCT/JP2021/027525 patent/WO2023007543A1/ja active Application Filing
- 2021-07-26 CN CN202180100886.5A patent/CN117693808A/zh active Pending
- 2021-09-13 TW TW110134018A patent/TWI803974B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202305521A (zh) | 2023-02-01 |
WO2023007543A1 (ja) | 2023-02-02 |
TWI803974B (zh) | 2023-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7454832B2 (en) | Method of forming metal plate pattern and circuit board | |
EP2980278B1 (en) | Electroformed component production method | |
US20120138336A1 (en) | Printed circuit board and method of manufacturing the same | |
CN108617104B (zh) | 印刷电路板的局部图形铜厚加厚的制作方法 | |
US20070017090A1 (en) | Method of forming metal plate pattern and circuit board | |
TW201114336A (en) | Printed circuit board and method of manufacturing the same | |
US4564423A (en) | Permanent mandrel for making bumped tapes and methods of forming | |
CN117693808A (zh) | 球排列掩模和球排列掩模的制造方法 | |
US4015987A (en) | Process for making chip carriers using anodized aluminum | |
JP2003264359A (ja) | 立体回路基体の製造方法 | |
KR101198005B1 (ko) | 전해 도금장치 | |
CN109913804B (zh) | 掩膜版及其制造方法 | |
US20040060728A1 (en) | Method for producing electroconductive structures | |
WO2004064156A1 (en) | Laminate made by electro-forming and method for manufacturing the same | |
KR20040058416A (ko) | 인쇄 회로 기판의 동 도금 방법 | |
KR20030073919A (ko) | 단일 에칭 세미 애디티브 방식을 이용한 다층인쇄회로기판의 제조방법 | |
KR102129777B1 (ko) | 파인메탈마스크 제조방법 | |
JP2002260753A (ja) | バンプ付きシートの製造方法 | |
KR20160097446A (ko) | 전기도금용 지그 및 이를 이용한 도금물 제조 방법 | |
JP4541782B2 (ja) | フィルムプローブ及びその製造方法 | |
JP3187630B2 (ja) | 電鋳法 | |
JP2007317810A (ja) | 金属配線の製造方法 | |
KR100642734B1 (ko) | 양면 배선기판의 제조방법 및 양면 배선기판 | |
KR100364543B1 (ko) | 표시소자의 금속 전극 제조방법 | |
JP2024066087A (ja) | メタルマスク及びメタルマスクの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |