CN113724651A - 一种阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例公开了一种阵列基板及显示面板，包括阵列设置的多个发光元件和驱动发光元件发光的像素电路，像素电路包括：驱动晶体管、数据写入晶体管、存储电容、复位晶体管和重置晶体管，复位晶体管，复位晶体管的栅极电连接第二扫描线，复位晶体管的源极电连接第一节点，复位晶体管的漏极电连接第一复位信号源；重置晶体管，重置晶体管的栅极电连接第一扫描线，重置晶体管的源极电连接第二复位信号源，重置晶体管的漏极连接在发光元件的第一电极。本申请实施例可以避免高亮模式下驱动晶体管的栅极与阳极的复位信号同时升高，从而避免使得驱动晶体管在黑画面下或低灰阶画面下能够有效关闭，避免显示面板出现不同程度的亮点不良。

Description

一种阵列基板及显示面板
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
随着OLED面板(有机发光显示面板)的使用逐渐广泛，使用环境也逐渐增加。对于屏幕的最大亮度、功耗等要求也越来越高。目前的屏幕为了满足户外人员使用问题，都会采用增加HBM(High brightness mode，高亮模式)亮度的方式来实现目的。为了增加HBM的亮度目前主要方案为升高阳极复位电压，从而降低阳极达到启亮电压所需充电时间，实现在相同刷新频率下升高发光时间来提升亮度。
然而，目前阳极与驱动晶体管的栅极电连接同一复位信号，升高阳极复位电压，同时也会升高驱动晶体管的栅极的复位电压，会导致在黑画面下或低灰阶画面下驱动晶体管无法有效关闭，进而显示面板出现不同程度的亮点不良。
发明内容
本申请实施例提供了一种阵列基板及显示面板，可以解决高亮模式下阳极与驱动晶体管的栅极的复位信号同时升高，导致在黑画面下或低灰阶画面下驱动晶体管无法有效关闭，进而显示面板出现不同程度的亮点不良的问题。
本申请实施例提供了一种阵列基板，包括阵列设置的多个发光元件和驱动所述发光元件发光的像素电路，所述发光元件的第一电极电连接第一电源，所述发光元件的第二电极电连接第二电源，所述像素电路耦合在第一电源和所述发光元件的所述第一电极之间，所述像素电路包括：
驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅极电连接第一节点，所述驱动晶体管的源极电连接第二节点，所述驱动晶体管的漏极电连接第三节点；
数据写入晶体管，所述数据写入晶体管的栅极电连接第一扫描线，所述数据写入晶体管的源极电连接数据线，所述数据写入晶体管的漏极电连接所述第二节点；
存储电容，包括第一电容电极和第二电容电极，所述第一电容电极电连接所述第一电源，所述第二电容电极电连接所述第一节点；
复位晶体管，所述复位晶体管的栅极电连接第二扫描线，所述复位晶体管的源极电连接所述第一节点，所述复位晶体管的漏极电连接第一复位信号源；
重置晶体管，所述重置晶体管的栅极电连接第一扫描线，所述重置晶体管的源极电连接第二复位信号源，所述重置晶体管的漏极连接在所述发光元件的所述第一电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，包括层叠设置的基底、第二金属层和第一金属层，所述第一金属层包括所述发光元件的第一电极，以及所述第一复位信号源的走线和所述第二复位信号源的走线中的一个，所述第二金属层包括所述第一复位信号源的走线和所述第二复位信号源的走线中的另一个。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述像素电路还包括：
补偿晶体管，所述补偿晶体管的栅极电连接所述第一扫描线，所述补偿晶体管的源极电连接所述第三节点，所述补偿晶体管的漏极电连所述第一节点。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述像素电路还包括：
第一发光控制晶体管，所述第一发光控制晶体管的栅极电连接发光控制信号线，所述第一发光控制晶体管的源极电连接第一电源，所述第一发光控制晶体管的漏极电连接所述第二节点；
第二发光控制晶体管，所述第二发光控制晶体管的栅极电连接发光控制信号线，所述第二发光控制晶体管的源极电连接所述第三节点，所述第二发光控制晶体管的漏极电连接所述发光元件的所述第一电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，还包括设于所述基底和所述第二金属层之间的第三金属层，所述第三金属层还包括所述第一扫描线、所述第二扫描线和所述存储电容的第二电容电极，所述第二金属层还包括存储电容的第一电容电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第三金属层还包括发光控制信号线。
可选的，在本申请的一些实施例中，还包括设于所述第二金属层和所述第一金属层之间第四金属层，所述第四金属层包括数据线和所述第一电源的走线。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述数据线和所述第一电源的走线沿第一方向延伸，所述第一复位信号源的走线和所述第二复位信号源的走线沿第二方向延伸，所述第一金属层包括所述第一复位信号源的走线，所述第一复位信号源的走线设置于相邻的所述发光元件之间，所述第一方向垂直于所述第二方向。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述数据线和第一电源的走线沿第一方向延伸，所述第一复位信号源的走线和所述第二复位信号源的走线沿第二方向延伸，所述第一金属层包括所述第二复位信号源的走线，所述第二复位信号源的走线设置于相邻的所述发光元件之间，所述第一方向垂直于所述第二方向。
相应的，本申请实施例还提供了一种显示面板，包括如上述任一项所述的阵列基板。
本申请实施例中，本申请实施例提供了一种阵列基板及显示面板，可以避免高亮模式下驱动晶体管的栅极与阳极的复位信号同时升高，从而使得驱动晶体管在黑画面下或低灰阶画面下能够有效关闭，避免显示面板出现不同程度的亮点不良。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一实施例提供的阵列基板的膜层结构示意图；
图2是本申请一实施例提供的阵列基板上走线连接关系的俯视示意图；
图3是本申请一实施例提供的阵列基板上的像素电路的等效电路示意图；
图4是本申请一实施例提供的阵列基板上的第二复位线的设置俯视示意图；
图5是本申请一实施例提供的显示面板的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供了一种阵列基板，阵列基板包括阵列设置的多个发光元件和驱动发光元件发光的像素电路，发光元件的第一电极电连接第一电源，发光元件的第二电极电连接第二电源，像素电路耦合在第一电源和发光元件的第一电极之间，像素电路包括：
驱动晶体管，驱动晶体管的栅极电连接第一节点，驱动晶体管的源极电连接第二节点，驱动晶体管的漏极电连接第三节点；
数据写入晶体管，数据写入晶体管的栅极电连接第一扫描线，数据写入晶体管的源极电连接数据线，数据写入晶体管的漏极电连接第二节点；
存储电容，包括第一电容电极和第二电容电极，第一电容电极电连接第一电源，第二电容电极电连接第一节点；
复位晶体管，复位晶体管的栅极电连接第二扫描线，复位晶体管的源极电连接第一节点，复位晶体管的漏极电连接第一复位信号源；
重置晶体管，重置晶体管的栅极电连接第一扫描线，重置晶体管的源极电连接第二复位信号源，重置晶体管的漏极连接在发光元件的第一电极。
本申请实施例提供了一种阵列基板及显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
实施例一、
请参阅图1、图2，图3、图4，图1为本申请实施例提供的阵列基板的膜层结构示意图的示意图，图2为本申请实施例提供的阵列基板上走线连接关系的俯视示意图，图3为本申请实施例提供的阵列基板上的像素电路的等效电路示意图，图4为本申请实施例提供的阵列基板上的第二复位线的设置俯视示意图。
本申请实施例提供了一种阵列基板100，包括阵列设置的多个发光元件OL和驱动发光元件OL发光的像素电路200，发光元件OL的第一电极电连接第一电源VDD，发光元件OL的第二电极电连接第二电源VSS，像素电路200耦合在第一电源VDD和发光元件OL的第一电极之间，像素电路200包括驱动晶体管T1、数据写入晶体管T2、存储电容Cst、复位晶体管T4和重置晶体管T7。
驱动晶体管T1，驱动晶体管T1的栅极电连接第一节点A，驱动晶体管T1的源极电连接第二节点B，驱动晶体管T1的漏极电连接第三节点C。
数据写入晶体管T2，数据写入晶体管T2的栅极电连接第一扫描线Sn，数据写入晶体管T2的源极电连接数据线Data，数据写入晶体管T2的漏极电连接第二节点B。
存储电容Cst，包括第一电容电极Cst11和第二电容电极Cst12，第一电容电极Cst11电连接第一电源VDD，第二电容电极Cst12电连接第一节点A。
复位晶体管T4，复位晶体管T4的栅极电连接第二扫描线Sn-1，复位晶体管T4的源极电连接第一节点A，复位晶体管T4的漏极电连接第一复位信号源VI1。
重置晶体管T7，重置晶体管T7的栅极电连接第一扫描线Sn，重置晶体管T7的源极电连接第二复位信号源VI2，重置晶体管T7的漏极连接在发光元件OL的第一电极。
具体的，复位晶体管T4的漏极电连接第一复位信号源VI1，重置晶体管T7的源极电连接第二复位信号源VI2。
在本申请实施例中，复位晶体管T4和重置晶体管T7电连接不同的复位信号源，供给复位晶体管T4和重置晶体管T7不同的复位信号，可以提供驱动晶体管T1的栅极与发光元件OL的第一电极以不同的复位信号，在高亮模式下，从而使得驱动晶体管T1在黑画面下或低灰阶画面下能够有效关闭，避免显示面板出现不同程度的亮点不良。
实施例二、
本申请实施例是基于实施例一，进一步说明了上述实施例中的膜层结构。
阵列基板100包括层叠设置的基底11、第二金属层17和第一金属层27，第一金属层27包括发光元件OL的第一电极，以及第一复位信号源VI1的走线和第二复位信号源VI2的走线中的一个，第二金属层17包括第一复位信号源VI1的走线和第二复位信号源VI2的走线中的另一个。
具体的，第一金属层27包括发光元件OL的第一电极和第一复位信号源VI1的走线，那么第二金属层17包括第二复位信号源VI2的走线。
具体的，第一金属层27包括发光元件OL的第一电极和第二复位信号源VI2的走线，那么第二金属层17包括第一复位信号源VI1的走线。
需要说明的是发光元件OL的第一电极可以是发光元件OL的阳极。
在本申请实施例中，在实施例一的基础上，有益效果还包括：第一复位信号源VI1的走线和第二复位信号源VI2的走线中的一个与发光元件OL的第一电极同层设置，在形成发光元件OL的第一电极的同时形成第一复位信号源VI1的走线和第二复位信号源VI2的走线中的一个，不需要单独形成第一复位信号源VI1的走线和第二复位信号源VI2的走线中的一个，可以简化工艺。
实施例三、
本申请实施例是基于上述实施例，进一步说明了上述实施例中的结构。
在一些实施例中，像素电路200还包括补偿晶体管T3，补偿晶体管T3的栅极电连接第一扫描线Sn，补偿晶体管T3的源极电连接第三节点C，补偿晶体管T3的漏极电连第一节点A。
在一些实施例中，像素电路200还包括第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T6，第一发光控制晶体管T5的栅极电连接发光控制信号线EM，第一发光控制晶体管T5的源极电连接第一电源VDD，第一发光控制晶体管T5的漏极电连接第二节点B；第二发光控制晶体管T6的栅极电连接发光控制信号线EM，第二发光控制晶体管T6的源极电连接第三节点C，第二发光控制晶体管T6的漏极电连接发光元件OL的第一电极。
阵列基板100还包括设于基底11和第二金属层17之间的第三金属层15，第三金属层15还包括第一扫描线Sn、第二扫描线Sn-1和存储电容Cst的第二电容电极Cst12，第二金属层17还包括存储电容Cst的第一电容电极Cst11。
在一些实施例中，第二金属层17还包括发光控制信号线EM。
在一些实施例中，阵列基板100还包括设于第二金属层17和第一金属层27之间第四金属层23，第四金属层23包括数据线Data和第一电源VDD的走线。
在一些实施例中，数据线Data和第一电源VDD的走线沿第一方向延伸，第一复位信号源VI1的走线和第二复位信号源VI2的走线沿第二方向延伸，第一金属层27包括第一复位信号源VI1的走线，第一复位信号源VI1的走线设置于相邻的发光元件OL之间，第一方向垂直于第二方向。
在一些实施例中，数据线Data和第一电源VDD的走线沿第一方向延伸，第一复位信号源VI1的走线和第二复位信号源VI2的走线沿第二方向延伸，第一金属层27包括第二复位信号源VI2的走线，第二复位信号源VI2的走线设置于相邻的发光元件OL之间，第一方向垂直于第二方向。
具体的，请参阅图2、图4，第二复位信号源VI2的走线设置于相邻的发光元件OL之间，第一复位信号源VI1的走线和发光元件OL的第一电极同层设置，第二复位信号源VI2的走线与第一复位信号源VI1的走线位于不同层，像素电路200电连接对应的第一扫描线Sn和第二扫描线Sn-1，第一扫描线Sn可以为当前行像素的扫描线，第二扫描线Sn-1可以为前一行像素的扫描线。数据线Data与第一电源VDD的走线沿第一方向延伸，第一扫描线Sn和第二扫描线Sn-1沿第二方向延伸，第一方向垂直于第二方向。
下面对阵列基板100的完整结构进行说明，阵列基板100包括依次层叠设置的基底11、缓冲层12、半导体层13、栅极绝缘层14、第三金属层15、电容绝缘层16、第二金属层17、层间绝缘层18、第四金属层23、平坦层25、第一金属层27、像素定义层28。阵列基板100的膜层结构顺序和数量可以不限于此。图1中举例示意了第一金属层27包括发光元件OL的第一电极和第二复位信号源VI2的走线，图1中举例示意了第二金属层17包括第一复位信号源VI1的走线。
请参阅图4，第一复位信号源VI1的走线和第二复位信号源VI2的走线其中之一位于相邻的子像素之间，子像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素。
实施例四、
本申请实施例还提供了一种显示面板，包括上述实施例中任一项所述的阵列基板100。
请参阅图5，图5示意了显示面板1000的部分结构，显示面板1000包括阵列基板100，以及设置阵列基板上的像素定义层28，以及设于相邻像素定义层28之间的发光元件OL，发光元件OL包括第一电极37，设置在第一电极37上的发光材料层30，以及阴极层40，显示面板1000还包括封装层(图未示意)。
在本申请实施例的阵列基板和显示面板中，复位晶体管T4和重置晶体管T7电连接不同的复位信号源，供给复位晶体管T4和重置晶体管T7不同的复位信号，可以提供驱动晶体管T1的栅极与发光元件OL的第一电极以不同的复位信号，在高亮模式下，从而使得驱动晶体管T1在黑画面下或低灰阶画面下能够有效关闭，避免显示面板出现不同程度的亮点不良。
需要说明的是，复位晶体管T4和补偿晶体管T3可以为双栅晶体管，在此不做限定。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括阵列设置的多个发光元件和驱动所述发光元件发光的像素电路，所述发光元件的第一电极电连接第一电源，所述发光元件的第二电极电连接第二电源，所述像素电路耦合在第一电源和所述发光元件的所述第一电极之间，所述像素电路包括：
驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅极电连接第一节点，所述驱动晶体管的源极电连接第二节点，所述驱动晶体管的漏极电连接第三节点；
数据写入晶体管，所述数据写入晶体管的栅极电连接第一扫描线，所述数据写入晶体管的源极电连接数据线，所述数据写入晶体管的漏极电连接所述第二节点；
存储电容，包括第一电容电极和第二电容电极，所述第一电容电极电连接所述第一电源，所述第二电容电极电连接所述第一节点；
复位晶体管，所述复位晶体管的栅极电连接第二扫描线，所述复位晶体管的源极电连接所述第一节点，所述复位晶体管的漏极电连接第一复位信号源；
重置晶体管，所述重置晶体管的栅极电连接第一扫描线，所述重置晶体管的源极电连接第二复位信号源，所述重置晶体管的漏极连接在所述发光元件的所述第一电极。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，包括层叠设置的基底、第二金属层和第一金属层，所述第一金属层包括所述发光元件的第一电极，以及所述第一复位信号源的走线和所述第二复位信号源的走线中的一个，所述第二金属层包括所述第一复位信号源的走线和所述第二复位信号源的走线中的另一个。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电路还包括：
补偿晶体管，所述补偿晶体管的栅极电连接所述第一扫描线，所述补偿晶体管的源极电连接所述第三节点，所述补偿晶体管的漏极电连所述第一节点。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电路还包括：
第一发光控制晶体管，所述第一发光控制晶体管的栅极电连接发光控制信号线，所述第一发光控制晶体管的源极电连接第一电源，所述第一发光控制晶体管的漏极电连接所述第二节点；
第二发光控制晶体管，所述第二发光控制晶体管的栅极电连接发光控制信号线，所述第二发光控制晶体管的源极电连接所述第三节点，所述第二发光控制晶体管的漏极电连接所述发光元件的所述第一电极。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括设于所述基底和所述第二金属层之间的第三金属层，所述第三金属层还包括所述第一扫描线、所述第二扫描线和所述存储电容的第二电容电极，所述第二金属层还包括存储电容的第一电容电极。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第三金属层还包括发光控制信号线。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括设于所述第二金属层和所述第一金属层之间第四金属层，所述第四金属层包括数据线和所述第一电源的走线。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线和所述第一电源的走线沿第一方向延伸，所述第一复位信号源的走线和所述第二复位信号源的走线沿第二方向延伸，所述第一金属层包括所述第一复位信号源的走线，所述第一复位信号源的走线设置于相邻的所述发光元件之间，所述第一方向垂直于所述第二方向。
9.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线和第一电源的走线沿第一方向延伸，所述第一复位信号源的走线和所述第二复位信号源的走线沿第二方向延伸，所述第一金属层包括所述第二复位信号源的走线，所述第二复位信号源的走线设置于相邻的所述发光元件之间，所述第一方向垂直于所述第二方向。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的阵列基板。
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