CN117659883A - 一种uv减粘膜及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及UV减粘膜技术领域,尤其涉及一种UV减粘膜及其制备方法,UV减粘膜包括:离型膜层、粘合层和基材层,粘合层的粘合剂组合物包括UV粘合性聚合物和含氯改性助剂;制备方法为使用压延法制备UV减粘膜的基材层;制备粘合层的粘合剂组合物;将所述粘合剂组合物涂在离型膜层上,形成半成品膜;将所述半成品膜的温度升高至120℃,进行干燥处理;将干燥后的所述半成品膜与基材层贴合,在45℃下熟化预设时间,得到UV减粘膜;解决了PVC中增塑剂迁移导致抗氧阻聚性能差问题及长期稳定性差所带来UV后剥离力高取片困难的问题,同时也解决了PVC基材中增塑剂迁移带来的粘性不稳定性的问题。
Description
技术领域
本发明涉及UV减粘膜技术领域,尤其涉及一种UV减粘膜及其制备方法。
背景技术
晶圆在划片之前,会将晶圆的背面粘一层膜,该层膜的作用是将芯片粘在膜上,可以保持晶粒在切割过程中的完整,减少切割过程中所产生的飞晶,确保晶粒在正常传送过程中不会有位移和掉落的情况,封装时芯片易取下。即芯片后封测环节中的划切过程。国内市场上,目前主要应用于晶圆切割、研磨等过程保护的PVC基材UV保护膜主要来自日本进口,如琳得科UV保护膜等。日本应用于晶圆加工的UV保护膜,其胶黏剂主要是由丙烯酸压敏胶和各种低聚物、单体及光引发剂组成,其主要原理是丙烯酸压敏胶体系内的单体、低聚物及光引发剂等在紫外光照射后,引发剧烈反应产生过度交联而造成胶层收缩,进而使得胶黏剂与被保护表面的接触面积变小而减粘。日本PVC基材UV保护膜在紫外光照射前粘着力可达2000gf/inch,UV照射后降到30gf/inch以下,且剥离UV保护膜后不污染晶圆表面。但现有产品存在长期放置UV前粘性下降引起切割时飞片,解胶时抗氧阻聚较差,解胶后取片困难;UV膜长期放置使用时UV后剥离力出现攀升问题,且不能对应客户不同的解胶参数要求,需要客户调整解胶工艺参数来匹配,或者购买新的解胶机来对应。
中国专利公开号:CN116410670A公开了一种UV粘胶组合物、UV减粘胶及UV减粘膜;以质量百分比计,该UV粘胶组合物包括:38~80wt%的混合树脂、10~48wt%的活性单体、0.01~5wt%的光引发剂、0.01~5wt%的固化剂、0.01~40wt%的溶剂;其中,混合树脂为非光敏树脂和光敏树脂,非光敏树脂选自环氧树脂、含羟基的树脂、聚氨酯树脂中的任意一种或多种,光敏树脂为双官能度的丙烯酸类树脂和/或多官能度的丙烯酸类树脂。由此可见,所述UV粘胶组合物、UV减粘胶及UV减粘膜存在以下问题:制备出的UV减粘膜无法长时间保存,导致在使用时取片困难以及取片后存在污染。
发明内容
为此,本发明提供一种UV减粘膜及其制备方法,用以克服现有技术中制备出的UV减粘膜无法长时间保存,导致在使用时取片困难以及取片后存在污染的问题。
为实现上述目的,一方面,本发明提供一种UV减粘膜,由离型膜层、粘合层和基材层组成,其中:
所述粘合层设置在所述离型膜层和所述基材层之间;
所述离型膜层采用PET膜,离型膜层厚度为25~125μm;
所述粘合层的粘合剂组合物由UV粘合性聚合物和含氯改性助剂组成;
所述基材层各组分为100重量份聚氯乙烯,10~30重量份聚酯增塑剂,15~40重量份小分子增塑剂和1~3重量份热稳定剂。
进一步地,所述UV粘合性聚合物包括主体树脂、UV低聚物、光引发剂、固化剂以及导电剂;
所述含氯改性助剂包括氯乙烯醋酸乙烯二元共聚物、改性氯乙烯醋酸乙烯二元共聚物、氯乙烯醋酸乙烯三元共聚物、改性氯乙烯醋酸乙烯三元共聚物的至少一种;
其中,所述含氯改性助剂为0.5~13重量份。
进一步地,所述光引发剂包括主光引发剂和辅助光引发剂;
所述UV粘合性聚合物中各组分构成为:所述主体树脂70重量份、所述UV低聚物30重量份、所述主光引发剂2.8重量份、所述辅助光引发剂0.5重量份和所述固化剂1重量份;
其中,所述主体树脂为聚丙烯酸、聚丙烯酸酯以及聚氨酯丙烯酸酯多聚物中的至少一种,一组多聚物分子的平均分子量在30万~100万;
所述UV低聚物包括聚氨酯丙烯酸酯、脂肪族聚氨酯丙烯酸酯中的至少一种,官能团数2~12;
所述固化剂为异氰酸酯类固化剂和环氧类固化剂中的至少一种;
所述导电剂为碳纳米管或聚噻吩。
进一步地,所述主光引发剂的吸收波段在200~420nm,所述辅助光引发剂包括肟脂类或者氨类、硫醇类中的至少一种。
另一方面,本发明还提供一种UV减粘膜制备方法,包括:
使用压延法制备UV减粘膜的基材层;
制备粘合层的粘合剂组合物;
将所述粘合剂组合物涂在离型膜层上,形成半成品膜;
将所述半成品膜的温度升高至120℃,进行干燥处理;
将干燥后的所述半成品膜与所述基材层贴合,在45℃下熟化预设时间,得到UV减粘膜。
进一步地,确定UV减粘膜的使用需求参数,根据使用需求参数确定UV减粘膜的离型膜层、粘合层以及基材层厚度;
所述使用需求参数包括阻抗、使用波长、目标UV减粘膜厚度。
进一步地,对得到的UV减粘膜进行性能测试,并根据性能测试结果进行UV减粘膜的性能分析;
其中,性能测试包括剥离力测试、飞晶测试、残胶测试、溶解性测试以及粘基力测试;
飞晶测试包括物理边缘检测和电气性能检测;
其中,物理边缘检测为检测晶片的物理边缘长度和晶圆中心位置;
电气性能测试包括检测芯片是否发生短路和短路,以及芯片的电阻值。
进一步地,所述性能分析包括:
根据剥离力测试的测试结果计算剥离度,并根据剥离度、残胶测试的测试结果、溶解性测试的测试结果以及粘基力测试的测试结果对UV减粘膜进行第一性能分析;
根据所述飞晶测试的测试结果计算UV减粘膜的性能度,并根据性能度对UV减粘膜进行第二性能分析;
其中,所述剥离度根据下式确定:
,
其中,α为剥离度,n为静置时间段个数,Fi为第i个静置时间的常规剥离力,F0为静置时间为0的常规剥离力,fi为第i个静置时间的氧阻聚剥离力,f0为静置时间为0的氧阻聚剥离力;
UV减粘膜的性能度根据下式确定:
,
其中,β为性能度,D为晶圆中心偏移距离,l1为晶片的实际边缘长度,l0为晶片的预设边缘长度,为芯片工作系数,R1为芯片实际电阻值,R0为芯片预期电阻值。
进一步地,根据UV减粘膜的性能分析结果确定材料组成和材料份数调整方式,使用调整后的材料组成和材料份数制备UV减粘膜成品;
其中包括根据所述第一性能分析的分析结果调整UV减粘膜的材料组成;
根据第二性能分析的分析结果调整UV减粘膜的材料份数。
进一步地,所述第一性能分析的过程包括:
判断所述UV减粘膜的剥离度是否小于等于预设剥离度;
若所述剥离度小于等于预设剥离度,则进行残胶测试、溶解性测试以及粘基力测试,若剥离度大于预设剥离度,则判定当前分析的UV减粘膜不合格;
判断小于预设剥离度的UV减粘膜是否通过残胶测试、溶解性测试以及粘基力测试;
若残胶测试、溶解性测试以及粘基力测试的测试结果均符合要求,判定UV减粘膜通过第一性能分析,并进行所述飞晶测试;
若残胶测试、溶解性测试以及粘基力测试的测试结果中存在任意一项测试结果未符合要求,判定UV减粘膜未通过第一性能分析,并根据未通过项目的测试结果调整UV减粘膜的材料组成及材料份数;
所述第二性能分析包括:
判断所述UV减粘膜的性能度是否小于预设性能度;
若UV减粘膜的性能度小于等于预设性能度,则判定UV减粘膜符合使用要求;
若UV减粘膜的性能度大于预设性能度,则判定UV减粘膜不符合使用要求,根据飞晶测试的具体检测参数确定UV减粘膜不合格的参数,并调整对应的材料组成及材料份数。
与现有技术相比,本发明的有益效果在于,本发明的PVC基材UV减粘膜的特性UV前粘性为500~2500gf/25mm,长期放置UV前粘性不下降,保证客户使用时切割作业时不会出现飞晶问题;解胶后粘性10gf/25mm以下,且氧阻聚剥离力10gf/25mm以下,且常温放置2年解胶后的粘性也很稳定,保证客户易取片,且不会因为氧阻聚的发生出现取片困难导致的取片损失发生,解决了PVC中增塑剂迁移导致抗氧阻聚性能差问题及长期稳定性差所带来UV后剥离力高取片困难的问题,同时也解决了PVC基材中增塑剂迁移带来的粘性不稳定性的问题。
进一步地,在本发明制备方法中,通过对UV减粘膜在不同条件下的剥离性能进行测试,可以评估其在实际应用中的可靠性和稳定性;通过记录氧阻聚剥离力,可以评估UV减粘膜在氧气环境下的阻隔性能,这对于一些特殊应用场景至关重要,例如在高氧氛围中的电子器件封装;结合解胶和剥离测试,可以综合评估UV膜在不同条件下的性能,提供全面的应用信息;物理边缘检测有助于确保晶片的几何形状和位置符合要求;电气性能测试通过检测短路、断路和电阻值,可以全面评估晶片的电气性能,确保芯片符合规格。
进一步地,在本发明制备方法中,结合剥离力、残胶、溶解性和粘基力测试,能够对UV减粘膜的性能进行全面、综合的评估,考虑到不同方面的性能,通过分析测试结果,可以识别存在的问题,有助于优化制备过程,提高产品的性能和稳定性;飞晶测试提供了有关UV减粘膜电气性能的信息,与剥离力测试等物理性能相结合,能够建立电气性能和物理性能之间的关联;通过性能度的计算和分析,可以对UV减粘膜在不同方面的性能进行全面的度量和评估;通过第一性能分析的合格样品再进行飞晶测试,通过分阶段的测试,更精确地定位可能存在的性能缺陷可以更有效地筛选出不符合要求的样品,从而提高产品的质量。
附图说明
图1为本发明实施例UV减粘膜的结构示意图;
图2为本发明实施例制备UV减粘膜的流程图;
图3为本发明实施例制备UV减粘膜第一性能分析逻辑图;
图4为本发明实施例制备UV减粘膜第二性能分析逻辑图;
图中:1,离型膜层;2,粘合层;3,基材层。
具体实施方式
为了使本发明的目的和优点更加清楚明白,下面结合实施例对本发明作进一步描述;应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,并不用于限定本发明。
下面参照附图来描述本发明的优选实施方式。本领域技术人员应当理解的是,这些实施方式仅仅用于解释本发明的技术原理,并非在限制本发明的保护范围。
需要说明的是,在本发明的描述中,术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系,这仅仅是为了便于描述,而不是指示或暗示所述装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
请参阅图1所示,其为本发明实施例UV减粘膜的结构示意图;本发明提供一种UV减粘膜,由离型膜层1、粘合层2和基材层3组成,其中:
所述粘合层设置在所述离型膜层和所述基材层之间;
所述离型膜层采用PET膜,离型膜层厚度为25~125μm;
所述粘合层的粘合剂组合物由UV粘合性聚合物和含氯改性助剂组成;
所述基材层各组分为100重量份聚氯乙烯,10~30重量份聚酯增塑剂,15~40重量份小分子增塑剂和1~3重量份热稳定剂。
在实施中,PET膜厚度优选为50μm,主体树脂的平均分子量优选为40万~70万;
基材层为PVC材质,基材层厚度为50~150μm,优选70~120μm;
热稳定剂能够捕捉PVC树脂放出的具有自催化作用的HCL,或是能够与PVC树脂产生的不稳定聚烯结构起加成反应,以阻止或减轻PVC树脂的分解,保证PVC膜加工过程及使用时的稳定性,热稳定剂在PVC基材生产过程中加入。
具体而言,所述UV粘合性聚合物包括主体树脂、UV低聚物、光引发剂、固化剂以及导电剂;
所述含氯改性助剂包括氯乙烯醋酸乙烯二元共聚物、改性氯乙烯醋酸乙烯二元共聚物、氯乙烯醋酸乙烯三元共聚物、改性氯乙烯醋酸乙烯三元共聚物的至少一种;
其中,所述含氯改性助剂为0.5~13重量份。
在实施中,含氯改性助剂优选为1重量份,组分优选改性氯乙烯醋酸乙烯三元共聚物;
导电剂在制备用于特殊应用场景的UV减粘膜时加入,对防静电有需求的,例如防止静电吸附灰尘或防止静电损伤半导体元器件等需求。
具体而言,所述光引发剂包括主光引发剂和辅助光引发剂;
所述UV粘合性聚合物中包括所述主体树脂70重量份、所述UV低聚物30重量份、所述主光引发剂2.8重量份、所述辅助光引发剂0.5重量份和所述固化剂1重量份;
其中,所述主体树脂为聚丙烯酸、聚丙烯酸酯以及聚氨酯丙烯酸酯多聚物中的至少一种,一组多聚物分子的平均分子量在30万~100万;
所述UV低聚物包括聚氨酯丙烯酸酯、脂肪族聚氨酯丙烯酸酯中的至少一种,官能团数2~12;
所述固化剂为异氰酸酯类固化剂和环氧类固化剂中的至少一种;
所述导电剂为碳纳米管或聚噻吩。
在实施中,UV低聚物优选6官能团;导电剂也可选用金属离子型导电剂。
具体而言,所述主光引发剂的吸收波段在200~420nm,所述辅助光引发剂包括肟脂类或者氨类、硫醇类中的至少一种。
在实施中,主光引发剂吸收波段优选为280~400nm,在实际应用中,因为不同的解胶机发出不同主波动的能量进行解胶,例如365nm,330nm,280nm、380nm、390nm,为了保证满足不同波段的解胶要求,需要采用多种吸收波段的光引发剂复配,具体的波段根据使用的解胶机确定。
本发明的PVC基材UV减粘膜的特性UV前粘性为500~2500gf/25mm ,长期放置UV前粘性不下降,保证客户使用时切割作业时不会出现飞晶问题;解胶后粘性10gf/25mm以下,且氧阻聚剥离力10gf/25mm以下,且常温放置2年解胶后的粘性也很稳定,保证客户易取片,且不会因为氧阻聚的发生出现取片困难导致的取片损失发生,解决了PVC中增塑剂迁移导致抗氧阻聚性能差问题及长期稳定性差所带来UV后剥离力高取片困难的问题,同时也解决了PVC基材中增塑剂迁移带来的粘性不稳定性的问题。
请参阅图2所示,本发明实施例制备UV减粘膜的流程图,本发明还提供一种UV减粘膜制备方法,包括:
使用压延法制备UV减粘膜的基材层;
制备粘合层的粘合剂组合物;
将所述粘合剂组合物涂在离型膜层上,形成半成品膜;
将所述半成品膜的温度升高至120℃,进行干燥处理;
将干燥后的所述半成品膜与所述基材层贴合,在45℃下熟化预设时间,得到UV减粘膜。
在实施中,基材层的制备包括:
利用压延法,将100重量份的聚氯乙烯包含增塑剂、30重量份的聚酯增塑剂W-1640-S(DIC的聚酯增塑剂)以及15重量份的小分子增塑剂混合后制膜,所得基材薄膜的厚度为80μm;
其中,一般的小分子增塑剂选用DOTP酯类增塑剂。
具体而言,确定UV减粘膜的使用需求参数,根据使用需求参数确定UV减粘膜的离型膜层、粘合层以及基材层厚度;
所述使用需求参数包括阻抗、使用波长、目标UV减粘膜厚度。
请参阅图3和图4所示,图3为本发明实施例制备UV减粘膜第一性能分析逻辑图,图4为本发明实施例制备UV减粘膜第二性能分析逻辑图,对得到的UV减粘膜进行性能测试,并根据性能测试结果进行UV减粘膜的性能分析;
其中,性能测试包括剥离力测试、飞晶测试、残胶测试、溶解性测试以及粘基力测试。
在实施中,剥离力测试包括拉力剥离测试和氧阻聚剥离力测试;
其中,拉力剥离测试包括:
将UV减粘膜放置若干不同时间段;
将放置后的UV减粘膜贴合至SI晶圆上并静置一段时间后,使用不同功率的解胶机解胶;
使用拉力机对解胶后的UV膜进行剥离,并记录常规剥离力;
氧阻聚剥离力测试包括:
将UV减粘膜放置若干不同时间段;
使用不同功率的解胶机对UV膜进行解胶;
将解胶后的UV膜贴合至SI 晶圆上并静置一段时间;
使用拉力机对静置后的UV膜进行剥离,并记录氧阻聚剥离力。
飞晶测试包括物理边缘检测和电气性能检测;
其中,物理边缘检测为检测晶片的物理边缘长度和晶圆中心位置;
电气性能测试包括检测芯片是否发生短路和短路,以及芯片的电阻值。
UV减粘膜进行剥离力测试前在50℃环境下储存,放置时间段包括0天、15天、30天以及两年;
在进行拉力剥离测试时,将UV膜除去离型膜并使用2kg的辊轮往复三次进行贴合SI晶圆(贴合面积为200mm×25mm),在23℃的环境下静置20分钟,然后在LED解胶机下,使用功率50mW/cm2,能量分别为0mj/cm2、150mj/cm2、450mj/cm2、800mj/cm2、1200mj/cm2解胶后,用拉力机以300mm/min的拉伸速度在180°方向上测出剥离时的剥离强度,将其作为UV减粘膜的常规剥离力,即经过每一种放置时间的UV减粘膜均进行5次剥离强度检测;
一般的,放置后的常规剥离力小于20gf/25mm认为效果较好,放置后的常规剥离力在20~40gf/25mm内认为效果一般;放置后的常规剥离力大于40gf/25mm认为效果较差。
在进行氧阻聚剥离力测试时,将UV膜除去离型膜LED解胶机下,使用功率50mW/cm2,能量分别为0mj/cm2、150mj/cm2、450mj/cm2、800mj/cm2、1200mj/cm2解胶后,然后贴合SI晶圆通过2kg的辊轮往复三次,放置20min用拉力机以300mm/min的拉伸速度在180°方向上测出剥离时的剥离强度,将其作为氧阻聚剥离力;
一般的,氧阻聚剥离力小于20gf/25mm,认为效果较好;氧阻聚剥离力在20~60gf/25mm内认为一般;氧阻聚剥离力大于60gf/25mm,认为较差。
在本发明制备方法中,通过对UV减粘膜在不同条件下的剥离性能进行测试,可以评估其在实际应用中的可靠性和稳定性;通过记录氧阻聚剥离力,可以评估UV减粘膜在氧气环境下的阻隔性能,这对于一些特殊应用场景至关重要,例如在高氧氛围中的电子器件封装;结合解胶和剥离测试,可以综合评估UV膜在不同条件下的性能,提供全面的应用信息;物理边缘检测有助于确保晶片的几何形状和位置符合要求;电气性能测试通过检测短路、断路和电阻值,可以全面评估晶片的电气性能,确保芯片符合规格。
具体而言,所述性能分析包括:
根据剥离力测试的测试结果计算剥离度,并根据剥离度、残胶测试的测试结果、溶解性测试的测试结果以及粘基力测试的测试结果对UV减粘膜进行第一性能分析;
根据所述飞晶测试的测试结果计算UV减粘膜的性能度,并根据性能度对UV减粘膜进行第二性能分析。
在实施中,残胶测试包括:将UV减粘膜贴合污染的SI晶圆上,在50℃的环境下静置3天后,解胶机使用功率50mW/cm2,能量150mj/cm2、450mj/cm2、800mj/cm2、1200mj/cm2解胶后,除去UV减粘膜,将SI晶圆在显微镜下放大若干倍确认SI晶圆表面的脏污,若未看到残胶或污染认为残胶测试PASS,若看到残胶或污染认为残胶测试NG;在实际应用中,具体放大倍数根据实际晶圆表面要求的洁净程度确定,若无特别要求,放大倍数为200倍。
溶解性测试包括:将含氯改性剂加到UV粘合性聚合物中,搅拌30分钟后,观察体系中是否有悬浮颗粒,若没有悬浮颗粒认为溶解性测试PASS;若有悬浮颗粒则认为溶解性测试NG。
粘基力测试包括:将UV减粘膜贴合SI晶圆采用30m/min的速度快速剥离,目视确认SI晶圆上是否有胶层脱落,若无胶层脱落,则认为UV减粘膜粘基力PASS,若有脱落,则认为UV减粘膜粘基力NG。
在实施中,所述剥离度根据下式计算:
,
其中,α为剥离度,n为静置时间段个数,Fi为第i个静置时间的常规剥离力,F0为静置时间为0的常规剥离力,fi为第i个静置时间的氧阻聚剥离力,f0为静置时间为0的氧阻聚剥离力。
将放置时间段为15天记为第一个放置时间段,30天记为第二个放置时间段以及两年记为第三个放置时间段,静置时间为0为放置时间段为0,i=1,2,3,α>1。
通过剥离力测试、残胶测试、溶解性测试以及粘基力测试的UV减粘膜判定为通过第一性能分析,能够进行所述飞晶测试,任意一项测试未通过的减粘膜样品判定未通过第一性能分析,通过第一性能分析后再进行飞晶测试。
UV减粘膜的性能度根据下式确定:
,
其中,β为性能度,D为晶圆中心偏移距离,l1为晶片的实际边缘长度,l0为晶片的预设边缘长度,为芯片工作系数,R1为芯片实际电阻值,R0为芯片预期电阻值;晶片的预设边缘长度根据预期制备芯片的尺寸确定,芯片预期电阻值同样根据预期制备芯片属性确定,实际边缘长度可以通过现有的任意一种检测技术得到,在此不做具体限定。
芯片工作系数的取值为0或者1,在电气性能测试中芯片发生短路和短路时芯片工作系数的取值为0,没有发生短路和短路时取值为1,β取值大于1或等于0,β越接近1,说明UV减粘膜性能越好,β等于0则检查制备过程,确定制备过程中是否发生错误。
在本发明制备方法中,结合剥离力、残胶、溶解性和粘基力测试,能够对UV减粘膜的性能进行全面、综合的评估,考虑到不同方面的性能,通过分析测试结果,可以识别存在的问题,有助于优化制备过程,提高产品的性能和稳定性;飞晶测试提供了有关UV减粘膜电气性能的信息,与剥离力测试等物理性能相结合,能够建立电气性能和物理性能之间的关联;通过性能度的计算和分析,可以对UV减粘膜在不同方面的性能进行全面的度量和评估;通过第一性能分析的合格样品再进行飞晶测试,通过分阶段的测试,更精确地定位可能存在的性能缺陷可以更有效地筛选出不符合要求的样品,从而提高产品的质量。
具体而言,根据UV减粘膜的性能分析结果确定材料组成和材料份数调整方式,使用调整后的材料组成和材料份数制备UV减粘膜成品。
具体而言,所述第一性能分析的过程包括:
判断所述UV减粘膜的剥离度是否小于等于预设剥离度;
若所述剥离度小于等于预设剥离度,则进行残胶测试、溶解性测试以及粘基力测试,若剥离度大于预设剥离度,则判定当前分析的UV减粘膜不合格;
判断小于预设剥离度的UV减粘膜是否通过残胶测试、溶解性测试以及粘基力测试;
若残胶测试、溶解性测试以及粘基力测试的测试结果均符合要求,判定UV减粘膜通过第一性能分析,并进行所述飞晶测试;
若残胶测试、溶解性测试以及粘基力测试的测试结果中存在任意一项测试结果未符合要求,判定UV减粘膜未通过第一性能分析,并根据未通过项目的测试结果调整UV减粘膜的材料组成及材料份数;
在实施中,预设剥离度为1.5,剥离度大于1.5则判定UV减粘膜不合格,在含氯改性剂的材料组成增加氯乙烯醋酸乙烯二元共聚物及改性物;
溶解性测试未通过则增加UV低聚物的材料组成;
残胶测试未通过则增加固化剂材料组成;
粘基力测试全部未通过则逐份减少含氯改性助剂份数,若部分未通过则以0.1份质量份为单位量,调整辅助光引发剂份数。
所述第二性能分析包括:
判断所述UV减粘膜的性能度是否小于预设性能度;
若UV减粘膜的性能度小于等于预设性能度,则判定UV减粘膜符合使用要求;
若UV减粘膜的性能度大于预设性能度,则判定UV减粘膜不符合使用要求,根据飞晶测试的具体检测参数确定UV减粘膜不合格的参数,并调整对应的材料组成及材料份数。
判断所述减粘膜样品的性能度是否小于预设性能度,预设性能度规定为1.2;
晶圆中心偏移距离大于1%倍初始晶圆直径,则调整含氯改性助剂的材料份数;
晶片的实际边缘长度大于晶片的1.1倍预设边缘长度,则调整辅助光引发剂的材料份数;
芯片实际电阻值与芯片预期电阻值的差值大于0.1倍的预期电阻值,则添加导电剂或者增加导电剂份数。
实施例1:本实施例制备一种UV减粘膜,其制备方法包括以下步骤:
利用压延法,将100重量份聚氯乙烯、30重量份的聚酯增塑剂W-1640-S、15重量份小分子增塑剂DOTP混合后制膜,所得基材层的厚度为80μm;
将0.5重量份的含氯改性助剂、70重量份的主体树脂、30重量份的UV低聚物、1.8重量份的主光引发剂、0.5重量份的辅助光引发剂以及1重量份的固化剂添加至搅拌机后,使用每分钟300转的转速进行搅拌,搅拌时间为30分钟,制备得到的粘合剂组合;
将粘合剂组合涂到50μm的PET离型膜上以120℃干燥3分钟,转贴合到上述制得的基材层上,在45℃下熟化48小时,粘合层的厚度为15μm,UV减粘膜的使用层厚度为95μm。
实施例2:本实施例制备一种UV减粘膜,其制备方法与实施例1的区别在于:
将1重量份的含氯改性助剂、70重量份的主体树脂、30重量份的UV低聚物、2.8重量份的主光引发剂、0.5重量份的辅助光引发剂以及1重量份的固化剂添加至搅拌机后,使用每分钟300转的转速进行搅拌,搅拌时间为30分钟,制备得到的粘合剂组合。
实施例3:本实施例制备一种UV减粘膜,其制备方法与实施例1的区别在于:
将5重量份的含氯改性助剂、70重量份的主体树脂、30重量份的UV低聚物、2.8重量份的主光引发剂、0.5重量份的辅助光引发剂以及1重量份的固化剂添加至搅拌机后,使用每分钟300转的转速进行搅拌,搅拌时间为30分钟,制备得到的粘合剂组合。
实施例4:本实施例制备一种UV减粘膜,其制备方法与实施例1的区别在于:
将9重量份的含氯改性助剂、70重量份的主体树脂、30重量份的UV低聚物、2.8重量份的主光引发剂、0.5重量份的辅助光引发剂以及1重量份的固化剂添加至搅拌机后,使用每分钟300转的转速进行搅拌,搅拌时间为30分钟,制备得到的粘合剂组合。
实施例5:本实施例制备一种UV减粘膜,其制备方法与实施例1的区别在于:
将13重量份的含氯改性助剂、70重量份的主体树脂、30重量份的UV低聚物、2.8重量份的主光引发剂、0.5重量份的辅助光引发剂以及1重量份的固化剂添加至搅拌机后,使用每分钟300转的转速进行搅拌,搅拌时间为30分钟,制备得到的粘合剂组合。
实施例6:本实施例制备一种UV减粘膜,其制备方法与实施例1的区别在于:
将17重量份的含氯改性助剂、70重量份的主体树脂、30重量份的UV低聚物、2.8重量份的主光引发剂、0.5重量份的辅助光引发剂以及1重量份的固化剂添加至搅拌机后,使用每分钟300转的转速进行搅拌,搅拌时间为30分钟,制备得到的粘合剂组合。
实施例7:本实施例制备一种UV减粘膜,其制备方法与实施例3的区别在于:
利用压延法,将100重量份聚氯乙烯、10重量份的聚酯增塑剂W-1640-S、40重量份小分子增塑剂DOTP混合后制膜,所得基材层的厚度为150μm。
实施例8:本实施例制备一种UV减粘膜,其与实施例3的区别在于:
将5重量份的含氯改性助剂、70重量份的主体树脂、30重量份的UV低聚物、2.8重量份的主光引发剂、0重量份的辅助光引发剂以及1重量份的固化剂添加至搅拌机后,使用每分钟300转的转速进行搅拌,搅拌时间为30分钟,制备得到的粘合剂组合。
实施例9:本实施例制备一种UV减粘膜,其与实施例1的区别在于:
不加入含氯改性助剂,将70重量份的主体树脂、30重量份的UV低聚物、1.8重量份的主光引发剂、0.5重量份的辅助光引发剂以及1重量份的固化剂添加至搅拌机后,使用每分钟300转的转速进行搅拌,搅拌时间为30分钟,制备得到的粘合剂组合。
实施例10:本实施例制备一种UV减粘膜,其与实施例8的区别在于:
利用压延法,将100重量份聚氯乙烯、30重量份的聚酯增塑剂W-1640-S、10重量份小分子增塑剂DOTP混合后制膜,所得基材层的厚度为50μm;
将5重量份的含氯改性助剂、70重量份的主体树脂、30重量份的UV低聚物、1.8重量份的主光引发剂、0.5重量份的辅助光引发剂以及1重量份的固化剂添加至搅拌机后,使用每分钟300转的转速进行搅拌,搅拌时间为30分钟,制备得到的粘合剂组合。
各实施例组分对比如表1和表2所示。对实施例1至实施例10制备得到的UV减粘膜分别进行剥离力测试、残胶测试、溶解性测试以及粘基力测试,测试结果如表3和表4所示。
表1
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表2
表3
表4
表3和表4中,PASS为测试通过,NG为测试未通过。
根据本发明各实施例的实验结果可以得到,在加入合适量的含氯改性助剂的情况下制得的UV减粘膜随着储存时间增加,剥离力的变化量小,在不同解胶条件下,对于储存两年UV减粘膜的剥离力的增长百分比为105%~146%,对于不加入含氯改性助剂的UV减粘膜,在不同解胶条件下,对于储存两年剥离力的增长百分比为302%~1065%;且含氯改性助剂过高时,不仅会增大剥离力,对UV减粘膜的残胶情况和粘基力评价也会有负面影响。
未加入含氯改性助剂的UV减粘膜在存放30天时出现残胶测试和粘基力测试不通过的情况,本发明加入适量的含氯改性助剂的情况下制得的UV减粘膜在存放两年的情况下仍能通过残胶测试和粘基力测试。
以及,不加入辅助光引发剂或加入的辅助光引发剂量过少制得的UV减粘膜同样在存放一段时间后出现残胶测试和粘基力测试不通过的情况,并且需要的剥离力远大于加入足够量的辅助光引发剂的UV减粘膜。
显而易见的是,本发明UV减粘膜在储存较长时间下,仍可保证其原有属性,进行切割作业时不会出现飞晶问题,并且容易取片。
至此,已经结合附图所示的优选实施方式描述了本发明的技术方案,但是,本领域技术人员容易理解的是,本发明的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本发明的原理的前提下,本领域技术人员可以对相关技术特征做出等同的更改或替换,这些更改或替换之后的技术方案都将落入本发明的保护范围之内。
以上所述仅为本发明的优选实施例,并不用于限制本发明;对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种UV减粘膜,其特征在于,由离型膜层、粘合层和基材层组成,其中:
所述粘合层设置在所述离型膜层和所述基材层之间;
所述离型膜层采用PET膜,离型膜层厚度为25~125μm;
所述粘合层的粘合剂组合物由UV粘合性聚合物和含氯改性助剂组成;
所述基材层各组分为100重量份聚氯乙烯,10~30重量份聚酯增塑剂,15~40重量份小分子增塑剂和1~3重量份热稳定剂;
所述UV粘合性聚合物包括主体树脂、UV低聚物、光引发剂、固化剂以及导电剂;
所述含氯改性助剂包括氯乙烯醋酸乙烯二元共聚物、改性氯乙烯醋酸乙烯二元共聚物、氯乙烯醋酸乙烯三元共聚物、改性氯乙烯醋酸乙烯三元共聚物的至少一种;
其中,所述含氯改性助剂为0.5~13重量份;
所述光引发剂包括主光引发剂和辅助光引发剂;
所述UV粘合性聚合物中各组分构成为:所述主体树脂70重量份、所述UV低聚物30重量份、所述主光引发剂2.8重量份、所述辅助光引发剂0.5重量份和所述固化剂1重量份;
其中,所述主体树脂为聚丙烯酸、聚丙烯酸酯以及聚氨酯丙烯酸酯多聚物中的至少一种,一组多聚物分子的平均分子量在30万~100万;
所述UV低聚物包括聚氨酯丙烯酸酯、脂肪族聚氨酯丙烯酸酯中的至少一种,官能团数2~12;
所述固化剂为异氰酸酯类固化剂和环氧类固化剂中的至少一种;
所述导电剂为碳纳米管或聚噻吩;
主光引发剂的吸收波段在200~420nm,辅助光引发剂包括肟脂类或者氨类、硫醇类中的至少一种。
2.一种UV减粘膜制备方法,用于制备上述权利要求1所述的UV减粘膜,其特征在于,包括:
使用压延法制备UV减粘膜的基材层;
制备粘合层的粘合剂组合物;
将所述粘合剂组合物涂在离型膜层上,形成半成品膜;
将所述半成品膜的温度升高至120℃,进行干燥处理;
将干燥后的所述半成品膜与所述基材层贴合,在45℃下熟化,得到UV减粘膜。
3.根据权利要求2所述的UV减粘膜制备方法,其特征在于,还包括:确定UV减粘膜的使用需求参数,根据使用需求参数确定UV减粘膜的离型膜层、粘合层以及基材层厚度;
所述使用需求参数包括阻抗、使用波长、目标UV减粘膜厚度。
4.根据权利要求3所述的UV减粘膜制备方法,其特征在于,还包括:对得到的UV减粘膜进行性能测试,并根据性能测试结果进行UV减粘膜的性能分析;
其中,性能测试包括剥离力测试、飞晶测试、残胶测试、溶解性测试以及粘基力测试;
飞晶测试包括物理边缘检测和电气性能检测;
其中,物理边缘检测为检测晶片的物理边缘长度和晶圆中心位置;
电气性能测试包括检测芯片是否发生短路和短路,以及芯片的电阻值。
5.根据权利要求4所述的UV减粘膜制备方法,其特征在于,所述性能分析包括:
根据剥离力测试的测试结果计算剥离度,并根据剥离度、残胶测试的测试结果、溶解性测试的测试结果以及粘基力测试的测试结果对UV减粘膜进行第一性能分析;
根据所述飞晶测试的测试结果计算UV减粘膜的性能度,并根据性能度对UV减粘膜进行第二性能分析;
其中,所述剥离度根据下式确定:
,
其中,α为剥离度,n为静置时间段个数,Fi为第i个静置时间的常规剥离力,F0为静置时间为0的常规剥离力,fi为第i个静置时间的氧阻聚剥离力,f0为静置时间为0的氧阻聚剥离力;
UV减粘膜的性能度根据下式确定:
,
其中,β为性能度,D为晶圆中心偏移距离,l1为晶片的实际边缘长度,l0为晶片的预设边缘长度,为芯片工作系数,R1为芯片实际电阻值,R0为芯片预期电阻值。
6.根据权利要求5所述的UV减粘膜制备方法,其特征在于,还包括:根据UV减粘膜的性能分析结果确定材料组成和材料份数调整方式,使用调整后的材料组成和材料份数制备UV减粘膜成品。
7.根据权利要求6所述的UV减粘膜制备方法,其特征在于,所述第一性能分析的过程包括:
判断所述UV减粘膜的剥离度是否小于等于预设剥离度;
若所述剥离度小于等于预设剥离度,则进行残胶测试、溶解性测试以及粘基力测试,若剥离度大于预设剥离度,则判定当前分析的UV减粘膜不合格;
判断小于预设剥离度的UV减粘膜是否通过残胶测试、溶解性测试以及粘基力测试;
若残胶测试、溶解性测试以及粘基力测试的测试结果均符合要求,判定UV减粘膜通过第一性能分析,并进行所述飞晶测试;
若残胶测试、溶解性测试以及粘基力测试的测试结果中存在任意一项测试结果未符合要求,判定UV减粘膜未通过第一性能分析,并根据未通过项目的测试结果调整UV减粘膜的材料组成及材料份数;
所述第二性能分析包括:
判断所述UV减粘膜的性能度是否小于预设性能度;
若UV减粘膜的性能度小于等于预设性能度,则判定UV减粘膜符合使用要求;
若UV减粘膜的性能度大于预设性能度,则判定UV减粘膜不符合使用要求,根据飞晶测试的具体检测参数确定UV减粘膜不合格的参数,并调整对应的材料组成及材料份数。
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