CN117690902B - 一种含改性胶膜的封装基板 - Google Patents
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- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 title claims abstract description 113
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- -1 bismaleimide modified cyanate Chemical class 0.000 claims abstract description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 26
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 25
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 25
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 19
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 15
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 13
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 12
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 claims description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 11
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 10
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 claims description 9
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 2h-1,2-benzoxazine Chemical compound C1=CC=C2C=CNOC2=C1 CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- NIONDZDPPYHYKY-SNAWJCMRSA-N (2E)-hexenoic acid Chemical compound CCC\C=C\C(O)=O NIONDZDPPYHYKY-SNAWJCMRSA-N 0.000 claims description 3
- RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N (5-methyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-yl)methanol Chemical compound OCC1=C(C)NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FRPZMMHWLSIFAZ-UHFFFAOYSA-N 10-undecenoic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC=C FRPZMMHWLSIFAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 claims description 3
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethyl-4-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCC1=NC(C)=CN1CCC#N UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KHAVLLBUVKBTBG-UHFFFAOYSA-N caproleic acid Natural products OC(=O)CCCCCCCC=C KHAVLLBUVKBTBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 229960002703 undecylenic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 abstract description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 57
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 39
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 19
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 6
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- RRZKHZBOZDIQJG-UHFFFAOYSA-N azane;manganese Chemical compound N.[Mn] RRZKHZBOZDIQJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 2
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N hydroxyformaldehyde Chemical compound O[14CH]=O BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000166 zirconium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B zirconium(4+);tetraphosphate Chemical compound [Zr+4].[Zr+4].[Zr+4].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 2
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005130 benzoxazines Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007719 peel strength test Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本发明公开了一种含改性胶膜的封装基板，该封装基板包括芯板，位于芯板第一表面以及和第一表面相对的第二表面上的改性胶膜，位于上述改性胶膜表面上的金属箔，贯穿金属箔、改性胶膜和芯板的钻孔，以及填充于钻孔中的金属箔。本发明的胶膜的材料因具有较低的介电常数和极性，能够产生较低的介电损耗，能够满足高频高速的电子器件需求，其中，双马来酰亚胺改性氰酸酯材料具有优异的耐热性能、良好的机械强度，能够有效提升胶膜的耐热性和柔韧性。
Description
技术领域
本发明涉及封装基板技术领域，具体地，涉及一种含低介电、高熔融温度和强结合力改性胶膜的封装基板。
背景技术
当前，印刷电路板被应用于包括高端芯片在内的众多电子产品，为其提供电气互连、力学支撑和封装保护等众多功能。而随着电子元器件向着小型化、高集成、高频高速方向的快速发展，承载芯片的封装基板呈现出层数多、线路密度高、线宽/线距窄、通孔/盲孔孔径小等特点。作为一种应用，多层FPC因其高集成度而得到广泛应用。胶膜及金属箔作为制作多层FPC的关键层，对FPC至关重要。胶膜的介电、耐热等性能直接影响多层FPC的加工和应用。同时未来的高频通讯对胶膜提出了低介电常数和介电损耗的要求。
目前封装基板中的胶膜普遍存在介电性能差，无法满足其在高频高速FPC中应用的问题，在FPC加工过程中其存在耐热性能较低，且在镀铜填充孔的工艺中发生熔融，进而导致镀铜填充的导通作用。此外，镀铜填充孔的工艺中还存在铜箔与胶膜结合力差，易脱落，从而导致互连失效的问题。
因此，开发出一种具有低介电损耗、高熔融温度以及和金属箔具有良好结合力的胶膜的封装基板成为制备高频高速电子器件的关键。
发明内容
针对现有技术的上述缺陷，本发明提供了一种含低介电、高熔融温度和强结合力改性胶膜的封装基板，其中，该改性胶膜中的双马来酰亚胺改性氰酸酯、磷酸奈基酯、烯烃酸、环氧树脂（含-OH基团）、填料等能够在降低介电常数、提高熔融温度的同时，通过相互之间的交联有效形成互连网络结构，提高稳定性。
本发明的技术目的主要通过以下技术方案实现：
本发明提供一种封装基板，该封装基板包括芯板，位于芯板第一表面以及和第一表面相对的第二表面上的改性胶膜，位于上述改性胶膜表面上的金属箔，贯穿金属箔、改性胶膜和芯板的钻孔，以及填充于钻孔中的金属箔，其特征在于：该改性胶膜按重量份计，包含以下的原料成分：双马来酰亚胺改性氰酸酯20-50份，磷酸奈基酯40-80份，环氧树脂50-100份，烯烃酸20-50份，填料120-250份，固化剂0.2-3份、促进剂0.02-0.2份，溶剂300-600份；其中，对上述原料固化成型后的胶膜采用氧化剂进行表面改性处理。
进一步地，本发明的氧化剂包括浓铬酸、高锰酸钾，优选地，本发明的氧化剂为碱性高锰酸钾，碱性高锰酸钾相对于浓铬酸污染小，且碱性高锰酸钾能够有效改变胶膜粗糙度，提高表面活性从而增强与金属箔如铜箔表面的附着力，有效避免镀铜填充孔造成的铜易脱落，导致连接失效的问题。
进一步地，本发明的碱性高锰酸钾中碱性物质的浓度为0.4-0.9mol/L，高锰酸钾浓度为0.01-0.03g/ml，对胶膜改性时的温度为60-85℃，该温度下，高锰酸钾具有最优的活性，能够进一步增强胶膜与金属箔如铜箔的结合力。
进一步地，本发明的金属箔采用化学镀工艺，以铜离子为例，化学镀铜工艺中的Cu2+与胶膜中的双马来酰亚胺改性氰酸酯中的氮形成良好的结合能力，进一步提高胶膜与金属箔之间的结合力。
进一步地，本发明的金属箔的材料为金、银、铜等导电性能良好材料，优选地金属箔为铜箔。
进一步地，本发明的封装基板还包括位于芯板第一表面侧且与第一表面侧填充金属箔接触的焊球，以及半导体芯片，其中半导体芯片通过焊球与芯板电连接。
进一步地，本发明的双马来酰亚胺改性氰酸酯为共混或共聚物。其共聚物大约在176℃-225℃之间固化，混合物根据添加材料的不同大约在170-240℃之间固化。
进一步地，本发明的磷酸奈基酯为1-磷酸奈基酯。
进一步地，本发明的烯烃酸为丙烯酸、丁烯酸、己烯酸、十一烯酸中的一种或两种以上的混合物。
进一步地，本发明的环氧树脂选自双酚液态环氧树脂、联苯型环氧树脂、苯酚型环氧树脂、萘型环氧树脂、线性酚醛型液态环氧树脂、双环戊二烯型酚醛环氧树脂、芳烷基型酚醛环氧树脂、芳烷基联苯型酚醛环氧树脂或萘酚型酚醛环氧树脂中的任意一种或其组合。
进一步地，本发明的填料为二氧化硅、氧化铝、硫酸钡、碳酸钡、云母粉、氧化锌、氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、氧化镁、氮化硼、氮化铝、氮化锰、硼酸铝、碳酸锶、钛酸锶、钛酸钙、钛酸镁、钛酸铋、氧化钛、氧化锆、钛酸钡、锆酸钡、锆酸钙或磷酸锆中的任意一种或多种。
进一步地，本发明的固化剂为选自活性酯型固化剂、氰酸酯型固化剂、酚型固化剂、苯并噁嗪固化剂中的任意一种或多种。
进一步地，本发明的促进剂选自本领域常见的1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、4-二甲基氨基吡啶或2-苯基咪唑的任意一种或多种。
进一步地，本发明的溶剂选自甲基乙基酮、环己酮、乙酸乙酯、N,N-二甲基甲酰胺中的一种或多种。
本发明相对于现有技术具有以下有益的技术效果：
1.本发明的胶膜的材料因具有较低的介电常数和极性，能够产生较低的介电损耗，能够满足高频高速的电子器件需求，其中，双马来酰亚胺改性氰酸酯材料具有优异的耐热性能、良好的机械强度，能够有效提升胶膜的耐热性和柔韧性。
2.本发明胶膜中的双马来酰亚胺改性氰酸酯、磷酸奈基酯、烯烃酸、环氧树脂（含-OH基团）、填料等能够在降低介电常数、提高熔融温度的同时，通过相互之间的交联有效形成互连网络结构，提高了剥离强度、结构稳定性和耐热性，其中填料和双马来酰亚胺改性氰酸酯、磷酸奈基酯、烯烃酸相互作用在降低介电常数的同时降低成膜后表面的光滑度，有利于金属在其表面的附着力。
3.本发明胶膜改性的氧化剂采用碱性高锰酸钾，高锰酸钾污染小，且高锰酸钾能够有效改变胶膜粗糙度，提高表面活性从而增强与金属箔如铜箔表面的附着力，有效避免镀铜填充孔造成的铜易脱落，导致连接失效的问题。
4.本发明封装基板中的金属箔如铜箔采用化学镀工艺，以铜离子为例，化学镀铜工艺中的Cu2+与胶膜中的双马来酰亚胺改性氰酸酯中的氮形成良好的结合能力，进一步提高胶膜与金属箔之间的结合力。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中待要使用的附图作简单介绍，显而易见的，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；
图1示出了含有本发明的改性胶膜的封装基板的结构图。
其中，1-半导体芯片，2-改性胶膜，3-芯板，4-金属箔。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
需要说明的是，术语“包括”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的各个实施例及实施例中的各个特征可以相互组合。
本发明提供了一种含有该改性胶膜的封装基板，为了使本发明的目的、技术方案和技术效果更加清楚、明晰，以下将结合具体的实施例对本发明进行详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅用于解释本发明，而并非对本发明的限定。
如图1所示，本发明的实施例提供了一种含有改性胶膜的封装基板，其中，该封装基板的具体结构包括：
芯板3，位于芯板3第一表面以及和第一表面相对的第二表面上的改性胶膜2，位于改性胶膜2表面上的金属箔4，贯穿金属箔4、改性胶膜2和芯板3的钻孔，以及填充于钻孔中的金属箔4，该改性胶膜按重量份计，该封装基板用改性胶膜包括以下组分的原料制备得到：
双马来酰亚胺改性氰酸酯20-50份，磷酸奈基酯40-80份，环氧树脂50-100份，烯烃酸20-50份，填料120-250份，固化剂0.2-3份、促进剂0.02-0.2份，溶剂300-600份；上述原料制备固化成型后的胶膜随后利用氧化剂进行表面改性处理。
本发明的实施例在环氧树脂、固化剂和促进剂等组分的基础上，通过加入双马来酰亚胺改性氰酸酯、磷酸奈基酯、烯烃酸到胶膜中，使得胶膜具有较低的极性和介电常数，从而有效降低介电损耗，双马来酰亚胺改性氰酸酯的引入有效降低了材料的耐热性能，降低了接电损耗，提高了材料柔韧性，同时，丙烯酸与环氧树脂（带-OH基团）加成反应，同时与双马来酰亚胺改性氰酸酯、磷酸奈基酯的交联作用，形成互连网络结构，其中的填料收到羧基基团、羟基基团以及氨基基团的作用，能够有效增进与胶膜中特定官能团的结合，参与到互连网络的构建中，从而在降低介电常数的同时保证溶液法成型后的胶膜表面的光滑度降低。
在本实施例中，利用上述材料制备成型后的胶膜利用氧化剂进行改性处理，该氧化剂能够有效提高胶膜材料的表面活性，同时降低表面光滑度，从而增强与金属箔如铜箔表面的附着力，在封装基板中能够有效避免镀铜填充孔造成的铜箔脱落，导致连接失效的问题。
在一些实施方式中，所述氧化剂包括浓铬酸、高锰酸钾。其他一些实施方式中，氧化剂为碱性高锰酸钾，在一些实施方式中，其中碱性物质的浓度为0.4-0.9mol/L，高锰酸钾浓度为0.01-0.03g/ml，改性处理时碱性高锰酸钾溶液温度为60-85℃，该温度下，高锰酸钾具有最优的活性，能够进一步增强胶膜与金属箔如铜箔的结合力。
在一些实施方式中，所述的金属箔采用化学镀工艺，以铜离子为例，化学镀铜工艺中的Cu2+与胶膜中的双马来酰亚胺改性氰酸酯中的氮形成良好的结合能力，进一步提高胶膜与金属箔之间的结合力。
在一些实施方式中，所述金属箔的材料为金、银、铜等导电性能良好材料，优选地金属箔为铜箔。
在一些实施方式中，如图1所示，所述封装基板还包括位于芯板3第一表面侧且与第一表面侧填充金属箔4接触的焊球，以及半导体芯片1，其中半导体芯片1通过焊球与芯板3电连接。
在一些实施方式中，所述磷酸奈基酯为1-磷酸奈基酯，所述烯烃酸为丙烯酸、丁烯酸、己烯酸、十一烯酸中的一种或两种以上的混合物，其中的混合物中各成分的比例可以根据需要进行设置。
在一些实施方式中，所述的环氧树脂选自双酚液态环氧树脂、联苯型环氧树脂、苯酚型环氧树脂、萘型环氧树脂、线性酚醛型液态环氧树脂、双环戊二烯型酚醛环氧树脂、芳烷基型酚醛环氧树脂、芳烷基联苯型酚醛环氧树脂或萘酚型酚醛环氧树脂中的任意一种或其组合。
在一些实施方式中，所述填料为二氧化硅、氧化铝、硫酸钡、碳酸钡、云母粉、氧化锌、氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、氧化镁、氮化硼、氮化铝、氮化锰、硼酸铝、碳酸锶、钛酸锶、钛酸钙、钛酸镁、钛酸铋、氧化钛、氧化锆、钛酸钡、锆酸钡、锆酸钙或磷酸锆中的任意一种或多种。
在一些实施方式中，所述的固化剂为选自活性酯型固化剂、氰酸酯型固化剂、酚型固化剂、苯并噁嗪固化剂中的任意一种或多种。
在一些实施方式中，所述的促进剂选自本领域常见的1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、4-二甲基氨基吡啶或2-苯基咪唑的任意一种或多种。
在一些实施方式中，所述的溶剂选自甲基乙基酮、环己酮、乙酸乙酯、N,N-二甲基甲酰胺中的一种或多种。
本发明的环氧树脂、烯烃酸、填料、固化剂、促进剂等材料的类型并不做限定，上述实施例中的具体材料作为列举，而不作为对其的具体限制。
下面通过具体的实施例对技术方案进行详细的说明。
本发明的双马来酰亚胺改性氰酸酯：利用双马来酰亚胺的预聚体BMI对氰酸酯树脂进行改性固化反应得到。
本发明的磷酸奈基酯，1-磷酸奈基酯（北京奥秘佳得的“100929-85-9”）。
本发明的环氧树脂：双酚业态环氧树脂（美国陶氏的“DER356US”）。
本发明的固化剂：苯并噁嗪 采用二元胺合成苯并噁嗪。
本发明的促进剂：2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑（Klamar CAS4856-97-7）。
本发明的填料：二氧化硅(CAS号7631-86-9)。
本发明的溶剂：环己酮（东莞勋业试剂 高度纯）。
本发明的氧化剂：碱性高锰酸钾溶液，采用特定浓度的高锰酸钾和KOH溶液按照一定的比例混合而成。
化学镀铜工艺:本领域常规化学镀铜工艺，有机铜源，含催化剂、表面活性剂、稳定剂、加速剂、缓冲液、消泡剂等。
实施例1
本实施例提供了一种含有改性胶膜的封装基板，该封装基板包括以下结构：芯板，位于芯板第一表面以及和第一表面相对的第二表面上的改性胶膜，位于改性胶膜表面上化学镀工艺形成的铜箔，贯穿铜箔、改性胶膜和芯板的钻孔，以及填充于钻孔中的铜箔，其中，按重量份计，该封装基板用改性胶膜包括以下组分的原料制备得到：
双马来酰亚胺改性氰酸酯20份，磷酸奈基酯40份，双酚液态环氧树脂80份，丙烯烃酸30份，二氧化硅填料150份，苯并噁嗪固化剂0.5份、2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑促进剂0.06份，环己酮溶剂300份；采用涂覆法在芯板表面制备该胶膜，随后利用氧化剂碱性高锰酸钾溶液对该胶膜的表面进行改性处理，其中氢氧化钾的浓度为0.4mol/L，高锰酸钾浓度为0.01g/ml，改性处理时碱性高锰酸钾溶液温度为60℃。
实施例2
本实施例提供了一种含有改性胶膜的封装基板，该封装基板包括以下结构：芯板，位于芯板第一表面以及和第一表面相对的第二表面上的改性胶膜，位于改性胶膜表面上化学镀工艺形成的铜箔，贯穿铜箔、改性胶膜和芯板的钻孔，以及填充于钻孔中的铜箔，其中，按重量份计，该封装基板用改性胶膜包括以下组分的原料制备得到：
双马来酰亚胺改性氰酸酯30份，磷酸奈基酯40份，双酚液态环氧树脂80份，丙烯酸烯烃酸40份，二氧化硅填料150份，苯并噁嗪固化剂0.5份、2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑促进剂0.06份，环己酮溶剂300份；采用涂覆法在芯板表面制备该胶膜，随后利用氧化剂碱性高锰酸钾溶液对该胶膜的表面进行改性处理，其中氢氧化钾的浓度为0.4mol/L，高锰酸钾浓度为0.01g/ml，改性处理时碱性高锰酸钾溶液温度为60℃。
实施例3
本实施例提供了一种含有改性胶膜的封装基板，该封装基板包括以下结构：芯板，位于芯板第一表面以及和第一表面相对的第二表面上的改性胶膜，位于改性胶膜表面上化学镀工艺形成的铜箔，贯穿铜箔、改性胶膜和芯板的钻孔，以及填充于钻孔中的铜箔，其中，按重量份计，该封装基板用改性胶膜包括以下组分的原料制备得到：
双马来酰亚胺改性氰酸酯30份，磷酸奈基酯40份，双酚液态环氧树脂80份，丙烯烃酸50份，二氧化硅填料150份，苯并噁嗪固化剂0.5份、2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑促进剂0.08份，环己酮溶剂300份；采用涂覆法在芯板表面制备该胶膜，随后利用氧化剂碱性高锰酸钾溶液对该胶膜的表面进行改性处理，其中氢氧化钾的浓度为0.4mol/L，高锰酸钾浓度为0.01g/ml，改性处理时碱性高锰酸钾溶液温度为75℃。
实施例4
本实施例提供了一种含有改性胶膜的封装基板，该封装基板包括以下结构：芯板，位于芯板第一表面以及和第一表面相对的第二表面上的改性胶膜，位于改性胶膜表面上化学镀工艺形成的铜箔，贯穿铜箔、改性胶膜和芯板的钻孔，以及填充于钻孔中的铜箔，其中，按重量份计，该封装基板用改性胶膜包括以下组分的原料制备得到：
双马来酰亚胺改性氰酸酯40份，磷酸奈基酯60份，双酚液态环氧树脂80份，丙烯烃酸50份，二氧化硅填料150份，苯并噁嗪固化剂0.5份、2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑促进剂0.1份，环己酮溶剂400份；采用涂覆法在芯板表面制备该胶膜，随后利用氧化剂碱性高锰酸钾溶液对胶膜的表面进行改性处理，其中氢氧化钾的浓度为0.6mol/L，高锰酸钾浓度为0.02g/ml，改性处理时碱性高锰酸钾溶液温度为75℃。
实施例5
本实施例提供了一种含有改性胶膜的封装基板，该封装基板包括以下结构：芯板，位于芯板第一表面以及和第一表面相对的第二表面上的改性胶膜，位于改性胶膜表面上化学镀工艺形成的铜箔，贯穿铜箔、改性胶膜和芯板的钻孔，以及填充于钻孔中的铜箔，其中，按重量份计，该封装基板用改性胶膜包括以下组分的原料制备得到：
双马来酰亚胺改性氰酸酯40份，磷酸奈基酯60份，双酚液态环氧树脂80份，丙烯烃酸50份，二氧化硅填料150份，苯并噁嗪固化剂0.5份、2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑促进剂0.1份，环己酮溶剂400份；采用涂覆法在芯板表面制备该胶膜，随后利用氧化剂碱性高锰酸钾溶液对胶膜的表面进行改性处理，其中氢氧化钾的浓度为0.9mol/L，高锰酸钾浓度为0.03g/ml，改性处理时碱性高锰酸钾溶液温度为85℃。
对比例1
本对比例提供一种含胶膜的封装基板，与实施例1的区别在于，本对比例不含有双马来酰亚胺改性氰酸酯，磷酸奈基酯、烯烃酸的材料，其他与实施例1条件相同。
对比例2
本对比例提供一种含胶膜的封装基板，与实施例1的区别在于，本对比例的胶膜没有经过碱性高锰酸钾的氧化剂处理，其他条件与实施例1的条件相同。
对比例3
本对比例提供一种含有改性胶膜的封装基板，与实施例1的区别在于，本对比例的铜箔不采用化学镀铜工艺形成，其他条件与实施例1的条件相同。
对上述实施例和对比例中涉及的改性胶膜性能进行测试，测试方法如下：
介电常数和介质损耗角正切：按照PC-TM-6502.559所规定的方法测试；
绝缘性：采用常规的直流绝缘测试法对胶膜层的绝缘性进行测试，以测试时间内是否失效作为绝缘性测试的依据。
耐高温性：按照IPC-TM-650 268所规定的方法测试。
粗糙度：采用日本三丰MitutoyoSJ-410表面粗糙度仪进行粗糙度测试。
上述实施例和对比例提供的胶膜的测试标准结果如表1所示：
表1
由上述表1的内容可知，本发明通过双马来酰亚胺改性氰酸酯，磷酸奈基酯、烯烃酸等材料的加入有效降低了材料的介电常数，从而降低了介电损耗，制备得到的薄膜具有良好的绝缘性和耐高温性能，同时，该些材料的加入一定程度上改善了胶膜表面的光滑度，与对比例2相比可以看出，采用碱性高锰酸钾氧化剂对胶膜处理后有效提升了胶膜表面的粗糙度。
对上述实施例和对比例3中涉及的含改性胶膜的封装基板中胶膜与铜箔的剥离性能进行测试，采用常用的剥离强度测试仪进行剥离强度测试。
上述实施例1-5和对比例3中改性胶膜与铜箔剥离强度测试结果如表2所示：
表2
由上表内容可知，实施例1-5相对于对比例3，其剥离强度提高了至少25%，有效提升了胶膜与铜箔之间的结合力，该结合力的提升主要得益于化学镀铜工艺中催化剂与改性胶膜的相互作用，提高了结合力。
本发明的含改性胶膜的封装基板除了上述实施例1-5限定的结构外，还可以包括位于芯板第一表面侧且与第一表面侧填充金属箔接触的焊球，以及半导体芯片，其中半导体芯片通过焊球与芯板电连接，但并不做具体限定。
综上所述，在本发明中，双马来酰亚胺改性氰酸酯、磷酸奈基酯、烯烃酸、填料之间相互交联，互相协同，形成互连网络结构，得到的胶膜具有较低的极性和介电常数，从而获得低介电损耗和耐高温性能，提高了材料柔韧性，其中的填料受到羧基基团、羟基基团以及氨基基团的作用，能够有效增进与胶膜中特定官能团的结合，参与到互连网络的构建中，从而在降低介电常数的同时保证溶液法固化成型后的胶膜表面的光滑度降低。制备成型后的胶膜经过碱性高锰酸钾氧化剂处理进一步提高了表面活性和粗糙度，提高了与金属箔的结合力。封装基板中改性后的胶膜与化学镀铜工艺中的催化剂相互作用，进一步提高了两者之间的结合力。
应当理解的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (8)
1.一种封装基板，其特征在于：该封装基板包括芯板，位于芯板第一表面以及和第一表面相对的第二表面上的改性胶膜，位于上述改性胶膜表面上的金属箔，贯穿金属箔、改性胶膜和芯板的钻孔，以及填充于钻孔中的金属箔，该改性胶膜按重量份计，包含以下的原料成分：双马来酰亚胺改性氰酸酯20-50份，磷酸奈基酯40-80份，环氧树脂50-100份，烯烃酸20-50份，填料120-250份，固化剂0.2-3份、促进剂0.02-0.2份，溶剂300-600份；其中，对上述原料固化成型后的胶膜采用氧化剂进行表面改性处理；所述氧化剂为碱性高锰酸钾；碱性高锰酸钾溶液中，碱性物质的浓度为0.4-0.9mol/L，高锰酸钾浓度为0.01-0.03g/mL，对胶膜改性时的温度为60-85℃。
2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于：该封装基板中的金属箔采用化学镀工艺形成。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的封装基板，该封装基板还包括：位于芯板第一表面侧且与第一表面侧填充金属箔接触的焊球，以及半导体芯片，其中该半导体芯片通过焊球与芯板电连接。
4.根据权利要求1所述的一种封装基板，其特征在于：所述双马来酰亚胺改性氰酸酯为共混或共聚物，其共聚物在176℃-225℃之间固化，混合物根据添加材料的不同在170-240℃之间固化。
5.根据权利要求1所述的一种封装基板，其特征在于：所述的烯烃酸为丙烯酸、丁烯酸、己烯酸、十一烯酸中的一种或两种以上的混合物。
6.根据权利要求1所述的一种封装基板，其特征在于：所述的环氧树脂选自双酚液态环氧树脂、联苯型环氧树脂、苯酚型环氧树脂、萘型环氧树脂、线性酚醛型液态环氧树脂、双环戊二烯型酚醛环氧树脂、芳烷基型酚醛环氧树脂、芳烷基联苯型酚醛环氧树脂或萘酚型酚醛环氧树脂中的任意一种或其组合。
7.根据权利要求1所述的一种封装基板，其特征在于：所述的固化剂为选自活性酯型固化剂、氰酸酯型固化剂、酚型固化剂、苯并噁嗪固化剂中的任意一种或多种。
8.根据权利要求1所述的一种封装基板，其特征在于：所述的促进剂选自1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、4-二甲基氨基吡啶或2-苯基咪唑的任意一种或多种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410152347.1A CN117690902B (zh) | 2024-02-03 | 2024-02-03 | 一种含改性胶膜的封装基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410152347.1A CN117690902B (zh) | 2024-02-03 | 2024-02-03 | 一种含改性胶膜的封装基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117690902A CN117690902A (zh) | 2024-03-12 |
| CN117690902B true CN117690902B (zh) | 2024-04-12 |
Family
ID=90135722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202410152347.1A Active CN117690902B (zh) | 2024-02-03 | 2024-02-03 | 一种含改性胶膜的封装基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117690902B (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1169234A (zh) * | 1995-10-23 | 1997-12-31 | 揖斐电株式会社 | 树脂填料和多层印刷电路板 |
| EP1196485A1 (en) * | 1999-05-21 | 2002-04-17 | Miguel Albert Capote | High performance cyanate-bismaleimide-epoxy resin compositions for printed circuits and encapsulants |
| CN101070387A (zh) * | 2007-06-06 | 2007-11-14 | 北京化工大学 | 含低聚倍半硅氧烷的低介电树脂及其制备方法 |
| CN102115600A (zh) * | 2010-11-26 | 2011-07-06 | 苏州生益科技有限公司 | 一种热固性树脂组合物、半固化片及层压板 |
| CN102336892A (zh) * | 2011-06-29 | 2012-02-01 | 同济大学 | 用于封装基板的改性氰酸酯树脂体系、制备方法及其应用 |
| CN102719096A (zh) * | 2012-06-20 | 2012-10-10 | 广东汕头超声电子股份有限公司覆铜板厂 | 一种树脂组合物及其制备方法 |
| CN103074027A (zh) * | 2013-01-11 | 2013-05-01 | 西北工业大学 | 酚酞氰酸酯/苯并恶嗪树脂耐250℃高温胶粘剂及制备方法 |
| CN103342894A (zh) * | 2013-07-29 | 2013-10-09 | 苏州生益科技有限公司 | 热固性树脂组合物及使用其制作的半固化片及层压板 |
| CN112079722A (zh) * | 2019-06-13 | 2020-12-15 | 苏州生益科技有限公司 | 活性酯化合物、树脂组合物及具有其的半固化片、绝缘薄膜、覆金属箔层压板、印制线路板 |
-
2024
- 2024-02-03 CN CN202410152347.1A patent/CN117690902B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1169234A (zh) * | 1995-10-23 | 1997-12-31 | 揖斐电株式会社 | 树脂填料和多层印刷电路板 |
| EP1196485A1 (en) * | 1999-05-21 | 2002-04-17 | Miguel Albert Capote | High performance cyanate-bismaleimide-epoxy resin compositions for printed circuits and encapsulants |
| CN101070387A (zh) * | 2007-06-06 | 2007-11-14 | 北京化工大学 | 含低聚倍半硅氧烷的低介电树脂及其制备方法 |
| CN102115600A (zh) * | 2010-11-26 | 2011-07-06 | 苏州生益科技有限公司 | 一种热固性树脂组合物、半固化片及层压板 |
| CN102336892A (zh) * | 2011-06-29 | 2012-02-01 | 同济大学 | 用于封装基板的改性氰酸酯树脂体系、制备方法及其应用 |
| CN102719096A (zh) * | 2012-06-20 | 2012-10-10 | 广东汕头超声电子股份有限公司覆铜板厂 | 一种树脂组合物及其制备方法 |
| CN103074027A (zh) * | 2013-01-11 | 2013-05-01 | 西北工业大学 | 酚酞氰酸酯/苯并恶嗪树脂耐250℃高温胶粘剂及制备方法 |
| CN103342894A (zh) * | 2013-07-29 | 2013-10-09 | 苏州生益科技有限公司 | 热固性树脂组合物及使用其制作的半固化片及层压板 |
| CN112079722A (zh) * | 2019-06-13 | 2020-12-15 | 苏州生益科技有限公司 | 活性酯化合物、树脂组合物及具有其的半固化片、绝缘薄膜、覆金属箔层压板、印制线路板 |
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