CN117641996A - 显示装置 - Google Patents

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CN117641996A
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CN
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channel
disposed
transistor
electrode
line
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金智善
姜章美
李仙花
田武泾
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Samsung Display Co Ltd
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括基底、位于基底上的第一晶体管和第二晶体管、连接到第一晶体管和第二晶体管中的一者的第一电极、面对第一电极的第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的发光构件，其中，第一晶体管包括：第一沟道，包括位于基底上的多晶半导体构件；第一源电极和第一漏电极，位于第一沟道的相应的相对侧；第一栅电极，与第一沟道叠置；以及第一绝缘层，覆盖第一栅电极，第二晶体管包括：第二栅电极，位于第一绝缘栅上；第二沟道，包括位于第二栅电极上的氧化物半导体构件；第二源电极和第二漏电极，位于第二沟道上；以及外部光阻挡构件，位于第二源电极和第二漏电极上并与第二沟道叠置。

Description

显示装置
本申请是申请日为2018年6月5日、申请号为“201810569163.X”且发明名称为“显示装置”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
发明的示例性实施例涉及一种显示装置。
背景技术
通常，作为显示装置，使用诸如液晶显示(“LCD”)装置和有机发光装置(也称为有机发光二极管(“OLED”)显示装置)等的显示装置。
具体地，OLED显示装置包括两个电极和置于其间的有机发光层。从作为电极的阴极注入的电子和从作为另一电极的阳极注入的空穴在有机发光层中彼此结合以形成激子。当激子释放能量时发射光。
OLED显示装置包括含有OLED的多个像素，所述OLED包括阴极、阳极和有机发光层。在每个像素中设置用于驱动OLED的多个薄膜晶体管(“TFT”)和电容器。
TFT包括栅电极、源电极、漏电极和半导体。半导体是决定TFT特性的重要因素。半导体主要包括硅(Si)。根据结晶类型将硅分为非晶硅和多晶硅，其中，非晶硅具有简单的制造工艺但具有低电荷迁移率，使得制造高性能TFT存在限制，多晶硅具有高电荷迁移率，但是要求使硅结晶化的工艺，使得制造成本增加并且工艺复杂。近来，对使用具有比非晶硅高的导通/截止比和载流子迁移率以及比多晶硅低的成本和高的均匀性的氧化物半导体的TFT的研究已经取得进展。
发明内容
通常，包括氧化物半导体的晶体管具有底栅结构。然而，由于氧化物半导体在底栅结构中被暴露在外部，所以容易由于外部光而产生泄漏电流。
示例性实施例涉及一种使泄漏电流最小化的显示装置。
根据示例性实施例的显示装置包括：基底；第一晶体管和第二晶体管，设置在基底上并彼此分开；第一电极，连接到第一晶体管和第二晶体管中的一者；第二电极，面对第一电极；以及发光构件，设置在第一电极和第二电极之间，其中，第一晶体管包括：第一沟道，设置在基底上并包括多晶半导体构件；第一源电极和第一漏电极，设置在第一沟道的相应的相对侧；第一栅电极，与第一沟道叠置；以及第一绝缘层，覆盖第一栅电极，而第二晶体管包括：第二栅电极，设置在第一绝缘栅上；第二沟道，设置在第二栅电极上并包括氧化物半导体构件；第二源电极和第二漏电极，设置在第二沟道上；以及外部光阻挡构件，设置在第二源电极和第二漏电极上并与第二沟道叠置。
在示例性实施例中，还可以包括向发光构件传输驱动电压的驱动电压线，其中，驱动电压线可以包括在第一方向上延伸的第一驱动电压线和在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二驱动电压线，并且外部光阻挡构件可以与第一驱动电压线设置在同一层中。
在示例性实施例中，外部光阻挡构件可以连接到第一驱动电压线。
在示例性实施例中，还可以包括位于第二源电极和第二漏电极与外部光阻挡构件之间的第二绝缘层，并且第二绝缘层可以包括有机材料。
在示例性实施例中，还可以包括：第一扫描线，设置在基底上并传输第一扫描信号；第二扫描线，设置在基底上并传输与第一扫描信号相反的第二扫描信号；以及数据线，与第一扫描线和第二扫描线交叉并传输数据电压，第一晶体管还可以包括：开关晶体管，连接到第一扫描线和数据线；以及驱动晶体管，连接到开关晶体管，第二晶体管还可以包括由第二扫描信号导通的补偿晶体管，补偿晶体管可以包括与第二扫描线叠置的第一氧化物半导体构件，第二沟道可以包括设置在第一氧化物半导体构件中的补偿沟道，并且补偿沟道可以在平面图中与外部光阻挡构件叠置。
在示例性实施例中，还可以包括：第三扫描线，平行于第一扫描线延伸并传输第三扫描信号；以及初始化电压线，传输使驱动晶体管初始化的初始化电压，第二晶体管还可以包括根据第三扫描信号而导通以向驱动晶体管的驱动栅电极传输初始化电压的初始化晶体管，初始化晶体管可以包括与第三扫描线叠置的第二氧化物半导体构件，第二沟道还可以包括设置在第二氧化物半导体构件中的初始化沟道，并且初始化沟道可以与外部光阻挡构件叠置。
在示例性实施例中，还可以包括传输旁路控制信号的旁路控制线，第二晶体管还可以包括根据旁路控制信号而导通以旁通由驱动晶体管传输的驱动电流的一部分的旁路晶体管，旁路晶体管可以包括与旁路控制线叠置的第三氧化物半导体构件，第二沟道还可以包括设置在第三氧化物半导体构件中的旁路沟道，并且旁路沟道可以与外部光阻挡构件叠置。
在示例性实施例中，数据线和第一驱动电压线可以设置在彼此不同的层中。
在示例性实施例中，第一扫描线和初始化电压线可以设置在彼此相同的层中，并且第二扫描线、第三扫描线和旁路控制线可以设置在彼此相同的层中。
在示例性实施例中，补偿沟道、初始化沟道和旁路沟道可以被设置为彼此分开。
在示例性实施例中，第二栅电极可以包括：补偿栅电极，作为第二扫描线的一部分并与补偿沟道叠置；初始化栅电极，作为第三扫描线的一部分并与初始化沟道叠置；以及旁路栅电极，作为旁路控制线的一部分并与旁路沟道叠置。
在示例性实施例中，第二源电极可以包括：补偿源电极，与数据线设置在同一层中并与第一氧化物半导体构件部分地叠置；初始化源电极，与数据线设置在同一层中并与第二氧化物半导体构件部分地叠置；以及旁路源电极，与数据线设置在同一层中并与第三氧化物半导体构件部分地叠置。
在示例性实施例中，第二漏电极可以包括：补偿漏电极，与数据线设置在同一层中并与第一氧化物半导体构件部分地叠置；初始化漏电极，与数据线设置在同一层中并与第二氧化物半导体构件部分地叠置；以及旁路漏电极，与数据线设置在同一层中并与第三氧化物半导体构件部分地叠置。
在示例性实施例中，还可以包括与数据线设置在同一层中并连接到驱动栅电极的第一连接构件，并且，驱动栅电极可以与第二驱动电压线叠置，第一连接构件可以包括补偿漏电极和初始化漏电极。
在示例性实施例中，还可以包括与数据线设置在同一层中并连接到第一晶体管的一部分的第二连接构件，并且第二连接构件可以包括补偿源电极。
在示例性实施例中，还可以包括与数据线设置在同一层中并连接到初始化电压线的第三连接构件，并且第三连接构件可以包括初始化源电极和旁路漏电极。
在示例性实施例中，还可以包括与数据线设置在同一层中的第四连接构件，并且第四连接构件可以包括旁路源电极。
在示例性实施例中，还可以包括与数据线设置在同一层中并连接到第二驱动电压线的第五连接构件。
在示例性实施例中，还可以包括与第一驱动电压线设置在同一层中并连接到第四连接构件的第六连接构件。
在示例性实施例中，外部光阻挡构件可以包括第一边界线和第二边界线，并且第一边界线与第二沟道在宽度方向上的平面的第一间隔大于第二边界线与第二沟道在长度方向上的平面的第二间隔。
此外，根据示例性实施例的显示装置可以包括：基底；第一扫描线，设置在基底上并传输第一扫描信号；数据线，与第一扫描线交叉并传输数据电压；包括多晶半导体构件的第一晶体管和包括氧化物半导体构件的第二晶体管，其中，第一晶体管和第二晶体管设置在基底上并彼此分开；第一电极，连接到第一晶体管和第二晶体管中的一者；第二电极，面对第一电极；发光构件，设置在第一电极和第二电极之间；以及驱动电压线，向发光构件传输驱动电压，其中，驱动电压线与数据线设置在不同的层上，并且从驱动电压线延伸的外部光阻挡构件与氧化物半导体构件叠置并且设置在氧化物半导体构件上。
根据示例性实施例，可以在没有添加掩模的情况下，使由于外部光引起的泄漏电流最小化。
此外，可以使反射率最小化并且可以制造具有高分辨率的显示装置。
附图说明
通过参照附图进一步详细地描述本公开的示例性实施例，本公开的上述和其它示例性实施例、优势和特点将变得更加清楚，其中：
图1是显示装置的一个像素的示例性实施例的等效电路图。
图2是显示装置的多个晶体管和电容器的示例性实施例的示意性平面图。
图3是图2的详细平面图。
图4是沿线IV-IV截取的图3的显示装置的剖视图。
图5是沿线V-V、V'-V'和V”-V”截取的图3的显示装置的剖视图。
图6是比较图4的发光控制晶体管和图5的补偿晶体管的剖视图。
图7是仅示出图2中的多晶半导体构件的平面图。
图8是示出第一栅极金属线沉积在图7的多晶半导体构件上的状态的平面图。
图9是示出第二栅极金属线沉积在图8的第一栅极金属线上的状态的平面图。
图10是示出氧化物半导体构件沉积在图9的第二栅极金属线上的状态的平面图。
图11是示出第一数据金属线沉积在图10的氧化物半导体构件上的状态的平面图。
图12是图2和图3的补偿晶体管的局部放大图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更充分地描述发明，在附图中示出了发明的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，在不脱离发明的精神或范围的所有情况下，所描述的实施例可以以各种不同的方式进行修改。
为了清楚地解释发明，省略了与发明没有直接关系的部分，并且相同的附图标记在整个说明书中附属于相同或相似的组成元件。
此外，为了更好地理解且便于描述，附图中示出的每个构造的尺寸和厚度被任意地示出，但发明不限于此。在附图中，为了清楚，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了更好地理解且便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。
此外，除非明确地相反描述，否则词语“包括”及其变形(诸如“包含”或“含有”)将被理解为暗示包括所陈述的元件，但不排除任何其它元件。在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。此外，在说明书中，词语“在……上”或“在……之上”意味着设置在对象部分上或下方，并且本质上不意味着基于重力方向设置在对象部分的上侧。
将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离此处的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被命名为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
这里使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的，而不意图是限制性的。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个(者)”、“一种”和“所述(该)”意图包括包含“至少一个(种、者)”的复数形式。“或”指“和/或”。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和全部组合。将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”以及它们的变型时，说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
此外，在这里可以使用诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”等的相对术语，以描述如附图中示出的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相对术语意图包括装置的除了附图中描绘的方位之外的不同方位。在示例性实施例中，当一个附图中的装置被翻转时，被描述为在其它元件“下”侧上的元件随后将被定位为在所述其它元件“上”侧上。因此，示例性术语“下”可以根据附图的具体方位包括“下”和“上”两种方位。类似地，当一个附图中的装置被翻转时，被描述为“在”其它元件“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件“上方”。因此，示例性术语“在……下方”或“在……之下”可以包括上方和下方两种方位。
如这里使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值，并且意味着在考虑到所讨论的测量和与测量具体量有关的误差(即，测量系统的局限性)而由本领域普通技术人员所确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，“大约”可以意味着在一个或更多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
此外，有机发光二极管显示器OLED不限于附图中示出的多个晶体管和电容器，它可以包括用于每个像素的多个晶体管和至少一个电容器，并且它可以通过提供附加的布线或省略现有的布线而具有各种构造。这里，像素表示用于显示图像的最小单元，OLED显示装置通过多个像素来显示图像。
此外，在说明书中，短语“在平面图中”意味着从上方观看对象部分的情况，短语“在剖视图中”意味着从侧面观看通过竖直切割对象部分而得到截面的情况。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。将进一步理解的是，除非这里明确地如此定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的环境和本发明中的意思一致的意思，并且将不以理想化或过于形式化的含义进行解释。
这里参照作为理想实施例的示意图的剖视图来描述示例性实施例。如此，将预期例如由制造技术和/或公差引起的图示形状的变化。因此，这里描述的实施例不应该被解释为局限于如这里所示的区域的具体形状，而是将包括例如由制造导致的形状上的偏差。在示例性实施例中，被示出或被描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性的特征。此外，示出的尖角可以被倒圆。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状并不意图示出区域的精确形状，并且不意图限制权利要求的范围。
现在，将参照附图描述根据示例性实施例的显示装置。
图1是根据示例性实施例的显示装置的一个像素的等效电路图。
如图1中所示，根据示例性实施例的显示装置的一个像素PX可以包括连接到多条信号线151、152、153、154、155、156、171和172的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst以及有机发光二极管(“OLED”)。在示出的示例性实施例中，描述了包括七个晶体管和一个电容器的结构，然而发明不限于此，晶体管的数目和电容器的数目可以各种改变。
晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以包括含有多晶半导体的第一晶体管TA和含有氧化物半导体的第二晶体管TB。第一晶体管TA可以包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6。第二晶体管TB可以包括补偿晶体管T3、初始化晶体管T4和旁路晶体管T7。
信号线151、152、153、154、155、156、171和172可以包括多条第一扫描线151、多条第二扫描线152、多条第三扫描线153、多条发光控制线154、多条旁路控制线155、多条初始化电压线156、多条数据线171以及多条驱动电压线172。一条第一扫描线151、一条第二扫描线152、一条第三扫描线153、一条发光控制线154、一条旁路控制线155、一条初始化电压线156、一条数据线171和一条驱动电压线172可以连接到一个像素PX。
第一扫描线151可以向开关晶体管T2传输第一扫描信号GW1，第二扫描线152可以向补偿晶体管T3传输第二扫描信号GW2，第三扫描线153可以向初始化晶体管T4传输第三扫描信号GI。此外，发光控制线154可以向操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6传输发光控制信号EM，旁路控制线155可以向旁路晶体管T7传输旁路信号GB。此外，初始化电压线156可以传输使驱动晶体管T1初始化的初始化电压Vint。
数据线171可以传输数据信号Dm，驱动电压线172可以传输驱动电压ELVDD。
驱动薄膜晶体管(“TFT”)T1的栅电极G1连接到存储电容器Cst的一端Cst1，驱动TFT T1的源电极S1经由操作控制TFT T5与驱动电压线172连接，驱动TFT T1的漏电极D1经由发光控制TFT T6与OLED的阳极电连接。驱动TFT T1根据开关TFT T2的开关操作来接收数据信号Dm，以向OLED供应驱动电流Id。
开关TFT T2的栅电极G2与第一扫描线151连接，开关TFT T2的源电极S2与数据线171连接，开关TFT T2的漏电极D2与驱动TFT T1的源电极S1连接并且经由操作控制TFT T5与驱动电压线172连接。开关TFT T2根据通过第一扫描线151接收的第一扫描信号GW1而导通，以执行将从数据线171传输的数据信号Dm传输到驱动TFT T1的源电极S1的开关操作。
补偿晶体管T3的栅电极G3连接到第二扫描线152，补偿晶体管T3的源电极S3连接到驱动晶体管T1的漏电极D1并且通过发光控制晶体管T6连接到OLED的阳极，补偿晶体管T3的漏电极D3与初始化晶体管T4的漏电极D4、存储电容器Cst的一端Cst1和驱动晶体管T1的栅电极G1一起连接。补偿晶体管T3根据通过第二扫描线152传输的第二扫描信号GW2而导通，以使驱动晶体管T1的栅电极G1和漏电极D1彼此连接，从而二极管连接驱动晶体管T1。由于第二扫描信号GW2具有与第一扫描信号GW1相反的电平，所以当第一扫描信号GW1为高电平时，第二扫描信号GW2可以为低电平，当第一扫描信号GW1为低电平时，第二扫描信号GW2可以为高电平。
初始化晶体管T4的栅电极G4连接到第三扫描线153，初始化晶体管T4的源电极S4连接到初始化电压线156，初始化晶体管T4的漏电极D4经由补偿晶体管T3的漏电极D3连接到存储电容器Cst的一端Cst1和驱动晶体管T1的栅电极G1。初始化晶体管T4根据通过第三扫描线153传输的第三扫描信号GI而导通，以向驱动晶体管T1的栅电极G1传输初始化电压Vint，以执行使驱动晶体管T1的栅电极G1的栅极电压初始化的初始化操作。
操作控制晶体管T5的栅电极G5连接到发光控制线154，操作控制晶体管T5的源电极S5连接到驱动电压线172，操作控制晶体管T5的漏电极D5连接到驱动晶体管T1的源电极S1和开关晶体管T2的漏电极D2。
发光控制晶体管T6的栅电极G6连接到发光控制线154，发光控制晶体管T6的源电极S6连接到驱动晶体管T1的漏电极D1和补偿晶体管T3的源电极S3，发光控制晶体管T6的漏电极D6电连接到OLED的阳极。操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6根据通过发光控制线154传输的发光控制信号EM而同时导通，以补偿通过二极管连接的驱动晶体管T1将要传输到OLED的驱动电压ELVDD。
旁路晶体管T7的栅电极G7连接到旁路控制线155，旁路晶体管T7的源电极S7连接到发光控制晶体管T6的漏电极D6和OLED的阳极，旁路晶体管T7的漏电极D7连接到初始化电压线156和初始化晶体管T4的源电极S4。
存储电容器Cst的另一端Cst2与驱动电压线172连接，OLED的阴极与传输共电压ELVSS的共电压线741连接。
在这种情况下，例如，包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6的第一晶体管TA可以是P沟道金属氧化物半导体(“PMOS”)结构的晶体管。此外，包括补偿晶体管T3、初始化晶体管T4和旁路晶体管T7的第二晶体管TB可以例如是N沟道金属氧化物半导体(“NMOS”)结构的晶体管。
接下来，将参照图2至图12来描述图1中示出的显示装置的详细结构。
图2是根据示例性实施例的显示装置的多个晶体管和电容器的示意性平面图，图3是图2的详细平面图。图4是沿线IV-IV截取的图3的显示装置的剖视图，图5是沿线V-V、V'-V'和V”-V”截取的图3的显示装置的剖视图，图6是比较图4的发光控制晶体管和图5的补偿晶体管的剖视图。
图7是仅示出图2中的多晶半导体构件的平面图，图8是示出第一栅极金属线沉积在图7的多晶半导体构件上的状态的平面图。图9是示出第二栅极金属线沉积在图8的第一栅极金属线上的状态的平面图，图10是示出氧化物半导体构件沉积在图9的第二栅极金属线上的状态的平面图，图11是示出第一数据金属线沉积在图10的氧化物半导体构件上的状态的平面图。
将参照附图描述根据示例性实施例的显示装置的详细的平面结构和剖面结构。
首先，如图2和图3中所示，根据示例性实施例的显示装置包括分别施加第一扫描信号GW1、第二扫描信号GW2、第三扫描信号GI、发光控制信号EM和旁路信号GB并在行方向上延伸的第一扫描线151、第二扫描线152、第三扫描线153、发光控制线154和旁路控制线155。此外，初始化电压Vint从初始化电压线156经由初始化晶体管T4传输到补偿晶体管T3。
此外，显示装置包括分别向像素PX施加数据信号Dm和驱动电压ELVDD的数据线171和驱动电压线172。驱动电压线172可以包括：第一驱动电压线172a，沿着作为第一方向的列方向延伸并且平行于数据线171；以及第二驱动电压线172b，在作为第二方向的行方向上延伸并平行于第一扫描线151。第一驱动电压线172a和第二驱动电压线172b可以通过接触孔68彼此连接。因此，与仅将在列方向上伸长的第一驱动电压线172a设置为传输驱动电压的情况相比，示出的示例性实施例将在列方向上伸长的第一驱动电压线172a和在行方向上伸长的第二驱动电压线172b通过接触孔68连接以形成网状结构，从而使驱动电压线172的电压降最小化。
此外，驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6、旁路晶体管T7、存储电容器Cst和OLED可以设置在像素PX中。
OLED可以包括像素电极191、有机发射层370和共电极270。
驱动晶体管T1、开关晶体管T2、操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6具有第一沟道30a(参照图7)，其中，当驱动导通的晶体管时，电流流向第一沟道30a。
如图7中所示，第一沟道30a设置在一个多晶半导体构件130A的内部，并且多晶半导体构件130A可以以各种形状进行弯曲。多晶半导体构件130A可以包括多晶硅。
第一沟道30a可以包括位于驱动晶体管T1中的驱动沟道131a、位于开关晶体管T2中的开关沟道131b、位于操作控制晶体管T5中的操作控制沟道131e以及位于发光控制晶体管T6中的发光控制沟道131f。
多晶半导体构件130A可以包括：第一沟道30a，沟道掺杂有杂质；以及源电极掺杂区域和漏电极掺杂区域，设置在沟道的相应侧并且以比掺杂在沟道上的掺杂杂质高的浓度掺杂。在示出的示例性实施例中，设置在多晶半导体构件130A中的源电极掺杂区域和漏电极掺杂区域可以分别对应于源电极和漏电极。在示例性实施例中，例如，源电极S2和漏电极D2可以设置在开关沟道131b的相应侧，并且源电极和漏电极也可以以相同的方式设置在其它沟道的相应侧。设置在多晶半导体构件130A中的源电极和漏电极可以通过仅掺杂对应的区域来设置。此外，在多晶半导体构件130A中，不同晶体管的源电极和漏电极之间的区域被掺杂，因此源电极和漏电极可以彼此电连接。
驱动晶体管T1包括驱动沟道131a、驱动栅电极155a(参照图4和图8)、驱动源电极136a(参照图4)和驱动漏电极137a(参照图4)。在示例性实施例中，例如，驱动沟道131a可以被弯曲并且可以具有“U”形状。然而，它不限于此，在其它示例性实施例中，例如，驱动沟道131a的形状可以具有各种形状(诸如，曲折形状、之字形状、“反S”、“S”、“M”、“W”等)。如此，通过形成弯曲的驱动沟道131a，驱动沟道131a可以设置为在狭窄的空间中伸长的。因此，驱动栅电极155a和驱动源电极136a之间的驱动栅极-源电极电压的驱动范围由于伸长的驱动沟道131a而增大。由于驱动栅极-源电极电压的驱动范围增大，所以可以通过改变驱动栅极-源电极电压的大小来精细地控制从OLED发射的光的灰阶，因此，可以提高OLED显示装置的分辨率并且可以改善显示质量。
驱动栅电极155a与驱动沟道131a叠置，并且驱动源电极136a和驱动漏电极137a设置为与驱动沟道131a的相应的相对侧邻近。驱动栅电极155a通过接触孔61连接到第一连接构件173(参照图11)的一个端部173a(参照图4和图11)。驱动晶体管T1具有驱动栅电极155a设置在驱动沟道131a上的顶栅结构。
开关晶体管T2包括开关沟道131b、开关栅电极155b、开关源电极136b和开关漏电极137b。作为第一扫描线151的一部分的开关栅电极155b与开关沟道131b叠置，开关源电极136b和开关漏电极137b设置为与开关沟道131b的相应的相对侧靠近。开关源电极136b通过接触孔62与数据线171连接。开关晶体管T2具有开关栅电极155b设置在开关沟道131b上的顶栅结构。
操作控制晶体管T5包括操作控制沟道131e、操作控制栅电极155e、操作控制源电极136e和操作控制漏电极137e。作为发光控制线154的一部分的操作控制栅电极155e与操作控制沟道131e叠置，操作控制源电极136e和操作控制漏电极137e设置为与操作控制沟道131e的相应的相对侧靠近。操作控制源电极136e可以通过接触孔65(参照图3)连接到第一驱动电压线172a(参照图2)。
操作控制晶体管T5具有操作控制栅电极155e设置在操作控制沟道131e上的顶栅结构。
发光控制晶体管T6包括发光控制沟道131f、发光控制栅电极155f、发光控制源电极136f和发光控制漏电极137f。作为发光控制线154的一部分的发光控制栅电极155f与发光控制沟道131f叠置，发光控制源电极136f和发光控制漏电极137f被设置为与发光控制沟道131f相应的相对侧邻近。发光控制漏电极137f通过接触孔66(参照图3)连接到第四连接构件176(参照图11)。
驱动晶体管T1的驱动沟道131a的一端可以连接到开关漏电极137b和操作控制漏电极137e，驱动沟道131a的另一端可以连接到发光控制源电极136f。
发光控制晶体管T6具有发光控制栅电极155f设置在发光控制沟道131f上的顶栅结构。
驱动栅电极155a、开关栅电极155b、操作控制栅电极155e和发光控制栅电极155f形成第一栅电极。驱动源电极136a、开关源电极136b、操作控制源电极136e和发光控制源电极136f形成第一源电极，驱动漏电极137a、开关漏电极137b、操作控制漏电极137e和发光控制漏电极137f形成第一漏电极。
由于闪烁问题，难以利用低于大约30赫兹(Hz)的低频来驱动包括含有多晶半导体的晶体管的显示装置。因此，由于必须利用高频来驱动包括具有多晶半导体的晶体管的显示装置以使闪烁最小化，所以功耗增加。
因此，在示出的示例性实施例中，由于第一晶体管TA包括多晶半导体并且第二晶体管TB包括能够以低频驱动的氧化物半导体，所以可以使闪烁最小化并且同时可以降低功耗。
示出的示例性实施例的包括氧化物半导体的第二晶体管TB可以具有底栅结构。与顶栅结构相比，底栅结构可以形成短沟道，并且具有减少接触孔的数目的优点。
作为底栅结构的第二晶体管TB的补偿晶体管T3、初始化晶体管T4和旁路晶体管T7具有第二沟道30b(参照图10和图11)，当驱动晶体管时，电流流向第二沟道30b。
由于包括氧化物半导体的第二沟道30b的上部被暴露，所以容易由于外部光而产生泄漏电流。因此，在示出的示例性实施例中，外部光阻挡构件70设置在与第二沟道30b叠置的位置处，因此可以使由于外部光的泄漏电流最小化。
第二沟道30b可以包括位于第一氧化物半导体构件130B1(参照图5)内部的补偿沟道131c、位于第二氧化物半导体构件130B2(参照图5)内部的初始化沟道131d以及位于第三氧化物半导体构件130B3(参照图5)内部的旁路沟道131g。
外部光阻挡构件70可以包括：第一阻挡构件71，从第一驱动电压线172a延伸并与补偿沟道131c叠置(参照图3)；第二阻挡构件72，与初始化沟道131d叠置；以及第三阻挡构件73，与旁路沟道131g叠置。随后将描述外部光阻挡构件70。
如图10中所示，第二沟道30b设置在彼此分开的氧化物半导体构件130B内部，并且每个氧化物半导体构件130B具有例如正方形形状。然而，氧化物半导体构件130B的形状不限于此，并且各种形状的变化是可能的。氧化物半导体构件130B可以包括位于补偿晶体管T3中的第一氧化物半导体构件130B1、位于初始化晶体管T4中的第二氧化物半导体构件130B2以及位于旁路晶体管T7中的第三氧化物半导体构件130B3。
氧化物半导体构件130B可以包括氧化物半导体。在示例性实施例中，例如，氧化物半导体可以包括金属氧化物半导体，并且可以包括诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)和钛(Ti)的金属的氧化物，或者诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)和钛(Ti)的金属的组合的氧化物。在示例性实施例中，例如，氧化物可以包括氧化锌(ZnO)、氧化锌锡(“ZTO”)、氧化锌铟(“ZIO”)、氧化铟(InO)、氧化钛(TiO)、氧化铟镓锌(“IGZO”)和氧化铟锌锡(“IZTO”)中的至少一种。
补偿晶体管T3包括补偿沟道131c、补偿栅电极155c、补偿源电极136c(参照图11)和补偿漏电极137c。补偿晶体管T3具有补偿栅电极155c设置在补偿沟道131c下的底栅结构。
作为第二扫描线152的一部分的补偿栅电极155c(参照图5)可以与第一氧化物半导体构件130B1叠置。补偿源电极136c对应于第二连接构件174(参照图11)的一个端部，补偿漏电极137c(参照图11)对应于第一连接构件173的中心部分(参照图11)。
补偿源电极136c和补偿漏电极137c在平面图中与第一氧化物半导体构件130B1部分地叠置。在第一氧化物半导体构件130B1之中，不与补偿源电极136c和补偿漏电极137c叠置的部分可以形成补偿沟道131c。因此，由于补偿沟道131c暴露在外部，所以容易由于外部光而产生泄漏电流。与补偿沟道131c叠置的第一阻挡构件71被设置为从第一驱动电压线172a延伸。第一阻挡构件71可以防止外部光透射到补偿沟道131c，使得可以使由外部光引起的泄漏电流最小化。
第二连接构件174的另一端部174a(参照图11)可以通过接触孔63(参照图3)连接到驱动漏电极137a(参照图4)。
初始化晶体管T4包括初始化沟道131d、初始化栅电极155d、初始化源电极136d和初始化漏电极137d。初始化晶体管T4具有初始化栅电极155d位于初始化沟道131d下的底栅结构。作为第三扫描线153的一部分的初始化栅电极155d可以与初始化沟道131d叠置。初始化源电极136d对应于第三连接构件175(参照图11)的一个端部，初始化漏电极137d对应于第一连接构件173的另一端部。
初始化源电极136d和初始化漏电极137d在平面图中与第二氧化物半导体构件130B2部分地叠置。在第二氧化物半导体构件130B2之中，不与初始化源电极136d和初始化漏电极137d叠置的部分可以形成初始化沟道131d。因此，由于初始化沟道131d暴露在外部，所以容易由于外部光而产生泄漏电流。与初始化沟道131d叠置的第二阻挡构件72被设置为从第一驱动电压线172a延伸。第二阻挡构件72可以防止外部光透射到初始化沟道131d，使得可以使由外部光引起的泄漏电流最小化。
第三连接构件175的中心部分175a可以通过接触孔64(参照图3)连接到初始化电压线156。
旁路晶体管T7包括旁路沟道131g、旁路栅电极155g、旁路源电极136g和旁路漏电极137g。旁路晶体管T7具有旁路栅电极155g位于旁路沟道131g下的底栅结构。
作为旁路控制线155的一部分的旁路栅电极155g可以与第三氧化物半导体构件130B3叠置。
第四连接构件176(参照图11)的一个端部对应于旁路源电极136g，第四连接构件176的另一端部176a(参照图11)可以通过接触孔81(参照图3和图4)连接到第六连接构件74(参照图3和图4)。第六连接构件74可以通过接触孔83连接到像素电极191。
在平面图中，旁路源电极136g和旁路漏电极137g与第三氧化物半导体构件130B3的一部分叠置。在第三氧化物半导体构件130B3之中，不与旁路源电极136g和旁路漏电极137g叠置的部分可以形成旁路沟道131g。因此，由于旁路沟道131g暴露在外部，所以容易由外部光产生泄漏电流。与旁路沟道131g叠置的第三阻挡构件73被设置为从第一驱动电压线172a延伸。第三阻挡构件73可以防止外部光透射到旁路沟道131g，使得可以使由外部光引起的泄漏电流最小化。
旁路源电极136g(参照图11)可以通过接触孔66(参照图3)连接到发光控制漏电极137f，旁路漏电极137g可以直接连接到初始化源电极136d(参照图11)。
这里，补偿栅电极155c、初始化栅电极155d和旁路栅电极155g形成第二栅电极。补偿源电极136c、初始化源电极136d和旁路源电极136g形成第二源电极，补偿漏电极137c、初始化漏电极137d和旁路漏电极137g形成第二漏电极。
如图9中所示，存储电容器Cst包括经由第二栅极绝缘层142(参照图4至图6)而彼此叠置的第一存储电极155a(参照图4和图8)和第二存储电极172b。第一存储电极155a对应于驱动栅电极155a，作为从第二驱动电压线172b延伸的一部分的第二存储电极172b占据比驱动栅电极155a宽的区域，从而完全覆盖驱动栅电极155a。
这里，第二栅极绝缘层142为介电材料，并且由充入存储电容器Cst的电荷以及两个存储电极155a和172b之间的电压来确定存储电容。如上所述，因为驱动栅电极155a被用作第一存储电极155a，所以可以在由在像素PX中具有大面积的驱动沟道131a变窄的空间中获得用于形成存储电容器Cst的空间。
作为驱动栅电极155a的第一存储电极155a可以通过接触孔61和存储开口51连接到第一连接构件173的一个端部173a。存储开口51是限定在第二存储电极172b中的开口。因此，连接第一连接构件173的一个端部173a和驱动栅电极155a的接触孔61被限定在存储开口51内部。第一连接构件173与数据线171设置在同一层中以与数据线171基本平行，第一连接构件173的中心部分与补偿晶体管T3的补偿漏电极137c对应，第一连接构件173的另一端部与初始化晶体管T4的初始化漏电极137d对应。
因此，第一连接构件173连接驱动栅电极155a、补偿晶体管T3的补偿漏电极137c和初始化晶体管T4的初始化漏电极137d。
第二存储电极172b可以通过接触孔68(参照图3)连接到第五连接构件178(参照图11)的一个端部178a(参照图11)。第五连接构件178的另一端部178b可以通过接触孔82(参照图3)连接到第一驱动电压线172a(参照图2和图3)。因此，存储电容器Cst存储与通过第一驱动电压线172a传输到第二存储电极172b的驱动电压ELVDD和驱动栅电极155a的驱动栅极电压之间的差对应的存储电容。
在下文中，将参照图4和图5根据堆叠顺序详细描述根据发明的示例性实施例的显示装置的剖面结构。
缓冲层120可以设置在基底110上。在示例性实施例中，基底110可以被设置为包括例如玻璃、石英、陶瓷和塑料等的绝缘基底，缓冲层120可以在用于形成多晶硅的结晶工艺期间通过阻挡来自基底110的杂质而用于改善多晶硅的特性并且减小施加到基底110的应力。
其中设置有驱动沟道131a、开关沟道131b、操作控制沟道131e和发光控制沟道131f的多晶半导体构件130A(参考图7)可以设置在缓冲层120上。
在多晶半导体构件130A中，驱动源电极136a和驱动漏电极137a可以设置在驱动沟道131a的相应的相对侧，开关源电极136b和开关漏电极137b可以设置在开关沟道131b的相应的相对侧。
操作控制源电极136e和操作控制漏电极137e设置在操作控制沟道131e的相应的相对侧，发光控制源电极136f和发光控制漏电极137f设置在发光控制沟道131f的相应的相对侧。
覆盖多晶半导体构件130A的第一栅极绝缘层141可以设置在多晶半导体构件130A上。第一栅极绝缘层141可以是第一绝缘层。
如图8中所示，在第一栅极绝缘层141上，可以设置第一栅极金属线(151、154、156和155a)，第一栅极金属线(151、154、156和155a)包括：第一扫描线151，包括开关栅电极155b(参照图4)；发光控制线154，包括操作控制栅电极155e和发光控制栅电极155f；驱动栅电极155a；以及初始化电压线156。
覆盖第一栅极金属线(151、154、156和155a)和第一栅极绝缘层141的第二栅极绝缘层142可以设置在第一栅极金属线(151、154、156和155a)和第一栅极绝缘层141上。在示例性实施例中，例如，第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142可以包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。
如图9中所示，第二栅极金属线(172b、152、153和155)可以设置在第二栅极绝缘层142上，第二栅极金属线(172b、152、153和155)包括第二驱动电压线172b、包括补偿栅电极155c(参照图5)的第二扫描线152、包括初始化栅电极155d(参照图5)的第三扫描线153以及包括旁路栅电极155g(参照图5)的旁路控制线155。
在示例性实施例中，例如，包括第一栅极金属线(151、154、156和155a)和第二栅极金属线(172b、152、153和155)的栅极金属线(151、154、156、155a、172b、152、153和155)可以被设置为其中堆叠有包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)和钼合金中的一种的金属层的多层。然而，第一栅极金属线(151、154、156和155a)和第二栅极金属线(172b、152、153和155)不包括相同的材料，并且可以包括不同的材料。
层间绝缘层160(参照图4至图6)可以设置在第二栅极绝缘层142和第二栅极金属线(172b、152、153和155)上。在示例性实施例中，例如，层间绝缘层160可以包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。
如图10中所示，接触孔61、62、63、64、65、66和68可以被限定在层间绝缘层160中。包括第一氧化物半导体构件130B1、第二氧化物半导体构件130B2和第三氧化物半导体构件130B3的氧化物半导体构件130B可以设置在层间绝缘层160上，补偿沟道131c、初始化沟道131d和旁路沟道131g分别设置在第一氧化物半导体构件130B1、第二氧化物半导体构件130B2和第三氧化物半导体构件130B3中。
如图11中所示，包括数据线171、第一连接构件173、第二连接构件174、第三连接构件175、第四连接构件176和第五连接构件178的第一数据金属线(171、173、174、175、176和178)可以设置在氧化物半导体构件130B(参照图10)和层间绝缘层160(参照图4和图6)上。在示例性实施例中，第一数据金属线(171、173、174、175、176和178)可以被设置为其中堆叠有包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)和钼合金中的任何一种的金属层的多层，并且例如可以被设置为钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)的三层、钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)的三层或钼/铜/钼(Mo/Cu/Mo)的三层。
数据线171可以通过限定在第一栅极绝缘层141(参照图4至图6)、第二栅极绝缘层142(参照图4至图6)以及层间绝缘层160中的接触孔62(参照图3和图4)连接到开关源电极136b，第一连接构件173的一个端部173a可以通过限定在第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160中的接触孔61(参照图3和图4)连接到第一存储电极155a(参照图4和图8)。
第四连接构件176的另一端部176a可以通过限定在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160中的接触孔66(参考图3和图4)连接到发光控制漏电极137f(参照图4)。
覆盖第一数据金属线(171、173、174、175、176和178)、第二沟道30b和层间绝缘层160的第一钝化层181(参照图4至图6)可以设置在第一数据金属线(171、173、174、175、176和178)、第二沟道30b和层间绝缘层160上。在示例性实施例中，第一钝化层181可以包括诸如聚丙烯酰类树脂、聚酰亚胺类树脂的有机材料或者有机材料和无机材料的沉积层。第一钝化层181可以是第二绝缘层。
如图3中所示，接触孔81和82可以限定在第一钝化层181中。
包括第一驱动电压线172a、外部光阻挡构件70(参照图3)和第六连接构件74(参照图3)的第二数据金属线(172a、70和74)可以设置在第一钝化层181上。
如上所述，数据线171和第一驱动电压线172a设置在不同的层上，从而可以在同一空间中设置更多的像素PX，使得可以制造具有高分辨率的显示装置。
外部光阻挡构件70可以与第一驱动电压线172a设置在同一层中，并且可以连接到第一驱动电压线172a。因此，向外部光阻挡构件70施加与传输到第一驱动电压线172a的驱动电压ELVDD(参照图1)相同的电压。
图12是图3的补偿晶体管的局部放大图。
如图12中所示，第一阻挡构件71的第一边界线711和补偿沟道131c在宽度方向(例如，图12中的竖直方向)上的平面的第一间隔d1可以大于第一阻挡构件71的第二边界线712和补偿沟道131c在长度方向(例如，图12中的水平方向)上的平面的第二间隔d2。这是因为补偿沟道131c的两端通过补偿源电极136c和补偿漏电极137c部分地阻挡外部光，使得补偿沟道131c的长度方向比宽度方向暴露得少。因此，由于在补偿沟道131c的宽度方向上延伸的第一间隔d1比在补偿沟道131c的长度方向上延伸的第二间隔d2增大得多，所以可以阻挡更多的外部光。
外部光阻挡构件70的第一边界线711可以是与第一扫描线151的延伸方向平行的边界，外部光阻挡构件70的第二边界线712可以是与数据线171的延伸方向平行的边界。在图12中，仅描述了与补偿晶体管T3叠置的第一阻挡构件71，但它不限于此，可以将相同的描述应用于与初始化晶体管T4叠置的第二阻挡构件72以及与旁路晶体管T7叠置的第三阻挡构件73。
当外部光阻挡构件70(参照图3)与像素电极191(图3至图6)形成在同一层中时，必定减小像素电极191的面积，使得难以实现具有高分辨率的显示装置。此外，当外部光阻挡构件70与像素电极191形成在同一层中时，反射率由于外部光阻挡构件70而增大。
在示出的示例性实施例中，由于外部光阻挡构件70与第一驱动电压线172a(参照图2和4)设置同一层中，所以可以在不减小像素电极191的面积的情况下，制造具有高分辨率的显示装置并且不增大反射率。
当包括有机材料的第一钝化层181(图4至图6)设置在第二沟道30b与外部光阻挡构件70之间时，可以使第二沟道30b的由于外部光阻挡构件70的特性的变化最小化。即，预定大小的驱动电压ELVDD必定传输到连接到第一驱动电压线172a的外部光阻挡构件70，然而，当产生不希望的电压变化时，包括第二沟道30b的第二晶体管TB的特性会改变。为了防止这种情况，置于第二沟道30b(参照图10)和外部光阻挡构件70之间的第一钝化层181可以包括有机材料。有机材料可以使晶体管的由于电压变化的特性变化最小化。
在示出的示例性实施例中，连接到第一驱动电压线172a的外部光阻挡构件70与第二沟道30b叠置，然而，它不限于此，外部光阻挡构件70可以是施加直流(“DC”)电压的各种布线。在示例性实施例中，例如，外部光阻挡构件70可以包括连接到传输作为DC电压的初始化电压Vint的初始化电压线156的布线。
第二钝化层182(参照图4至图6)可以设置在第二数据金属线(172a、70和74)和第一钝化层181上。在示例性实施例中，第二钝化层182可以包括诸如聚丙烯酰类树脂、聚酰亚胺类树脂的有机材料或者有机材料和无机材料的沉积层。
第二钝化层182将第二数据金属线(172a、70和74)覆盖为平坦的，使得像素电极191可以设置在没有台阶的第二钝化层182上。接触孔83(参照图3和图6)可以被限定在第二钝化层182中。
作为第一电极的像素电极191可以设置在第二钝化层182上。第六连接构件74可以通过被限定在第二钝化层182中的接触孔83连接到像素电极191。
覆盖第二钝化层182和像素电极191的边缘的像素限定层(“PDL”)350(参照图4至图6)可以设置在第二钝化层182和像素电极191的边缘上，并且使像素电极191暴露的像素开口351(参照图6)被限定在PDL 350中。在示例性实施例中，PDL 350可以包括诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂的有机材料或者二氧化硅系无机材料。
作为发光构件的有机发射层370(参照图6)设置在由像素开口351暴露的像素电极191上，并且作为第二电极的共电极270(参照图4至图6)设置在有机发射层370上。共电极270也设置在PDL 350上，从而设置为遍及多个像素PX。如此，设置包括像素电极191、有机发射层370和共电极270的OLED。
这里，例如，像素电极191为作为空穴注入电极的阳极，共电极270为作为电子注入电极的阴极。然而，根据发明的示例性实施例不必限于此，例如，根据显示装置的驱动方法，像素电极191可以为阴极，共电极270可以为阳极。空穴和电子分别从像素电极191和共电极270注入到有机发射层370中，并且通过结合注入的空穴和电子而获得的激子从激发态落至基态。
在示例性实施例中，例如，有机发射层370包括低分子有机材料或诸如聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(“PEDOT”)的高分子有机材料。此外，在示例性实施例中，有机发射层370可以设置有包括发射层以及空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、电子传输层(“ETL”)和电子注入层(“EIL”)中的至少一者的多层。当有机发射层370包括所有层时，空穴注入层设置在作为正电极的像素电极191上，并且空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层依次层叠在空穴注入层上。
保护OLED的封装构件(未示出)可以设置在共电极270上，封装构件可以通过密封剂密封基底110，并且可以包括诸如玻璃、石英、陶瓷、塑料和金属的各种材料。薄膜封装层可以通过沉积无机层和有机层设置在共电极270上，而不使用密封剂。
尽管已经结合目前认为是实际的示例性实施例描述了本发明，但要理解的是，发明不限于所公开的实施例，相反，而是意图涵盖包括在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (23)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底：
驱动晶体管，设置在所述基底上，并且包括：驱动沟道，设置在所述基底上，并且包括多晶半导体；驱动源电极和驱动漏电极，设置在所述驱动沟道的相应相对侧；以及驱动栅电极，与所述驱动沟道叠置；
第一绝缘层，覆盖所述驱动栅电极；
补偿晶体管，设置在所述第一绝缘层上，并且包括：补偿沟道，包括氧化物半导体；补偿源电极和补偿漏电极，设置在所述补偿沟道上；以及补偿栅电极，与所述补偿沟道叠置；
第二绝缘层，覆盖所述补偿晶体管；以及
驱动电压线，设置在所述第二绝缘层上，
其中，所述补偿源电极和所述补偿漏电极中的一个与所述驱动栅电极电连接，并且
在平面图中，所述驱动电压线与所述补偿沟道的至少一部分叠置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一扫描线，设置在所述基底上；
数据线，与所述第一扫描线交叉；以及
开关晶体管，设置在所述基底上，并且包括：开关沟道，设置在所述基底上，并且包括多晶半导体；开关源电极和开关漏电极，设置在所述开关沟道的相应相对侧；以及开关栅电极，与所述开关沟道叠置，
其中，所述开关栅电极电连接到所述第一扫描线，
所述开关源电极电连接到所述数据线，并且
所述开关漏电极电连接到所述驱动晶体管。
3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二扫描线和第三扫描线，设置在所述基底上，
其中，所述补偿栅电极电连接到所述第二扫描线。
4.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括：
旁路控制线，设置在所述基底上；以及
旁路晶体管，设置在所述第一绝缘层上，并且包括：旁路沟道，包括氧化物半导体；旁路源电极和旁路漏电极，设置在所述旁路沟道上；以及旁路栅电极，与旁路沟道叠置；
其中，所述旁路栅电极电连接到所述旁路控制线。
5.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括：
发光控制线，设置在所述基底上；
操作控制晶体管，设置在所述基底上，并且包括：操作控制沟道，设置在所述基底上，并且包括多晶半导体；操作控制源电极和操作控制漏电极，设置在操作控制沟道的相应相对侧；以及操作控制栅电极，与所述操作控制沟道叠置；以及
发光控制晶体管，设置在所述基底上，并且包括：发光控制沟道，设置在所述基底上，并且包括多晶半导体；发光控制源电极和发光控制漏电极，设置在所述发光控制沟道的相应相对侧；以及发光控制栅电极，与所述发光控制沟道叠置，
其中，所述操作控制栅电极和所述发光控制栅电极电连接到所述发光控制线。
6.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括：
初始化晶体管，设置在所述第一绝缘层上，并且包括：初始化沟道，包括氧化物半导体；初始化源电极和初始化漏电极，设置在所述初始化沟道的相应相对侧；以及初始化栅电极，与所述初始化沟道叠置，
其中，所述初始化源电极和所述初始化漏电极中的一个电连接到所述驱动栅电极，并且
在平面图中，所述驱动电压线与所述初始化沟道的至少一部分叠置。
7.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
驱动晶体管，设置在所述基底上，并且包括：驱动沟道，设置在所述基底上，并且包括多晶半导体；驱动源电极和驱动漏电极，设置在所述驱动沟道的相应相对侧；以及驱动栅电极，与所述驱动沟道叠置；
第一绝缘层，覆盖所述驱动栅电极；
初始化晶体管，设置在所述第一绝缘层上，并且包括：初始化沟道，包括氧化物半导体；初始化源电极和初始化漏电极，设置在所述初始化沟道上；以及初始化栅电极，与所述初始化沟道叠置；
第二绝缘层，覆盖所述初始化晶体管；以及
驱动电压线，设置在所述第二绝缘层上，
其中，所述初始化源电极和所述初始化漏电极中的一个电连接到所述驱动栅电极，并且
在平面图中，所述驱动电压线与所述初始化沟道的至少一部分叠置。
8.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一扫描线，设置在所述基底上；
数据线，与所述第一扫描线交叉；以及
开关晶体管，设置在所述基底上，并且包括：开关沟道，设置在所述基底上，并且包括多晶半导体；开关源电极和开关漏电极，设置在所述开关沟道的相应相对侧；以及开关栅电极，与所述开关沟道叠置，
其中，所述开关栅电极电连接到所述第一扫描线，
所述开关源电极电连接到所述数据线，并且
所述开关漏电极电连接到所述驱动晶体管。
9.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二扫描线和第三扫描线，设置在所述基底上，
其中，所述初始化栅电极电连接到所述第三扫描线。
10.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括：
旁路控制线，设置在所述基底上；以及
旁路晶体管，设置在所述第一绝缘层上，并且包括：旁路沟道，包括氧化物半导体；旁路源电极和旁路漏电极，设置在所述旁路沟道上；以及旁路栅电极，与所述旁路沟道叠置；
其中，所述旁路栅电极电连接到所述旁路控制线。
11.根据权利要求10所述的显示装置，所述显示装置还包括：
发光控制线，设置在所述基底上，
操作控制晶体管，设置在所述基底上，并且包括：操作控制沟道，设置在所述基底上，并且包括多晶半导体；操作控制源电极和操作控制漏电极，设置在所述操作控制沟道的相应相对侧；以及操作控制栅电极，与所述操作控制沟道叠置；以及
发光控制晶体管，设置在所述基底上，并且包括：发光控制沟道，设置在所述基底上，并且包括多晶半导体；发光控制源电极和发光控制漏电极，设置在所述发光控制沟道的相应相对侧；以及发光控制栅电极，与所述发光控制沟道叠置，
其中，所述操作控制栅电极和所述发光控制栅电极电连接到所述发光控制线。
12.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
第一晶体管，设置在所述基底上，并且包括：第一沟道，设置在所述基底上，并且包括多晶半导体；第一源电极和第一漏电极，设置在所述第一沟道的相应相对侧；以及第一栅电极，与所述第一沟道叠置；
第一绝缘层，在所述第一栅电极上；
第二晶体管，设置在所述基底上，与所述第一晶体管分开，并且包括：第二栅电极，设置在所述第一绝缘层上；第二沟道，设置在所述第二栅电极上，并且包括氧化物半导体；以及第二源电极和第二漏电极，设置在所述第二沟道上；以及
驱动电压线，设置在所述第二源电极和所述第二漏电极上，并且与所述第二沟道叠置；
第一电极，连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个；
第二电极，与所述第一电极叠置；以及
发光构件，设置在所述第一电极和所述第二电极之间。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述驱动电压线包括在第一方向上延伸的第一驱动电压线和在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第二驱动电压线。
14.根据权利要求13所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二绝缘层，在所述第二源电极和所述第二漏电极与所述驱动电压线之间，
其中，所述第二绝缘层包括有机材料。
15.根据权利要求14所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一扫描线，设置在所述基底上；
第二扫描线，设置在所述基底上；以及
数据线，与所述第一扫描线和所述第二扫描线交叉，
其中，所述第一晶体管还包括：开关晶体管，连接到所述第一扫描线和所述数据线；以及驱动晶体管，连接到所述开关晶体管，
所述第二晶体管还包括：补偿晶体管，连接到所述第二扫描线，
所述补偿晶体管包括与所述第二扫描线叠置的第一氧化物半导体，
所述第二沟道包括设置在所述第一氧化物半导体中的补偿沟道，并且
所述补偿沟道与所述驱动电压线叠置。
16.根据权利要求15所述的显示装置，所述显示装置还包括
第三扫描线，在与所述第一扫描线相同的方向上延伸；以及
初始化电压线，
其中，所述第二晶体管还包括：初始化晶体管，连接到所述第三扫描线，并且将所述初始化电压传输到所述驱动晶体管的驱动栅电极，
所述初始化晶体管包括与所述第三扫描线叠置的第二氧化物半导体，
所述第二沟道还包括设置在所述第二氧化物半导体中的初始化沟道，并且
所述初始化沟道与所述驱动电压线叠置。
17.根据权利要求16所述的显示装置，所述显示装置还包括：
旁路控制线，
其中，所述第二晶体管还包括：旁路晶体管，连接到所述旁路控制线，并且旁通由所述驱动晶体管传输的驱动电流的一部分，
所述旁路晶体管包括与所述旁路控制线叠置的第三氧化物半导体，
所述第二沟道还包括设置在所述第三氧化物半导体中的旁路沟道，并且
所述旁路沟道与所述驱动电压线叠置。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，
所述数据线和所述第一驱动电压线设置在彼此不同的层中。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，
所述第一扫描线和所述初始化电压线设置在彼此相同的层中，并且
所述第二扫描线、所述第三扫描线和所述旁路控制线设置在彼此相同的层中。
20.根据权利要求17所述的显示装置，其中，
所述补偿沟道、所述初始化沟道和所述旁路沟道彼此分开。
21.根据权利要求17所述的显示装置，其中，
所述第二栅电极包括：补偿栅电极，作为所述第二扫描线的一部分，并且与所述补偿沟道叠置；初始化栅电极，作为所述初始化电压线的一部分，并且与所述初始化沟道叠置；以及旁路栅电极，作为所述旁路控制线的一部分，并且与所述旁路沟道叠置。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，
所述第二源电极包括：补偿源电极，设置在与所述数据线相同的层中，并且与所述第一氧化物半导体部分地叠置；初始化源电极，设置在与所述数据线相同的层中，并且与所述第二氧化物半导体部分地叠置；以及旁路源电极，设置在与所述数据线相同的层中，并且与所述第三氧化物半导体部分地叠置。
23.根据权利要求22所述的显示装置，其中，
所述第二漏电极包括：补偿漏电极，设置在与所述数据线相同的层中，并且与所述第一氧化物半导体部分地叠置；初始化漏电极，设置在与所述数据线相同的层中，并且与所述第二氧化物半导体部分地叠置；以及旁路漏电极，设置在与所述数据线相同的层中，并且与所述第三氧化物半导体部分地叠置。
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