CN117597752A

CN117597752A - 层叠陶瓷电子部件以及层叠陶瓷电子部件的制造方法

Info

Publication number: CN117597752A
Application number: CN202280046415.5A
Authority: CN
Inventors: 滨田大介
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2021-07-30
Filing date: 2022-07-19
Publication date: 2024-02-23
Also published as: US20240145168A1; KR20240023660A; WO2023008247A1; JPWO2023008247A1

Abstract

提供一种层叠陶瓷电子部件，能够防止发生电极中断并且使内部电极层薄层化。层叠陶瓷电子部件具备层叠体，上述层叠体具有含有陶瓷的多个绝缘体层和多个内部电极层，其中，构成上述内部电极层的金属粒的纵横比为1.8以上。根据该层叠陶瓷电子部件，能够防止发生电极中断并且使内部电极层薄层化。

Description

层叠陶瓷电子部件以及层叠陶瓷电子部件的制造方法

技术领域

本发明涉及层叠陶瓷电子部件以及层叠陶瓷电子部件的制造方法。

背景技术

作为将具有含有陶瓷的多个绝缘体层和多个内部电极层的层叠体烧成而得到的层叠陶瓷电子部件，已知层叠陶瓷电容器。在层叠陶瓷电容器中，小型大电容化的要求大，生片以及内部电极层的薄层化、多层化不断进展。

若内部电极层的薄层化进展，则内部电极层有时会中断，而在专利文献1中记载了可以防止内部电极层的电极中断的镍粉末。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-59467号公报

发明内容

发明要解决的问题

在专利文献1中，公开了为了防止内部电极层的电极中断，优选使用除了镍之外含有铬以及镁的镍粉末。

在层叠陶瓷电容器的制造工序中，将涂敷了成为内部电极层的导体糊剂的生片层叠多张来制作层叠体，并且进行构成生片的陶瓷的烧成温度下的烧成。

在烧成时，因为导体糊剂中包含的镍的烧结温度比烧成工序中的烧成温度低，所以在烧成工序中镍变得过烧结，具有要球形化的倾向。若镍球形化则容易产生电极中断，尤其在使用了粒径小的镍粒子的情况下，电极中断的发生概率变高。

另一方面，在使用了粒径大的镍粒子的情况下，能够在某种程度上防止发生由过烧结引起的电极中断。但是，若使用粒径大的镍粒子则存在不能使内部电极层的厚度变薄这样的问题，不能满足内部电极层的薄层化的要求。

即使使用了专利文献1中记载的镍粉末，也难以充分防止基于上述那样的理由的过烧结、球形化所引起的电极中断的发生并满足内部电极层的薄层化的要求。

本发明是为了解决上述问题而完成的，目的在于提供能够防止发生电极中断并且使内部电极层薄层化的层叠陶瓷电子部件以及该层叠陶瓷电子部件的制造方法。

用于解决问题的手段

本发明的发明人们对能够防止发生电极中断并且使内部电极层薄层化的手段进行了研究，结果发现使构成内部电极层的金属粒的形状为扁平形状是有效的，想到了本发明。

即，本发明的层叠陶瓷电子部件是具备层叠体的层叠陶瓷电子部件，上述层叠体具有含有陶瓷的多个绝缘体层和多个内部电极层，构成上述内部电极层的金属粒的纵横比为1.8以上。

构成本发明的层叠陶瓷电子部件的内部电极层的金属粒成为其形状在层叠体的厚度方向上薄、在层叠体的长度方向以及宽度方向上延伸的扁平形状的粒子。作为金属粒成为扁平形状的指标，使用纵横比。

作为金属粒的形状的(层叠体的宽度方向/层叠体的厚度方向)的比来计算纵横比，该值越大，意味着越是扁平的形状的粒子。纵横比大与金属粒的厚度方向的尺寸小有关，这从内部电极层的薄层化的观点出发是优选的。此外，纵横比大与金属粒不断裂地在宽度方向上延伸有关，这从防止发生电极中断的观点出发是优选的。

在本发明的层叠陶瓷电子部件中，优选上述内部电极层的厚度T(μm)和上述层叠体的体积V(mm³)满足下述关系式(1)。

T≤0.0552×lnV+0.5239 (1)

满足该关系式时，意味着得到了相对于层叠体的体积而内部电极层的厚度薄的层叠陶瓷电子部件。

本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法包含：将形成有内部电极层形成用的内部电极图案的陶瓷生片层叠多张来制作层叠块的层叠工序；切断所述层叠块来得到多个小片的切断工序；使所述小片在炉内温度被设定为1200℃～1600℃的温度的炉体内以30秒以下的停留时间通过的热处理工序；以及对经过了热处理工序的小片，以5℃/min以上的升温速度从900℃升温到最高温度来进行正式烧成的正式烧成工序。

在上述工序中，若进行热处理工序和正式烧成工序，则可防止发生正式烧成工序中的电极中断，能够得到内部电极层被薄层化且防止了电极中断的层叠陶瓷电子部件。

发明效果

根据本发明的层叠陶瓷电子部件以及本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法，能够防止发生电极中断，并且使内部电极层薄层化。

附图说明

图1是示意性示出构成作为本发明的层叠陶瓷电子部件的一例的层叠陶瓷电容器的层叠体的一例的立体图。

图2是示意性示出作为本发明的层叠陶瓷电子部件的一例的层叠陶瓷电容器的一例的立体图。

图3A是示意性示出层叠陶瓷电容器的WT剖面的一例的剖视图。

图3B是示意性示出层叠陶瓷电容器的LT剖面的一例的剖视图。

图4是对于层叠陶瓷电容器的FIB加工面的SIM观察图像。

图5是通过对SIM观察图像的图像处理而得到的图像。

图6是示意性示出求出将金属粒的剖面积累积而达到总面积的50％时的金属粒的剖面积的方法的坐标图。

图7是层叠陶瓷电容器的SEM观察图像。

图8是通过对SEM观察图像的图像处理而得到的图像。

图9是关于实施例以及比较例中制造的层叠陶瓷电容器示出金属粒的纵横比和内部电极层的厚度的关系的图。

图10是关于实施例3～5及10中制造的层叠陶瓷电容器示出层叠体的体积和内部电极层的厚度的关系的图。

图11是对于比较例2中制作的层叠陶瓷电容器的FIB加工面的SIM观察图像。

具体实施方式

以下，参照附图来说明本发明的层叠陶瓷电子部件以及层叠陶瓷电子部件的制造方法。但是，本发明不限于以下结构，在不变更本发明的主旨的范围内能够适当变更来应用。另外，将以下所记载的本发明的各个优选结构组合了两个以上而得到的结构也还是本发明。

以下，作为层叠陶瓷电子部件以层叠陶瓷电容器为例来说明本发明的层叠体陶瓷电子部件以及层叠陶瓷电子部件的制造方法。

层叠陶瓷电容器具备层叠体和设置在层叠体的表面的一部分的多个外部电极。图1是示意性示出构成作为本发明的层叠陶瓷电子部件的一例的层叠陶瓷电容器的层叠体的一例的立体图，图2是示意性示出作为本发明的层叠陶瓷电子部件的一例的层叠陶瓷电容器的一例的立体图。图2所示的层叠陶瓷电容器1通过在图1所示的层叠体10的表面的一部分设置外部电极110、外部电极120而成。

在层叠陶瓷电容器以及层叠体中，将长度方向、宽度方向、层叠方向设为在图1所示的层叠体10以及图2所示的层叠陶瓷电容器1中分别用双箭头L、W、T规定的方向。这里，长度方向和宽度方向和层叠方向相互正交。层叠方向是将构成层叠体10的多个电介质层20和多个内部电极层30不断堆积起来的方向。

层叠体10是具有6面的大致长方体状，具有在层叠方向上彼此相对的第1主面11及第2主面12、在宽度方向上彼此相对的第1侧面13及第2侧面14、在长度方向上彼此相对的第1端面15及第2端面16。层叠体的大致长方体形状包括长方体的角、棱线被圆化的形状，此外，也包括表面形成有凹凸的形状。

在图2所示的层叠陶瓷电容器1中，在层叠体10的第1端面15设置外部电极110，在层叠体10的第2端面16设置外部电极120而成。设置有各外部电极的部分是从层叠体的端面引出了内部电极层的部分。

电介质层是含有陶瓷的绝缘体层。作为构成电介质层的电介质材料，例如能够使用包含钛酸钡、钛酸钙、钛酸锶、钛酸钡钙或锆酸钙等主成分的电介质陶瓷。此外，也可以使用在这些主成分中添加了Mg化合物、Mn化合物、Si化合物、Al化合物、V化合物、Ni化合物等含有量比主成分少的副成分的材料。

被内部电极层夹着的电介质层的平均厚度优选为0.2μm以上，并且优选为2μm以下。

电介质层包含外层部和内层部。外层部位于层叠体的两主面侧，是位于主面与最靠近主面的内部电极之间的电介质层。被两外层部夹着的区域是内层部。外层部的厚度优选单侧为5μm以上，并且优选为200μm以下。

设置在层叠体的第1端面的外部电极进一步从第1端面延伸到第1侧面、第2侧面、第1主面以及第2主面。配置在层叠体的第2端面的外部电极也进一步从第2端面延伸到第1侧面、第2侧面、第1主面以及第2主面。

外部电极优选包含基底电极层和配置在基底电极层上的镀覆层。而且，基底电极层优选包含从包括烧接电极层、树脂电极层、薄膜层等的组中选择的至少一层。

烧接电极层包含玻璃和金属。作为玻璃，能够使用BaO-SrO-B₂O₃-SiO₂系玻璃料(glass frit)等。作为金属，例如，优选包含从包括Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金以及Au等的组中选择的至少一种金属。此外，烧接电极层也可以设置有多层。

烧接电极层的厚度(最厚的部分)优选为5μm以上，并且优选为150μm以下。

树脂电极层也可以包含导电性粒子和热固化性树脂。在形成树脂电极层的情况下，也可以不形成烧接电极层而直接形成在层叠体上。此外，树脂电极层也可以设置有多层。

薄膜层通过溅射法或者蒸镀法等的薄膜形成法而形成，是堆积了金属粒子的厚度1μm以下的层。

作为镀覆层，例如，优选是包含从包括Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au、Sn等的组中选择的至少一种金属的层。

镀覆层也可以由多层形成。优选是Ni镀覆层、Sn镀覆层的两层构造。Ni镀覆层能够抑制基底电极层被安装层叠陶瓷电容器时的焊料侵蚀。Sn镀覆层能够使安装层叠陶瓷电容器时的焊料的润湿性提高，使安装变得容易。

Ni镀覆层的平均厚度优选为1μm以上，并且优选为15μm以下。Sn镀覆层的平均厚度优选为1μm以上，并且优选为15μm以下。

多个内部电极层包含第1内部电极层和第2内部电极层。

内部电极层例如含有包含Ni、Cu、Ag、Pd、Au等金属、或者Ag-Pd合金、Ni-Sn合金、Ni合金等合金的金属粒。内部电极层也可以还包含与电介质层所包含的电介质陶瓷同一组成系的电介质粒子。内部电极层的层叠张数优选为3张以上，并且优选为2000张以下。

在本发明的层叠陶瓷电子部件中，构成内部电极层的金属粒的纵横比为1.8以上。对于金属粒的纵横比的测定方法以及定义进行说明。

通过下述式(2)求出金属粒的纵横比。

[数式1]

为了通过上述式子求出金属粒的纵横比，需要从层叠陶瓷电容器的WT剖面测定“将剖面积从小的一方累积而达到总剖面积的50％时的金属粒的剖面积”和“内部电极层的厚度平均值”。以下，对这些的测定方法进行说明。

另外，所谓层叠陶瓷电容器的WT剖面，对应于图2所示的层叠陶瓷电容器1的B-B线剖视图，是将层叠陶瓷电容器的第1侧面、第2侧面、第1主面以及第2主面切断的剖面。

图3A是示意性示出层叠陶瓷电容器的WT剖面的一例的剖视图，图3B是示意性示出层叠陶瓷电容器的LT剖面的一例的剖视图。图3B所示的层叠陶瓷电容器的LT剖面对应于图2所示的层叠陶瓷电容器1的A-A线剖视图，是将层叠陶瓷电容器的第1端面、第2端面、第1主面以及第2主面切断的剖面。

在图3A中，作为内部电极层示出第1内部电极层35以及第2内部电极层36。

在图3B中，作为内部电极层示出第1内部电极层35以及第2内部电极层36。第1内部电极层35具备与第2内部电极层36对置的第1对置电极部、以及从第1对置电极部引出到层叠体10的第1端面15且与外部电极110连接的第1引出电极部。

第2内部电极层36具备与第1内部电极层35对置的第2对置电极部、以及从第2对置电极部引出到层叠体10的第2端面16且与外部电极120连接的第2引出电极部。

另外，在图3B中，作为外部电极110以及外部电极120的结构，还示出了烧接电极层60、Ni镀覆层61以及Sn镀覆层62。

如以下那样测定为了测定金属粒的纵横比而需要的“将剖面积从小的一方累积而达到总剖面积的50％时的金属粒的剖面积”。

首先，研磨层叠体或者层叠陶瓷电容器使得其WT剖面露出，从而使图3A所示那样的内部电极层露出。

进而，对在WT剖面中内部电极层露出的面以45°的角度进行FIB加工(聚焦离子束加工)。然后，对FIB加工面从90°的角度进行用SIM(扫描型离子显微镜)的观察。通过SIM观察能够进行金属粒的单晶区域的可视化。

图4是对于层叠陶瓷电容器的FIB加工面的SIM观察图像。该图像也是对于后述的实施例1中制作的层叠陶瓷电容器的FIB加工面的SIM观察图像。在该图像中成为均匀的黑色(灰色)的部分是电介质层，成为浅灰色至黑的带的部分是内部电极层。在SIM观察图像中，起因于金属粒为多晶体且其晶体的朝向不同，构成内部电极层的各金属粒的颜色看起来不同。

对这样得到的SIM观察图像进行图像处理，在金属粒的边界画线。图5是通过对SIM观察图像的图像处理而得到的图像。在金属粒的边界画线的图像处理能够由观察者通过手动操作来进行。

在该图像中用线划分的各区域成为各金属粒的剖面积，所以测定各区域的面积。面积的测定能够使用图像处理软件(例如，三谷商事株式会社制WinROOF等)来进行。

然后，求出将剖面积从小的一方累积而达到总面积的50％时的金属粒的剖面积。图6是示意性示出求出将金属粒的剖面积累积而达到总面积的50％时的金属粒的剖面积的方法的坐标图。图6中用箭头示出的部位是累积金属粒的剖面积而达到总面积的50％的点，该点处的金属粒的剖面积为约0.19μm²。

接下来，如以下那样测定为了测定金属粒的纵横比而需要的“内部电极层的厚度平均值”。

首先，将层叠体或层叠陶瓷电容器埋入研磨用树脂，进行研磨(优选利用#1000左右的磨粒的粗切削以及利用微粒的胶体二氧化硅的镜面精加工)，使得其WT剖面露出，使图3A所示那样的内部电极层露出。

对该内部电极层进行用SEM(扫描型电子显微镜)的观察。图7是层叠陶瓷电容器的SEM观察图像。在该图像中成为深灰色的部分是电介质层，成为浅灰色的带的部分是内部电极层。

对这样得到的SEM观察图像进行图像处理，在内部电极层的边界画线。图8是通过对SEM观察图像的图像处理而得到的图像。在内部电极层的边界画线的图像处理能够由观察者通过手动操作来进行。

能够求出在该图像中用线划分的区域的厚度的平均值作为“内部电极层的厚度平均值”。厚度的平均值的测定能够使用图像处理软件(例如，三谷商事株式会社制WinROOF等)来进行。

然后，通过将“内部电极层的厚度平均值(μm)”、“将剖面积从小的一方累积而达到总剖面积的50％时的金属粒的剖面积(μm²)”代入上述式(2)中，从而得到金属粒的纵横比。

该值相当于金属粒的“面积/厚度×厚度”，能够替换为“面积/厚度×厚度”＝(长度×厚度/厚度×厚度)＝长度/厚度，因此表示金属粒的长度与厚度之比。

金属粒的纵横比为1.8以上，意味着厚度薄且长度长，即，意味着是扁平形状的金属粒。此外，金属粒的纵横比优选为1.9以上，更优选为2.3以上。此外，金属粒的纵横比优选为30以下。

金属粒的纵横比是从层叠陶瓷电子部件的WT剖面测定的，所以纵横比也可以说是金属粒的W方向的长度/T方向的长度之比。

顺便说一下，在LT剖面同样地测定了金属粒的纵横比的情况下的纵横比也可以说是金属粒的L方向的长度/T方向的长度之比，而该纵横比也优选为1.8以上。

若在LT剖面测定的纵横比和在WT剖面测定的纵横比都是1.8以上，则可以说是三维地扁平(也可以说是平板状)的形状的金属粒。

在本发明的层叠陶瓷电子部件中，通过使构成内部电极层的金属粒的纵横比为1.8以上从而能够防止发生电极中断且使内部电极层变薄，而作为内部电极层的厚度，优选设为0.15μm以上且0.80μm以下，更优选设为0.20μm以上且0.50μm以下。

此外，作为表示层叠陶瓷电子部件中的电极中断的发生程度的指标，存在称为覆盖率的指标。覆盖率是表示应形成内部电极层的面积中实际存在内部电极层的面积的比例的指标，该指标越高，意味着越没有产生电极中断。因此，优选覆盖率高。

在本发明的层叠陶瓷电子部件中，覆盖率优选为80％以上，更优选为84％以上，进一步优选为88％以上。

覆盖率能够在上述“内部电极层的厚度平均值(μm)”的测定中使用的SEM观察图像中根据与W方向平行的朝向上内部电极层相连的部分的长度和内部电极层断开的部分的长度由下述式(3)来求出。

[数式2]

构成层叠陶瓷电子部件的层叠体能够在较高地保持覆盖率的状态下使内部电极层的厚度变薄。具体而言，能够使覆盖率为80％以上且使内部电极层的厚度为0.80μm以下。因此，能够使覆盖率为80％以上且使层叠体整体的厚度变薄。

优选的内部电极层的厚度根据层叠体中的生片(内部电极层)的层叠张数而不同，但是在层叠张数为270张的情况下优选为0.35μm以下，在层叠张数为540张的情况下优选为0.47μm以下。

此外，层叠体包含位于第1对置电极部及第2对置电极部与侧面之间的层叠体的侧部(W间隙)、位于第1对置电极部及第2对置电极部与端面之间且包含第1内部电极及第2内部电极的引出电极部的层叠体的端部(L间隙)。

L间隙的L方向的平均长度优选为20μm以上，并且优选为120μm以下。W间隙的W方向的平均长度优选为5μm以上，并且优选为100μm以下。

在本发明的层叠陶瓷电子部件中，内部电极层的厚度T(μm)和层叠体的体积V(mm³)优选满足下述关系式(1)。

T≤0.0552×lnV+0.5239 (1)

该关系式被满足时，意味着得到了相对于层叠体的体积而内部电极层的厚度薄的层叠陶瓷电子部件。

此外，关于内部电极层的厚度T和层叠体的体积V，还优选满足下述关系式(4)，更优选满足下述关系式(5)。

0.0552×lnV+0.3336≤T (4)

0.0552×lnV+0.3856≤T (5)

另外，图2所示的层叠陶瓷电容器1是在层叠体的两端面设置有外部电极的2端子电容器，但是只要是具备具有多个电介质层和多个内部电极层的层叠体的层叠陶瓷电容器即可，不限于2端子电容器。例如，也可以是在层叠体的端面以及侧面设置有外部电极的3端子电容器、仅在层叠体的侧面设置有外部电极的电容器。

接下来，对制造本发明的层叠陶瓷电子部件的方法的一例进行说明。作为层叠陶瓷电子部件，以制造层叠陶瓷电容器的情况为例来进行说明。

在PET膜等的载体膜上，通过喷涂、模涂、丝网印刷等方法将混合了成为电介质层的陶瓷和有机物以及溶媒等的陶瓷浆料涂敷为片状，由此得到陶瓷生片。

接下来，调制包含Ni粉等金属粒、溶剂、分散剂以及粘合剂等的内部电极层形成用的导电糊剂。利用丝网印刷、凹版印刷等方法将内部电极层形成用的导电糊剂印刷在陶瓷生片上，形成内部电极图案。

如此，准备形成有内部电极图案的生片。

将形成有内部电极图案的陶瓷生片层叠多张，得到层叠片。通过刚性压制或者等静压压制等对层叠片进行加压，由此使其成形，得到层叠块(层叠工序)。通过剪断或者切割等对层叠块进行分割，由此得到多个小片(chip)(切断工序)。

对该小片进行脱脂工序。在脱脂工序中，例如进行最高温度300℃以下的处理。通过脱脂工序除去焦油。脱脂工序优选在氮气气氛中进行。

接下来，对经过了脱脂工序的小片进行热处理工序。在热处理工序中，进行使小片在炉内温度被设定为1200℃～1600℃的温度的炉体内以停留时间30秒以下通过的处理。

并且，在冷却之后进行烧成工序(正式烧成工序)。在烧成工序中，对经过了热处理工序的小片，以5℃/min以上、优选10℃/min以上的升温速度从900℃升温到最高温度来进行正式烧成。升温速度优选为50℃/min以上。由此，使内部电极或者电介质层分别烧成。停留时间优选为30秒以下，但是也可以是30分钟。最高温度例如优选设为1150℃以上且1300℃以下。最高温度下的保持时间优选设为50秒以上且200秒以下。

此外，优选进行在包含H₂-N₂-H₂O气体的还原性气氛中的烧成。

根据上述方法，形成包含纵横比为1.8以上的金属粒的内部电极层，并且得到层叠体。

接下来，通过例如浸渍方法等对层叠体赋予成为外部电极的导电性糊剂。通过对赋予了导电性糊剂的层叠体进行烧成，从而导电性糊剂成为作为外部电极的一部分的烧接电极层。通过镀覆处理在烧接电极层上形成镀覆层。经过这些工序，能够制造层叠陶瓷电容器。

实施例

以下，示出更具体地公开了本发明的层叠陶瓷电子部件的实施例。另外，本发明不是仅限于这些实施例。

[层叠陶瓷电容器的制作]

(实施例1)

在作为陶瓷原料的BaTiO₃中添加聚乙烯醇缩丁醛系粘合剂、增塑剂以及作为有机溶剂的乙醇，通过球磨机将它们进行湿式混合，制作了陶瓷浆料。接着，将该陶瓷浆料通过模唇(lip)方式进行片成形，得到了矩形的陶瓷生片。接下来，在上述陶瓷生片上丝网印刷含有Ni的导电性糊剂，形成了以Ni为主成分的内部电极图案。导电性糊剂的涂敷厚度设为了0.20μm。另外，设定陶瓷生片的厚度，使得完成品的电介质层的厚度成为0.59μm。

将形成有内部电极图案的陶瓷生片一边在宽度方向上错开一边层叠多张，在其上下层叠未印刷内部电极图案的陶瓷生片，由此得到了母块。将所得到的母块通过等静压压制在层叠方向上进行了压制。层叠数设为了270层。

通过将被压制过的母块切断为小片形状，从而得到了各个内部电极在两端面及两侧面露出的生料小片。

通过对生料小片的一个切断侧面粘贴陶瓷保护层用生片，从而形成了未加工的陶瓷保护层。陶瓷保护层用生片的组成与陶瓷生片的组成相同。

对于生料小片的另一个切断侧面，也与上述同样地形成了未加工的陶瓷保护层。由此，得到了未加工的部件主体。

在正式烧成工序后，通过导电性糊剂的涂敷以及烧接，形成外部电极，制作了实施例1的层叠陶瓷电容器。所得到的层叠陶瓷电容器是0603大小(0.6mm×0.3mm)。

(实施例2～8)

除了如表1及表2所示那样从实施例1变更了各条件之外，与实施例1同样地制作了层叠陶瓷电容器。

(比较例1)

将导电性糊剂的涂敷厚度变更为0.30μm，将热处理工序变更为800℃的脱脂工序，与实施例1同样地进行正式烧成工序，制作了层叠陶瓷电容器。

(比较例2)

除了未进行热处理工序之外，与实施例1同样地制作了层叠陶瓷电容器。

利用本说明书所示的方法，计算出了层叠体的覆盖率、内部电极层的厚度、金属粒的纵横比。此外，测定了层叠体的尺寸和层叠体的体积。在下述表1及表2中汇总示出这些结果。

[表1]

[表2]

根据这些表1及表2可知，在金属粒的纵横比为1.8以上的各实施例的层叠陶瓷电容器中，覆盖率都变高为79％以上，并且都能够使内部电极层的厚度以及层叠体的厚度变薄。

在比较例1中，金属粒的纵横比为1.7。虽然通过使导电性糊剂的涂敷厚度变厚从而能够使覆盖率变高为85％，但是内部电极层的厚度以及层叠体的厚度变厚。

在比较例2中，金属粒的纵横比为1.6，覆盖率变低为70％，内部电极层的厚度也变厚。

(实施例9)

在实施例9中，制作了1005大小(1.0mm×0.5mm)的层叠陶瓷电容器。制造工序与实施例1几乎同样，但是变更了几个条件。使导电性糊剂的涂敷厚度为0.25μm，使层叠数为540层。

(实施例10)

与实施例9同样地制作了层叠陶瓷电容器。

(比较例3)

将导电性糊剂的涂敷厚度变更为0.32μm，使层叠数为492层，将热处理工序变更为850℃的脱脂工序，与实施例9同样地进行正式烧成工序。制作了层叠陶瓷电容器。

(比较例4)

将热处理工序变更为850℃的脱脂工序，与实施例9同样地进行正式烧成工序，制作了层叠陶瓷电容器。

利用本说明书所示的方法，计算出了层叠体的覆盖率、内部电极层的厚度、金属粒的纵横比。此外，测定了层叠体的尺寸和层叠体的体积。在下述表3及表4中汇总示出这些结果。

[表3]

[表4]

根据这些表3及表4可知，在金属粒的纵横比为1.8以上的实施例9、10的层叠陶瓷电容器中，覆盖率都变高为80％以上，并且都能够使内部电极层的厚度以及层叠体的厚度变薄。

在比较例3中，金属粒的纵横比为1.6。虽然通过使导电性糊剂的涂敷厚度变厚从而能够使覆盖率变高为80％以上，但是内部电极层的厚度变厚。层叠体的厚度变得与实施例9、10同样是起因于为了设置为1005大小的层叠陶瓷电容器而减少了层叠张数。可以认为因为层叠张数少所以静电电容变小。

在比较例4中，金属粒的纵横比为1.6，覆盖率变低为71％，内部电极层的厚度也变厚。

图9是关于实施例以及比较例中制造的层叠陶瓷电容器示出金属粒的纵横比和内部电极层的厚度的关系的图。从标绘点中除去了金属粒的纵横比大的实施例4、5。

根据该图可知，若以相同大小的层叠陶瓷电容器进行比较，则金属粒的纵横比成为1.8以上的情况下，内部电极层的厚度变薄。

图10是对实施例3～5以及10中制造的层叠陶瓷电容器示出层叠体的体积和内部电极层的厚度的关系的图。

根据实施例3以及10，关于层叠体的体积V(mm³)和内部电极层的厚度T(μm)，导出了优选范围的式子。该式子是说明书中所记载的下述关系式(1)。

T≤0.0552×lnV+0.5239 (1)

该式(1)是表示内部电极层的厚度T相对于层叠体的体积V的优选范围的上限值的式子。

另一方面，若用与式(1)相同的斜率画出通过实施例5的标绘点的线，则得到下述关系式(5)。

0.0552×lnV+0.3856≤T (5)

该式(5)是表示内部电极层的厚度T相对于层叠体的体积V的优选范围的下限值的式子。

与各实施例对应的标绘点位于由该式(1)和式(5)的线夹着的区域。

另一方面，之前示出的图4是对于实施例1中制作的层叠陶瓷电容器的FIB加工面的SIM观察图像。

若比较这两个图像，则能够理解在实施例1中制作的层叠陶瓷电容器中内部电极层的厚度薄。而且，内部电极层的厚度薄与金属粒的纵横比大相关联。

附图标记说明

1 层叠陶瓷电容器

10 层叠体

11 第1主面

12 第2主面

13 第1侧面

14 第2侧面

15 第1端面

16 第2端面

20 电介质层

30 内部电极层

35 第1内部电极层

36 第2内部电极层

60 烧接电极层

61 Ni镀覆层

62 Sn镀覆层

110、120 外部电极。

Claims

1.一种层叠陶瓷电子部件，具备层叠体，所述层叠体具有含有陶瓷的多个绝缘体层和多个内部电极层，其中，

构成所述内部电极层的金属粒的纵横比为1.8以上。

2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件，其中，

所述内部电极层的厚度T和所述层叠体的体积V满足下述关系式(1)，

T≤0.0552×lnV+0.5239 (1)，

其中，所述内部电极层的厚度T的单位是μm，所述层叠体的体积V的单位是mm³。

3.一种层叠陶瓷电子部件的制造方法，是权利要求1或2所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，具备：

使含有所述陶瓷的多个绝缘体层和所述多个内部电极分别烧结的工序。