CN117641982A - 显示装置及用于修复该显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及显示装置及用于修复该显示装置的方法。该显示装置包括：基板，该基板包括多个子像素；阳极，该阳极被包括在子像素中的每一个中；以及存储电容器，该存储电容器设置在阳极下方并与阳极交叠，其中，阳极包括第一子像素的第一阳极以及与第一子像素邻近设置的第二子像素的第二阳极，其中，第二阳极包括修复图案，该修复图案朝向第一子像素延伸以便与第一子像素的存储电容器交叠。

Description

显示装置及用于修复该显示装置的方法
技术领域
本公开涉及显示装置及用于修复该显示装置的方法，并且更具体地涉及包括能够在提高孔径比的同时修复缺陷像素的修复图案的显示装置以及用于修复该显示装置的方法。
背景技术
显示装置被应用于诸如电视、手机、笔记本电脑和平板电脑之类的各种电子装置。为此，开发薄化、轻型化和低功耗显示装置的研究正在继续。
显示装置的示例包括液晶显示装置(LCD)、等离子显示装置(PDP)、场发射显示装置(FED)、电润湿显示装置(EWD)和有机发光显示装置(OLED)。
有机发光显示装置(OLED)包括设置在显示图像的显示区域中的多个像素区域、以及与所述多个像素区域对应的多个有机发光元件。由于有机发光元件为自身发光的自发光元件，所以与液晶显示装置相比，有机发光显示装置具有响应速度快、发光效率高、亮度和视角大以及对比度和色彩再现性优异的优点。
在制造有机发光显示装置的工艺中，由于例如异物的各种原因，子像素中可能出现诸如亮斑(bright spot)或暗斑(dark spot)之类的缺陷。子像素中出现的缺陷使整个显示区域的品质劣化，由此降低显示装置的可靠性。因此，正在进行研究以将缺陷子像素修复为正常子像素。
发明内容
为了在显示装置中实现高清屏幕，特别是8K的超高清(UHD)屏幕，确保孔径比是重要的。因此，需要一种能够确保孔径比并将缺陷子像素转换成正常子像素的修复方法。
因此，根据本公开的实施方式所要实现的目的在于提供一种能够有效利用子像素区域的空间并确保孔径比以提高有机发光元件的使用寿命的显示装置。
此外，根据本公开的实施方式所要实现的目的在于提供一种能够容易地成功修复缺陷子像素并增加电容器区域的面积大小的显示装置。
另外，根据本公开的实施方式所要实现的目的在于提供一种能够减小感测晶体管的电阻以稳定元件迁移率特性的显示装置。
另外，根据本公开的实施方式所要实现的目的在于提供一种用于修复显示装置中的缺陷子像素的方法。
根据本公开的目的不限于以上提及的目的。未提及的根据本公开的其它目的和优点可以基于以下描述理解，并且可以基于根据本公开的实施方式来更清楚地理解。此外，将容易理解，根据本公开的目的和优点可以使用权利要求中示出的手段或其组合来实现。
根据本公开的一个实施方式的显示装置包括：基板，该基板包括多个子像素；阳极，该阳极被包括在子像素中的每一个中；以及存储电容器，该存储电容器设置在阳极下方并与阳极交叠，其中，阳极包括第一子像素的第一阳极以及与第一子像素邻近设置的第二子像素的第二阳极，其中，第二阳极包括修复图案，该修复图案朝向第一子像素延伸以便与第一子像素的存储电容器交叠。
根据本公开的另一实施方式的显示装置包括：基板，该基板具有设置有感测晶体管的感测区域和包括修复区域的电容器区域；缓冲层，该缓冲层设置在基板上并且在感测区域和修复区域中；挡光层，该挡光层设置在基板与缓冲层之间并且在电容器区域的除了修复区域之外的一部分中；感测晶体管，该感测晶体管在感测区域中定位在缓冲层上；存储电容器，该存储电容器设置在缓冲层上并且在包括修复区域的电容器区域中；保护层，该保护层覆盖感测晶体管和存储电容器；覆盖膜，该覆盖膜设置在保护层上；修复孔，该修复孔设置在修复区域中并且延伸穿过覆盖膜以便暴露保护层的表面的一部分；以及修复图案，该修复图案设置在修复孔的暴露表面上并且与存储电容器交叠，同时保护层插设在修复图案与存储电容器之间。
提供了根据本公开的又一实施方式的用于修复显示装置的方法。该显示装置包括：基板，该基板包括多个子像素；第一阳极和存储电容器，该第一阳极和存储电容器被包括在多个子像素中的第一子像素中；以及修复图案，该修复图案从包括在与第一子像素邻近设置的第二子像素中的第二阳极延伸，其中，修复图案与第一子像素的存储电容器交叠，其中，该方法包括将激光照射到从第二阳极延伸的修复图案上以将第二子像素的修复图案电连接至第一子像素的存储电容器。
根据本公开的实施方式，修复区域可以设置在电容器区域中，使得可以不在其中设置用于修复图案的单独的空间。因此，可以确保空间余量，并且因此可以提高孔径比。
因此，即使在8K级超高清模型中，修复工艺也可以在确保孔径比的同时可靠地执行。
此外，代替挡光膜，电容器电极可以设置在修复图案下。因此，即使当激光照射位置与目标位置未对准时，也可以防止或减少修复工艺失败。
此外，单层结构可以设置在修复图案与第二电极之间。因此，与多层结构设置在修复图案与第二电极之间时相比，可以以相对更低的激光输出能级可靠地执行修复工艺。这可以防止或减少激光对周围元件的损坏。
另外，增大有源层与修复区域交叠的区域的面积大小可以允许感测晶体管的电阻减小，使得元件的迁移率特性可以稳定。
本公开的效果不限于以上提及的效果，并且本领域普通技术人员将从以下描述中清楚理解未提及的其它效果。
附图说明
图1为示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的图。
图2为示出设置在图1的显示区域上的子像素的一部分的平面图。
图3为图2中的电路区域的部分区域的放大平面图。
图4为沿着图3的I-I’和II-II’截取的截面图。
图5A至图5E为用于例示根据本公开的一个实施方式的用于制造显示装置的方法的图。
图6A至图6C为用于例示根据比较例的修复工艺的图。
图7为示出基于激光输出能级的修复结果的图像。
图8为示出根据本公开的另一实施方式的显示装置的平面图。
图9为沿着图8的IV-IV’截取的截面图。
图10为示出根据本公开的又一实施方式的显示装置的平面图。
具体实施方式
本公开的优点和特征、以及实现这些优点和特征的方法将通过参照后面结合附图详细描述的实施方式而变得显而易见。然而，本公开不受如以下所公开的实施方式限制，而是可以以各种不同的形式实现。因此，阐述这些实施方式仅为了使本公开完整，并且为了向本公开所属技术领域普通技术人员完整地告知本公开的范围。
为了例示的简单和清楚，图中的元件不一定按比例绘制。不同图中的相同的附图标记表示相同或相似的元件，并且因此执行相似的功能。此外，为了描述的简单，省略了公知的步骤和元件的描述和细节。此外，在本公开的以下详细描述中，阐述许多具体细节以便提供对本公开的透彻理解。然而，将理解可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开。在其它实例中，没有详细描述公知的方法、过程、组件和电路，以便不会不必要地模糊本公开的方面。以下进一步例示并描述各种实施方式的示例。将理解，本文中的描述并不旨在将权利要求限于所描述的具体实施方式。相反，其旨在涵盖如可以被包括在由所附权利要求限定的本公开的精神和范围内的替换、修改和等同物。
在图中公开以用于描述本公开的实施方式的形状、大小、比率、角度、数量等是例示性的，并且本公开不限于此。在本文中相同的附图标记指代相同的元件。
本文中使用的术语仅出于描述特定实施方式的目的并且不旨在限制本公开。如在本文中使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数构成“一”和“一个”旨在也包括复数构成。将进一步理解，术语“包括”、“包含”、“含有”和“具有”在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、整数、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或更多个其它特征、整数、操作、元件、组件和/或其部分的存在或添加。如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关联的所列项中的任何和所有组合。例如“至少一个”的表达在元件的列表之前时可以表示整个列表的元件，并且可以表示列表中的单独元件，或者可以表示列表中的元件的任何组合。在数值的解释中，即使当没有其明确描述时，也可能出现其中的误差或公差。
另外，也将理解，当第一元件或层被称为存在于第二元件或层“上”时，第一元件可以直接设置在第二元件上，或者可以间接设置在第二元件上且第三元件或层被插设在第一元件或层与第二元件或层之间。将理解，当元件或层被称为“连接到”或“联接到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上或者被连接到或联接到另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。另外，也将理解，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，它可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。
此外，如在本文中使用的，当层、膜、区、板等被设置在另一层、膜、区、板等“上”或“顶部上”时，前者可以直接接触后者，或者又一层、膜、区、板等可以被设置在前者与后者之间。如在本文中使用的，当层、膜、区、板等被直接设置在另一层、膜、区、板等“上”或“顶部上”时，前者直接接触后者且又一层、膜、区、板等不被设置在前者与后者之间。此外，如在本文中使用的，当层、膜、区、板等被设置在另一层、膜、区、板等“下方”或“下”时，前者可以直接接触后者，或者又一层、膜、区、板等可以被设置在前者与后者之间。如在本文中使用的，当层、膜、区、板等被直接设置在另一层、膜、区、板等“下方”或“下”时，前者直接接触后者且又一层、膜、区、板等不被设置在前者与后者之间。
在时间关系(例如，两个事件之间的诸如“之后”、“随后”、“之前”等的时间先例关系)的描述中，除非指示“直接在之后”、“直接在随后”或“直接在之前”，否则另一事件可以在其间发生。
当某实施方式可以以不同方式被实现时，在特定的框中所指定的功能或操作可以按与流程图中所指定的顺序不同的顺序发生。例如，连续的两个框实际上可以基本同时执行，或者两个框可以根据所涉及的功能或操作按相反顺序执行。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用于描述各种元件、组件、区、层和/或区段，但是这些元件、组件、区、层和/或区段不应受这些术语限制。这些术语被用于区分一个元件、组件、区、层或区段与另一元件、组件、区、层或区段。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、组件、区、层或区段可以被称为第二元件、组件、区、层或区段。
本公开的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此组合，并且可以在技术上彼此关联或彼此操作。实施方式可以彼此独立地实现并且可以以关联关系一同实现。
在解释数值时，除非有其单独的明确描述，否则值被解释为包括误差范围。
除非另有限定，否则在本文中使用的包括技术术语和科学术语的所有术语具有与本发明构思所属的技术领域的普通技术人员通常所理解的相同含义。将进一步理解，除非在本文中明确如此限定，否则术语(例如，在常用词典中限定的术语)应当被解释为具有与它们在相关技术领域的上下文中的含义一致的含义并且将不以理想化或过于正式的意义来解释。
如在本文中使用的，“实施方式”、“示例”、“方面”等不应被解释为使得如所描述的任何方面或设计比其它方面或设计更优或更有利。
此外，术语“或”意指“包括性的或”而非“排他性的或”。也就是说，除非另有陈述或从上下文中清楚，否则“x使用a或b”的表达意指自然的包括性排列中的任一个。
以下描述中所使用的术语在相关技术领域被选为一般性的或通用性的。然而，可能根据技术的发展和/或变化、惯例、技术人员的偏好等而存在除了这些术语之外的其它术语。因此，以下描述中所使用的术语不应当被理解为限制技术思想，而是应当被理解为用于描述实施方式的术语的示例。
此外，在特定的情况下，术语可以由申请人任意地选择，并且在这种情况下，其详细含义将在对应的描述部分中描述。因此，以下描述中所使用的术语不仅应当简单地仅基于术语的名称来理解，而且还应当基于整个具体实施方式的内容和术语的含义来理解。
在下文，将参照附图描述根据本公开的每个实施方式的显示装置。
图1为示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的图。
参照图1，显示装置包括包含显示区域AA的显示面板100以及用于向显示面板100提供驱动信号的面板驱动器11、12和13。显示面板100包括输出图像的显示区域AA、以及设置在显示区域AA上且彼此平行布置且输出用于显示图像的相应光束的多个子像素SPA。
多个子像素SPA中的每一个发射在与多个不同的颜色当中的一个颜色对应的波长范围中的光。在这方面，多个颜色可以包括红色、绿色和蓝色。然而，本公开不限于此。
显示面板100还包括连接至多个子像素SPA的信号线GL和DL。信号线GL和DL向每个子像素SPA传送面板驱动器11、12和13的驱动信号。例如，显示面板100可以包括提供扫描信号SCAN的选通线GL和提供数据信号VDATA的数据线DL。
显示面板100还可以包括第一驱动电力线和第二驱动电力线，第一驱动电力线和第二驱动电力线分别传送用于驱动设置在每个子像素SPA中的发光元件的第一驱动电力VDD和第二驱动电力VSS。
显示装置的面板驱动器11、12和13可以包括连接至显示面板100的选通线GL的选通驱动器11、连接至显示面板100的数据线DL的数据驱动器12、以及控制选通驱动器11和数据驱动器12中的每一者的操作定时的定时控制器13。
定时控制器13根据显示面板100的分辨率重新排列从外部源输入的数字视频数据RGB，并且向数据驱动器12提供重新排列的数字视频数据RGB'。
定时控制器13基于诸如垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、点时钟信号DCLK和数据使能信号DE之类的定时信号来生成并提供用于控制数据驱动器12的操作定时的数据控制信号DDC、以及用于控制选通驱动器11的操作定时的选通控制信号GDC。
选通驱动器11基于选通控制信号GDC在用于图像显示的一个帧期间向多条选通线GL依次提供扫描信号SCAN。在这方面，选通线GL可以与多个子像素SPA当中的沿水平方向布置成一行的子像素SPA对应。
数据驱动器12基于数据控制信号DDC将重新排列的数字视频数据RGB'转换成模拟数据电压。数据驱动器12基于重新排列的数字视频数据RGB'在每个水平时段期间向数据线DL提供与对应于每条选通线GL的每个子像素SPA相对应的数据信号VDATA。
多条选通线GL中的每一条可以沿显示面板100的第一方向延伸。多条数据线DL中的每一条可以沿显示面板100的与第一方向交叉的第二方向延伸。也就是说，选通线GL和数据线DL可以被设置成彼此交叉。
设置在显示区域AA上的多个子像素SPA可以沿着第一方向和第二方向以矩阵形式(M*N)(其中，M和N为自然数)布置。每个子像素SPA可以电连接至多条选通线GL中的一条选通线和多条数据线DL中的一条数据线。
图2为示出设置在图1的显示区域上的子像素的一部分的平面图。例如，图2示出了多个子像素SPA当中的彼此邻近设置的四个子像素。
参照图1和图2，多个子像素SPA可以布置在显示区域AA中。子像素SPA包括在第一方向和第二方向上彼此邻近布置的第一子像素SPX-1、第二子像素SPX-2、第三子像素SPX-3和第四子像素SPX-4。在本公开的一个实施方式中，为了便于例示，例示了四个子像素。然而，本公开不限于此。
在本公开的一个实施方式中，第一子像素SPX-1和第三子像素SPX-3被布置成在第一方向(X轴方向)上彼此间隔开，而第二子像素SPX-2和第四子像素SPX-4被布置成在第一方向(X轴方向)上彼此间隔开。第一子像素SPX-1和第二子像素SPX-2被布置成在作为第二方向的Y轴方向上彼此间隔开，而第三子像素SPX-3和第四子像素SPX-4被布置成在第二方向(Y轴方向)上彼此间隔开。在这方面，X轴方向可以被称为横向方向并且Y轴方向可以被称为纵向方向，或者X轴方向可以被称为纵向方向并且Y轴方向可以被称为横向方向。
子像素SPX-1、SPX-2、SPX-3和SPX-4中的每一个包括设置有发光的有机发光层的发光区域以及设置有用于向有机发光层提供驱动电流的电路元件的电路区域。
电路元件可以包括驱动晶体管DTr、存储电容器Cst、感测晶体管STr和开关晶体管SWTr。构成电路区域的电路元件设置在除了发光区域之外的剩余区域中。
在本公开的一个实施方式中，将描述构成设置在第一子像素SPX-1中的电路区域的电路元件。构成设置在第二子像素SPX-2、第三子像素SPX-3或第四子像素SPX-4中的每一个中的电路区域的电路元件可以具有与第一子像素SPX-1的电路元件的配置相同的配置。
驱动电源线EVDD设置在第一子像素SPX-1和第二子像素SPX-2的一侧。驱动电源线EVDD可以沿着作为第二方向的Y轴方向延伸。驱动电源线EVDD可以经由第一连接布线CL1提供电力电压。
数据线DL1和DL2设置在第一子像素SPX-1与第三子像素SPX-3之间以及第二子像素SPX-2与第四子像素SPX-4之间。数据线DL1和DL2向显示区域提供从数据驱动器12生成的数据信号。
数据线DL1和DL2可以沿着作为第二方向的Y轴方向延伸。数据线DL1和DL2可以包括设置在第一子像素SPX-1的另一侧上的第一数据线DL1以及设置在第三子像素SPX-3的一侧上的第二数据线DL2。第一数据线DL1设置在第一子像素SPX-1的与设置有驱动电源线EVDD的一侧相反的另一侧上。第一数据线DL1和第二数据线DL2彼此间隔开。
参考电源线VREF设置在第三子像素SPX-3的另一侧上。参考电源线VREF可以沿着作为第二方向的Y轴方向延伸。
选通线GL沿与沿Y轴方向延伸的驱动电源线EVDD、第一数据线DL1、第二数据线DL2和参考电源线VREF交叉的方向延伸。选通线GL可以沿着X轴方向延伸。选通线GL可以在数据信号经由第一数据线DL1和第二数据线DL2提供给子像素SPX-1、SPX-2、SPX-3和SPX-4中的每一个的同时提供扫描信号以选择每条水平线。
在本公开的一个实施方式中，第一子像素SPX-1和第三子像素SPX-3可以共同连接至驱动电源线EVDD。驱动晶体管DTr切换要提供给设置到子像素SPX-1、SPX-2、SPX-3和SPX-4中的每一个的有机发光元件的驱动电力。在一个示例中，设置在第一子像素SPX-1中的驱动晶体管DTr可以电连接至驱动电源线EVDD。
存储电容器Cst可以设置在驱动晶体管DTr与选通线GL之间。存储电容器Cst用于通过在其中充电经由驱动电源线EVDD提供的电压来保持有机发光元件的光发射。
感测晶体管STr可以连接至经由第二连接布线CL2提供感测信号的参考电源线VREF。在本公开的一个实施方式中，感测晶体管STr可以基于从选通线GL提供的扫描信号而导通。当感测晶体管被导通时，参考电源线VREF的感测信号可以提供至存储电容器Cst。感测晶体管STr的栅电极可以实施成选通线GL的一部分。
开关晶体管SWTr可以电连接至驱动晶体管DTr和数据线DL1。当开关晶体管SWTr被导通时，经由数据线DL1提供的数据电压可以被施加至驱动晶体管DTr。
当驱动晶体管DTr被导通时，从驱动电源线EVDD提供的电力被施加至有机发光元件以发光。此外，存储电容器Cst可以在驱动晶体管DTr被导通的定时持续时间期间保持驱动晶体管DTr的栅电极的电压恒定以保持有机发光元件的光发射。
在本公开的一个实施方式中，子像素SPX-1、SPX-2、SPX-3和SPX-4中的每一个可以被配置成包括用于将缺陷子像素修复为正常子像素的修复图案RP。例如，从第一子像素SPX-1沿Y轴方向布置的第二子像素SPX-2可以包括具有朝向第一子像素SPX-1延伸的形状的修复图案RP。
修复图案RP可以延伸以便与第一子像素SPX-1的存储电容器Cst的电极交叠，同时由绝缘材料制成的保护层插设在修复图案RP与电极之间。由于修复图案RP设置在设置有第一子像素SPX-1的存储电容器Cst的电容器区域中，所以第一子像素SPX-1的电容器区域的一部分可以被限定成修复区域。修复图案RP可以具有从第二子像素SPX-2的有机发光元件的阳极AE延伸的形状。在本公开的一个实施方式中，第二子像素SPX-2的修复图案RP和阳极AE可以包括相同的材料并且可以使用同一工艺形成。
从第三子像素SPX-3沿Y轴方向布置的第四子像素SPX-4可以包括具有朝向第三子像素SPX-3延伸的形状的修复图案。由于第四子像素SPX-4的修复图案设置在第三子像素SPX-3的电容器区域中，所以第三子像素SPX-3的电容器区域的一部分可以被限定为修复区域。修复图案可以具有从第四子像素SPX-4的有机发光元件的阳极延伸的形状。在本公开的一个实施方式中，第四子像素SPX-4的修复图案和阳极可以包括相同的材料并且可以使用同一工艺形成。
换句话说，在根据本公开的一个实施方式的显示面板100(见图1)的每个子像素中，多个修复图案被设置以将缺陷子像素转换成正常子像素。多个修复图案中的与一个子像素对应的一个修复图案朝向在Y轴方向上与该子像素邻近的另一子像素延伸以便设置在另一子像素的电容器区域中。因此，由于修复区域与电容器区域交叠，所以在子像素的电路区域中不需要单独的修复区域。因此，可以防止或减少单独的修复区域设置在电路区域中而减小开口的面积的情况。
在下文，将参照附图详细描述包括修复区域的电容器区域。
图3为图2中的电路区域的部分区域的放大平面图。图4为沿着图3的I-I’和II-II’截取的截面图。
参照图3和图4，缓冲层BUF可以设置在基板SUB上，并且设置在包括修复区域RA的电容器区域CA中并设置在设置有感测晶体管STr的感测区域SA中。设置在修复区域RA中的缓冲层BUF的一部分可以在其中限定有缓冲孔BFH。基板SUB的表面的一部分可以通过修复区域RA中的缓冲孔BFH暴露。缓冲层BUF可以包括诸如硅氧化物或硅氮化物之类的绝缘材料。在一个示例中，在另一实施方式中，缓冲层BUF可以具有平坦的表面而不包括缓冲孔BFH。
挡光层LS可以设置在基板SUB与缓冲层BUF之间，并且设置在电容器区域CA的除了修复区域RA之外的一部分中。挡光层LS可以包括不透明金属材料。例如，挡光层LS可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)或铜(Cu)或者其合金之类的不透明金属材料。
在平面图中，设置在电容器区域CA中的挡光层LS具有至少一个拐角部向内侧凹陷的凹部RS，并且因此在修复区域RA中，挡光层LS不存在并因此不与电容器的第二电极ST1交叠。然后，在定位在凹部RS外侧的修复区域RA中，电容器的第二电极ST1的一部分被暴露。因此，挡光层LS在修复区域RA中不与修复图案RP交叠。
有源层ACT设置在缓冲层BUF上。设置在修复区域RA中的有源层ACT可以设置在缓冲层BUF的上表面上并且设置在缓冲孔BFH的一侧并且可以沿第二方向(例如，Y轴方向)延伸。设置在电容器区域CA中的有源层ACT可以横跨挡光层LS延伸并且沿Y轴方向延伸以延伸至设置有驱动晶体管DTr的区域。有源层ACT可以包括半导体层。在一个示例中，有源层ACT还可以包括阻挡金属层BM。半导体层可以包括诸如铟镓锌氧化物(IGZO)和铟锌氧化物(IZO)之类的氧化物半导体材料中的至少一种。阻挡金属层BM可以包括钛钼(MoTi)。
在有源层ACT上，设置有栅电极GE、源电极/漏电极NE以及电容器Cst的第二电极ST1。栅电极GE设置在感测区域SA中，并且源电极/漏电极NE分别设置在栅电极GE的两个相反侧上，且栅电极GE插设在源电极/漏电极NE之间。因此，感测晶体管STr设置在感测区域SA中。
设置在电容器区域CA中的存储电容器Cst包括第一电极C1和第二电极ST1。第一电极C1和有源层ACT可以在同一工艺中形成并且可以定位在同一平面中。第二电极ST1、栅电极GE和源电极/漏电极NE可以在同一工艺中形成。栅极绝缘膜GI设置在第一电极C1与第二电极ST1之间以便用作介电层。
由于源电极/漏电极NE中的设置在感测晶体管STr的一侧的一个被设置在包括修复区域RA的电容器区域CA中，因此源电极/漏电极NE中的一个可以电连接至电容器区域CA。源电极/漏电极NE中的设置在感测晶体管STr的另一侧的另一个可以经由第二连接布线CL2电连接至参考电源线VREF(见图2)。
栅极绝缘膜GI可以定位在栅电极GE与有源层ACT之间并且定位在感测区域SA中。在电容器区域CA中，由介电材料制成的栅极绝缘膜GI可以设置在第二电极ST1与有源层ACT之间。在没有设置栅极绝缘膜GI的区域中，第二电极ST1可以被设置成与有源层ACT的暴露表面接触。
此外，在修复区域RA中，第二电极ST1填充限定在缓冲层BUF中的整个缓冲孔BFH并且延伸以与缓冲层BUF的设置在缓冲孔BFH的一侧的上表面上所设置的有源层ACT的暴露表面接触。
保护层PAS设置在包括第二电极ST1的基板SUB上。保护层PAS可以设置在感测区域SA、修复区域RA和电容器区域CA中。保护层PAS可以包括例如硅氧化物(SiOx)的无机绝缘材料。保护层PAS可以具有足够的厚度以覆盖第二电极ST1以及感测晶体管STr的源电极/漏电极NE和栅电极GE的整个表面。
保护层PAS可以在电容器区域CA中限定有延伸穿过保护层PAS的第一接触孔PH，以便暴露第二电极ST1的表面的一部分。
平坦化膜(或覆盖膜)OC设置在保护层PAS上。平坦化膜OC可以具有足够的厚度以在用于保护下面的元件的同时使基板SUB上的表面平坦化。平坦化膜OC可以包括有机绝缘材料。在一个示例中，平坦化膜OC可以包括光敏化合物(PAC)。
平坦化膜OC可以在电容器区域CA中限定有电容器接触孔CH，并且可以在修复区域RA中限定有修复孔RH。电容器接触孔CH可以包括第一接触孔PH和第二接触孔OCH。第二接触孔OCH可以与第一接触孔PH交叠，同时延伸穿过平坦化膜OC。第二电极ST1的表面的一部分可以通过包括第一接触孔PH和第二接触孔OCH的电容器接触孔CH暴露。
修复孔RH可以延伸穿过平坦化膜OC以便暴露保护层PAS的表面的一部分。如上所述，设置有修复孔RH的修复区域RA与设置在电容器区域CA中的挡光层LS的凹部RS交叠。因此，挡光层LS不设置在修复孔RH下方，但是第二电极ST1设置在修复孔RH下方。
阳极AE和修复图案RP设置在平坦化膜OC上。阳极AE可以沿着限定在平坦化膜OC中的电容器接触孔CH的暴露表面设置，并且可以在平坦化膜OC的上表面上并沿着平坦化膜OC的上表面延伸，并且可以延伸到发光区域中。修复图案RP可以沿着在修复区域RA中限定在平坦化膜OC中的修复孔RH的暴露表面设置，并且可以沿着平坦化膜OC的上表面并在平坦化膜OC的上表面上延伸。阳极AE和修复图案RP可以包括相同的材料并且可以使用同一工艺形成。在一个示例中，阳极AE和修复图案RP可以由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)之类的透明金属氧化物组成。阳极AE可以被称为像素电极。
修复图案RP设置在与第二电极ST1交叠的位置中，同时保护层PAS插设在修复图案RP与第二电极ST1之间。修复图案RP可以具有从在第一子像素SPX-1的Y轴方向上向下设置的第二子像素SPX-2的阳极AE延伸的形状。因此，设置在第一子像素SPX-1的电容器区域CA中的修复区域可以被限定为第二子像素SPX-2的修复区域RA。
在其中限定有堤孔的堤BNK设置在阳极AE和修复图案RP上。堤孔可以暴露阳极AE的表面的一部分以便限定发光区域。堤BNK用于限定每个子像素。此外，堤BNK用于防止或减少从邻近的子像素输出的不同颜色的光束彼此混合。堤BNK可以由有机绝缘膜或无机绝缘膜组成。
有机发光层(未示出)和阴极CE依次设置在堤BNK上。有机发光层由发射白色光的有机材料制成，并且设置于其上的滤色器可以呈现颜色。然而，本公开不限于此。阴极CE可以共同接触显示区域AA上的邻近的子像素以便向其施加电压。阴极CE可以被称为公共电极。
如上所述，修复图案RP可以定位成与第二电极ST1交叠，同时保护层PAS插设在修复图案RP与第二电极ST1之间。在对应的子像素中出现缺陷时激光照射到修复区域RA之前，修复图案RP经由保护层PAS与第二电极ST1电绝缘。然后，当对应的子像素中出现缺陷并因此在从基板SUB的后表面到修复区域RA的方向上照射激光时，第二电极ST1吸收激光的能量并因此其相转变成液体。然后，第二电极ST1的金属材料膨胀(expand)以形成延伸穿过保护层PAS的突起。
第二电极ST1的延伸穿过保护层PAS的突起可以接触并电连接至修复图案RP。当第二电极ST1和修复图案RP彼此接触并彼此电连接时，修复图案RP可以经由与第一子像素SPX-1的电容器的第二电极ST1接触的有源层ACT电连接至感测晶体管STr。然后，修复图案RP经由第一子像素SPX-1的电容器的第二电极ST1电连接至第一子像素SPX-1的驱动晶体管DTr。因此，从驱动晶体管DTr输出的驱动电力经由修复图案RP提供给第二子像素SPX-2使得第二子像素SPX-2的有机发光元件可以发光。
换句话说，当第二子像素SPX-2中出现缺陷时，第二子像素SPX-2的修复图案RP可以电连接至正常操作的第一子像素SPX-1，使得第二子像素SPX-2可以被修复以发光。
根据本公开的一个实施方式，设置有修复图案RP的修复区域RA与电容器区域CA交叠。因此，可以不在电路区域中设置用于修复图案的单独的空间。因此，可以确保与修复区域相等的空间余量，作为用于确保孔径比的空间。因此，可以提高在实现高清屏幕和超高分辨率屏幕的显示装置中重要的孔径比。此外，提高孔径比可以允许提高有机发光元件的寿命。
图5A至图5E为用于例示根据本公开的一个实施方式的用于制造显示装置的方法的图。在这方面，与图1至图4中的组件相同或相似的组件将简要描述。
参照图5A，缓冲层BUF可以设置在基板SUB上。基板SUB可以包括电容器区域CA、修复区域RA以及设置有感测晶体管STr的感测区域SA。缓冲孔BFH可以限定在修复区域RA中的缓冲层BUF中。缓冲孔BFH暴露修复区域RA中的基板SUB的表面的一部分。
在电容器区域CA中，挡光层LS设置在基板SUB与缓冲层BUF之间。挡光层LS设置在电容器区域CA中的除了包括在电容器区域CA中的修复区域RA之外的一部分中。因此，在平面图中，挡光层LS具有至少一个拐角部向内凹陷的凹部RS。该凹部RS可以与修复区域RA交叠。
感测晶体管STr设置在感测区域SA中，并且电容器的第二电极ST1设置在电容器区域CA中。感测晶体管STr包括源电极/漏电极NE，源电极/漏电极NE分别设置在栅电极GE的两个相反侧上，同时栅电极GE插设在源电极/漏电极NE之间。栅电极GE和源电极/漏电极NE可以由相同的材料制成并且可以在同一工艺中形成。有源层ACT可以设置在栅电极GE和源电极/漏电极NE下方。
源电极/漏电极NE中的设置在感测晶体管STr的一侧的一个可以设置在包括修复区域RA的电容器区域CA中并且可以电连接至存储电容器。有源层ACT和由介电材料制成的栅极绝缘膜GI可以在电容器区域CA中设置在第二电极ST1下方。
接着，形成覆盖感测晶体管STr和存储电容器的保护层PAS，并且在保护层PAS上形成平坦化膜OC。
参照图5B，执行使用第一掩膜图案PR1图案化平坦化膜OC的第一图案化工艺以形成修复孔RH和第二接触孔OCH。图案化平坦化膜OC的工艺可以使用光工艺执行。具体地，在平坦化膜OC上涂布光刻胶材料，并且执行曝光工艺和显影工艺以形成具有暴露平坦化膜OC的表面的一部分的开口的第一掩膜图案PR1。
接着，使用第一掩膜图案PR1作为蚀刻掩膜来执行对通过开口暴露的平坦化膜OC的一部分进行蚀刻的蚀刻工艺。可以执行蚀刻工艺使得蚀刻剂穿过平坦化膜OC到达暴露下面的保护层PAS的表面的点。蚀刻工艺可以利用干法蚀刻方案或湿法蚀刻方案执行。当保护层PAS的在与第一掩膜图案PR1的开口对应的位置处的表面被暴露时，停止蚀刻工艺，并且去除第一掩膜图案PR1。
然后，在修复区域RA中，可以形成延伸穿过平坦化膜OC同时暴露保护层PAS的表面的修复孔RH。在电容器区域CA中，可以形成延伸穿过平坦化膜OC的第二接触孔OCH。
参照图5C，使用第二掩膜图案PR2来执行图案化电容器区域CA的保护层PAS的第二图案化工艺。图案化保护层PAS的工艺可以使用光工艺来执行。具体地，光刻胶材料被涂布在其中限定有修复孔RH以暴露保护层PAS的表面的平坦化膜OC上。随后，执行曝光工艺和显影工艺以形成第二掩膜图案PR2，该第二掩膜图案PR2具有暴露电容器区域CA中的保护层PAS的表面的一部分的开口。在修复区域RA中，通过第一接触孔PH暴露的保护层PAS的表面可以用第二掩膜图案PR2完全覆盖。
接下来，使用第二掩膜图案PR2作为蚀刻掩膜来对电容器区域CA的通过开口暴露的保护层PAS进行蚀刻。蚀刻工艺可以进行至暴露电容器区域CA的第二电极ST1的表面的点。蚀刻工艺可以使用干法蚀刻方案来执行。当第二电极ST1的表面的与第二掩膜图案PR2的开口对应的一部分暴露时，停止蚀刻工艺，并且去除第二掩膜图案PR2。
然后，在修复区域RA中，可以形成修复孔RH，修复孔RH延伸穿过平坦化膜OC同时暴露保护层PAS的表面。在电容器区域CA中，可以形成电容器接触孔CH，电容器接触孔CH延伸穿过平坦化膜OC和保护层PAS并且包括第二接触孔OCH和第一接触孔PH。
接下来，参照图5D，阳极AE和修复图案RP形成在平坦化膜OC上。阳极AE可以沿着设置在平坦化膜OC中的电容器接触孔CH的暴露表面并在该暴露表面上设置，并且可以在平坦化膜OC的上表面上并沿着平坦化膜OC的上表面延伸，并且可以设置在发光区域中。修复图案RP可以沿着设置在修复区域RA的平坦化膜OC中的修复孔RH的暴露表面并在该暴露表面上设置，并且可以延伸以覆盖平坦化膜OC的上表面的一部分。
阳极AE和修复图案RP可以包括相同的材料并且可以使用同一工艺形成，使得阳极AE和修复图案RP设置在同一平面中。例如，阳极AE和修复图案RP中的每一个可以包括诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)之类的透明金属氧化物。
修复图案RP可以从在第一子像素SPX-1的Y轴方向上向下设置的第二子像素SPX-2的阳极AE延伸。因此，设置在第一子像素SPX-1的电容器区域CA中的修复区域可以用作第二子像素SPX-2的修复区域RA。
随后，包括堤孔的堤BNK可以形成在阳极AE和修复图案RE上。堤BNK可以经由暴露阳极AE的表面的一部分的堤孔限定发光区域。
有机发光层(未示出)和阴极CE依次形成在堤BNK上。有机发光层可以在发光区域中设置在阳极AE与阴极CE之间。有机发光层可以由发射白色光的有机材料制成，并且设置于其上的滤色器可以呈现颜色。然而，本公开不限于此。阴极CE可以共同接触在显示区域AA中彼此邻近设置的子像素并且可以向其施加电压。
在修复区域RA中，修复图案RP可以被设置成与保护层PAS的通过延伸穿过平坦化膜OC的修复孔RH暴露的一部分接触。修复图案RP可以定位成与第二电极ST1交叠，同时保护层PAS插设在修复图案RP与第二电极ST1之间。
诸如不发光或充当亮斑的子像素之类的缺陷可能由于例如在上述工艺中的形成显示装置的工艺中产生的异物的原因而出现。
参照图5E，将描述在子像素中出现缺陷时执行的修复工艺。
参照图5E，修复图案RP与第二电极ST1交叠，同时保护层PAS插设在修复图案RP与第二电极ST1之间。在由于子像素中的缺陷而在修复区域RA中执行用于修复工艺的激光照射之前，修复图案RP经由保护层PAS与第二电极ST1电绝缘。
当对应的子像素中出现缺陷并因此沿从基板SUB的后表面到修复区域RA的方向照射激光L时，第二电极ST1吸收激光的能量使得其相转变成液体。然后，第二电极ST1的用激光照射的部分区域膨胀以形成延伸穿过保护层PAS的突起PT。由于延伸穿过保护层PAS的突起PT与修复图案RP接触，所以第二电极ST1和修复图案RP可以彼此电连接。
当第二电极ST1和修复图案RP彼此电连接时，修复图案RP可以经由与第一子像素SPX-1的第二电极ST1接触的有源层ACT电连接至感测晶体管STr。然后，修复图案RP经由第一子像素SPX-1的电容器的第二电极ST1电连接至第一子像素SPX-1的驱动晶体管DTr。修复图案RP具有从第二子像素SPX-2的阳极AE延伸的形状。换句话说，第二子像素SPX-2的修复图案RP和阳极AE可以彼此一体地形成。因此，从第一子像素SPX-1的驱动晶体管DTr输出的驱动电力可以经由修复图案RP提供给第二子像素SPX-2的有机发光元件。
因此，当第二子像素SPX-2中出现缺陷时，第二子像素SPX-2的修复图案RP可以电连接至作为正常子像素的第一子像素SPX-1，使得第二子像素SPX-2可以正常发光。
在一个示例中，根据本公开的一个实施方式的显示装置可以减少应用于修复工艺的激光输出能量(功率，W)。
随着激光所照射的目标层的厚度越大，激光的输出能量要求越大的输出能量。随着激光的输出能量的幅值增大，周围的元件发生损坏。以下将参照附图对此进行描述。
图6A至图6C为用于例示根据比较例的修复工艺的图。
在这方面，图6A为示出根据比较例的显示装置的修复区域的平面图。图6B和
图6C为示出如沿图6A的III-III’方向截取的修复区域上的修复工艺的结果的截面图。
图7为示出基于激光输出能级的修复结果的图像。
参照图6A和图6B，在根据比较例的显示装置中，挡光膜LS_E设置在基板SUB_E上并且在电容器区域CA_E中。在这方面，挡光膜LS_E延伸至设置在电容器区域CA_E中的修复区域RA_E。
缓冲层BUF_E和栅极绝缘膜GI_E设置在挡光膜LS_E上。保护层PAS_E和平坦化膜OC_E设置在栅极绝缘膜GI_E上。在电容器区域CA_E中，电容器电极ST_E设置在栅极绝缘膜GI_E上。电容器电极ST_E设置在电容器区域CA_E的除了修复区域RA_E之外的一部分中。因此，参照图6A，电容器电极ST_E可以具有围绕修复区域RA_E的三侧的形状。
在修复区域RA_E中，可以设置延伸穿过平坦化膜OC_E和保护层PAS_E的修复孔RH_E。修复孔RH_E暴露栅极绝缘膜GI_E的表面的一部分。修复图案RP_E沿着修复孔RH_E的暴露表面并在修复孔RH_E的暴露表面上设置，并且沿着平坦化膜OC_E的上表面并且在平坦化膜OC_E的上表面上延伸。
返回参照图6B，在执行将挡光膜LS_E连接至修复图案RP_E的修复工艺中，缓冲层BUF_E和栅极绝缘膜GI_E的层叠物设置在挡光膜LS_E与修复图案RP_E之间。
在这种情况下，为了形成挡光膜LS_E的延伸穿过多层的层叠物以连接至修复图案RP_E的作为导电材料的突起PT_E，激光需要大输出能级。例如，当包括缓冲层BUF_E和栅极绝缘膜GI_E的多层设置在修复图案RP_E与挡光膜LS_E之间时，多层的层叠物可以具有至少的厚度。在这种情况下，应该以高于至少500W的输出能级照射激光使得挡光膜LS_E的突起PT_E可以延伸穿过多层以便连接至修复图案RP_E。
然而，当以大于500W的输出能级照射激光时，可能发生对周围元件的损坏，这可能会作为缺陷的另一原因。
此外，当修复工艺被执行使得挡光膜LS_E延伸至修复区域RA_E时，修复工艺可能由于挡光膜LS_E没有适当连接至修复图案RP_E而失败。例如，如在图6C中示出，可能出现挡光膜LS_E连接至设置在修复区域RA_E外部的电容器电极ST_E的一部分的连接缺陷A。
由于电容器电极ST_E被设置成围绕修复孔RH_E的三侧，因此连接缺陷A可能邻近于修复孔RH_E的与电容器电极ST_E相邻的侧而出现。在这种情况下，驱动电流未提供至缺陷子像素，使得修复工艺失败。
相比之下，在根据本公开的一个实施方式中，第二电极ST1设置在修复区域RA中，并且在修复图案RP与第二电极ST1之间仅形成仅由保护层PAS组成的单层结构。由于保护层PAS被形成为具有的厚度，因此即使在应用相对小的激光输出能级时，也可以可靠地执行修复工艺。
例如，参照图7，可以确定，当通过以350W的输出能级照射激光来执行修复工艺时(a)和当通过以400W的输出能级照射激光来执行修复工艺时(b)，作为构成第二电极ST1的材料的铜(Cu)被熔化以便连接至作为构成阳极AE的材料的铟锡氧化物(ITO)。因此，与通过以大于至少500W的输出能级照射激光来进行修复工艺的情况相比，可以防止或减少激光对周围元件的损坏。此外，当以小于350W的输出能级照射激光时，构成第二电极ST1的铜Cu可能不熔化，并且因此可能不连接至阳极AE。因此，优选以大于350W的输出能级照射激光。在一个示例中，在本公开的一个实施方式中照射的激光可以具有532nm的波长。
此外，由于电容器区域CA的第二电极ST1延伸至修复区域RA，因此挡光层LS不设置在修复孔RH下，并且第二电极ST1设置在修复孔RH下。因此，即使当激光的照射位置没有相对于修复孔RH对准时，第二电极ST1和修复图案RP也可以彼此连接。因此，驱动电力可以提供给缺陷子像素，使得防止或减少修复工艺的失败。
在一个示例中，元件的迁移率特性可以通过增大被设置成与修复区域RA交叠的感测晶体管STr的有源层ACT的面积大小来进一步改进。
图8为示出根据本公开的另一实施方式的显示装置的平面图。图9为沿着图8的IV-IV’截取的截面图。在这方面，图8和图9除了感测晶体管STr的有源层ACT之外具有与图1至图4中的组件相同的组件。因此，将仅描述其之间的差异。
参照图8和图9，根据本公开的另一实施方式的显示装置包括包含修复区域RA的电容器区域CA，修复区域RA设置有感测晶体管STr的源电极/漏电极NE。缓冲层BUF可以设置在基板SUB上并且在电容器区域CA中。缓冲层BUF可以包括诸如硅氧化物或硅氮化物之类的绝缘材料。
有源层ACT设置在缓冲层BUF上并且在修复区域RA中。有源层ACT可以包括半导体层。在一个示例中，有源层ACT还可以包括阻挡金属层BM。半导体层可以包括诸如铟镓锌氧化物(IGZO)和铟锌氧化物(IZO)之类的氧化物半导体材料中的至少一种。阻挡金属层可以包括钛钼(MoTi)。
在有源层ACT上，设置有第二电极ST1、栅电极GE和源电极/漏电极NE。
保护层PAS设置在包括第二电极ST1的基板SUB上。保护层PAS可以设置在感测区域SA、修复区域RA和电容器区域CA上。保护层PAS可以包括例如硅氧化物(SiOx)的无机绝缘材料。
在保护层PAS上，设置有其中限定有修复孔RH的平坦化膜OC。平坦化膜OC可以具有足够的厚度以在用于保护下面的元件的同时使基板SUB上的表面平坦化。
修复孔RH可以延伸穿过平坦化膜OC以暴露保护层PAS的表面的一部分。如上所述，设置修复孔RH的修复区域RA与设置在电容器区域CA中的挡光层LS的凹部RS交叠。因此，挡光层LS不设置在修复孔RH下，并且第二电极ST1设置在修复孔RH下。
修复图案RP在限定在平坦化膜OC中的修复孔RH的暴露表面上并沿着该暴露表面设置。修复图案RP可以沿着平坦化膜OC的上表面并在平坦化膜OC的上表面上延伸。修复图案RP可以由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)之类的透明金属氧化物制成。
设置在修复区域RA中的有源层ACT_P可以具有至少等于或大于修复孔RH的面积大小的面积大小。由于激光波长范围中的光透射穿过有源层ACT_P的半导体层，因此有源层ACT_P可以形成在修复孔RH下方以与第二电极ST1交叠。当感测晶体管STr的有源层ACT_P被形成为具有至少等于或大于修复孔RH的面积大小的面积大小时，设置在保护层PAS下的第二电极ST1和感测晶体管STr的有源层ACT_P彼此交叠的区域的面积大小增大。
当第二电极ST1和感测晶体管STr的有源层ACT_P彼此交叠的区域的面积大小增大时，第二电极ST1与感测晶体管STr的有源层ACT_P之间的接触电阻减小使得元件的迁移率特性可以稳定。换句话说，当驱动电力经由修复图案RP提供给缺陷子像素时，电阻可以进一步减小，使得可以更容易地向其传递驱动信号。
在一个示例中，当感测晶体管电连接至存储电容器，并且存储电容器的第二电极设置在修复图案下方使得修复图案电连接至存储电容器的第二电极时，修复区域可以设置在电容器区域上的各种位置。
图10为示出根据本公开的又一实施方式的显示装置的平面图。在这方面，与图1至图4的组件相同或类似的组件具有相同的附图标记，并且将简要描述。
参照图10，显示装置包括彼此邻近布置的第一子像素SPX-1、第二子像素SPX-2、第三子像素SPX-3和第四子像素SPX-4。在本公开的一个实施方式中，四个子像素是为了例示的便利而例示的。然而，本公开不限于此。
子像素SPX-1、SPX-2、SPX-3和SPX-4中的每一个具有设置有发光的有机发光层的发光区域以及设置有用于向有机发光层提供驱动电流的电路元件的电路区域。电路元件可以包括驱动晶体管DTr、存储电容器Cst、感测晶体管STr和开关晶体管SWTr。构成电路区域的电路元件设置在除了发光区域之外的剩余区域中。
驱动电源线EVDD设置在第一子像素SPX-1和第二子像素SPX-2的一侧。数据线DL1和DL2设置在第一子像素SPX-1与第三子像素SPX-3之间以及第二子像素SPX-2与第四子像素SPX-4之间。参考电源线VREF设置在第三子像素SPX-3的另一侧。参考电源线VREF可以沿着作为第二方向的Y轴方向延伸。
选通线GL沿与沿Y轴方向延伸的驱动电源线EVDD、第一数据线DL1、第二数据线DL2和参考电源线VREF交叉的方向延伸。选通线GL可以沿着X轴方向延伸。选通线GL可以与第一子像素SPX-1和第三子像素SPX-3中的每一个的发光区域邻近地设置。
存储电容器Cst可以在选通线GL的Y轴方向上向下设置。因此，选通线GL可以设置在发光区域与存储电容器Cst之间。感测晶体管STr的有源层ACT沿与选通线GL交叉的Y轴方向延伸。感测晶体管STr的栅电极可以实施成选通线GL的一部分。在另一示例中，感测晶体管STr的栅电极可以实施成从选通线GL分支的部分。
感测晶体管STr的有源层ACT的一端可以朝向存储电容器Cst延伸以便电连接至存储电容器Cst。
阳极AE设置在子像素SPX-1、SPX-2、SPX-3和SPX-4中的每一个的发光区域中。此外，子像素SPX-1、SPX-2、SPX-3和SPX-4中的每一个可以被配置成包括用于将缺陷子像素转换成正常子像素的修复图案RP。一个子像素的修复图案RP可以具有从与其邻近的另一子像素的阳极AE延伸的形状。例如，修复图案RP可以具有从在相对于第一子像素SPX-1的Y轴方向上布置的第二子像素SPX-2的阳极AE的一端朝向第一子像素SPX-1延伸的形状。在一个示例中，一个子像素的修复图案RP可以被形成为从阳极AE的左上端或右上端朝向在Y轴方向上与其邻近的另一子像素延伸。
驱动晶体管DTr电连接至存储电容器Cst。存储电容器Cst可以设置在驱动晶体管DTr与选通线GL之间并且连接至驱动晶体管DTr和选通线GL。存储电容器Cst可以在其至少一个拐角部处电连接至感测晶体管STr的有源层ACT的一端。包括修复孔RH的修复区域RA可以设置在存储电容器Cst的电连接至感测晶体管STr的有源层ACT的一端的拐角部中。
在本公开的另一实施方式中，子像素SPX-1、SPX-2、SPX-3和SPX-4中的每一个包括用于将缺陷子像素转换成正常子像素的修复图案。例如，在相对于第一子像素SPX-1的Y轴方向上布置的第二子像素SPX-2可以包括具有朝向第一子像素SPX-1延伸的形状的修复图案RP。
修复图案RP可以具有从第二子像素SPX-2的有机发光元件的阳极AE延伸的形状。修复图案RP可以从第二子像素SPX-2的阳极AE的一侧的拐角部延伸以便设置在设置于存储电容器Cst中的修复孔RH中。例如，修复图案RP可以从阳极AE的左上拐角部或右上拐角部延伸。因此，感测晶体管STr电连接至存储电容器Cst，并且修复图案RP在修复孔RH中电连接至感测晶体管STr。在这种情况下，修复区域RA可以设置在电容器区域上的各种位置处。
根据本公开的一个实施方式，修复区域可以设置在电容器区域中，使得可以不在电路区域中设置用于修复图案的单独的空间。因此，可以确保与用于形成修复图案的空间相等的空间余量，使得可以提高孔径比。因此，即使在高清或超高清模型中，也可以在确保孔径比的同时执行修复工艺。
此外，减小设置在修复图案与第二电极之间的层的厚度可以允许即使使用相对小的激光输出能级的激光也可靠地执行修复工艺。这可以防止或减少修复图案周围的元件被激光损坏，由此提高显示装置的可靠性。
另外，即使在激光照射位置与目标位置未对准时，也可以防止或减少修复失败。
此外，增大有源层与修复区域交叠的区域的面积大小可以允许感测晶体管的电阻减小，使得元件的迁移率特性可以稳定。
尽管已经参照附图更详细地描述了本公开的实施方式，但是本公开不必受这些实施方式限制，并且可以在本公开的技术精神的范围内以各种方式被修改。因此，如在本公开中公开的实施方式旨在描述而非限制本公开的技术思想，并且本公开的技术思想的范围不受这些实施方式限制。因此，应当理解，以上描述的实施方式在所有方面都不是限制性的，而是例示性的。

Claims (19)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基板，所述基板包括多个子像素；
阳极，所述阳极被包括在所述子像素中的每一个中；以及
存储电容器，所述存储电容器设置在所述阳极下方并与所述阳极交叠，
其中，所述阳极包括第一子像素的第一阳极以及与所述第一子像素邻近设置的第二子像素的第二阳极，
其中，所述第二阳极包括修复图案，所述修复图案朝向所述第一子像素延伸以便与所述第一子像素的所述存储电容器交叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述子像素中的每一个还包括感测晶体管，
其中，所述感测晶体管包括：
有源层；
栅电极，所述栅电极设置在所述有源层上；以及
源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极分别设置在所述栅电极的两个相反侧上，同时所述栅电极插设在所述源电极与所述漏电极之间，
其中，所述源电极和所述漏电极中的一者电连接至所述存储电容器。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，连接至所述感测晶体管的所述存储电容器包括：
第一电极，所述第一电极与所述有源层共面；以及
第二电极，所述第二电极与所述栅电极共面。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述感测晶体管的所述源电极和所述漏电极中的一者连接至所述存储电容器的所述第二电极。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
选通线，所述选通线沿着所述基板的第一方向延伸；以及
数据线，所述数据线沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸，其中，所述数据线将彼此邻近设置所述子像素彼此区分开，
其中，所述第一子像素和所述第二子像素沿着所述第二方向布置。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
保护层，所述保护层覆盖所述感测晶体管；
覆盖膜，所述覆盖膜设置在所述保护层上；
电容器孔，所述电容器孔设置在设置有所述存储电容器的电容器区域中，其中，所述电容器孔延伸穿过所述覆盖膜和所述保护层；以及
修复孔，所述修复孔设置在与所述存储电容器交叠的修复区域中，其中，所述修复孔延伸穿过所述覆盖膜，
其中，所述阳极设置在所述电容器孔的暴露表面上，
其中，所述修复图案设置在所述修复孔中以便接触所述保护层。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述修复图案设置在所述修复孔中以便与所述存储电容器交叠，同时所述保护层插设在所述修复图案与所述存储电容器之间。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述感测晶体管的所述有源层具有至少等于或大于所述修复孔的面积大小的面积大小并且接触所述存储电容器。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述修复图案包括与所述第二阳极的材料相同的材料并且与所述第二阳极一体地形成。
10.根据权利要求3所述的显示装置，其中，挡光层设置在所述存储电容器的所述第一电极下方，同时缓冲层插设在所述挡光层与所述存储电容器的所述第一电极之间，
其中，在所述显示装置的平面图中，所述挡光层具有限定在所述挡光层的向内凹陷的至少一个拐角部中的凹部，其中，所述挡光层在所述凹部处不与所述第二电极和所述修复图案交叠。
11.一种显示装置，所述显示装置包括：
基板，所述基板具有设置有感测晶体管的感测区域和包括修复区域的电容器区域；
缓冲层，所述缓冲层设置在所述基板上并且在所述感测区域和所述修复区域中；
挡光层，所述挡光层设置在所述基板与所述缓冲层之间并且在所述电容器区域的除了所述修复区域之外的一部分中；
感测晶体管，所述感测晶体管在所述感测区域中定位在所述缓冲层上；
存储电容器，所述存储电容器设置在所述缓冲层上并且在包括所述修复区域的所述电容器区域中；
保护层，所述保护层覆盖所述感测晶体管和所述存储电容器；
覆盖膜，所述覆盖膜设置在所述保护层上；
修复孔，所述修复孔设置在所述修复区域中并且延伸穿过所述覆盖膜以便暴露所述保护层的表面的一部分；以及
修复图案，所述修复图案设置在所述修复孔上并且与所述存储电容器交叠，同时所述保护层插设在所述修复图案与所述存储电容器之间。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述感测晶体管包括：
有源层，所述有源层定位在所述缓冲层上；
栅电极，所述栅电极定位在所述有源层上；以及
源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极分别设置在所述栅电极的两个相反侧上，同时所述栅电极插设在所述源电极与所述漏电极之间，
其中，所述源电极和所述漏电极中的一者电连接至所述存储电容器。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，连接至所述感测晶体管的所述存储电容器包括：
第一电极，所述第一电极与所述有源层共面；以及
第二电极，所述第二电极与所述栅电极共面。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述缓冲层中还限定有缓冲孔，所述缓冲孔暴露所述修复区域中的所述基板的表面的一部分，
其中，所述存储电容器的所述第二电极填充所述缓冲孔。
15.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
电容器孔，所述电容器孔设置在设置有所述存储电容器的电容器区域中，其中，所述电容器孔延伸穿过所述覆盖膜和所述保护层以便暴露所述存储电容器的上表面的一部分；以及
阳极，所述阳极沿着所述电容器孔的暴露表面并在所述电容器孔的暴露表面上延伸，并且沿着所述覆盖膜的上表面并在所述覆盖膜的上表面上延伸。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述阳极和所述修复图案由相同的材料制成。
17.一种用于修复显示装置的方法，其中，所述显示装置包括：
基板，所述基板包括多个子像素；
第一阳极和存储电容器，所述第一阳极和所述存储电容器包括在所述多个子像素中的第一子像素中；以及
修复图案，所述修复图案从包括在与所述第一子像素邻近设置的第二子像素中的第二阳极延伸，其中，所述修复图案与所述第一子像素的所述存储电容器交叠，
其中，所述方法包括将激光照射到从所述第二阳极延伸的所述修复图案上以将所述第二子像素的所述修复图案电连接至所述第一子像素的所述存储电容器。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述显示装置还包括：
保护层，所述保护层作为单层设置在所述修复图案与所述存储电容器之间；以及
缓冲层，所述缓冲层设置在所述存储电容器与所述基板之间，其中，所述缓冲层中限定有缓冲孔，所述缓冲孔暴露所述基板的表面的一部分，
其中，所述存储电容器包括第一电极，所述第一电极与感测晶体管的有源层共面；以及第二电极，所述第二电极与所述感测晶体管的栅电极共面，
其中，所述存储电容器的所述第二电极填充所述缓冲孔。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，照射所述激光包括以低于500W的输出能级将所述激光照射到作为所述单层的所述保护层。
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